JP2005335014A - ウェーハの研削方法及び研削砥石 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 55
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 abstract description 8
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 abstract 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 103
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 6
- 239000006096 absorbing agent Substances 0.000 description 5
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 5
- 239000011359 shock absorbing material Substances 0.000 description 4
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 3
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
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- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
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- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24D—TOOLS FOR GRINDING, BUFFING OR SHARPENING
- B24D7/00—Bonded abrasive wheels, or wheels with inserted abrasive blocks, designed for acting otherwise than only by their periphery, e.g. by the front face; Bushings or mountings therefor
- B24D7/16—Bushings; Mountings
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
- B24B7/20—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground
- B24B7/22—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain
- B24B7/228—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor characterised by a special design with respect to properties of the material of non-metallic articles to be ground for grinding inorganic material, e.g. stone, ceramics, porcelain for grinding thin, brittle parts, e.g. semiconductors, wafers
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Polishing Bodies And Polishing Tools (AREA)
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Abstract
【解決手段】ホイールマウント210とホイールベース230aとの間に緩衝材220を介在させ、チャックテーブル14aにおいてウェーハW1を保持し、チャックテーブル14aを回転させてウェーハW1を回転させ、ホイールマウント210を回転させると共にホイールマウント210を研削送りして研削砥石230の砥石部230bをウェーハW1に接触させて研削を遂行する。緩衝材220によって、砥石部230bとウェーハW1との接触時の衝撃力や、研削抵抗による砥石部230bの微振動が吸収されるため、研削面W1bにおけるクラック等の研削歪みが生じる現象が低減され、デバイスの抗折強度の低下を防止することができる。
【選択図】図6
Description
10a、10b:カセット載置領域
100a、100b:ウェーハカセット
11:搬出入手段 12:位置合わせテーブル
13a:第一の搬送手段 13b:第二の搬送手段
14a、14b、14c:チャックテーブル
140:保持部 141:保持部ベース
14d:チュックテーブル
142:保持部 143:保持部ベース
15:ターンテーブル 16:壁部
17:第一の研削送り手段
170:ガイドレール 171:ボールネジ 172:モータ 173:昇降部
18:第二の研削送り手段
180:ガイドレール 181:ボールネジ 182:モータ 183:昇降部
190、191:スピンドルハウジング
200、201:スピンドル 200a、201a:モータ
210、211:ホイールマウント 210a(211a):貫通孔
220、221:緩衝材
230、231:研削砥石
230a、231a:ホイールベース 230b、231b:砥石部
230c、231c:ネジ穴
222:緩衝材
232:研削砥石
232a:ホイールベース 232b:緩衝材
240、241:ネジ
25:洗浄手段
W1:ウェーハ
W1a:表面 W1b:裏面 S:ストリート D:デバイス
W2:ウェーハ
W2a:表面 W2b:裏面 S:ストリート D:デバイス G:溝
Claims (8)
- ウェーハを保持する保持部と該保持部を支持して回転可能な保持部ベースとを備えたチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持されたウェーハを研削する砥石部がホイールベースに固定されて構成される研削砥石と、該ホイールベースを支持するホイールマウントと、該ホイールマウントを研削送りする研削送り手段と
から少なくとも構成される研削装置を用いたウェーハの研削方法であって、
該ホイールマウントと該ホイールベースとの間、該ホイールベースの内部または該チャックテーブルの内部に緩衝材を介在させる緩衝材装着工程と、
該チャックテーブルにおいてウェーハを保持するウェーハ保持工程と、
該チャックテーブルを回転させて該ウェーハを回転させ、該ホイールマウントを回転させると共に該ホイールマウントを研削送りして該研削砥石の砥石部を該ウェーハに接触させて研削を遂行する研削工程と
から少なくとも構成されるウェーハの研削方法。 - 前記緩衝部材はゴムシートであり、該ゴムシートのJIS規格HS硬度は、20より大きく80より小さい請求項1に記載のウェーハの研削方法。
- 前記ホイールマウントの研削送り速度は、0.1μm/秒〜15μm/秒であり、前記チャックテーブルの回転速度は10rpm〜400rpmであり、前記研削砥石の回転速度は1000rpm〜7200rpmである請求項1または2に記載のウェーハの研削方法。
- 前記ウェーハの表面にはストリートに区画されて複数のデバイスが形成され、該表面には保護部材が貼着され、
前記ウェーハ保持工程においては該保護部材側が前記チャックテーブルに保持され、
前記研削工程において、該ウェーハの裏面が研削される請求項1、2または3に記載のウェーハの研削方法。 - 前記ウェーハの表面にはストリートに区画されて複数のデバイスが形成され、該ストリートには所定深さの溝が形成されており、
前記研削工程においては、該ウェーハの表面に形成された溝が裏面から表出するまで該裏面を研削する請求項1、2または3に記載のウェーハの研削方法。 - 前記ウェーハはシリコンウェーハである請求項1乃至5のいずれかに記載のウェーハの研削方法。
- 請求項1乃至6のいずれかに記載のウェーハの研削方法において用いる研削砥石であって、
ホイールベースと砥石部とを備え、該ホイールベースのホイールマウントに装着される側に緩衝材が配設されて構成される研削砥石。 - 請求項1乃至6のいずれかに記載のウェーハの研削方法において用いる研削砥石であって、
ホイールベースと砥石部とを備え、該ホイールベースが緩衝材を挟持して構成される研削砥石。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004157473A JP2005335014A (ja) | 2004-05-27 | 2004-05-27 | ウェーハの研削方法及び研削砥石 |
KR1020050038951A KR20060046030A (ko) | 2004-05-27 | 2005-05-10 | 웨이퍼의 연삭 방법 및 연삭숫돌 |
DE102005024199A DE102005024199A1 (de) | 2004-05-27 | 2005-05-25 | Waferschleifverfahren und Schleifstein |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004157473A JP2005335014A (ja) | 2004-05-27 | 2004-05-27 | ウェーハの研削方法及び研削砥石 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005335014A true JP2005335014A (ja) | 2005-12-08 |
Family
ID=35404575
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004157473A Pending JP2005335014A (ja) | 2004-05-27 | 2004-05-27 | ウェーハの研削方法及び研削砥石 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005335014A (ja) |
KR (1) | KR20060046030A (ja) |
DE (1) | DE102005024199A1 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006261680A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Siltronic Ag | 半導体基板を材料除去処理するための方法 |
JP2009095947A (ja) * | 2007-10-18 | 2009-05-07 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削装置及びウェーハの研削方法 |
JP2010046744A (ja) * | 2008-08-21 | 2010-03-04 | Disco Abrasive Syst Ltd | サファイアウエーハの研削方法 |
CN111941155A (zh) * | 2020-08-13 | 2020-11-17 | 蚌埠中光电科技有限公司 | 一种消除玻璃面研磨痕迹的研磨垫处理方法 |
-
2004
- 2004-05-27 JP JP2004157473A patent/JP2005335014A/ja active Pending
-
2005
- 2005-05-10 KR KR1020050038951A patent/KR20060046030A/ko not_active Application Discontinuation
- 2005-05-25 DE DE102005024199A patent/DE102005024199A1/de not_active Ceased
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006261680A (ja) * | 2005-03-17 | 2006-09-28 | Siltronic Ag | 半導体基板を材料除去処理するための方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
DE102005024199A1 (de) | 2005-12-15 |
KR20060046030A (ko) | 2006-05-17 |
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