JP2005338166A - 光学素子並びにその製造方法 - Google Patents
光学素子並びにその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005338166A JP2005338166A JP2004153368A JP2004153368A JP2005338166A JP 2005338166 A JP2005338166 A JP 2005338166A JP 2004153368 A JP2004153368 A JP 2004153368A JP 2004153368 A JP2004153368 A JP 2004153368A JP 2005338166 A JP2005338166 A JP 2005338166A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- shape
- optical element
- opening
- conductive film
- surface shape
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
- Optical Head (AREA)
Abstract
【解決手段】 第1の表面から第2の表面に連通する少なくとも一つの開口と、第1および第2の表面の少なくとも一つの表面に周期的に設けられた表面形状とを有する導電性膜の、一方の表面に入射し開口を通じて伝送される光の強度が、表面形状がない場合に比べて増強される光学素子であって、一方の表面に入射する光が励起し導電性膜の表面を伝播する電磁表面波の反射を高める形状となるように表面形状を形成する。
【選択図】 図1
Description
これに対し近年、光の波長未満の径を有する開口列をもった金属膜を使用して、開口列を透過する光の透過率を著しく高めた光伝送技術が開示されている。これはEbbesenらの「波長未満口径の孔列による驚くべき光伝送(Extraordinary optical transmission through sub-wavelength hole arrays)」、Nature、巻391、頁667-669(1988年)、Ebbesenらの米国特許第5,973,316号明細書(特開平11-72607号公報)、Kimらの米国特許第6,040,936号明細書(特開2000-111851号公報)、Ebbesenらの米国特許出願公開第09/208,116号(特開2000-171763号公報)、及びKimらの米国特許出願公開第09/435,132号に詳細に説明してある。これらの文献によれば以下のことが示されている。導電性膜に照射された光が導電性膜に設けた波長以下の直径を有する1つ以上の開口を透過するときに、開口を周期的に配列することにより、透過する光強度が周期的な開口がない場合に比べて大幅に増加する。また開口と連携して前記導電性膜上に周期的な表面形状を設けることにより、透過する光強度が周期的な表面形状がない場合に比べて大幅に増加する。これらの透過光強度の増加は、導電性膜に入射する光が導電性膜に励起される表面プラズモンモードと共鳴的に相互作用するときに起こると考えられている。
また特許文献2においては、この光と表面プラズモンモードとの相互作用を利用した、1つまたは複数個の微小な開口を有する光学素子、及びこの技術を適用したフォトリソグラフィ用のマスクを開示している。このフォトリソグラフィマスクは短波長の強度の高いUV源やX線源を使用することなく、従来の感光性材料上に波長よりも大きさの小さい点あるいは線を描くことができる。
上記のような光学素子の実用的な利用の見地からすると、光学素子が同じ分解能を有していれば、より大きな光透過率を得ることが重要な検討課題となる。この点に関して、特許文献3は、従来の光透過率に比べ、より強化された光透過率を得ることができる光伝送装置(光学素子)を開示している。この光伝送装置は、導電性膜の両表面に実質的に隣接し、かつ実質的に屈折率の等しい2つの誘電体層を有し、この構成によって両表面間の光伝送効率を強化することができることを示している。これは導電性膜の2つの表面プラズモンモード間の結合が起こるためと考えられている。
導電性膜の両表面の誘電体層の一方が導電性膜を保持する誘電体支持部材(一般に基板とよばれるもの)であり、もう一方が導電性膜の表面に薄膜プロセス等で堆積した誘電体膜である場合、開口を通じた光のスループットを強化するためには、堆積する誘電体膜の厚みを導電性膜表面上の表面プラズモンのエバネッセント波が誘電体膜へ浸み出す距離と少なくとも同等にする必要がある。この厚みは導電性膜の誘電率、あるいは光の波長によって変化するが、一般に100nmから数100nm程度となることが多い。仮にこのような構造の光学素子を、先に特許文献1に関して述べた光記録装置用の読み出し/書き込みヘッドに適用した場合、記録媒体と導電性膜の開口端との距離(一般にヘッド/媒体間距離と呼ばれる)が、誘電体膜が在ることによって大きく離間することになる。このため分解能や感度など記録再生特性が大きく劣化するということが明らかとなった。導電性膜を同一誘電体でサンドイッチする特許文献3に開示されたような構成を採らなくても、光学素子の光透過率を高めることができる方策が求められる。
本発明はこのような問題点に鑑みてなされたものであって、その目的とするところは、第1の表面から第2の表面へ貫通する少なくとも一つの開口と周期的に設けられた表面形状を少なくとも一つの表面に備える導電性膜を有し、どちらか一つの表面に入射し開口を通じて伝送される光の強度が、前記表面形状がない場合に比べて増強される光学素子であって、とくに従来とは別の方法で、しかも簡便な方法によって、開口を通じて伝送される光の透過率を向上させる方策とその方策を施した光学素子並びにその製造方法を提供することにある。
本発明の光学素子は、第1および第2の表面を有し、第1の表面から第2の表面に連通する少なくとも一つの開口と第1および第2の表面の少なくともどちらかの表面に周期的な表面形状を有する導電性膜を備え、表面形状の前記周期配列方向に切断した断面の形状は、導電性膜に入射する光によって励起されて導電性膜の表面を伝播する電磁表面波の反射を高める形状であることを特徴とする。
また、本発明の光学素子は、第1および第2の表面を有し、第1の表面から第2の表面に連通する少なくとも一つの開口と第1および第2の表面の少なくともどちらかの表面に周期的な表面形状を有する導電性膜を備え、一つの表面に入射し開口を通じて伝送される光の強度が、表面形状が無い場合に比べて増強される光学素子であって、表面形状の前記周期配列方向に切断した断面の形状は、導電性膜に入射する光によって励起されて導電性膜の表面を伝播する電磁表面波の反射を高める形状であることを特徴とする。
本発明の光学素子の製造方法は、第1および第2の表面を有し、第1の表面から第2の表面に連通する少なくとも一つの開口と第1および第2の表面の少なくともどちらかの表面に周期的な表面形状を有する導電性膜を備え、一つの表面に入射し開口を通じて伝送される光の強度が、表面形状が無い場合に比べて増強される光学素子であって、表面形状の前記周期配列方向に切断した断面の形状は、導電性膜に入射する光によって励起されて導電性膜の表面を伝播する電磁表面波の反射を高める形状有する光学素子の製造方法であって、基板上のフォトレジストに表面形状を画定する工程と、エッチング法によってフォトレジストの表面形状パターンを基板に転写する工程と、さらにエッチングを追加して基板に転写された表面形状パターンの基板に垂直な断面形状を制御する工程と、追加エッチングを施した表面形状パターン上に導電性膜を成膜する工程と、導電性膜に開口を形成する工程を含むこと特徴とする。
開口の径は、入射する光の波長よりも短い径を含んでいてもよい。
表面形状は、表面に対して凸の形状または凹の形状を有してもよい。
開口は、単一の開口であり、表面形状は開口の周囲に同心円状に形成されていてもよい。
開口は、単一の開口であり、表面形状は開口を中心にして一次元格子状に形成されていてもよい。
開口は、単一の開口であり、表面形状は開口を中心にして二次元格子状に形成されていてもよい。
また、表面形状の周期方向に沿った断面において、凸部または凹部の幅は40nm以上で周期長未満であり、高さは60nm以上で電磁表面波の反射率を飽和させる高さ以下であってもよい。
また、表面形状の周期方向に沿った断面形状において、凸部または凹部の側面の最大傾斜角度が60度以上90度以下であってもよい。
表面形状は、導電性膜の両方の表面に形成され、2つの表面形状の周期方向に沿った断面の輪郭形状は、導電性膜の厚さの中心軸に対して鏡映対称を成すかまたは並進対称を成してもよい。
光スループットを強化するためには、導電性膜に入射する光が導電性膜に励起される表面プラズモンモードと共鳴的に相互作用する際に、より強い共鳴状態を形成することが重要である。表面プラズモンは特に近赤外から可視の波長帯において、本質的に抵抗性損失が大きい。発明者はこのような抵抗性損失の大きな波長帯において、光スループットと表面形状の断面プロファイル、周期数の関係について詳細に調べた結果、上記の従来技術では開示されていない条件において、大きな光スループットが得られることを見出した。本発明の光学素子はこのような知見に基づくものである。その知見に関する詳細は発明の実施の形態の欄の冒頭に、実験結果を示して説明する。
また、プラズモン反射率を高めるのに好適な表面形状の許容範囲を明確にすることによって、デバイス製造工程に過度の負担をかけることなく、低コストに製造できる光学素子の製造方法を提供することができる。
図2(A)に示すように、試料A群は表面形状が正弦波状のなだらかな凹凸が周期的に配列された構造であるのに対し、試料B群は図2(B)に示すように、表面形状は突起状であり、突起の斜面の傾斜角が試料Aに比べ大きなことが特徴である。それぞれ周期数を変えた試料(開口から外側に向かって輪帯状の表面形状の数を増やした試料)について、透過光強度が最大となる波長と、そのときの光透過率の増幅率を示した実験結果を図3の表1に示す。ここで光透過率の増幅率とは、以下の関係式により算出したものである。
光透過率の増幅率=(周期的な表面形状を有する試料の開口から出射される光強度)/(周期的な表面形状がない試料の開口から出射される光強度)
表1を参照すると、試料B群の場合、光透過率の増幅率は表面形状の数(周期数)が3から5程度で飽和することがわかる。一方、試料A群の場合、試料B群に比べると、表面形状の数に対する光透過率の増幅率の増大がゆるやかで、表面形状の数(周期数)が7から10程度で飽和していることがわかる。またその飽和値は試料A群のそれ比べ1/3〜1/4の小さな値にとどまっている。
図4は透過光強度と表面形状の数の関係についてプロットした結果である。プラズモン反射率の異なるいくつかの場合についてまとめた。このとき表面プラズモンの抵抗性損失を考慮した場合としない場合の2つの場合を考えた。
まず、表面プラズモンの抵抗性損失を考慮しない場合、個々の表面形状におけるプラズモン反射率が小さくても、表面形状の数を増やせばプラズモン反射率が大きな場合の透過光強度に漸近することがわかる。このような周期数を増やす手法は、光学の分野の周期多層膜の概念によく似ている。
一方、表面プラズモンの抵抗性損失を考慮すると、プラズモン反射率が小さい場合にはいくら表面形状の数を増加させても、プラズモン反射率が大きな場合と比べると小さな透過光強度で飽和してしまうことがわかる。これはたくさんの表面形状を周期的に作製したとしても、表面プラズモンの伝播長は長くはないため、開口から遠くの表面形状は、伝播時の抵抗性損失のため近くの表面形状と同じ反射の寄与を生み出すことができないことを示している。この場合、透過光強度を増大させる有効な方法は、表面形状の周期数を増やさず、開口近くの表面形状の形をプラズモン反射率を高めるのに好適な形状に作製することである。
以下、図5から図8を用いて、詳細に説明する。
表面形状を特徴づける指標として、表面形状の断面における幅W、高さH、側面の傾斜角度θを考慮した。図5から図8は平滑な金属表面上に様々な形状の表面形状を配置した場合の、プラズモン反射率(相対値)を示したものである。プラズモン反射率は、有限差分時間領域法による計算機シミュレーションにより求めた。理想的な矩形の表面形状を考えた場合、図5および図6に示すようにその幅が40nm以上、高さが60nm程度あれば、プラズモン反射率はほぼ一定の数値に収束することを見出した。
また図7は傾斜角度θとプラズモン反射率の関係を示したものである。傾斜角度が大きくなるにつれ、プラズモン反射率は単調に増加していることがわかる。90度の場合に反射率が低下しているのは、幅20nmの矩形の表面形状と同義となるためである。すなわち高プラズモン反射率の表面形状を記述する上で、傾斜角度のみでは不十分であり、その幅(これを記述するには半値幅が適当である)についても考慮すべきであることがわかる。
図8は表面形状断面の側面が指数関数的に裾をひく形状で近似できる場合に、スロープの最大傾斜角度とプラズモン反射率の関係を調べた結果である。この結果は図7と類似の結果となった。以上の結果から、高プラズモン反射率に寄与する好適な表面形状の形は、側壁の最大傾斜角ができるだけ大きく、好ましくは60度以上とし、また表面形状の幅は少なくとも40nmより大きく(この大きさはスキンデプスの2倍程度の値である)、またその高さは少なくとも60nmとすればよいことが判る。
次に、本発明の光学素子の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
図1を参照すると、図1(A)は、本発明の第1の実施の形態として単一の開口と、同心円状の所定の周期で形成された表面形状を有する光学素子の上面図が示されている。図1(B)は、図1(A)のA−A‘線に沿った断面図である。
光学素子10は単一の開口20と、第1の表面50aと第2の表面50bには、開口20の周囲に同心円状に形成された表面形状30を有する。光学素子10は主に導電性膜40からなり、実際には金属、あるいは高濃度のドーピングを処した半導体材料からなる。金属の場合、アルミニウム、銀、金が特に望ましい。光学素子10の一部は非導電性であってもかまわない。例えば導電性膜40の一部に非導電性膜を挟み込んだような積層膜でもかまわない。表面形状30は導電性膜40に、イオンエッチング等の手法により直接形成しても良いし、先に任意の基体上に表面形状30を形成し、その上に導電性膜40を形成することで、導電性膜40に表面形状30を転写しても良い。また表面形状30とは周期的に***したあるいは沈下した反復パターンであり、ここでは開口20の周囲に同心円状に凹凸を設けた例を示したが、この凹凸が一次元格子状あるいは二次元格子状に並んだものであっても良い。表面形状を転写によって作製した場合には、第1の表面50aの表面形状と第2の表面50bの表面形状は、導電性膜の厚さ方向に並進対称の関係を成している。
図1では、支持されていない導電性膜40が示されているが、適当な支持部材、すなわち基板上に固定されていてもよい。図9には導電性膜140に単一の開口120と、第1の表面150aと第2の表面150b上の開口120の周囲に表面形状130を形成した光学素子110が基板160に固定されている例を示している。
さらに、図1では開口の形状が円形である場合を示したが、これは本発明の範囲から逸脱することなく、他の形、例えば楕円形、長方形等にすることができる。本発明の主旨から言って、波長以下の高分解能特性を得る上で、開口は波長より小さな直径をもつことが好ましい。開口が楕円や長方形である場合には、少なくともその短軸方向の長さが波長よりも小さいことが望ましい。
導電性膜の厚みについては光学的に不透明、すなわち開口以外の部分で少なくとも入射光の導電性膜内への侵入長より厚くする必要がある。ただし必要以上に厚くするとアスペクト比の高い開口の形成が必要となり、製造上の困難さを伴うため、実際にはある最適な厚みが存在する。
次に、図10を参照し、具体的な数値例に基づいて、第1の実施の形態の製造方法を説明する。
初めに、合成石英母材をウェハ形状に切り出し、これを両面研磨により平滑表面に仕上げ、厚み0.5mmの基板200とした。この基板200は本光学素子の用途に応じて、最適なものを使用すればよい。例えば光記録装置用の読み出し/書き込みヘッドに適用する場合に、基板200の最終的な形態は記録媒体上を一定の距離をもって走行するスライダとなる。
この上にフォトレジストを塗布し、フォトリソグラフィの手法により表面形状を画定するフォトレジストパターン201を形成した(図10(A))。レジストパターンの高さは0.5μm、レジストパターンの間隔は0.6μmとした。
フォトレジストパターン201形成後に、130度の窒素雰囲気中でポストベークを行い、レジストパターンだらし工程を行った(図10(B))。
この後イオンエッチングによりフォトレジストパターン形状を基板に転写した。イオンビームの入射角度は5度、加速電圧は300Vとした。フォトレジストパターンをアッシング処理で剥離すると表面形状202が作製される(図10(C))。
基板全面にさらにイオンエッチング処理を追加することで、表面形状202の形を任意の形に変化させた(図10(D))。ここではイオンビームの入射角度は0度、加速電圧は300Vとした。
この上に導電性膜203となる、厚み200nmの銀膜をイオンビームスパッタ法で成膜した。このとき銀膜の表面(空気側)には、前工程で基板に設けた表面形状と同じ周期と同じ形状の表面形状204が正確に転写された。この後表面形状204の中央にFIB加工により、直径50−200nmの微小な開口205を形成することで、本発明の光学素子が完成した(図10(E))。
作製した光学素子の表面形状を、その断面プロファイルから調べた。その結果、側壁の最大傾斜角は65度、半値幅は150nm、高さは180nmであった。このときの表面形状断面は図2(B)に示した試料B群と類似の形状であった。作製した試料の透過光強度を調べた結果を図3の表1に示す。比較のために追加イオンエッチング処理を行わない試料を作製し、両者の結果を比較した。なお追加エッチング処理を行わない試料の表面形状断面は図2(A)に示した試料A群と類似の形状であった。
追加エッチング処理を行わない試料A群に比べ、追加エッチング処理を行った試料B群は、より強化された光スループットを、少ない表面形状数において示した。注目すべきは、表面プラズモンの抵抗性損失を勘案し、プラズモン反射率の大きな表面形状を作製した結果、周期数の少なくできることによって共鳴構造の小型化が実現した点である。
図1に示した第1の実施の形態において、導電性膜203のそれぞれの表面に形成された表面形状204は同一周期・同一位相で形成されているが、これを異なる形態で形成することができる。その形態を以下、順に説明する。
図11に示す本第2の実施の形態では、導電性膜40のそれぞれの表面50a、50bに形成された凸状の表面形状30は導電性膜の表裏に厚さに対して鏡映対称の関係で形成されている。
更に図12に示す本第3の実施の形態では、導電性膜40の表面50aにのみ凸状の表面形状30が形成されている。
更に図13に示す本第4の実施の形態では、導電性膜40のそれぞれの表面50a、50bに形成された凹状の表面形状30は導電性膜の表裏に厚さに対して鏡映対称の関係で形成されている。
更に図14に示す本第5の実施の形態では、導電性膜40の表面50aにのみ凹状の表面形状30が形成されている。
これら、光学素子の第2〜4の実施形態についても、図1の第1の実施形態と同様の性能および効果が得られる。
また、これら第2〜4の実施形態の光学素子についても図10に準じた製法によって作製することができる。
20 開口
30 表面形状
40 導電性膜
50a 第1の表面
50b 第2の表面
110 光学素子
120 開口
130 表面形状
140 導電性膜
150a 第1の表面
150b 第2の表面
160 基板
200 基板
201 フォトレジストパターン
202 表面形状
203 導電性膜
204 表面形状
205 開口
Claims (22)
- 第1および第2の表面を有し、前記第1の表面から前記第2の表面に連通する少なくとも一つの開口と前記第1および前記第2の表面の少なくともどちらかの表面に周期的な表面形状を有する導電性膜を備え、
前記表面形状の前記周期配列方向に切断した断面の形状は、前記導電性膜に入射する光によって励起されて前記導電性膜の表面を伝播する電磁表面波の反射を高める形状である
ことを特徴とする光学素子。 - 第1および第2の表面を有し、前記第1の表面から前記第2の表面に連通する少なくとも一つの開口と前記第1および前記第2の表面の少なくともどちらかの表面に周期的な表面形状を有する導電性膜を備え、前記一つの表面に入射し前記開口を通じて伝送される光の強度が、前記表面形状が無い場合に比べて増強される光学素子であって、
前記表面形状の前記周期配列方向に切断した断面の形状は、前記導電性膜に入射する光によって励起されて前記導電性膜の表面を伝播する電磁表面波の反射を高める形状である
ことを特徴とする光学素子。 - 前記導電性膜を伝播する電磁表面波が有限の伝播長を有し、前記表面形状は、前記開口からみて少なくとも前記伝播長の範囲と同程度の範囲に形成される
ことを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載の光学素子。 - 前記開口の径は、前記入射する光の波長よりも短い径を含む
ことを特徴とする請求項1または2のいずれかに記載の光学素子。 - 前記表面形状は、前記表面に対して凸の形状または凹の形状を有する
ことを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の光学素子。 - 前記開口が単一の開口であり、前記表面形状は前記開口の周囲に同心円状に形成されている
ことを特徴とする請求項5に記載の光学素子。 - 前記開口が単一の開口であり、前記表面形状は前記開口を中心にして一次元格子状に形成されている
ことを特徴とする請求項5に記載の光学素子。 - 前記開口が単一の開口であり、前記表面形状は前記開口を中心にして二次元格子状に形成されている
ことを特徴とする請求項5に記載の光学素子。 - 前記表面形状の周期方向に沿った断面において、前記凸部または凹部の幅は40nm以上で前記周期長未満であり、高さは60nm以上で前記電磁表面波の反射率を飽和させる高さ以下である
ことを特徴とする請求項5から9のいずれかに記載の光学素子。 - 前記表面形状の周期方向に沿った断面形状において、前記凸部または凹部の側面の最大傾斜角度が60度以上90度以下である
ことを特徴とする請求項5から9のいずれかに記載の光学素子。 - 前記表面形状は、前記導電性膜の両方の表面に形成され、前記2つの表面形状の周期方向に沿った断面の輪郭形状は、前記導電性膜の厚さの中心に対して鏡映対称を成すかまたは並進対称を成す
ことを特徴とする請求項5から9のいずれかに記載の光学素子。 - 第1および第2の表面を有し、前記第1の表面から前記第2の表面に連通する少なくとも一つの開口と前記第1および前記第2の表面の少なくともどちらかの表面に周期的な表面形状を有する導電性膜を備え、前記表面形状の前記周期配列方向に切断した断面の形状は、前記導電性膜に入射する光によって励起されて前記導電性膜の表面を伝播する電磁表面波の反射を高める形状を有する光学素子の製造方法であって、
基板上のフォトレジストに前記表面形状を画定する工程と、
エッチング法によって前記フォトレジストの表面形状パターンを前記基板に転写する工程と、
さらにエッチングを追加して前記基板に転写された表面形状パターンの前記基板に垂直な断面形状を制御する工程と、
前記追加エッチングを施した前記表面形状パターン上に前記導電性膜を成膜する工程と、
前記導電性膜に前記開口を形成する工程
を含むこと特徴とする光学素子の製造方法。 - 第1および第2の表面を有し、前記第1の表面から前記第2の表面に連通する少なくとも一つの開口と前記第1および前記第2の表面の少なくともどちらかの表面に周期的な表面形状を有する導電性膜を備え、前記一つの表面に入射し前記開口を通じて伝送される光の強度が、前記表面形状が無い場合に比べて増強される光学素子であって、
前記表面形状の前記周期配列方向に切断した断面の形状は、前記導電性膜に入射する光によって励起されて前記導電性膜の表面を伝播する電磁表面波の反射を高める形状有する光学素子の製造方法であって、
基板上のフォトレジストに前記表面形状を画定する工程と、
エッチング法によって前記フォトレジストの表面形状パターンを前記基板に転写する工程と、
さらにエッチングを追加して前記基板に転写された表面形状パターンの前記基板に垂直な断面形状を制御する工程と、
前記追加エッチングを施した前記表面形状パターン上に前記導電性膜を成膜する工程と、
前記導電性膜に前記開口を形成する工程
を含むこと特徴とする光学素子の製造方法。 - 前記導電性膜を伝播する電磁表面波が有限の伝播長を有し、前記表面形状は、前記開口からみて少なくとも前記伝播長の範囲と同程度の範囲に形成される
ことを特徴とする請求項12または13のいずれかに記載の光学素子の製造方法。 - 前記開口の径は、前記入射する光の波長よりも短い径を含む
ことを特徴とする請求項12または13のいずれかに記載の光学素子の製造方法。 - 前記表面形状は、前記表面に対して凸の形状または凹の形状を有する
ことを特徴とする請求項12から15のいずれかに記載の光学素子の製造方法。 - 前記開口が単一の開口であり、前記表面形状は前記開口の周囲に同心円状に形成されている
ことを特徴とする請求項16に記載の光学素子の製造方法。 - 前記開口が単一の開口であり、前記表面形状は前記開口を中心にして一次元格子状に形成されている
ことを特徴とする請求項16に記載の光学素子の製造方法。 - 前記開口が単一の開口であり、前記表面形状は前記開口を中心にして二次元格子状に形成されている
ことを特徴とする請求項16に記載の光学素子の製造方法。 - 前記表面形状の周期方向に沿った断面において、前記凸部または凹部の幅は40nm以上で前記周期長未満であり、高さは60nm以上で前記電磁表面波の反射率を飽和させる高さ以下である
ことを特徴とする請求項16から19のいずれかに記載の光学素子の製造方法。 - 前記表面形状の周期方向に沿った断面形状において、前記凸部または凹部の側面の最大傾斜角度が60度以上90度以下である
ことを特徴とする請求項16から19のいずれかに記載の光学素子の製造方法。 - 前記表面形状は、前記導電性膜の両方の表面に形成され、前記2つの表面形状の周期方向に沿った断面の輪郭形状は、前記導電性膜の厚さの中心に対して鏡映対称を成すかまたは並進対称を成す
ことを特徴とする請求項16から19のいずれかに記載の光学素子の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004153368A JP4415756B2 (ja) | 2004-05-24 | 2004-05-24 | 光学素子並びにその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004153368A JP4415756B2 (ja) | 2004-05-24 | 2004-05-24 | 光学素子並びにその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005338166A true JP2005338166A (ja) | 2005-12-08 |
JP4415756B2 JP4415756B2 (ja) | 2010-02-17 |
Family
ID=35491853
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004153368A Expired - Fee Related JP4415756B2 (ja) | 2004-05-24 | 2004-05-24 | 光学素子並びにその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4415756B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008075542A1 (ja) * | 2006-12-20 | 2008-06-26 | Nec Corporation | フォトダイオード、光通信デバイスおよび光インタコネクションモジュール |
JP2009540312A (ja) * | 2006-06-12 | 2009-11-19 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | 近接場透過で作動する光学部品 |
KR100934071B1 (ko) * | 2007-06-06 | 2009-12-24 | 내셔날 쳉쿵 유니버시티 | 전자기파 전파 구조물, 전자기파 포커싱 방법, 콜리메이트광빔 생성 방법, 광 스폿 생성기 및 광빔 생성기 |
JP2011040141A (ja) * | 2009-07-17 | 2011-02-24 | Sony Corp | 光学素子及び光学装置 |
JP2018004694A (ja) * | 2016-06-27 | 2018-01-11 | 国立大学法人静岡大学 | 光学素子、それを含む撮像素子、光学素子の製造方法、及び撮像素子の製造方法 |
-
2004
- 2004-05-24 JP JP2004153368A patent/JP4415756B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009540312A (ja) * | 2006-06-12 | 2009-11-19 | コミツサリア タ レネルジー アトミーク | 近接場透過で作動する光学部品 |
WO2008075542A1 (ja) * | 2006-12-20 | 2008-06-26 | Nec Corporation | フォトダイオード、光通信デバイスおよび光インタコネクションモジュール |
JP5282887B2 (ja) * | 2006-12-20 | 2013-09-04 | 日本電気株式会社 | フォトダイオード、光通信デバイスおよび光インタコネクションモジュール |
KR100934071B1 (ko) * | 2007-06-06 | 2009-12-24 | 내셔날 쳉쿵 유니버시티 | 전자기파 전파 구조물, 전자기파 포커싱 방법, 콜리메이트광빔 생성 방법, 광 스폿 생성기 및 광빔 생성기 |
JP2011040141A (ja) * | 2009-07-17 | 2011-02-24 | Sony Corp | 光学素子及び光学装置 |
JP2018004694A (ja) * | 2016-06-27 | 2018-01-11 | 国立大学法人静岡大学 | 光学素子、それを含む撮像素子、光学素子の製造方法、及び撮像素子の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4415756B2 (ja) | 2010-02-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3906856B2 (ja) | 光学素子、空間光学フィルタ、走査型近接場光学顕微鏡用プローブおよび写真平版印刷用マスク | |
US9529128B2 (en) | Non-uniform grating | |
US7456383B2 (en) | Surface plasmon-enhanced nano-optic devices and methods of making same | |
US7426040B2 (en) | Chip-scale optical spectrum analyzers with enhanced resolution | |
US7057151B2 (en) | Optical transmission apparatus with directionality and divergence control | |
US20080024873A1 (en) | Metallic nano-optic lenses and beam shaping devices | |
US20120281957A1 (en) | Plasmonic and photonic resonator structures and methods for large electromagnetic field enhancements | |
US20030173501A1 (en) | Enhanced optical transmission apparatus with imporved aperture geometry | |
CA2912304A1 (en) | Structural colorimetric sensor | |
JP5594640B2 (ja) | テラヘルツ波光学素子 | |
JP2010009025A (ja) | 光学フィルタ | |
JP2013007614A (ja) | 光デバイス及び検出装置 | |
JP2004505257A (ja) | 共焦点および近接場顕微鏡技術用多重ソースアレイ | |
KR20090027195A (ko) | 근접장 투과로 동작하는 광학 부품 | |
JP2007148365A (ja) | 3次元フォトニック結晶及びそれを用いた機能素子 | |
JP2007003969A (ja) | 光学素子 | |
JP4415756B2 (ja) | 光学素子並びにその製造方法 | |
Grineviciute et al. | Nanostructured multilayer coatings for spatial filtering | |
US7463814B2 (en) | Method for fabricating three-dimensional photonic crystal | |
Lei et al. | Multifunctional on-chip directional coupler for spectral and polarimetric routing of Bloch surface wave | |
JP6521289B2 (ja) | 金属膜に周期的に非対称開口を配設した位相差板 | |
US8395768B2 (en) | Scattering spectroscopy apparatus and method employing a guided mode resonance (GMR) grating | |
Hanaizumi et al. | Propagation of light beams along line defects formed in a-Si/SiO2 three-dimensional photonic crystals: Fabrication and observation | |
JP2009042497A (ja) | 表面プラズモン素子 | |
JP2010186147A (ja) | 赤外線光学フィルタおよびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060914 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20070119 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20080613 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090219 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20090508 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090804 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091002 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20091104 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20091117 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121204 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121204 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131204 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |