JP2005318236A - Electronic component device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、光スイッチや加速度センサに代表されるMEMS(マイクロメカニカルシステム)デバイスを備えた電子部品装置に係り、特にMEMS構造に発生する微小な容量を検出する技術に関するものである。 The present invention relates to an electronic component device including a MEMS (micro mechanical system) device typified by an optical switch or an acceleration sensor, and more particularly to a technique for detecting a minute capacitance generated in a MEMS structure.
従来より、微細加工技術により形成したMEMS(Micro Electro Mechanical Systems)構造体を使用した電子部品装置が知られている(例えば、非特許文献1、非特許文献2、非特許文献3参照)。このような電子部品装置では、MEMS構造体に発生する容量を検出することで目的の物理量を検出したり、検出した物理量を基に自己の制御を行ったりする技術が開発されてきた。例えば、加速度センサでは、MEMS技術で作製された1対の電極間に発生する容量を検出することで、加速度が検出される。 2. Description of the Related Art Conventionally, electronic component devices using MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) structures formed by microfabrication techniques are known (see, for example, Non-Patent Document 1, Non-Patent Document 2, and Non-Patent Document 3). In such an electronic component device, a technique has been developed in which a target physical quantity is detected by detecting a capacitance generated in the MEMS structure, or self control is performed based on the detected physical quantity. For example, in an acceleration sensor, acceleration is detected by detecting a capacitance generated between a pair of electrodes manufactured by MEMS technology.
図16にMEMS構造体を使用した一般的な電子部品装置の構成を示す。電子部品装置は、基板100と、導電性材料からなる可動部材101と、支柱102と、制御電極103と、検出電極104と、構造体制御装置105とから構成される。電子部品装置が光スイッチの場合、可動部材101はミラーである。支柱102は、可動部材101が制御電極103及び検出電極104の上に離間して配置されるように可動部材101を支える。可動部材101は、支柱102を介して所定の電位に設定される。構造体制御装置105により制御電極103に制御電圧が印加されると、可動部材101と制御電極103との間に静電力が発生し、この静電力に見合う分だけ可動部材101が変位する。可動部材101が変位すると、可動部材101と検出電極104との間に形成される静電容量Csが変化する。構造体制御装置105は、容量Csを検出することにより、可動部材101の位置を検出し、制御電極103への印加電圧を制御する。こうして、可動部材101の位置を制御することができる。
FIG. 16 shows a configuration of a general electronic component device using the MEMS structure. The electronic component device includes a substrate 100, a movable member 101 made of a conductive material, a support column 102, a control electrode 103, a
しかし、図16に示した電子部品装置では、検出電極104と接地電位との間に寄生容量Cpが発生するため、可動部材101と検出電極104との間に形成される容量Csの検出が難しいという問題があった。その理由は、構造体制御装置105は容量Csと寄生容量Cpとが並列接続された容量を検出することになるが、容量Csが数10fF〜数100fFであるのに対して、寄生容量Cpが数pFとなるためである。
However, in the electronic component device shown in FIG. 16, since a parasitic capacitance Cp is generated between the
検出したい容量に対して大きな寄生容量が発生する場合でも、目的の容量を検出することを可能にする技術として、非特許文献4に開示された技術がある(以下、第1の従来例と呼ぶ)。本技術は容量型の指紋センサに関するものである。この第1の従来例を図17を用いて説明する。図17に示す容量型指紋センサは、検出電極201と人の指203との間に形成される容量Csを検出することで、指紋画像を取得する。この容量型指紋センサでは、検出電極201に対向して補償電極202が配置される。補償電極202は演算増幅器205のフィードバックにより検出電極201と同電位となるように制御されるため、検出電極201に発生する寄生容量が抑制される。
There is a technique disclosed in Non-Patent Document 4 as a technique that makes it possible to detect a target capacitance even when a large parasitic capacitance occurs with respect to the capacitance to be detected (hereinafter referred to as a first conventional example). ). The present technology relates to a capacitive fingerprint sensor. The first conventional example will be described with reference to FIG. The capacitive fingerprint sensor shown in FIG. 17 acquires a fingerprint image by detecting a capacitance Cs formed between the
以下、図17に示したセンサの動作について説明する。まず、リセット状態では、第1の制御スイッチ204の一端の電位VrがV1に設定され、かつ第1の制御スイッチ204はオン状態とされる。一方、演算増幅器205の非反転入力端子と出力端子との間に設けられた第2の制御スイッチ206もオン状態とされ、演算増幅器205のフィードバックループは閉じられる。演算増幅器205の反転入力端子の電位がV1であることから、フィードバックループにより検出電極201の電位もV1となる。次に、第2の制御スイッチ206が開いたときの検出電極201の電位をV2とする。このとき、実効的な指の容量をCf、演算増幅器205の非反転入力端子と出力端子との間の容量をCspl、電位V1とV2との差をΔVrとすると、演算増幅器205の出力電圧Voutの振幅はΔV0=(1+Cf/Cspl)ΔVrとなり、指の容量Csに対応した信号出力を得ることができる。
Hereinafter, the operation of the sensor shown in FIG. 17 will be described. First, in the reset state, the potential Vr at one end of the first control switch 204 is set to V1, and the first control switch 204 is turned on. On the other hand, the second control switch 206 provided between the non-inverting input terminal and the output terminal of the operational amplifier 205 is also turned on, and the feedback loop of the operational amplifier 205 is closed. Since the potential of the inverting input terminal of the operational amplifier 205 is V1, the potential of the
検出したい容量に対して大きな寄生容量が発生する場合でも、目的の容量を検出することを可能にする他の技術として、特許文献1に開示された技術がある(以下、第2の従来例と呼ぶ)。本技術は、ダイアフラムを用いた圧力センサに関するものである。この第2の従来例を図18を用いて説明する。図18に示す圧力センサにおいて、演算増幅器302の非反転入力端子には、第1の制御スイッチ303を介して基準電圧Vhが供給される。演算増幅器302の反転入力端子と出力端子との間には第2の制御スイッチ304が接続され、センサの入力端子301と演算増幅器302の非反転入力端子との間には、静電容量Csを有するセンサSが接続される。寄生容量Cpは、センサSと演算増幅器302の非反転入力端子との接続部に形成される。基準電圧Vhは例えば接地電位である。センサSの一例として、マイクロマシンにより微小面積を有するように加工され、かつ対向するダイアフラムと電極との間に容量Csを形成するように構成されたものが挙げられる。センサSは、加えられた物理量の変化によって生起されるダイアフラムの変位に応じて、容量Csを変化させるものである。
As another technique that makes it possible to detect a target capacitance even when a large parasitic capacitance occurs with respect to the capacitance to be detected, there is a technology disclosed in Patent Document 1 (hereinafter referred to as a second conventional example). Call). The present technology relates to a pressure sensor using a diaphragm. The second conventional example will be described with reference to FIG. In the pressure sensor shown in FIG. 18, the reference voltage Vh is supplied to the non-inverting input terminal of the operational amplifier 302 via the first control switch 303. A second control switch 304 is connected between the inverting input terminal and the output terminal of the operational amplifier 302, and a capacitance Cs is set between the
以下、図18に示したセンサの動作について説明する。容量Csを検出するシーケンスは初期化サイクルと測定サイクルとからなっている。初期化サイクルの期間中では、第1の制御スイッチ303と第2の制御スイッチ304とがオン状態にされ、かつ入力電圧Vinが基準電圧Vhに設定される(Vin=Vh)。これにより、出力電圧Voutも基準電圧Vhと等しくなるように設定される。一方、測定サイクルの期間中、第1の制御スイッチ303と第2の制御スイッチ304とはオフ状態にされ、入力電圧VinはVh+△Vに設定される。容量Csを測定するために、第1の制御スイッチ303と第2の制御スイッチ304とがオフされると、演算増幅器302の出力電圧Voutは、以下の式を満足する。 Hereinafter, the operation of the sensor shown in FIG. 18 will be described. The sequence for detecting the capacitance Cs includes an initialization cycle and a measurement cycle. During the initialization cycle, the first control switch 303 and the second control switch 304 are turned on, and the input voltage Vin is set to the reference voltage Vh (Vin = Vh). Thereby, the output voltage Vout is also set to be equal to the reference voltage Vh. On the other hand, during the measurement cycle, the first control switch 303 and the second control switch 304 are turned off, and the input voltage Vin is set to Vh + ΔV. When the first control switch 303 and the second control switch 304 are turned off to measure the capacitance Cs, the output voltage Vout of the operational amplifier 302 satisfies the following expression.
Vout=−(Rf1/Ri1)(Vin−v+)+V+=−Vin+2v+
・・・(1)
式(1)において、v+ は演算増幅器302の非反転入力端子の電圧である。また、センサの入力端子301と演算増幅器302の反転入力端子との間に設けられた抵抗Ri1と、演算増幅器302の反転入力端子と出力端子との間に設けられた抵抗Rf1とが等しくなるように設定されている(Rf1=Ri1)。
入力電圧Vinを初期化サイクルで設定したVhからVh+△Vに変化させると、センサ容量Csに蓄積される電荷Q1と寄生容量Cpに蓄積される電荷Q2とは、以下の式によって表される。
Q1=(Vin−V+)Cs=(Vh+△V−v+)Cs ・・・(2)
Q2=v+Cp ・・・(3)
Vout = − (Rf1 / Ri1) (Vin−v + ) + V + = −Vin + 2v +
... (1)
In equation (1), v + is the voltage at the non-inverting input terminal of the operational amplifier 302. In addition, the resistor Ri1 provided between the
When the input voltage Vin is changed from Vh set in the initialization cycle to Vh + ΔV, the charge Q1 stored in the sensor capacitor Cs and the charge Q2 stored in the parasitic capacitor Cp are expressed by the following equations.
Q1 = (Vin−V + ) Cs = (Vh + ΔV−v + ) Cs (2)
Q2 = v + Cp (3)
センサ容量Csと寄生容量Cpとは直列に接続されているので、CsとCpには同一の電荷量が蓄積され、よって、Q1=Q2である。したがって、次式が成立する。
v+Cp=(Vh+△V−v+)Cs ・・・(4)
上記したように基準電圧Vhを接地電位(Vh=0)とすると、演算増幅器302の非反転入力端子の電圧v+ は、以下の式で表される。
v+=ΔV・Cs/(Cs+Cp) ・・・(5)
式(5)を式(1)に代入すると、演算増幅器302の出力電圧Voutは以下のように書き直すことができる。
Vout=−Vin+2・△V・Cs/(Cs+Cp) ・・・(6)
Since the sensor capacitor Cs and the parasitic capacitor Cp are connected in series, the same charge amount is accumulated in Cs and Cp, and thus Q1 = Q2. Therefore, the following equation is established.
v + Cp = (Vh + ΔV−v + ) Cs (4)
As described above, when the reference voltage Vh is the ground potential (Vh = 0), the voltage v + of the non-inverting input terminal of the operational amplifier 302 is expressed by the following equation.
v + = ΔV · Cs / (Cs + Cp) (5)
If Expression (5) is substituted into Expression (1), the output voltage Vout of the operational amplifier 302 can be rewritten as follows.
Vout = −Vin + 2 · ΔV · Cs / (Cs + Cp) (6)
センサSと図18の回路におけるセンサ以外の部分とがそれぞれ別々のチップ上に形成され、これらチップが電気的に接続されている場合、寄生容量Cpは、数pFから約15pF又はそれ以上の程度の範囲であり、センサSの容量Csは、通常、1fFから数100fF程度である。したがって、寄生容量CpはセンサSの容量Csに比べて大きいので、Cs/(Cs+Cp)をCs/Cpで近似できる。よって、演算増幅器302の出力電圧Voutは以下の式で表される。
Vout=−Vin+2・△V・Cs/Cp ・・・(7)
式(7)は演算増幅器302の出力電圧VoutがセンサSの容量Csに応じて線形に変化することを表している。
When the sensor S and the part other than the sensor in the circuit of FIG. 18 are formed on separate chips and these chips are electrically connected, the parasitic capacitance Cp is about several pF to about 15 pF or more. The capacitance Cs of the sensor S is normally about 1 fF to several hundreds fF. Accordingly, since the parasitic capacitance Cp is larger than the capacitance Cs of the sensor S, Cs / (Cs + Cp) can be approximated by Cs / Cp. Therefore, the output voltage Vout of the operational amplifier 302 is expressed by the following equation.
Vout = −Vin + 2 · ΔV · Cs / Cp (7)
Expression (7) represents that the output voltage Vout of the operational amplifier 302 changes linearly according to the capacitance Cs of the sensor S.
このように、演算増幅器302の非反転入力端子の近傍に寄生容量Cpが存在する場合でも、センサSの容量Csが寄生容量Cpに比べて極めて小さい限り、演算増幅器302は容量Csと線形関係にある電圧Voutを出力することができる。さらに、演算増幅器302の利得(Rf1/Ri1)及び入力電圧Vinの変化量ΔVを、容量Csに応じて調整することにより、十分に大きな出力電圧Voutを得ることができる。 Thus, even when the parasitic capacitance Cp exists in the vicinity of the non-inverting input terminal of the operational amplifier 302, as long as the capacitance Cs of the sensor S is extremely smaller than the parasitic capacitance Cp, the operational amplifier 302 has a linear relationship with the capacitance Cs. A certain voltage Vout can be output. Furthermore, a sufficiently large output voltage Vout can be obtained by adjusting the gain (Rf1 / Ri1) of the operational amplifier 302 and the change amount ΔV of the input voltage Vin according to the capacitance Cs.
なお、出願人は、本明細書に記載した先行技術文献情報で特定される先行技術文献以外には、本発明に関連する先行技術文献を出願時までに発見するには至らなかった。
しかしながら、図17に示した第1の従来例では、第1の制御スイッチ204により検出電極201の電位をV1に設定するステップと、第2の制御スイッチ206を開くステップとが必要になるため、容量Csの検出に時間がかかるという問題点があった。したがって、この第1の従来例を、高速動作が必須となる光スイッチのフィードバック制御に適用することはできない。また、第1の従来例では、第2の制御スイッチ206の開閉に伴う雑音が容量検出の精度を劣化させるという問題点があった。
However, in the first conventional example shown in FIG. 17, it is necessary to set the potential of the
図18に示した第2の従来例においても、第1の従来例と同様に、第1の制御スイッチ303により入力電圧VinをVhに設定するステップと、第2の制御スイッチ304を開くステップとが必要になるため、容量Csの検出に時間がかかるという問題点があった。また、第2の制御スイッチ304の開閉に伴う雑音が容量検出の精度を劣化させるという問題点があった。さらに、第2の従来例の場合、センサSから入力端子301に接続される端子と演算増幅器302の非反転入力に接続される端子とを引き出す必要がある。しかし、図16に示した電子部品装置で光スイッチを実現する場合、可動部材101は通常、接地電位とされ、検出電極104からのみ端子が引き出されるようになっている。このため、第2の従来例の構造を光スイッチに適用しようとすると、新たに端子を取り出すためにプロセス工程が増加し、製造コストが増加するという問題点があった。
In the second conventional example shown in FIG. 18, similarly to the first conventional example, the step of setting the input voltage Vin to Vh by the first control switch 303 and the step of opening the second control switch 304 Therefore, there is a problem that it takes time to detect the capacitance Cs. Further, there is a problem that noise accompanying opening / closing of the second control switch 304 deteriorates the accuracy of capacitance detection. Further, in the case of the second conventional example, it is necessary to draw out a terminal connected to the
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、制御信号または検出すべき物理量に応じて変位する形状可変構造体と形状可変構造体の変位に応じて容量が変化する容量可変構造体を備える電子部品装置において、容量可変構造体の容量に対して寄生容量が大きい場合でも、検出精度の劣化を抑えつつ、容量可変構造体の容量を高速に検出することを目的とする。 The present invention has been made to solve the above-described problems, and a variable shape structure that is displaced according to a control signal or a physical quantity to be detected, and a variable capacity structure that has a capacitance that varies according to the displacement of the variable shape structure. An object of the present invention is to detect a capacitance of a variable capacitance structure at high speed while suppressing deterioration in detection accuracy even when a parasitic capacitance is larger than a capacitance of the variable capacitance structure.
本発明は、入力された制御信号または検出すべき物理量に応じて変位する形状可変構造体と、この形状可変構造体の変位を表す容量を検出する構造変位検出ユニットとを有する電子部品装置において、前記形状可変構造体は、その変位に応じて容量が変化する容量可変構造体を備え、前記構造変位検出ユニットは、前記容量可変構造体に電界を発生させる電界発生部と、前記電界発生の基となる誘導信号を前記電界発生部に出力する誘導信号生成部と、前記電界の発生によって前記容量可変構造体の出力端子から出力される容量信号から、前記容量可変構造体の容量を表す情報信号を抽出する容量情報抽出部と、前記情報信号を情報処理可能な形式に変換する出力調整部とを備え、前記誘導信号生成部は、前記電界の発生開始を指示する誘導開始信号を出力する誘導開始信号発生部と、前記誘導開始信号に応じて前記誘導信号を出力する電界誘導部と、前記誘導開始信号が出力されていないときに前記電界誘導部の出力を所定の電位に設定する初期化部と、前記電界の発生開始タイミングと同期した位相比較基準信号を発生する位相比較基準信号発生部とから構成され、前記容量情報抽出部は、所定の電位の電位比較基準信号を発生する電位比較基準信号発生部と、前記容量信号と前記電位比較基準信号との電位差を増幅して検出信号として出力する電位比較部と、前記検出信号と前記位相比較基準信号との位相差を前記情報信号として抽出する位相比較部とから構成され、前記出力調整部は、前記情報信号のパルスの幅を積分するパルス積分部と、このパルス積分部の出力をディジタル信号に変換するA/D変換部とから構成されるものである。
また、本発明の電子部品装置の1構成例において、前記電界誘導部は、所定の電圧を出力する誘導電圧発生回路と、制御端子が前記誘導開始信号発生部の出力端子に接続され、入力端子が前記誘導電圧発生回路の出力端子に接続され、出力端子が前記電界発生部の入力端子に接続され、前記誘導開始信号の出力に応じて閉状態となる制御スイッチとから構成されるものである。
The present invention relates to an electronic component device having a shape variable structure that is displaced according to an input control signal or a physical quantity to be detected, and a structure displacement detection unit that detects a capacitance representing the displacement of the shape variable structure. The variable shape structure includes a variable capacity structure whose capacity changes in accordance with the displacement, and the structural displacement detection unit includes an electric field generating unit that generates an electric field in the variable capacity structure, and a base for generating the electric field. An induction signal generating unit that outputs an induction signal to the electric field generation unit, and an information signal that represents the capacitance of the variable capacitance structure from the capacitance signal that is output from the output terminal of the variable capacitance structure by the generation of the electric field A capacity information extraction unit for extracting the information signal, and an output adjustment unit for converting the information signal into a format that can be processed. An induction start signal generating unit for outputting a start signal; an electric field induction unit for outputting the induction signal in response to the induction start signal; and an output of the electric field induction unit when the induction start signal is not output. An initializing unit for setting a potential, and a phase comparison reference signal generating unit for generating a phase comparison reference signal synchronized with the generation start timing of the electric field, wherein the capacitance information extracting unit is a potential comparison reference of a predetermined potential A potential comparison reference signal generation unit that generates a signal; a potential comparison unit that amplifies a potential difference between the capacitance signal and the potential comparison reference signal and outputs the detection result as a detection signal; and a level of the detection signal and the phase comparison reference signal A phase comparison unit that extracts a phase difference as the information signal, and the output adjustment unit integrates a pulse width of the information signal, and outputs the output of the pulse integration unit. It is those composed of an A / D converter for converting the barrel signal.
In the configuration example of the electronic component device according to the present invention, the electric field induction unit includes an induction voltage generation circuit that outputs a predetermined voltage, a control terminal connected to an output terminal of the induction start signal generation unit, and an input terminal Is connected to the output terminal of the induction voltage generation circuit, the output terminal is connected to the input terminal of the electric field generation unit, and the control switch is closed according to the output of the induction start signal. .
また、本発明の電子部品装置の1構成例において、前記容量情報抽出部は、前記電位比較基準信号発生部の代わりに、所定の電位の第1の電位比較基準信号を発生する第1の電位比較基準信号発生部と、前記第1の電位比較基準信号と異なる電位の第2の電位比較基準信号を発生する第2の電位比較基準信号発生部と、前記第1の電位比較基準信号と前記第2の電位比較基準信号のうちいずれか一方を選択して出力するセレクタとを備えるものである。
また、本発明の電子部品装置の1構成例において、前記誘導信号生成部は、さらに、前記容量信号の立ち上がりで発生する情報信号の選択出力を許可し、前記容量信号の立ち下がりで発生する情報信号の選択出力を不許可とするパルス選択信号を出力するパルス選択信号発生部を備え、前記出力調整部は、前記パルス積分部の前に、前記容量情報抽出部から入力される前記情報信号を前記パルス選択信号に応じて選択的に出力するパルス選択部を備えるものである。
また、本発明の電子部品装置の1構成例において、前記容量可変構造体は、前記形状可変構造体の可動部材と、この可動部材と対向して設置された検出電極とから構成されるものである。
また、本発明の電子部品装置の1構成例において、前記電界発生部は、容量素子から構成されるものである。
また、本発明の電子部品装置の1構成例において、前記容量可変構造体は、前記形状可変構造体の可動部材と、この可動部材と対向して設置された第1の検出電極とから構成され、前記電界発生部は、前記第1の検出電極と対向して設置された第2の検出電極から構成されるものである。
また、本発明の電子部品装置の1構成例において、前記形状可変構造体は、光の経路を変更するマイクロミラーである。
Further, in one configuration example of the electronic component device of the present invention, the capacitance information extraction unit generates a first potential comparison reference signal having a predetermined potential instead of the potential comparison reference signal generation unit. A comparison reference signal generation unit; a second potential comparison reference signal generation unit for generating a second potential comparison reference signal having a potential different from that of the first potential comparison reference signal; the first potential comparison reference signal; And a selector that selects and outputs one of the second potential comparison reference signals.
Further, in one configuration example of the electronic component device according to the present invention, the induction signal generation unit further permits selection output of an information signal generated at the rising edge of the capacitance signal, and information generated at the falling edge of the capacitance signal. A pulse selection signal generation unit that outputs a pulse selection signal that disallows signal selection output; and the output adjustment unit receives the information signal input from the capacitance information extraction unit before the pulse integration unit. A pulse selection unit that selectively outputs in response to the pulse selection signal is provided.
Further, in one configuration example of the electronic component device according to the present invention, the variable capacity structure is composed of a movable member of the variable shape structure and a detection electrode disposed opposite to the movable member. is there.
Moreover, in one structural example of the electronic component device of the present invention, the electric field generating unit is composed of a capacitive element.
Further, in one configuration example of the electronic component device of the present invention, the variable capacitance structure is configured by a movable member of the variable shape structure and a first detection electrode disposed to face the movable member. The electric field generator is composed of a second detection electrode that is disposed to face the first detection electrode.
Moreover, in one configuration example of the electronic component device of the present invention, the variable shape structure is a micromirror that changes a light path.
本発明によれば、電界発生部を通して誘導信号を検出電極に印加するため、従来のセンサのような演算増幅器のフィードバック制御を必要とせず、誘導信号を印加するステップと情報信号を変換するステップの2回の制御ステップだけで容量可変構造体の容量を高速に検出することができ、形状可変構造体の変位を高速に検出することができる。また、電位比較基準信号の電位を適切に設定すれば、容量信号から容量可変構造体の容量による変化分のみを増幅して抽出することができるので、容量可変構造体の容量が寄生容量に比べて小さい場合でも、容量可変構造体の容量を検出することができる。また、容量検出に必要な制御スイッチは電界発生部に誘導信号を印加するか否かを決めるスイッチの1つだけでよいので、検出精度の劣化を抑えることができる。また、電界発生部を通して誘導信号を検出電極に印加し、検出電極から容量信号を取り出すため、容量可変構造体の出力端子は1つでよい。その結果、本発明を光スイッチに適用する場合でも、新たに端子を取り出す必要がなく、プロセス工程が増加することがなくなる。また、出力調整部のパルス積分部により情報信号のパルスを積分するため、容量検出の精度を高めることができる。 According to the present invention, since the induction signal is applied to the detection electrode through the electric field generator, the feedback control of the operational amplifier as in the conventional sensor is not required, and the step of applying the induction signal and the step of converting the information signal The capacity of the variable capacity structure can be detected at high speed only by two control steps, and the displacement of the variable shape structure can be detected at high speed. Also, if the potential of the potential comparison reference signal is set appropriately, only the change due to the capacitance of the capacitance variable structure can be amplified and extracted from the capacitance signal, so that the capacitance of the capacitance variable structure can be compared with the parasitic capacitance. Even when the capacity is small, the capacity of the capacity variable structure can be detected. Further, since only one control switch for determining the capacitance is required to determine whether or not to apply the induction signal to the electric field generation unit, it is possible to suppress deterioration in detection accuracy. In addition, since the induction signal is applied to the detection electrode through the electric field generation unit and the capacitance signal is extracted from the detection electrode, only one output terminal of the capacitance variable structure is required. As a result, even when the present invention is applied to an optical switch, there is no need to take out a new terminal and the number of process steps is not increased. Further, since the pulse of the information signal is integrated by the pulse integration unit of the output adjustment unit, the accuracy of capacitance detection can be improved.
また、容量情報抽出部において、電位比較基準信号発生部の代わりに、第1の電位比較基準信号発生部と第2の電位比較基準信号発生部とセレクタとを設けることにより、容量信号の立ち下がりで発生する情報信号の、容量可変構造体の容量に応じたパルス幅の変化を大きくすることができるので、容量検出の精度を高めることができる。 In addition, the capacitance information extraction unit includes a first potential comparison reference signal generation unit, a second potential comparison reference signal generation unit, and a selector instead of the potential comparison reference signal generation unit, so that the fall of the capacitance signal occurs. Since the change in the pulse width of the information signal generated in accordance with the capacity of the variable capacity structure can be increased, the capacity detection accuracy can be increased.
また、誘導信号生成部にパルス選択信号発生部を設け、出力調整部にパルス選択部を設けることにより、容量信号の立ち下がりで発生する情報信号を除去し、容量信号の立ち上がりで発生する情報信号のみを積分するため、容量検出の精度を高めることができる。 In addition, by providing a pulse selection signal generation unit in the induction signal generation unit and a pulse selection unit in the output adjustment unit, the information signal generated at the falling edge of the capacitance signal is removed, and the information signal generated at the rising edge of the capacitance signal Therefore, the capacitance detection accuracy can be improved.
また、第1の検出電極に対向して第2の検出電極を配置することにより、第1の検出電極に寄生容量が発生しないようにすることができるので、容量可変構造体の容量の変化による容量信号の変化を大きくすることができ、容量検出の感度を大きくすることができる。 In addition, since the second detection electrode is arranged opposite to the first detection electrode, it is possible to prevent the first detection electrode from generating a parasitic capacitance. The change in the capacitance signal can be increased, and the sensitivity of capacitance detection can be increased.
[第1の実施の形態]
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。図1は、本発明の第1の実施の形態となる電子部品装置の構成を示すブロック図である。
電子部品装置は、入力された制御信号または検出すべき物理量に応じて変位する形状可変構造体1と、形状可変構造体1の変位を表す容量を検出する構造変位検出ユニット2とから構成される。電子部品装置の例としては、例えば光スイッチがある。
[First Embodiment]
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of an electronic component device according to a first embodiment of the present invention.
The electronic component device includes a shape variable structure 1 that is displaced according to an input control signal or a physical quantity to be detected, and a structure displacement detection unit 2 that detects a capacitance representing the displacement of the shape variable structure 1. . An example of the electronic component device is an optical switch.
形状可変構造体1は、その変位に応じて容量が変化する容量可変構造体10を備える。構造変位検出ユニット2は、容量可変構造体10に電界を発生させる電界発生部20と、容量可変構造体10の容量を検出する構造変位検出回路21とを備える。構造変位検出回路21は、電界発生の基となる誘導信号Sdを電界発生部20に出力する誘導信号生成部22と、容量可変構造体10の出力端子と電界発生部20の出力端子との接続部で得られる容量信号Scapから容量可変構造体10の容量を表す情報信号Siを抽出する容量情報抽出部23と、情報信号Siを情報処理可能な形式の出力信号Soに変換する出力調整部24とを有する。
The variable shape structure 1 includes a
本実施の形態の形状可変構造体1の具体例を図2に示す。形状可変構造体1は、容量可変構造体10と、基板11と、導電性材料からなる可動部材12と、基板11上に形成された制御電極13と、可動部材12が制御電極13の上に離間して配置されるように可動部材12を支える支柱14とを有する。容量可変構造体10は、可動部材12と、基板11上に形成された検出電極15とから構成される。
A specific example of the variable shape structure 1 of the present embodiment is shown in FIG. The variable shape structure 1 includes a
電子部品装置が光スイッチの場合、可動部材12はミラーである。この可動部材12は、支柱14を介して所定の電位に設定される。図示しない駆動回路により制御電極13に制御電圧が印加されると、可動部材12と制御電極13との間に静電力が発生し、この静電力に見合う分だけ可動部材12が変位する。
容量可変構造体10と電界発生部20の具体例を図3に示す。前述のように、容量可変構造体10は、可動部材12と検出電極15とから構成され、電界発生部20は、容量素子Cstdから構成される。
When the electronic component device is an optical switch, the movable member 12 is a mirror. The movable member 12 is set to a predetermined potential via the support column 14. When a control voltage is applied to the control electrode 13 by a drive circuit (not shown), an electrostatic force is generated between the movable member 12 and the control electrode 13, and the movable member 12 is displaced by an amount corresponding to the electrostatic force.
Specific examples of the
形状可変構造体1の可動部材12が変位すると、可動部材12と検出電極15との間に形成される静電容量Csが変化する。構造変位検出回路21の誘導信号生成部22は、電界発生部20の容量素子Cstdの入力端子に誘導信号Sdを入力する。誘導信号Sdの入力により、容量素子Cstdは、容量可変構造体10に電界を発生させる。この電界の発生により、容量可変構造体10の出力端子(検出電極15)と容量素子Cstdの出力端子との接続部から、容量可変構造体10の容量Csの情報を含む容量信号Scapが出力される。
容量情報抽出部23は、容量信号Scapと誘導信号生成部22が発生する位相比較基準信号Sprefとを比較して、容量可変構造体10の容量Csを表す情報信号Siを抽出する。出力調整部24は、情報信号Siを情報処理可能な形式の出力信号Soに変換して出力する。
When the movable member 12 of the shape variable structure 1 is displaced, the capacitance Cs formed between the movable member 12 and the
The capacitance
本実施の形態の電子部品装置の構造変位検出ユニット2の構造変位検出回路21の具体例を図4に示す。誘導信号生成部22は、電界の発生開始を指示する誘導開始信号Ssを出力する誘導開始信号発生部220と、誘導開始信号Ssに応じて誘導信号Sdを出力する電界誘導部221と、誘導開始信号Ssが出力されていないときに電界誘導部221の出力を所定の電位に設定する初期化部224と、電界の発生開始タイミングと同期した位相比較基準信号Sprefを発生する位相比較基準信号発生部225とから構成されている。
FIG. 4 shows a specific example of the structural
誘導信号生成部22の電界誘導部221は、所定の電圧を出力する誘導電圧発生回路222と、誘導開始信号発生部220からの誘導開始信号Ssの出力に応じて閉状態となる制御スイッチ223とから構成される。制御スイッチ223の制御端子は誘導開始信号発生部220の出力端子に接続され、制御スイッチ223の入力端子は誘導電圧発生回路222の出力端子に接続され、制御スイッチ223の出力端子(誘導信号生成部22の出力端子)は電界発生部20の入力端子に接続されている。
The electric
図5は、誘導信号生成部22の初期化部224の構成を示すブロック図である。初期化部224は、誘導開始信号発生部220からの誘導開始信号Ssを反転させる反転回路2240と、反転回路2240の出力に応じて閉状態となる制御スイッチ2241とから構成される。制御スイッチ2241の制御端子は反転回路2240の出力端子に接続され、制御スイッチ2241の入力端子には第1の共通電位(接地電位)が与えられ、制御スイッチ2241の出力端子(初期化部224の出力端子)は電界発生部20の入力端子に接続されている。反転回路2240が誘導開始信号Ssを反転させて制御スイッチ2241に入力するため、誘導開始信号Ssが出力されていないときに制御スイッチ2241は閉状態となり、初期化部224の出力端子は第1の共通電位となっている。
FIG. 5 is a block diagram illustrating a configuration of the
誘導信号生成部22の位相比較基準信号発生部225は、電界の発生開始タイミング(誘導開始信号Ssが出力されるタイミング)と同期した位相比較基準信号Sprefを発生する。位相比較基準信号発生部225としては、一般的なパルス発生回路を用いればよい。
The phase comparison reference
図4に示すように、容量情報抽出部23は、所定の電位の電位比較基準信号Svrefを発生する電位比較基準信号発生部230と、容量信号Scapと電位比較基準信号Svrefとを比較する電位比較部231と、電位比較部231から出力された検出信号Seと位相比較基準信号発生部225から出力された位相比較基準信号Sprefの位相を比較する位相比較部232とから構成されている。
As shown in FIG. 4, the capacitance
電位比較部231は、容量信号Scapと電位比較基準信号Svrefとを比較して、容量信号Scapと電位比較基準信号Svrefとの電位差を増幅した検出信号Seを出力する。電位比較基準信号発生部230としては、一般的な参照電圧発生回路を用いればよく、電位比較部231としては、一般的な差動増幅回路を用いればよい。
位相比較部232は、検出信号Seと位相比較基準信号Sprefの位相を比較して、検出信号Seと位相比較基準信号Sprefとの位相差を情報信号Siとして抽出する。位相比較部232の具体例としては、一般的な排他的論理和回路等を用いればよい。
The
The
図4に示すように、出力調整部24は、情報信号Siのパルス幅を積分してアナログ電圧Sanを出力するパルス積分部240と、パルス積分部240から出力されたアナログ電圧Sanを情報処理が容易なディジタル信号に変換するA/D変換部241とから構成される。
As shown in FIG. 4, the
パルス積分部240の具体例を図6に示す。パルス積分部240は、定電流源2400と、制御スイッチ2401と、蓄積容量Caとから構成される。定電流源2400の入力端子には第2の共通電位(電源電位)が与えられ、定電流源2400の出力端子は制御スイッチ2401の入力端子に接続されている。制御スイッチ2401の制御端子(パルス積分部240の入力端子)には情報信号Siが入力され、制御スイッチ2401の出力端子は蓄積容量Caの入力端子に接続され、蓄積容量Caの出力端子には第1の共通電位が与えられる。そして、制御スイッチ2401の出力端子と蓄積容量Caの入力端子との接続点がパルス積分部240の出力端子としてA/D変換部241の入力端子に接続されている。情報信号Siのパルスが制御スイッチ2401の制御端子に入力されると、制御スイッチ2401がオンし、定電流源2400から蓄積容量Caに電荷が注入される。これにより、情報信号Siのパルスの幅が積分されることになる。
A specific example of the
図7は、本実施の形態の誘導信号生成部22における各部の信号波形を示す図である。図7(a)に示すように誘導開始信号Ssがロウレベルからハイレベルに遷移すると、初期化部224の制御スイッチ2241がオンからオフに変化し、初期化部224の出力端子は高インピーダンス状態となる。一方、誘導開始信号Ssがロウレベルからハイレベルに遷移すると、電界誘導部221の制御スイッチ223がオン状態となる。その結果、誘導電圧発生回路222から出力される電圧が誘導信号Sdとして電界発生部20に印加され、容量検出が開始される。
FIG. 7 is a diagram illustrating signal waveforms of respective units in the induction
このとき、誘導信号Sdは、図7(b)に示すように次第に上昇して、一定の誘導電位(誘導電圧発生回路222の出力電位)に落ち着く。この誘導電位は、第1の共通電位(例えば接地電位)と第2の共通電位(例えば電源電位)との中間の電位に設定される。
電界発生部20が備える容量素子Cstdは、検出電極15に発生する寄生容量Cpと同程度の大きさに設定される。誘導信号Sdの印加で発生した電界により、容量可変構造体10の検出電極15に、形状可変構造体1の可動部材12の変位に対応した電荷が誘起される。このとき、検出電極15に発生する容量信号Scapは、容量可変構造体10の容量Csと寄生容量Cpとが足し合わされた容量(Cs+Cp)と、電界発生部20の容量Cstdとで誘導信号Sdを分圧した電位となる。したがって、容量信号Scapは、容量可変構造体10の容量Csが大きいほど、第1の共通電位側に降下することになる。
At this time, the induction signal Sd gradually rises as shown in FIG. 7B and settles to a constant induction potential (the output potential of the induction voltage generation circuit 222). This induced potential is set to an intermediate potential between the first common potential (for example, ground potential) and the second common potential (for example, power supply potential).
The capacitive element Cstd provided in the electric
図8は、誘導信号生成部22と容量情報抽出部23における各部の信号波形を示す図である。図8(a)に示すように、容量信号Scapについては、容量Csが最小値をとる場合と最大値をとる場合の両方を示した。本実施の形態の電位比較基準信号Svrefは、容量信号Scapの傾きが小さくなる電位に設定される。より具体的には、容量Csが最大値をとる場合の容量信号Scapの飽和電位よりも若干低い電位が好ましい。その理由は、電位比較基準信号Svrefが飽和電位に近い方が、容量Csの検出感度を大きくできるからである。
FIG. 8 is a diagram illustrating signal waveforms of respective units in the induction
容量情報抽出部23の電位比較部231は、容量信号Scapと電位比較基準信号Svrefとの電位差を増幅した矩形波状の検出信号Seを出力する(図8(b))。したがって、容量Csによる容量信号Scapの変化は、検出信号Seが遷移する時刻(図8(b)の例では検出信号Seがローレベルからハイレベルに立ち上がる時刻)の変化に変換され、容量Csが大きいほど検出信号Seが遷移するまでの時間が長くなる。
The
一方、位相比較基準信号Sprefは、電界発生部20による電界の発生開始タイミングと同期しているので、容量信号Scapの傾きが小さくなる前に位相比較基準信号発生部225から出力される(図8(c)の例では、ハイレベルに遷移する)。
そして、検出信号Seと位相比較基準信号Sprefとの排他的論理和処理を位相比較部232で行うことにより、検出信号Seと位相比較基準信号Sprefとの位相差を情報信号Siとして抽出することができる。こうして、容量Csによる容量信号Scapの変化は、情報信号Siのパルス幅twidthの変化に変換され、図8(d)に示すように容量Csが大きいほどパルス幅twidthが大きくなる。
On the other hand, since the phase comparison reference signal Spref is synchronized with the electric field generation start timing by the electric
The phase difference between the detection signal Se and the phase comparison reference signal Spref can be extracted as the information signal Si by performing an exclusive OR process on the detection signal Se and the phase comparison reference signal Spref in the
図9は、誘導信号生成部22と容量情報抽出部23と出力調整部24における各部の信号波形を示す図である。図7で説明したとおり、図9(a)に示す誘導開始信号Ssに同期して図9(b)のような容量信号Scapが出力される。容量情報抽出部23は、図9(c)に示すように容量信号Scapの立ち上がりと立ち下がりにおいて、容量の情報を含む情報信号Siを出力する。出力調整部24のパルス積分部240は、情報信号Siを積分して図9(d)のようなアナログ電圧Sanを出力する。A/D変換部241は、任意の時刻においてアナログ電圧Sanをディジタル信号に変換し、出力信号Soとして出力する。こうして、図9(e)に示すように、容量可変構造体10の容量Csに相関した出力信号Soが得られる。なお、図9(e)では、記載を容易にするため、出力信号Soをアナログで表記している。
FIG. 9 is a diagram illustrating signal waveforms of respective units in the induction
以上のように、本実施の形態の電子部品装置は、電界発生部20を通して誘導信号を検出電極15に印加するため、図17、図18に示したセンサのような演算増幅器のフィードバック制御を必要とせず、誘導信号を印加するステップと情報信号をディジタル信号に変換するステップの2回の制御ステップだけで容量可変構造体10の容量Csを高速に検出することができ、形状可変構造体1の変位を高速に検出することができる。また、本実施の形態では、電位比較基準信号Svrefを容量信号Scapの傾きが小さくなる電位に設定して、この電位比較基準信号Svrefを閾値として、容量Csによる容量信号Scapの変化を時間変化として検出するため、容量可変構造体10の容量Csが寄生容量Cpに比べて小さい場合でも、容量Csを検出することができる。
As described above, the electronic component device according to the present embodiment applies an induction signal to the
また、本実施の形態では、容量検出に必要な制御スイッチは電界発生部20に誘導信号Sdを印加するか否かを決める制御スイッチ223の1つだけでよいので、検出精度の劣化を抑えることができる。誘導開始信号Ssがハイレベルのとき、初期化部224の制御スイッチ2241は、オフ状態のため、容量検出の精度には影響を与えない。また、本実施の形態では、容量可変構造体10の出力端子は1つでよい。その結果、本実施の形態を光スイッチに適用する場合でも、新たに端子を取り出す必要がなく、プロセス工程が増加することがなくなる。また、本実施の形態では、パルス積分部240により情報信号Siの複数のパルスを積分するため、容量検出の精度を高めることができる。
In this embodiment, only one
なお、図7、図8では、各信号を第1の共通電位(接地電位)から遷移させているが、各信号を第2の共通電位(電源電位)から遷移させるようにしてもよい。同様に、図9についても、各信号の極性を反転させた波形を用いてよい。 7 and 8, each signal is transitioned from the first common potential (ground potential), but each signal may be transitioned from the second common potential (power supply potential). Similarly, in FIG. 9, a waveform obtained by inverting the polarity of each signal may be used.
[第2の実施の形態]
次に、本発明の第2の実施の形態について説明する。本実施の形態の電子部品装置は、構造変位検出ユニット2の構造変位検出回路21が備える容量情報抽出部の構成が第1の実施の形態と異なる。
図10は本実施の形態の容量情報抽出部23aの構成を示すブロック図であり、図4と同一の構成には同一の符号を付してある。容量情報抽出部23aは、電位比較部231と、位相比較部232と、第1の電位比較基準信号Svref1を発生する第1の電位比較基準信号発生部233と、第2の電位比較基準信号Svref2を発生する第2の電位比較基準信号発生部234と、第1の電位比較基準信号Svref1と第2の電位比較基準信号Svref2のうちいずれか一方を選択して出力するセレクタ235とから構成される。
[Second Embodiment]
Next, a second embodiment of the present invention will be described. The electronic component device according to the present embodiment is different from the first embodiment in the configuration of the capacitance information extraction unit provided in the structural
FIG. 10 is a block diagram showing the configuration of the capacity information extraction unit 23a of the present embodiment. The same components as those in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals. The capacitance information extraction unit 23a includes a
図11は、本実施の形態の誘導信号生成部22と容量情報抽出部23aと出力調整部24における各部の信号波形を示す図である。第1の実施の形態と同様に、容量情報抽出部23aは、容量信号Scapの立ち上がりと立ち下がりにおいて情報信号Siを出力する(図11(c))。本実施の形態では、セレクタ235は、容量信号Scapの立ち上がりにおいては第1の電位比較基準信号Svref1を選択して出力し、容量信号Scapの立ち下がりにおいては第2の電位比較基準信号Svref2を選択して出力する。このような選択動作をするためには、セレクタ235は、誘導開始信号Ssが立ち上がった後は第1の電位比較基準信号Svref1を選択し、誘導開始信号Ssが立ち下がった後は第2の電位比較基準信号Svref2を選択すればよい。
FIG. 11 is a diagram illustrating signal waveforms of respective units in the induction
このように、本実施の形態では、容量Csによる容量信号Scapの変化を検出するための論理閾値を、容量信号Scapの立ち上がりと立ち下がりで異なる値とする。第1の電位比較基準信号Svref1の電位は、第1の実施の形態で説明した電位比較基準信号Svrefと同じでよい。第2の電位比較基準信号Svref2の電位は、第1の電位比較基準信号Svref1よりも低い電位に設定される。より具体的には、容量信号Scapの傾きの絶対値が小さくなる電位に設定される。第2の電位比較基準信号Svref2の電位を第1の電位比較基準信号Svref1より低くすることで、容量信号Scapの立ち下がりで発生する情報信号Siの、容量Csに応じたパルス幅の変化を大きくすることができる。 Thus, in the present embodiment, the logical threshold value for detecting the change in the capacitance signal Scap due to the capacitance Cs is set to a different value between the rising edge and the falling edge of the capacitance signal Scap. The potential of the first potential comparison reference signal Svref1 may be the same as the potential comparison reference signal Svref described in the first embodiment. The potential of the second potential comparison reference signal Svref2 is set to a potential lower than that of the first potential comparison reference signal Svref1. More specifically, it is set to a potential at which the absolute value of the slope of the capacitance signal Scap is reduced. By making the potential of the second potential comparison reference signal Svref2 lower than that of the first potential comparison reference signal Svref1, the change in pulse width corresponding to the capacitance Cs of the information signal Si generated at the falling edge of the capacitance signal Scap is increased. can do.
第1の実施の形態では、容量信号Scapの立ち上がり時に比べて、容量信号Scapの立ち下がりで発生する情報信号Siの、容量Csに応じたパルス幅の変化が小さい。これに対して、本実施の形態では、容量信号Scapの立ち下がりで発生する情報信号Siの、容量Csに応じたパルス幅の変化を大きくすることができるので、第1の実施の形態と比べて、容量検出の精度を高めることができる。
なお、第1の実施の形態と同様に、図11についても、各信号の極性を反転させた波形を用いてよい。
In the first embodiment, the change in pulse width according to the capacitance Cs of the information signal Si generated at the falling edge of the capacitance signal Scap is smaller than that at the rising edge of the capacitance signal Scap. On the other hand, in the present embodiment, the change in the pulse width according to the capacitance Cs of the information signal Si generated at the falling edge of the capacitance signal Scap can be increased, so that it is compared with the first embodiment. Thus, the accuracy of capacity detection can be increased.
As in the first embodiment, a waveform in which the polarity of each signal is inverted may be used in FIG.
[第3の実施の形態]
次に、本発明の第3の実施の形態について説明する。図12は、本発明の第3の実施の形態の電子部品装置における構造変位検出ユニット2の具体例を示すブロック図であり、図4と同一の構成には同一の符号を付してある。本実施の形態の電子部品装置は、第1の実施の形態の誘導信号生成部22の代わりに誘導信号生成部22aを用い、出力調整部24の代わりに出力調整部24aを用いるものである。誘導信号生成部22aは、誘導信号生成部22の構成にパルス選択信号発生部226を追加したものであり、出力調整部24aは、出力調整部24の構成にパルス選択部242を追加したものである。
[Third Embodiment]
Next, a third embodiment of the present invention will be described. FIG. 12 is a block diagram showing a specific example of the structural displacement detection unit 2 in the electronic component device according to the third embodiment of the present invention. The same components as those in FIG. 4 are denoted by the same reference numerals. The electronic component device of the present embodiment uses an induction signal generation unit 22a instead of the induction
図13は、本実施の形態の誘導信号生成部22aと容量情報抽出部23と出力調整部24aにおける各部の信号波形を示す図である。第1の実施の形態で説明したとおり、容量情報抽出部23は、図13(a)に示す容量信号Scapの立ち上がりと立ち下がりにおいて情報信号Siを出力する(図13(b))。
出力調整部24aのパルス選択部242は、誘導信号生成部22aのパルス選択信号発生部226から出力されるパルス選択信号Sselに応じて情報信号Siを選択的に出力する。パルス選択信号発生部226は、パルス選択部242に対して容量信号Scapの立ち上がりで発生する情報信号Siの選択出力を許可し、容量信号Scapの立ち下がりで発生する情報信号Siの選択出力を不許可とするパルス選択信号Sselを出力する(図13(c))。
FIG. 13 is a diagram illustrating signal waveforms of respective parts in the induction signal generation unit 22a, the capacity
The
したがって、パルス選択部242は、容量信号Scapの立ち上がりで発生する情報信号Siのみを情報信号Si’として出力する(図13(d))。パルス選択部242としては、2入力のNAND回路等を用いればよい。容量信号Scapの立ち上がりで発生する情報信号Siのみをパルス積分部240で積分すると、図13(e)のようなアナログ電圧Sanが得られる。
Therefore, the
第2の実施の形態で説明したとおり、容量信号Scapの立ち上がり時に比べて、容量信号Scapの立ち下がりで発生する情報信号Siは、容量Csに応じたパルス幅の変化が小さいため、S/N比が小さくなる。
本実施の形態では、容量信号Scapの立ち下がりで発生する情報信号Siを除去し、容量信号Scapの立ち上がりで発生する情報信号Siのみを積分するため、第1の実施の形態と比べて、容量検出の精度を高めることができる。
なお、第1の実施の形態と同様に、図13についても、各信号の極性を反転させた波形を用いてよい。
As described in the second embodiment, the information signal Si generated at the falling edge of the capacitance signal Scap has a smaller change in pulse width corresponding to the capacitance Cs than the rising edge of the capacitance signal Scap. The ratio becomes smaller.
In the present embodiment, since the information signal Si generated at the falling edge of the capacitance signal Scap is removed and only the information signal Si generated at the rising edge of the capacitance signal Scap is integrated, the capacitance is compared with the first embodiment. The accuracy of detection can be increased.
As in the first embodiment, a waveform obtained by inverting the polarity of each signal may be used in FIG.
[第4の実施の形態]
次に、本発明の第4の実施の形態について説明する。本実施の形態の電子部品装置は、電界発生部の構成が第1〜第3の実施の形態と異なる。本実施の形態の容量可変構造体10と電界発生部20aの具体例を図14に示す。第1〜第3の実施の形態と同様に、容量可変構造体10は、可動部材12と検出電極(以下、第1の検出電極と呼ぶ)15とから構成される。電界発生部20aは、第1の検出電極15と対向するように基板11中に配置された第2の検出電極25から構成される。
[Fourth Embodiment]
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described. The electronic component device of the present embodiment is different from the first to third embodiments in the configuration of the electric field generator. Specific examples of the
図15は、容量可変構造体10と電界発生部20aとの接続関係及びこれらに生じる容量を示す図である。第1〜第3の実施の形態では、容量可変構造体10の出力端子(第1の検出電極15)と電界発生部20の出力端子とを接続していたが、本実施の形態では、これらを接続することなく、電界発生部20aの第2の検出電極25を第1の検出電極15と対向させて配置する。
FIG. 15 is a diagram illustrating a connection relationship between the
第1〜第3の実施の形態と同様に、容量可変構造体10には形状可変構造体1の可動部材12の変位により変化する容量Csが可動部材12と第1の検出電極15との間に形成される。一方、第1の検出電極15と第2の検出電極25との間には容量Cstdが発生し、第2の検出電極25と第1の共通電位(接地電位)との間には寄生容量Cpが発生する。本実施の形態では、第1の検出電極15と第2の検出電極25との間に容量Cstdを発生させることにより、第1の検出電極15と第1の共通電位との間には寄生容量は発生しない。この寄生容量が発生しないという効果をより確実にするため、第2の検出電極25の面積を第1の検出電極15と同じにするか、若しくは第1の検出電極15よりも大きくすることが好ましい。
Similar to the first to third embodiments, the capacitance
電界発生部20aの第2の検出電極25には構造変位検出回路21から誘導信号Sdが入力され、第1の検出電極15から出力された容量信号Scapが構造変位検出回路21に入力される。構造変位検出回路21の構成としては第1の実施の形態で説明した構成を用いてもよいし、第2の実施の形態で説明した構成を用いてもよいし、第3の実施の形態で説明した構成を用いてもよい。
The induction signal Sd is input from the structural
本実施の形態では、第1の検出電極15に対向して第2の検出電極25を配置することにより、第1の検出電極15に寄生容量が発生しないようにすることができるので、容量Csの変化による容量信号Scapの変化を大きくすることができ、第1の実施の形態と比べて、容量検出の感度を大きくすることができる。
In the present embodiment, by disposing the
本発明は、光スイッチや加速度センサに代表されるMEMSデバイスに適用することができる。 The present invention can be applied to MEMS devices represented by optical switches and acceleration sensors.
1…形状可変構造体、2…構造変位検出ユニット、10…容量可変構造体、11…基板、12…可動部材、13…制御電極、14…支柱、15…検出電極、20、20a…電界発生部、21…構造変位検出回路、22、22a…誘導信号生成部、23、23a…容量情報抽出部、24、24a…出力調整部、25…第2の検出電極、220…誘導開始信号発生部、221…電界誘導部、222…誘導電圧発生回路、223…制御スイッチ、224…初期化部、225…位相比較基準信号発生部、226…パルス選択信号発生部、230…電位比較基準信号発生部、231…電位比較部、232…位相比較部、233…第1の電位比較基準信号発生部、234…第2の電位比較基準信号発生部、235…セレクタ、240…パルス積分部、241…A/D変換部、242…パルス選択部。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Variable shape structure, 2 ... Structural displacement detection unit, 10 ... Capacitance variable structure, 11 ... Substrate, 12 ... Movable member, 13 ... Control electrode, 14 ... Post, 15 ... Detection electrode, 20, 20a ... Electric field generation , 21... Structural displacement detection circuit, 22, 22 a .. Induction signal generation unit, 23, 23 a... Capacitance information extraction unit, 24, 24 a ... Output adjustment unit, 25. 221 ... Electric field induction unit, 222 ... Induction voltage generation circuit, 223 ... Control switch, 224 ... Initialization unit, 225 ... Phase comparison reference signal generation unit, 226 ... Pulse selection signal generation unit, 230 ... Potential comparison reference
Claims (8)
前記形状可変構造体は、その変位に応じて容量が変化する容量可変構造体を備え、
前記構造変位検出ユニットは、前記容量可変構造体に電界を発生させる電界発生部と、前記電界発生の基となる誘導信号を前記電界発生部に出力する誘導信号生成部と、前記電界の発生によって前記容量可変構造体の出力端子から出力される容量信号から、前記容量可変構造体の容量を表す情報信号を抽出する容量情報抽出部と、前記情報信号を情報処理可能な形式に変換する出力調整部とを備え、
前記誘導信号生成部は、前記電界の発生開始を指示する誘導開始信号を出力する誘導開始信号発生部と、前記誘導開始信号に応じて前記誘導信号を出力する電界誘導部と、前記誘導開始信号が出力されていないときに前記電界誘導部の出力を所定の電位に設定する初期化部と、前記電界の発生開始タイミングと同期した位相比較基準信号を発生する位相比較基準信号発生部とから構成され、
前記容量情報抽出部は、所定の電位の電位比較基準信号を発生する電位比較基準信号発生部と、前記容量信号と前記電位比較基準信号との電位差を増幅して検出信号として出力する電位比較部と、前記検出信号と前記位相比較基準信号との位相差を前記情報信号として抽出する位相比較部とから構成され、
前記出力調整部は、前記情報信号のパルスの幅を積分するパルス積分部と、このパルス積分部の出力をディジタル信号に変換するA/D変換部とから構成されることを特徴とする電子部品装置。 In an electronic component device having a shape variable structure that is displaced according to an input control signal or a physical quantity to be detected, and a structure displacement detection unit that detects a capacitance representing the displacement of the shape variable structure.
The shape variable structure includes a variable capacity structure whose capacity changes according to the displacement,
The structural displacement detection unit includes an electric field generation unit that generates an electric field in the variable capacitance structure, an induction signal generation unit that outputs an induction signal that is a basis of the electric field generation to the electric field generation unit, and generation of the electric field. A capacity information extraction unit that extracts an information signal representing the capacity of the variable capacity structure from a capacity signal output from the output terminal of the capacity variable structure, and an output adjustment that converts the information signal into a format that can be processed With
The induction signal generation unit includes an induction start signal generation unit that outputs an induction start signal that instructs generation start of the electric field, an electric field induction unit that outputs the induction signal according to the induction start signal, and the induction start signal An initialization unit that sets the output of the electric field induction unit to a predetermined potential when no signal is output, and a phase comparison reference signal generation unit that generates a phase comparison reference signal synchronized with the generation start timing of the electric field And
The capacitance information extraction unit includes a potential comparison reference signal generation unit that generates a potential comparison reference signal having a predetermined potential, and a potential comparison unit that amplifies a potential difference between the capacitance signal and the potential comparison reference signal and outputs the amplified signal as a detection signal. And a phase comparator that extracts a phase difference between the detection signal and the phase comparison reference signal as the information signal,
The output adjustment unit is composed of a pulse integration unit that integrates the pulse width of the information signal, and an A / D conversion unit that converts the output of the pulse integration unit into a digital signal. apparatus.
前記電界誘導部は、所定の電圧を出力する誘導電圧発生回路と、制御端子が前記誘導開始信号発生部の出力端子に接続され、入力端子が前記誘導電圧発生回路の出力端子に接続され、出力端子が前記電界発生部の入力端子に接続され、前記誘導開始信号の出力に応じて閉状態となる制御スイッチとから構成されることを特徴とする電子部品装置。 The electronic component device according to claim 1,
The electric field induction unit includes an induction voltage generation circuit that outputs a predetermined voltage, a control terminal connected to an output terminal of the induction start signal generation unit, an input terminal connected to an output terminal of the induction voltage generation circuit, and an output An electronic component device comprising: a control switch that is connected to an input terminal of the electric field generation unit and is closed in response to an output of the induction start signal.
前記容量情報抽出部は、前記電位比較基準信号発生部の代わりに、所定の電位の第1の電位比較基準信号を発生する第1の電位比較基準信号発生部と、前記第1の電位比較基準信号と異なる電位の第2の電位比較基準信号を発生する第2の電位比較基準信号発生部と、前記第1の電位比較基準信号と前記第2の電位比較基準信号のうちいずれか一方を選択して出力するセレクタとを備えることを特徴とする電子部品装置。 The electronic component device according to claim 1,
The capacitance information extraction unit includes a first potential comparison reference signal generation unit that generates a first potential comparison reference signal having a predetermined potential, instead of the potential comparison reference signal generation unit, and the first potential comparison reference A second potential comparison reference signal generating unit for generating a second potential comparison reference signal having a potential different from that of the signal, and selecting either the first potential comparison reference signal or the second potential comparison reference signal And a selector for outputting the electronic component device.
前記誘導信号生成部は、さらに、前記容量信号の立ち上がりで発生する情報信号の選択出力を許可し、前記容量信号の立ち下がりで発生する情報信号の選択出力を不許可とするパルス選択信号を出力するパルス選択信号発生部を備え、
前記出力調整部は、前記パルス積分部の前に、前記容量情報抽出部から入力される前記情報信号を前記パルス選択信号に応じて選択的に出力するパルス選択部を備えることを特徴とする電子部品装置。 The electronic component device according to claim 1,
The induction signal generation unit further outputs a pulse selection signal that permits selection output of the information signal generated at the rising edge of the capacitance signal and disallows selection output of the information signal generated at the falling edge of the capacitance signal. A pulse selection signal generator that
The output adjustment unit includes a pulse selection unit that selectively outputs the information signal input from the capacitance information extraction unit according to the pulse selection signal before the pulse integration unit. Parts device.
前記容量可変構造体は、前記形状可変構造体の可動部材と、この可動部材と対向して設置された検出電極とから構成されることを特徴とする電子部品装置。 In the electronic component device according to any one of claims 1 to 4,
The capacitance variable structure is composed of a movable member of the variable shape structure and a detection electrode disposed opposite to the movable member.
前記電界発生部は、容量素子から構成されることを特徴とする電子部品装置。 In the electronic component device according to any one of claims 1 to 4,
The electric field generating unit is composed of a capacitive element.
前記容量可変構造体は、前記形状可変構造体の可動部材と、この可動部材と対向して設置された第1の検出電極とから構成され、
前記電界発生部は、前記第1の検出電極と対向して設置された第2の検出電極から構成されることを特徴とする電子部品装置。 In the electronic component device according to any one of claims 1 to 4,
The variable capacity structure is composed of a movable member of the variable shape structure, and a first detection electrode installed opposite to the movable member,
The electronic part device is characterized in that the electric field generating unit is configured by a second detection electrode disposed to face the first detection electrode.
前記形状可変構造体は、光の経路を変更するマイクロミラーであることを特徴とする電子部品装置。
The electronic component device according to any one of claims 1 to 7,
The electronic component device according to claim 1, wherein the variable shape structure is a micromirror that changes a light path.
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Cited By (3)
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---|---|---|---|---|
JP2005246498A (en) * | 2004-03-01 | 2005-09-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Electronic component device |
JP2008049408A (en) * | 2006-08-22 | 2008-03-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Electronic component device |
JP2016186598A (en) * | 2015-03-27 | 2016-10-27 | 新電元工業株式会社 | Control device and control method |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62207902A (en) * | 1986-03-07 | 1987-09-12 | Mitsutoyo Mfg Corp | Capacitance type displacement detector |
JP2000338445A (en) * | 1999-05-28 | 2000-12-08 | Mitsubishi Electric Corp | Micromirror device and manufacture thereof |
JP2003177142A (en) * | 2001-07-17 | 2003-06-27 | Stmicroelectronics Srl | Method and circuit for detecting displacement using micro-electromechanical sensor with compensation of parasitic capacitance and spurious displacement |
WO2004041710A1 (en) * | 2002-11-06 | 2004-05-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Microactuator provided with diplacement detection function, and deformable mirror provided with this microactuator |
JP2005083937A (en) * | 2003-09-09 | 2005-03-31 | Fujitsu Ltd | Movable element device |
JP2005246498A (en) * | 2004-03-01 | 2005-09-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Electronic component device |
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2004
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Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62207902A (en) * | 1986-03-07 | 1987-09-12 | Mitsutoyo Mfg Corp | Capacitance type displacement detector |
JP2000338445A (en) * | 1999-05-28 | 2000-12-08 | Mitsubishi Electric Corp | Micromirror device and manufacture thereof |
JP2003177142A (en) * | 2001-07-17 | 2003-06-27 | Stmicroelectronics Srl | Method and circuit for detecting displacement using micro-electromechanical sensor with compensation of parasitic capacitance and spurious displacement |
WO2004041710A1 (en) * | 2002-11-06 | 2004-05-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Microactuator provided with diplacement detection function, and deformable mirror provided with this microactuator |
JP2005083937A (en) * | 2003-09-09 | 2005-03-31 | Fujitsu Ltd | Movable element device |
JP2005246498A (en) * | 2004-03-01 | 2005-09-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Electronic component device |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005246498A (en) * | 2004-03-01 | 2005-09-15 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Electronic component device |
JP4499447B2 (en) * | 2004-03-01 | 2010-07-07 | 日本電信電話株式会社 | Electronic component equipment |
JP2008049408A (en) * | 2006-08-22 | 2008-03-06 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Electronic component device |
JP2016186598A (en) * | 2015-03-27 | 2016-10-27 | 新電元工業株式会社 | Control device and control method |
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