JP2005285944A - Polishing solution for metal, and polishing method - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、特に半導体デバイスの配線形成工程の研磨に使用される金属用研磨液及び研磨方法に関する。 The present invention relates to a metal polishing liquid and a polishing method used particularly for polishing in a wiring formation process of a semiconductor device.
近年、半導体集積回路（以下ＬＳＩと記す）の高集積化、高性能化に伴って新たな微細加工技術が開発されている。化学機械研磨（以下ＣＭＰと記す）法もその一つであり、ＬＳＩ製造工程、特に多層配線形成工程における層間絶縁膜の平坦化、金属プラグ形成、埋め込み配線形成において頻繁に利用される技術である。この技術は、例えば米国特許第４９４４８３６号公報に開示されている。 In recent years, new microfabrication techniques have been developed along with higher integration and higher performance of semiconductor integrated circuits (hereinafter referred to as LSIs). The chemical mechanical polishing (hereinafter referred to as CMP) method is one of them, and is a technique frequently used in the LSI manufacturing process, particularly in the multilayer wiring formation process, planarization of the interlayer insulating film, metal plug formation, and buried wiring formation. . This technique is disclosed in, for example, US Pat. No. 4,944,836.
また、最近はＬＳＩを高性能化するために、配線材料として銅及び銅合金の利用が試みられている。しかし、銅及び銅合金は従来のアルミニウム合金配線の形成で頻繁に用いられたドライエッチング法による微細加工が困難である。そこで、あらかじめ溝を形成してある絶縁膜上に銅或いは銅合金薄膜を堆積して埋め込み、溝部以外の銅或いは銅合金薄膜をＣＭＰにより除去して埋め込み配線を形成する、いわゆるダマシン法が主に採用されている。この技術は、例えば特開平２−２７８８２２号に開示されている。 Recently, in order to improve the performance of LSIs, attempts have been made to use copper and copper alloys as wiring materials. However, copper and copper alloys are difficult to finely process by the dry etching method frequently used in the formation of conventional aluminum alloy wiring. Therefore, a so-called damascene method is mainly used in which a copper or copper alloy thin film is deposited and embedded on an insulating film in which a groove is formed in advance, and the copper or copper alloy thin film other than the groove is removed by CMP to form a buried wiring. It has been adopted. This technique is disclosed, for example, in JP-A-2-278822.
銅及び銅合金等の金属ＣＭＰの一般的な方法は、円形の研磨定盤（プラテン）上に研磨パッドを貼り付け、研磨パッド表面を金属用研磨液で浸し、基板の金属膜を形成した面を押し付けて、その裏面から所定の圧力（以下研磨圧力と記す）を加えた状態で研磨定盤を回し、研磨液と金属膜の凸部との機械的摩擦によって凸部の金属膜を除去するものである。
ＣＭＰに用いられる金属用研磨液は、一般には酸化剤及び砥粒からなっており必要に応じてさらに酸化金属溶解剤、保護膜形成剤が添加される。まず酸化剤によって金属膜表面を酸化し、その酸化層を砥粒によって削り取るのが基本的なメカニズムと考えられている。凹部の金属表面の酸化層は研磨パッドにあまり触れず、砥粒による削り取りの効果が及ばないので、ＣＭＰの進行とともに凸部の金属層が除去されて基板表面は平坦化される。 この詳細についてはジャ−ナル・オブ・エレクトロケミカルソサエティ誌の第１３８巻１１号（１９９１年発行）の３４６０〜３４６４頁に開示されている。
A general method of metal CMP such as copper and copper alloy is a surface on which a polishing pad is attached on a circular polishing platen (platen), the surface of the polishing pad is immersed in a metal polishing liquid, and a metal film of a substrate is formed. Is pressed and a polishing surface plate is rotated with a predetermined pressure (hereinafter referred to as polishing pressure) applied from the back surface, and the metal film on the convex portion is removed by mechanical friction between the polishing liquid and the convex portion of the metal film. Is.
The metal polishing liquid used in CMP is generally composed of an oxidizing agent and abrasive grains, and a metal oxide dissolving agent and a protective film forming agent are further added as necessary. First, it is considered that the basic mechanism is to oxidize the surface of a metal film with an oxidizing agent and scrape the oxidized layer with abrasive grains. Since the oxide layer on the metal surface of the recess does not touch the polishing pad so much and the effect of scraping off by the abrasive grains does not reach, the metal layer of the projection is removed and the substrate surface is flattened with the progress of CMP. The details are disclosed in Journal of Electrochemical Society, Vol. 138, No. 11 (published in 1991), pages 3460-3464.
ＣＭＰによる研磨速度を高める方法として酸化金属溶解剤を添加することが有効とされている。砥粒によって削り取られた金属酸化物の粒を研磨液に溶解（以下エッチングと記す）させてしまうと砥粒による削り取りの効果が増すためであるためと解釈できる。酸化金属溶解剤の添加によりＣＭＰによる研磨速度は向上するが、一方、凹部の金属膜表面の酸化層もエッチング（溶解）されて金属膜表面が露出すると、酸化剤によって金属膜表面がさらに酸化され、これが繰り返されると凹部の金属膜のエッチングが進行してしまう。このため研磨後に埋め込まれた金属配線の表面中央部分が皿のように窪む現象（以下ディッシングと記す）が発生し、平坦化効果が損なわれる。 As a method for increasing the polishing rate by CMP, it is effective to add a metal oxide dissolving agent. It can be interpreted that if the metal oxide particles scraped by the abrasive grains are dissolved in the polishing liquid (hereinafter referred to as etching), the effect of scraping by the abrasive grains is increased. Although the polishing rate by CMP is improved by adding a metal oxide solubilizer, on the other hand, when the oxide layer on the metal film surface in the recess is also etched (dissolved) and the metal film surface is exposed, the metal film surface is further oxidized by the oxidant. If this is repeated, etching of the metal film in the recesses proceeds. For this reason, a phenomenon occurs in which the central portion of the surface of the metal wiring embedded after polishing is depressed like a dish (hereinafter referred to as dishing), and the planarization effect is impaired.
これを防ぐためにさらに保護膜形成剤が添加される。保護膜形成剤は金属膜表面の酸化層上に保護膜を形成し、酸化層の研磨液中への溶解を防止するものである。この保護膜は砥粒により容易に削り取ることが可能で、ＣＭＰによる研磨速度を低下させないことが望まれる。 In order to prevent this, a protective film forming agent is further added. The protective film forming agent forms a protective film on the oxide layer on the surface of the metal film and prevents dissolution of the oxide layer in the polishing liquid. This protective film can be easily scraped off by abrasive grains, and it is desirable not to reduce the polishing rate by CMP.
銅及び銅合金のディッシングや研磨中の腐食を抑制し、信頼性の高いＬＳＩ配線を形成するために、グリシン等のアミノ酢酸又はアミド硫酸からなる酸化金属溶解剤及び保護膜形成剤としてＢＴＡを含有する金属用研磨液を用いる方法が提唱されている。この技術は、例えば特開平８−８３７８０号に記載されている。 In order to suppress corrosion during copper and copper alloy dishing and polishing, and to form highly reliable LSI wiring, it contains BTA as a metal oxide solubilizer composed of aminoacetic acid or amide sulfuric acid such as glycine and a protective film forming agent. A method using a metal polishing liquid is proposed. This technique is described in, for example, JP-A-8-83780.
配線の銅或いは銅合金等の下層には、層間絶縁膜中への銅拡散防止及び層間絶縁膜との密着性向上のためにバリア層として、タンタルやタンタル合金及び窒化タンタルやその他のタンタル化合物等が形成される。したがって、銅或いは銅合金を埋め込む配線部分以外では、露出したバリア層をＣＭＰにより取り除く必要がある。しかし、これらのバリア層導体は、銅或いは銅合金に比べ硬度が高いために、銅或いは銅合金用の研磨材料の組み合わせでは十分な研磨速度が得られず、かつ平坦性が悪くなる場合が多い。そこで、銅或いは銅合金を研磨する第１工程と、バリア層導体を研磨する第２工程からなる２段研磨方法が検討されている。 In the lower layer of copper or copper alloy, etc. of the wiring, tantalum, tantalum alloy, tantalum nitride, other tantalum compounds, etc. as a barrier layer for preventing copper diffusion into the interlayer insulating film and improving adhesion with the interlayer insulating film Is formed. Therefore, it is necessary to remove the exposed barrier layer by CMP except for the wiring portion in which copper or a copper alloy is embedded. However, since these barrier layer conductors have higher hardness than copper or copper alloys, a combination of polishing materials for copper or copper alloys cannot provide a sufficient polishing rate, and flatness often deteriorates. . Therefore, a two-step polishing method is being studied which includes a first step of polishing copper or a copper alloy and a second step of polishing the barrier layer conductor.
バリア層導体を研磨する第２工程において、バリア金属用研磨液には、平坦化のため層間絶縁膜であるシリコン系皮膜、または有機ポリマ膜を研磨することが要求される場合がある。層間絶縁膜の研磨速度を向上させるために、砥粒の粒径を大きくして研磨を行うことがあるが、銅或いは銅合金や酸化膜に研磨キズが発生して電気特性不良の原因になるという問題がある。また、このような電気特性不良は、ＣＭＰ後の洗浄不足により発生するといった問題があった。
請求項１記載の発明は、層間絶縁膜の研磨速度が大きいため、平坦性が高い金属用研磨液を提供するものであり、微細化、薄膜化、寸法精度、電気特性に優れ、信頼性が高く、低コストの半導体デバイスに好適である。 The invention according to claim 1 provides a metal polishing liquid with high flatness because the polishing rate of the interlayer insulating film is high, and is excellent in miniaturization, thinning, dimensional accuracy, electrical characteristics, and reliability. Suitable for high and low cost semiconductor devices.
請求項２記載の発明は、請求項１記載の発明の効果に加え、さらに層間絶縁膜の研磨速度が大きいため、平坦性が高く、生産性の良い金属用研磨液を提供するものであり、微細化、薄膜化、寸法精度、電気特性に優れ、信頼性が高く、低コストの半導体デバイスに好適である。 The invention according to claim 2 provides a metal polishing liquid having high flatness and good productivity because the polishing rate of the interlayer insulating film is high in addition to the effect of the invention according to claim 1, It is excellent in miniaturization, thinning, dimensional accuracy, electrical characteristics, high reliability, and suitable for low-cost semiconductor devices.
請求項３記載の発明は、請求項１〜２記載の発明の効果に加え、さらに層間絶縁膜の研磨速度の面内均一性に優れるため、平坦性が高く、生産性の良い金属用研磨液を提供するものであり、微細化、薄膜化、寸法精度、電気特性に優れ、信頼性が高く、低コストの半導体デバイスに好適である。 In addition to the effects of the inventions of claims 1 and 2, the invention described in claim 3 is excellent in in-plane uniformity of the polishing rate of the interlayer insulating film, and therefore has high flatness and high productivity. It is excellent in miniaturization, thinning, dimensional accuracy, electrical characteristics, high reliability, and suitable for a low-cost semiconductor device.
請求項４記載の発明は、請求項１〜３記載の発明の効果に加え、さらに研磨後の洗浄性に優れるため、平坦性が高く、生産性の良い金属用研磨液を提供するものであり、微細化、薄膜化、寸法精度、電気特性に優れ、信頼性が高く、低コストの半導体デバイスに好適である。 In addition to the effects of the inventions of claims 1 to 3, the invention described in claim 4 provides a metal polishing liquid with high flatness and good productivity because of excellent cleaning properties after polishing. Therefore, it is excellent in miniaturization, thinning, dimensional accuracy, and electrical characteristics, high reliability, and suitable for low-cost semiconductor devices.
請求項５記載の発明は、請求項１〜４記載の発明の効果に加え、さらにバリア層金属の研磨速度及び層間絶縁膜の研磨速度を高めるため平坦性が高く、生産性の良い金属用研磨液を提供するものであり、微細化、薄膜化、寸法精度、電気特性に優れ、信頼性が高く、低コストの半導体デバイスに好適である。 In addition to the effects of the first to fourth aspects of the invention, the fifth aspect of the invention further increases the polishing rate of the barrier layer metal and the polishing rate of the interlayer insulating film, and has high flatness and high productivity. The liquid is provided, and is excellent in miniaturization, thinning, dimensional accuracy, electrical characteristics, high reliability, and suitable for a low-cost semiconductor device.
請求項６記載の発明は、請求項１〜５記載の発明の効果に加え、さらに研磨キズを抑制した金属用研磨液を提供するものであり、微細化、薄膜化、寸法精度、電気特性に優れ、信頼性が高く、低コストの半導体デバイスに好適である。 The invention described in claim 6 provides a metal-polishing liquid in which polishing scratches are further suppressed in addition to the effects of the inventions described in claims 1-5. It is excellent in reliability, high reliability and low cost semiconductor devices.
請求項７記載の発明は、請求項１〜６記載の発明の効果に加え、さらに銅或いは銅合金配線の研磨速度を調整できる金属用研磨液を提供するものであり、微細化、薄膜化、寸法精度、電気特性に優れ、信頼性が高く、低コストの半導体デバイスに好適である。 The invention described in claim 7 provides a metal polishing liquid capable of adjusting the polishing rate of copper or copper alloy wiring, in addition to the effects of the inventions described in claims 1 to 6. It has excellent dimensional accuracy and electrical characteristics, is highly reliable, and is suitable for low-cost semiconductor devices.
請求項８記載の発明は、請求項１〜７記載の発明の効果に加え、さらに銅或いは銅合金配線の研磨速度を調整でき銅残渣を取り除ける金属用研磨液を提供するものであり、微細化、薄膜化、寸法精度、電気特性に優れ、信頼性が高く、低コストの半導体デバイスに好適である。 The invention described in claim 8 provides a metal polishing liquid capable of adjusting the polishing rate of copper or copper alloy wiring and removing copper residues in addition to the effects of the inventions described in claims 1 to 7, and miniaturizing It is suitable for semiconductor devices with excellent thinness, dimensional accuracy and electrical characteristics, high reliability and low cost.
請求項９記載の発明は、請求項１〜８記載の発明の効果に加え、さらに銅或いは銅合金配線、バリア層金属、層間絶縁膜の研磨均一性に優れる金属用研磨液を提供するものであり、微細化、薄膜化、寸法精度、電気特性に優れ、信頼性が高く、低コストの半導体デバイスに好適である。 In addition to the effects of the inventions of claims 1 to 8, the invention described in claim 9 provides a metal-polishing liquid that is excellent in polishing uniformity of copper or copper alloy wiring, barrier layer metal, and interlayer insulating film. Yes, it is excellent in miniaturization, thinning, dimensional accuracy, electrical characteristics, high reliability, and suitable for low-cost semiconductor devices.
請求項１０記載の発明は、請求項１〜９記載の発明の効果に加え、さらに銅或いは銅合金配線、バリア層金属、層間絶縁膜の研磨均一性に優れる金属用研磨液を提供するものであり、微細化、薄膜化、寸法精度、電気特性に優れ、信頼性が高く、低コストの半導体デバイスに好適である。 In addition to the effects of the inventions described in claims 1 to 9, the invention described in claim 10 provides a metal-polishing liquid that is excellent in polishing uniformity of copper or copper alloy wiring, barrier layer metal, and interlayer insulating film. Yes, it is excellent in miniaturization, thinning, dimensional accuracy, electrical characteristics, high reliability, and suitable for low-cost semiconductor devices.
請求項１１記載の発明は、銅或いは銅合金のバリア層用として請求項１〜１０記載の発明の効果を有する金属用研磨液を提供するものであり、微細化、薄膜化、寸法精度、電気特性に優れ、信頼性が高く、低コストの半導体デバイスに好適である。 The invention described in claim 11 provides a metal-polishing liquid having the effects of the invention described in claims 1 to 10 for a barrier layer of copper or copper alloy, and is made finer, thinner, dimensional accuracy, electric Excellent characteristics, high reliability, and suitable for low-cost semiconductor devices.
請求項１２記載の発明は、タンタル、窒化タンタル、タンタル合金、その他のタンタル化合物、チタン、窒化チタン、チタン合金、その他のチタン化合物、タングステン、窒化タングステン、タングステン合金、その他のタングステン化合物から選ばれるバリア層用として請求項１〜１１記載の発明の効果を有する金属用研磨液を提供するものであり、微細化、薄膜化、寸法精度、電気特性に優れ、信頼性が高く、低コストの半導体デバイスに好適である。 The invention according to claim 12 is a barrier selected from tantalum, tantalum nitride, tantalum alloy, other tantalum compounds, titanium, titanium nitride, titanium alloys, other titanium compounds, tungsten, tungsten nitride, tungsten alloys, and other tungsten compounds. A metal polishing liquid having the effects of the invention according to claims 1 to 11 is provided for use in a layer, and it is excellent in miniaturization, thinning, dimensional accuracy, electrical characteristics, high reliability, and low cost. It is suitable for.
請求項１３記載の発明は、微細化、薄膜化、寸法精度、電気特性に優れ、信頼性が高く、低コストの半導体デバイスの製造における研磨方法を提供するものである。 A thirteenth aspect of the present invention provides a polishing method in the manufacture of a semiconductor device that is excellent in miniaturization, thinning, dimensional accuracy, electrical characteristics, high reliability, and low cost.
本発明は、ベンゼン環化合物、酸化金属溶解剤、及び水を含有することを特徴とする金属用研磨液に関する。
本発明は、ベンゼン環化合物が０．１から９５重量％含有することを特徴とする金属用研磨液に関する。
本発明は、ベンゼン環化合物がスルホニル基を有することを特徴とする金属用研磨液に関する。
The present invention relates to a metal polishing slurry comprising a benzene ring compound, a metal oxide solubilizer, and water.
The present invention relates to a metal-polishing liquid characterized by containing 0.1 to 95% by weight of a benzene ring compound.
The present invention relates to a metal polishing slurry wherein a benzene ring compound has a sulfonyl group.
本発明は、酸化金属溶解剤が、有機酸、有機酸エステル、有機酸のアンモニウム塩及び硫酸から選ばれる少なくとも１種である金属用研磨液に関する。
本発明は、砥粒を含有する金属用研磨液に関する。
本発明は、砥粒が、シリカ、アルミナ、セリア、チタニア、ジルコニア、ゲルマニアから選ばれる少なくとも１種である金属用研磨液に関する。
The present invention relates to a metal polishing slurry in which the metal oxide solubilizer is at least one selected from organic acids, organic acid esters, ammonium salts of organic acids, and sulfuric acid.
The present invention relates to a metal-polishing liquid containing abrasive grains.
The present invention relates to a metal polishing slurry wherein the abrasive is at least one selected from silica, alumina, ceria, titania, zirconia, and germania.
本発明は、金属の酸化剤を含むことを特徴とする金属用研磨液に関する。
本発明は、金属の酸化剤が、過酸化水素、硝酸、過ヨウ素酸カリウム、次亜塩素酸及びオゾン水から選ばれる少なくとも１種である金属用研磨液に関する。
本発明は、重量平均分子量が５００以上のポリマを含有する金属用研磨液に関する。
The present invention relates to a metal-polishing liquid characterized by containing a metal oxidizing agent.
The present invention relates to a metal polishing slurry in which the metal oxidizing agent is at least one selected from hydrogen peroxide, nitric acid, potassium periodate, hypochlorous acid, and ozone water.
The present invention relates to a metal polishing slurry containing a polymer having a weight average molecular weight of 500 or more.
本発明は、重量平均分子量が５００以上の水溶性ポリマが、多糖類、ポリカルボン酸、ポリカルボン酸エステル及びその塩、及びビニル系ポリマから選ばれた少なくとも１種である金属用研磨液に関する。
本発明は、研磨される金属が、銅、銅合金のバリア層である金属用研磨液に関する。
The present invention relates to a metal polishing slurry in which the water-soluble polymer having a weight average molecular weight of 500 or more is at least one selected from polysaccharides, polycarboxylic acids, polycarboxylic acid esters and salts thereof, and vinyl polymers.
The present invention relates to a metal-polishing liquid in which the metal to be polished is a barrier layer of copper or a copper alloy.
本発明は、バリア層がタンタル、窒化タンタル、タンタル合金、その他のタンタル化合物、チタン、窒化チタン、チタン合金、その他のチタン化合物、タングステン、窒化タングステン、タングステン合金、その他のタングステン化合物から選ばれる少なくとも１種を含む金属用研磨液に関する。
本発明は、研磨定盤の研磨布上に金属用研磨液を供給しながら、被研磨膜を有する基板を研磨布に押圧した状態で研磨定盤と基板を相対的に動かすことによって被研磨膜を研磨する研磨方法に関する。
In the present invention, the barrier layer is at least one selected from tantalum, tantalum nitride, tantalum alloy, other tantalum compounds, titanium, titanium nitride, titanium alloys, other titanium compounds, tungsten, tungsten nitride, tungsten alloys, and other tungsten compounds. The present invention relates to a metal polishing slurry containing seeds.
The present invention provides a film to be polished by relatively moving the polishing platen and the substrate while pressing the substrate having the film to be polished against the polishing cloth while supplying the metal polishing liquid onto the polishing cloth of the polishing surface plate. The present invention relates to a polishing method for polishing a metal.
本発明により、金属の研磨速度が大きくエッチング速度が小さいため、生産性が高く、ディッシング及びエロージョンが小さい金属用研磨液が得られた。この金属用研磨液は、微細化、薄膜化、寸法精度、電気特性に優れ、信頼性の高い半導体デバイス及び機器に好適である。
本発明により、層間絶縁膜の研磨速度が大きく平坦性が高い金属用研磨液が得られた。この金属用研磨液は微細化、薄膜化、寸法精度、電気特性に優れ、信頼性が高く、低コストの半導体デバイスに好適である。
According to the present invention, a metal polishing liquid having high productivity and low dishing and erosion was obtained because the metal polishing rate was high and the etching rate was low. This metal polishing liquid is excellent in miniaturization, thinning, dimensional accuracy, and electrical characteristics, and is suitable for highly reliable semiconductor devices and equipment.
According to the present invention, a metal polishing liquid having a high polishing rate for the interlayer insulating film and high flatness was obtained. This metal polishing liquid is excellent in miniaturization, thinning, dimensional accuracy, and electrical characteristics, has high reliability, and is suitable for a low-cost semiconductor device.
本発明により、上記の発明の効果に加え、さらにバリア層金属の研磨速度を低下させずに層間絶縁膜の研磨速度を維持するため、平坦性が高く、生産性の良い金属用研磨液が得られた。この金属用研磨液は、微細化、薄膜化、寸法精度、電気特性に優れ、信頼性が高く、低コストの半導体デバイスに好適である。
本発明により、上記の発明の効果に加え、さらに研磨後の洗浄性に優れるため、平坦性が高く、生産性の良い金属用研磨液が得られた。この金属用研磨液は、微細化、薄膜化、寸法精度、電気特性に優れ、信頼性が高く、低コストの半導体デバイスに好適である。
According to the present invention, in addition to the effects of the above invention, the polishing rate of the interlayer insulating film is maintained without lowering the polishing rate of the barrier layer metal, so that a metal polishing liquid with high flatness and good productivity can be obtained. It was. This metal polishing liquid is excellent in miniaturization, thinning, dimensional accuracy, and electrical characteristics, has high reliability, and is suitable for a low-cost semiconductor device.
According to the present invention, in addition to the effects of the above-described invention, since the cleaning property after polishing is further excellent, a metal polishing slurry having high flatness and good productivity was obtained. This metal polishing liquid is excellent in miniaturization, thinning, dimensional accuracy, and electrical characteristics, has high reliability, and is suitable for a low-cost semiconductor device.
本発明により、上記の発明の効果に加え、さらにバリア層金属の研磨速度及び層間絶縁膜の研磨速度を高めるため平坦性が高く、生産性の良い金属用研磨液が得られた。この金属用研磨液は、微細化、薄膜化、寸法精度、電気特性に優れ、信頼性が高く、低コストの半導体デバイスに好適である。
本発明により、上記の発明の効果に加え、さらに研磨キズを抑制した金属用研磨液が得られた。この金属用研磨液は、微細化、薄膜化、寸法精度、電気特性に優れ、信頼性が高く、低コストの半導体デバイスに好適である。
According to the present invention, in addition to the effects of the above-described invention, the polishing rate for the barrier layer metal and the polishing rate for the interlayer insulating film are further increased, so that a metal polishing liquid with high flatness and good productivity was obtained. This metal polishing liquid is excellent in miniaturization, thinning, dimensional accuracy, and electrical characteristics, has high reliability, and is suitable for a low-cost semiconductor device.
According to the present invention, in addition to the effects of the above-described invention, a metal-polishing liquid in which polishing scratches are further suppressed is obtained. This metal polishing liquid is excellent in miniaturization, thinning, dimensional accuracy, and electrical characteristics, has high reliability, and is suitable for a low-cost semiconductor device.
本発明により、上記の発明の効果に加え、さらに銅或いは銅合金配線の研磨速度を調整できる金属用研磨液が得られた。この金属用研磨液は、微細化、薄膜化、寸法精度、電気特性に優れ、信頼性が高く、低コストの半導体デバイスに好適である。
本発明により、上記の発明の効果に加え、さらに銅或いは銅合金配線の研磨速度を調整でき銅残渣を取り除ける金属用研磨液が得られた。この金属用研磨液は、微細化、薄膜化、寸法精度、電気特性に優れ、信頼性が高く、低コストの半導体デバイスに好適である。
According to the present invention, in addition to the effects of the above invention, a metal polishing liquid capable of adjusting the polishing rate of copper or copper alloy wiring is obtained. This metal polishing liquid is excellent in miniaturization, thinning, dimensional accuracy, and electrical characteristics, has high reliability, and is suitable for a low-cost semiconductor device.
According to the present invention, in addition to the effects of the above-described invention, a metal-polishing liquid capable of adjusting the polishing rate of copper or copper alloy wiring and removing the copper residue was obtained. This metal polishing liquid is excellent in miniaturization, thinning, dimensional accuracy, and electrical characteristics, has high reliability, and is suitable for a low-cost semiconductor device.
本発明により、上記の発明の効果に加え、さらに銅或いは銅合金配線、バリア層金属、層間絶縁膜の研磨均一性に優れる金属用研磨液が得られた。この金属用研磨液は、微細化、薄膜化、寸法精度、電気特性に優れ、信頼性が高く、低コストの半導体デバイスに好適である。
本発明により、銅或いは銅合金のバリア層用として上記の効果を有する金属用研磨液が得られた。この金属用研磨液は、微細化、薄膜化、寸法精度、電気特性に優れ、信頼性が高く、低コストの半導体デバイスに好適である。
According to the present invention, in addition to the effects of the above-described invention, a metal polishing liquid excellent in polishing uniformity of copper or copper alloy wiring, barrier layer metal, and interlayer insulating film was obtained. This metal polishing liquid is excellent in miniaturization, thinning, dimensional accuracy, and electrical characteristics, has high reliability, and is suitable for a low-cost semiconductor device.
According to the present invention, a metal-polishing liquid having the above-described effects can be obtained for a copper or copper alloy barrier layer. This metal polishing liquid is excellent in miniaturization, thinning, dimensional accuracy, and electrical characteristics, has high reliability, and is suitable for a low-cost semiconductor device.
本発明により、タンタル、窒化タンタル、タンタル合金、その他のタンタル化合物、チタン、窒化チタン、チタン合金、その他のチタン化合物、タングステン、窒化タングステン、タングステン合金、その他のタングステン化合物から選ばれるバリア層用として請求項１〜１２記載の発明の効果を有する金属用研磨液が得られた。この金属用研磨液は、微細化、薄膜化、寸法精度、電気特性に優れ、信頼性が高く、低コストの半導体デバイスに好適である。
請求項１３記載の発明により、微細化、薄膜化、寸法精度、電気特性に優れ、信頼性が高く、低コストの半導体デバイスの製造における研磨方法が得られた。
Claimed as a barrier layer selected from tantalum, tantalum nitride, tantalum alloys, other tantalum compounds, titanium, titanium nitride, titanium alloys, other titanium compounds, tungsten, tungsten nitride, tungsten alloys, and other tungsten compounds according to the present invention. The metal polishing liquid which has the effect of the invention of claim | item 1 -12 was obtained. This metal polishing liquid is excellent in miniaturization, thinning, dimensional accuracy, and electrical characteristics, has high reliability, and is suitable for a low-cost semiconductor device.
According to the invention of the thirteenth aspect, a polishing method in manufacturing a semiconductor device having excellent miniaturization, thinning, dimensional accuracy, and electrical characteristics, high reliability, and low cost can be obtained.
本発明においては、層間絶縁膜上にバリア層及び銅或いは銅合金を含む金属膜を形成・充填する。この基板をまず銅或いは銅合金／バリア層の研磨速度比が十分大きい銅及び銅合金用の研磨液を用いてＣＭＰすると、基板の凸部のバリア層が表面に露出し、凹部に銅或いは銅合金膜が残された所望の導体パタ−ンが得られる。この得られたパターン基板が本発明における被研磨物に当たる。 In the present invention, a barrier layer and a metal film containing copper or a copper alloy are formed and filled on the interlayer insulating film. When this substrate is first CMPed using a polishing solution for copper and copper alloy having a sufficiently high polishing rate ratio of copper or copper alloy / barrier layer, the barrier layer on the convex portion of the substrate is exposed on the surface, and the copper or copper in the concave portion is exposed. A desired conductor pattern in which the alloy film remains is obtained. The obtained pattern substrate corresponds to the object to be polished in the present invention.
本発明の金属用研磨液は、有機溶媒、酸化金属溶解剤、水、砥粒、金属の酸化剤を含有する研磨液である。必要に応じて、重量平均分子量が５００以上のポリマや金属防食剤を添加してもよい。 The metal polishing liquid of the present invention is a polishing liquid containing an organic solvent, a metal oxide solubilizer, water, abrasive grains, and a metal oxidizer. If necessary, a polymer having a weight average molecular weight of 500 or more or a metal anticorrosive may be added.
本発明における金属用研磨液のベンゼン環化合物としては特に制限はないが、例えばｐ−トルエンスルホン酸、ｐ−トルエンスルホン酸アミド、ｐ−トルエンスルホン酸メチル、ｐ−トルエンスルホン酸エチル、ｐ−トルエンスルホン酸無水物、ｐ−トルエンスルホニルアセトニトリル、トルエン−２，α−ジカルボン酸、ｐ−トルエンスルホン酸ピリジニウム、安息香酸、安息香酸アンモニウム、安息香酸ｎ−アミル、安息香酸エチル、安息香酸ビニル、安息香酸メチル、安息香酸エチル、安息香酸無水物、ベンズアルデヒド、フェニルグリコール、ベンジルアルコール、ベンジルインドール、ベンジルフェニルアミン、ベンジルホスホン酸、ベンジルホスホン酸ジエチル、１，３−ベンゼンアセトニトリル、１，２−ベンゼンジオール、フタル酸メチル、イソフタル酸メチル、テレフタル酸メチル、ベンゼンスルホン酸一水和物、ベンゼンスルホン酸メチル、１，２，４，５−ベンゼンテトラカルボン酸、１，２，３−ベンゼントリカルボン酸、フェニルグリシン、アニリン、アニリンスルホン酸、Ｎ−アニリノ酢酸等が挙げられる。 Although there is no restriction | limiting in particular as a benzene ring compound of the metal polishing liquid in this invention, For example, p-toluenesulfonic acid, p-toluenesulfonic acid amide, p-toluenesulfonic acid methyl, p-toluenesulfonic acid ethyl, p-toluene Sulfonic anhydride, p-toluenesulfonylacetonitrile, toluene-2, α-dicarboxylic acid, pyridinium p-toluenesulfonate, benzoic acid, ammonium benzoate, n-amyl benzoate, ethyl benzoate, vinyl benzoate, benzoic acid Methyl, ethyl benzoate, benzoic anhydride, benzaldehyde, phenyl glycol, benzyl alcohol, benzylindole, benzylphenylamine, benzylphosphonic acid, diethyl benzylphosphonate, 1,3-benzeneacetonitrile, 1,2-benzenediol, Methyl tartrate, methyl isophthalate, methyl terephthalate, benzenesulfonic acid monohydrate, methyl benzenesulfonate, 1,2,4,5-benzenetetracarboxylic acid, 1,2,3-benzenetricarboxylic acid, phenylglycine Aniline, aniline sulfonic acid, N-anilinoacetic acid and the like.
本発明の酸化金属溶解剤は、特に制限はないが、ギ酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、２−メチル酪酸、ｎ−ヘキサン酸、３，３−ジメチル酪酸、２−エチル酪酸、４−メチルペンタン酸、ｎ−ヘプタン酸、２−メチルヘキサン酸、ｎ−オクタン酸、２−エチルヘキサン酸、安息香酸、グリコ−ル酸、サリチル酸、グリセリン酸、シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フタル酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸等の有機酸、これらの有機酸エステル及びこれら有機酸のアンモニウム塩等が挙げられる。また塩酸、硫酸、硝酸等の無機酸、これら無機酸のアンモニウム塩類、例えば過硫酸アンモニウム、硝酸アンモニウム、塩化アンモニウム等、クロム酸等が挙げられる。これらの中では、実用的なＣＭＰ速度を維持しつつ、エッチング速度を効果的に抑制できるという点でギ酸、マロン酸、リンゴ酸、酒石酸、クエン酸が銅、銅合金及び銅又は銅合金の酸化物から選ばれた少なくとも１種の金属層を含む積層膜に対して好適である。これらは１種類単独で、もしくは２種類以上混合して用いることができる。 The metal oxide solubilizer of the present invention is not particularly limited, but formic acid, acetic acid, propionic acid, butyric acid, valeric acid, 2-methylbutyric acid, n-hexanoic acid, 3,3-dimethylbutyric acid, 2-ethylbutyric acid, 4 -Methylpentanoic acid, n-heptanoic acid, 2-methylhexanoic acid, n-octanoic acid, 2-ethylhexanoic acid, benzoic acid, glycolic acid, salicylic acid, glyceric acid, oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutar Examples thereof include organic acids such as acid, adipic acid, pimelic acid, maleic acid, phthalic acid, malic acid, tartaric acid, and citric acid, organic acid esters thereof, and ammonium salts of these organic acids. Further, inorganic acids such as hydrochloric acid, sulfuric acid and nitric acid, and ammonium salts of these inorganic acids such as ammonium persulfate, ammonium nitrate and ammonium chloride, chromic acid and the like can be mentioned. Among these, formic acid, malonic acid, malic acid, tartaric acid, and citric acid are copper, copper alloy, and copper or copper alloy oxidation in that the etching rate can be effectively suppressed while maintaining a practical CMP rate. It is suitable for a laminated film including at least one metal layer selected from those. These can be used alone or in combination of two or more.
本発明の金属用研磨液の砥粒としては、シリカ、アルミナ、ジルコニア、セリア、チタニア、炭化珪素等の無機物砥粒、ポリスチレン、ポリアクリル、ポリ塩化ビニル等の有機物砥粒のいずれでもよいが、研磨液中での分散安定性が良く、ＣＭＰにより発生する研磨傷（スクラッチ）の発生数の少ない、平均粒径が７０ｎｍ以下のコロイダルシリカ、コロイダルアルミナが好ましく、平均粒径が４０ｎｍ以下のコロイダルシリカ、コロイダルアルミナがより好ましい。一次粒子が平均２粒子未満しか凝集していない粒子が好ましく、一次粒子が平均１．２粒子未満しか凝集していない粒子がより好ましい。また、平粒度分布の標準偏差が１０ｎｍ以下であることが好ましく、平粒度分布の標準偏差が５ｎｍ以下であることがより好ましい。コロイダルシリカはシリコンアルコキシドの加水分解または珪酸ナトリウムのイオン交換による製造方法が知られており、コロイダルアルミナは硝酸アルミニウムの加水分解による製造方法が知られている。 As abrasive grains of the metal polishing liquid of the present invention, any of inorganic abrasive grains such as silica, alumina, zirconia, ceria, titania, silicon carbide, and organic abrasive grains such as polystyrene, polyacryl, polyvinyl chloride, Colloidal silica, colloidal silica having an average particle size of 40 nm or less is preferable, preferably having colloidal silica and colloidal alumina having an average particle size of 70 nm or less, having good dispersion stability in the polishing liquid, and a small number of polishing scratches (scratches) generated by CMP. Colloidal alumina is more preferable. Particles in which primary particles are aggregated with an average of less than 2 particles are preferable, and particles in which primary particles are aggregated with an average of less than 1.2 particles are more preferable. The standard deviation of the flat particle size distribution is preferably 10 nm or less, and the standard deviation of the flat particle size distribution is more preferably 5 nm or less. Colloidal silica is known for its production by hydrolysis of silicon alkoxide or ion exchange of sodium silicate, and colloidal alumina is known for its production by hydrolysis of aluminum nitrate.
コロイダルシリカは、粒径制御性やアルカリ金属不純物の点で、シリコンアルコキシドの加水分解による製造方法によるものが最も利用される。シリコンアルコキシドとしては、ＴＥＭＳ（テトラメトキシシラン）又はＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）が一般に用いられる。アルコール溶媒中で加水分解する方法において、粒径に影響するパラメータとしては、シリコンアルコキシドの濃度、触媒として用いられるアンモニア濃度とｐＨ、反応温度、アルコール溶媒の種類（分子量）及び反応時間などがある。これらのパラメータを調整することによって、所望の粒径及び凝集度のコロイダルシリカ分散液を得ることができる。 Colloidal silica is most often used in terms of particle size controllability and alkali metal impurities by a production method by hydrolysis of silicon alkoxide. As the silicon alkoxide, TEMS (tetramethoxysilane) or TEOS (tetraethoxysilane) is generally used. In the method of hydrolyzing in an alcohol solvent, parameters affecting the particle size include the concentration of silicon alkoxide, the concentration and pH of ammonia used as a catalyst, the reaction temperature, the type (molecular weight) of the alcohol solvent, and the reaction time. By adjusting these parameters, a colloidal silica dispersion having a desired particle size and agglomeration degree can be obtained.
本発明の金属の酸化剤としては、過酸化水素（Ｈ２Ｏ２）、硝酸、過ヨウ素酸カリウム、次亜塩素酸、オゾン水等が挙げられ、その中でも過酸化水素が特に好ましい。これらは１種類単独で、もしくは２種類以上混合して用いることができる。基体が集積回路用素子を含むシリコン基板である場合、アルカリ金属、アルカリ土類金属、ハロゲン化物などによる汚染は望ましくないので、不揮発成分を含まない酸化剤が望ましい。但し、オゾン水は組成の時間変化が激しいので過酸化水素が最も適している。但し、適用対象の基体が半導体素子を含まないガラス基板などである場合は不揮発成分を含む酸化剤であっても差し支えない。 Examples of the metal oxidizing agent of the present invention include hydrogen peroxide (H 2 O 2 ), nitric acid, potassium periodate, hypochlorous acid, ozone water, etc. Among them, hydrogen peroxide is particularly preferable. These may be used alone or in combination of two or more. When the substrate is a silicon substrate including an integrated circuit element, contamination by alkali metal, alkaline earth metal, halide, etc. is not desirable, so an oxidizing agent that does not contain a nonvolatile component is desirable. However, hydrogen peroxide is most suitable because ozone water has a severe compositional change over time. However, when the substrate to be applied is a glass substrate or the like that does not include a semiconductor element, an oxidizing agent that includes a nonvolatile component may be used.
本発明の重量平均分子量が５００以上のポリマとしては、重量平均分子量が５００以上であれば特に制限はなく、例えばアルギン酸、ペクチン酸、カルボキシメチルセルロ−ス、寒天、カ−ドラン及びプルラン等の多糖類；ポリアスパラギン酸、ポリグルタミン酸、ポリリシン、ポリリンゴ酸、ポリメタクリル酸、ポリメタクリル酸アンモニウム塩、ポリメタクリル酸ナトリウム塩、ポリアミド酸、ポリマレイン酸、ポリイタコン酸、ポリフマル酸、ポリ（ｐ−スチレンカルボン酸）、ポリアクリル酸、ポリアクリルアミド、アミノポリアクリルアミド、ポリアクリル酸アンモニウム塩、ポリアクリル酸ナトリウム塩、ポリアミド酸、ポリアミド酸アンモニウム塩、ポリアミド酸ナトリウム塩及びポリグリオキシル酸等のポリカルボン酸及びその塩；ポリビニルアルコ−ル、ポリビニルピロリドン及びポリアクロレイン等のビニル系ポリマ等が挙げられる。但し、適用する基体が半導体集積回路用シリコン基板などの場合はアルカリ金属、アルカリ土類金属、ハロゲン化物等による汚染は望ましくないため、酸もしくはそのアンモニウム塩が望ましい。基体がガラス基板等である場合はその限りではない。その中でもペクチン酸、寒天、ポリリンゴ酸、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸アンモニウム塩、ポリアクリルアミド、ポリビニルアルコール及びポリビニルピロリドン、それらのエステル及びそれらのアンモニウム塩が好ましい。 The polymer having a weight average molecular weight of 500 or more of the present invention is not particularly limited as long as the weight average molecular weight is 500 or more. For example, there are many polymers such as alginic acid, pectic acid, carboxymethyl cellulose, agar, cardran and pullulan. Sugars; polyaspartic acid, polyglutamic acid, polylysine, polymalic acid, polymethacrylic acid, polymethacrylic acid ammonium salt, polymethacrylic acid sodium salt, polyamic acid, polymaleic acid, polyitaconic acid, polyfumaric acid, poly (p-styrenecarboxylic acid) Polyacrylic acid, polyacrylamide, amino polyacrylamide, polyacrylic acid ammonium salt, polyacrylic acid sodium salt, polyamic acid, polyamic acid ammonium salt, polyamic acid sodium salt and polyglyoxylic acid Salts; polyvinyl alcohol - le, vinyl polymers such as polyvinyl pyrrolidone and acrolein and the like. However, when the substrate to be applied is a silicon substrate for a semiconductor integrated circuit or the like, contamination with an alkali metal, an alkaline earth metal, a halide, or the like is not desirable, so an acid or an ammonium salt thereof is desirable. This is not the case when the substrate is a glass substrate or the like. Among these, pectinic acid, agar, polymalic acid, polymethacrylic acid, ammonium polyacrylate, polyacrylamide, polyvinyl alcohol and polyvinylpyrrolidone, esters thereof and ammonium salts thereof are preferable.
また、本発明の金属用研磨液に金属防食剤を添加しても良い。例えば、２−メルカプトベンゾチアゾ−ル、１，２，３−トリアゾ−ル、１，２，４−トリアゾ−ル、３−アミノ−１Ｈ−１，２，４−トリアゾ−ル、ベンゾトリアゾ−ル、１−ヒドロキシベンゾトリアゾ−ル、１−ジヒドロキシプロピルベンゾトリアゾ−ル、２，３−ジカルボキシプロピルベンゾトリアゾ−ル、４−ヒドロキシベンゾトリアゾ−ル、４−カルボキシル（−１Ｈ−）ベンゾトリアゾ−ル、４−カルボキシル（−１Ｈ−）ベンゾトリアゾ−ルメチルルエステル、４−カルボキシル（−１Ｈ−）ベンゾトリアゾ−ルブチルエステル、４−カルボキシル（−１Ｈ−）ベンゾトリアゾ−ルオクチルエステル、５−ヘキシルベンゾトリアゾ−ル、〔１，２，３−ベンゾトリアゾリル−１−メチル〕〔１，２，４−トリアゾリル−１−メチル〕〔２−エチルヘキシル〕アミン、トリルトリアゾ−ル、ナフトトリアゾ−ル、ビス〔（１−ベンゾトリアゾリル）メチル〕ホスホン酸等が挙げられる。また、ピリミジン骨格を有する化合物としてピリミジン、１，２，４−トリアゾロ〔１，５−ａ〕ピリミジン、１，３，４，６，７，８−ヘキサハイドロ−２Ｈ−ピリミド〔１，２−ａ〕ピリミジン、１，３−ジフェニル−ピリミジン−２，４，６−トリオン、１，４，５，６−テトラハイドロピリミジン、２，４，５，６−テトラアミノピリミジンサルフェイト、２，４，５−トリハイドロキシピリミジン、２，４，６−トリアミノピリミジン、２，４，６−トリクロロピリミジン、２，４，６−トリメトキシピリミジン、２，４，６−トリフェニルピリミジン、２，４−ジアミノ−６−ヒドロキシルピリミジン、２，４−ジアミノピリミジン、２−アセトアミドピリミジン、２−アミノピリミジン、２−メチル−５，７−ジフェニル−（１，２，４）トリアゾロ（１，５−ａ）ピリミジン、２−メチルサルファニル−５，７−ジフェニル−（１，２，４）トリアゾロ（１，５−ａ）ピリミジン、２−メチルサルファニル−５，７−ジフェニル−４，７−ジヒドロ−（１，２，４）トリアゾロ（１，５−Ａ）ピリミジン、４−アミノピラゾロ〔３，４−ｄ〕ピリミジン等が挙げられ、これらは１種類単独で、もしくは２種類以上混合して用いることができる。 Moreover, you may add a metal anticorrosive to the metal polishing liquid of this invention. For example, 2-mercaptobenzothiazol, 1,2,3-triazole, 1,2,4-triazole, 3-amino-1H-1,2,4-triazole, benzotriazole 1-hydroxybenzotriazole, 1-dihydroxypropylbenzotriazole, 2,3-dicarboxypropylbenzotriazole, 4-hydroxybenzotriazole, 4-carboxyl (-1H-) Benzotriazole, 4-carboxyl (-1H-) benzotriazole methyl ester, 4-carboxyl (-1H-) benzotriazole butyl ester, 4-carboxyl (-1H-) benzotriazol octyl ester, 5-hexylbenzo Triazol, [1,2,3-benzotriazolyl-1-methyl] [1,2,4-triazolyl-1-me Le] [2-ethylhexyl] amine, Torirutoriazo - le, Nafutotoriazo - Le, bis [(1-benzotriazolyl) methyl] phosphonic acid. Further, as compounds having a pyrimidine skeleton, pyrimidine, 1,2,4-triazolo [1,5-a] pyrimidine, 1,3,4,6,7,8-hexahydro-2H-pyrimido [1,2-a Pyrimidine, 1,3-diphenyl-pyrimidine-2,4,6-trione, 1,4,5,6-tetrahydropyrimidine, 2,4,5,6-tetraaminopyrimidine sulfate, 2,4,5 -Trihydroxypyrimidine, 2,4,6-triaminopyrimidine, 2,4,6-trichloropyrimidine, 2,4,6-trimethoxypyrimidine, 2,4,6-triphenylpyrimidine, 2,4-diamino- 6-hydroxylpyrimidine, 2,4-diaminopyrimidine, 2-acetamidopyrimidine, 2-aminopyrimidine, 2-methyl-5,7-diphenyl- ( , 2,4) triazolo (1,5-a) pyrimidine, 2-methylsulfanyl-5,7-diphenyl- (1,2,4) triazolo (1,5-a) pyrimidine, 2-methylsulfanyl- 5,7-diphenyl-4,7-dihydro- (1,2,4) triazolo (1,5-A) pyrimidine, 4-aminopyrazolo [3,4-d] pyrimidine, and the like are included. Or a mixture of two or more.
本発明のベンゼン環化合物の配合量は、ベンゼン環化合物、酸化金属溶解剤、水、砥粒、及び金属の酸化剤の総量１００ｇに対して、０．０００１〜９５ｇとすることが好ましく、０．０００２〜６０ｇとすることがより好ましく、０．０００５〜５０ｇとすることが特に好ましい。配合量が０．０００１ｇ未満では、研磨液の基板に対する濡れ性が低く、９５ｇを超えると溶解性が低下するため製造プロセス上好ましくない。 The blending amount of the benzene ring compound of the present invention is preferably 0.0001 to 95 g with respect to 100 g of the total amount of the benzene ring compound, the metal oxide solubilizer, water, abrasive grains, and the metal oxidizer. It is more preferable to set it as 0002-60g, and it is especially preferable to set it as 0.0005-50g. If the blending amount is less than 0.0001 g, the wettability of the polishing liquid to the substrate is low, and if it exceeds 95 g, the solubility is lowered, which is not preferable in the production process.
本発明の酸化金属溶解剤の配合量は、ベンゼン環化合物、酸化金属溶解剤、水、砥粒、及び金属の酸化剤の総量１００ｇに対して、０．００１〜２０ｇとすることが好ましく、０．００２〜１５ｇとすることがより好ましく、０．００５〜１５ｇとすることが特に好ましい。配合量が０．００１ｇ未満では、研磨速度が低く、２０ｇを超えるとエッチングの抑制が困難となり研磨面に荒れが生じる傾向がある。 The compounding amount of the metal oxide solubilizer of the present invention is preferably 0.001 to 20 g with respect to 100 g of the total amount of benzene ring compound, metal oxide solubilizer, water, abrasive grains, and metal oxidizer, It is more preferable to set it as 0.002-15g, and it is especially preferable to set it as 0.005-15g. When the blending amount is less than 0.001 g, the polishing rate is low, and when it exceeds 20 g, it is difficult to suppress etching and the polished surface tends to be rough.
本発明の砥粒の配合量は、ベンゼン環化合物、酸化金属溶解剤、水、砥粒、及び金属の酸化剤の総量１００ｇに対して、０〜５０ｇとすることが好ましく、０．００１〜４５ｇとすることがより好ましく、０．００２〜４０ｇとすることが特に好ましい。配合量が５０ｇを超えると研磨キズが多く発生する傾向にある。 The blending amount of the abrasive grains of the present invention is preferably 0 to 50 g with respect to 100 g of the total amount of benzene ring compound, metal oxide solubilizer, water, abrasive grains, and metal oxidizer, and is 0.001 to 45 g. It is more preferable to set it as 0.002 to 40 g. When the blending amount exceeds 50 g, many polishing scratches tend to occur.
本発明の酸化剤の配合量は、ベンゼン環化合物、酸化金属溶解剤、水、砥粒、及び金属の酸化剤の総量１００ｇに対して、０〜５０ｇとすることが好ましく、０．００１〜４５ｇとすることがより好ましく、０．００２〜４０ｇとすることが特に好ましい。配合量が５０ｇを超えると、研磨面に荒れが生じる傾向がある。 The blending amount of the oxidizing agent of the present invention is preferably 0 to 50 g with respect to 100 g of the total amount of benzene ring compound, metal oxide solubilizer, water, abrasive grains, and metal oxidizing agent, and 0.001 to 45 g. It is more preferable to set it as 0.002 to 40 g. When the amount exceeds 50 g, the polished surface tends to be rough.
本発明の水溶性ポリマの配合量は、ベンゼン環化合物、酸化金属溶解剤、水、砥粒、金属の酸化剤及びポリマの総量１００ｇに対して０〜１０ｇとすることが好ましく、０．０１〜８ｇとすることがより好ましく、０．０２〜５ｇとすることが特に好ましい。この配合量が１０ｇを超えると研磨速度が低下する傾向がある。 The blending amount of the water-soluble polymer of the present invention is preferably 0 to 10 g with respect to 100 g of the total amount of benzene ring compound, metal oxide solubilizer, water, abrasive grains, metal oxidizer and polymer, 0.01 to It is more preferably 8 g, and particularly preferably 0.02 to 5 g. If this amount exceeds 10 g, the polishing rate tends to decrease.
水溶性ポリマの重量平均分子量は５００以上とすることが好ましく、１５００以上とすることがより好ましく５０００以上とすることが特に好ましい。重量平均分子量の上限は特に規定するものではないが、溶解性の観点から５００万以下である。重量平均分子量が５００未満では高い研磨速度が発現しない傾向にある。本発明では、重量平均分子量が５００以上である少なくとも１種以上の水溶性ポリマを用いることが好ましい。 The weight average molecular weight of the water-soluble polymer is preferably 500 or more, more preferably 1500 or more, and particularly preferably 5000 or more. The upper limit of the weight average molecular weight is not particularly specified, but is 5 million or less from the viewpoint of solubility. When the weight average molecular weight is less than 500, a high polishing rate tends not to be exhibited. In the present invention, it is preferable to use at least one water-soluble polymer having a weight average molecular weight of 500 or more.
本発明の金属防食剤の配合量は、ベンゼン環化合物、酸化金属溶解剤、水、砥粒、金属の酸化剤及び金属防食剤の総量１００ｇに対して０〜１０ｇとすることが好ましく、０．００１〜８ｇとすることがより好ましく、０．００２〜５ｇとすることが特に好ましい。この配合量が１０ｇを超えると研磨速度が低くなってしまう傾向がある。 The compounding amount of the metal anticorrosive of the present invention is preferably 0 to 10 g with respect to 100 g of the total amount of benzene ring compound, metal oxide solubilizer, water, abrasive grains, metal oxidizer and metal anticorrosive, It is more preferable to set it as 001-8g, and it is especially preferable to set it as 0.002-5g. If this amount exceeds 10 g, the polishing rate tends to be low.
本発明の金属用研磨液には、上述した材料のほかに界面活性剤、ビクトリアピュアブルー等の染料、フタロシアニングリーン等の顔料等の着色剤を含有させてもよい。 In addition to the materials described above, the metal polishing slurry of the present invention may contain a surfactant, a dye such as Victoria Pure Blue, and a colorant such as a pigment such as phthalocyanine green.
本発明を適用する銅、銅合金及び銅又は銅合金の酸化物（以下銅合金という）膜としては、公知のスパッタ法、メッキ法により成膜できる。 The copper, copper alloy, and copper or copper alloy oxide (hereinafter referred to as copper alloy) film to which the present invention is applied can be formed by a known sputtering method or plating method.
本発明を適用する金属としては、タングステン、窒化タングステン、タングステン合金、その他のタングステン化合物、チタン、窒化チタン、チタン合金、その他のチタン化合物、タンタル、窒化タンタル、タンタル合金、その他のタンタル化合物、から選ばれた少なくとも１種の金属バリア層を含む積層膜である。 The metal to which the present invention is applied is selected from tungsten, tungsten nitride, tungsten alloys, other tungsten compounds, titanium, titanium nitride, titanium alloys, other titanium compounds, tantalum, tantalum nitride, tantalum alloys, and other tantalum compounds. A laminated film including at least one metal barrier layer.
本発明を適用する層間絶縁膜としては、シリコン系皮膜や有機ポリマ膜が挙げられる。 シリコン系皮膜としては、二酸化ケイ素、フルオロシリケートグラス、トリメチルシランやジメトキシジメチルシランを出発原料として得られるオルガノシリケートグラス、シリコンオキシナイトライド、水素化シルセスキオキサン等のシリカ系皮膜や、シリコンカーバイド及びシリコンナイトライドが挙げられる。また、有機ポリマ膜としては、全芳香族系低誘電率層間絶縁膜が挙げられる。これらの膜は、ＣＶＤ法、スピンコート法、ディップコート法、またはスプレー法によって成膜される。 Examples of the interlayer insulating film to which the present invention is applied include a silicon-based film and an organic polymer film. Silicon-based coatings include silicon dioxide, fluorosilicate glass, organosilicate glass obtained using trimethylsilane and dimethoxydimethylsilane as starting materials, silicon oxynitride, silica-based coatings such as silsesquioxane hydride, silicon carbide and A silicon nitride is mentioned. Examples of the organic polymer film include a wholly aromatic low dielectric constant interlayer insulating film. These films are formed by a CVD method, a spin coating method, a dip coating method, or a spray method.
本発明の研磨方法は、研磨定盤の研磨パッド上に前記の金属用研磨液を供給しながら、被研磨膜を有する基板を研磨パッドに押圧した状態で研磨定盤と基板を相対的に動かすことによって被研磨膜を研磨する研磨方法である。研磨する装置としては、半導体基板を保持するホルダと研磨パッドを貼り付けた（回転数が変更可能なモータ等を取り付けてある）定盤を有する一般的な研磨装置が使用できる。研磨パッドとしては、一般的な不織布、発泡ポリウレタン、多孔質フッ素樹脂などが使用でき、特に制限がない。研磨条件には制限はないが、定盤の回転速度は基板が飛び出さないように２００ｒｐｍ以下の低回転が好ましい。被研磨膜を有する半導体基板の研磨パッドへの押し付け圧力は、１〜１００ｋＰａであることが好ましく、ＣＭＰ速度のウエハ面内均一性及びパターンの平坦性を満足するためには、５〜５０ｋＰａであることがより好ましい。研磨している間、研磨パッドには金属用研磨液をポンプ等で連続的に供給する。この供給量に制限はないが、研磨パッドの表面が常に研磨液で覆われていることが好ましい。研磨終了後の半導体基板は、流水中でよく洗浄後、スピンドライ等を用いて半導体基板上に付着した水滴を払い落としてから乾燥させることが好ましい。 The polishing method of the present invention moves the polishing platen and the substrate relatively while pressing the substrate having the film to be polished against the polishing pad while supplying the metal polishing liquid onto the polishing pad of the polishing platen. This is a polishing method for polishing the film to be polished. As a polishing apparatus, a general polishing apparatus having a surface plate with a holder for holding a semiconductor substrate and a polishing pad attached (a motor or the like whose rotation speed can be changed) is attached. As the polishing pad, a general nonwoven fabric, foamed polyurethane, porous fluororesin, or the like can be used, and there is no particular limitation. The polishing conditions are not limited, but the rotation speed of the surface plate is preferably a low rotation of 200 rpm or less so that the substrate does not jump out. The pressure applied to the polishing pad of the semiconductor substrate having the film to be polished is preferably 1 to 100 kPa, and 5 to 50 kPa in order to satisfy the uniformity of the CMP rate within the wafer surface and the flatness of the pattern. It is more preferable. During polishing, a polishing liquid for metal is continuously supplied to the polishing pad with a pump or the like. Although there is no restriction | limiting in this supply amount, it is preferable that the surface of a polishing pad is always covered with polishing liquid. The semiconductor substrate after completion of polishing is preferably washed in running water and then dried after removing water droplets adhering to the semiconductor substrate using spin drying or the like.
以下、実施例及び比較例により本発明を更に具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に何ら限定されるものではない。 EXAMPLES Hereinafter, although an Example and a comparative example demonstrate this invention further more concretely, this invention is not limited to these Examples at all.
（研磨液作製方法）
表１及び表２に示すような配合で材料を混合し、実施例１〜１２及び比較例１〜２で用いる金属用研磨液を作製した。
(Polishing liquid preparation method)
Materials were mixed in the formulations shown in Table 1 and Table 2, and metal polishing liquids used in Examples 1 to 12 and Comparative Examples 1 and 2 were produced.
（研磨条件）
ブランケット基板：トリメチルシランを出発原料としてＣＶＤ法で成膜されたオルガノ シリケート（厚さ：１０００ｎｍ）を形成したシリコン基板
：厚さ１０００ｎｍの二酸化ケイ素を形成したシリコン基板
：厚さ２００ｎｍのタンタル膜を形成したシリコン基板
：厚さ１６００ｎｍの銅膜を形成したシリコン基板
(Polishing conditions)
Blanket substrate: A silicon substrate on which organosilicate (thickness: 1000 nm) is formed by CVD using trimethylsilane as a starting material
: Silicon substrate on which silicon dioxide with a thickness of 1000 nm is formed
: A silicon substrate on which a tantalum film having a thickness of 200 nm is formed
: A silicon substrate on which a copper film having a thickness of 1600 nm is formed
パターン基板：トリメチルシランを出発原料としてＣＶＤ法で成膜されたオルガノシリ ケート、または二酸化ケイ素中に公知の方法を用いて深さ０．５〜１００ μｍの溝を形成して、公知のスパッタ法によってバリア層として厚さ２０ ０ｎｍのタンタル膜を形成し、同様にスパッタ法により銅膜を１．０μｍ 形成した基板を公知の方法で突出した銅膜だけ研磨した基板。
研磨パッド：ＩＣ１０００（ロデ−ル社製）
研磨圧力：２１０ｇ／ｃｍ２
基体と研磨定盤との相対速度：３６ｍ／ｍｉｎ
Pattern substrate: Organosilicate film formed by the CVD method using trimethylsilane as a starting material, or a groove having a depth of 0.5 to 100 μm is formed in a silicon dioxide using a known method, and a known sputtering method is used. A substrate in which a tantalum film having a thickness of 200 nm is formed as a barrier layer, and a copper film is similarly formed by sputtering to polish only the protruding copper film by a known method.
Polishing pad: IC1000 (Rodel)
Polishing pressure: 210 g / cm 2
Relative speed between substrate and polishing surface plate: 36 m / min
（評価項目）
研磨速度：各種ブランケット基板を６０秒研磨することで求めた。
オルガノシリケート及び二酸化ケイ素の研磨速度は研磨前後での膜厚差を大日 本スクリーン社製ラムダエースを用いて測定し求めた。
また、タンタル膜及び銅の研磨速度は研磨前後での膜厚差を電気抵抗値から換 算して求めた。
(Evaluation item)
Polishing speed: Determined by polishing various blanket substrates for 60 seconds.
The polishing rate of organosilicate and silicon dioxide was determined by measuring the difference in film thickness before and after polishing using Lambda Ace manufactured by Nippon Screen.
The polishing rate for the tantalum film and copper was obtained by converting the difference in film thickness before and after polishing from the electrical resistance value.
研磨速度の面内均一性：上記研磨速度の標準偏差を平均値に対して１００分率（％）で 表した。
エッチング速度：攪拌した金属用研磨液（２５℃、攪拌１００ｒｐｍ）への浸漬前後の 銅膜厚差を電気抵抗値から換算して求めた。
In-plane uniformity of polishing rate: The standard deviation of the polishing rate was expressed in terms of 100% (%) with respect to the average value.
Etching rate: The difference in copper film thickness before and after immersion in a stirred metal polishing liquid (25 ° C., stirring 100 rpm) was calculated from the electrical resistance value.
平坦性（ディッシング量）：上記層間絶縁膜にオルガノシリケートまたは二酸化ケイ素 を用いたパターン基板を、上記金属用研磨液で９０秒間研磨を行った。
次に、触針式段差計で配線金属部幅１００μｍ、絶縁膜部幅１００μｍが交互 に並んだストライプ状パターン部の表面形状から、絶縁膜部に対する配線金属 部の膜減り量を求めた。
Flatness (dishing amount): A patterned substrate using organosilicate or silicon dioxide as the interlayer insulating film was polished for 90 seconds with the metal polishing liquid.
Next, from the surface shape of the stripe pattern portion in which the wiring metal portion width of 100 μm and the insulating film portion width of 100 μm were alternately arranged by a stylus type step meter, the amount of film reduction of the wiring metal portion relative to the insulating film portion was obtained.
平坦性（エロージョン量）：上記金属用研磨液で９０秒間研磨を行ったパターン基板に 形成された配線金属部幅４．５μｍ、絶縁膜部幅０．５μｍが交互に並んだ
総幅２．５ｍｍのストライプ状パターン部の表面形状を触針式段差計により測 定し、ストライプ状パターン周辺の絶縁膜フィールド部に対するパターン中央 付近の絶縁膜部の膜減り量を求めた。
Flatness (Erosion amount): The wiring metal part width 4.5 μm and the insulating film part width 0.5 μm formed on the pattern substrate polished for 90 seconds with the above metal polishing liquid were alternately arranged.
The surface shape of the stripe pattern portion having a total width of 2.5 mm was measured with a stylus type step gauge, and the amount of film reduction of the insulating film portion near the center of the pattern relative to the insulating film field portion around the stripe pattern was determined.
配線抵抗値：上記金属用研磨液で９０秒間研磨を行ったパターン基板を用いて、配線抵 抗値の測定を行った。ディッシング量測定部の幅１００μｍ銅配線パターンに おいて、配線長さ１ｍｍの配線抵抗値を測定した。また、エロージョン量測定 部の幅４．５μｍ銅配線パターンにおいて、配線長さ１ｍｍの配線抵抗値を測 定した。 Wiring resistance value: The wiring resistance value was measured using a pattern substrate polished for 90 seconds with the above metal polishing liquid. A wiring resistance value of a wiring length of 1 mm was measured on a copper wiring pattern having a width of 100 μm in the dishing amount measuring section. In addition, a wiring resistance value of a wiring length of 1 mm was measured in a copper wiring pattern having a width of 4.5 μm in the erosion amount measuring section.
洗浄性（研磨カスの量）：上記金属用研磨液で９０秒間研磨を行ったパターン基板の
研磨カスの量をＳＥＭを用いて観察し、１ｃｍ２当たりの個数で評価した。
研磨キズ：上記金属用研磨液で９０秒間研磨を行ったパターン基板の研磨キズの量を
ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ２１３８を用いて測定し、１ｃｍ２当たりの個数で評価 した。
Detergency (amount of polishing residue): pattern substrate polished for 90 seconds with the above metal polishing liquid
The amount of debris was observed using SEM and evaluated by the number per 1 cm 2 .
Polishing scratches: The amount of scratches on the pattern substrate that was polished for 90 seconds with the above metal polishing liquid.
Measurement was performed using KLA Tencor 2138, and the number per cm 2 was evaluated.
実施例１〜１２及び比較例１〜２におけるＣＭＰによるオルガノシリケートグラス、二酸化ケイ素、タンタル膜及び銅に関する、研磨速度、エッチング速度、ディッシング量、エロージョン量、配線抵抗値、研磨カスの量及び研磨キズの量を、表３及び表４に示した。 Polishing rate, etching rate, dishing amount, erosion amount, wiring resistance value, amount of polishing residue, and polishing scratches on organosilicate glass, silicon dioxide, tantalum film and copper by CMP in Examples 1-12 and Comparative Examples 1-2 The amounts of are shown in Tables 3 and 4.
比較例１及び比較例２では、オルガノシリケートグラスの研磨速度が小さく、研磨速度の面内均一性が大きいためにディッシング及びエロージョンが大きく配線抵抗値が増加している。また、比較例１及び比較例２では、研磨カスの量及び研磨キズの量が多い。それに対し実施例１〜１２では、オルガノシリケートグラスまたは二酸化ケイ素の研磨速度が大きく研磨速度の面内均一性に優れるために良好なディッシング及びエロージョン特性により配線抵抗の増加が少ない。また、研磨カスの量及び研磨キズの量が少なく良好である。 In Comparative Examples 1 and 2, since the polishing rate of the organosilicate glass is low and the in-plane uniformity of the polishing rate is large, dishing and erosion are large and the wiring resistance value is increased. In Comparative Example 1 and Comparative Example 2, the amount of polishing residue and the amount of polishing scratches are large. On the other hand, in Examples 1-12, since the polishing rate of organosilicate glass or silicon dioxide is large and the in-plane uniformity of the polishing rate is excellent, the increase in wiring resistance is small due to good dishing and erosion characteristics. Further, the amount of polishing residue and the amount of polishing scratches are small and good.
Claims (13)
While supplying the metal polishing liquid according to claim 1 to the polishing cloth of the polishing surface plate, by relatively moving the polishing surface plate and the substrate while pressing the substrate having the film to be polished against the polishing cloth. A polishing method for polishing a film to be polished.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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|---|---|---|---|
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2005285944A (en) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007123235A1 (en) * | 2006-04-24 | 2007-11-01 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Polishing liquid for cmp and method of polishing |
| CN102702979A (en) * | 2011-03-03 | 2012-10-03 | 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 | Stable, concentratable chemical mechanical polishing composition and methods relating thereto |
| JP2012231170A (en) * | 2007-02-27 | 2012-11-22 | Hitachi Chem Co Ltd | Polishing liquid for metal and polishing method |
| WO2018139492A1 (en) * | 2017-01-27 | 2018-08-02 | パレス化学株式会社 | Processing medium, processing composition, and processing method |
| JP2020026532A (en) * | 2018-08-09 | 2020-02-20 | バーサム マテリアルズ ユーエス，リミティド ライアビリティ カンパニー | Chemical mechanical planarization composition for polishing oxide materials and method of use thereof |
| US11643573B2 (en) | 2017-03-14 | 2023-05-09 | Fujimi Incorporated | Polishing composition, production method therefor, and polishing method and production method for substrate, using polishing composition |
-
2004
- 2004-03-29 JP JP2004095151A patent/JP2005285944A/en active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2007123235A1 (en) * | 2006-04-24 | 2009-09-10 | 日立化成工業株式会社 | Polishing liquid and polishing method for CMP |
| CN101432854B (en) * | 2006-04-24 | 2011-04-06 | 日立化成工业株式会社 | Polishing liquid for CMP and method of polishing |
| WO2007123235A1 (en) * | 2006-04-24 | 2007-11-01 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Polishing liquid for cmp and method of polishing |
| US8821750B2 (en) | 2007-02-27 | 2014-09-02 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Metal polishing slurry and polishing method |
| JP2012231170A (en) * | 2007-02-27 | 2012-11-22 | Hitachi Chem Co Ltd | Polishing liquid for metal and polishing method |
| CN102702979B (en) * | 2011-03-03 | 2014-12-03 | 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 | Stable, concentratable chemical mechanical polishing composition and methods relating thereto |
| CN102702979A (en) * | 2011-03-03 | 2012-10-03 | 罗门哈斯电子材料Cmp控股股份有限公司 | Stable, concentratable chemical mechanical polishing composition and methods relating thereto |
| WO2018139492A1 (en) * | 2017-01-27 | 2018-08-02 | パレス化学株式会社 | Processing medium, processing composition, and processing method |
| CN110382655A (en) * | 2017-01-27 | 2019-10-25 | 帕莱斯化学株式会社 | Machining medium, processing compositions and processing method |
| JPWO2018139492A1 (en) * | 2017-01-27 | 2019-11-21 | パレス化学株式会社 | Processing medium, processing composition and processing method |
| CN110382655B (en) * | 2017-01-27 | 2021-05-11 | 帕莱斯化学株式会社 | Processing medium, processing composition and processing method |
| TWI757413B (en) * | 2017-01-27 | 2022-03-11 | 日商帕萊斯化學股份有限公司 | Processing medium, processing composition and processing method |
| US11643573B2 (en) | 2017-03-14 | 2023-05-09 | Fujimi Incorporated | Polishing composition, production method therefor, and polishing method and production method for substrate, using polishing composition |
| JP2020026532A (en) * | 2018-08-09 | 2020-02-20 | バーサム マテリアルズ ユーエス，リミティド ライアビリティ カンパニー | Chemical mechanical planarization composition for polishing oxide materials and method of use thereof |
| US11718767B2 (en) | 2018-08-09 | 2023-08-08 | Versum Materials Us, Llc | Chemical mechanical planarization composition for polishing oxide materials and method of use thereof |
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