JP2005321641A - 位相シフトマスク及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 透明基板11と、透明基板11上に設けられた位相シフタ用の溝21と、透明基板11上に設けられた遮光膜17とを有する。そして、遮光膜17は、位相シフタ用の溝21の上に突出した突出部25を有し、透明基板11は、遮光膜17の突出部25を支える支持部26を有する。
【選択図】 図2
Description
本発明の実施の形態1に係る位相シフトマスクの製造方法について図1及び図2を用いて以下に説明する。
本発明の実施の形態2に係る位相シフトマスクの製造方法について図3及び図4を用いて以下に説明する。図1又は図2と同じ構成要素には同じ番号を付し、説明を省略する。
本発明の実施の形態3に係る位相シフトマスクの製造方法について図5及び図6を用いて以下に説明する。図1又は図2と同じ構成要素には同じ番号を付し、説明を省略する。
本発明の実施の形態4に係る位相シフトマスクの製造方法について図7及び図8を用いて以下に説明する。図1又は図2と同じ構成要素には同じ番号を付し、説明を省略する。
12,17 遮光膜
13,18,22,27,29,31 電子線レジスト
14,15,19,20,23,24,28,30 開口
16 溝
21 位相シフタ用の溝
25 突出部
26 支持部
Claims (5)
- 透明基板と、
前記透明基板上に設けられた位相シフタ用の溝と、
前記透明基板上に設けられた遮光膜とを有し、
前記遮光膜は、前記位相シフタ用の溝の上に突出した突出部を有し、
前記透明基板は、前記遮光膜の突出部を支える支持部を有することを特徴とする位相シフトマスク。 - 透明基板を選択的にエッチングして、溝を形成する工程と、
前記透明基板上に遮光膜を形成する工程と、
前記遮光膜上にレジストを形成する工程と、
前記レジストをパターニングして、前記溝の内側の領域に第1の開口を形成する工程と、
前記レジストをマスクとして前記遮光膜をドライエッチングする工程と、
前記レジスト及び前記遮光膜をマスクとして前記透明基板をウエットエッチングする工程と、
前記溝の側面を覆う前記遮光膜を除去する工程と、
前記レジストを除去する工程と、
前記遮光膜を選択的にエッチングして、前記溝とは異なる領域に第2の開口を形成する工程とを有することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。 - 透明基板を選択的にエッチングして、溝を形成する工程と、
前記透明基板上に遮光膜を形成する工程と、
前記遮光膜を選択的にエッチングして、前記溝の内側の領域に第1の開口を形成し、前記溝とは異なる領域に第2の開口を形成する工程と、
全面にレジストを形成する工程と、
前記レジストをパターニングして、前記溝の領域に第2の開口を形成する工程と、
前記レジスト及び前記遮光膜をマスクとして前記透明基板をウエットエッチングする工程と、
前記溝の側面を覆う前記遮光膜を除去する工程と、
前記レジストを除去する工程とを有することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。 - 透明基板上に遮光膜を形成する工程と、
前記遮光膜を選択的にドライエッチングして、第1の開口を形成する工程と、
前記遮光膜をマスクとして前記透明基板をドライエッチングして、溝を形成する工程と、
全面にレジストを形成する工程と、
前記レジストをパターニングして、前記溝の内側の領域に第2の開口を形成する工程と、
前記レジストをマスクとして前記透明基板をウエットエッチングする工程と、
前記レジストを除去する工程と、
前記遮光膜を選択的にエッチングして、前記溝とは異なる領域に第3の開口を形成する工程とを有することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。 - 透明基板上に遮光膜を形成する工程と、
前記遮光膜を選択的にドライエッチングして、第1の開口及び第2の開口を形成する工程と、
前記第1の開口は露出したままで前記第2の開口を覆うように第1のレジストを形成する工程と、
前記第1のレジスト及び前記遮光膜をマスクとして前記透明基板をドライエッチングして、前記透明基板に溝を形成する工程と、
前記第1のレジストを除去する工程と、
全面に第2のレジストを形成する工程と、
前記第2のレジストをパターニングして、前記溝の内側の領域に第3の開口を形成する工程と、
前記第2のレジストをマスクとして前記透明基板をウエットエッチングする工程と、
前記第2のレジストを除去する工程とを有することを特徴とする位相シフトマスクの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2005321641A true JP2005321641A (ja) | 2005-11-17 |
JP4562419B2 JP4562419B2 (ja) | 2010-10-13 |
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Country Status (1)
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JP (1) | JP4562419B2 (ja) |
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