JP2005302351A - 発光素子およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 フォトリソグラフィー法を用いて複数の発光層を形成してなる発光素子の製造方法であって、基材の表面に第1電極を形成し、前記第1電極の上に第1発光層を形成し、前記第1発光層の露出部分を第2発光層を形成する発光層用塗工液に対して不溶化する処理をし、前記第1電極の上に前記第2発光層を形成し、これらを複数回繰り返すことにより前記第1電極の上に複数の発光層を形成し、前記複数の発光層の上に第2電極を形成することを含んでなる製造方法により達成される。
【選択図】 なし
Description
基板上に発光層用塗工液を塗布し(図1(a))、その上にフォトレジスト層を積層する(図1(b))。次に、第1発光層を形成する部分のみをフォトマスクでマスキングし、これら以外の部分を紫外線で露光する(図1(c))。これを、フォトレジスト現像液によって現像し、洗浄することにより、露光部のフォトレジスト層が除去される(図1(d))。さらにフォトレジスト層が積層されていない塗工層をエッチング等により除去し、フォトレジスト層が積層した発光層が得られる(図1(e))。以上の工程をさらに2回繰り返すことにより(図1(f)〜(m))、3種類の発光層(RGB混色発光層)のパターニングを行うことができる。最後に、フォトレジスト剥離液によって各フォトレジスト層を剥離処理し、3種類の発光層が形成される(図1(n))。
図1において、工程(f)と工程(j)とは発光層用塗工液の塗布とその上にフォトレジスト層を形成することを示すものである。また、工程(g)〜(i)と工程(k)〜(m)は、それぞれ第2発光層、第3発光層をパターニングする工程であり、これらは工程(c)〜(e)と同様である。
本発明はかかる知見によるものである。従って、本発明は、複数の発光層を形成する際に、第1発光層と第2発光層との混色と発光層自体の溶損とを有効に抑制した発光素子およびその製造方法を提供することをその目的とするものである。
本発明の第1の態様
従って、本発明の第1の態様によれば、フォトリソグラフィー法を用いて複数の発光層を形成してなる発光素子の製造方法が提案することができ、その製造方法は、
基材の表面に第1電極を形成し、
前記第1電極の上に第1発光層を形成し、
前記第1発光層の露出部分を第2発光層を形成する発光層用塗工液に対して不溶化する処理をし、
前記第1電極の上に前記第2発光層を形成し、
これらを複数回繰り返すことにより前記第1電極の上に複数の発光層を形成し、
前記複数の発光層の上に第2電極を形成することを含んでなるものである。
本発明の第2の態様
本発明の第2の態様によれば、フォトリソグラフィー法を用いて複数の発光層を形成してなる発光素子の製造方法を提供することができ、その製造方法は、
基材の表面に第1電極を形成し、
前記第1電極の上に第1発光層用塗工液を塗布して塗布層を形成し、
前記塗布層の上にフォトレジスト塗工液を塗布してフォトレジスト層を形成し、
前記フォトレジスト層をパターン露光し現像することにより、第1発光層が形成される部分に前記フォトレジスト層が残存するようにパターニングし、
前記塗布層の上に前記フォトレジスト層が残存した部分以外の前記塗布層部分を除去し、前記フォトレジスト層が残存した第1発光層を形成し、
前記第1発光層の露出部分を第2発光層を形成する発光層用塗工液に対して不溶化する処理をし、
前記第1電極の上に前記第2発光層を前記第1発光層と同様にして形成し、
これらを複数回繰り返すことにより前記第1電極の上に複数の発光層を形成し、
各発光層の上に残存した各フォトレジスト層を除去し、
前記複数の発光層の表面に第2電極を形成することを含んでなるものである。
本発明の第3の態様
本発明の第3の態様によれば、フォトリソグラフィー法を用いて複数の発光層を形成してなる発光素子の製造方法を提供することができ、その製造方法は、
基材の表面に第1電極を形成し、
前記第1電極の上に第1発光層用塗工液を塗布して塗布層を形成し、
前記塗布層の上にフォトレジスト塗工液を塗布してフォトレジスト層を形成し、
前記フォトレジスト層をパターン露光し現像することにより、第1発光層が形成される部分に前記フォトレジスト層が残存するようにパターニングし、
前記塗布層の上に前記フォトレジスト層が残存した部分以外の前記塗布層部分を除去し、前記フォトレジスト層が残存した第1発光層を形成し、
前記残存したフォトレジスト層を除去して前記第1発光層を形成し、
前記第1発光層の露出部分を第2発光層を形成する発光層用塗工液に対して不溶化する処理をし、
前記第1電極の上に前記第2発光層を前記第1発光層と同様にして形成し、
これらを複数回繰り返すことにより前記第1電極の上に複数の発光層を形成し、
前記複数の発光層の表面に第2電極を形成することを含んでなるものである。
本発明の第1の態様によれば、フォトリソグラフィー法を用いて複数の発光層を形成する際に、第1電極の上に第1発光層を形成し、前記第1発光層の露出部分を第2発光層を形成する発光層用塗工液に対して不溶化する処理をし、第1電極の上に前記第2発光層を形成し、これらを複数繰り返すことにより前記第1電極の上に複数の発光層を形成し、前記複数の発光層の上に第2電極を形成することを含んでなるものである。
本発明にあって、各発光層の露出部分を不溶化する処理は、第1発光層が第2発光層用塗工液に不溶化できるものであればいずれの方法を採用することができ、好ましくはプラズマ処理により行うことが好ましい。このプラズマ処理はフッ化物を含むガスを用いて行うものが好ましい。フッ素化ガスの具体例としては、フルオロカーボン(好ましくは四フッ化メタン)、六フッ化硫黄等が挙げられる。
プラズマ処理を行う際は、反応ガス(例えば、四フッ化メタン)の種類と流量、真空チャンバー内の圧力、処理時間を最適化して実施する。例えば、真空チャンバー内にサンプルを設置した後、チャンバー内圧を50ミリトール、フルオロカーボンガス(例えば、四フッ化メタン)の流量を100sccmとして安定させる。その後、500Wのパワーにて、10分間処理を行い、不溶化処理は完了する。この際、真空チャンバーを必要としない大気圧プラズマ装置を用いることが好ましい。大気圧プラズマを用いることで、真空装置を必要とすることなく、大気圧下で処理することができ、処理時間の短縮、およびコストの低減が可能となる。
本発明にあっては、各発光層または各バッファー層の不要な塗工層を除去する。この除去方法の一例としては、いわゆるエッチングと呼ばれるものが挙げられる。エッチングの具体例としては、溶剤などを用いる湿式法とそれを用いない乾式法(ドライエッチング法)とが挙げられ、好ましくは異方性を特徴とするドライエッチング法が好ましい。ドライエッチング法の中でも反応性イオンエッチング法が好ましくは挙げられる。
本発明による製造方法によれば、下記の構成からなる発光素子が製造される。
1.基材
基材は、第一電極の下面として使用されるものである。基材はそれ自体が透明性を有するものが好ましい。基材の具体例としては、石英、ガラス、シリコンウェハ、TFT(薄膜トランジスタ)が形成されたガラス、またはポリカーボネート(PC)、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリブチレンテレフタレート(PBT)、ポリフェニレンスルフィド(PPS)、ポリイミド(PI)、ポリアミドイミド(PAI)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエーテルイミド(PEI)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)等の高分子基材が挙げられる。特に、石英、ガラス、シリコンウェハ、またはポリイミド(PI)、ポリアミドイミド(PAI)、ポリエーテルスルホン(PES)、ポリエーテルイミド(PEI)、ポリエーテルエーテルケトン(PEEK)等の高分子基材が好ましくは挙げられる。基材の厚みは約0.1〜2.0mm程度である。
第一電極の材料は、金属材料、有機材料、無機材料またはこれらの複合材料であってよいが、好ましくは金属材料である。金属材料の具体例としては、クロム、ニッケル、タングステン、マンガン、インジウム、スズ、亜鉛、アルミニウム、金、銀、タンタル、白金、パラジウム、モリブデン、ニオブ、これらの二種以上の組合せ、これらを主成分とする合金、またはこれらの組合せを挙げることができる。好ましくは、クロム、ニッケル、タングステン、マンガン、インジウム、スズ、および亜鉛から群から選択されるものが好ましい。
基材に第一電極として金属層を成膜する方法としては、スパッタリング法、真空加熱蒸着法、EB蒸着、イオンプレーティング等を挙げることができる。
発光層を形成する発光材料としては、無機発光材料または有機発光材料のいずれであってもよい。本発明にあっては、必要に応じてドーパントを添加することができる。ドーパントは発光層中に発光効率の向上や発光波長を変化させる等の目的で発光層中に添加されるものである。発光層の層厚は2〜200nmであってよい。
色素系材料の具体例としては、硫化亜鉛系蛍光体(例えば、ZnS:Mn、ZnS:Tb、Zn−Mg−S:Mnが挙げられる)、硫化ストロンチウム系(例えば、SrS:Ceが挙げられる)、硫化カルシウム系(例えば、CaS:Euが挙げられる)、硫化バリウム系(例えば、Ba−Al−S:Euが挙げられる。なお、例示した無機発光材料の「:(コロン」)の後に表示された金属はドーパントを意味する。
有機発光材料しては、蛍光またはリン光を発光する有機化合物(低分子化合物または高分子化合物)が挙げられ、具体的には下記の材料が挙げられる。
1)色素系材料
色素系材料の具体例としては、シクロペンダミン誘導体、テトラフェニルブタジエン誘導体化合物、トリフェニルアミン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ピラゾロキノリン誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ジスチリルアリーレン誘導体、ピロール誘導体、チオフェン環化合物、ピリジン環化合物、ペリノン誘導体、ペリレン誘導体、オリゴチオフェン誘導体、トリフマニルアミン誘導体、オキサジアゾールダイマー、ピラゾリンダイマーなどが挙げられる。
金属錯体系材料の具体例としては、アルミキノリノール錯体、ベンゾキノリノールベリリウム錯体、ベンゾオキサゾリル亜鉛錯体、ベンゾチアゾール亜鉛錯体、アゾメチル亜鉛錯体、ポルフィリン亜鉛錯体、ユーロピウム錯体など、中心金属に、Al、Zn、BeなどまたはTb、Eu、Dyなどの希土類金属を有し、配位子にオキサジアゾール、チアジアゾール、フェニルピリジン、フェニルベンゾイミダゾール、キノリン構造などを有する金属錯体などを挙げることができる。
高分子系材料の具体例としては、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリシラン誘導体、ポリアセチレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリビニルカルバゾール誘導体、上記した色素系材料または金属錯体系材料を高分子化したものなどが挙げられる。
本発明にあっては、上記した発光材料のうち、青色に発光する材料の具体例としては、ジスチリルアリーレン誘導体、オキサジアゾール誘導体、およびそれらの重合体、ポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などが挙げられ、好ましくはポリビニルカルバゾール誘導体、ポリパラフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体が挙げられる。緑色に発光する材料の具体例としては、キナクリドン誘導体、クマリン誘導体、およびそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体などが挙げられ、好ましくはポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体が挙げられる。赤色に発光する材料の具体例としては、クマリン誘導体、チオフェン環化合物、およびそれらの重合体、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体などが挙げられ、好ましくはポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリフルオレン誘導体、が挙げられる。
発光層中に発光効率の向上や発光波長を変化させるなどの目的で、ドーパントを添加することができる。このようなドーパントとしては、無機発光材料では上記したのと同様であってよい。また、有機系発光材料では、例えば、ペリレン誘導体、クマリン誘導体、ルブレン誘導体、キナクリドン誘導体、スクアリウム誘導体、ポルフィリン誘導体、スチリル系色素、テトラセン誘導体、ピラゾロン誘導体、デカシクレン、フェノキサゾンなどを挙げることができる。
第二電極は第一電極層で記載したのと同様であってよい。第一電極と第二電極とはいずれかを正極とした場合、他方が負極として構成されるものである。
本発明による発光素子は、基材、第一電極、発光層、および第二電極により基本的には形成されてなるが、下記する任意の層をさらに形成したものであってよい。
本発明による発光素子は、バッファー層が形成されていても良く、好ましくは、第1電極と各発光層との間または各発光層と第2電極との間に形成されることが好ましい。本発明において、バッファー層とは、発光層に電荷の注入が容易に行われるように形成される層をいい、有機物、特に有機導電体などを含む層である。例えば、発光層への正孔注入効率を高めて、電極等の表面の凹凸を平坦化する機能を有する導電性高分子によりバッファー層を形成することができる。
本発明による発光素子は、絶縁層が形成されていても良く、好ましくは、基材上にパターニングされた第一電極のエッジ部分および発光素子の非発光部分に形成されてよい。絶縁層の形成の際には、発光部分が開口となるように予め設けておいてもよい。絶縁層を形成することにより、発光素子の短絡等による欠陥を抑制し、長寿命で安定に発光する発光素子を得ることが可能となる。
本発明による発光素子の製造方法を図1および2を用いて説明する。図2は本発明の第2の態様による製造方法の一工程を示す図である。
本発明による製造方法は、図1の工程図に存在しない工程(A)と工程(B)とが含まれるものである(図2)。即ち、本発明による製造方法は、図2の工程図に示される通り、図2(a)〜(d)までの処理がされ、次に、塗布層の上にフォトレジスト層が残存した部分以外の塗布層部分を除去し、フォトレジスト層が残存した第1発光層を形成した後に(図2(e))、第1発光層(必要に応じてフォトレジスト層)の露出部分を第2発光層を形成する発光層用塗工液に対して不溶化する処理(図2(A))をすることである。また、第3発光層を形成する際に、フォトレジスト層が残存した第2発光層を形成した後に(図2(i))、第2発光層(必要に応じてフォトレジスト層)の露出部分を第3発光層を形成する発光層用塗工液に対して不溶化する処理(図2(B))をすることである。本発明の好ましい態様によれば、図2(B)の工程において、フォトレジスト層が残存した第1発光層(必要に応じてフォトレジスト層)の露出部分をさらに第3発光層を形成する発光層用塗工液に対して不溶化する処理(図2(B))を行うことが好ましい。なお、図2(a)〜(n)の工程は図1で示すものと同様であってよい。
上記構成以外は、本発明の第1の態様で説明したのと同様であってよい。
本発明による発光素子の製造方法を図1および3を用いて説明する。図3は本発明の第3の態様による製造方法の一工程を示す図である。
本発明による製造方法は、図1の工程図に存在しない工程(X)および工程(A)と、工程(Y)および工程(B)とが含まれるものである(図3)。即ち、本発明の別の態様による製造方法は、図3の工程図に示される通り、図3(a)〜(d)までの処理がされ、次に、塗布層の上にフォトレジスト層が残存した部分以外の塗布層部分を除去し、フォトレジスト層が残存した第1発光層を形成し(図3(e))、残存したフォトレジスト層を除去して第1発光層を形成した後に(図3(X))、第1発光層の露出部分を第2発光層を形成する発光層用塗工液に対して不溶化する処理(図3(A))をすることである。また、第3の発光層を形成する際に、フォトレジスト層が残存した第2発光層を形成し(図3(i))、残存したフォトレジスト層を除去して第2発光層を形成した後に(図3(Y))、第2発光層の露出部分を第3発光層を形成する発光層用塗工液に対して不溶化する処理(図3(B))をすることである。本発明の好ましい態様によれば、図3(B)の工程において、第1発光層の露出部分をさらに第3発光層を形成する発光層用塗工液に対して不溶化する処理(図3(B))を行うことが好ましい。なお、図3(a)〜(n)の工程は図1で示すものと同様であってよい。
上記構成以外は、本発明の第1の態様で説明したのと同様であってよい。
本発明の別の態様によれば発光素子を提供することができ、その発光素子は、
基材と、
前記基材の上に、第1電極と、複数の発光層と、第2電極とをこれらの順で備えてなる発光素子であって、
前記複数の発光層において、第1発光層が第2発光層を形成する発光層用塗工液に対して不溶化されたものである。
本発明による発光素子は、本発明による製造方法により好ましくは製造されてよい。また、本発明によれば、発光素子はエレクトロルミネッセント素子であってよい。
発光素子を形成する部材は本発明の第1の態様で説明したのと同様であってよい。
例1
EL素子の製造
第1発光層の形成
第1バッファー層の成膜
基材および第1電極層として用意した6インチ□、板厚1.1mmのパターニングされたITO基板を洗浄した。バッファー層塗布液(バイエル;BaytronP)を0.5mlとり、基板の中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。2500rpmで20秒間保持して層形成した。この結果、膜厚は80nmであった。
第1発光層をバッファー層上に形成するために、赤色発光有機材料である塗工液(ポリビニルカルバゾール70重量部、オキサジアゾール30重量部、ジシアノメチレンピラン誘導体1重量部、モノクロロベンゼン4900重量部)を1mlとり、基板の中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。2000rpmで10秒間保持して層形成を行った。この結果、膜厚は80nmであった。
ポジ型フォトレジスト液(東京応化社製;OFPR−800)を2mlとり、基板の中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。500rpmで10秒間保持し、その後、2000rpmで20秒間保持して層形成した。この結果、膜厚は約1μmとなった。80℃で30分間プリベークを行った。その後、アライメント露光機に露光マスクと共にセットし、第1発光層以外の発光層を除去したい部分に紫外線露光した。レジスト現像液(東京応化社製;NMD−3)で20秒間現像後、水洗し、露光部のフォトレジスト層を除去した。120℃で30分間ポストベークした後、酸素プラズマを用いた反応性イオンエッチングにより、フォトレジスト層が除去された部分のバッファー層および発光層を除去した。
得られた基板に、四フッ化メタンを用いて、パワーを500W、ガス流量を100sccm、チャンバー内圧を50ミリトールとしてプラズマ処理を施し、有機層上をフッ素化させて、今後用いられる溶液に対して不溶化した。
第2バッファー層の成膜
得られた基板に、バッファー層塗工液(バイエル;BaytronP)を0.5mlとり、基板の中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。2500rpmで20秒間保持して層形成した。この結果、膜厚は80nmであった。
バッファー層の上に第2発光層を形成するために、緑色発光有機材料である塗布液(ポリビニルカルバゾール70重量部、オキサジアゾール30重量部、クマリン6を1重量部、モノクロロベンゼン4900重量部)を1mlとり、基板の中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。2000rpmで10秒間保持して層形成を行った。この結果、膜厚は80nmであった。
ポジ型フォトレジスト液(東京応化社製;OFPR−800)を2mlとり、基板の中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。500rpmで10秒間保持し、その後、2000rpmで20秒間保持して層形成した。この結果、膜厚は約1μmとなった。80℃で30分間プリベークを行った。その後、アライメント露光機に露光マスクと共にセットし、第1発光層と第2発光層以外の発光層を除去したい部分に紫外線露光した。レジスト現像液(東京応化社製;NMD−3)で20秒間現像後、水洗し、露光部のフォトレジストを除去した。120℃で30分間ポストベークした後、酸素プラズマを用いた反応性イオンエッチングにより、フォトレジスト層が除去された部分のバッファー層および発光層を除去した。
得られた基板に、四フッ化メタンを用いて、パワーを500W、ガス流量を100sccm、チャンバー内圧を50ミリトールとしてプラズマ処理を施し、有機層上をフッ素化させて、今後用いられる溶液に対して不溶化した。
第3バッファー層の成膜
得られた基板に、バッファー層塗工液(バイエル;BaytronP)を0.5mlとり、基板の中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。2500rpmで20秒間保持して層形成した。この結果、膜厚は800オングストロームとなった。
バッファー層の上に第3発光層を形成するために、青色発光有機材料である塗工液(ポリビニルカルバゾール70重量部、オキサジアゾール30重量部、ペリレン1重量部、モノクロロベンゼン4900重量部)を1mlとり、基板の中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。2000rpmで10秒間保持して層形成を行った。この結果、膜厚は80nmであった。
ポジ型フォトレジスト液(東京応化社製;OFPR−800)を2mlとり、基体の中心部に滴下して、スピンコーティングを行った。500rpmで10秒間保持し、その後、2000rpmで20秒間保持して層形成した。この結果、膜厚は約1μmとなった。80℃で30分間プリベークを行った。その後、アライメント露光機に露光マスクと共にセットし、第1発光層、第2発光層、および第3発光層以外の発光層を除去したい部分に紫外線露光した。レジスト現像液(東京応化社製;NMD−3)で20秒間現像後、水洗し、露光部のフォトレジストを除去した。120℃で30分間ポストベークした後、酸素プラズマを用いた反応性イオンエッチングにより、フォトレジスト層が除去された部分のバッファー層および発光層を除去し、第1発光層、第2発光層、および第3発光層がフォトレジストで保護された基体を得た。その後、アセトンでフォトレジストをすべて除去し、パターニングされた発光層を露出させた。
100℃で1時間乾燥した後、次いで、得られた基体上に、第二電極層としてCaを50nmの厚みで蒸着し、さらに保護層としてAgを250nmの厚みで蒸着し、EL発光素子を製造した。
四フッ化メタンを用いてプラズマ処理を施さなかった以外は実施例1と同様にしてERL発光素子を製造した。
実施例1と比較例1のEL発光素子について下記の評価を行い、その結果を表1に記載した。
評価1:各層溶出/混色評価試験
実施例1と比較例1のEL発光素子の製造工程に於いて、バッファー層材料および発光材料を塗布した際に、材料の溶出および混色の有無について下記の評価基準で判断した。
評価基準
評価○:材料の溶出および混色は確認されなかった。
評価△:材料の溶出および混色は若干確認されたが、製品としては問題なかった。
評価×:材料の溶出および混色は多数確認された。
実施例1と比較例1とのEL発光素子を、ITO電極側を正極、Ag電極側を負極に接続し、ソースメーターにより、直流電流を印加した。10V印加時に第1発光層、第2発光層、第3発光層のそれぞれより発光を目視で判断した。その発光特性を下記の評価基準で判断した。
評価基準
評価○:全ての発光層において十分な発光特性が得られた。
評価△:一部の発光層において不十分な発光であったが、製品としては問題なかった。
評価×:全ての発光層において十分な発光特性が得られなかった。
実施例1と比較例1の評価を行うべく、基材に発光層用塗工液を塗布してパターニングしたものを二つ用意し、一方は四フッ化メタンを用いてプラズマ処理を施して実施例1のものとし、他方は何等処理を施さなかったものを比較例1とした。プラズマ処理の条件は、500W、流量100sccm、チャンバー内圧50mトールとした。得られた試料体について下記の条件によりXPSにより分析を行い、その結果を下記の表1に記載した。
XPS条件
使用装置:ESCALAB 220i−XL(Thermo VG社製)
X線源:Monochromated Al Kα(単色化X線)
X線出力:10kV・18mA(180W)
使用レンズ:Large Area XL
光電子脱出角度:90度
例/ 評価1 評価2 評価3
炭素原子 窒素原子 酸素原子 フッ素原子
実施例1 ○ ○ 62.0 0.9 2.7 34.4
比較例1 × × 72.7 1.1 13.8 0.0
Claims (21)
- フォトリソグラフィー法を用いて複数の発光層を形成してなる発光素子の製造方法であって、
基材の表面に第1電極を形成し、
前記第1電極の上に第1発光層を形成し、
前記第1発光層の露出部分を第2発光層を形成する発光層用塗工液に対して不溶化する処理をし、
前記第1電極の上に前記第2発光層を形成し、
これらを複数回繰り返すことにより前記第1電極の上に複数の発光層を形成し、
前記複数の発光層の上に第2電極を形成することを含んでなる、製造方法。 - フォトリソグラフィー法を用いて複数の発光層を形成してなる発光素子の製造方法であって、
基材の表面に第1電極を形成し、
前記第1電極の上に第1発光層用塗工液を塗布して塗布層を形成し、
前記塗布層の上にフォトレジスト塗工液を塗布してフォトレジスト層を形成し、
前記フォトレジスト層をパターン露光し現像することにより、第1発光層が形成される部分に前記フォトレジスト層が残存するようにパターニングし、
前記塗布層の上に前記フォトレジスト層が残存した部分以外の前記塗布層部分を除去し、前記フォトレジスト層が残存した第1発光層を形成し、
前記第1発光層の露出部分を第2発光層を形成する発光層用塗工液に対して不溶化する処理をし、
前記第1電極の上に前記第2発光層を前記第1発光層と同様にして形成し、
これらを複数回繰り返すことにより前記第1電極の上に複数の発光層を形成し、
各発光層の上に残存した各フォトレジスト層を除去し、
前記複数の発光層の表面に第2電極を形成することを含んでなる、製造方法。 - フォトリソグラフィー法を用いて複数の発光層を形成してなる発光素子の製造方法であって、
基材の表面に第1電極を形成し、
前記第1電極の上に第1発光層用塗工液を塗布して塗布層を形成し、
前記塗布層の上にフォトレジスト塗工液を塗布してフォトレジスト層を形成し、
前記フォトレジスト層をパターン露光し現像することにより、第1発光層が形成される部分に前記フォトレジスト層が残存するようにパターニングし、
前記塗布層の上に前記フォトレジスト層が残存した部分以外の前記塗布層部分を除去し、前記フォトレジスト層が残存した第1発光層を形成し、
前記残存したフォトレジスト層を除去して前記第1発光層を形成し、
前記第1発光層の露出部分を第2発光層を形成する発光層用塗工液に対して不溶化する処理をし、
前記第1電極の上に前記第2発光層を前記第1発光層と同様にして形成し、
これらを複数回繰り返すことにより前記第1電極の上に複数の発光層を形成し、
前記複数の発光層の表面に第2電極を形成することを含んでなる、製造方法。 - 前記第1発光層の露出部分と第2発光層の露出部分とを第3発光層を形成する発光層用塗工液に対して不溶化する処理を行うことにより前記複数の発光層を形成してなる、請求項1〜3のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記各発光層の露出部分を不溶化する処理が、プラズマ処理により行われるものである、請求項1〜4のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記プラズマ処理が、フッ化物を含む気体を用いて行われるものである、請求項5に記載の製造方法。
- 前記フッ化物を用いたプラズマ処理により、各発光層の表面がCF基、CF2基、CF3基、CHF基、CHF2基、CH2F基、およびCC結合基からなる群から選択される一又は二以上の基が導入されてなる、請求項1〜6のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記各フォトレジスト層が、前記各発光層用塗工液に不溶なものとして形成されるものである、請求項1〜7のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記各発光層が、フォトレジスト溶媒、フォトレジスト現像液、およびフォトレジスト除去液に不溶なものである、請求項1〜8のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記第1電極と各発光層との間または各発光層と前記第2電極との間に、バッファー層を形成してなることを含んでなる、請求項1〜9のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記各発光層または前記各バッファー層の上に残存した前記各フォトレジスト層を除去する手段が、ドライエッチング処理により行われるものである、請求項1〜10のいずれか一項に記載の製造方法。
- 前記ドライエッチングが、反応性イオンエッチングである、請求項11に記載の製造方法。
- 前記ドライエッチング処理が、酸素気体、酸素原子を含む気体を用いて行われるものである、請求項12に記載の製造方法。
- 前記ドライエッチング処理が、大気圧プラズマを用いて行われるものである、請求項12に記載の製造方法。
- 前記発光素子が、エレクトロルミネッセント素子である、請求項1〜14のいずれか一項に記載の製造方法。
- 請求項1〜14のいずれか一項に記載の製造方法により製造された、発光素子。
- 基材と、
前記基材の上に、第1電極と、複数の発光層と、第2電極とをこれらの順で備えてなる発光素子であって、
前記複数の発光層において、第1発光層が第2発光層を形成する発光層用塗工液に対して不溶化されたものである、発光素子。 - 前記第1発光層と前記第2発光層とが、第3発光層を形成する発光層用塗工液に対して不溶化されたものである、発光素子。
- 前記不溶化が、各発光層をプラズマ処理することにより行われるものである、請求項16または17に記載の発光素子。
- 前記プラズマ処理が、フッ化物を含む気体を用いるものである、請求項19に記載の発光素子。
- 前記発光素子が、エレクトロルミネッセント素子である、請求項17〜20のいずれか一項に記載の発光素子。
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