JP2005294306A5 - - Google Patents
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- n型窒化物半導体層とp型窒化物半導体層との間に、活性層を含むコア領域を有する窒化物半導体素子であって、
前記n型及びp型窒化物半導体層の内の少なくとも一方に、前記コア領域の最外層から順に第1の窒化物半導体層と第2の窒化物半導体層とを有しており、
前記コア領域の最外層と前記第1の窒化物半導体層との間及び前記第1の窒化物半導体層と前記第2の窒化物半導体層との間に屈折率差を有することを特徴とする窒化物半導体素子。 - 第1の窒化物半導体層は前記コア領域の最外層よりも屈折率が低い請求項1に記載の窒化物半導体素子。
- 第2の窒化物半導体層は第1の窒化物半導体層よりも屈折率が低い請求項1又は2に記載の窒化物半導体素子。
- コア領域の最外層と第1の窒化物半導体層との屈折率差(Δn1)は、0.004〜0.03である請求項1〜3のいずれか1つに記載の窒化物半導体素子。
- 第1の窒化物半導体層と第2の窒化物半導体層との屈折率差(Δn2)は、0.004〜0.03である請求項1〜4のいずれか1つに記載の窒化物半導体素子。
- 第m(m≧2)のn型窒化物半導体層と第1のp型窒化物半導体層との屈折率差(Δn)は、0.004〜0.03である請求項6に記載の窒化物半導体素子。
- 第m(m≧2)のn型窒化物半導体層と前記コア領域の最外層との屈折率差(Δnm)は、0.007〜0.05である請求項6又は7に記載の窒化物半導体素子。
- n型窒化物半導体層は、コア領域の最外層に接した第1のn型窒化物半導体層から順に第m(m≧2)のn型窒化物半導体層を有しており、
p型窒化物半導体層は、前記コア領域の最外層に接した第1のp型窒化物半導体層を有しており、
第m(m≧2)のn型窒化物半導体層の屈折率は、第1のp型窒化物半導体層の屈折率より高い請求項1〜5のいずれか1つに記載の窒化物半導体素子。 - 第1の窒化物半導体層及び/又は前記第2の窒化物半導体層は、Alを含む窒化物半導体からなる請求項1〜8のいずれか1つに記載の窒化物半導体素子。
- 第1の窒化物半導体層及び/又は第2の窒化物半導体層は、少なくとも1000Åの膜厚を有する請求項1〜9のいずれか1つに記載の窒化物半導体素子。
- 第1の窒化物半導体層及び/又は前記第2の窒化物半導体層は、Alを含む窒化物半導体層と、該Alを含む窒化物半導体層とは組成の異なる窒化物半導体層との超格子構造からなる請求項1〜10のいずれか1つに記載の窒化物半導体素子。
- 第1の窒化物半導体層は、コア領域の最外層から500〜5000Å程度の位置にある請求項1〜11のいずれか1つに記載の窒化物半導体素子。
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