JP2005262779A - 相変化型光情報記録媒体 - Google Patents

Abstract

【課題】 青色波長（４０５ｎｍ）において優れた記録特性を有する相変化型光情報記録媒体の提供。
【解決手段】 基板上に、少なくとも下部誘電体層、記録層、上部誘電体層、耐硫化バリア層、及び反射層がこの順に積層されてなり、前記記録層がＩｎ_αＴｅ_β（ただし、α，βは組成比率（原子％）を表し、４３．５≦β≦６４であり、かつα＋β＝１００である）を含有し、かつ該記録層の膜厚が４〜２０ｎｍであることを特徴とする相変化型光情報記録媒体である。基板上に、少なくとも第１の記録層、及び第２の記録層がこの順に積層されてなり、レーザー照射方向前面に位置する第１記録層が、Ｉｎ_αＴｅ_β（ただし、α，βは組成比率（原子％）を表し、４３．５≦β≦６４であり、かつα＋β＝１００である）を含有し、該第１記録層の膜厚が４〜１２ｎｍである相変化型光情報記録媒体である。
【選択図】 図１

Description

本発明は、相変化型光情報記録媒体（以下、「光情報記録媒体」と称することがある）
に関し、特に、青色波長（４０５ｎｍ）において優れた記録特性を有する相変化型光情報記録媒体に関する。

従来より、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ等の光ディスクは、ポリカーボネート等のプラスチックスの円形基板、又はその上に設けた記録層に、円周方向に沿って、音や文字、あるいは画像の信号を記録し、その面にアルミニウム、金、銀等の金属を蒸着、又はスパッタリングして反射層を形成した構成で使用されている。この場合、光ディスクの基板面側からレーザー光を入射して、信号の記録、再生が行われる。

一方、コンピューターメモリ、画像及び音声ファイル用メモリー、光カード等で扱う情報量が非常に増加しているため、ＤＶＤ＋ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭのような光ディスクの信号記録容量の増大及び信号情報の高密度化が進んでいる。現在、ＣＤの記録容量は６５０ＭＢ程度、ＤＶＤでは４．７ＧＢ程度の容量であるが、更に高記録密度化が要求されている。

記録密度を高める方法として、光学系における光源の短波長化や対物レンズの開口数(ＮＡ：Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ Ａｐａｒｔｕｒｅ)の増大化が検討されているが、２次元方向の記録のみでは記録密度の向上が難しくなってきている。そこで、記録媒体の厚さ方向に記録層を多層化し、情報記録を蓄積する手法が検討されている。

このような多層化方法として、例えば、特許文献１などに記載されている技術がある。しかし、この例では、多層化の概念は記載されているものの、記録媒体に関する具体的な内容が記載されていないため、具現化の方法は不明である。一方、光の入射方向に相変化記録層を設ける多層記録方法が提案されている（特許文献２及び特許文献３参照）。これらは、いずれも、層構成が２層であり、光が最初に透過する層がＳｂ_２Ｓｅ_３、他の層がＧｅ_２Ｓｂ_２Ｔｅ_５組成からなる構成の記録層を有するが、この構成の記録層の場合には、高速記録をする際に、記録感度が悪くなり高密度記録がしづらいという難点があった。

例えば、前記２層構成により記録層を多層化する場合には、第２記録層への光の照射向上、あるいは反射光の透過を向上させるために、光入射側の第１記録層の膜厚を極薄にする必要があり、その結果、光の透過性は増加するが、膜厚が不均一になったり、結晶化させる工程（初期化工程）で大きなパワーのレーザー出力が必要となったり、更には記録信号差が得られ難くなるなどの技術的に難しい問題があった。

一方、高速記録に適した記録材料として、共晶系近傍の組成を持つＳｂＴｅ系の材料（ここでは、Ｓｂ_{６０〜８５}Ｔｅ_{１５〜４０}の組成を持つ材料をいう）を主成分とし、上部誘電体層を２０ｎｍ以下程度の薄い構成とした急冷タイプ構造が提案されている（例えば、特許文献４及び特許文献５参照）。

しかし、前記高速記録に向くと言われている相変化材料は、赤色波長においては好ましい材料であっても、青色波長に対しては優れた記録信号差を得ることができるものではない。具体的には、図３に、通常の共晶系（Ｓｂ_７５Ｔｅ_２５）近傍の組成を持つＳｂＴｅの波長による光学特性の変化を示す。ここで、図３中、アモルファスｎ及びアモルファスｋの表示は、レーザー照射により溶融状態まで加熱後、急冷却することでアモルファス状態となったアモルファス・マークを想定し、その光学定数ｎ及び消衰係数ｋの値を示している。光学定数ｎの値を示す縦軸は左側であり、消衰係数ｋの値を示す縦軸を右軸にとっている。図３上の値はアモルファス状態である相変化記録材料の成膜後の測定値をプロットしている。また、結晶ｎ及び結晶ｋの表示はレーザー照射により溶融状態まで加熱後、徐冷却することで結晶状態となった相変化記録膜の光学定数ｎ及び消衰係数ｋの値を示している。実際には、初期化装置にて膜面を初期化し、測定値をプロットしている。光学定数ｎ及び消衰係数ｋともにアモルファス状態を太い線で、結晶状態を細めの線で示した。また、矢印は青色波長(４０５ｎｍ)でのアモルファス状態から結晶状態の変化の幅を示している。変化の幅が大きい方が未記録状態と記録状態の信号差が大きく得られることになる。青色波長での共晶組成近傍の材料の光学定数差は、Δｎ＝１．４０、Δｋ＝０．２５６である。

一般的に、通常の共晶系近傍の組成を持つＳｂＴｅ系相変化材料の赤色波長（λ＝６６０ｎｍ）での光学定数はｎ≒４．２〜４．３、ｋ≒２．４５〜２．６５程度である。この同じ相変化材料を、青色波長（λ＝４０５ｎｍ）で評価すると、ほとんどの材料の光学定数は非晶質（アモルファス）状態で、ｎ≒２．５〜２．６、ｋ≒２．９〜３．０程度となる。このように、通常のＳｂＴｅ系相変化材料は青色波長において、光学定数ｎの絶対値が小さくなるので光学定数の変化を信号差として捉え難くなる。その結果、信号振幅が取り難くなる。従って、青色波長で高速記録を行うには、青色波長でも光学定数ｎの値が大きな材料を選ぶ必要がある。

また、多層記録層からなる情報記録媒体の場合、記録層の光透過・光吸収が問題となる。特に、最初に光が入射する第一記録層には高い透過率が必要となる。レーザー照射方向前面に位置する第１記録層の透過率が高くないと、より奥側に有る記録層への記録が難しくなるためである。したがって、第１記録層は、光学定数の消衰係数ｋの値が小さい方が透過率的に有利となる。このような点からすると、青色波長における屈折率ｎの絶対値が大きく、更に、消衰係数ｋの小さい材料が第１記録層の材料として最適である。

更に、本発明者等の研究により、高い透過率の第１記録層を形成するためには、ただ単に膜厚を薄くすれば良いというものでないことがわかった。即ち、実験の結果、薄い膜厚の第１記録層を形成すると転移線速が変化し、１層の記録層の場合には記録できた条件を多層の第１記録層に適用すると、線速を変えないと記録できないなどの問題を生ずることが解かった。したがって、青色多層用の第１記録層材料としては、青色波長における屈折率ｎの絶対値が大きく、消衰係数ｋが小さく、更に、転移線速の速い材料であることが要求され、その速やかな改良・開発が望まれているのが現状である。

特開平８−２８７４７４号公報 特開平９−１９８７０９号公報 特開平１１−１９５２４３号公報 特開２０００−２３３５７６号公報 特許第３２３５５０３号公報

本発明は、かかる現状に鑑みてなされたものであり、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本発明は、青色波長で記録したマークの反射率差を得ることができ、青色波長においても優れた光学特性を得ることができ、高記録密度が可能であり、高速記録をする際にも記録感度が低下することがない高性能な相変化型光情報記録媒体を提供することを目的とする。

前記課題を解決するため、本発明者らが鋭意検討を重ねた結果、以下の知見を得た。即ち、青色波長においても優れた光学特性を得ることができる記録層材料としてＩｎＴｅ系材料を発見し、更にＧｅＴｅ系を併せて用いることによって保存寿命を長くすることができることを知見した。

本発明は、本発明者らの前記知見に基づくものであり、前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
＜１＞ 基板上に、少なくとも下部誘電体層、記録層、上部誘電体層、耐硫化バリア層、及び反射層がこの順に積層されてなり、前記記録層がＩｎ_αＴｅ_β（ただし、α，βは組成比率（原子％）を表し、４３．５≦β≦６４であり、かつα＋β＝１００である）を含有し、かつ該記録層の膜厚が４〜２０ｎｍであることを特徴とする相変化型光情報記録媒体である。該本発明の相変化型光情報記録媒体においては、記録層が少なくともＩｎ及びＴｅを主成分として含む合金からなることにより、青色波長で記録したマークの反射率差を得ることができ、青色波長においても優れた光学特性を得ることができる。

＜２＞ 記録層が、Ｇｅ単体及びＧｅを含む合金から選択される少なくともいずれかを含有する前記＜１＞に記載の相変化型光情報記録媒体である。
＜３＞ Ｇｅを含む合金がＧｅＴｅ及びＧｅＳｂのいずれかである前記＜２＞に記載の相変化型光情報記録媒体である。
＜４＞ Ｇｅ単体及びＧｅを含む合金の含有量が、Ｇｅ単体として５原子％以下である前記＜２＞から＜３＞のいずれかに記載の相変化型光情報記録媒体である。
前記＜２＞から＜４＞のいずれかに記載の相変化型光情報記録媒体においては、Ｇｅ単体及びＧｅを含む合金の少なくともいずれかを含むことによって、記録層の保存寿命を長くすることができ、更に、薄い膜厚においても信号差を得ることができるので、記録線速を低下させずに多層記録層化することができる。

＜５＞ 記録層のアモルファス状態での光学定数が、青色波長（４０５ｎｍ）においてｎ＝２．７〜３．１、ｋ＝１．５〜３．０である前記＜１＞から＜４＞のいずれかに記載の相変化型光情報記録媒体である。該＜５＞に記載の相変化型光情報記録媒体においては、青色波長で記録したマークの反射率差を得ることができ、青色波長においても優れた光学特性を得ることができる。

＜６＞ 基板上に、少なくとも第１の記録層、及び第２の記録層がこの順に積層されてなり、レーザー照射方向前面に位置する第１記録層が、Ｉｎ_αＴｅ_β（ただし、α，βは組成比率（原子％）を表し、４３．５≦β≦６４であり、かつα＋β＝１００である）を含有し、該第１記録層の膜厚が４〜１２ｎｍであることを特徴とする相変化型光情報記録媒体である。該本発明の相変化型光情報記録媒体においては、記録層を多層化することにより、高速記録と共に記録密度を高めることができ、第１記録層が少なくともＩｎ及びＴｅを主成分として含む合金からなることにより、青色波長で記録したマークの反射率差を得ることができ、青色波長においても優れた光学特性を得ることができる。

＜７＞ 第２記録層が、Ｉｎ_αＴｅ_β（ただし、α，βは組成比率（原子％）を表し、４３．５≦β≦６４であり、かつα＋β＝１００である）を含有し、該第２記録層の膜厚が４〜２０ｎｍである前記＜６＞に記載の相変化型光情報記録媒体である。
＜８＞ 第１記録層の膜厚が第２記録層の膜厚よりも薄く形成される前記＜６＞から＜７＞のいずれかに記載の相変化型光情報記録媒体である。

＜９＞ 第１記録層及び第２記録層の少なくともいずれかが、Ｇｅ単体及びＧｅを含む合金から選択される少なくともいずれかを含有する前記＜６＞から＜８＞のいずれかに記載の相変化型光情報記録媒体である。
＜１０＞ Ｇｅを含む合金がＧｅＴｅ及びＧｅＳｂのいずれかである前記＜９＞に記載の相変化型光情報記録媒体である。
＜１１＞ Ｇｅ単体及びＧｅを含む合金の含有量が、Ｇｅ単体として５原子％以下である前記＜９＞から＜１０＞のいずれかに記載の相変化型光情報記録媒体である。
前記＜９＞から＜１１＞のいずれかに記載の相変化型光情報記録媒体においては、においては、Ｇｅ単体及びＧｅを含む合金の少なくともいずれかを含むことによって、記録層の保存寿命を長くすることができ、更に、薄い膜厚においても信号差を得ることができるので、記録線速を低下させずに多層記録層化することができる。

＜１２＞ 記録再生レーザー光波長における第１記録層の透過率が４０〜７０％である前記＜６＞から＜１１＞のいずれかに記載の相変化型光情報記録媒体である。
＜１３＞ 基板上に、少なくとも第１下部誘電体層、第１記録層、第１上部誘電体層、第１耐硫化バリア層、第１反射層、透明熱拡散層、第１環境保護層、接着層、第２環境保護層、第２下部誘電体層、第２記録層、第２上部誘電体層、第２耐硫化バリア層、及び第２反射層がこの順に積層されてなる前記＜６＞から＜１２＞のいずれかに記載の相変化型光情報記録媒体である。
＜１４＞ 第１反射層の膜厚が２０ｎｍ以下である前記＜１３＞に記載の相変化型光情報記録媒体である。

本発明によると、従来における諸問題を解決でき、青色波長で記録したマークの反射率差を得ることができ、青色波長においても優れた光学特性を得ることができ、高記録密度が可能であって、高速記録をする際にも記録感度が低下することがない相変化型光情報記録媒体を提供できる。また、本発明によれば、記録層が記録媒体の厚さ方向に多層化することができ、高速記録と共に記録密度を更に高めることができる。

本発明の相変化型光情報記録媒体は、第一形態では、基板上に、少なくとも下部誘電体層、記録層、上部誘電体層、耐硫化バリア層、及び反射層がこの順に積層されてなり、更に必要に応じてその他の層を有してなる（以下、単層型光情報記録媒体と称することがある）。
具体的には、図１に示すように、透明基板１の上に下部誘電体層２、記録層３、上部誘電体層４、耐硫化バリア層５、反射層６が順次積層されている。更に本発明においては、記録層３がＩｎ_αＴｅ_β（ただし、α，βは組成比率（原子％）を表し、４３．５≦β≦６４であり、かつα＋β＝１００である）を主成分とする材料により構成されており、該記録層の膜厚が４〜２０ｎｍであり、１０〜１６ｎｍが好ましい。前記α，βの組成比率（原子％）は、好ましくは５５≦β≦６０であり、かつα＋β＝１００である。
前記記録層３の膜厚が、４ｎｍ未満であると、記録後に有効な信号による反射率差を得ることができないことがあり、２０ｎｍを超えると、記録層の熱容量が大きくなるため記録が困難となるほか、再生信号出力の低下も生じることがある。

前記記録層３が、少なくともＩｎ及びＴｅを主成分として含む合金からなることで、青色波長で記録されたマークの反射率差を得ることができる。通常の膜厚においても、更に薄い膜厚においても信号差を得ることができる。具体的には、Ｉｎ及びＴｅを主成分として含む記録膜のアモルファス状態での光学定数は青色波長（４０５ｎｍ）でｎ＝２．７〜３．１、ｋ＝１．５〜３．０である。前記記録層３がＩｎ_（５０）Ｔｅ_（５０）で構成された光情報記録媒体の波長による光学特性の変化の一例を図４に示す。

ここで、図４中、アモルファスｎ及びアモルファスｋの表示は、レーザー照射により溶融状態まで加熱後、急冷却することでアモルファス状態となったアモルファス・マークを想定し、その光学定数ｎ及び消衰係数ｋの値を示している。光学定数ｎの値を示す縦軸は左側であり、消衰係数ｋの値を示す縦軸を右軸にとっている。図４上の値はアモルファス状態である相変化記録材料の成膜後の測定値をプロットしている。また、結晶ｎ及び結晶ｋの表示はレーザー照射により溶融状態まで加熱後、徐冷却することで結晶状態となった相変化記録膜の光学定数ｎ及び消衰係数ｋの値を示している。実際には、初期化装置にて膜面を初期化し、測定値をプロットしている。光学定数ｎ及び消衰係数ｋともにアモルファス状態を太い線で、結晶状態を細めの線で示した。また、矢印は青色波長(４０５ｎｍ)でのアモルファス状態から結晶状態の変化の幅を示している。変化の幅が大きい方が未記録状態と記録状態の信号差が大きく得られることになる。青色波長でのＩｎ_（５０）Ｔｅ_（５０）材料の光学定数差は、Δｎ＝１．５３、Δｋ＝０．５９４である。

前記記録層３は、保存性など特性改善のために、少なくともＧｅ単体及びＧｅの少なくともいずれかを含む合金の１種を、Ｇｅ単体として５原子％以下となるように含有することが好ましい。かかる構成により、記録層の保存寿命を長くすることが可能となる。更に、薄い膜厚においても信号差を得ることができるので、記録線速を低下させずに多層記録層化することが可能である。

前記Ｇｅを含む合金としては、ＧｅＴｅ又はＧｅＳｂが好ましい。これはＧｅを含むことによって保存性が改善できる他に、ＧｅＴｅでは４０５ｎｍにおける光学定数ｎが３．０６、消衰係数ｋは１．６とＩｎＴｅと同じ程度の光学的な特性を持っているため光学的に主成分であるＩｎＴｅの機能を損なうことがない。また、ＧｅＳｂの場合は、Ｇｅを含むことによって保存性が改善できる他に、溶融混合されたときに生ずるＩｎとＳｂの合金は自体も相変化記録層として機能するため記録線速を低下させない。

前記基板１の材料としては、通常、ガラス、セラミックス、樹脂、などが用いられるが、成形性、コストの点から、樹脂製基板が好適である。前記樹脂としては、例えば、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリスチレン樹脂、アクリロニトリル−スチレン共重合体樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、シリコーン樹脂、フッ素樹脂、ＡＢＳ樹脂、ウレタン樹脂などが挙げられる。成形性、光学特性、コストの点からポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂が好ましい。

前記基板１の厚みは、特に制限はなく、通常使用するレーザーの波長やピックアップ・レンズの集光特性により決定される。波長７８０ｎｍのＣＤ系では１．２ｍｍの基板厚み、波長６５０〜６６５ｎｍのＤＶＤ系では０．６ｍｍの板厚の基板が用いられている。また、４０５ｎｍの青色レーザーを使った光ディスクでは、ピックアップ・レンズの開口数(ＮＡ：Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ Ａｐａｒｔｕｒｅ)により、０．６ｍｍのもの(開口数０．６５の場合)と１．１ｍｍに０．１ｍｍのカバー層を付けたもの(開口数０．８５の場合)が好適である。

前記下部誘電体層２、及び上部誘電体層４は、記録層３の劣化変質を防ぎ、記録層３の接着強度を高め、かつ記録特性を高めるなどの作用効果を有し、例えば、ＳｉＯ、ＳｉＯ_２、ＺｎＯ、ＳｎＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＴｉＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３、ＭｇＯ、ＺｒＯ_２などの金属酸化物、Ｓｉ_３Ｎ_４、ＡｌＮ、ＴｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮなどの窒化物、ＺｎＳ、Ｉｎ_２Ｓ_３、ＴａＳ_４などの硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ_４Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、ＺｒＣなどの炭化物やダイヤモンド状カーボンあるいは、それらの混合物が挙げられる。これらの材料は、単体で使用することもできるし、混合物としてもよい。耐熱性が必要な場合には、融点は記録層よりも高いことが必要である。
前記下部誘電体層２、上部誘電体層４の層形成方法としては、各種気相成長法、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などが用いられる。これらの中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
前記下部誘電体層２、及び上部誘電体層４の厚みは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、通常、下部保護層は５０〜８０ｎｍが好ましく、上部保護層は１０〜３０ｎｍが好ましい。反射率、記録パワーマージン、ジッターや繰り返し記録の信号安定生などの記録特性や高温高湿保存、ヒートサイクル試験などの品質特性により決定される。

前記耐硫化バリア層５は、反射層に用いる金属膜の硫化による腐食防止の作用効果を有する材料を用いることが好ましく、例えば、ＳｉＣとＳｉＯ_２の混合層、前記下部及び上部誘電体層材料として挙げた各種の金属酸化物、窒化物、炭化物、あるいはこれらの混合物が挙げられる。
前記耐硫化バリア層５の形成法は、上記下部誘電体層２と同様である。
前記耐硫化バリア層５厚みは、通常、３〜１０ｎｍである。

前記反射層６としては、例えば、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｔａなどの金属材料、又はこれらの合金などを用いることができる。また、これら金属材料への添加元素として、Ｃｒ、Ｔｉ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ａｇ、Ｐｄ、Ｔａなどが使用できる。このような反射層６は、各種気相成長法、例えば、真空蒸着法、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電子ビーム蒸着法などによって形成できる。これらの中でも、スパッタリング法が、量産性、膜質等に優れている。
前記反射層６の厚みは、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、通常、一層記録の場合では、１００〜２００ｎｍが好ましい。

前記環境保護層７は、工程内及び製品となった時点で記録層の光情報記録媒体の薄膜積層構造保護の作用効果を有し、通常紫外線硬化性の樹脂により形成する。前記環境保護層の膜厚は２〜５μｍが好ましい。

前記接着層８は、情報信号が書き込まれる透明基板１とダミー基板９とを貼り合わせるために用い、ベースフィルムの両側に粘着剤を塗布した両面粘着性のシート、熱硬化性樹脂又は紫外線硬化樹脂により形成する。前記接着層の膜厚は、通常５０μｍ程度である。

前記ダミー基板９は、接着層として粘着性シート又は熱硬化性樹脂を用いる場合は、透明である必要はないが、接着層に紫外線硬化樹脂用いる場合は紫外線を透過する透明基板とする。基板の厚みは、通常、情報信号を書き込む透明基板１と同じ０．６ｍｍのものが用いられている。

本発明の相変化型光情報記録媒体は、第二形態では、基板上に、少なくとも第１の記録層、及び第２の記録層がこの順に積層されてなり、更に必要に応じてその他の層を有してなる（以下、多層型光情報記録媒体と称することがある）。このように、光情報記録媒体の記録媒体の厚さ方向に記録層を多層化することにより、高速記録と共に記録密度を高めることができる。
前記光情報記録媒体においては、レーザー照射方向前面に位置する第１記録層が、Ｉｎ_αＴｅ_β（ただし、４３．５≦β≦６４であり、かつα＋β＝１００である）を含有し、該第１記録層の膜厚が４〜１２ｎｍである。

具体的には、図２に示すように、基板１’上に、少なくとも第１下部誘電体層２’、第１記録層３’、第１上部誘電体層４’、第１耐硫化バリア層５’、第１反射層６’、透明熱拡散層１０、第１環境保護層７’、接着層８’、第２環境保護層７７、第２下部誘電体層２２、第２記録層３３、第２上部誘電体層４４、第２耐硫化バリア層５５、及び第２反射層６６がこの順に積層されてなる。
この場合、基板１’、第１下部誘電体層２’、第１記録層３’、第１上部誘電体層４’、第１耐硫化バリア層５’、及び第１反射層６’は、上述した基板１、下部誘電体層２、記録層３、上部誘電体層４、耐硫化バリア層、反射層６と同じである。また、第２下部誘電体層２２は第１下部誘電体層２’と同様に、第２記録層３３は第１記録層３’と同様に、第２上部誘電体層４４は第１上部誘電体層４’と同様に、第２耐硫化バリア層５５は第１耐硫化バリア層５’と同様に、第２反射層６６は第１反射層６’と同様に構成することが好ましい。

前記第１記録層３’をレーザー照射方向前面に位置すると共にその膜厚が４〜１２ｎｍとなるように形成するのは、第２記録層３３より膜厚を薄めにすることにより高い透過率を得るためである。第１記録層３’の膜厚が４ｎｍ未満の場合、記録後に有効な信号による反射率差を得ることができない。また、１２ｎｍを超える場合は透過率が低くなってしまうので、第２記録層に対する記録が困難となる。記録及び透過率の両方の点から、更に好ましいのは、６〜１０ｎｍである。

記録再生レーザー光波長（例えば、青色波長（４０５ｎｍ））における第１記録層の透過率は４０〜７０％が好ましく、４５〜６０％がより好ましい。
前記透過率が、４０％未満であると、第２記録層の感度が低下し、良好に記録再生を行うことができなくなることがあり、７０％を超えると、第１記録層の感度が低下し、良好に記録再生を行うことができなくなることがある。
ここで、前記透過率は、例えば、Ｓｔｅａｇ Ｅｔａｏｐｔｉｋ ＧｍｂＨ社製 光ディスク光学特性評価装置 ｍｏｄｅｌ：ＥＴＡ−ＲＴ２の透過率測定モード(ＲＴＡモード)にて測定できる。より具体的には、標準試料のスペクトラムを測定後、キャリブレーションを行い、その後、サンプルを測定することにより、透過率、吸収率、及び反射率の値を測定することができる。

前記第２記録層３３の構成は、第１記録層３’の場合と同じ構成で形成して良い。すなわち、少なくともＩｎ及びＴｅを主成分として含む合金からなる記録層材料を用い、膜厚４〜２０ｎｍである。また、第１記録層と異なる材料で形成することもでき、例えば、ＳｂＴｅ系、ＧｅＳｂＴｅ系、ＧｅＴｅ系、ＧｅＴｅＳｎ系、ＩｎＳｂ系、ＧａＳｂ系などが挙げられる。

光情報記録媒体を多層化する場合、図２に示すように、第１反射層６’の上に透明熱拡散層１０と環境保護層７’と第１接着層８’と第二環境保護層７７を順に形成し、第二環境保護層７７の上に下部誘電体層２２を形成することが好ましい。また、第二反射層６６の上にダミー基板９を形成することが好ましい。

前記第１反射層６’と第１環境保護層７’の間に透明熱拡散層１０を設ける。二層の記録層を持つ光情報記録媒体の場合は、レーザー光入射側の記録層に隣接する反射層６の膜厚は第２記録層３３に光を透過させる必要があるため２０ｎｍ以下とする。しかし、この反射層はアモルファス・マークを形成するために記録層材料を急冷する機能も併せ持つが、膜厚が減少することによってその機能が低下するのを防ぐ必要があり、透明熱拡散層１０がその代替として通常配置される。
前記透明熱拡散層１０としては、透明導電膜として用いられるＳｎＯ_２、Ｉｎ_２Ｏ_３、Ｉｎ_２Ｏ_３とＳｎＯ_２との混合体であるＩＴＯ(Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ)、ＺｎＯ、ＺｎＯにＡｌをドーピングしたＺｎＯ：Ａｌ、Ｉｎ_２Ｏ_３とＺｎＯとの混合体であるＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）などが用いられる。前記透明熱拡散層の膜厚は、３０〜１３０ｎｍが好ましい。
また、第１環境保護層７’と第１接着層８’は第１記録層と第２記録層とを光学的に分離可能となる様に膜厚が設定され、通常使用レーザー波長が４０５ｎｍの場合は第１環境保護層７’と第１接着層８’の合計で３０μｍ程度である。また、奥側の第２記録層３３の反射層６６の膜厚については単層記録層の場合と同じ１００〜２００ｎｍが好ましい。

以下、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれら実施例に何ら限定されるものではない。

（実施例１）
トラックピッチが０．４４μｍで、表面に凹凸を設けた厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート樹脂製基板１上に、図１に示した構成層を以下のようにして形成し、光ディスク（メディア）を作製した。まず、枚葉スパッタ装置を用いて下部誘電体層２としてのＺｎＳ・ＳｉＯ_２を厚みが５０ｎｍになるように成膜した。下部誘電体層上に記録層３としてのＩｎ_４３Ｔｅ_５７を厚みが１６ｎｍになるように成膜した。記録層上に上部誘電体層４として、下部誘電体層２と同じＺｎＳ・ＳｉＯ_２を厚みが１０ｎｍとなるように成膜した。上部誘電体層上に耐硫化バリア層５としてのＳｉＣとＳｉＯ_２（ＳｉＣ８０原子％：ＳｉＯ_２２０原子％）の混合層を厚み４ｎｍとなるように成膜した。最後に、反射層６としての純Ａｇを厚みが１４０ｎｍとなるように成膜し、スパッタ装置から取り出した。
スパッタ成膜終了後、反射層上に紫外線硬化樹脂をスピンコートし、次いで、紫外線硬化して環境保護層７を３μｍの厚みとなるように形成した。次に、環境保護層上に接着層８（厚み４７μｍ）を介して０．６ｍｍの厚みのダミー基板９と接着して、実施例１の光情報記録媒体を作製した。

次に、相変化型光ディスク用初期化装置（日立コンピューター製、ＰＯＰ１２０−３Ｒａ）を用いて、上記光情報記録媒体を以下の条件により約１００秒の処理時間でレーザー初期化を行った。
ＣＬＶ（Ｃｏｎｓｔａｎｔ Ｌｉｎｅａｒ Ｖｅｌｏｃｉｔｙ：線速度一定）記録により記録媒体を回転させ、その線速は９．０ｍ／ｓ、送り量３６μｍ／回転、初期化範囲は半径位置２３〜５８ｍｍ、また、レーザーパワーは１４００ｍＷとした。この装置のＬＤの中心発光波長は８１０±１０ｎｍ、スポットサイズは約１μｍ×９６±５μｍである。

次に、４０５ｎｍの半導体レーザーを搭載した開口数ＮＡ（Ｎｕｍｅｒｉｃａｌ Ａｐａｒｔｕｒｅ）０．６５のピックアップを持つ光ディスク評価装置（Ｐｕｌｓｔｅｃ社製、ＤＤＵ１０００）を用いて、評価を行った。記録密度は０．１７μｍ／ｂｉｔとし、記録線速は６．５ｍ／ｓである。評価パワーの条件は、Ｐｗ＝１０〜１４ｍＷ、Ｐｅ＝５ｍＷ、読み取りパワーＰｒ＝０．５ｍＷ、最適化したパルスストラテジーにより行った。評価結果を表１に示す。表１の結果から、実施例１の光情報記録媒体では、光ランダムパターンによるジッター９％以下、モデュレーション６０％以上が得られた。

次に、この光情報記録媒体を保存試験槽に投入した。８０℃−ＲＨ８５％の高温高湿槽に１００時間保管し、再度ジッター及びモデュレーションの変化を見た。ジッターの変化が０．３％、モデュレーションの変化が２％であり、経時変化に関し問題ないものであった。評価結果を表１に示す。

（実施例２）
実施例１において、記録層３に（Ｉｎ_４３Ｔｅ_５７）_６７（Ｇｅ_１５Ｔｅ_８５）_３３を用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例２の光情報記録媒体を作製した。
次に、実施例１と同様にして最適化されたパルスストラテジーにより評価を行った。評価結果を表１に示す。表１の結果から、ランダムパターンによるジッター９％以下、モデュレーション６０％以上が得られた。

次に、この光情報記録媒体を保存試験槽に投入した。８０℃−ＲＨ８５％の高温高湿槽に３００時間保管し、再度ジッター及びモデュレーションの変化を見た。ジッターの変化が０．３％、モデュレーションの変化が２％であり、経時変化に関し問題ないものであった。評価結果を表１に示す。

（実施例３）
実施例１において、記録層３に（Ｉｎ_４３Ｔｅ_５７）_７９（Ｇｅ_１４．５Ｓｂ_８５．５）_２１を用いた以外は、実施例１と同様にして、実施例３の光情報記録媒体を作製した。
次に、実施例１と同様にして最適化されたパルスストラテジーにより評価を行った。評価結果を表１に示す。表１の結果から、ランダムパターンによるジッター９％以下、モデュレーション６０％以上が得られた。

次に、この記録媒体を保存試験槽に投入した。８０℃−ＲＨ８５％の高温高湿槽に３００時間保管し、再度ジッター及びモデュレーションの変化を見た。ジッターの変化が０．３％、モデュレーションの変化が２％であり、経時変化に関し問題ないものであった。評価結果を表１に示す。

（実施例４）
トラックピッチが０．４４μｍで、表面に凹凸を設けた厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート樹脂製基板上に、図２に示すように各層を以下のようにして形成し、光情報記録媒体を作製した。
まず、枚葉スパッタ装置を用いて第１下部誘電体層２’としてのＺｎＳ・ＳｉＯ_２（ＳｉＯ_２２０原子％）を厚みが５０ｎｍとなるように成膜した。第１下部誘電体層上に第１記録層３’としてのＩｎ_４３Ｔｅ_５７を厚みが６ｎｍとなるように成膜した。第１記録層上に第１上部誘電体層４’として、第１下部誘電体層２’と同じＺｎＳ・ＳｉＯ_２を厚みが１０ｎｍとなるように成膜した。第１上部誘電体層上に第１耐硫化バリア層５’としてのＳｉＣとＳｉＯ_２（ＳｉＣ８０原子％：ＳｉＯ_２２０原子％）の混合層を厚みが４ｎｍとなるように成膜した。第１耐硫化バリア層上に第１反射膜６’としてのＡｇを厚みが１０ｎｍとなるように成膜した。第１反射膜上に透明熱拡層１０としてのＩＺＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３にＺｎＯを５原子％混合したもの）を厚みが８０ｎｍとなるように形成した。次いで、第１環境保護層７’を紫外線硬化樹脂を用いて厚みが３〜５μｍとなるように形成した。
なお、第１記録層単体のみを同一のポリカーボネート製基板のトラックが形成されていない面に別途成膜して、光ディスク光学特性評価装置（Ｓｔｅａｇ Ｅｔａｏｐｔｉｋ ＧｍｂＨ社製、ｍｏｄｅｌ：ＥＴＡ−ＲＴ２）の透過率測定モード(ＲＴＡモード)により透過率を測定したところ４０５ｎｍの波長で５０％と十分な透過率を得た。

次に、貼り合わせ用の対になる第２情報層を逆順の成膜構成で形成した基板を製作した。
まず、枚葉スパッタ装置を用いて、第２反射層６６としてのＡｇを厚みが１４０ｎｍとなるように成膜した。第２反射層上に第２耐硫化バリア層５５としてのＳｉＣとＳｉＯ_２（ＳｉＣ８０原子％・ＳｉＯ_２２０原子％）の混合層を厚みが５ｎｍとなるように成膜した。第２耐硫化バリア層上に第２上部誘電体層４４としてのＺｎＳ・ＳｉＯ_２を厚みが１２ｎｍとなるように成膜した。第２上部誘電体層上に第２記録層３３としてのＧｅ_５Ｓｂ_７５Ｔｅ_２０を厚みが１５ｎｍとなるように成膜した。第２記録層上に第２下部誘電体層２２としてのＺｎＳ・ＳｉＯ_２を厚みが５０ｎｍとなるように成膜し、最後に、紫外線硬化樹脂を塗布・硬化し、第２環境保護層７７を厚みが３〜５μｍとなるようにを形成した。
次に、前記第１記録層を形成した基板と、第２記録層を形成した基板とを接着層８’を介して接着し、二層の光情報記録媒体として形成した。接着層８の厚みは、環境保護層７及び７７、更に接着層８のトータルな膜厚が３５±５μｍ程度に収まるようにそれぞれの厚みを測定しながら調整して形成した。

次に、一層ずつファーカスを合わせながら大口径レーザー初期化装置で初期化しディスク特性の評価を行った。評価結果を表１に示す。このとき評価用に用いた半導体レーザーパワー条件は、第１記録層の記録条件Ｐｗ＝１０〜１４ｍＷ、Ｐｅ＝５ｍＷ、読み取りパワーＰｒ＝０．８〜１．２ｍＷとした。更に、第２記録層の記録条件Ｐｗ＝１０〜１４ｍＷ、Ｐｅ＝５ｍＷ、読み取りパワーＰｒ＝０．５〜１．２ｍＷとした。

次に、この光情報記録媒体を保存試験槽に投入した。８０℃−ＲＨ８５％の高温高湿槽に３００時間保管し、再度ジッター及びモデュレーションの変化を見た。ジッターの変化が０．３％、モデュレーションの変化が２％であり、経時変化に関して問題ないものであった。評価結果を表１に示す。

（実施例５）
実施例４において、第１記録層をＩｎ_４３Ｔｅ_５７からなる厚み６ｎｍに変え、第２記録層をＩｎ_４３Ｔｅ_５７からなる厚み１６ｎｍに変えた以外は、実施例４と同様にして、二層型光情報記録媒体を作製した。
得られた二層型光情報記録媒体について、実施例４と同様にして、評価した。結果を表１に示す。

（実施例６）
実施例１において、記録層の膜厚を４ｎｍとした以外は、実施例１と同様にして、光情報記録媒体を作製した。
得られた光情報記録媒体について、実施例４と同様にして、評価した。結果を表１に示す。なお、１ｍＷ記録パワーを上げたが同じ記録線速で記録できた。

（実施例７）
実施例１において、記録層の膜厚を６ｎｍとした以外は、実施例１と同様にして、光情報記録媒体を作製した。
得られた光情報記録媒体について、記録ストラテジーを最適化して記録特性を測定した。結果を表１に示す。

（実施例８）
実施例１において、記録層の膜厚を１０ｎｍとした以外は、実施例１と同様にして、光情報記録媒体を作製した。
得られた光情報記録媒体について、記録ストラテジーを最適化して記録特性を測定した。結果を表１に示す。

（実施例９）
実施例１において、記録層の組成をＩｎ_５０Ｔｅ_５０とし、該記録層の膜厚を１０ｎｍとした以外は、実施例１と同様にして、光情報記録媒体を作製した。
得られた光情報記録媒体について、記録ストラテジーを最適化して記録特性を測定した。結果を表１に示す。

（実施例１０）
実施例１において、記録層の組成をＩｎ_４０Ｔｅ_６０とし、該記録層の膜厚を１０ｎｍとした以外は、実施例１と同様にして、光情報記録媒体を作製した。
得られた光情報記録媒体について、記録ストラテジーを最適化して記録特性を測定した。結果を表１に示す。

実施例９及び１０は、表１の結果から、記録パワーが数ｍＷ増やした以外は光情報記録媒体として通常使用できる範囲であった。保存特性は、８０℃−８５％ＲＨの条件で３００Ｈジッターの変化はジッターの変化が０．５％、モデュレーションの変化が１％であり、経時変化に関し問題ないものであった。

（比較例１）
まず、予備実験として、６〜１８ｎｍの膜厚の記録層を２ｎｍきざみで図１の構成で製作し、記録線速の測定を行った。６ｎｍ及び８ｎｍでは記録線速が３．５ｍ／ｓ及び５ｍ／ｓであった。逆に、厚い側の１２ｍ／ｓ以上では１０ｎｍと同じ記録線速６．５ｍ／ｓが測定された。そこで、６．５ｍ／ｓに相当する膜厚として１０ｎｍを選定した。この結果を基に、本実験に入った。
まず、トラックピッチが０．４４μｍで、表面に凹凸を設けた厚さ０．６ｍｍのポリカーボネート樹脂製基板１上に、図２と同様の構成層を以下のようにして形成し、光ディスク（メディア）を作製した。まず、枚葉スパッタ装置を用いて、第１下部誘電体層２’としてのＺｎＳ・ＳｉＯ_２（ＳｉＯ_２２０原子％）を厚みが５０ｎｍとなるように成膜した。第１下部誘電体層上に第１記録層３’としての（Ａｇ_２Ｉｎ_３Ｓｂ_７０Ｔｅ_２５）８５（Ｇｅ_３０Ｓｅ_７０）_１５を厚みが１０ｎｍとなるように成膜した。第１記録層の上に第１上部誘電体層４’として、第１下部誘電体層２’と同じＺｎＳ・ＳｉＯ_２を厚みが１２ｎｍとなるように成膜した。第１上部誘電体層上に第１耐硫化バリア層５’としてのＳｉＣとＳｉＯ_２（ＳｉＣ８０原子％：ＳｉＯ_２２０原子％）の混合層を厚み４ｎｍとなるように成膜した。第１耐硫化バリア層上に第１反射膜６’のＡｇを厚みが１０ｎｍとなるように成膜した。第１反射膜上に透明熱拡層１０としてのＩＺＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３にＺｎＯを５原子％混合したもの）を厚みが８０ｎｍとなるように形成した後、第１環境保護層７’を紫外線硬化樹脂を用いて厚みが３〜５μｍとなるように形成した。

次に、貼り合わせ用の対になる第２記録層を有する基盤を逆順の成膜構成で形成した基板を製作した。具体的には、第２記録層３３をＡｇ_２Ｉｎ_３Ｓｂ_７０Ｔｅ_２５（厚さ１６ｎｍ）とした以外は、実施例４と同じ条件にして、図２と同じ層構成の比較例１の光情報記録媒体を作製した。

実施例４のメディアと比較例１のメディアについて記録再生特性（第１記録層と第２記録層のジッター最小記録感度）を評価した。評価条件は、レーザー波長：４０５ｎｍ、光学系の対物レンズの開口数ＮＡ：０．６５、ディスクの回転線速：６．５ｍ／ｓ、記録線密度：０．１７μｍ／ｂｉｔとした。評価の結果、実施例１の第１記録層と第２記録層のジッター最小記録感度に比べて、比較例１では１ｍＷ高いレーザー出力で記録できた。評価結果を表１に示す。

次に、この記録媒体を保存試験槽に投入した。８０℃、ＲＨ８５％の高温高湿槽に３００時間保管し、再度ジッター及びモデュレーションの変化を見た。ジッターの変化が０．３％、モデュレーションの変化が２％であり、経時変化に関し問題ないものであった。評価結果を表１に示す。

（比較例２）
比較例１において、第１記録層材料としてＧｅ_２０．８Ｓｎ_１０Ｓｂ_１５．４Ｔｅ_５３．８を用い、第１記録層の上下にＧｅＮを厚みが３ｎｍとなるように積層し、光学的条件を合わせるために第１下部保護層を厚みが６０ｎｍと厚くした以外は、比較例１と同様にして、第１記録層側基板のみを形成した。更に、成膜をしていない０．６ｍｍの厚みのダミー基板を接着層を介して貼り合わせて、比較例２の光ディスクを製作した。

材料系が異なるので、評価パワーを見直しＰｗ＝１０ｍＷ，Ｐｅ＝５ｍＷ（３ｍ／ｓ），Ｐｂ＝０．１ｍＷ，Ｐｒ＝０．８ｍＷの測定条件で評価を行った。記録ストラテジーは最適化して評価したところ、記録感度が良く、１０ｍＷで記録可能であったが、記録線速は３ｍ／ｓであり、６．５ｍ／ｓに線速を上げるとジッターは悪化しモジュレーションは測定できなかった。評価結果を表１に示す。

（比較例３）
実施例４において、第１記録層の膜厚を３ｎｍとした以外は、実施例４と同様にして、比較例３の光情報記録媒体を作製した。
第１記録層単体のみを別途成膜して、同一のポリカーボネート製基板のトラックが形成されていない面に別途成膜して、光ディスク光学特性評価装置（Ｓｔｅａｇ Ｅｔａｏｐｔｉｋ ＧｍｂＨ社製、ｍｏｄｅｌ：ＥＴＡ−ＲＴ２）の透過率測定モード(ＲＴＡモード)により透過率を測定したところ４０５ｎｍの波長で７５％と高い透過率を得た。
第１記録層を評価したところ、ジッター値は表示としては２０％と測定されたが、３Ｔ〜１４Ｔの長さの信号に対するきれいなアイパターンは得られず、モジュレーションを測定できなかった。第２記録層に関しては、測定した結果ジッター８．９％、モジュレーション６１％を得た。評価結果を表１に示す。

（比較例４）
実施例４において、第１記録層の膜厚を２５ｎｍとした以外は、実施例４と同様にして、比較例４の光情報記録媒体を作製した。
第１記録層単体のみを別途成膜して同一のポリカーボネート樹脂製基板のトラックが形成されていない面に別途成膜して、Ｓｔｅａｇ Ｅｔａｏｐｔｉｋ ＧｍｂＨ社製 光ディスク光学特性評価装置 ｍｏｄｅｌ：ＥＴＡ−ＲＴ２の透過率測定モード(ＲＴＡモード)により透過率を測定したところ４０５ｎｍの波長で３５％の透過率を得た。
第１記録層を評価したところ、ジッター値は７．９％、モジュレーション６３％であった。しかし、第２記録層に関しては、測定した結果ジッター１８％、モジュレーション４０％であった。評価結果を表１に示す。

（比較例５）
実施例１において、記録層の組成をＩｎ_５８Ｔｅ_４２とし、該記録層の膜厚を１０ｎｍとした以外は、実施例１と同様にして、光情報記録媒体を作製した。
得られた光情報記録媒体について、記録ストラテジーを最適化して記録特性を測定した。結果を表１に示す。

（比較例６）
実施例１において、記録層の組成をＩｎ_３５Ｔｅ_６５とし、該記録層の膜厚を１０ｎｍとした以外は、実施例１と同様にして、光情報記録媒体を作製した。
得られた光情報記録媒体について、記録ストラテジーを最適化して記録特性を測定した。結果を表１に示す。

本発明の相変化型光情報記録媒体は、特に、青色波長（４０５ｎｍ）において優れた記録特性を有し、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、ＤＶＤ＋ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＷ、ＤＶＤ−ＲＡＭなどに幅広く用いることができる。

図１は、本発明の光情報記録媒体の層構成の一例を示す説明図である。 図２は、本発明の光情報記録媒体の層構成の他の一例を示す説明図である。 図３は、記録層が共晶系（Ｓｂ_７５Ｔｅ_２５）近傍の組成を持つＳｂＴｅで構成された光情報記録媒体の波長による光学特性の変化の一例を示す図面である。 図４は、記録層がＩｎＴｅで構成された光情報記録媒体の波長による光学特性の変化の一例を示す図面である。

符号の説明

１、１’ 透明基板
２、２’ 下部誘電体層、第１下部誘電体層
３、３’ 記録層
４、４’ 上部誘電体層、第１上部誘電体層
５、５’ 反射層耐硫化バリア層、第１反射層耐硫化バリア層
６、６’ 反射層
７、７’ 環境保護層、第１環境保護層
８ 接着層
９、９’ 第２透明基板（貼り合わせ基板）
１０ 透過熱拡散層
２２ 第２下部誘電体層
４４ 第２上部誘電体層
５５ 第２反射層耐硫化バリア層
６６ 第２反射層
７７ 環境保護層

Claims (14)

1. 基板上に、少なくとも下部誘電体層、記録層、上部誘電体層、耐硫化バリア層、及び反射層がこの順に積層されてなり、前記記録層がＩｎ_αＴｅ_β（ただし、α，βは組成比率（原子％）を表し、４３．５≦β≦６４であり、かつα＋β＝１００である）を含有し、かつ該記録層の膜厚が４〜２０ｎｍであることを特徴とする相変化型光情報記録媒体。
2. 記録層が、Ｇｅ単体及びＧｅを含む合金から選択される少なくともいずれかを含有する請求項１に記載の相変化型光情報記録媒体。
3. Ｇｅを含む合金がＧｅＴｅ及びＧｅＳｂのいずれかである請求項２に記載の相変化型光情報記録媒体。
4. Ｇｅ単体及びＧｅを含む合金の含有量が、Ｇｅ単体として５原子％以下である請求項２から３のいずれかに記載の相変化型光情報記録媒体。
5. 記録層のアモルファス状態での光学定数が、青色波長（４０５ｎｍ）においてｎ＝２．７〜３．１、ｋ＝１．５〜３．０である請求項１から４のいずれかに記載の相変化型光情報記録媒体。
6. 基板上に、少なくとも第１の記録層、及び第２の記録層がこの順に積層されてなり、レーザー照射方向前面に位置する第１記録層が、Ｉｎ_αＴｅ_β（ただし、α，βは組成比率（原子％）を表し、４３．５≦β≦６４であり、かつα＋β＝１００である）を含有し、該第１記録層の膜厚が４〜１２ｎｍであることを特徴とする相変化型光情報記録媒体。
7. 第２記録層が、Ｉｎ_αＴｅ_β（ただし、α，βは組成比率（原子％）を表し、４３．５≦β≦６４であり、かつα＋β＝１００である）を含有し、該第２記録層の膜厚が４〜２０ｎｍである請求項６に記載の相変化型光情報記録媒体。
8. 第１記録層の膜厚が第２記録層の膜厚よりも薄く形成される請求項６から７のいずれかに記載の相変化型光情報記録媒体。
9. 第１記録層及び第２記録層の少なくともいずれかが、Ｇｅ単体及びＧｅを含む合金から選択される少なくともいずれかを含有する請求項６から８のいずれかに記載の相変化型光情報記録媒体。
10. Ｇｅを含む合金がＧｅＴｅ及びＧｅＳｂのいずれかである請求項９に記載の相変化型光情報記録媒体。
11. Ｇｅ単体及びＧｅを含む合金の含有量が、Ｇｅ単体として５原子％以下である請求項９から１０のいずれかに記載の相変化型光情報記録媒体。
12. 記録再生レーザー光波長における第１記録層の透過率が４０〜７０％である請求項６から１１のいずれかに記載の相変化型光情報記録媒体。
13. 基板上に、少なくとも第１下部誘電体層、第１記録層、第１上部誘電体層、第１耐硫化バリア層、第１反射層、透明熱拡散層、第１環境保護層、接着層、第２環境保護層、第２下部誘電体層、第２記録層、第２上部誘電体層、第２耐硫化バリア層、及び第２反射層がこの順に積層されてなる請求項６から１２のいずれかに記載の相変化型光情報記録媒体。
14. 第１反射層の膜厚が２０ｎｍ以下である請求項１３に記載の相変化型光情報記録媒体。
    

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