JP2005277402A - Etching composition for laminated film including reflective electrode film and method for forming laminated wiring structure - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、液晶表示装置等の信号配線に用いる積層配線構造の形成方法に関し、更に詳しくは、反射電極膜を含む積層膜をエッチングし反射／透過基板を形成する工程を含む、反射／透過型液晶表示装置の信頼性の高い積層配線構造を生産効率良く形成する方法に関する。本発明はさらに、前記反射電極膜を含む積層膜のエッチングに好適に用いられるエッチング組成物に関する。 The present invention relates to a method for forming a laminated wiring structure used for signal wiring of a liquid crystal display device, and more particularly, a reflective / transmissive type including a step of etching a laminated film including a reflective electrode film to form a reflective / transmissive substrate. The present invention relates to a method for forming a highly reliable laminated wiring structure of a liquid crystal display device with high production efficiency. The present invention further relates to an etching composition suitably used for etching a laminated film including the reflective electrode film.
ガラス基板上に、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明画素電極をマトリクス状に配列し、これをＴＦＴ（Thin Film Transistor）で駆動するアクティブマトリクス（ＡＭ）型の液晶表示装置（ＬＣＤ）は、低消費電力または表示性能の点からＬＣＤの主流になっており、走査線本数の増加などの技術によって、ディスプレイの高解像度化、高コントラスト化、多階調化および広視野角化が達成されつつある。また、近年、より低消費電力化の要求が高まり、通常バックライトを必要とする透過型液晶表示装置に代わって、反射型液晶表示装置および反射／透過型液晶表示装置の開発が盛んである。 Transparent matrix electrodes such as ITO (Indium Tin Oxide) and IZO (Indium Zinc Oxide) are arranged in a matrix on a glass substrate, and this is an active matrix (AM) type liquid crystal display that is driven by a TFT (Thin Film Transistor) Devices (LCD) have become the mainstream of LCDs in terms of low power consumption and display performance, and technologies such as an increase in the number of scanning lines have increased display resolution, contrast, multi-gradation, and wide field of view. Keratinization is being achieved. In recent years, the demand for lower power consumption has increased, and instead of a transmissive liquid crystal display device that normally requires a backlight, a reflective liquid crystal display device and a reflective / transmissive liquid crystal display device have been actively developed.
反射型液晶表示装置における反射層の材料として、Ａｌ、Ａｇが挙げられるが、ＡｇはＳｉ層へ拡散しやすいため、半導体製造工程では取り扱いに注意が必要である。そのため、Ｓｉ層への拡散やＳｉとの反応の可能性が小さいＡｌが、エッチング特性などのプロセス特性にも優れていることから広く用いられている。しかしながら、反射／透過型液晶表示装置においては、カラーフィルター側の電極がＩＴＯで形成されているのに対して、透過部分はＩＴＯ、反射部分はＡｌであるため、透過部分と反射部分の仕事関数の違いによりちらつきなどの表示不良が生じる。その対策として、Ａｌ反射電極膜上に透過部分を形成するＩＴＯ膜と同じ位の仕事関数を持つ透明導電材料（例えば、ＩＴＯやＩＺＯなど）を積層することが提案されている（特許文献１参照）。 Examples of the material for the reflective layer in the reflective liquid crystal display device include Al and Ag. However, since Ag easily diffuses into the Si layer, it is necessary to handle it with care in the semiconductor manufacturing process. Therefore, Al, which has a low possibility of diffusion into the Si layer and reaction with Si, is widely used because it has excellent process characteristics such as etching characteristics. However, in the reflective / transmissive liquid crystal display device, the color filter side electrode is made of ITO, whereas the transmissive part is ITO and the reflective part is Al, so the work function of the transmissive part and the reflective part. Due to the difference, display defects such as flickering occur. As a countermeasure, it has been proposed to laminate a transparent conductive material (for example, ITO, IZO, etc.) having the same work function as the ITO film that forms the transmission part on the Al reflective electrode film (see Patent Document 1). ).
また、Ａｌ反射電極を用いた反射／透過型液晶表示装置では、透過部分、信号入力端子を形成するＩＴＯ透明電極と、Ａｌ反射電極が同一基板内に存在する。そのままフォトリソ工程を利用してＡｌ反射電極膜を所定の形状にパターン化する場合、アルカリ性の現像液を使用すると、ＩＴＯ透明電極とＡｌ反射電極との間で電池効果による腐食（電食）が起きて、歩留まりが低下する。 Further, in a reflection / transmission type liquid crystal display device using an Al reflection electrode, an ITO transparent electrode that forms a transmission part, a signal input terminal, and an Al reflection electrode exist on the same substrate. When an Al reflective electrode film is patterned into a predetermined shape using a photolithographic process as it is, if an alkaline developer is used, corrosion (electric corrosion) due to the battery effect occurs between the ITO transparent electrode and the Al reflective electrode. Yield decreases.
この電食を防止するためにＡｌ反射電極膜を成膜する前に、ＩＴＯと標準電極電位の近い金属材料、例えばＭｏの膜を成膜して２層構造とする技術が提案されている（特許文献２参照）。この技術によれば、Ｍｏ膜およびＡｌ膜を連続して成膜でき、また、リン酸、硝酸、酢酸および水から成る混合液によって２層同時にエッチング出来るため、工程数を増やすことなく且つ電食を起こすことなくＡｌ反射電極膜のパターンを形成できる。 In order to prevent this electrolytic corrosion, a technique has been proposed in which a film of a metal material having a standard electrode potential close to that of ITO, for example, Mo, is formed into a two-layer structure before forming an Al reflective electrode film ( Patent Document 2). According to this technique, a Mo film and an Al film can be continuously formed, and two layers can be simultaneously etched with a mixed solution of phosphoric acid, nitric acid, acetic acid and water, so that the number of steps can be increased and galvanic corrosion can be achieved. The pattern of the Al reflective electrode film can be formed without causing the above.
以上のように、反射型液晶表示装置には透明電極／Ａｌ膜／Ｍｏなどの電食防止金属膜の３層構造が必要となる。この３層構造を、フォトリソ工程を利用して単一のエッチング組成物および単一の操作でエッチングすることが出来れば、液晶表示装置の製造工程を短縮化することができるため非常に有用である。 As described above, the reflective liquid crystal display device requires a three-layer structure of a metal electrode for preventing corrosion, such as transparent electrode / Al film / Mo. If this three-layer structure can be etched with a single etching composition and a single operation using a photolithography process, the manufacturing process of the liquid crystal display device can be shortened, which is very useful. .
この３層膜のエッチング工程において、エッチング後の積層膜のエッジ形状は、次工程以降の歩留まりに影響を及ぼすことがある。例えば、透明電極とＡｌ膜の一方または双方が電食防止金属膜よりも外側に突き出したエッジ形状（逆テーパー）、または、Ａｌ膜より透明電極が外側に飛び出しているエッジ形状（ひさし部を有するテーパー形状）である場合には、エッチング終了後にレジストパターンを剥離する工程や洗浄の工程において、下層より外側に突き出た上層がはがれて微細なチリを生成し、短絡などの不良の原因となる。つまり、透明電極／Ａｌ膜／電食防止金属膜３層膜をエッチングした後のエッジ形状は、順テーパーまたは階段状（透明電極よりＡｌ層、Ａｌ層より電食防止金属膜が外側に飛び出している）である必要がある。しかしながら、以下に述べるように、従来技術では上記３層構造のエッジ形状を単一のエッチング組成物および単一のエッチング操作で順テーパー又は階段状にすることは技術的に困難であった。 In the three-layer film etching process, the edge shape of the laminated film after etching may affect the yield after the next process. For example, one or both of the transparent electrode and the Al film protrudes outward from the electrolytic corrosion-preventing metal film (reverse taper), or the transparent electrode protrudes outward from the Al film (having an eaves portion). In the case of a taper shape), the upper layer protruding outward from the lower layer is peeled off in the step of peeling the resist pattern after the etching is completed and the cleaning step, thereby generating fine dust and causing a defect such as a short circuit. In other words, the edge shape after etching the transparent electrode / Al film / anti-corrosion preventing metal film three-layer film is forward tapered or stepped (the Al layer from the transparent electrode and the erosion preventing metal film protrudes outward from the Al layer). Need to be). However, as described below, in the prior art, it has been technically difficult to make the edge shape of the three-layer structure forward tapered or stepped with a single etching composition and a single etching operation.
Ａｌ系金属膜を含む積層構造のエッチング組成物として、一般に、燐酸、硝酸、酢酸を混合した混酸が使用されることは公知であるが、上記の３層構造を、順テーパー状または階段状に加工することは、極めて困難である。例えば、特許文献３では、その容量比が燐酸１６、硝酸２〜８、酢酸２、水１のエッチング組成物でＡｌもしくはＡｌ系金属膜をパターン化することが記載されているが、透明電極膜（例えば、ＩＺＯ）／反射電極膜（例えば、Ａｌ）／電食防止膜（例えば、Ｍｏ）３層構造を上記エッチング組成物でエッチングすると、燐酸含有量が大きいため、反射電極膜が選択的にエッチングされ、その上層にある透明電極膜がひさし状に残存してしまい好ましくない。また、特許文献４では、燐酸、硝酸、酢酸の混酸系で酢酸含有量が最も多いエッチング組成物を提案しているが、Ａｌ，Ｍｏのエッチングに寄与する燐酸および硝酸の含有量が少ないため、エッチング時間が長くなり、上記透明電極／反射電極膜／電食防止膜３層構造を単一の操作でエッチングするには効率的ではない。燐酸、硝酸、酢酸はそれぞれ所定のエッチング性能を有しており、濃度が、燐酸＞（硝酸、酢酸のそれぞれ）、酢酸＞（燐酸、硝酸のそれぞれ）である組成物は前述のように好ましくなく、硝酸＞（燐酸、酢酸のそれぞれ）である組成物では、Ｍｏが選択的にエッチングされ、逆テーパーのエッジ形状となり好ましくない。 Although it is known that a mixed acid in which phosphoric acid, nitric acid and acetic acid are mixed is generally used as an etching composition having a laminated structure including an Al-based metal film, the above three-layer structure has a forward tapered shape or a stepped shape. It is extremely difficult to process. For example, Patent Document 3 describes that an Al or Al-based metal film is patterned with an etching composition having a volume ratio of phosphoric acid 16, nitric acid 2 to 8, acetic acid 2, and water 1, but a transparent electrode film. (For example, IZO) / reflective electrode film (for example, Al) / electrocorrosion prevention film (for example, Mo) When the three-layer structure is etched with the above etching composition, the reflective electrode film is selectively used because of the high phosphoric acid content. The transparent electrode film on the upper layer is etched and remains in an eaves shape, which is not preferable. Further, Patent Document 4 proposes an etching composition having the largest acetic acid content in a mixed acid system of phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid. However, since the contents of phosphoric acid and nitric acid contributing to the etching of Al and Mo are small, Etching time becomes long, and it is not efficient to etch the transparent electrode / reflecting electrode film / electric corrosion prevention film three-layer structure by a single operation. Phosphoric acid, nitric acid, and acetic acid each have a predetermined etching performance, and compositions having concentrations of phosphoric acid> (each of nitric acid and acetic acid) and acetic acid> (each of phosphoric acid and nitric acid) are not preferable as described above. In a composition where nitric acid> (each of phosphoric acid and acetic acid), Mo is selectively etched, resulting in an edge shape with a reverse taper.
また、上記提案のエッチング組成物を用いた場合、最上層の透明電極膜が下層より外側に突き出る、所謂ひさし状のエッジ形状となる場合がある。ひさし状に残った透明電極膜を、Ａｌ，Ｍｏをエッチングしない液、例えばシュウ酸水溶液などで選択的にエッチングして階段状または順テーパー状のエッジ形状を有する積層膜を形成させることは出来るが、エッチング工程、エッチング処理装置が増えてしまい、生産効率上、好ましくない。 In addition, when the above-mentioned proposed etching composition is used, there is a case where the uppermost transparent electrode film has a so-called eaves-like edge shape protruding outward from the lower layer. The transparent electrode film remaining in the eaves can be selectively etched with a solution that does not etch Al and Mo, such as an aqueous oxalic acid solution, to form a laminated film having a stepped or forward tapered edge shape. Further, the number of etching processes and etching processing apparatuses increases, which is not preferable in terms of production efficiency.
以上のように、上記した従来のエッチング組成物は、Ｍｏ／Ａｌ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ積層膜などを階段状または順テーパー状のエッジ形状にエッチングする場合には有効である。ＡｌとＭｏなど、異なる金属を積層した場合、金属固有の電気陰性度による金属間のガルバニック腐食がウェットエッチング中に生じ、また、積層膜の構成金属の種類によって、そのガルバニック腐食現象も異なる。つまり、上記先行技術に開示されているＭｏ／Ａｌ積層膜を対象としたエッチング組成物では、金属間のガルバニック腐食のみが考慮されており、ＩＺＯなどの透明電極膜を含む積層膜をエッチングするには、上記先行技術が考慮していない技術的問題の検討が必要となってくる。 As described above, the above-described conventional etching composition is effective when etching a Mo / Al, Mo / Al / Mo laminated film or the like into a stepped or forward tapered edge shape. When different metals such as Al and Mo are laminated, galvanic corrosion between metals due to the electronegativity inherent to the metal occurs during wet etching, and the galvanic corrosion phenomenon varies depending on the type of constituent metal of the laminated film. That is, in the etching composition for the Mo / Al laminated film disclosed in the above prior art, only galvanic corrosion between metals is considered, and a laminated film including a transparent electrode film such as IZO is etched. Therefore, it is necessary to examine technical problems that the above prior art does not consider.
特許文献５は、燐酸（５０〜８０重量％）、硝酸（０．５〜１０重量％）、有機酸（０．５〜１０重量％）、陽イオン（０．１〜２０重量％）を含有する水溶液が、Ｍo／Ａｌ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ積層膜を良好な順テーパー状にエッチングすることを記載している。しかし、透明電極膜を含んだ積層膜のエッチングに関しては何も記載しておらず、透明電極膜とＡｌ、Ｍｏなどの金属間のガルバニック腐食に関して何も検討していない。
本発明の第一の目的は、上記従来技術における種々の問題点を解決し、最上層が非晶質透明電極膜、中間層がＡｌまたはＡｌ合金の反射電極膜（Ａｌ反射電極膜）、最下層が電食防止膜である３層の積層膜、または、上層が非晶質透明電極膜、下層がＡｌまたはＡｌ合金の反射電極膜である２層の積層膜を、単独使用かつ単一のエッチング操作で、良好な順テーパ状または階段状のエッジ形状にウエットエッチングすることができるエッチング組成物を提供することである。本発明の第二の目的は、前記３層または２層積層膜を、前記エッチング組成物を用いて良好な順テーパ状または階段状のエッジ形状に効率よくウエットエッチングする工程を含む積層配線構造の形成方法を提供することである。なお、以下において、ＡｌまたはＡｌ合金の反射電極膜を単にＡｌ反射電極膜と称することがある。 The first object of the present invention is to solve various problems in the prior art described above. The uppermost layer is an amorphous transparent electrode film, the intermediate layer is an Al or Al alloy reflective electrode film (Al reflective electrode film), A single layer of a three-layer laminated film having a lower layer as an electrolytic corrosion prevention film, or a two-layer laminated film in which an upper layer is an amorphous transparent electrode film and a lower layer is a reflective electrode film made of Al or Al alloy. It is an object to provide an etching composition that can be wet-etched into a favorable forward tapered or stepped edge shape by an etching operation. A second object of the present invention is a multilayer wiring structure including a step of efficiently performing wet etching on the three-layer or two-layer laminated film into a favorable forward tapered or stepped edge shape using the etching composition. It is to provide a forming method. Hereinafter, the reflective electrode film of Al or Al alloy may be simply referred to as an Al reflective electrode film.
本発明者等は、上記従来技術における種々の問題点を解決すべく鋭意検討した結果、３０〜４５重量％のリン酸、１５〜３５重量％の硝酸、有機酸、陽イオン生成成分を含有する水溶液は、前記３層積層膜または２層積層膜を、単独使用かつ単一のエッチング操作で良好な順テーパ状または階段状のエッジ形状にエッチングすることを見出し、本発明を完成させるに至った。 As a result of intensive studies to solve the various problems in the above-mentioned prior art, the present inventors contain 30 to 45% by weight of phosphoric acid, 15 to 35% by weight of nitric acid, an organic acid, and a cation generating component. The aqueous solution has been found to etch the three-layer laminated film or the two-layer laminated film into a favorable forward tapered or stepped edge shape by single use and a single etching operation, and has completed the present invention. .
すなわち、本発明は、基板表面上に形成された積層膜が、上層から非晶質の透明電極／ＡｌもしくはＡｌ合金系の金属膜／電食防止金属膜からなる３層膜、または非晶質の透明電極／ＡｌもしくはＡｌ合金系の反射電極膜からなる２層膜であり、該積層膜をエッチングする際に使用するエッチング組成物であって、３０〜４５重量％のリン酸、１５〜３５重量％の硝酸、有機酸、および陽イオン生成形成成分を含有する水溶液からなるエッチング液組成物に関するものである。
さらに本発明は、最上層が非晶質透明電極膜、中間層がＡｌもしくはＡｌ合金系の反射電極膜、最下層が電食防止膜である３層の積層膜、または、上層が非晶質透明電極膜、下層がＡｌもしくはＡｌ合金系の反射電極膜である２層の積層膜を、上記エッチング組成物を単独使用し単一のエッチング操作によりウェットエッチングし、よって前記３層または２層の膜を同時にエッチングし、前記積層膜の端面を順テーパー状または階段状の形状にする工程を含む積層配線構造の形成方法に関する。
さらに本発明は、前記形成法により形成された積層配線構造を反射電極として含む表示装置用基板、該表示装置用基板を含む液晶表示装置、およびこれらの製造方法に関する。
That is, according to the present invention, the laminated film formed on the substrate surface is a three-layer film composed of an amorphous transparent electrode / Al or Al alloy-based metal film / electro-corrosion-preventing metal film from the upper layer, or an amorphous film. A transparent electrode / a two-layer film composed of an Al or Al alloy-based reflective electrode film, and an etching composition used for etching the laminated film, comprising 30 to 45% by weight of phosphoric acid, 15 to 35 The present invention relates to an etching solution composition comprising an aqueous solution containing wt% nitric acid, an organic acid, and a cation generation forming component.
Further, in the present invention, the uppermost layer is an amorphous transparent electrode film, the intermediate layer is an Al or Al alloy-based reflective electrode film, the lowermost layer is a three-layer laminated film having an electrolytic corrosion prevention film, or the upper layer is amorphous. A transparent electrode film and a two-layer laminated film whose lower layer is an Al or Al alloy-based reflective electrode film are wet-etched by a single etching operation using the above etching composition alone, so that the three-layer or two-layer film is formed. The present invention relates to a method for forming a laminated wiring structure including a step of etching a film at the same time to form an end face of the laminated film into a forward tapered shape or a stepped shape.
Furthermore, the present invention relates to a display device substrate including a laminated wiring structure formed by the above-described forming method as a reflective electrode, a liquid crystal display device including the display device substrate, and a method of manufacturing the same.
本発明のエッチング組成物は、ＩＺＯ／Ａｌ／ＭｏＮ、ＩＺＯ／Ａｌ等の非晶質透明電極膜／Ａｌ反射電極膜／電食防止膜の３層積層膜または非晶質透明電極膜／Ａｌ反射電極膜の２層積層膜を順テーパー状または階段状のエッジ形状に、単独使用かつ単一の操作で同時にエッチングすることができる。本発明のエッチング組成物を使用することにより、反射／透過型液晶表示装置を生産効率良く製造することができる。 The etching composition of the present invention is a three-layer laminated film of amorphous transparent electrode film such as IZO / Al / MoN, IZO / Al, etc./Al reflective electrode film / electrolytic corrosion prevention film, or amorphous transparent electrode film / Al reflective film. A two-layer laminated film of electrode films can be etched simultaneously into a forward tapered or stepped edge shape by a single operation and a single operation. By using the etching composition of the present invention, a reflection / transmission type liquid crystal display device can be produced with high production efficiency.
本発明のエッチング組成物は、リン酸、硝酸、有機酸、および陽イオン生成成分を含有する水溶液である。エッチング組成物のリン酸濃度は、３０〜４５重量％、好ましくは３０〜４０重量％である。リン酸は、主にＡｌ反射電極膜のエッチングに寄与するものであり、３０重量％未満であると、Ａｌ反射電極膜のエッチング速度が遅くなり、また４５重量％を超えるとＡｌ反射電極膜のエッチング速度が速くなりすぎ、順テーパー状または階段状エッジ形状の形成には好ましくない。 The etching composition of the present invention is an aqueous solution containing phosphoric acid, nitric acid, an organic acid, and a cation-generating component. The phosphoric acid concentration of the etching composition is 30 to 45% by weight, preferably 30 to 40% by weight. Phosphoric acid mainly contributes to the etching of the Al reflecting electrode film. If it is less than 30% by weight, the etching rate of the Al reflecting electrode film becomes slow, and if it exceeds 45% by weight, the Al reflecting electrode film The etching rate becomes too high, which is not preferable for forming a forward tapered shape or a stepped edge shape.
エッチング組成物の硝酸濃度は、１５〜３５重量％、好ましくは２０〜３０重量％である。硝酸は、主にＭｏ等からなる電食防止層のエッチングに寄与するものであり、１５重量％未満では、電食防止層のエッチング速度が遅くなり、３５重量％を超えると電食防止層のエッチング速度が速くなりすぎ、順テーパー状または階段状エッジ形状の形成には好ましくない。 The nitric acid concentration of the etching composition is 15 to 35% by weight, preferably 20 to 30% by weight. Nitric acid contributes to the etching of the electrolytic corrosion prevention layer mainly composed of Mo or the like. If it is less than 15% by weight, the etching rate of the electrolytic corrosion prevention layer is slow, and if it exceeds 35% by weight, The etching rate becomes too high, which is not preferable for forming a forward tapered shape or a stepped edge shape.
有機酸としては、酢酸、プロピオン酸、酪酸等のモノカルボン酸類；シュウ酸、マロン酸、コハク酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、マレイン酸、フマル酸、フタル酸等のジカルボン酸類；トリメリット酸等のトリカルボン酸類；ヒドロキシ酢酸、乳酸、サリチル酸等のオキシモノカルボン酸類；リンゴ酸、酒石酸等のオキシジカルボン酸；クエン酸等のオキシトリカルボン酸類；アスパラギン酸、グルタミン酸等のアミノカルボン酸類が挙げられる。炭素数が大きい有機酸は、硝酸により酸化されて変性されやすいため、炭素数が小さいほうが好ましく、炭素数が２〜４の有機酸がより好ましく、エッチング組成物の成分として一般的に使用され入手しやすい酢酸が特に好ましい。有機酸は、主に、エッチング組成物の他の成分の濃度を、所望のパフォーマンスを発揮する好適濃度にする（バッファー効果）ために含有させるので、特に濃度範囲は限定されず各成分の濃度あるいはエッチングの条件等により適宜決定すればいいが、２〜１０重量％がバッファー効果としては好ましい。 Organic acids include monocarboxylic acids such as acetic acid, propionic acid and butyric acid; dicarboxylic acids such as oxalic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, maleic acid, fumaric acid and phthalic acid; Examples include tricarboxylic acids such as acids; oxymonocarboxylic acids such as hydroxyacetic acid, lactic acid, and salicylic acid; oxydicarboxylic acids such as malic acid and tartaric acid; oxytricarboxylic acids such as citric acid; and aminocarboxylic acids such as aspartic acid and glutamic acid. An organic acid having a large number of carbon atoms is easily oxidized and modified by nitric acid. Therefore, a smaller number of carbon atoms is preferable, an organic acid having 2 to 4 carbon atoms is more preferable, and it is generally used as a component of an etching composition. Acetic acid which is easy to do is particularly preferable. The organic acid is mainly contained in order to make the concentration of the other components of the etching composition a suitable concentration that exhibits the desired performance (buffer effect), so the concentration range is not particularly limited, and the concentration of each component or What is necessary is just to determine suitably according to the etching conditions etc., but 2 to 10 weight% is preferable as a buffer effect.
陽イオン生成成分の具体例としては、アンモニア；テトラメチルアンモニウム水酸化物、テトラエチルアンモニウム水酸化物、トリメチル（２−ヒドロキシエチル）アンモニウム水酸化物等の第四級アンモニウム塩；ナトリウム、カリウム等のアルカリ金属の塩；メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、プロピルアミン、ジプロピルアミン、トリプロピルアミン、ブチルアミン、ジブチルアミン、トリブチルアミン等の脂肪族アミン類；モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン等のアルカノールアミン類；エチレンジアミン、プロピレンジアミン、トリメチレンジアミン、テトラメチレンジアミン等のポリアミン類；ピロール、ピロリン、ピロリジン、モルホリン等の環式アミン類などが挙げられる。
これらの陽イオン生成成分は、エッチング組成物中でアンモニウムイオン、アンミン錯イオン、第四級アンモニウムイオン、およびアルカリ金属イオンを生成する。
金属イオンは処理後に汚染源となる可能性があり、アミン類などの有機化合物は硝酸による分解が懸念されるため、アンモニウムイオン、アンミン錯イオンまたは四級アンモニウムイオンが好ましい。陽イオン生成成分は、これらの陽イオンを生成可能な塩でもよく、調合上の安全性の面からも好ましい。
Specific examples of the cation-generating component include ammonia; quaternary ammonium salts such as tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, and trimethyl (2-hydroxyethyl) ammonium hydroxide; alkalis such as sodium and potassium Metal salts; aliphatic amines such as methylamine, dimethylamine, trimethylamine, ethylamine, diethylamine, triethylamine, propylamine, dipropylamine, tripropylamine, butylamine, dibutylamine, tributylamine; monoethanolamine, diethanolamine, tri Alkanolamines such as ethanolamine; polyamines such as ethylenediamine, propylenediamine, trimethylenediamine, and tetramethylenediamine; pyrrole, pyrroline, and pylori Emissions, and the like cyclic amines such as morpholine.
These cation-generating components generate ammonium ions, ammine complex ions, quaternary ammonium ions, and alkali metal ions in the etching composition.
Since metal ions may become a source of contamination after treatment, and organic compounds such as amines may be decomposed by nitric acid, ammonium ions, ammine complex ions or quaternary ammonium ions are preferred. The cation generating component may be a salt capable of generating these cations, and is preferable from the viewpoint of safety in preparation.
陽イオン生成成分は、電食防止膜とＡｌ反射電極膜のエッチングレート比を制御するために含有されている。つまり、生成した陽イオンにより、下層の電食防止膜のエッチングレートを抑えて、上層のＡｌ反射電極膜と透明電極膜のオーバーハングを防止している。オーバーハングを防止するための陽イオン生成成分の濃度範囲は、好ましくは０．５〜１０重量％、配合時の安全性を考慮すると０．５〜５重量％がより好ましい。また、陽イオン生成成分の濃度は、燐酸、硝酸の濃度によって適宜決められる。０．５重量％より低い場合、最下層の電食防止膜が選択的にエッチングされ上層（透明電極膜および／またはＡｌ反射電極膜）がオーバーハングし、また、１０重量％より高い場合、電食防止膜のエッチングレートが小さくなり過ぎエッチングが困難になるので好ましくない。 The cation generation component is contained in order to control the etching rate ratio between the electrolytic corrosion prevention film and the Al reflective electrode film. In other words, the generated cations suppress the etching rate of the lower-layer electrolytic corrosion prevention film, thereby preventing overhang between the upper Al reflective electrode film and the transparent electrode film. The concentration range of the cation-generating component for preventing overhang is preferably 0.5 to 10% by weight, and more preferably 0.5 to 5% by weight in consideration of safety during blending. Further, the concentration of the cation generating component is appropriately determined depending on the concentrations of phosphoric acid and nitric acid. If it is lower than 0.5% by weight, the lowermost electrolytic corrosion prevention film is selectively etched to overhang the upper layer (transparent electrode film and / or Al reflective electrode film). This is not preferable because the etching rate of the anticorrosion film becomes too small and etching becomes difficult.
本発明のエッチング組成物の水分含量は、エッチングされる積層膜の材質に応じて適宜決定されるが、２０〜４０重量％の範囲が好ましい。 The moisture content of the etching composition of the present invention is appropriately determined according to the material of the laminated film to be etched, but is preferably in the range of 20 to 40% by weight.
本発明のエッチング組成物によりエッチングされる積層膜の透明電極膜は非晶質であれば良く、アモルファスＩＴＯ（ａ−ＩＴＯ）、ＩＺＯなどにより形成される。また、Ａｌ反射電極膜は、ＡｌやＡｌ合金により形成され、通常反射電極膜として使用されている材質から適宜選択される。電食防止膜は、モリブデン（Ｍｏ）、窒化モリブデン（ＭｏＮ）などにより形成される。すなわち、積層膜（最上層／中間層／最下層）の具体例としては、ａ−ＩＴＯ／Ａｌ／Ｍｏ、ａ−ＩＴＯ／Ａｌ／ＭｏＮ、ＩＺＯ／Ａｌ／Ｍｏ、ＩＺＯ／Ａｌ／ＭｏＮなどが例示される。Ｍｏにより形成された電食防止膜を有する積層膜に下地層として結晶性ＩＴＯ膜が電気的に接続されている場合、Ｍｏと結晶性ＩＴＯとの間で電池効果が生じオーバーエッチが発生する。また、結晶性ＩＴＯ膜に直接Ａｌ反射電極膜が電気的に接続している場合、前述のとおり、透明電極膜とＡｌ反射電極膜との間で電池効果による腐食（電食）が生じる。そのため、結晶性ＩＴＯ膜が下地層として積層膜に電気的に接続されている場合には、ａ−ＩＴＯ／Ａｌ／ＭｏＮ、ＩＺＯ／Ａｌ／ＭｏＮ積層膜が好ましい。 The transparent electrode film of the laminated film etched by the etching composition of the present invention may be amorphous, and is formed of amorphous ITO (a-ITO), IZO or the like. The Al reflective electrode film is appropriately selected from materials that are formed of Al or an Al alloy and are usually used as the reflective electrode film. The electrolytic corrosion prevention film is formed of molybdenum (Mo), molybdenum nitride (MoN), or the like. That is, specific examples of the laminated film (uppermost layer / intermediate layer / lowermost layer) include a-ITO / Al / Mo, a-ITO / Al / MoN, IZO / Al / Mo, and IZO / Al / MoN. Is done. When a crystalline ITO film is electrically connected as a base layer to a laminated film having an electrolytic corrosion prevention film formed of Mo, a battery effect is generated between Mo and crystalline ITO, and overetching occurs. Further, when the Al reflective electrode film is electrically connected directly to the crystalline ITO film, as described above, corrosion (electric corrosion) due to the battery effect occurs between the transparent electrode film and the Al reflective electrode film. Therefore, when the crystalline ITO film is electrically connected to the laminated film as a base layer, an a-ITO / Al / MoN or IZO / Al / MoN laminated film is preferable.
ＭｏＮ膜は、Ｎ２ガスを含有するＡｒガスの流通下でＭｏを成膜することにより比較的容易に形成することができる。ＭｏＮ膜の窒素含有量とエッチング後のエッジ形状との関係を調査した結果、両者には相関があり、窒素含有量が多い方がオーバーエッチングを抑制でき、良好な順テーパー状のエッジ形状を得ることができることがわかった。ＭｏＮ膜の窒素含有量と、エッチング後のエッジ形状との関係を表１に示す。 The MoN film can be formed relatively easily by depositing Mo under the flow of Ar gas containing N 2 gas. As a result of investigating the relationship between the nitrogen content of the MoN film and the edge shape after etching, there is a correlation between them, and overetching can be suppressed when the nitrogen content is high, and a favorable forward tapered edge shape is obtained. I found out that I could do it. Table 1 shows the relationship between the nitrogen content of the MoN film and the edge shape after etching.
エッチング組成物（重量％）：リン酸／硝酸／酢酸／ＮＨ４ＯＨ／水＝３０／２５／５／２／残分
エッチング装置：シャワー
エッチング温度：４０℃
Etching composition (% by weight): phosphoric acid / nitric acid / acetic acid / NH 4 OH / water = 30/25/5/2 / residue etching apparatus: shower etching temperature: 40 ° C.
ＭｏＮ膜の窒素含有量が１０原子％未満の場合には、逆テーパーになってしまい歩留まりが悪化することが懸念されるが、１０原子％以上であるなら良好な順テーパー形状を得ることができる。しかしながら、窒素含有量が増大するにつれてジャストエッチング時間が長くなるため、窒素含有量が３０原子％を越えると生産効率上望ましくない。なお、窒素含有量とエッジ形状との関係は、エッチング条件により大きく変わる。上記はラボにて簡易シャワー装置にて行った結果であるが、実生産装置にてシャワーエッチングを行った場合には、シャワー強度が大きくなりモリブデン酸の滞留が少なくなるため、窒素含有量が１０原子％未満でも良好な順テーパーが得られることもある。なお、窒素含有量の測定はオージェ分光分析装置（Perkin-Elmer社製 ＳＡＭ６７０）を使用して行った。 When the nitrogen content of the MoN film is less than 10 atomic%, there is a concern that the taper becomes reverse taper and the yield deteriorates, but if it is 10 atomic% or more, a favorable forward tapered shape can be obtained. . However, since the just etching time becomes longer as the nitrogen content increases, it is not desirable in terms of production efficiency when the nitrogen content exceeds 30 atomic%. Note that the relationship between the nitrogen content and the edge shape varies greatly depending on the etching conditions. The above is the result of performing in a laboratory with a simple shower device, but when shower etching is performed with an actual production device, the shower strength increases and the retention of molybdic acid decreases, so the nitrogen content is 10 Even if it is less than atomic%, a good forward taper may be obtained. The nitrogen content was measured using an Auger spectroscopic analyzer (SAM670 manufactured by Perkin-Elmer).
上記した３層積層膜の他に、本発明のエッチング組成物を単独使用し、単一のエッチング操作で同時に２層積層膜を順テーパー状または階段状エッジ形状にエッチングすることができる。２層積層膜の例としては、上記３層積層膜から上層下層の位置関係を変更することなく任意の一層を除いて得られるａ−ＩＴＯ／Ａｌ、ａ−ＩＴＯ／Ｍｏ、ａ−ＩＴＯ／ＭｏＮ、ＩＺＯ／Ａｌ、ＩＺＯ／Ｍｏ、ＩＺＯ／ＭｏＮ、Ａｌ／Ｍｏ、Ａｌ／ＭｏＮなど（上層／下層）の２層積層膜が挙げられる。但し、積層膜に下地層として結晶性ＩＴＯ膜が電気的に接続されている場合には、前述のような不具合が生じる可能性があるため、ａ−ＩＴＯ／ＭｏＮ、ＩＺＯ／ＭｏＮ、Ａｌ／ＭｏＮが好ましい。 In addition to the above-described three-layer laminated film, the etching composition of the present invention can be used alone, and the two-layer laminated film can be simultaneously etched into a forward tapered shape or a stepped edge shape by a single etching operation. Examples of the two-layered film include a-ITO / Al, a-ITO / Mo, and a-ITO / MoN obtained by removing any one layer from the three-layered film without changing the positional relationship between the upper and lower layers. , IZO / Al, IZO / Mo, IZO / MoN, Al / Mo, Al / MoN, etc. (upper layer / lower layer). However, when a crystalline ITO film is electrically connected to the laminated film as an underlayer, there is a possibility that the above-described problems may occur. Therefore, a-ITO / MoN, IZO / MoN, Al / MoN Is preferred.
本発明のエッチング組成物を用いたウェットエッチングは、好ましくは常温〜７０℃の範囲で行われる。エッチング温度は、エッチングされる積層膜の種類、厚さ等を勘案して上記範囲から適宜選択されるが、ミスト飛散等によるエッチング組成物のロスを考慮すると３０〜５０℃がより好ましい。 The wet etching using the etching composition of the present invention is preferably performed in the range of room temperature to 70 ° C. The etching temperature is appropriately selected from the above range in consideration of the type and thickness of the laminated film to be etched, but 30 to 50 ° C. is more preferable in consideration of the loss of the etching composition due to mist scattering and the like.
本発明におけるエッチング処理方法は、エッチングが進行している部分において、使用されたエッチング組成物が新しいエッチング組成物に均一に置換される方法であれば特に限定は無く、ディップ方式、シャワー方式のいずれの場合でもかまわない。ディップ方式においては、基板を傾斜させてエッチング液を上方より流すような方法が基板表面上のエッチング液を置換できるために望ましい。また、シャワー方式におけるシャワー圧や揺動方法については、液性を考慮して適宜決定すればよい。 The etching treatment method in the present invention is not particularly limited as long as the used etching composition is uniformly replaced with a new etching composition in a portion where etching is in progress, and either a dip method or a shower method is used. Even in the case of. In the dip method, a method of inclining the substrate and flowing the etching solution from above is desirable because the etching solution on the substrate surface can be replaced. Further, the shower pressure and the swinging method in the shower method may be appropriately determined in consideration of the liquidity.
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明するが、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings, but the present invention is not limited to the following embodiments.
図１は、本発明の一態様である反射／透過型液晶表示装置の画素部分を示す平面図である。また、図２は、図１の線Ａ−Ａ´に関する断面図である。
図２に示すように、絶縁性基板２（第２の透光性基板）上には、スイッチング素子３（ＴＦＴ）が形成されている。このスイッチング素子３を含む絶縁性基板２上には、反射部分と透過部分が配設されている。反射部分は、凹凸形状を有する層間絶縁膜４（感光性樹脂）の上に形成され、電食防止膜５（ＭｏＮ）、反射電極膜６（Ａｌ）、および、非晶質透明電極膜１８（ＩＺＯ）の順に形成された積層体からなる。透過部分は、透明電極膜７（結晶性ＩＴＯ）で形成されている。電食防止膜５は、フォトリソ時の現像液によりＩＴＯとＡｌが電池系を形成して反射電極膜６が電気的な腐食を起こさないための保護膜として形成される。非晶質透明電極膜（ＩＺＯ）１８は透過部分（ＩＴＯ透明電極膜７）とＡｌ反射電極膜６との仕事関数を合わせるために形成されている。なお、電食防止膜５をＭｏＮにより形成しているのは、非晶質透明電極膜１８、反射電極膜６と電食防止膜５が順テーパー状エッジ形状にエッチングされるようにするためである。良好な順テーパー形状が得られる場合にはＭｏでもよいが、ＭｏＮにより形成するのが好ましい。
FIG. 1 is a plan view showing a pixel portion of a reflective / transmissive liquid crystal display device which is one embodiment of the present invention. FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA ′ in FIG.
As shown in FIG. 2, a switching element 3 (TFT) is formed on an insulating substrate 2 (second translucent substrate). On the insulating substrate 2 including the switching element 3, a reflection portion and a transmission portion are disposed. The reflective part is formed on the interlayer insulating film 4 (photosensitive resin) having a concavo-convex shape, and the electrolytic corrosion prevention film 5 (MoN), the reflective electrode film 6 (Al), and the amorphous transparent electrode film 18 ( IZO) in this order. The transmission part is formed of a transparent electrode film 7 (crystalline ITO). The electrolytic corrosion preventing film 5 is formed as a protective film for preventing ITO and Al from forming a battery system and causing the reflective electrode film 6 to be not electrically corroded by a developing solution during photolithography. The amorphous transparent electrode film (IZO) 18 is formed to match the work functions of the transmission part (ITO transparent electrode film 7) and the Al reflective electrode film 6. The reason why the electrolytic corrosion preventing film 5 is made of MoN is to allow the amorphous transparent electrode film 18, the reflective electrode film 6 and the electrolytic corrosion preventing film 5 to be etched into a forward tapered edge shape. is there. Mo may be used when a good forward tapered shape is obtained, but it is preferably formed of MoN.
透過／反射基板１（第２の基板）に対向するカラーフィルター基板（第１の基板）は、ガラス基板８（第１の透光性基板）とその上に順次積層されたカラーフィルター層９と透明電極１０（結晶性ＩＴＯ）からなる。透明電極１０と非晶質透明電極膜１８、透明電極膜７の間には、液晶層１１が設けられている。また、絶縁性基板２とガラス基板８の外側には位相差板１２、１２’と偏光板１３、１３’とがそれぞれ配置されており、偏光板１３の外側には、バックライト１４が配置されている。なお、本実施態様では、表示モードとして偏光モードを使用しているが、これに限定されるものではなく、例えばゲストホストモードを使用すれば、位相差板１２、１２’や偏光板１３、１３’を省略することが可能となる。 A color filter substrate (first substrate) facing the transmissive / reflective substrate 1 (second substrate) includes a glass substrate 8 (first translucent substrate) and a color filter layer 9 sequentially stacked thereon. It consists of a transparent electrode 10 (crystalline ITO). A liquid crystal layer 11 is provided between the transparent electrode 10, the amorphous transparent electrode film 18, and the transparent electrode film 7. In addition, retardation plates 12 and 12 ′ and polarizing plates 13 and 13 ′ are disposed outside the insulating substrate 2 and the glass substrate 8, respectively, and a backlight 14 is disposed outside the polarizing plate 13. ing. In this embodiment, the polarization mode is used as the display mode. However, the present invention is not limited to this. For example, when the guest-host mode is used, the retardation plates 12 and 12 ′ and the polarizing plates 13 and 13 are used. 'Can be omitted.
本実施態様の反射／透過型液晶表示装置についてさらに詳細に説明する。図１および図２に示すように、ガラス等の絶縁性基板２上にスイッチング素子３（ＴＦＴ）が形成されている。このＴＦＴ３は、絶縁性基板２の上に成膜された走査信号線であるゲートバスライン１５、このゲートバスラインから分岐したゲート電極１７（Ｔａ）、ゲート絶縁膜２３（ＳｉＮｘ）、半導体層１９（ａ−Ｓｉ）、ｎ型半導体層２０（ｎ型ａ−Ｓｉ）、ソースバスライン１６、このソースバスラインから分岐したソース電極２１（Ｔａ／ＩＴＯ積層膜）、ドレイン電極２２（Ｔａ／ＩＴＯ積層膜）から構成されている。ドレイン電極２２の延長部（透明電極７）はＩＴＯのみで形成され、画素電極の一部を構成する透明電極として機能している。また、画素電極の一部を構成する非晶質透明電極膜１８（ＩＺＯ）と反射電極膜６（Ａｌ）は、電食防止膜５（ＭｏＮ）、コンタクトホール（図示せず）を介してドレイン電極２２に接続されている。 The reflection / transmission type liquid crystal display device of this embodiment will be described in more detail. As shown in FIGS. 1 and 2, a switching element 3 (TFT) is formed on an insulating substrate 2 such as glass. The TFT 3 includes a gate bus line 15 which is a scanning signal line formed on the insulating substrate 2, a gate electrode 17 (Ta) branched from the gate bus line, a gate insulating film 23 (SiNx), and a semiconductor layer 19. (A-Si), n-type semiconductor layer 20 (n-type a-Si), source bus line 16, source electrode 21 (Ta / ITO laminated film) branched from this source bus line, drain electrode 22 (Ta / ITO laminated film) Film). The extension part (transparent electrode 7) of the drain electrode 22 is made of only ITO, and functions as a transparent electrode constituting a part of the pixel electrode. Further, the amorphous transparent electrode film 18 (IZO) and the reflective electrode film 6 (Al) that constitute a part of the pixel electrode are drained via the electrolytic corrosion prevention film 5 (MoN) and a contact hole (not shown). It is connected to the electrode 22.
反射電極（ＩＺＯ／Ａｌ／ＭｏＮ）を含む積層配線構造の製造方法について図３を用いて説明する。図３は、反射電極（ＩＺＯ／Ａｌ／ＭｏＮ）形成の一連プロセスフローをあらわしたものである。
まず、絶縁性基板２上にＴＦＴ３を形成後、層間絶縁膜４（感光性樹脂）を形成した（図３ａ）。次に、電食防止膜５（ＭｏＮ）、反射電極膜６（Ａｌ）および透明電極膜１８（ＩＺＯ）をこの順に成膜し積層膜（ＩＺＯ／Ａｌ／ＭｏＮ）を形成した（図３ｂ）。透明電極膜１８の膜厚は、５０〜１５０Åが好ましい。５０Å未満だと安定してＩＺＯの効果を得ることができず、また１５０Åを超えるとＩＺＯのもつ黄色い色のために、反射電極の色が黄色くなり、また、エッチングに時間を要する。電食防止膜５の膜厚は５００〜１０００Å、反射電極膜６の膜厚は５００〜１５００Åであるのが好ましい。本実施態様では、１０００Å（反射電極膜６）、７５０Å（電食防止膜５）とした。積層膜上にレジスト２４を塗布し、フォトリソグラフィによりパターンニングした（図３ｃ）。すなわち、反射電極となる部分をマスクにより遮光しながらレジスト２４を露光し、現像してレジストパターンを作成した。次に、下記実施例および比較例に記載したように枚葉エッチングして反射電極（ＩＺＯ／Ａｌ／ＭｏＮ）を形成した（図３ｄ）。
本実施態様においては、液晶表示装置用アレイ基板の場合を例に説明したが、有機ＥＬ用アレイ基板等、他の用途に用いられる配線基板の製造も同様の方法により行うことができる。
A method for manufacturing a laminated wiring structure including a reflective electrode (IZO / Al / MoN) will be described with reference to FIG. FIG. 3 shows a series of process flows for forming a reflective electrode (IZO / Al / MoN).
First, after forming the TFT 3 on the insulating substrate 2, an interlayer insulating film 4 (photosensitive resin) was formed (FIG. 3a). Next, an electrolytic corrosion prevention film 5 (MoN), a reflective electrode film 6 (Al), and a transparent electrode film 18 (IZO) were formed in this order to form a laminated film (IZO / Al / MoN) (FIG. 3b). The thickness of the transparent electrode film 18 is preferably 50 to 150 mm. If it is less than 50 mm, the effect of IZO cannot be stably obtained, and if it exceeds 150 mm, the color of the reflective electrode becomes yellow due to the yellow color of IZO, and etching takes time. The thickness of the electrolytic corrosion preventing film 5 is preferably 500 to 1000 mm, and the thickness of the reflective electrode film 6 is preferably 500 to 1500 mm. In this embodiment, the thickness is 1000 mm (reflective electrode film 6) and 750 mm (electric corrosion prevention film 5). A resist 24 was applied on the laminated film and patterned by photolithography (FIG. 3c). That is, the resist 24 was exposed to light while shielding a portion serving as a reflective electrode with a mask, and developed to form a resist pattern. Next, as described in the following Examples and Comparative Examples, single-wafer etching was performed to form a reflective electrode (IZO / Al / MoN) (FIG. 3d).
In this embodiment, the case of an array substrate for a liquid crystal display device has been described as an example. However, a wiring substrate used for other purposes such as an organic EL array substrate can also be manufactured by a similar method.
実施例１〜７および比較例１〜４
上記したようにして積層膜（ＩＺＯ／Ａｌ／ＭｏＮ）上にレジストパターンを作成した後、表２および３に示した各エッチング組成物を用いて下記の条件でウェットエッチングを行った。
エッチング装置：シャワー方式
エッチング温度：４０℃
エッチング時間：１２０秒（３０％オーバーエッチ時間）
エッチング後、剥離処理して残存レジストパターンを除き、水でリンス、乾燥し、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で積層膜のエッジ形状を観察した。結果を表２および３に示した。
本発明のエッチング組成物を使用した場合は（実施例１〜７）、図４に示したような良好な順テーパーまたは階段状のエッジ形状を有する積層膜（ＩＺＯ／Ａｌ／ＭｏＮ）が得られたが、本発明の配合組成を満たさないエッチング組成物を使用した場合（比較例１〜４）、積層膜のエッジ形状は良好な順テーパーまたは階段状にはならなかった。
Examples 1-7 and Comparative Examples 1-4
After creating a resist pattern on the laminated film (IZO / Al / MoN) as described above, wet etching was performed under the following conditions using the etching compositions shown in Tables 2 and 3.
Etching device: Shower method Etching temperature: 40 ° C
Etching time: 120 seconds (30% overetch time)
After the etching, the remaining resist pattern was removed by peeling treatment, rinsed with water and dried, and the edge shape of the laminated film was observed with a scanning electron microscope (SEM). The results are shown in Tables 2 and 3.
When the etching composition of the present invention is used (Examples 1 to 7), a laminated film (IZO / Al / MoN) having a good forward taper or stepped edge shape as shown in FIG. 4 is obtained. However, when an etching composition that did not satisfy the composition of the present invention was used (Comparative Examples 1 to 4), the edge shape of the laminated film did not become a good forward taper or stepped shape.
比較例５および６
特開２００３−０１３２６１号公報に記載のエッチング組成物を用いて、ＩＺＯ／Ａｌ／Ｍｏ／絶縁膜積層膜（比較例５）及びＩＺＯ／Ａｌ／Ｍｏ／ＩＴＯ積層膜（比較例６）をエッチングした以外は前記と同様にした。得られた積層膜のエッジ形状は、図５（ひさし状）及び図６（逆テーパー）のようなエッジ形状となった。
Comparative Examples 5 and 6
The IZO / Al / Mo / insulating film laminated film (Comparative Example 5) and the IZO / Al / Mo / ITO laminated film (Comparative Example 6) were etched using the etching composition described in JP-A-2003-013261. Except for the above, the procedure was the same as described above. The resulting laminated film had an edge shape as shown in FIG. 5 (eave shape) and FIG. 6 (reverse taper).
Ｃ：逆テーパー状のエッジ形状
１ 透過／反射基板
２ 絶縁性基板
３ スイッチング素子（ＴＦＴ）
４ 層間絶縁膜
５ 電食防止膜
６ 反射電極膜
７ 透明電極（ＴＦＴ側）
８ ガラス基板
９ カラーフィルター層
１０ 透明電極（カラーフィルター側）
１１ 液晶層
１２ 位相差板
１２’ 位相差板
１３ 偏光板
１３’ 偏光板
１４ バックライト
１５ ゲートバスライン
１６ ソースバスライン
１７ ゲート電極
１８ 非晶質透明電極
１９ 半導体層
２０ ｎ型半導体層
２１ ソース電極
２２ ドレイン電極
２３ ゲート絶縁膜
２４ フォトレジスト
1 Transmission / reflection substrate 2 Insulating substrate 3 Switching element (TFT)
4 Interlayer insulation film 5 Electric corrosion prevention film 6 Reflective electrode film 7 Transparent electrode (TFT side)
8 Glass substrate 9 Color filter layer 10 Transparent electrode (color filter side)
DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 Liquid crystal layer 12 Phase difference plate 12 'Phase difference plate 13 Polarizing plate 13' Polarizing plate 14 Backlight 15 Gate bus line 16 Source bus line 17 Gate electrode 18 Amorphous transparent electrode 19 Semiconductor layer 20 N-type semiconductor layer 21 Source electrode 22 Drain electrode 23 Gate insulating film 24 Photoresist
Claims (14)
前記反射電極が、最上層が非晶質の透明電極膜、中間層がＡｌもしくはＡｌ合金系の反射電極膜、最下層が電食防止膜である３層の積層膜、または、上層が非晶質の透明電極膜、下層がＡｌもしくはＡｌ合金系の反射電極膜である２層の積層膜であり、
前記３層の積層膜または２層の積層膜の端面が順テーパー状または階段状に形成されていることを特徴とする液晶表示装置。 A first substrate including a first light-transmitting substrate and a transparent electrode; and a second substrate in which a switching element, an interlayer insulating film, and a reflective electrode are stacked in this order on the second light-transmitting substrate, And a liquid crystal display device in which a liquid crystal layer exists between the second substrate and the second substrate,
The reflective electrode is an amorphous transparent electrode film whose uppermost layer is an amorphous film, an intermediate layer is an Al or Al alloy-based reflective electrode film, a lowermost layer is a three-layered film that is an electrolytic corrosion prevention film, or an upper layer is amorphous. A transparent electrode film of a quality, a two-layered film in which the lower layer is an Al or Al alloy-based reflective electrode film,
2. A liquid crystal display device according to claim 1, wherein end faces of the three-layer laminated film or the two-layer laminated film are formed in a forward taper shape or a step shape.
前記反射電極が、最上層が非晶質の透明電極膜、中間層がＡｌもしくはＡｌ合金系の反射電極膜、最下層が電食防止膜である３層の積層膜、または、上層が非晶質の透明電極膜、下層がＡｌもしくはＡｌ合金系の反射電極膜からなる２層の積層膜であり、
前記３層の積層膜または２層の積層膜の端面が順テーパー状または階段状に形成されていることを特徴とする表示装置用基板。 In a substrate for a display device in which a switching element, an interlayer insulating film, and a reflective electrode are laminated in this order on a translucent substrate,
The reflective electrode is an amorphous transparent electrode film whose uppermost layer is an amorphous film, an intermediate layer is an Al or Al alloy-based reflective electrode film, a lowermost layer is a three-layered film that is an electrolytic corrosion prevention film, or an upper layer is amorphous. A transparent electrode film of a quality, a lower layer is a two-layer laminated film made of an Al or Al alloy-based reflective electrode film,
A substrate for a display device, wherein an end face of the three-layer laminated film or the two-layer laminated film is formed in a forward taper shape or a step shape.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2005048115A JP2005277402A (en) | 2004-02-25 | 2005-02-24 | Etching composition for laminated film including reflective electrode film and method for forming laminated wiring structure |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2004049928 | 2004-02-25 | ||
| JP2005048115A JP2005277402A (en) | 2004-02-25 | 2005-02-24 | Etching composition for laminated film including reflective electrode film and method for forming laminated wiring structure |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2005277402A true JP2005277402A (en) | 2005-10-06 |
Family
ID=35176666
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005048115A Pending JP2005277402A (en) | 2004-02-25 | 2005-02-24 | Etching composition for laminated film including reflective electrode film and method for forming laminated wiring structure |
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| Country | Link |
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| JP (1) | JP2005277402A (en) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006301625A (en) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Toppoly Optoelectronics Corp | Transflective display panel and method for making the same |
| JP2007317856A (en) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | Etching liquid composition and etching method |
| JP2008047645A (en) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Tosoh Corp | Etching liquid and etching method of transparent electrode |
| WO2008072423A1 (en) | 2006-12-14 | 2008-06-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and process for producing liquid crystal display device |
| JP2008159814A (en) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | Etchant for zinc oxide based thin-film, and method for patterning zinc oxide based thin-film |
| WO2008090682A1 (en) | 2007-01-24 | 2008-07-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid display device |
| WO2008093467A1 (en) | 2007-01-31 | 2008-08-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| WO2009001508A1 (en) | 2007-06-26 | 2008-12-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method of manufacturing liquid crystal display device |
| JP2009272544A (en) * | 2008-05-09 | 2009-11-19 | Toyota Central R&D Labs Inc | Etchant, and method of manufacturing semiconductor element |
| JP5165388B2 (en) * | 2006-01-25 | 2013-03-21 | 出光興産株式会社 | Laminated structure and electrode for electric circuit using the same |
| JP2015060937A (en) * | 2013-09-18 | 2015-03-30 | 関東化学株式会社 | Metal oxide etchant composition and etching method |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003013261A (en) * | 2001-06-26 | 2003-01-15 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | Etchant composition |
| JP2004240091A (en) * | 2003-02-05 | 2004-08-26 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Method for manufacturing transflective type electrode substrate |
| JP2004294630A (en) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Reflection type electrode substrate, its manufacturing method, and etching composition used for manufacturing method |
-
2005
- 2005-02-24 JP JP2005048115A patent/JP2005277402A/en active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003013261A (en) * | 2001-06-26 | 2003-01-15 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | Etchant composition |
| JP2004240091A (en) * | 2003-02-05 | 2004-08-26 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Method for manufacturing transflective type electrode substrate |
| JP2004294630A (en) * | 2003-03-26 | 2004-10-21 | Idemitsu Kosan Co Ltd | Reflection type electrode substrate, its manufacturing method, and etching composition used for manufacturing method |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4578430B2 (en) * | 2005-04-21 | 2010-11-10 | 統寶光電股▲ふん▼有限公司 | Transflective display panel and manufacturing method thereof |
| JP2006301625A (en) * | 2005-04-21 | 2006-11-02 | Toppoly Optoelectronics Corp | Transflective display panel and method for making the same |
| US8957313B2 (en) | 2006-01-25 | 2015-02-17 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Multilayer structure, and electrode for electrical circuit using the same |
| JP5165388B2 (en) * | 2006-01-25 | 2013-03-21 | 出光興産株式会社 | Laminated structure and electrode for electric circuit using the same |
| JP2007317856A (en) * | 2006-05-25 | 2007-12-06 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | Etching liquid composition and etching method |
| JP2008047645A (en) * | 2006-08-11 | 2008-02-28 | Tosoh Corp | Etching liquid and etching method of transparent electrode |
| WO2008072423A1 (en) | 2006-12-14 | 2008-06-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and process for producing liquid crystal display device |
| JP2008159814A (en) * | 2006-12-22 | 2008-07-10 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | Etchant for zinc oxide based thin-film, and method for patterning zinc oxide based thin-film |
| WO2008090682A1 (en) | 2007-01-24 | 2008-07-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid display device |
| WO2008093467A1 (en) | 2007-01-31 | 2008-08-07 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device |
| WO2009001508A1 (en) | 2007-06-26 | 2008-12-31 | Sharp Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display device and method of manufacturing liquid crystal display device |
| JP2009272544A (en) * | 2008-05-09 | 2009-11-19 | Toyota Central R&D Labs Inc | Etchant, and method of manufacturing semiconductor element |
| JP2015060937A (en) * | 2013-09-18 | 2015-03-30 | 関東化学株式会社 | Metal oxide etchant composition and etching method |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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