JP2005303232A - 回路装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 内蔵される回路素子を固着させるロウ材を厚く形成することが可能な回路装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 回路装置１０Ａは、半導体素子１３と、半導体素子１３が載置される領域に凹部２１を有するダイパッド１１と、凹部２１に収納されて半導体素子１３をダイパッド１１に固着させる固着材としてのロウ材１９と、半導体素子１３の裏面に当接する当接部２２とを具備する構成と成っている。本発明の回路装置によれば、ダイパッドに設けた凹部にロウ材を収納することにより、ロウ材の厚みを厚く且つ一定の厚さにすることができる。従って、温度変化により発生する熱応力によるロウ材と半導体素子との剥離を抑止することが出来る。更に、半導体素子の裏面に当接する当接部を設けることにより、半導体素子の自重により、半導体素子がロウ材に沈み込んでしまうのを抑止することが出来る。
【選択図】 図１

Description

本発明は、回路装置およびその製造方法に関し、特に、内蔵される回路素子の固着を行う固着材の厚みを確保できる回路装置およびその製造方法に関するものである。

従来、電子機器にセットされる回路装置は、携帯電話、携帯用のコンピューター等に採用されるため、小型化、薄型化、軽量化が求められている。そのため、各社が競って小型化、薄型化および軽量化を実現すべく、色々な構造を開発し、最近ではＣＳＰ（チップサイズパッケージ）と呼ばれる、チップのサイズと同等のウェハスケールＣＳＰが開発されている。

図１２は、支持基板としてガラスエポキシ基板６５を採用した、チップサイズよりも若干大きいＣＳＰ６６を示すものである。ここではガラスエポキシ基板６５にトランジスタチップＴが実装されたものとして説明していく（例えば、特許文献１参照）。

このガラスエポキシ基板６５の表面には、第１の電極６７、第２の電極６８およびダイパッド６９が形成され、裏面には第１の裏面電極７０と第２の裏面電極７１が形成されている。そしてスルーホールＴＨを介して、前記第１の電極６７と第１の裏面電極７０が、第２の電極６８と第２の裏面電極７１が電気的に接続されている。またダイパッド６９には前記ベアのトランジスタチップＴが固着され、トランジスタのエミッタ電極と第１の電極６７が金属細線７２を介して接続され、トランジスタのベース電極と第２の電極６８が金属細線７２を介して接続されている。更にトランジスタチップＴを覆うようにガラスエポキシ基板６５に樹脂層７３が設けられている。

前記ＣＳＰ６６は、ガラスエポキシ基板６５を採用するが、ウェハスケールＣＳＰと違い、チップＴから外部接続用の裏面電極７０、７１までの延在構造が簡単であり、安価に製造できるメリットを有する。
特開２００１−３３９１５１号公報（第１頁、第１図）

しかしながら、上述した従来型の回路装置では、トランジスタチップＴを固着させるロウ材の厚みが十分でなかった。このことから、使用状況下の温度変化、または、回路装置を実装するためのリフローの工程にて、トランジスタチップＴの裏面とロウ材とが剥離してしまう問題が発生していた。この問題は、シリコンから成る半導体素子と他の構成要素との間に熱応力が発生することが原因である。この問題の解決方法として、トランジスタチップＴを固着させるロウ材の厚みを厚くする方法があるが、ロウ材の厚みをコントロールする好適な方法が提案されていなかった。

更に、シート状のダイアッタチ材を使用すると、上記した問題を緩和できる傾向にあるが、一般的には導通を確保できるシート状のダイアタッチ材は無い。更に、シート状のダイアタッチ材は高価なものであり、この材料を適用させることがコストアップを招く恐れがある。更に、ダイアタッチ材は、その種類が少ないために選択肢が乏しい問題もある。

本発明は上記した問題を鑑み成され、本発明の主な目的は、内蔵される回路素子を固着させる固着材を一定の厚みに形成することが可能な回路装置およびその製造方法を提供することにある。

本発明の回路装置は、半導体素子と、前記半導体素子が載置される領域に凹部を有するダイパッドと、前記凹部に収納されて前記半導体素子を前記ダイパッドに固着させる固着材と、前記凹部が形成された領域で前記半導体素子の裏面に当接する当接部とを具備することを特徴とする。

更に本発明の回路装置は、前記当接部は、前記凹部の周端部から内側に延在することを特徴とする。

更に本発明の回路装置は、前記当接部は、前記凹部の底面から上方に突出することを特徴とする。

更に本発明の回路装置は、前記当接部は、前記ダイパッドと一体で形成されることを特徴とする。

更に本発明の回路装置は、前記ダイパッドの上面を被覆する被覆樹脂を具備し、前記当接部は前記被覆樹脂から成ることを特徴とする。

更に本発明の回路装置は、前記半導体素子および前記ダイパッドを被覆する封止樹脂を具備し、前記ダイパッドの裏面は前記封止樹脂から外部に露出することを特徴とする。

本発明の回路装置の製造方法は、形成予定の導電パターンを除いた領域の導電箔の表面に分離溝を設け、載置予定の半導体素子の下方に対応する領域の前記導電箔の表面に凹部を設ける工程と、前記凹部に収納された固着材を介して前記半導体素子を前記導電箔の表面に固着する工程と、前記半導体素子と前記導電箔の表面とを電気的に接続する工程と、前記半導体素子を被覆して前記分離溝に充填されるように封止樹脂を形成する工程と、前記分離溝に充填された前記封止樹脂が露出するまで前記導電箔の裏面を除去する工程とを具備することを特徴とする。

更に本発明の回路装置の製造方法は、前記分離溝および前記凹部はエッチングにより同時に形成することを特徴とする。

更に本発明の回路装置は、前記凹部の周辺部から内部に延在する当接部を設け、前記当接部を前記半導体素子の裏面に当接させることを特徴とする。

更に本発明の回路装置は、前記導電箔の裏面の除去は、エッチングマスクを用いた選択的な除去により行うことを特徴とする。

本発明の回路装置およびその製造方法によれば、ダイパッドに設けた凹部にロウ材を収納することにより、ロウ材の厚みを厚く且つ一定の厚さにすることができる。従って、均一に厚く形成されたロウ材により、使用状況下等で発生する熱応力を吸収することが出来る。このことから、熱応力により、ロウ材と半導体素子とが剥離してしまうのを抑止することが出来る。更に、半導体素子の裏面に当接する当接部を設けることにより、半導体素子の自重により、半導体素子がロウ材に沈み込んでしまうのを抑止することが出来る。

＜第１の実施の形態＞
図１を参照して、本形態の回路装置１０の構成等を説明する。図１（Ａ）は回路装置１０の平面図であり、図１（Ｂ）は回路装置１０の断面図である。

ダイパッド１１は、半導体素子１３が実装される導電パターンであり、銅箔等の金属から構成されている。更に、ダイパッド１１は、その裏面を露出させて封止樹脂９に埋め込まれている。ダイパッド１１の平面的な大きさは、実装される半導体素子１３よりも若干大きく形成されている。図１（Ａ）では、ダイパッド１１が中央部に形成され、ＩＣチップ等から成る半導体素子１３がロウ材１９を介して固着されている。また、半導体素子１３が実装される領域に対応するダイパッド１１の表面には、Ａｇ等から成るメッキ膜が形成されても良い。

ボンディングパッド１２は、金属細線１５がボンディングされる導電パターンである。ボンディングパッド１２は、その裏面を露出させて封止樹脂９に埋め込まれている。ここでは、装置の中央部に形成されたダイパッド１１を囲むように円形状の多数個のボンディングパッド１２が形成されている。図１（Ａ）では、ダイパッド１１の左右両側に形成された複数個のボンディングパッド１２Ａは、電気的に独立して設けられている。そして、ダイパッド１１の上下両側に形成された複数のボンディングパッド１２Ｂは、幅が狭く形成された配線部２０を介して、ダイパッド１１と連続して形成されており、電気的にも繋がっている。そして、ボンディングパッド１２の表面には、ボンディングされる金属細線の接着性を向上させるために、Ａｇ等から成るメッキ膜が形成されても良い。

半導体素子１３は、ロウ材１９を介してダイパッド１１の表面に実装され、ここでは半導体素子のなかでも比較的大型のＩＣチップがロウ材１９を介して実装されている。そして、金属細線１５を介して、半導体素子１３の表面に形成された電極と、ボンディングパッド１２とは電気的に接続されている。

封止樹脂９は、ダイパッド１１およびボンディングパッド１２の裏面を露出させて、全体を封止している。ここでは、半導体素子１３、金属細線１５、ダイパッド１１およびボンディングパッド１２を封止樹脂９は封止している。封止樹脂９の材料としては、トランスファーモールドにより形成される熱硬化性樹脂や、インジェクションモールドにより形成される熱可塑性樹脂を全般的に採用することができる。

外部電極１７は、封止樹脂９から露出するダイパッド１１およびボンディングパッド１２の裏面に形成されたロウ材から成る電極である。外部電極１７が形成されない領域の回路装置１０Ａの裏面は、レジスト１８が形成されることにより保護される。

凹部２１は、ダイパッド１１の上面に形成された凹状の領域であり、半導体素子１３の固着剤であるロウ材１９を貯留させる働きを有する。この凹部２１にロウ材１９を貯留させることにより、ロウ材１９の厚みを確保することが出来る。即ち、凹部２１の深さにより、ロウ材１９の厚みを規制することが出来る。更に、凹部２１にロウ材を収納させることで、ロウ材１９が外部に流出することによる電気的短絡を防止することが出来る。ここで、凹部２１の平面的な大きさは、半導体素子１３と同程度、あるいは、若干大きめに形成されても良い。凹部２１の形成は、分離溝１６を形成する工程と同時に行うことが可能である。従って、凹部２１を設けることによる工程数の増加は抑止することができる。

当接部２２は、半導体素子１３の裏面に当接することで、半導体素子１３の上下方向への位置固定を行う機能を有する部位である。この固定を行うことにより、半導体素子１３のロウ材１９への沈み込みを抑止することが出来る。図１（Ａ）を参照して、当接部２２は、凹部２１の周端部から内部に延在する複数個の当接部２２Ａと、凹部２１の中央部付近に設けた当接部２２Ｂとから成る。

当接部２２Ａは、凹部２１の周端部から半導体素子１３が載置される領域まで、三角形状に内部に延在している。ここでは、当接部２２Ａは三角形状であるが、四角形状や曲面形状などの他の形状に当接部２２Ａを形成することも可能である。更に、凹部２１の１つの辺に、複数個の当接部２２Ａを設けることも可能であり、この場合では、半導体素子１３を支持する効果が向上する。

当接部２２Ｂは、凹部２１の底面から上方に突出して半導体素子１３の裏面に当接する部位である。図１（Ａ）を参照して、平面的に円形に形成された当接部２２Ｂが形成されている。ここでは、１つの当接部２２Ｂが設けられているが、複数個の当接部２２Ｂを形成しても良い。更に、円形状以外の形状の当接部２２Ｂを形成しても良い。

上述した当接部２２Ａおよび当接部２２Ｂは、ダイパッド１１と一体して形成される。即ち、ダイパッド１１をエッチングにより形成する工程で、当接部２２を形成することが出来るので、工程数の増加を抑えて当接部２２の形成を行うことができる。

ロウ材１９は、半田やＡｇペースト等の導電性のペーストであり、半導体素子１３とダイパッド１１とを接着させる働きを有する。ロウ材１９は導電性の材料であるので、半導体素子１３の裏面とダイパッド１１とは電気的に接続される。更には、絶縁性の接着剤をロウ材１９の代替に用いても良い。上述した構成により、本形態のロウ材１９は、凹部２１の深さに対応した厚みが確保される。ロウ材１９の厚みが確保されることで、熱応力によりロウ材１９と半導体素子１３との密着面が剥離してしまうのを抑止することができる。

図２の断面図を参照して、他の形態の回路装置１０Ｂの構成を説明する。この図に示す回路装置１０Ｂの基本的な構成は、図１に示した回路装置１０Ａと同一であり、相違点は導電パターンを被覆する被覆樹脂２３を具備する点にある。以下では、その相違点を中心に説明を行う。

被覆樹脂２３は、ダイパッド１１およびボンディングパッド１２の上面および側面を被覆する樹脂材である。また、電気的接続が行われる領域のダイパッド１１およびボンディングパッド１２の上面は、被覆樹脂２３から露出している。更にまた、回路装置１０Ｂでは、上述した当接部２２が被覆樹脂２３により形成されている。即ち、半導体素子１３に相当する平面的大きさを有する凹部２１がダイパッド１１の表面に形成さる。そして、この凹部２１に、被覆樹脂２３からなる当接部２２が形成される。この当接部２２の形状は、図１を参照して説明したものと同じ形状を構成することができる。更に、被覆樹脂２３から成る当接部２２の形成は、他の被覆樹脂２３の露出と同時に形成することが可能である。

＜第２の実施の形態＞
本実施例では、回路装置１０の製造方法を説明する。先ず図３から図１０を参照して、図１に示した回路装置１０Ａの製造方法を説明する。

本形態の第１の工程は、図３から図４に示すように、導電箔４０を用意し、導電箔４０にその厚みよりも浅い分離溝１６を形成して複数個の回路装置部４５を構成するダイパッド１１およびボンディングパッド１２を形成することにある。更に本工程で、凹部２１および当接部２２も形成する。

本工程では、まず図３（Ａ）の如く、シート状の導電箔４０を用意する。この導電箔４０は、ロウ材の付着性、ボンディング性、メッキ性が考慮されてその材料が選択され、材料としては、Ｃｕを主材料とした導電箔、Ａｌを主材料とした導電箔またはＦｅ−Ｎｉ等の合金から成る導電箔等が採用される。導電箔４０の厚さは、後のエッチングを考慮すると１０μｍ〜３００μｍ程度が好ましいが、３００μｍ以上でも１０μｍ以下でも基本的には良い。後述するように、導電箔４０の厚みよりも浅い分離溝１６が形成できればよい。

尚、シート状の導電箔４０は、所定の幅、例えば４５ｍｍでロール状に巻かれて用意され、これが後述する各工程に搬送されても良いし、所定の大きさにカットされた短冊状の導電箔４０が用意され、後述する各工程に搬送されても良い。

具体的には、図３（Ｂ）に示す如く、短冊状の導電箔４０に多数の回路装置部４５が形成されるブロック４２が４〜５個離間して並べられる。各ブロック４２間にはスリット４３が設けられ、モールド工程等での加熱処理で発生する導電箔４０の応力を吸収する。また導電箔４０の上下周端にはインデックス孔４４が一定の間隔で設けられ、各工程での位置決めに用いられる。続いて、導電パターンを形成する。

まず、図４（Ａ）に示す如く、導電箔６０の上に、ホトレジスト（耐エッチングマスク）ＰＲを形成し、導電パターン５１となる領域を除いた導電箔４０が露出するようにホトレジストＰＲをパターニングする。そして、導電箔４０を選択的にエッチングする。ここでは、導電パターン５１は、各回路装置部４５のダイパッド１１およびボンディングパッド１２を形成している。更に、各回路装置部４５のダイパッド１１には、凹部２１が形成される。従って、凹部２１の深さは、導電パターン５１を分離する分離溝１６と同等に形成しても良い。

図４（Ｂ）にダイパッド１１およびボンディングパッド１２を形成する導電パターン５１を示す。本図は図３（Ｂ）で示したブロック４２の１個を拡大したもの対応する。破線で囲まれる部分の１個が１つの回路装置部４５であり、１つのブロック４２には２行２列のマトリックス状に多数の回路装置部４５が配列され、各回路装置部４５毎に同一の導電パターン５１が設けられている。各ブロックの周辺には枠状のパターン４６が設けられ、それと少し離間しその内側にダイシング時の位置合わせマーク４７が設けられている。枠状のパターン４６はモールド金型との嵌合に使用し、また導電箔４０の裏面エッチング後には封止樹脂９の補強をする働きを有する。

更に、各回路装置部に含まれるダイパッド１１には、当接部２２が形成される。この当接部２２も、本工程のエッチングにより形成される。即ち、本工程では、各導電パターン５１を凸状に形成する分離溝１６の形成を行うと同時に、凹部２１および当接部２２の形成を同時に行うことができる。

本形態の第２の工程は、図５に示す如く、各回路装置部４５のダイパッド１１にロウ材１９を介して半導体素子１３を固着することにある。

図５（Ａ）を参照して、先ず、ダイパッド１１の凹部２１に液体状または半固形状のロウ材１９を収納させる。具体的には、凹部２１が充分に満たされる程度の量のロウ材１９を凹部２１に供給する。そして、半導体素子１３をダイパッド１１に載置することにより、その固着を行う。本形態では、当接部２２が半導体素子１３の裏面に当接するので、半導体素子１３のロウ材１９への沈み込みを防止することが出来る。ここで、ロウ材１９としては、半田またはＡｇペースト等の導電性のペーストが使用される。更に、絶縁性の接着剤をロウ材１９の代替として採用することもできる。更に、図５（Ｂ）を参照して、各回路装置部４５への半導体素子１３の実装が行われる。

本形態の第３の工程は、図６を参照して、半導体素子１３とボンディングパッド１２とのワイヤボンディングを行うことにある。

具体的には、各回路装置部４５に実装された半導体素子１３の電極と所望のボンディングパッド１２とを、熱圧着によるボールボンディング及び超音波によるウェッヂボンディングにより一括してワイヤボンディングを行う。

本形態の第４の工程は、図７に示す如く、半導体素子１３を被覆し、分離溝１６に充填されるように封止樹脂９で共通モールドすることにある。本工程では、図７（Ａ）に示すように、封止樹脂９は半導体素子１３および複数のダイパッド１１およびボンディングパッド１２を被覆し、分離溝１６には封止樹脂９が充填されて強固に結合する。そして封止樹脂９によりダイパッド１１およびボンディングパッド１２が支持されている。

また本工程では、トランスファーモールド、インジェクションモールド、またはポッティングにより実現できる。樹脂材料としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂がトランスファーモールドで実現でき、ポリイミド樹脂、ポリフェニレンサルファイド等の熱可塑性樹脂はインジェクションモールドで実現できる。更に、本工程でトランスファーモールドあるいはインジェクションモールドする際に、図７（Ｂ）に示すように各ブロック４２は１つの共通のモールド金型に回路装置部４５を納め、各ブロック毎に１つの封止樹脂９で共通にモールドを行う。このために従来のトランスファーモールド等の様に各回路装置部を個別にモールドする方法に比べて、大幅な樹脂量の削減が図れる。

本工程の特徴は、封止樹脂９を被覆するまでは、導電パターン５１となる導電箔４０が支持基板となることである。従来では、本来必要としない支持基板を採用して導電パターンを形成しているが、本形態では、支持基板となる導電箔４０は、電極材料として必要な材料である。そのため、構成材料を極力省いて作業できるメリットを有し、コストの低下も実現できる。

また分離溝１６は、導電箔の厚みよりも浅く形成されているため、導電箔４０が導電パターン５１として個々に分離されていない。従ってシート状の導電箔４０として一体で取り扱え、封止樹脂９をモールドする際、金型への搬送、金型への実装の作業が非常に楽になる特徴を有する。

本形態の第５の工程は、図８を参照して、封止樹脂９が露出するまで導電箔４０の裏面を除去することにある。

本工程は、導電箔４０の裏面を化学的および／または物理的に除き、導電パターン５１として分離するものである。この工程は、研磨、研削、エッチング、レーザの金属蒸発等により施される。また、本工程では、分離溝１６が形成された箇所の裏面を露出させて、導電箔４０の裏面にレジスト２４を形成した後にエッチングを行う。従って、本形態では、導電パターン５１は、表面から形成される分離溝と、裏面から形成される分離溝の２つの分離溝により、電気的に分離されている。また、本工程の分離を行う前に、導電箔４０の裏面全域を除去することにより導電箔４０の残りの厚みを薄くしてもよい。このことで、導電箔の裏面に付いた傷を取り除いて製品を形成することが出来る。また、本工程が終了した後に、レジスト２４は剥離されて、図１に示すようなレジスト１８および外部電極１７の形成が行われる。

本形態の第６の工程は、図９に示す如く、封止樹脂９を各回路装置部４５毎にダイシングにより分離することにある。

本工程では、ブロック４２をダイシング装置の載置台に真空で吸着させ、ダイシングブレード４９で各回路装置部４５間のダイシングライン（一点鎖線）に沿って分離溝１６の封止樹脂９をダイシングし、個別の回路装置に分離する。

本工程で、ダイシングブレード４９はほぼ封止樹脂９を切断する切削深さで行い、ダイシング装置からブロック４２を取り出した後にローラでチョコレートブレークするとよい。ダイシング時は予め前述した第１の工程で設けた各ブロックの位置合わせマーク４７を認識して、これを基準としてダイシングを行う。周知ではあるが、ダイシングは縦方向にすべてのダイシングラインをダイシングをした後、載置台を９０度回転させて横方向のダイシングラインに従ってダイシングを行う。

以下では、図１０及び図１１を参照して、図２に示した回路装置１０Ｂの製造方法を説明する。この製造方法は、基本的には上述した回路装置１０Ａの製造方法と同一であるので、以下では、相違点を中心に説明を行う。

先ず、図１０（Ａ）および図１０（Ｂ）を参照して、導電箔４０を用意して分離溝１６の形成を行う。更に、分離溝１６と同時に凹部２１も形成される。本形態での凹部２１の形状は、単に窪地状の形状を採用することができる。本形態では、被覆樹脂２３により当接部２２の形成が行われるからである。

次に、図１０（Ｃ）を参照して、導電箔４０の表面に被覆樹脂２３を形成する。被覆樹脂２３の形成は、シート状の樹脂膜を真空プレスすることにより形成することが可能である。更に、液状の樹脂を導電箔４０の表面に供給してその固化を行うことでも、被覆樹脂２３の形成を行うことが出来る。ここで、少なくとも凹部２１の内部が充填されるまで、被覆樹脂２３の形成を行うことが好ましい。このことで、被覆樹脂２３から成る当接部２２を形成することが出来る。

次に、図１０（Ｄ）を参照して、被覆樹脂２３を部分的に除去することにより、導電箔４０の表面を部分的に露出させる開口部２５を形成する。開口部２５を形成することにより、凹部２１の底辺が露出され、ロウ材１９が貯留される領域が形成される。更に、ボンディングパッド１２の上面が露出されるように開口部２５が形成される。ボンディングパッド１２の上面が露出されることで、ボンディングパッド１２と金属細線との接続を行うことができる。

次に、図１１（Ａ）を参照して、半導体素子１３の固着を行い、金属細線１５を介して半導体素子１３とボンディングパッド１２とを電気的に接続する。具体的には、先ず、凹部２１にロウ材１９を塗布する。そして、半導体素子１３を載置することで、ロウ材１９を介して半導体素子１３の固着を行う。ここでは、被覆樹脂２３から成る当接部２２が半導体素子１３の裏面に当接することにより、半導体素子１３がロウ材１９に沈み込むのを防止することが出来る。

次に、図１１（Ｂ）に示すような封止樹脂９による半導体素子１３の封止を行う。そして、図１１（Ｃ）を参照して、導電箔４０の裏面からの選択的なエッチングを行うことで、各ダイパッド１１およびボンディングパッド１２を電気的に分離する。他の工程は上述した工程と同一である。

本発明の回路装置を説明する平面図（Ａ）、断面図（Ｂ）である。 本発明の回路装置を説明する断面図である。 本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図（Ａ）、平面図（Ｂ）である。 本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図（Ａ）、平面図（Ｂ）である。 本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図（Ａ）、平面図（Ｂ）である。 本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図（Ａ）、平面図（Ｂ）である。 本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図（Ａ）、平面図（Ｂ）である。 本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図である。 本発明の回路装置の製造方法を説明する平面図である。 本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図（Ａ）−（Ｄ）である。 本発明の回路装置の製造方法を説明する断面図（Ａ）−（Ｃ）である。 従来の回路装置を説明する断面図である。

符号の説明

９ 封止樹脂
１０Ａ、１０Ｂ 回路装置
１１ ダイパッド
１２ ボンディングパッド
１３ 半導体素子
１４ 封止樹脂
１５ 金属細線
１７ 外部電極
１８ レジスト
１９ 金属細線
２０ 配線部
２１ 凹部
２２Ａ、２２Ｂ 当接部

Claims (10)

1. 半導体素子と、
   前記半導体素子が載置される領域に凹部を有するダイパッドと、
   前記凹部に収納されて前記半導体素子を前記ダイパッドに固着させる固着材と、
   前記凹部が形成された領域で前記半導体素子の裏面に当接する当接部とを具備することを特徴とする回路装置。
2. 前記当接部は、前記凹部の周端部から内側に延在することを特徴とする請求項1記載の回路装置。
3. 前記当接部は、前記凹部の底面から上方に突出することを特徴とする請求項１記載の回路装置。
4. 前記当接部は、前記ダイパッドと一体で形成されることを特徴とする請求項１記載の回路装置。
5. 前記ダイパッドの上面を被覆する被覆樹脂を具備し、
   前記当接部は前記被覆樹脂から成ることを特徴とする請求項１記載の回路装置。
6. 前記半導体素子および前記ダイパッドを被覆する封止樹脂を具備し、
   前記ダイパッドの裏面は前記封止樹脂から外部に露出することを特徴とする請求項１記載の回路装置。
7. 形成予定の導電パターンを除いた領域の導電箔の表面に分離溝を設け、載置予定の半導体素子の下方に対応する領域の前記導電箔の表面に凹部を設ける工程と、
   前記凹部に収納された固着材を介して前記半導体素子を前記導電箔の表面に固着する工程と、
   前記半導体素子と前記導電箔の表面とを電気的に接続する工程と、
   前記半導体素子を被覆して前記分離溝に充填されるように封止樹脂を形成する工程と、
   前記分離溝に充填された前記封止樹脂が露出するまで前記導電箔の裏面を除去する工程とを具備することを特徴とする回路装置の製造方法。
8. 前記分離溝および前記凹部はエッチングにより同時に形成することを特徴とする請求項７記載の回路装置の製造方法。
9. 前記凹部の周辺部から内部に延在する当接部を設け、
   前記当接部を前記半導体素子の裏面に当接させることを特徴とする請求項７記載の回路装置の製造方法。
10. 前記導電箔の裏面の除去は、
    エッチングマスクを用いた選択的な除去により行うことを特徴とする請求項７記載の回路装置の製造方法。
    
    

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