JP2005283832A - 電気光学装置および電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】 複数枚の小型基板を接合して大型化を図った場合でも、複数の小型基板の各々に接続された可撓性基板を容易に引き出すことのできる電気光学装置、およびそれを備えた電子機器を提供すること。
【解決手段】 大型の有機ＥＬ表示装置１を構成するにあたって、トップエミッション型小型基板２ａとボトムエミッション型小型基板２ｂとを交互に並べ、各側端面２６同士を接合してある。トップエミッション型小型基板２ａでは、表示光が出射される側の面にパッド２０があるのに対して、ボトムエミッション型小型基板２ｂでは、表示光が出射される側とは反対側の面にパッド２０がある。従って、計８枚の可撓性基板７を小型基板２ａ、２ｂの上面側と下面側とに分けて引き出すことができるので、可撓性基板７の処理が容易である。
【選択図】 図１

Description

本発明は、電気光学装置およびそれを用いた電子機器に関するものである。

各種の電気光学装置のうち、例えば、有機ＥＬ表示装置では、マトリクス状に配置された多数の画素の各々に画素スイッチング用素子および有機ＥＬ素子を備えた基板が用いられる。有機ＥＬ素子は、電子注入電極とホール注入電極とからそれぞれ電子とホールとを発光部内へ注入し、注入された電子およびホールを発光中心で再結合させて有機分子を励起状態にし、この有機分子が励起状態から基底状態へと戻るときに蛍光を発生する。ここで、発光材料である蛍光物質を選択すれば発光色を変化させることができるので、カラー画像を表示できる。

このような有機ＥＬ表示装置に対しては、液晶装置と同様、３０インチを越えるようなものが要求されているが、その場合には基板も大型化する。このため、画素スイッチング用素子としてのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を製造するためのラインが大型化する。また、基板を大型化すること自体、洗浄工程や成膜工程での歩留まりが低下する。さらに、基板として安価なガラス基板を用いることを目的にＴＦＴを低温ポリシリコンＴＦＴで構成しようとすると、アモルファスシリコンをポリシリコンに結晶化するためのレーザアニールが不安定となる。そこで、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すように、従来の技術や設備で十分、製造可能な大きさの基板（小型基板）を複数枚、平面的に配置し、小型基板２ｂの側端面２６同士を接合して大型の有機ＥＬ表示装置を製作することが提案されている（例えば、特許文献１参照）。

ここで、４枚の小型基板２ｂはいずれも、電気光学物質としての有機ＥＬ材料で構成された有機ＥＬ素子１０１を保持する側とは反対側の面から表示光（矢印Ｌｂで示す）を出射するボトムエミッション型の小型基板であり、この有機ＥＬ材料を保持している側の面には、可撓性基板７が接続されるパッド２０が形成されている。
特開２００２−２９７０６３号公報

しかしながら、複数枚の小型基板２を用いた場合には、小型基板２の各々に可撓性基板７を接続する必要があるため、図８（Ａ）、（Ｂ）に示すような構成の場合、計８枚の可撓性基板の全てを表示光が出射される側とは反対側に引き出すため、可撓性基板７を引き出すのにスペース面などでの制約が大きいという問題点がある。

また、従来は、小型基板２ｂの側端面２６同士を接合するには、図９（Ａ）に示すように、小型基板２ｂの端部にブレード４を直角に当てながら切断し、側端面２６の形状を揃える必要があるが、かかる切断の際、ブレード４による切断位置に誤差が発生することを避けることができないため、小型基板２ｂ同士で画素ピッチがずれてしまうという問題点がある。また、切断の際、ブレード４が、矢印Ｓで示す走行方向に対してヨーイングし、図９（Ｂ）に示すように、小型基板２ｂの切断面に凹凸が発生することを避けることができない。それ故、小型基板２ｂの側端面２６同士を接合した際、図９（Ｃ）に示すように、小型基板２ｂの側端面２６の間に無用な隙間が発生し、設計上での接合代よりも、実際の接合代がかなり大きくなってしまうという問題点がある。

また、小型基板２ｂでは、相隣接する２辺に沿ってパッド２０が配列されているため、パッド２０が形成されている端部は、他の小型基板２ｂと接合することができず、外周に位置しなければならない。それ故、小型基板２ｂを４枚以上、配列することができないという問題点がある。

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、複数枚の小型基板を接合して大型化を図った場合でも、複数の小型基板の各々に接続された可撓性基板を容易に引き出すことのできる電気光学装置、およびそれを備えた電子機器を提供することにある。

また、本発明の課題は、複数枚の小型基板を接合して大型化を図った場合でも、接合部分に隙間が目立たず、かつ、画素ピッチを揃えることのできる電気光学装置、およびそれを用いた電子機器を提供することにある。

また、本発明の課題は、パッドが形成されている端部でも他の小型基板と接合させることのできる電気光学装置、およびそれを用いた電子機器を提供することにある。

上記課題を解決するために、本発明では、多数の画素がマトリクス状に構成された複数枚の略矩形の小型基板の側端面同士が接合されて当該複数枚の小型基板が表示光を同一方向に出射する電気光学装置において、前記小型基板には、電気光学物質を保持する面側に可撓性基板が実装されるパッドが形成され、前記複数枚の小型基板として、電気光学物質を保持する面側から表示光を出射するトップエミッション型小型基板と、電気光学物質を保持する側とは反対側の面から表示光を出射するボトムエミッション型小型基板とが用いられていることを特徴とする。

本発明では、トップエミッション型小型基板とボトムエミッション型小型基板とが用いられ、トップエミッション型小型基板では、表示光が出射される側の面にパッドがあるのに対して、ボトムエミッション型小型基板では、表示光が出射される側とは反対側の面にパッドがある。従って、表示光を同一方向に向けて出射するようにトップエミッション型小型基板とボトムエミッション型小型基板とを配置すると、トップエミッション型小型基板では、表示光が出射される側に可撓性基板が引き出され、ボトムエミッション型小型基板では、表示光が出射される側とは反対側に可撓性基板が引き出される。従って、複数の可撓性基板を小型基板の上面側と下面側とに分けて引き出すことができるので、可撓性基板の処理が容易である。

本発明において、前記小型基板が表示光を出射する側を上側としたとき、前記トップエミッション型小型基板と前記ボトムエミッション型小型基板との接合部分では、前記ボトムエミッション型小型基板において上向きの順テーパをもつ側端面と、前記トップエミッション型小型基板において下向きの逆テーパをもつ側端面とが接合されていることが好ましい。このように構成すると、接合部分では、小型基板の端部同士が厚さ方向で重なっている。従って、小型基板をブレードで切断した際、切断面に凹凸が発生した場合でも、このような凹凸に起因して接合部分に発生する隙間は、厚さ方向で発生するだけであり、面内方向では発生しない。すなわち、接合部分に隙間が発生した場合でも、表示光の出射側からみたとき、このような隙間は、小型基板端部で覆われるので、目立たない。また、小型基板をブレードで切断した際、切断位置に誤差が発生した場合でも、小型基板を斜め方向でずらすだけで、面内方向における小型基板の相対位置を調整できるので、画素ピッチのずれを抑えることができる。

本発明において、前記トップエミッション型小型基板の端部および前記ボトムエミッション型小型基板の端部では、前記接合部分に沿って信号線が延びており、前記トップエミッション型小型基板の前記信号線および前記ボトムエミッション型小型基板の前記信号線は、前記接合部分で平面的に略重なっていることが好ましい。本発明では、上向きの順テーパをもつ側端面と下向きの逆テーパをもつ側端面とが接合され、小型基板の端部同士が厚さ方向で重なっているので、接合部分に沿って延びた信号線同士を平面的に重ねれば、接合部分を挟む両側の画素のピッチを他の領域の画素ピッチと揃えることができる。

本発明において、前記ボトムエミッション型小型基板は、相隣接する２辺に沿って前記パッドが配列されているとともに、当該パッドが形成された前記ボトムエミッション型小型基板の端部と前記トップエミッション型小型基板との接合部分では、当該パッドと前記トップエミッション型小型基板の端部とが平面的に略重なっていることが好ましい。ボトムエミッション型小型基板は表示光が出射される側とは反対側で可撓性基板が引き出されるため、ボトムエミッション型小型基板においてパッドが形成された端部とトップエミッション型小型基板とを接合しても、当該パッドに接合された可撓性基板は、表示光が出射される側とは反対側に位置するので、表示光が出射される側からは見えない。しかも、本発明では、上向きの順テーパをもつ側端面と下向きの逆テーパをもつ側端面とが接合され、小型基板の端部同士が厚さ方向で重なっているので、ボトムエミッション型小型基板においてパッドが形成された端部とトップエミッション型小型基板の端部とを平面的に重ねれば、ボトムエミッション型小型基板のパッドが形成されている端部では、トップエミッション型小型基板の端部が表面側に位置する。それ故、ボトムエミッション型小型基板のパッドが形成されている端部とトップエミッション型小型基板の端部とを接合しても、パッドが形成されている領域を表示領域として利用できるので、５枚以上の小型基板を接合させた電気光学装置であっても、見栄えのよい画像表示領域を構成することができる。

本発明は、エレクトロルミネッセンス表示装置などといった自発光型表示装置に適用でき、この場合、前記小型基板は、前記多数の画素の各々に陽極層、電気光学物質としての発光層、および陰極層が積層された自発光素子を備えている。

本発明は液晶装置にも適用でき、この場合、前記小型基板は、液晶を保持する一対の基板のうち、パッドが形成されている側の基板である。

本発明に係る電気光学装置は、携帯電話機やモバイルコンピュータなどといった携帯用電子機器に用いることができるとともに、３０インチを越えるような大型画面を備えた電子機器に用いることができる。

以下、本発明に係る電気光学装置、およびそれを用いた電子機器の一実施形態について説明する。なお、参照する各図において、図面上で認識可能な大きさとするために縮尺が各層や各部材ごとに異なる場合がある。

［実施の形態１］
（有機ＥＬ表示装置の全体構成）
図１（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の実施の形態１に係るアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の斜視図、および小型基板同士の接合部分を拡大して模式的に示す説明図である。図２は、図１に示す有機ＥＬ表示装置の電気的構成を示す説明図である。なお、図１（Ｂ）には、小型基板の素子形成面に対して、有機ＥＬ素子と、走査線、信号線あるいは電源線としての配線のみを図示してある。

図１において、本形態の有機ＥＬ表示装置１（電気光学装置／自発光型表示装置）は、いわゆるタイリング技術を利用した３０インチ以上の大型の表示装置であり、小型基板２ａ、２ｂ（電気光学装置用基板）が４枚、平面的に配列されている。なお、小型基板２の表面側あるいは裏面側に基板が貼られることがあるが、図示を省略してある。

有機ＥＬ表示装置１において、小型基板２ａ、２ｂの各画像表示領域３０には、図２に示すように多数の画素１００がマトリクス状に配列され、小型基板２ａ、２ｂの各画像表示領域３０が繋がって、有機ＥＬ表示装置１の大型の画像表示領域３が構成されている。図２において、本形態の有機ＥＬ表示装置１も、周知の有機ＥＬ表示装置と同様、４枚の小型基板２ａ、２ｂの各々に、複数の走査線１３１と、走査線１３１に対して交差する方向に延びる複数の信号線１３２と、信号線に並列して延びる複数の電源線１３３とが配線されている。また、走査線１３１および信号線１３２の各交点毎に画素１００が形成されている。信号線１３２には、例えば、シフトレジスタ、レベルシフタ、ビデオラインおよびアナログスイッチを含むデータ側駆動回路１０３が接続されている。また、走査線１３１にはシフトレジスタおよびレベルシフタを含む走査側駆動回路１０４が接続されている。

（トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置の画素構成）
図３は、本発明に係る有機ＥＬ表示装置に用いたトップエミッション型小型基板の画素を拡大して示す断面図である。

図２および図３に示すように、本形態の有機ＥＬ表示装置１に用いた小型基板２ａ、２ｂのうち、小型基板２ａは、トップエミッション型小型基板であり、多数の画素１００の各々には、透明な基材１５１の素子形成面１５５の側に、走査線１３１を介して走査信号がゲート電極に供給される画素スイッチング用のＴＦＴ１２３と、このＴＦＴ１２３を介して信号線１３２から供給される画像信号を保持する保持容量１３５と、保持容量１３５によって保持された画像信号がゲート電極に供給される画素スイッチング用（駆動用）のＴＦＴ１２４とが形成されている。このようなＴＦＴ１２３、１２４などを形成するために、小型基板２ａには、ガラス基板からなる基材１５０上にシリコン酸化膜からなる下地保護膜１５２が形成され、この下地保護膜１５２上に低温ポリシリコン膜からなる島状の半導体膜１４１が形成されている。

半導体膜１４１にはソース・ドレイン領域１４１ａ、１４１ｂが高濃度Ｐイオン打ち込みによって形成され、Ｐが導入されなかった部分がチャネル領域１４１ｃとなっている。下地保護膜１５２および半導体膜１４１の表面側にはゲート絶縁膜１４２が形成され、ゲート絶縁膜１４２上にはＡｌ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ等からなるゲート電極１４３（走査線）が形成されている。ゲート電極１４３およびゲート絶縁膜１４２の表面側には、透明な第１層間絶縁膜１４４ａと第２層間絶縁膜１４４ｂとが形成されている。第２層間絶縁膜１４４ｂは、下層側の凹凸を解消する分厚い樹脂層で形成された平坦化層としても機能しており、トップエミッション型ではこのような平坦化は重要である。

ゲート電極１４３は半導体膜１４１のチャネル領域１４１ｃに対応する位置に設けられている。また、層間絶縁膜１４４ａ、１４４ｂには、半導体膜１４１のソース・ドレイン領域１４１ａ、１４１ｂにそれぞれ接続されるコンタクトホール１４５、１４６が形成されている。第２層間絶縁膜１４４ｂ上には、ＴＦＴ１２４を介して電源線１３３に電気的に接続したときに電源線１３３から駆動電流が流れ込むＩＴＯ層からなる透明な画素電極１１１が所定の形状に形成されている。画素電極１１１に対しては、コンタクトホール１４５およびソース・ドレイン電極１４７を介してＴＦＴ１２４のソース・ドレイン領域１４１ａが接続されている。

各画素１００には、陽極層としての画素電極１１１と陰極層１２２との間に挟み込まれた発光機能層１１０（発光層／電気光学物質）を備えた有機ＥＬ素子１０１（自発光素子）が形成されている。有機機能層１１０は、例えば、画素電極１１１上に積層された正孔注入／輸送層と、正孔注入／輸送層上に形成された発光層（有機ＥＬ層）とから構成されている。なお、発光層と陰極層１２２との間に電子注入／輸送層が形成される場合もある。正孔注入／輸送層は、正孔を発光層に注入する機能を有すると共に、正孔を正孔注入／輸送層内部において輸送する機能を有する。発光層では、正孔注入／輸送層から注入された正孔と、陰極層１２２の側から注入された電子が再結合し、発光が得られる。ここで、多数の画素１００ａは、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色に対応しており、このような色の対応は、有機機能層１１０を構成する材料の種類によって規定されている。

本形態の有機ＥＬ表示装置１００は、矢印Ｌａで示すように、基材１５１と反対側に向けて表示光を出射するトップエミッション型であり、陰極層１２２は、カルシウム層１２２ａと、ＩＴＯ層などからなる光透過性陰極層１２２ｂとから構成され、小型基板２ｂのパッド形成領域を除く略全面に形成されている。また、画素電極１１１の下層側には、画素電極１１１の重なるように光反射層１１３が形成されている。

画素１００には、画素電極１１１の周縁部を取り囲むように隔壁１１２がバンクとして形成されている。隔壁１１２は、有機機能層１１０を形成する際、インクジェット法（液体吐出法）により吐出、塗布される液状組成物の塗布領域を規定するものであり、その表面張力によって、液状組成物が均一な厚さで形成される。隔壁１１２は、例えば、基板側に位置する無機物バンク層と、無機物バンク層の上層に形成された有機物バンク層とから構成される。また、小型基板２ａの素子形成面１５５には、水や酸素の侵入を防ぐことによって陰極層１２２あるいは有機機能層１１０の酸化を防止する封止樹脂１４０が形成されている。なお、電気光学装置用基板１５０の素子形成面側には封止基板が貼られることがあるが、図示を省略してある。

このように構成した小型基板２ａにおいて、走査線１３１が駆動されてＴＦＴ１２３がオン状態になると、そのときの信号線１３２の電位が保持容量１３５に保持され、この保持容量１３５の状態に応じて駆動用のＴＦＴ１２４の導通状態が制御される。また、駆動用のＴＦＴ１２４がオン状態になったとき、ＴＦＴ１２４を介して電源線１３３から画素電極１１１に電流が流れ、有機ＥＬ素子１０１では、有機機能層１１０を通じて陰極層１２２に電流が流れる。そして、このときの電流量に応じて有機機能層１１０が発光する。そして、有機機能層１１０から発した光は、陰極層１２２を透過して、矢印Ｌａで示すように、観測者側に出射される一方、有機機能層１１０から基材１５１に向けて出射された光は、反射層１２２によって反射され、矢印Ｌａで示すように、観測者側に出射される。

ここで、図１（Ａ）に示すパッド２０は、データ線や走査線などの信号線１３０と同時形成されるものである。このため、トップエミッション型小型基板２ａでは、表示光が出射される側の面にパッド２０がある。

［ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置への適用例］
図４は、本発明に係る有機ＥＬ表示装置に用いたボトムエミッション型小型基板の画素を拡大して示す断面図である。なお、本形態のボトムエミッション型小型基板は、図３を参照して説明したトップエミッション型小型基板と基本的な構成が同様であるため、共通する機能を有する部分は同一の符号を付して図示し、それらの説明を省略する。

図４において、本形態の有機ＥＬ表示装置１に用いた小型基板２ａ、２ｂのうち、小型基板２ｂは、ボトムエミッション型小型基板であり、トップエミッション型小型基板２ａと同様、各画素１００には、陽極層としての画素電極１１１と陰極層１２２との間に挟み込まれた発光機能層１１０（発光層／電気光学物質）を備えた有機ＥＬ素子１０１（自発光素子）が形成されている。ここで、陰極層１２２は、カルシウム層１２２ａと、アルミニウム層などからなる光反射性陰極層１２２ｃとから構成されている。また、画素電極１１１の下層側には光反射層が形成されていない。従って、有機機能層１１０から発した光は、画素電極１１１および透明な基材１５１を透過して、矢印Ｌｂで示すように、基材１５１側の観測者に向けて出射される一方、有機機能層１１０から陰極層１２２に向けて出射された光は、光反射性陰極層１２２ｃによって反射され、矢印Ｌｂで示すように、基材１５１側の観測者に向けて出射される。

ここで、図１（Ａ）に示すパッド２０は、データ線や走査線などの信号線１３０と同時形成されるものである。このため、ボトムエミッション型小型基板２ｂでは、表示光が出射される側とは反対側の面にパッド２０がある。

（接合のための構成）
このように構成した小型基板２ａ、２ｂを用いて大型の有機ＥＬ表示装置１を構成するにあたって、本形態では、トップエミッション型小型基板２ａとボトムエミッション型小型基板２ｂとを交互に並べ、各側端面２６同士を接合してある。ここで、トップエミッション型小型基板２ａでは、表示光が出射される側の面にパッド２０があるのに対して、ボトムエミッション型小型基板２ｂでは、表示光が出射される側とは反対側の面にパッド２０がある。従って、表示光を同一方向に向けて出射するようにトップエミッション型小型基板２ａとボトムエミッション型小型基板２ｂとを配置すると、トップエミッション型小型基板２ａでは、表示光が出射される側に可撓性基板７が引き出され、ボトムエミッション型小型基板２ｂでは、表示光が出射される側とは反対側に可撓性基板７が引き出される。従って、計８枚の可撓性基板７を小型基板２ａ、２ｂの上面側と下面側とに分けて引き出すことができるので、可撓性基板７の処理が容易である。

なお、小型基板２ａ、２ｂにおいて、小型基板２ｂでは画素サイズが小さく見える場合がある。このような場合には、小型基板２ａ、２ｂにおいて画素サイズを変えておいてもよい。

［実施の形態２］
図５（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の実施の形態２に係るアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の斜視図、および平面図である。図６は、本形態の有機ＥＬ表示装置の小型基板同士の接合部分を拡大して模式的に示す説明図である。なお、図４には、小型基板２の素子形成面２１については、有機ＥＬ素子１０１と、走査線１３１、信号線１３２あるいは電源線１３３としての配線１３０のみを図示してある。また、本形態の有機ＥＬ表示装置は、基本的な構成が実施の形態１と同様であるため、共通する部分については、同一の符号を付してそれらの説明を省略する。

図５（Ａ）、（Ｂ）および図６に示すように、本形態でも、実施の形態１と同様、大型の有機ＥＬ表示装置１を構成するにあたって、トップエミッション型小型基板２ａとボトムエミッション型小型基板２ｂとを交互に並べ、各側端面２６同士を接合してある。ここで、トップエミッション型小型基板２ａでは、表示光が出射される側の面にパッド２０があるのに対して、ボトムエミッション型小型基板２ｂでは、表示光が出射される側とは反対側の面にパッド２０がある。従って、表示光を同一方向に向けて出射するようにトップエミッション型小型基板２ａとボトムエミッション型小型基板２ｂとを配置すると、トップエミッション型小型基板２ａでは、表示光が出射される側に可撓性基板７が引き出され、ボトムエミッション型小型基板２ｂでは、表示光が出射される側とは反対側に可撓性基板７が引き出される。従って、計８枚の可撓性基板７を小型基板２ａ、２ｂの上面側と下面側とに分けて引き出すことができるので、可撓性基板７の処理が容易である。

また、本形態では、小型基板２ａ、２ｂを接合するにあたって、図６に示すように、ボトムエミッション型小型基板２ｂについては、その側端面２６を上向きの順テーパ２６ａとなるように切断してある一方、トップエミッション型小型基板２ａについては、その側端面２６を下向きの逆テーパ２６ｂとなるように切断してあり、このようなテーパを備えた側端面２６同士を接着剤で接合してある。従って、側端面２６を順テーパ２６ａとしたボトムエミッション型小型基板２ｂの端部が、側端面２６を逆テーパ２６ｂとしたトップエミッション型小型基板２ａの端部の下方に潜り込んだ状態にあり、小型基板２ａの端部に形成されている配線１３０と、他方の小型基板２ｂの端部に形成されている配線１３０とは平面的に（厚さ方向で）重なっている。

このような側端面２６の形状は、図９（Ａ）を参照して説明した切断工程で、小型基板２の端部に対してブレード４を、例えば４５°の角度に傾けばよい。

ここで、図５（Ａ）、（Ｂ）に示すように、有機ＥＬ表示装置１では、トップエミッション型小型基板２ａとボトムエミッション型小型基板２ｂとを交互に並べてあり、いずれの接合部分においても、図６に示すように、ボトムエミッション型小型基板２ｂの順テーパ２６ａと、トップエミッション型小型基板２ａの逆テーパ２６ｂとが接合された構造になっている。本形態では、トップエミッション型小型基板２ａとボトムエミッション型小型基板２ｂは、同一の基板厚を有しており、側端面２６同士を接着剤で接合した際、小型基板２ａ、２ｂは、厚さ方向において同一位置にある。

このように本形態では、トップエミッション型小型基板２ａとボトムエミッション型小型基板２ｂとが順テーパ２６ａと逆テーパ２６ｂとによって接合されている。このため、図９（Ｂ）を参照して説明したように、小型基板２をブレード４で切断した際、矢印Ｓで示す走行方向に対するヨーイングによって小型基板２の切断面に凹凸が発生した場合でも、このような凹凸に起因する隙間は、厚さ方向で発生するだけであり、面内方向では発生しない。すなわち、トップエミッション型小型基板２ａとボトムエミッション型小型基板２ｂと接合部分に隙間が発生した場合でも、有機ＥＬ表示装置１を表示光の出射側からみたとき、このような隙間は、トップエミッション型小型基板２ａの端部で覆われるので、目立たない。それ故、接合代を気にする必要がない。

また、小型基板２ａ、２ｂをブレード４で切断した際、切断位置に誤差が発生した場合でも、小型基板２ａ、２ｂを斜め方向でずらすだけで、面内方向における小型基板２ａ、２ｂの相対位置を調整できる。それ故、接合部分における画素ピッチのずれを最小限に抑えることができる。ここで、小型基板２ａ、２ｂを斜め方向でずらすと、数十μｍの段差が発生するが、このような段差であれば、基板表面の凹凸の大きさと比較して支障がない。

また、本形態では、側端面２６を順テーパ２６ａとしたボトムエミッション型小型基板２ｂの端部を、側端面２６を逆テーパ２６ｂとしたトップエミッション型小型基板２ａの端部の下方に潜り込ませて、トップエミッション型小型基板２ａの端部に形成されている配線１３０と、ボトムエミッション型小型基板２ｂの端部に形成されている配線１３０の位置とを平面的に重ねてある。それ故、ボトムエミッション型小型基板２ｂとトップエミッション型小型基板２ａの接合部分の画素ピッチを他の領域の画素ピッチと完全に揃えることができる。

さらに、本形態では、小型基板２ａ、２ｂとして同一の基板厚のものを用い、かつ、小型基板２ａ、２ｂが厚さ方向において同一位置になるように接合してある。従って、小型基板２ａ、２ｂの素子形成面１５５とは反対側の面の位置を厚さ方向で一致させることができる。それ故、４枚の小型基板２の面２２に対して支持基板を接着して、強度を高めることが容易である。

なお、小型基板２ａ、２ｂにおいて、小型基板２ｂでは画素サイズが小さく見える場合がある。このような場合には、小型基板２ａ、２ｂにおいて画素サイズを変えておいてもよい。

［実施の形態３］
図７（Ａ）、（Ｂ）は、本発明の実施の形態３に係るアクティブマトリクス型の平面図、およびこの有機ＥＬ表示装置の小型基板同士の接合部分を拡大して模式的に示す説明図である。なお、図７（Ｂ）には、小型基板の素子形成面については、有機ＥＬ素子１０１と、走査線１３１、信号線１３２あるいは電源線１３３としての配線１３０と、パッド２０のみを図示してある。また、本形態の有機ＥＬ表示装置は、基本的な構成が実施の形態１、２と同様であるため、共通する部分については、同一の符号を付してそれらの説明を省略する。

図７（Ａ）、（Ｂ）に示すように、本形態では、大型の有機ＥＬ表示装置１を構成するにあたって、縦方向に２列、トップエミッション型小型基板２ａ、ボトムエミッション型小型基板２ｂ、およびトップエミッション型小型基板２ａをこの順に並べ、各側端面２６同士を接合してある。

また、小型基板２ａ、２ｂを図７（Ａ）に示すように接合するにあたって、ボトムエミッション型小型基板２ｂについては、その側端面２６を上向きの順テーパ２６ａとなるように切断してある一方、トップエミッション型小型基板２ａについては、その側端面２６を下向きの逆テーパ２６ｂとなるように切断してあり、このようなテーパを備えた側端面２６同士を接着剤で接合してある。従って、側端面２６を順テーパ２６ａとしたボトムエミッション型小型基板２ｂの端部は、側端面２６を逆テーパ２６ｂとしたトップエミッション型小型基板２ａの端部の下方に潜り込んだ状態になる。

ここで、小型基板２ａ、２ｂのいずれにおいても、相隣接する２辺に沿ってパッド２０が配列されている。但し、トップエミッション型小型基板２ａでは、表示光が出射される側の面にパッド２０があるので、可撓性基板７が表示光の出射側で小型基板２ａ、２ｂに被さらないように、トップエミッション型小型基板２ａにおいてパッド２０が形成されている２辺のいずれに対しても、他の小型基板が隣接していない。

これに対して、ボトムエミッション型小型基板２ｂでは、相隣接する２辺に沿ってパッド２０が配列されているが、表示光が出射される側とは反対側の面にパッド２０がある。そこで、本形態では、パッド２０が配列されている２辺のうちの１辺については、トップエミッション型小型基板２ａと接合し、トップエミッション型小型基板２ａと接合されている辺に配列されているパッド２０に対しても可撓性基板７が接合している。それでも、この可撓性基板７は、表示光が出射される側からは見えない。

また、本形態では、側端面２６を順テーパ２６ａとしたボトムエミッション型小型基板２ｂの端部が、側端面２６を逆テーパ２６ｂとしたトップエミッション型小型基板２ａの端部の下方に潜り込んだ状態にあり、図７（Ｂ）に示すように、ボトムエミッション型小型基板２ｂのパッド２０とトップエミッション型小型基板２ａの端部とが平面的に重なっている。従って、ボトムエミッション型小型基板２ｂのパッド２０が形成されている端部では、トップエミッション型小型基板２ａの端部が表面側に位置する。それ故、ボトムエミッション型小型基板２ｂのパッド２０が形成されている端部とトップエミッション型小型基板２ａの端部とを接合しても、パッド２０が形成されている領域を表示領域として利用することができる。

なお、トップエミッション型小型基板２ａとボトムエミッション型小型基板２ｂとの接合部分のうち、パッド２０が配列されていない側では、図６を参照して説明したように、小型基板２ａの端部に形成されている配線１３０の位置と、他方の小型基板２ｂの端部に形成されている配線１３０の位置とを平面的に重ねれば、ボトムエミッション型小型基板２ｂとトップエミッション型小型基板２ａの接合部分の画素ピッチを他の領域の画素ピッチと完全に揃えることができる。また、トップエミッション型小型基板２ａ同士の接合部分、およびボトムエミッション型小型基板２ｂ同士の接合部分についても、順テーパの側端面と逆テーパの側端面とを接合させた構成を採用すれば、接合部分の隙間が目立たないという利点がある。

以上説明したように、本形態では、トップエミッション型小型基板２ａとボトムエミッション型小型基板２ｂとを用いたため、計１２枚の可撓性基板７を小型基板２ａ、２ｂの上面側と下面側とに分けて引き出すことができるので、可撓性基板７の処理が容易であるなど、実施の形態１、２と同様な効果を奏する。

また、本形態では、側端面２６を順テーパ２６ａとしたボトムエミッション型小型基板２ｂの端部を、側端面２６を逆テーパ２６ｂとしたトップエミッション型小型基板２ａの端部の下方に潜り込ませ、ボトムエミッション型小型基板２ｂのパッド２０が形成されている端部をトップエミッション型小型基板２ａの端部で覆ってある。それ故、ボトムエミッション型小型基板２ｂのパッド２０が形成されている端部とトップエミッション型小型基板２ａの端部とを接合しても、パッド２０が形成されている領域が非表示領域にならない。それ故、５枚以上の小型基板２ａ、２ｂを接合させた有機ＥＬ表示装置１であっても、見栄えのよい画像表示領域３を構成することができる。

なお、小型基板２ａ、２ｂにおいて、小型基板２ｂでは画素サイズが小さく見える場合がある。このような場合には、小型基板２ａ、２ｂにおいて画素サイズを変えておいてもよい。

［その他の実施の形態］
また、上記実施の形態は、１枚の電気光学装置用基板（小型基板）に電気光学物質を保持した有機ＥＬ表示装置に本発明を適用した例であったが、一対の基板の間に電気光学物質を保持したパネルを複数枚、側端面同士を接合させて大型の液晶装置を製作する場合に本発明を適用してもよい。この場合、小型基板は、液晶を保持する一対の基板のうち、パッドが形成されている側の基板に相当する。

［電子機器への適用］
本発明を適用した電気光学装置については、マルチメディア対応のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）、モバイルコンピュータ、エンジニアリング・ワークステーション（ＥＷＳ）、ページャ、あるいは携帯電話機、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型またはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、電子手帳、電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、ＰＯＳ端末、タッチパネルなどの電子機器に適用できる他、３０インチを越えるような大画面を備えた電子機器を構成するのに搭載される。

本発明の実施の形態１に係るアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の斜視図、および小型基板同士の接合部分を拡大して模式的に示す説明図である。 図１に示す有機ＥＬ表示装置の電気的構成を示す説明図である。 図１に示す有機ＥＬ表示装置に用いたトップエミッション型小型基板の画素を拡大して示す断面図である。 図１に示す有機ＥＬ表示装置に用いたボトムエミッション型小型基板の画素を拡大して示す断面図である。 （Ａ）、（Ｂ）は、本発明の実施の形態２に係るアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の斜視図、および平面図である。 図５に示す有機ＥＬ表示装置の小型基板同士の接合部分を拡大して模式的に示す説明図である。 （Ａ）、（Ｂ）は、本発明の実施の形態３に係るアクティブマトリクス型の平面図、およびこの有機ＥＬ表示装置の小型基板同士の接合部分を拡大して模式的に示す説明図である。 （Ａ）、（Ｂ）は、従来のアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の斜視図、および小型基板同士の接合部分を拡大して模式的に示す説明図である。 従来の有機ＥＬ表示装置の問題点の説明図である。

符号の説明

１ 有機ＥＬ表示装置（電気光学装置）、２ａ トップエミッション型小型基板、２ｂ ボトムエミッション型小型基板、３、３０ 画像表示領域、７ 可撓性基板、２０ パッド、２６ 側端面、２６ａ 上向きの順テーパ、２６ｂ 下向きの逆テーパ

Claims (6)

1. 多数の画素がマトリクス状に構成された複数枚の小型基板の側端面同士が接合されて当該複数枚の小型基板が表示光を同一方向に出射する電気光学装置において、
   前記小型基板には、電気光学物質を保持する面側に可撓性基板が実装されるパッドが形成され、
   前記複数枚の小型基板として、電気光学物質を保持する面側から表示光を出射するトップエミッション型小型基板と、電気光学物質を保持する側とは反対側の面から表示光を出射するボトムエミッション型小型基板とが用いられていることを特徴とする電気光学装置。
2. 請求項１において、前記小型基板が表示光を出射する側を上側としたとき、前記トップエミッション型小型基板と前記ボトムエミッション型小型基板との接合部分では、前記ボトムエミッション型小型基板において上向きの順テーパをもつ側端面と、前記トップエミッション型小型基板において下向きの逆テーパをもつ側端面とが接合されていることを特徴とする電気光学装置。
3. 請求項２において、前記トップエミッション型小型基板の端部および前記ボトムエミッション型小型基板の端部では、前記接合部分に沿って信号線が延びており、
   前記トップエミッション型小型基板の前記信号線および前記ボトムエミッション型小型基板の前記信号線は、前記接合部分で平面的に略重なっていることを特徴とする電気光学装置。
4. 請求項２において、前記ボトムエミッション型小型基板は、相隣接する２辺に沿って前記パッドが配列されているとともに、
   当該パッドが形成された前記ボトムエミッション型小型基板の端部と前記トップエミッション型小型基板との接合部分では、当該パッドと前記トップエミッション型小型基板の端部とが平面的に略重なっていることを特徴とする電気光学装置。
5. 請求項１ないし４のいずれかにおいて、前記小型基板は、前記多数の画素の各々に陽極層、前記電気光学物質としての発光層および陰極層が積層された自発光素子を備えていることを特徴とする電気光学装置。
6. 請求項１ないし５のいずれかに規定する電気光学装置を有することを特徴とする電子機器。

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