JP2005337877A - バーチカルコム及びこれを含むジャイロセンサの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】安定な動作を実現しながら工程数を減らす。
【解決手段】基台1上に固定されて配列される複数の固定櫛歯20(40)と、基台1と離隔して設けられ、複数の固定櫛歯20(40)間にそれぞれ離隔して介設される複数の可動櫛歯21(41)とからなるバーチカルコム2(4)を製造する方法であって、SOI(半導体)基板5の一の面において、複数の固定櫛歯20(40)及び複数の可動櫛歯21(41)の形成部分に、それぞれ異なる時間でドライエッチングされるマスクを設ける工程と、一の面からドライエッチングを連続的に行い、複数の可動櫛歯21(41)、及び複数の可動櫛歯21(41)より長い複数の固定櫛歯20(40)を一斉に形成する工程と、複数の固定櫛歯20(40)を基台1に接合する工程と、一の面の反対面から複数の固定櫛歯20(40)及び複数の可動櫛歯21(41)を露出させる工程とを備える。
【選択図】図1
【解決手段】基台1上に固定されて配列される複数の固定櫛歯20(40)と、基台1と離隔して設けられ、複数の固定櫛歯20(40)間にそれぞれ離隔して介設される複数の可動櫛歯21(41)とからなるバーチカルコム2(4)を製造する方法であって、SOI(半導体)基板5の一の面において、複数の固定櫛歯20(40)及び複数の可動櫛歯21(41)の形成部分に、それぞれ異なる時間でドライエッチングされるマスクを設ける工程と、一の面からドライエッチングを連続的に行い、複数の可動櫛歯21(41)、及び複数の可動櫛歯21(41)より長い複数の固定櫛歯20(40)を一斉に形成する工程と、複数の固定櫛歯20(40)を基台1に接合する工程と、一の面の反対面から複数の固定櫛歯20(40)及び複数の可動櫛歯21(41)を露出させる工程とを備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、例えば、ジャイロセンサに用いられるバーチカルコムの製造方法に関するものである。
従来、この種のバーチカルコムの製造方法は、例えば、非特許文献1に示すように、櫛歯を支持する部分の膜応力で、可動櫛歯のみを引き上げ、可動櫛歯及び固定櫛歯間に段差を形成する製造方法がある。上記製造方法は、先ず、例えばSOI(Silicon On Insulator)基板の一の面に可動櫛歯及び固定櫛歯を形成する工程、一の面の反対面において、一の面に形成されている可動櫛歯及び固定櫛歯に対応する位置をエッチングにより除去する工程、上記SOI基板をHF等に浸すことにより、熱酸化層などを除去する工程を有している。
また、特許文献1には、レジストによりマスクを形成する工程とエッチングを行う工程を繰り返し、2段階のエッチングによって固定電極及び可動電極を形成する製造方法、及びそれらを用いたジャイロセンサが開示されている。
特開2003−337138号公報(第12,13頁、及び、第19図−第21図)
TRANSDUCERS’03 DIGEST OF TECHNICAL PAPERS(p1462)
しかしながら、上記従来のバーチカルコムの製造方法などは、可動櫛歯及び固定櫛歯の段差量が膜応力に依存するので、制御することが困難であり、それにより上記段差量に依存する振幅や発生力を制御することができず、安定な動作を実現することができないという問題があった。また、特許文献1の製造方法などは、2段階のドライエッチングにより固定櫛歯(電極)及び可動櫛歯(電極)を形成しているので、工程数が多くなるという問題があった。
本発明は上記の点に鑑みて為されたものであり、その目的とするところは、安定な動作を実現しながら工程数を減らすことができるバーチカルコム及びこれを含むジャイロセンサの製造方法を提供することにある。
請求項1に記載の発明は、基台上に固定され、その固定された面に平行に並んで配列される複数の固定櫛歯と、前記基台と離隔して設けられ、前記複数の固定櫛歯間にそれぞれ離隔して介設され、前記基台の垂直方向に可動自在とする複数の可動櫛歯とからなるバーチカルコムを半導体基板を用いて製造する方法であって、前記半導体基板の一の面において、前記複数の固定櫛歯を形成する部分及び前記複数の可動櫛歯を形成する部分に、それぞれ異なる時間でドライエッチングされるマスクを設ける第1工程と、前記第1工程を行った後に前記一の面から垂直方向に前記ドライエッチングを連続的に行い、前記複数の可動櫛歯、及び前記垂直方向において前記複数の可動櫛歯より長い前記複数の固定櫛歯を一斉に形成する第2工程と、前記第2工程を行った後に前記複数の固定櫛歯を前記基台に接合する第3工程と、前記第3工程を行った後に前記一の面の反対面から前記複数の固定櫛歯及び前記複数の可動櫛歯を露出させる第4工程とを備えることを特徴とする。
この製造方法では、マスクがドライエッチングされる時間によって、複数の固定櫛歯及び複数の可動櫛歯で制御するので、高い位置精度を有する複数の可動櫛歯及び複数の固定櫛歯を1回のドライエッチングにより形成することができるとともに、工程数を減らすことができる。また、ドライエッチングの途中で、マスクの再形成が不要であるので、複数の固定櫛歯及び複数の可動櫛歯をきれいな状態に保つことができる。
請求項2に記載の発明は、請求項1に記載の発明において、前記第1工程において、前記複数の固定櫛歯となる部分のマスク、及び前記複数の可動櫛歯となる部分のマスクを、複数回のドライエッチングにより、前記一の面上に高低差を形成して設けることを特徴とする。この製造方法では、マスクの高低差を容易に形成することができるので、複数の固定櫛歯を形成する部分のマスク及び前記複数の可動櫛歯を形成する部分のマスクをそれぞれ異なる時間でドライエッチングさせることができる。
請求項3に記載の発明は、請求項1又は2に記載の発明において、前記マスクは、少なくとも2つの異なるエッチングレートを有する材料を含むことを特徴とする。この製造方法では、複数の固定櫛歯を形成する部分のマスク及び前記複数の可動櫛歯を形成する部分のマスクをそれぞれ異なる時間でドライエッチングさせることができる。
請求項4に記載の発明は、請求項3に記載の発明において、前記マスクは、少なくとも熱酸化膜及びレジストを含むことを特徴とする。この製造方法では、熱酸化膜とレジストとでエッチングレートの差を大きくすることができる。
請求項5に記載の発明は、請求項3に記載の発明において、前記マスクは、少なくともBPSG膜を含むことを特徴とする。この製造方法では、マスクの膜厚を薄くすることができ、微細なマスクパターンを精度よく形成することができる。
請求項6に記載の発明は、請求項3に記載の発明において、前記マスクは、少なくとも窒化膜を含むことを特徴とする。この製造方法では、マスクがサイドエッチングにより細くなることを抑えることができるので、微細なマスクパターンを精度よく形成することができる。
請求項7に記載の発明は、請求項1〜6のいずれかに記載の発明において、前記半導体基板は内部に前記一の面と平行にエッチングレートの小さいエッチストップ層を含み、前記第2工程において、前記複数の固定櫛歯を形成する部分のマスクは、前記半導体基板の前記マスクがされていない部分が前記一の面から前記エッチストップ層までドライエッチングされる時間と、略同じ時間でドライエッチングされることを特徴とする。この製造方法では、マスクのエッチング時間が長くなった場合であっても、マスクがされていない部分のエッチングレートを遅くすることができる。
請求項8に記載の発明は、請求項1〜7に記載のバーチカルコムを、振動用バーチカルコム及び検出用バーチカルコムとして備え、前記振動用バーチカルコムの前記複数の固定櫛歯及び前記複数の可動櫛歯間に電圧を印加し前記複数の可動櫛歯を振動させ、前記検出用バーチカルコムの前記複数の固定櫛歯と前記複数の可動櫛歯との離隔距離の変化を静電容量の差動変化として計測し、前記静電容量の差動変化から角速度を検出するジャイロセンサを作製することを特徴とする。この構成では、高い位置精度を有する複数の可動櫛歯及び複数の固定櫛歯を1回のドライエッチングにより形成することができる。
本発明によれば、高い位置精度を有する複数の可動櫛歯及び複数の固定櫛歯を形成することができるとともに、工程数を減らすことができる。
(実施形態1)
先ず、実施形態1の基本的な構成について説明する。実施形態1のジャイロセンサは、検出板に発生する角速度を検出するものであり、図1に示すように、平板状の基台1上に、4組の振動用バーチカルコム2,2,2,2、検出板3、3組の検出用バーチカルコム4,4,4を備える。なお、振動用バーチカルコム2及び検出用バーチカルコム4の個数は限定されるものではなく、適宜変更することができる。
先ず、実施形態1の基本的な構成について説明する。実施形態1のジャイロセンサは、検出板に発生する角速度を検出するものであり、図1に示すように、平板状の基台1上に、4組の振動用バーチカルコム2,2,2,2、検出板3、3組の検出用バーチカルコム4,4,4を備える。なお、振動用バーチカルコム2及び検出用バーチカルコム4の個数は限定されるものではなく、適宜変更することができる。
振動用バーチカルコム2は、複数の固定櫛歯20,20,・・・及び複数の可動櫛歯21,21,・・・からなり、後述するSOI基板5(図3参照)を用いて形成される。固定櫛歯20は、基台1上に固定載置され、基台1の垂直方向である図1のZ軸方向において、可動櫛歯21より長く形成されており、そのような固定櫛歯20が固定された面に平行に複数並んで配列されている。また、固定櫛歯20は、固定電極200と接合し、この固定電極200を介して電圧源(図示せず)と電気的に接続している。可動櫛歯21は、基台1と離隔して設けられるとともに、固定櫛歯20間にそれぞれ離隔して介設され、さらに連結部210と接合し、Z軸方向に可動自在である。また、可動櫛歯21は、可動電極(図示せず)を介して電圧源と電気的に接続している。連結部210は、4つの可動櫛歯21,21,21,21と接合するとともに、基台1上に固定載置している4つの固定部211,211,211,211と、接合片211a,211a,211a,211aを介して接合し、さらに、検出板3を後述するばね30を介して支持している。
固定櫛歯20及び可動櫛歯21間は、固定電極200及び可動電極(図示せず)を介して、電圧源(図示せず)から例えばパルス状の電圧を印加されると、固定櫛歯20及び可動櫛歯21間のそれぞれの静電容量が大きくなるように、可動櫛歯21がZ軸方向に振動する。例えば、電圧が印加されているときは、可動櫛歯21は図1のZ軸方向の奥側に移動し、電圧が印加されなくなるとZ軸方向の手前側に戻る。これを繰り返すことでZ軸方向に振動する。
検出板3は、連結部210の内周に連結部210と離隔して設けられ、4つのばね30,30,30,30により、連結部210と接合し、3組の検出用バーチカルコム4,4,4を備えている。上記ばね30は、SOI基板5(図3参照)を用いて、連結部210を形成するときに同時に形成され、一端側を検出板3のY軸方向に沿った両端側と接合し、Y軸方向に延びて、他端側を連結部210と接合する。上記ばね30により、検出板3は、X軸方向には容易に振動することができるが、Y軸方向には振動することができない。また、検出板3は、可動櫛歯21がZ軸方向に振動するとき連動して振動する。
検出用バーチカルコム4は、図2に示すように、複数の固定櫛歯40,40,・・・及び複数の可動櫛歯41,41,・・・からなり、後述するSOI基板5(図3参照)を用いて形成される。固定櫛歯40は、基台1(図1参照)上に固定載置され、Z軸方向において、可動櫛歯41より長く形成されており、そのような固定櫛歯40が固定された面に平行に複数並んで配列されている。また、固定櫛歯40は、固定電極(図示せず)と接合し、この固定電極を介して電圧源(図示せず)と電気的に接続している。可動櫛歯41は、基台1と離隔して検出板3に設けられるとともに、固定櫛歯40間にそれぞれ離隔して介設され、Z軸方向に可動自在である。また、可動櫛歯41は、可動電極(図示せず)を介して電圧源と電気的に接続している。
固定櫛歯40及び可動櫛歯41間に、固定電極(図示せず)及び可動電極(図示せず)を介して、電圧源(図示せず)から電圧が印加されている状態で、検出板3がX軸方向に移動すると、固定櫛歯40及び可動櫛歯41間のうち一方の離隔距離が短くなり、他方の離隔距離が長くなる。これにより、固定櫛歯40及び可動櫛歯41間のそれぞれの静電容量が変化し、その変化量に基づいて検出板3の移動量を検出する。
SOI基板5は、図3に示すように、平板状であり、例えばSiなど半導体をベースにした基板であり、支持基板50、中間酸化膜51、活性層52を順に断面方向(図3のZ軸方向)に備えている。支持基板50は、例えばSiなど導電性を有するものであり、断面方向の厚さは150μm程度である。中間酸化膜51は、例えばSiO2であり、断面方向の厚さは1μm程度である。中間酸化膜51は、エッチングレートが小さく、支持基板50に対するエッチング選択比は100分の1である。活性層52は、例えばSiなどであり、断面方向の厚さは10μm程度である。上記SOI基板5から振動用バーチカルコム2、検出板3、検出用バーチカルコム4(ずべて図1参照)を形成する。上記のものを作製するときに、SOI基板5上にはマスクを形成し、そのマスクを形成した状態で、例えばICP(Inductive Coupled Plasma)エッチングなどドライエッチングを行う。上記ICPエッチングには、例えばICPエッチング装置を用い、そのICPエッチング装置のエッチング条件の設定により異なる材料間のエッチング選択比を変更することができ、例えば、SiO2に対するSiのエッチング選択比が100になるようなエッチング条件を設定することができる。
マスクには、例えば、熱酸化膜60、有機膜であるレジスト61(図4参照)、BPSG膜62(図6参照)、窒化膜63(図7参照)などを用いている。マスクは、先ず上記のような膜をSOI基板5の全域に形成してからパターニングを行って、不要な部分を取り除くことで形成される。熱酸化膜60は、支持基板50の表面を酸化したものであり、SOI基板5を高温炉内に挿入して一定時間の酸化処理(例えばパイロ酸化など)を行うことで形成される。例えば、SOI基板5を1100℃を有する高温炉内に挿入し、パイロ酸化を350分間行うと、SOI基板5の表裏両面に熱酸化膜60が約1.5μm成長して形成され、また、パイロ酸化を600分間行うと、熱酸化膜60が約2μm成長して形成される。なお、高温炉内の温度、酸化処理の時間などの条件は限定されるものではなく、例えば、形成する膜厚に応じて適宜設定することができる。また、熱酸化膜60は、BHF溶液に浸すと、約0.1μm/minのエッチングレートでエッチングされる。
レジスト61(図4参照)は、塗布によりSOI基板5上に形成され、ドライエッチングにおいて、Siに対するエッチング選択比は50分の1程度に設定することができる。BPSG膜62(図6参照)は、CVD(Chemical Vapor Deposition)装置を用いて、温度400℃、原料ガスSiH4、O2、PH3、B2H6の環境下で、常圧CVD法によりSOI基板5上に堆積して形成される。上記BPSG膜62は、形成後に、900℃の高温炉内で焼き締めが行われる。また、BPSG膜62は、BHF溶液に浸すと、約0.15μm/minのエッチングレートでエッチングされる。窒化膜63(図7参照)は、SOI基板5を温度730℃、原料ガスSiHCl2、NH3の環境下にある高温炉内に50分間挿入することで、約0.2μm形成される。また、窒化膜63は、BHF溶液に浸すと、約0.01μm/minのエッチングレートでエッチングされる。なお、窒化膜63は、SOI基板5との密着性を向上させるために、SOI基板5と窒化膜63との間に熱酸化膜60を形成してもよい。
次に、実施形態1のジャイロセンサの動作について図1を用いて説明する。先ず、4組の振動用バーチカルコム2,2,2,2のそれぞれの固定櫛歯20及び可動櫛歯21間にパルス状の電圧を印加し、可動櫛歯21,21,21,21、連結部210及び検出板3をZ軸方向に振動させる。このような状態の中、検出板3にY軸周りに角速度が加わった場合、検出板3は、コリオリ力によりX軸方向に振動する。このように検出板3が振動したときに固定櫛歯40及び可動櫛歯41間のそれぞれの静電容量の変化を計測する。この変化量から、検出板3のX軸方向の振動量を求め、さらにY軸周りに加わった角速度を求める。
次に、実施形態1の振動用バーチカルコム2の製造工程について図3を用いて説明する。なお、図3は、図1のA−A断面を示し、記載している軸は中央位置におけるものである。SOI基板5は、支持基板50が150μm厚のSi、中間酸化膜51が1μm厚のSiO2、活性層52が10μ厚である。先ず、マスクを形成する工程について説明する。上記SOI基板5を高温炉(1100℃)内に挿入し、パイロ酸化を600分間行い、SOI基板5の両面に熱酸化膜60を約2μm形成する(S1)。次に、支持基板50側の熱酸化膜60に、パターニング用レジスト(図示せず)を塗布し、パターニング、ドライエッチングによる窓開けを行い、支持基板50の可動櫛歯21が形成される部分を露出させ、上記パターニング用レジストを除去する(S2)。再度、SOI基板5を高温炉(1100℃)内に挿入し、パイロ酸化を350分間行い、SOI基板5の両面に熱酸化膜60をさらに約1.5μm形成する(S3)。再度、支持基板50側の熱酸化膜60に、パターニング用レジスト(図示せず)を塗布し、パターニング、ドライエッチングによる窓開けを行い、支持基板50のうち、固定櫛歯及び可動櫛歯を切り離す部分を露出させ、上記パターニング用レジストを除去する(S4)。上記より、固定櫛歯が形成される部分及び可動櫛歯が形成される部分に、それぞれ異なる高さを有するマスクが設けられる。
SOI基板5のエッチング工程について説明する。先ず、ICPエッチング装置において、熱酸化膜60のSiO2に対する支持基板50のSiのエッチング選択比が100になるようにエッチング条件を設定する。エッチング条件の設定後に、可動櫛歯が形成される部分の支持基板50が約10μm除去されるまでドライエッチングを連続的に行い、固定櫛歯20及び可動櫛歯21間を切り離し、可動櫛歯20、及びその可動櫛歯20より長い固定櫛歯20を一斉に形成する(S5)。ここで、マスクを除去するためにドライエッチングを行う時間が長くなった場合であっても、マスクがされていない部分は、中間酸化膜51によりエッチングレートを遅くすることができる。
ドライエッチング後の工程について説明する。SOI基板5の支持基板50に残っている熱酸化膜60を除去する(S6)。上記SOI基板5の支持基板50側に基台1を接合する(S7)。その後、SOI基板5の活性層52側に成長している熱酸化膜60に、パターニング用レジスト(図示せず)を塗布し、パターニング、窓開けを行い、固定櫛歯20及び可動櫛歯21が形成される部分の活性層52を露出させ、上記パターニング用レジストを除去する(S8)。ICPエッチング装置を用いてSOI基板5の活性層52側からドライエッチングを行い、固定櫛歯20及び可動櫛歯21が形成される部分の活性層52を除去する(S9)。最後に、SOI基板5の活性層52側に露出している中間酸化膜51を除去し、活性層52側から固定櫛歯20及び可動櫛歯21を露出させる(S10)。
上記のような製造工程で振動用バーチカルコム2(図1参照)を作製することにより、固定櫛歯20、その固定櫛歯20より短い可動櫛歯21を1回のドライエッチングにより形成することができる。なお、検出用バーチカルコム4(図1参照)も振動用バーチカルコム2(図1参照)と同様の製造工程で作製することができる。
以上、実施形態1によれば、支持基板50に対して1回のドライエッチングにより、固定櫛歯20及び可動櫛歯21間を切り離すことができるとともに、固定櫛歯20を可動櫛歯21より長く形成することができるので、工程数を減らすことができる。また、熱酸化膜60に複数回のドライエッチングを行うことにより固定櫛歯20が形成される部分及び可動櫛歯21が形成される部分の熱酸化膜60に高低差を形成することができる。さらに、ドライエッチングの途中で、マスクの再パターニングが不要であるので、固定櫛歯20及び可動櫛歯21をきれいな状態に保つことができる。
(実施形態2)
実施形態2は、実施形態1にはない特徴部分として、振動用バーチカルコム2の製造工程において、図4に示すように、マスクとして熱酸化膜60及びレジスト61を用いている。なお、図4は、図1のA−A断面を示し、記載している軸は中央位置におけるものである。
実施形態2は、実施形態1にはない特徴部分として、振動用バーチカルコム2の製造工程において、図4に示すように、マスクとして熱酸化膜60及びレジスト61を用いている。なお、図4は、図1のA−A断面を示し、記載している軸は中央位置におけるものである。
実施形態2の振動用バーチカルコム2(図1参照)の製造工程について説明する。先ず、実施形態1と同様の工程で、SOI基板5に熱酸化膜60を形成する(S1),(S2)(図3参照)。その後、SOI基板5の支持基板50側にレジスト61を3μm塗布し、パターニング、窓開けを行い、可動櫛歯が形成される部分をレジスト61で覆い、固定櫛歯及び可動櫛歯を切り離す部分の支持基板50を露出させる(S3)。次に、ICPエッチング装置において、レジスト61に対する支持基板50のSiのエッチング選択比が50になるようにエッチング条件を設定する。エッチング条件の設定後に、可動櫛歯が形成される部分の支持基板50が約10μm除去されるまでドライエッチングを行い、固定櫛歯20及び可動櫛歯21間を切り離し、固定櫛歯20、及びその固定櫛歯20より短い可動櫛歯21を形成する(S4)(図3(S5)参照)。上記ドライエッチングを行った後は、実施形態1と同様の製造工程を行う(S5)〜(S9)(図3(S6)〜(S10)参照)。
なお、検出用バーチカルコム4(図1参照)も振動用バーチカルコム2(図1参照)と同様の製造工程で作製することができる。
以上、実施形態2によれば、固定櫛歯20を形成する部分のマスクを熱酸化膜60にし、可動櫛歯21を形成する部分のマスクをレジスト61にすることで、それぞれのマスクのエッチングレートの差を大きくし異なる時間でドライエッチングさせることができる。また、マスクを形成するときに1回目のパターニング後に酸化する必要がないので、固定櫛歯20及び可動櫛歯21の寸法ずれを抑えることができるとともに、工程数を減らすことができる。
(実施形態3)
実施形態3は、実施形態2にはない特徴部分として、振動用バーチカルコム2の製造工程において、図5に示すように、ドライエッチングにより固定櫛歯20及び可動櫛歯21間の切り離した後に、レジスト61を除去し、再度ドライエッチングを行っている。なお、図5は、図1のA−A断面を示し、記載している軸は中央位置におけるものである。
実施形態3は、実施形態2にはない特徴部分として、振動用バーチカルコム2の製造工程において、図5に示すように、ドライエッチングにより固定櫛歯20及び可動櫛歯21間の切り離した後に、レジスト61を除去し、再度ドライエッチングを行っている。なお、図5は、図1のA−A断面を示し、記載している軸は中央位置におけるものである。
実施形態3の振動用バーチカルコム2(図1参照)の製造工程について説明する。先ず、実施形態2と同様の工程で、SOI基板5に熱酸化膜60及びレジスト61を形成する(S1)〜(S3)(図3(S1),(S2)及び図4(S3)参照)。このとき、レジスト61の膜厚を実施形態2のレジスト61(図4(S3)参照)の膜厚(3μm)よりも厚くして4μm程度にする。
次に、ICPエッチング装置において、レジスト61に対する支持基板50のSiのエッチング選択比が50以上になるようにエッチング条件を設定する。エッチング条件の設定後に、マスクが形成されていない部分の支持基板50が全てなくなるまでドライエッチングを行い、固定櫛歯及び可動櫛歯間を切り離す。このとき、可動櫛歯21が形成される部分のレジスト61はなくっておらず、一部が残っている(S4)。このレジスト61をプラズマアッシング装置により除去し、可動櫛歯21が形成される部分の支持基板50を露出させる。再度、ICPエッチング装置を用いて、可動櫛歯21が形成される部分が約10μm除去されるまでドライエッチングを行い、固定櫛歯20、及びその固定櫛歯20より短い可動櫛歯21を形成する(S5)(図3参照)。上記ドライエッチングを行った後は、実施形態2と同様の製造工程を行う(S6)〜(S10)(図3参照)。
なお、検出用バーチカルコム4(図1参照)も振動用バーチカルコム2(図1参照)と同様の製造工程で作製することができる。
以上、実施形態3によれば、固定櫛歯20及び可動櫛歯21間の切り離し完了時には可動櫛歯21はレジスト61で覆われており、このレジスト61を除去してからICPエッチング装置を用いて支持基板50のドライエッチングが開始されるので、レジスト61の厚み分布の影響を受けずに、SOI基板5全域でエッチングスタートのタイミングを揃えることができ、それにより固定櫛歯20と可動櫛歯21との段差量をSOI基板5全域で一定にすることができる。
(実施形態4)
実施形態4は、実施形態1にはない特徴部分として、振動用バーチカルコム2の製造工程において、図6に示すように、マスクとして熱酸化膜60及びBPSG膜62を用いている。なお、図6は、図1のA−A断面を示し、記載している軸は中央位置におけるものである。
実施形態4は、実施形態1にはない特徴部分として、振動用バーチカルコム2の製造工程において、図6に示すように、マスクとして熱酸化膜60及びBPSG膜62を用いている。なお、図6は、図1のA−A断面を示し、記載している軸は中央位置におけるものである。
実施形態4の振動用バーチカルコム2(図1参照)の製造工程について説明する。先ず、実施形態1と同様の工程で、SOI基板5に熱酸化膜60を形成する(S1),(S2)(図3参照)。その後、CVD装置を用いて、温度400℃、原料ガスSiH4、O2、PH3、B2H6の環境下で、常圧CVD法によりSOI基板5の支持基板50側にBPSG膜62を2μm(>1.5μm)形成し、形成後、高温炉(900℃)内でBPSG膜62の焼き締めを行う(S3)。上記BPSG膜62に、パターニング、窓開けを行い、可動櫛歯21が形成される部分をBPSG膜62で覆い、固定櫛歯及び可動櫛歯を切り離す部分の支持基板50を露出させる(S4)。
次に、ICPエッチング装置において、BPSG膜62に対する支持基板50のSiのエッチング選択比が100以上になるようにエッチング条件を設定する。エッチング条件の設定後に、マスクが形成されていない部分の支持基板50が全てなくなるまでドライエッチングを行い、固定櫛歯及び可動櫛歯間を切り離す。このとき、可動櫛歯が形成される部分のBPSG膜62はなくっておらず、約5000オングストローム残っている(S5)。SOI基板5をBHF溶液に浸すことにより、オーバーエッチングも含めて5分間エッチングを行い、BPSG膜62を完全に除去し、可動櫛歯が形成される部分の支持基板50を露出させる。このとき、熱酸化膜60は約1.8μm残り、固定櫛歯が形成される部分の支持基板50は上記熱酸化膜60で覆われている。再度、ICPエッチング装置を用いて、可動櫛歯21が形成される部分が約10μm除去されるまでドライエッチングを行い、固定櫛歯20、及びその固定櫛歯20より短い可動櫛歯21を形成する(S6)(図3(S5)参照)。上記ドライエッチングを行った後は、実施形態1と同様の製造工程を行う(S7)〜(S11)(図3(S6)〜(S10)参照)。
なお、検出用バーチカルコム4(図1参照)も振動用バーチカルコム2(図1参照)と同様の製造工程で作製することができる。
以上、実施形態4によれば、BPSG膜62をマスクにすることにより、マスクの膜厚を薄くすることができ、4μm厚のレジスト61(図4参照)などと比較して微細なマスクパターンを精度よく形成することができる。
なお、実施形態4の変形例として、振動用バーチカルコムの製造工程において、(S3)の工程で、BPSG膜の膜厚を1.5μmにし、(S6)の工程におけるBHF溶液によるBPSG膜の除去工程を省略し、(S5)の工程のドライエッチングと(S6)の工程のドライエッチングを連続して行ってもよい。このような製造方法では、複数の可動櫛歯及び複数の固定櫛歯の高さをそれぞれのマスクのドライエッチング時間により制御し、これら複数の可動櫛歯及び複数の固定櫛歯を1回のドライエッチングにより形成することができるので、高い位置精度を有する複数の可動櫛歯及び複数の固定櫛歯を形成することができるとともに、工程数を減らすことができる。
(実施形態5)
実施形態5は、実施形態1にはない特徴部分として、振動用バーチカルコム2の製造工程において、図7に示すように、マスクとしてBPSG膜62及び窒化膜63を用いている。なお、図7は、図1のA−A断面を示し、記載している軸は中央位置におけるものである。
実施形態5は、実施形態1にはない特徴部分として、振動用バーチカルコム2の製造工程において、図7に示すように、マスクとしてBPSG膜62及び窒化膜63を用いている。なお、図7は、図1のA−A断面を示し、記載している軸は中央位置におけるものである。
実施形態5の振動用バーチカルコム2(図1参照)の製造工程について説明する。先ず、実施形態1と同様のSOI基板5を、温度730℃、原料ガスSiHCl2、NH3の環境下にある高温炉内に50分間挿入し、SOI基板5の両面に窒化膜63を約0.2μm形成する(S1)。支持基板50側の窒化膜63に、パターニング用レジスト(図示せず)を塗布し、パターニング、窓開けを行い、支持基板50の可動櫛歯が形成される部分を露出させ、上記パターニング用レジストを除去する(S2)。
次に、実施形態4の(S3)〜(S5)と同様にして、BPSG膜62によるマスクを形成し、ドライエッチングを行う(S3)〜(S5)。このとき、可動櫛歯21が形成される部分のBPSG膜62は約5000オングストローム残っている。SOI基板5をBHF溶液に浸すことにより、オーバーエッチングも含めて5分間エッチングを行い、BPSG膜62を完全に除去し、可動櫛歯が形成される部分の支持基板50を露出させる。このとき、窒化膜63は約0.2μm残り、固定櫛歯が形成される支持基板50は上記窒化膜63で覆われている(S6)。再度、実施形態4の(S7)と同様にドライエッチングを行い、固定櫛歯20、及びその固定櫛歯20より短い可動櫛歯21を形成する(S7)。上記ドライエッチングを行った後は、実施形態1と同様の製造工程を行う(S8)〜(S12)(図3(S6)〜(S10)参照)。
なお、検出用バーチカルコム4(図1参照)も振動用バーチカルコム2(図1参照)と同様の製造工程で作製することができる。
以上、実施形態5によれば、固定櫛歯20のマスクである窒化膜63は熱酸化膜60と比較してエッチングレートが約10分の1と非常に小さく、マスクがサイドエッチにより細くなることを抑えることができるので、さらに微細なマスクパターンを精度よく形成することができる。
なお、実施形態5の変形例として、振動用バーチカルコムの製造工程において、(S3)の工程で、BPSG膜の膜厚を1.5μmにし、(S6)の工程を省略し、(S5)の工程のドライエッチングと(S7)の工程のドライエッチングを連続して行ってもよい。このような製造方法では、複数の可動櫛歯及び複数の固定櫛歯の高さをそれぞれのマスクのドライエッチング時間により制御し、これら複数の可動櫛歯及び複数の固定櫛歯を1回のドライエッチングにより形成することができるので、高い位置精度を有する複数の可動櫛歯及び複数の固定櫛歯を形成することができるとともに、工程数を減らすことができる。
なお、実施形態1〜5のいずれかの変形例として、ジャイロセンサに限定されずに、一方向の変位を検出するセンサであってもよい。例えば、固定櫛歯及び可動櫛歯間に電圧を印加した状態で、可動櫛歯の可動方向に力が加わると、その力により可動櫛歯が移動し、それにより固定櫛歯及び可動櫛歯間の静電容量が変化する。この静電容量の変化量から移動量を検出することができる。
1 基板
2 振動用バーチカルコム
20 固定櫛歯
21 可動櫛歯
4 検出用バーチカルコム
40 固定櫛歯
41 可動櫛歯
5 SOI基板
50 支持基板
60 熱酸化膜
61 レジスト
62 BPSG膜
63 窒化膜
2 振動用バーチカルコム
20 固定櫛歯
21 可動櫛歯
4 検出用バーチカルコム
40 固定櫛歯
41 可動櫛歯
5 SOI基板
50 支持基板
60 熱酸化膜
61 レジスト
62 BPSG膜
63 窒化膜
Claims (8)
- 基台上に固定され、その固定された面に平行に並んで配列される複数の固定櫛歯と、前記基台と離隔して設けられ、前記複数の固定櫛歯間にそれぞれ離隔して介設され、前記基台の垂直方向に可動自在とする複数の可動櫛歯とからなるバーチカルコムを半導体基板を用いて製造する方法であって、
前記半導体基板の一の面において、前記複数の固定櫛歯を形成する部分及び前記複数の可動櫛歯を形成する部分に、それぞれ異なる時間でドライエッチングされるマスクを設ける第1工程と、
前記第1工程を行った後に前記一の面から垂直方向に前記ドライエッチングを連続的に行い、前記複数の可動櫛歯、及び前記垂直方向において前記複数の可動櫛歯より長い前記複数の固定櫛歯を一斉に形成する第2工程と、
前記第2工程を行った後に前記複数の固定櫛歯を前記基台に接合する第3工程と、
前記第3工程を行った後に前記一の面の反対面から前記複数の固定櫛歯及び前記複数の可動櫛歯を露出させる第4工程と
を備えることを特徴とするバーチカルコムの製造方法。 - 前記第1工程において、前記複数の固定櫛歯となる部分のマスク、及び前記複数の可動櫛歯となる部分のマスクを、複数回のドライエッチングにより、前記一の面上に高低差を形成して設けることを特徴とする請求項1記載のバーチカルコムの製造方法。
- 前記マスクは、少なくとも2つの異なるエッチングレートを有する材料を含むことを特徴とする請求項1又は2記載のバーチカルコムの製造方法。
- 前記マスクは、少なくとも熱酸化膜及びレジストを含むことを特徴とする請求項3記載のバーチカルコムの製造方法。
- 前記マスクは、少なくともBPSG膜を含むことを特徴とする請求項3記載のバーチカルコムの製造方法。
- 前記マスクは、少なくとも窒化膜を含むことを特徴とする請求項3記載のバーチカルコムの製造方法。
- 前記半導体基板は内部に前記一の面と平行にエッチングレートの小さいエッチストップ層を含み、
前記第2工程において、前記複数の固定櫛歯を形成する部分のマスクは、前記半導体基板の前記マスクがされていない部分が前記一の面から前記エッチストップ層までドライエッチングされる時間と、略同じ時間でドライエッチングされることを特徴とする請求項1〜6のいずれか記載のバーチカルコムの製造方法。 - 請求項1〜7に記載のバーチカルコムを、振動用バーチカルコム及び検出用バーチカルコムとして備え、前記振動用バーチカルコムの前記複数の固定櫛歯及び前記複数の可動櫛歯間に電圧を印加し前記複数の可動櫛歯を振動させ、前記検出用バーチカルコムの前記複数の固定櫛歯と前記複数の可動櫛歯との離隔距離の変化を静電容量の差動変化として計測し、前記静電容量の差動変化から角速度を検出するジャイロセンサを作製することを特徴とするジャイロセンサの製造方法。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004156851A JP2005337877A (ja) | 2004-05-26 | 2004-05-26 | バーチカルコム及びこれを含むジャイロセンサの製造方法 |
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JP2005337877A true JP2005337877A (ja) | 2005-12-08 |
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ID=35491619
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JP2004156851A Withdrawn JP2005337877A (ja) | 2004-05-26 | 2004-05-26 | バーチカルコム及びこれを含むジャイロセンサの製造方法 |
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JP (1) | JP2005337877A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007090463A (ja) * | 2005-09-27 | 2007-04-12 | Matsushita Electric Works Ltd | バーティカルコムアクチュエータの製造方法 |
-
2004
- 2004-05-26 JP JP2004156851A patent/JP2005337877A/ja not_active Withdrawn
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