JP2005311327A5 - - Google Patents

Claims (22)

1. 第１のレーザ光を射出する第１のレーザ発振器と、
   前記第１のレーザ光を被照射物の表面において短辺と長辺を有する細長い形状のビームスポットに整形する光学系と、
   前記第１のレーザ光に対して前記被照射物を前記ビームスポットの長辺方向および短辺方向に相対的に移動させる手段と、
   前記第１のレーザ光に対する前記被照射物の前記ビームスポットの長辺方向への移動を短辺方向への移動より遅い速度で行う手段と、
   レーザ位置決め機構とを有し、
   前記レーザ位置決め機構は、第２のレーザ光を射出する第２のレーザ発振器と、前記第２のレーザ光を検出する光検出器とを備え、前記第１のレーザ光に対する前記被照射物の前記ビームスポットの長辺方向への相対的な移動を制御する手段を有することを特徴とするレーザ照射装置。
2. 第１のレーザ光を射出する第１のレーザ発振器と、
   前記第１のレーザ光を被照射物の表面において短辺と長辺を有する細長い形状のビームスポットに整形する光学系と、
   前記第１のレーザ光に対して前記被照射物を前記ビームスポットの長辺方向および短辺方向に相対的に移動させる手段と、
   前記第１のレーザ光に対する前記被照射物の前記ビームスポットの長辺方向への移動を短辺方向への移動より遅い速度で行う手段と、
   前記第１のレーザ光を照射する位置を決定するための画像処理手段と、
   レーザ位置決め機構とを有し、
   前記レーザ位置決め機構は、第２のレーザ光を射出する第２のレーザ発振器と、前記第２のレーザ光を検出する光検出器とを備え、前記第１のレーザ光に対する前記被照射物の前記ビームスポットの長辺方向への相対的な移動を制御する手段を有することを特徴とするレーザ照射装置。
3. 請求項２において、
   前記画像処理手段はＣＣＤカメラを有することを特徴とするレーザ照射装置。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記レーザ位置決め機構は、前記被照射物においてマーカーが形成されている面に前記第２のレーザ光を入射させ、前記マーカーを透過した前記第２のレーザ光を前記光検出器で検出して、前記第１のレーザ光に対する前記被照射物の前記ビームスポットの長辺方向への相対的な移動を制御する手段を有することを特徴とするレーザ照射装置。
5. 請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
   前記レーザ位置決め機構は、前記被照射物においてマーカーが形成されている面に前記第２のレーザ光を入射させ、前記マーカーに反射された前記第２のレーザ光を前記光検出器で検出して、前記第１のレーザ光に対する前記被照射物の前記ビームスポットの長辺方向への相対的な移動を制御する手段を有することを特徴とするレーザ照射装置。
6. 請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
   前記レーザ位置決め機構は、
   前記第２のレーザ光を複数のレーザ光に分割する光学素子と、前記複数のレーザ光を検出する分割検出器とを有することを特徴とするレーザ照射装置。
7. 請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
   前記レーザ位置決め機構は、２つ以上備わっていることを特徴とするレーザ照射装置。
8. 請求項７において、
   前記レーザ位置決め機構は、前記被照射物上における前記第１のレーザ光を挟んで一直線上に配置していることを特徴とするレーザ照射装置。
9. 請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
   前記細長い形状のビームスポットは、長方形、線状または楕円のビームスポットであることを特徴とするレーザ照射装置。
10. 請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
    前記第１のレーザ発振器は、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ_４レーザ、セラミックレーザ、ＧｄＶＯ_４レーザ、ＹＬＦレーザ、Ａｒレーザのいずれかが用いられていることを特徴とするレーザ照射装置。
11. 第１のレーザ発振器から射出された第１のレーザ光を走査ステージに配置された被照射物の表面において、短辺と長辺を有する細長い形状のビームスポットとなるように整形し、
    前記第１のレーザ光を発振させながら、前記第１のレーザ光に対して前記走査ステージを前記ビームスポットの長辺方向および短辺方向へ相対的に移動させて前記被照射物をアニールし、
    前記第１のレーザ光に対する前記被照射物の前記ビームスポットの長辺方向への移動を、前記ビームスポットの短辺方向への移動より遅い速度で行い、且つ、前記被照射物においてマーカーが形成されている面に第２のレーザ光を入射させ、前記被照射物に形成されたマーカーを透過した第２のレーザ光を光検出器で検出することによって制御することを特徴とする半導体装置の作製方法。
12. 第１のレーザ発振器から射出された第１のレーザ光を走査ステージに配置された被照射物の表面において、短辺と長辺を有する細長い形状のビームスポットとなるように整形し、
    前記第１のレーザ光を発振させながら、前記第１のレーザ光に対して前記走査ステージを前記ビームスポットの長辺方向および短辺方向へ相対的に移動させて前記被照射物をアニールし、
    前記第１のレーザ光に対する前記被照射物の前記ビームスポットの長辺方向への移動を、前記ビームスポットの短辺方向への移動より遅い速度で行い、且つ、第２のレーザ発振器から第２のレーザ光を射出し、前記第２のレーザ光を光学素子によって複数のレーザ光に分割し、前記被照射物に形成されたマーカーを透過した前記複数のレーザ光を分割光検出器で検出することによって制御することを特徴とする半導体装置の作製方法。
13. 第１のレーザ発振器から射出された第１のレーザ光を走査ステージに配置された被照射物の表面において、短辺と長辺を有する細長い形状のビームスポットとなるように整形し、
    前記第１のレーザ光を発振させながら、前記第１のレーザ光に対して前記走査ステージを前記ビームスポットの長辺方向および短辺方向へ相対的に移動させて前記被照射物をアニールし、
    前記第１のレーザ光に対する前記被照射物の前記ビームスポットの長辺方向への移動を、前記ビームスポットの短辺方向への移動より遅い速度で行い、且つ、前記被照射物においてマーカーが形成されている面に第２のレーザ光を入射して、前記被照射物に形成されたマーカーに反射された第２のレーザ光を光検出器で検出することによって制御することを特徴とする半導体装置の作製方法。
14. 第１のレーザ発振器から射出された第１のレーザ光を走査ステージに配置された被照射物の表面において、短辺と長辺を有する細長い形状のビームスポットとなるように整形し、
    前記第１のレーザ光を発振させながら、前記第１のレーザ光に対して前記走査ステージを前記ビームスポットの長辺方向および短辺方向へ相対的に移動させて前記被照射物をアニールし、
    前記第１のレーザ光に対する前記被照射物の前記ビームスポットの長辺方向への移動を、前記ビームスポットの短辺方向への移動より遅い速度で行い、且つ、第２のレーザ発振器から第２のレーザ光を射出し、前記第２のレーザ光を光学素子によって複数のレーザ光に分割し、前記被照射物に形成されたマーカーに反射された前記複数のレーザ光を分割光検出器で検出することによって制御することを特徴とする半導体装置の作製方法。
15. 請求項１１乃至請求項１４のいずれか一項において、
    前記第１のレーザ光を照射する位置を、画像処理手段によって制御することを特徴とする半導体装置の作製方法。
16. 請求項１５において、
    前記画像処理手段はＣＣＤカメラを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
17. 請求項１４において、
    前記第１のレーザ光を照射する位置を、
    異なる２箇所でそれぞれ２つ以上の第２のレーザ発振器から第２のレーザ光を照射し、前記第２のレーザ光を光学素子によって複数のレーザ光に分割し、前記被照射物に形成されたマーカーに反射された前記複数のレーザ光を分割検出器で同時に異なる２箇所で検出することによって制御することを特徴とする半導体装置の作製方法。
18. 請求項１１乃至請求項１７のいずれか一項において、
    前記第１のレーザ光に対する前記被照射物の前記ビームスポットの長辺方向への移動を、前記ビームスポットの短辺方向に細長い形状を有するマーカーを検出することによって制御することを特徴とする半導体装置の作製方法。
19. 請求項１８において、
    前記第１のレーザ光に対する前記被照射物の前記ビームスポットの長辺方向への移動を、前記マーカーの短辺と平行になるように前記ステージを移動することによって制御することを特徴とする半導体装置の作製方法。
20. 請求項１１乃至請求項１９のいずれか一項において、
    前記第１のレーザ発振器として、ＹＡＧレーザ、ＹＶＯ_４レーザ、セラミックレーザ、ＧｄＶＯ_４レーザ、ＹＬＦレーザ、Ａｒレーザのいずれかを用いることを特徴とする半導体装置の作製方法。
21. 請求項１１乃至請求項２０のいずれか一項において、
    前記細長い形状のビームスポットを長方形、線状または楕円に整形することを特徴とする半導体装置の作製方法。
22. 請求項１１乃至請求項２１のいずれか一項において、
    前記第１のレーザ光に対する前記被照射物の前記ビームスポットの短辺方向への相対的な移動は、１００ｍｍ／ｓｅｃ以上２０ｍ／ｓｅｃ以下で行い、
    前記第１のレーザ光に対する前記被照射物の前記ビームスポットの長辺方向への相対的な移動は、１００ｍｍ／ｓｅｃ未満で行うことを特徴とする半導体装置の作製方法。