JP2005303282A - 厚膜誘電性組成物および厚膜導電性組成物 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 高誘電率、低損失係数および他の望ましい電気的物理的特性を有する誘電性粉末組成物および厚膜誘電性ペースト組成物を形成する。望ましい電気的物理的特性を有する導電性粉末組成物および導電性ペースト組成物を形成する。誘電性粉末組成物および厚膜誘電性ペースト組成物を、導電性粉末組成物および導電性ペースト組成物と共に使用して、コンデンサおよび金属箔上で焼成した受動回路の他の部品を形成することができる。
【選択図】 なし
Description
T=厚さ(単位ミクロン)
A=面積(単位平方センチメートル)
0.885=定数、である。
Claims (31)
- 誘電体のチタン酸バリウムの粒径が少なくとも0.5μmであることを特徴とする銅箔上焼成厚膜誘電体。
- 前記誘電体の厚さが10から60μmの範囲であることを特徴とする請求項1に記載の銅箔上厚膜誘電体。
- 前記誘電体と前記銅箔の間に配設された下地プリント層をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の銅箔上厚膜誘電体。
- 前記誘電体のキュリー温度が−35℃から45℃の範囲であることを特徴とする請求項1に記載の銅箔上厚膜誘電体。
- 前記誘電体がチタン酸バリウムと、フッ化亜鉛と、ゲルマニウム酸鉛と、炭酸リチウムおよびフッ化リチウムのうちの少なくとも1種と、を含むことを特徴とする請求項1に記載の銅箔上厚膜誘電体。
- 前記銅箔が第1の電極を形成する請求項1に記載の銅箔上厚膜誘電体と、前記誘電体を覆って配設された第2の電極とを含むことを特徴とするコンデンサ。
- 前記第2の電極が銅、酸化第1銅、およびゲルマニウム酸鉛を含むことを特徴とする請求項6に記載のコンデンサ。
- チタン酸バリウム粉末と、リチウム源と、少なくとも1種の金属フッ化物粉末と、ゲルマニウム酸鉛ガラス粉末とを含む誘電性粉末であって、該金属フッ化物粉末がフッ化亜鉛粉末を含有することを特徴とする誘電性粉末。
- 前記誘電性粉末が、チタン酸バリウムの粉末を73〜88重量パーセント含むことを特徴とする請求項8に記載の誘電性粉末。
- 前記誘電性粉末が、リチウム源と少なくとも1種の金属フッ化物粉末との組合せを1〜5重量パーセント含むことを特徴とする請求項9に記載の誘電性粉末。
- 前記リチウム源が、炭酸リチウムおよびフッ化リチウムのうち少なくとも1種を含むことを特徴とする請求項10に記載の誘電性粉末。
- 前記誘電性粉末が、ゲルマニウム酸鉛ガラス粉末を8〜25重量パーセント含むことを特徴とする請求項9に記載の誘電性粉末。
- バリウム、ストロンチウム、カルシウム、亜鉛、マグネシウムおよびマンガンのうちの少なくとも1種を含むガラス粉末をさらに含むことを特徴とする請求項8に記載の誘電性粉末。
- シリコン、ジルコニウム、チタンおよびスズのうちの少なくとも1種を含むガラス粉末をさらに含むことを特徴とする請求項8に記載の誘電性粉末。
- 前記ゲルマニウム酸鉛ガラス粉末の重量の1/25から1/3の量のジルコニア粉末をさらに含むことを特徴とする請求項8に記載の誘電性粉末。
- 有機媒体中に分散させた、請求項8から15のいずれかに記載の誘電性粉末組成物と、溶剤とを含むことを特徴とするスクリーン印刷組成物。
- 金属箔を提供するステップと、請求項8から15のいずれかに記載の誘電性粉末を使用して前記金属箔を覆って誘電体を形成するステップと、前記誘電体を覆って電極を形成するステップとを含むことを特徴とするコンデンサを作製する方法。
- 前記誘電体および前記電極が、窒素雰囲気中で単一の焼成ステップによって形成されることを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 前記金属箔が銅箔であることを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 前記誘電体が10から60μmの範囲の厚さを有し、前記誘電体のキュリー温度が−35℃から45℃の範囲であることを特徴とする請求項19に記載の方法。
- 前記電極が、銅粉末、酸化第1銅粉末およびゲルマニウム酸鉛ガラス粉末を含む粉末から形成されることを特徴とする請求項17に記載の方法。
- 請求項6に記載のコンデンサを含むことを特徴とする中間層パネル。
- 請求項22に記載の中間層パネルを含むことを特徴とするプリント配線板。
- 銅粉末、酸化第1銅粉末およびゲルマニウム酸鉛ガラス粉末を含むことを特徴とする銅ベースの電極粉末。
- 前記電極粉末が、前記銅粉末を84〜100重量パーセント含むことを特徴とする請求項24に記載の電極粉末。
- 前記銅粉末の1重量パーセントまでの量のニッケル粉末をさらに含むことを特徴とする請求項25に記載の銅ベースの電極粉末。
- 前記電極粉末が酸化第1銅粉末を10重量パーセント未満含むことを特徴とする請求項24に記載の電極粉末。
- 前記電極粉末がゲルマニウム酸鉛ガラス粉末を5重量パーセント未満含むことを特徴とする請求項24に記載の電極粉末。
- バリウム、ストロンチウム、カルシウム、マグネシウム、マンガンおよび亜鉛のうち少なくとも1種を含むことを特徴とする請求項24に記載の電極粉末。
- シリコン、ジルコニウム、スズまたはチタンのうち少なくとも1種を含むことを特徴とする請求項24に記載の電極粉末。
- 有機媒体中に分散させた、請求項24から30のいずれかに記載の粉末組成物を含むことを特徴とするスクリーン印刷用銅電極の組成物。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10505056B2 (en) | 2015-12-15 | 2019-12-10 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Composition for forming electrode, electrode manufactured using the same and solar cell |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1578179A3 (en) * | 2004-03-16 | 2006-05-03 | E.I. du Pont de Nemours and Company | Thick-film dielectric and conductive compositions |
US7531416B2 (en) | 2005-12-21 | 2009-05-12 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film capacitors on ceramic interconnect substrates |
US20080010798A1 (en) * | 2006-07-14 | 2008-01-17 | Borland William J | Thin film dielectrics with co-fired electrodes for capacitors and methods of making thereof |
CN104112487A (zh) * | 2013-04-18 | 2014-10-22 | 上海市灿晶电子材料有限公司 | 一种导电铜浆料及其制备方法和应用 |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5466450A (en) * | 1977-11-01 | 1979-05-29 | Univ Illinois | Unhomogeneous phase ceramic condenser |
JPS58135178A (ja) * | 1982-02-02 | 1983-08-11 | エル・セ−セ−−セ−・イ−・セ−・ウ−・コンパニ−・ユ−ロペエンヌ・ドウ・コンポ−ザン・エレクトロニツク | チタン酸バリウム、酸化リチウム及びフツ化亜鉛をベ−スとする誘電性セラミツク組成物、このような組成物を使用したコンデンサ、及び、前記組成物の製法 |
JPS61111957A (ja) * | 1984-11-02 | 1986-05-30 | 堺化学工業株式会社 | セラミック誘電体の製造方法 |
JPS61232260A (ja) * | 1985-04-05 | 1986-10-16 | 旭化成株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
JPS63232201A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-28 | 富士通株式会社 | 導体ペ−スト組成物 |
JPH01100052A (ja) * | 1987-07-02 | 1989-04-18 | Murata Mfg Co Ltd | 強誘電性磁器組成物及びそれを利用した圧電素子 |
JPH02197181A (ja) * | 1989-01-26 | 1990-08-03 | Murata Mfg Co Ltd | 強誘電性磁器体 |
JPH02263761A (ja) * | 1989-04-04 | 1990-10-26 | Murata Mfg Co Ltd | 鉛酸化物含有強誘電性磁器組成物およびそれを利用した圧電素子 |
JPH08125302A (ja) * | 1994-10-20 | 1996-05-17 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | コンデンサ付き回路基板及び該回路基板を用いた多層回路基板 |
JPH10330802A (ja) * | 1997-06-02 | 1998-12-15 | Shoei Chem Ind Co | 金属粉末及びその製造方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2923981A1 (de) * | 1979-03-26 | 1980-10-09 | Univ Illinois | Keramikmasse mit heterogener phase |
US4511601A (en) * | 1983-05-13 | 1985-04-16 | North American Philips Corporation | Copper metallization for dielectric materials |
US4514321A (en) * | 1983-08-25 | 1985-04-30 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film conductor compositions |
JPH03221448A (ja) * | 1990-01-26 | 1991-09-30 | Hitachi Chem Co Ltd | 高誘電率銅張積層板の製造方法 |
US5155072A (en) * | 1990-06-29 | 1992-10-13 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | High K dielectric compositions with fine grain size |
JP3326513B2 (ja) * | 1994-10-19 | 2002-09-24 | ティーディーケイ株式会社 | 積層型セラミックチップコンデンサ |
US6608760B2 (en) | 1998-05-04 | 2003-08-19 | Tpl, Inc. | Dielectric material including particulate filler |
US6317023B1 (en) | 1999-10-15 | 2001-11-13 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method to embed passive components |
JP2002356619A (ja) | 2001-05-29 | 2002-12-13 | Nippon Paint Co Ltd | 熱硬化性複合誘電体フィルム及びその製造方法 |
US6847527B2 (en) * | 2001-08-24 | 2005-01-25 | 3M Innovative Properties Company | Interconnect module with reduced power distribution impedance |
EP1578179A3 (en) * | 2004-03-16 | 2006-05-03 | E.I. du Pont de Nemours and Company | Thick-film dielectric and conductive compositions |
-
2005
- 2005-03-15 EP EP05251531A patent/EP1578179A3/en not_active Withdrawn
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2006
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Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5466450A (en) * | 1977-11-01 | 1979-05-29 | Univ Illinois | Unhomogeneous phase ceramic condenser |
JPS58135178A (ja) * | 1982-02-02 | 1983-08-11 | エル・セ−セ−−セ−・イ−・セ−・ウ−・コンパニ−・ユ−ロペエンヌ・ドウ・コンポ−ザン・エレクトロニツク | チタン酸バリウム、酸化リチウム及びフツ化亜鉛をベ−スとする誘電性セラミツク組成物、このような組成物を使用したコンデンサ、及び、前記組成物の製法 |
JPS61111957A (ja) * | 1984-11-02 | 1986-05-30 | 堺化学工業株式会社 | セラミック誘電体の製造方法 |
JPS61232260A (ja) * | 1985-04-05 | 1986-10-16 | 旭化成株式会社 | 誘電体磁器組成物 |
JPS63232201A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-28 | 富士通株式会社 | 導体ペ−スト組成物 |
JPH01100052A (ja) * | 1987-07-02 | 1989-04-18 | Murata Mfg Co Ltd | 強誘電性磁器組成物及びそれを利用した圧電素子 |
JPH02197181A (ja) * | 1989-01-26 | 1990-08-03 | Murata Mfg Co Ltd | 強誘電性磁器体 |
JPH02263761A (ja) * | 1989-04-04 | 1990-10-26 | Murata Mfg Co Ltd | 鉛酸化物含有強誘電性磁器組成物およびそれを利用した圧電素子 |
JPH08125302A (ja) * | 1994-10-20 | 1996-05-17 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | コンデンサ付き回路基板及び該回路基板を用いた多層回路基板 |
JPH10330802A (ja) * | 1997-06-02 | 1998-12-15 | Shoei Chem Ind Co | 金属粉末及びその製造方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10505056B2 (en) | 2015-12-15 | 2019-12-10 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Composition for forming electrode, electrode manufactured using the same and solar cell |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1578179A2 (en) | 2005-09-21 |
EP1578179A3 (en) | 2006-05-03 |
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TW200604130A (en) | 2006-02-01 |
KR20060043683A (ko) | 2006-05-15 |
CN1674761A (zh) | 2005-09-28 |
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