JP2005286345A - 複数の接地面を備えた半導体素子 - Google Patents
複数の接地面を備えた半導体素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005286345A JP2005286345A JP2005125649A JP2005125649A JP2005286345A JP 2005286345 A JP2005286345 A JP 2005286345A JP 2005125649 A JP2005125649 A JP 2005125649A JP 2005125649 A JP2005125649 A JP 2005125649A JP 2005286345 A JP2005286345 A JP 2005286345A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chip
- mcm
- chips
- ground plane
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- E—FIXED CONSTRUCTIONS
- E02—HYDRAULIC ENGINEERING; FOUNDATIONS; SOIL SHIFTING
- E02F—DREDGING; SOIL-SHIFTING
- E02F3/00—Dredgers; Soil-shifting machines
- E02F3/04—Dredgers; Soil-shifting machines mechanically-driven
- E02F3/96—Dredgers; Soil-shifting machines mechanically-driven with arrangements for alternate or simultaneous use of different digging elements
- E02F3/963—Arrangements on backhoes for alternate use of different tools
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/316—Testing of analog circuits
- G01R31/3161—Marginal testing
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/317—Testing of digital circuits
- G01R31/31712—Input or output aspects
- G01R31/31715—Testing of input or output circuits; test of circuitry between the I/C pins and the functional core, e.g. testing of input or output driver, receiver, buffer
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/317—Testing of digital circuits
- G01R31/3181—Functional testing
- G01R31/3185—Reconfiguring for testing, e.g. LSSD, partitioning
- G01R31/318505—Test of Modular systems, e.g. Wafers, MCM's
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
- G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
- G11C29/1201—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details comprising I/O circuitry
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
- G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
- G11C29/18—Address generation devices; Devices for accessing memories, e.g. details of addressing circuits
- G11C29/26—Accessing multiple arrays
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
- G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
- G11C29/48—Arrangements in static stores specially adapted for testing by means external to the store, e.g. using direct memory access [DMA] or using auxiliary access paths
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/50—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0655—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next to each other
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mining & Mineral Resources (AREA)
- Civil Engineering (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
【解決手段】 MAMの各集積回路(IC)チップは、MCMの基板上にそれぞれ専用の接地面を有している。このMCM構造は、他のチップに影響を及ぼすこと無く、且つ他のチップによる影響を受けること無く、各ICの個別テストを円滑に行えるようにする。このMCM構造は、更に、2つ又はそれ以上のチップの間の相互接続部/接続部のテストも実施し易くする。
【選択図】 図1
Description
101A−N、118A−C ボンディングパッド又は端子
102A−N I/Oコネクタ
103A−N リード線
104,412 基板
106A−C、114A−C、202、204、206、301、302、304A−B、306A−B、402A−B、404、406A−B 導電面、接地面又はパワー面
108A−C、208、308、401A−B 集積回路(IC)チップ
110A−C、112A−C、410A−B コネクタ/トレース/リード線
120A−120C ボンディングワイヤ
310 相互接続部
Claims (31)
- マルチチップ・モジュール(MCM)において、
基板上の第1集積回路(IC)と、
前記第1ICチップに連結された第1接地面と、
前記基板上の第2ICチップと、
前記第2ICチップに連結された第2接地面と、を備えていることを特徴とするMCM。 - 前記第1及び第2接地面は、それぞれ前記MCMの少なくとも1つの外部リード線に連結されていることを特徴とする請求項1に記載のMCM。
- 前記第1及び第2接地面は、それぞれ前記基板上のそれぞれのトレースとして形成されていることを特徴とする請求項1に記載のMCM。
- 前記第1及び第2接地面は、それぞれ実質的に剛体であることを特徴とする請求項1に記載のMCM。
- 前記第1及び第2接地面は、それぞれ実質的に可撓性を有していることを特徴とする請求項1に記載のMCM。
- 前記第1及び第2接地面は、それぞれ導電材料のストリップを備えていることを特徴とする請求項1に記載のMCM。
- 前記第1及び第2接地面は、それぞれ導電材料の層を備えていることを特徴とする請求項1に記載のMCM。
- 前記第1及び第2接地面は、それぞれ導電材料の実質的に固体の層を備えていることを特徴とする請求項1に記載のMCM。
- 前記第1及び第2接地面は、それぞれ導電材料のグリッドを備えていることを特徴とする請求項1に記載のMCM。
- 前記第1チップは、前記第1接地面にボンディングされ、前記第2チップは、前記第2接地面にボンディングされていることを特徴とする請求項1に記載のMCM。
- 前記第1チップは、前記第1接地面に取り付けられ、前記第2チップは、前記第2接地面に取り付けられていることを特徴とする請求項1に記載のMCM。
- 前記第1及び第2チップの少なくとも一方は、ダイナミックランダムアクセスメモリ(DRAM)チップを備えていることを特徴とする請求項1に記載のMCM。
- 前記第1及び第2チップは、フリップチップ技法により、前記第1及び第2接地面に取り付けられていることを特徴とする請求項12に記載のMCM。
- 前記第1及び第2チップの少なくとも一方は、メモリチップを備えていることを特徴とする請求項1に記載のMCM。
- 前記第1及び第2チップの少なくとも一方は、用途特定集積回路(ASIC)を備えていることを特徴とする請求項1に記載のMCM。
- 前記第1及び第2チップの一方は、前記MCMの複数の入力/出力コネクタに連結され、前記第1及び第2チップの他方は、前記MCMの何れの入力/出力コネクタにも連結されていないことを特徴とする請求項1に記載のMCM。
- 前記第1チップは、少なくとも1つのトレースを介して前記第2チップに連結されていることを特徴とする請求項1に記載のMCM。
- 前記第1及び第2チップの少なくとも一方は、前記MCM内の前記第1及び第2チップの他方の動作に影響を及ぼすこと無くテストできることを特徴とする請求項1に記載のMCM。
- 前記第1及び第2チップの少なくとも一方は、前記MCM内の1つ又はそれ以上の他のチップの動作による影響を受けること無くテストできることを特徴とする請求項1に記載のMCM。
- 前記第1ICチップに連結された第1パワー面と、
前記第2ICチップに連結された第2パワー面と、を更に備えていることを特徴とする請求項1に記載のMCM。 - マルチチップ・モジュールの基板上の、第1接地面を備えた第1集積回路(IC)チップと第2接地面を備えた第2集積回路(IC)チップをテストする方法において、
前記第2ICチップの動作に影響を及ぼすこと無く前記第1ICチップをテストする段階と、
前記第1ICチップの動作に影響を及ぼすこと無く前記第2ICチップをテストする段階と、から成ることを特徴とする方法。 - マルチチップ・モジュールの基板上の、第1接地面を備えた第1集積回路(IC)チップと第2接地面を備えた第2集積回路(IC)チップをテストする方法において、
前記第2ICチップの動作による影響を受けること無く前記第1ICチップをテストする段階と、
前記第1ICチップの動作による影響を受けること無く前記第2ICチップをテストする段階と、から成ることを特徴とする方法。 - マルチチップ・モジュールの基板上の、第1接地面を備えた第1集積回路(IC)チップと第2接地面を備えた第2集積回路(IC)チップの2つの集積回路(IC)チップの間の少なくとも1つの相互接続部をテストする方法において、
前記第1ICチップに信号を送る段階と、
前記第1ICチップに送られた信号に応じて、前記相互接続部の電流の変化を判定する段階と、から成ることを特徴とする方法。 - マルチチップ・モジュール(MCM)を製作する方法において、
基板を設ける段階と、
前記基板上に第1接地面と第2接地面を設ける段階と、
前記第1接地面に対して第1集積回路(IC)チップを、前記第2接地面に対して第2ICチップを設ける段階と、から成ることを特徴とする方法。 - 前記第1チップに対して第1パワー面を、前記第2チップに対して第2パワー面を設ける段階を含んでいることを特徴とする請求項24に記載の方法。
- 前記第1及び第2接地面を前記基板に取り付ける段階を含んでいることを特徴とする請求項24に記載の方法。
- 前記第1ICチップをテストする段階は、前記第2ICチップにパワーを供給すること無く、前記第1ICチップにパワーを供給する段階を含んでいることを特徴とする請求項26に記載の方法。
- 前記第1及び第2チップを前記基板に取り付ける段階を含んでいることを特徴とする請求項26に記載の方法。
- 前記第1ICチップをテストする段階は、前記第2ICチップにパワーを供給すること無く、前記第1ICチップにパワーを供給する段階を含んでいることを特徴とする請求項24に記載の方法。
- 前記第1パワー面は第1電圧レベルを支持し、前記第2パワー面は第2パワーレベルを支持することを特徴とする請求項29に記載のMCM。
- 前記第1及び第2ICチップの両方に連結された第3パワー面を更に備えていることを特徴とする請求項29に記載のMCM。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/810,510 US20050224942A1 (en) | 2004-03-26 | 2004-03-26 | Semiconductor device with a plurality of ground planes |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012027997A Division JP2012094919A (ja) | 2004-03-26 | 2012-02-13 | 複数の接地面を備えた半導体素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005286345A true JP2005286345A (ja) | 2005-10-13 |
Family
ID=34862111
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005125649A Pending JP2005286345A (ja) | 2004-03-26 | 2005-03-28 | 複数の接地面を備えた半導体素子 |
JP2012027997A Pending JP2012094919A (ja) | 2004-03-26 | 2012-02-13 | 複数の接地面を備えた半導体素子 |
JP2014161289A Pending JP2014207488A (ja) | 2004-03-26 | 2014-08-07 | マルチチップ・モジュール |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012027997A Pending JP2012094919A (ja) | 2004-03-26 | 2012-02-13 | 複数の接地面を備えた半導体素子 |
JP2014161289A Pending JP2014207488A (ja) | 2004-03-26 | 2014-08-07 | マルチチップ・モジュール |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20050224942A1 (ja) |
EP (1) | EP1580810A2 (ja) |
JP (3) | JP2005286345A (ja) |
KR (1) | KR101120211B1 (ja) |
CN (1) | CN1702861A (ja) |
TW (1) | TWI367550B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013535113A (ja) * | 2010-06-28 | 2013-09-09 | ザイリンクス インコーポレイテッド | ダイ間ボンディングをテストするための集積回路および方法 |
Families Citing this family (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7459772B2 (en) * | 2004-09-29 | 2008-12-02 | Actel Corporation | Face-to-face bonded I/O circuit die and functional logic circuit die system |
US7224042B1 (en) | 2005-06-29 | 2007-05-29 | Actel Corporation | Integrated circuit wafer with inter-die metal interconnect lines traversing scribe-line boundaries |
EP1964104A4 (en) * | 2005-12-21 | 2012-01-11 | Cree Inc | SHIELD AND LIGHTING PROCEDURE |
EP2229279B1 (en) | 2007-12-02 | 2012-04-18 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Electrically connecting electrically isolated printhead die ground networks as flexible circuit |
US7958283B2 (en) | 2008-08-13 | 2011-06-07 | Intel Corporation | Observing an internal link via a second link |
US8977788B2 (en) | 2008-08-13 | 2015-03-10 | Intel Corporation | Observing an internal link via an existing port for system on chip devices |
WO2013048628A1 (en) | 2011-09-29 | 2013-04-04 | Rambus Inc. | Structure for delivering power |
CN103413797B (zh) * | 2013-07-29 | 2015-10-14 | 中国科学院电工研究所 | 一种三维结构单元组装的功率半导体模块 |
US9954263B2 (en) | 2015-08-28 | 2018-04-24 | General Electric Company | Radio frequency micro-electromechanical systems having inverted microstrip transmission lines and method of making the same |
US9570783B1 (en) | 2015-08-28 | 2017-02-14 | General Electric Company | Radio frequency micro-electromechanical systems having inverted microstrip transmission lines and method of making the same |
CN105679372B (zh) * | 2015-12-31 | 2017-03-22 | 湖南国科微电子股份有限公司 | 一种***级封装结构及用于该结构的闪存裸片测试方法 |
Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5011655A (ja) * | 1973-06-01 | 1975-02-06 | ||
WO2000021135A1 (fr) * | 1998-10-02 | 2000-04-13 | Hitachi, Ltd. | Dispositif semi-conducteur et son procede de fabrication |
WO2001042893A1 (fr) * | 1999-12-10 | 2001-06-14 | Hitachi, Ltd | Module semi-conducteur |
JP2001244406A (ja) * | 2000-02-04 | 2001-09-07 | Lucent Technol Inc | 高性能マルチチップicパッケージ |
JP2001319987A (ja) * | 2000-05-02 | 2001-11-16 | Fujitsu Ltd | 集積回路パッケージ |
WO2002057921A1 (en) * | 2001-01-19 | 2002-07-25 | Hitachi,Ltd | Electronic circuit device |
JP2002270759A (ja) * | 2001-03-14 | 2002-09-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体チップ及びマルチチップモジュール |
JP2002536819A (ja) * | 1999-01-29 | 2002-10-29 | コネクサント システムズ, インコーポレイテッド | 集積rf性能を備えたマルチチップモジュール |
Family Cites Families (21)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS58142941U (ja) * | 1982-03-18 | 1983-09-27 | 富士通株式会社 | Icパツケ−ジ |
JPS60179667A (ja) * | 1984-02-28 | 1985-09-13 | Toshiba Corp | ハイブリツドicの検査方法 |
US5544017A (en) * | 1992-08-05 | 1996-08-06 | Fujitsu Limited | Multichip module substrate |
US5266912A (en) * | 1992-08-19 | 1993-11-30 | Micron Technology, Inc. | Inherently impedance matched multiple integrated circuit module |
JPH06169056A (ja) * | 1992-12-01 | 1994-06-14 | Fujitsu Ltd | マルチチップモジュール |
US5543657A (en) * | 1994-10-07 | 1996-08-06 | International Business Machines Corporation | Single layer leadframe design with groundplane capability |
US5765279A (en) * | 1995-05-22 | 1998-06-16 | Fujitsu Limited | Methods of manufacturing power supply distribution structures for multichip modules |
US5635767A (en) * | 1995-06-02 | 1997-06-03 | Motorola, Inc. | Semiconductor device having built-in high frequency bypass capacitor |
JPH09283875A (ja) * | 1996-04-19 | 1997-10-31 | Nec Corp | Mcm用印刷配線基板 |
JP2907127B2 (ja) * | 1996-06-25 | 1999-06-21 | 日本電気株式会社 | マルチチップモジュール |
US5982635A (en) * | 1996-10-23 | 1999-11-09 | Concept Manufacturing, Incorporated | Signal adaptor board for a pin grid array |
US6281590B1 (en) * | 1997-04-09 | 2001-08-28 | Agere Systems Guardian Corp. | Circuit and method for providing interconnections among individual integrated circuit chips in a multi-chip module |
JP3512331B2 (ja) * | 1998-04-02 | 2004-03-29 | 富士通株式会社 | 半導体装置のプラスチックパッケージ |
JP3624717B2 (ja) * | 1998-10-01 | 2005-03-02 | 富士ゼロックス株式会社 | マルチチップモジュール及びその試験方法 |
JP3640836B2 (ja) * | 1999-06-28 | 2005-04-20 | シャープ株式会社 | 複合半導体集積回路装置の接続試験方法 |
JP2001156242A (ja) * | 1999-11-25 | 2001-06-08 | Mitsubishi Electric Corp | 多段増幅装置 |
US6465890B1 (en) * | 2000-11-28 | 2002-10-15 | National Semiconductor Corporation | Integrated circuit package having offset segmentation of package power and/or ground planes and methods for reducing delamination in integrated circuit packages |
US6759791B2 (en) * | 2000-12-21 | 2004-07-06 | Ram Hatangadi | Multidimensional array and fabrication thereof |
JP2002334966A (ja) * | 2001-05-10 | 2002-11-22 | Nec Corp | マルチチップモジュールおよびその検査方法 |
US6882046B2 (en) * | 2001-07-09 | 2005-04-19 | Koninklijke Phillips Electronics N.V. | Single package containing multiple integrated circuit devices |
JP2004053276A (ja) * | 2002-07-16 | 2004-02-19 | Fujitsu Ltd | 半導体装置および半導体集積回路 |
-
2004
- 2004-03-26 US US10/810,510 patent/US20050224942A1/en not_active Abandoned
-
2005
- 2005-03-26 KR KR1020050027896A patent/KR101120211B1/ko active IP Right Grant
- 2005-03-28 JP JP2005125649A patent/JP2005286345A/ja active Pending
- 2005-03-28 CN CNA2005100697435A patent/CN1702861A/zh active Pending
- 2005-03-28 TW TW094109618A patent/TWI367550B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-03-29 EP EP05006797A patent/EP1580810A2/en not_active Withdrawn
-
2008
- 2008-12-30 US US12/346,437 patent/US7808092B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2012
- 2012-02-13 JP JP2012027997A patent/JP2012094919A/ja active Pending
-
2014
- 2014-08-07 JP JP2014161289A patent/JP2014207488A/ja active Pending
Patent Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5011655A (ja) * | 1973-06-01 | 1975-02-06 | ||
WO2000021135A1 (fr) * | 1998-10-02 | 2000-04-13 | Hitachi, Ltd. | Dispositif semi-conducteur et son procede de fabrication |
JP2002536819A (ja) * | 1999-01-29 | 2002-10-29 | コネクサント システムズ, インコーポレイテッド | 集積rf性能を備えたマルチチップモジュール |
WO2001042893A1 (fr) * | 1999-12-10 | 2001-06-14 | Hitachi, Ltd | Module semi-conducteur |
JP2001244406A (ja) * | 2000-02-04 | 2001-09-07 | Lucent Technol Inc | 高性能マルチチップicパッケージ |
JP2001319987A (ja) * | 2000-05-02 | 2001-11-16 | Fujitsu Ltd | 集積回路パッケージ |
WO2002057921A1 (en) * | 2001-01-19 | 2002-07-25 | Hitachi,Ltd | Electronic circuit device |
JP2002270759A (ja) * | 2001-03-14 | 2002-09-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体チップ及びマルチチップモジュール |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013535113A (ja) * | 2010-06-28 | 2013-09-09 | ザイリンクス インコーポレイテッド | ダイ間ボンディングをテストするための集積回路および方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20090108393A1 (en) | 2009-04-30 |
TWI367550B (en) | 2012-07-01 |
TW200605296A (en) | 2006-02-01 |
EP1580810A2 (en) | 2005-09-28 |
US7808092B2 (en) | 2010-10-05 |
CN1702861A (zh) | 2005-11-30 |
JP2012094919A (ja) | 2012-05-17 |
KR101120211B1 (ko) | 2012-03-19 |
US20050224942A1 (en) | 2005-10-13 |
JP2014207488A (ja) | 2014-10-30 |
KR20060045459A (ko) | 2006-05-17 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2014207488A (ja) | マルチチップ・モジュール | |
KR100843214B1 (ko) | 메모리 칩과 프로세서 칩이 관통전극을 통해 연결된 플래너멀티 반도체 칩 패키지 및 그 제조방법 | |
US8120024B2 (en) | Semiconductor package having test pads on top and bottom substrate surfaces and method of testing same | |
US5763947A (en) | Integrated circuit chip package having configurable contacts and a removable connector | |
US6677672B2 (en) | Structure and method of forming a multiple leadframe semiconductor device | |
US7541680B2 (en) | Semiconductor device package | |
US5808877A (en) | Multichip package having exposed common pads | |
JP4388926B2 (ja) | 半導体装置のパッケージ構造 | |
JP3842272B2 (ja) | インターポーザー、半導体チップマウントサブ基板および半導体パッケージ | |
US8044498B2 (en) | Interposer, semiconductor chip mounted sub-board, and semiconductor package | |
US20030183925A1 (en) | Semiconductor module | |
WO1999060618A1 (fr) | Dispositif a semi-conducteurs et procede de fabrication dudit dispositif | |
JP4303772B2 (ja) | 半導体パッケージ | |
JP2901518B2 (ja) | マルチチップ半導体装置 | |
JP4388989B2 (ja) | 半導体チップマウント封止サブ基板 | |
KR100258350B1 (ko) | 슈퍼 bga 반도체패키지 | |
WO1999060619A1 (fr) | Dispositif a semi-conducteurs et procede de fabrication dudit dispositif | |
JP2006222109A (ja) | マルチチップモジュール | |
JP2008177185A (ja) | パッケージ構造 | |
JP2003298003A (ja) | 半導体モジュール | |
JPS60200537A (ja) | テスト専用端子付半導体装置 | |
JPH11251706A (ja) | 電子部品接続用基板 | |
JPH10284637A (ja) | 半導体パッケージ | |
KR20040069171A (ko) | 다중칩 볼 그리드 어레이 패키지 및 그의 테스트 방법 | |
JPH0672242U (ja) | マルチチップモジュール |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20080321 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20090728 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20090728 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20101126 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101206 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20111011 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120213 |