JP2005252134A - Joining method and structure of film substrate - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、液晶表示装置の透明基板などの配線基板に接合されるフィルム基板の接合方法およびフィルム基板の接合構造に関する。 The present invention relates to a method for bonding a film substrate to be bonded to a wiring substrate such as a transparent substrate of a liquid crystal display device, and a bonding structure for the film substrate.
例えば、携帯電話機や携帯情報端末機などの電子機器においては、小型化に伴い、それらに使用される液晶表示装置の小型化および狭額縁化が要望されている。液晶表示装置では基板の端部に配列されて設けられた複数の電極端子が、外部回路からの信号を出力するためにのフィルム基板などの複数の接続端子とそれぞれ電気的に接続されるが、これら接続端子の延在方向に沿う電極端子の長さを短くする方がより狭額縁化を図ることができる。しかし、このように液晶表示装置の電極端子の長さを短くすると、フィルム基板の接続端子が接合する接合面積が小さくなり、フィルム基板の接合強度が低下する。 For example, electronic devices such as mobile phones and personal digital assistants are required to be downsized and have a narrower frame for liquid crystal display devices used in the electronic devices. In the liquid crystal display device, a plurality of electrode terminals arranged at the end of the substrate are electrically connected to a plurality of connection terminals such as a film substrate for outputting a signal from an external circuit, respectively. A narrower frame can be achieved by shortening the length of the electrode terminals along the extending direction of the connection terminals. However, when the length of the electrode terminal of the liquid crystal display device is shortened in this way, the bonding area where the connection terminal of the film substrate is bonded is reduced, and the bonding strength of the film substrate is lowered.
そこで、特許文献1では、フィルム基板の接続端子間に接合強度を高めるためのレジストからなる絶縁部を設け、これら絶縁部が設けられたフィルム基板の接続端子部分と液晶表示装置の電極端子部分とを接合するときに、フィルム基板の各接続端子と液晶表示装置の各電極端子とを対応させた状態で、フィルム基板の接続端子部分と液晶表示装置の電極端子部分とを異方導電性接着材を介して熱圧着により接合していることが示されている。これにより、接続端子と電極端子とが対応しない部分の接合強度を絶縁部によって高めている。
しかしながら、上記のような従来のフィルム基板の接合構造では、フィルム基板の接続端子間に接合強度を高める絶縁部を設けるために、フィルム基板の接続端子の間隔を狭くすることができない。 However, in the conventional film substrate bonding structure as described above, an insulating portion that increases the bonding strength is provided between the connection terminals of the film substrate, so that the interval between the connection terminals of the film substrate cannot be reduced.
この発明が解決しようとする課題は、液晶表示装置の電極端子の短端子化を図ることによって液晶表示装置の基板の表示領域に対する非表示領域の比率を低くしても、接合強度を十分に確保できるフィルム基板の接合方法およびフィルム基板の接合構造を提供することである。 The problem to be solved by the present invention is to secure sufficient bonding strength even if the ratio of the non-display area to the display area of the substrate of the liquid crystal display device is reduced by shortening the electrode terminals of the liquid crystal display device. A film substrate bonding method and a film substrate bonding structure are provided.
この発明は、上記課題を解決するために、次のような構成要素を備えている。
なお、各構成要素には、後述する各実施形態の項で説明される各要素に付されている図面の参照番号などを括弧と共に付す。
In order to solve the above problems, the present invention includes the following components.
In addition, the reference numerals of the drawings attached to the respective elements described in the section of each embodiment described later are attached to the respective constituent elements together with parentheses.
請求項1に記載の発明は、図1〜図6に示すように、配線基板(例えば透明基板5)の上に設けられた電極端子部(例えば電極端子部10)の電極端子(例えば電極端子10a)に電気的に接続された半導体チップ(例えば半導体チップ7)の上面にフィルム基板(例えばフィルム基板1)の先端部(例えば先端部12c、21d、26c)を接合するとともに、前記フィルム基板の基端部(例えば基端部12b、21c、26b)に設けられた接続端子(例えば接続端子12a、21a、26a)を前記電極端子に接続することを特徴とするフィルム基板の接合方法である。
The invention according to
請求項2に記載の発明は、図1〜図6に示すように、少なくとも前記フィルム基板の前記接続端子が設けられている前記基端部(例えば基端部12b、21c、26b)側を前記配線基板の前記電極端子部に異方導電性接着材(例えば異方導電性接着材13)を介して熱圧着により接合することを特徴とする請求項1に記載のフィルム基板の接合方法である。
1 to 6, at least the base end portion (for example, the
請求項3に記載の発明は、前記異方導電性接着材が、絶縁性を有する接着剤中に導電性を有する粒子を混入させたものであり、絶縁性を有する前記接着剤は熱硬化性樹脂からなることを特徴とする請求項2に記載のフィルム基板の接合方法である。
According to a third aspect of the present invention, the anisotropic conductive adhesive is obtained by mixing conductive particles in an insulating adhesive, and the insulating adhesive is thermosetting. The film substrate bonding method according to
請求項4に記載の発明は、図1〜図6に示すように、配線基板(例えば透明基板5)の上に設けられた電極端子部(例えば電極端子部10)の電極端子(例えば電極端子10a)に電気的に接続された半導体チップ(例えば半導体チップ7)の上面にフィルム基板(例えばフィルム基板1)の先端部(例えば先端部12c、21d、26c)が接合されているとともに、前記フィルム基板の基端部(例えば基端部12b、21c、26b)に設けられた接続端子(例えば接続端子12a、21a、26a)が前記電極端子に接続されていることを特徴とするフィルム基板の接合構造である。
As shown in FIGS. 1 to 6, the invention according to
請求項5に記載の発明は、図4〜図6に示すように、前記フィルム基板の前記接続端子が設けられている接続端子部(例えば接続端子部21、26)には、前記配線基板の前記電極端子から前記半導体チップの前記上面に亘って前記接続端子が設けられ、前記半導体チップの前記上面には、前記フィルム基板の前記接続端子の少なくとも一部が対応して接合されるバンプ(例えばバンプ電極20、バンプ25)が設けられていることを特徴とする請求項4に記載のフィルム基板の接合構造である。
As shown in FIGS. 4 to 6, the connection terminal portion (for example, the
請求項6に記載の発明は、図4〜図6に示すように、前記フィルム基板の前記接続端子部が、前記配線基板の前記電極端子と前記半導体チップの前記バンプが設けられた前記上面とに異方導電性接着材(例えば異方導電性接着材13)を介して熱圧着により接合されていることを特徴とする請求項5に記載のフィルム基板の接合構造である。
As shown in FIGS. 4 to 6, the connection terminal portion of the film substrate includes the electrode terminal of the wiring substrate and the upper surface provided with the bumps of the semiconductor chip. The film substrate bonding structure according to
請求項1に記載の発明によれば、配線基板上に設けられた電極端子部の電極端子に電気的に接続された半導体チップの上面にフィルム基板の先端部を接合しているため、フィルム基板と配線基板の接合性を強化できるので、配線基板の電極端子の延在方向に沿う長さを短くして液晶表示装置の基板の表示領域に対する非表示領域の比率を低くしても、フィルムと配線基板との接合強度を確保することができる。また、フィルム基板の複数の接続端子間に絶縁部を広く設ける必要がないので、フィルム基板の各接続端子の間隔および配線基板の各電極端子の間隔を狭くすることができ、これにより単位面積当たりの端子の配列数を高めることができるほか、各端子の幅を広くすることができるので、各端子の電気抵抗値を下げることができる。 According to the first aspect of the present invention, since the front end portion of the film substrate is bonded to the upper surface of the semiconductor chip electrically connected to the electrode terminal of the electrode terminal portion provided on the wiring substrate, the film substrate Even if the length along the extending direction of the electrode terminals of the wiring board is shortened to reduce the ratio of the non-display area to the display area of the substrate of the liquid crystal display device, Bonding strength with the wiring board can be ensured. In addition, since it is not necessary to provide a wide insulating portion between the plurality of connection terminals of the film substrate, the distance between the connection terminals of the film substrate and the distance between the electrode terminals of the wiring substrate can be reduced. The number of terminals can be increased, and the width of each terminal can be increased, so that the electrical resistance value of each terminal can be reduced.
請求項2に記載の発明によれば、少なくともフィルム基板の基端部を配線基板の電極端子部に異方導電性接着材を介して熱圧着により接合することにより、フィルム基板の各接続端子の間隔と配線基板の各電極端子の間隔とを狭くしても、異方導電性接着材によって互いに対向するフィルム基板の各接続端子と配線基板の各電極端子との導通を確実に図ることができると共に、熱圧着によって確実に且つ強固に接合することができる。この場合、フィルム基板の先端部と半導体チップの上面との接合も、異方導電性接着材を介して熱圧着によって接合しても良く、また単に接着剤で接合しただけでも良い。
According to invention of
請求項3に記載の発明によれば、異方導電性接着材が絶縁性を有する接着剤中に導電性を有する粒子を混入させたものであり、絶縁性を有する接着剤が熱硬化性樹脂からなることにより、フィルム基板の接続端子が設けられた接続端子部を配線基板の電極端子部と半導体チップの上面とに熱圧着するときに、異方導電性接着材の接着剤によって確実に接着することができるほか、特に接着剤が熱硬化性樹脂であるから、熱圧着により接着剤を硬化させることができ、より一層、強固に接合することができる。 According to the third aspect of the invention, the anisotropic conductive adhesive is obtained by mixing conductive particles in the insulating adhesive, and the insulating adhesive is a thermosetting resin. Therefore, when the connection terminal portion provided with the connection terminal of the film substrate is thermocompression bonded to the electrode terminal portion of the wiring substrate and the upper surface of the semiconductor chip, it is securely bonded by the adhesive of the anisotropic conductive adhesive. In addition, since the adhesive is a thermosetting resin in particular, the adhesive can be cured by thermocompression bonding and can be further strongly bonded.
請求項4に記載の発明によれば、配線基板上に設けられた電極端子部の電極端子に電気的に接続された半導体チップの上面にフィルム基板の先端部を接合しているため、フィルム基板と配線基板の接合性を強化できるので、配線基板の電極端子の延在方向に沿う長さを短くして液晶表示装置の基板の表示領域に対する非表示領域の比率を低くしても、フィルムと配線基板との接合強度を確保することができる。この場合にも、フィルム基板の複数の接続端子間に絶縁部を広く設ける必要がないので、フィルム基板の各接続端子の間隔および配線基板の各電極端子の間隔を狭くすることができ、これにより単位面積当たりの端子の配列数を高めることができるほか、各端子の幅を広くすることができ、各端子の電気抵抗値を下げることができる。
According to the invention described in
請求項5に記載の発明によれば、半導体チップの上面にフィルム基板の複数の接続端子の少なくとも一部が接合されるバンプが設けられていることにより、フィルム基板の接続端子の少なくとも一部を半導体チップの上面に設けられたバンプによって確実に且つ強固に接合することができる。さらに、バンプ電極に接合されるフィルム基板の接続端子を配線基板の電極端子に対応させずに、バンプ電極のみに対応させて接続することにより、フィルム基板の接続端子と半導体チップのバンプ電極との導通をも図ることができる。
According to the invention described in
請求項6に記載の発明によれば、フィルム基板の接続端子が設けられた接続端子部が配線基板の電極端子部と半導体チップの上面とに異方導電性接着材を介して熱圧着によって接合されていることにより、請求項2に記載の発明と同様、フィルム基板の各接続端子の間隔と配線基板の各電極端子の間隔とを狭くしても、異方導電性接着材によって互いに対向するフィルム基板の各接続端子と配線基板の各電極端子との導通を確実に図ることができると共に、互いに対向するフィルム基板の各接続端子と半導体チップの上面の各バンプとの導通をも確実に図ることができ、これにより導通信頼性の高いものを得ることができる。
According to invention of Claim 6, the connection terminal part in which the connection terminal of the film board was provided joined to the electrode terminal part of a wiring board, and the upper surface of a semiconductor chip by thermocompression bonding via an anisotropic conductive adhesive. Thus, similar to the invention according to
(実施形態1)
以下、図1〜図3を参照して、この発明を適用した実施形態1について説明する。
図1はこの発明のフィルム基板の接合構造を示した平面図、図2は図1のA−A矢視における拡大断面である。これらの図において、1はフィルム基板である。このフィルム基板1は、図1に示すように、液晶表示装置2と回路基板(図示せず)とを電気的に接続するためのものであり、回路基板側の端部(図1では右端部)にコネクタ3が設けられ、このコネクタ3によって回路基板と電気的に接続されるように構成されている。
(Embodiment 1)
A first embodiment to which the present invention is applied will be described below with reference to FIGS.
FIG. 1 is a plan view showing a bonding structure of a film substrate of the present invention, and FIG. 2 is an enlarged cross section taken along the line AA in FIG. In these figures, 1 is a film substrate. As shown in FIG. 1, the
液晶表示装置2は、図2に示すように、ガラス、樹脂フィルムなどからなる上下一対の透明基板4、5間に液晶6を封止材6aによって封入し、下側の透明基板5が上側の透明基板4よりも大きく形成され、これにより下側の透明基板5が上側の透明基板4の側方向に突出し、この突出した部分の上面に半導体チップ7が少なくとも一つ以上搭載されている。この場合、上側の透明基板4から側方向に突出した下側の透明基板5の上面には、入力側配線8と出力側配線9が設けられ、上下の透明基板4、5の表示領域における対向面に複数の透明な電極(図示せず)が形成されており、これら透明電極はそれぞれ各出力側配線9に接続されている。
As shown in FIG. 2, the liquid
半導体チップ7は、液晶表示装置2を駆動するためのLSIなどの半導体装置であり、図2に示すように、その下面両側に多数のバンプ電極7aが設けられ、これらバンプ電極7aが入力側配線8と出力側配線9とに跨って後述する異方導電性接着材13によって電気的に接続された状態で接合されている。液晶表示装置2がアクティブマトリクス駆動型である場合、ゲートラインとなる出力側配線9に接続されたゲートドライバとして機能する半導体チップ7や、ソースラインまたはドレインラインとなる出力側配線9に接続されたデータドライバとして機能する半導体チップ7が透明基板5上にそれぞれ設けられている。また、下側の透明基板5の上面における半導体チップ7の右側の端部には、図3に示すように、電極端子部10が設けられている。この電極端子部10には、半導体チップ7のバンプ電極7aが接続された複数の入力側配線8にそれぞれ連続する電極端子10aが所定間隔で透明基板5の端部に沿って配列されている。
The
フィルム基板1は、図2および図3に示すように、合成樹脂製の帯状シートの下面に接続配線11が多数形成されていると共に、透明基板5側に位置する端部(図3では左端部)に接続端子部12が設けられた構成になっている。この接続端子部12は、透明基板5の電極端子部10から半導体チップ7の上面に亘る大きさで形成されている。この接続端子部12における電極端子部10に対応する基端部12b側には、図3に示すように、接続配線11にそれぞれ連続する接続端子12aが所定間隔、つまり電極端子10aと同じ間隔でフィルム基板1の端部に沿って多数配列されて形成されている。また、この接続端子部12における半導体チップ7の上面に対応する先端部12c側は、接続端子12aが設けられておらずに、半導体チップ7の上面に位置するように延出形成されている。
As shown in FIGS. 2 and 3, the
これにより、接続端子部12は、図2および図3に示すように、その基端部12b側の接続端子12aが透明基板5の電極端子部10の各電極端子10aに対応し、先端部12c側が半導体チップ7の上面に対応し、この状態で透明基板5の電極端子部10との間に異方導電性接着材13を介して熱圧着により接合されると共に、半導体チップ7の上面との間に接着剤14を介して熱圧着により接合されている。この場合、接続端子部12の先端部12c側と半導体チップ7の上面との間に介在される接着剤14は、通常の接着剤であり、このため必ずしも熱圧着により接合する必要はない。
Thereby, as shown in FIGS. 2 and 3, the
また、異方導電性接着材13は、絶縁性を有する接着剤中に導電性を有する粒子を混入させたものであり、厚み方向に加圧されたときに、その厚み方向に導電性を有し、面方向に絶縁性を有するように構成されている。この絶縁性を有する接着剤としては、熱圧着時に硬化する熱硬化性樹脂であることが望ましい。また、導電性を有する粒子は、金属粒子でも良く、また絶縁粒子の表面に導電めっきを施したものでも良く、さらに金属粒子または導電めっきが施された絶縁粒子のいずれかの表面に更に絶縁薄膜を形成し、熱圧着時に厚み方向の絶縁薄膜が破壊されて厚み方向に導電性を有する構造のものでも良い。 Further, the anisotropic conductive adhesive 13 is obtained by mixing conductive particles in an insulating adhesive. When pressed in the thickness direction, the anisotropic conductive adhesive 13 has conductivity in the thickness direction. And it is comprised so that it may have insulation in a surface direction. The insulating adhesive is preferably a thermosetting resin that is cured during thermocompression bonding. In addition, the conductive particles may be metal particles, or the surface of insulating particles may be subjected to conductive plating. Furthermore, the surface of either the metal particles or the insulating particles subjected to conductive plating may be further insulated. The insulating thin film in the thickness direction may be destroyed at the time of thermocompression bonding, and a structure having conductivity in the thickness direction may be used.
次に、このフィルム基板1を液晶表示装置2の透明基板5に接合する接合方法について説明する。
まず、液晶表示装置2の下側の透明基板5の上面におけるチップ搭載領域に異方導電性接着材13を塗布し、この異方導電性接着材13を介して半導体チップ7の下面に設けられた多数のバンプ電極7aを透明基板5に設けられた入力側配線8と出力側配線9とに対応させ、この状態で半導体チップ7を透明基板5に熱圧着によって接合する。これにより、半導体チップ7が入力側配線8を介して透明基板5の電極端子部10の各電極端子10aと電気的に接続された状態で透明基板5上に搭載される。
Next, a bonding method for bonding the
First, the anisotropic conductive adhesive 13 is applied to the chip mounting region on the upper surface of the
この後、透明基板5の電極端子部10上に未硬化の異方導電性接着材13を塗布すると共に、半導体チップ7の上面におけるフィルム基板1の接続端子部12の先端部12c側に対応する部分に未硬化の接着剤14を塗布する。そして、異方導電性接着材13を介してフィルム基板1の接続端子部12の基端部12b側に位置する各接続端子12aを透明基板5の電極端子部10の各電極端子10aにそれぞれ対応させると共に、フィルム基板1の接続端子部12の先端部12c側を半導体チップ7の上面に対応させる。
Thereafter, an uncured anisotropic conductive adhesive 13 is applied on the
この状態で、図示しない熱圧着ヘッドによりフィルム基板1の接続端子部12の基端部12b側を透明基板5の電極端子部10に熱圧着により接合すると共に、フィルム基板1の接続端子部12の先端部12c側を半導体チップ7の上面に接合する。これにより、フィルム基板1の接続端子部12の各接続端子12aと透明基板5の電極端子部10の各電極端子10aとが異方導電性接着材13により互いに導通して接合されると共に、フィルム基板1の接続端子部12の先端部12c側と半導体チップ7の上面とが接着剤14により接合される。
In this state, the
この場合、異方導電性接着材13が絶縁性を有する接着剤中に導電性を有する粒子を混入させたものであることにより、フィルム基板1の接続端子部12と透明基板5の電極端子部10とを熱圧着すると、異方導電性接着材13の導電性を有する粒子によって互いに対向する接続端子12aと電極端子10aとを確実に導通させることができると共に、異方導電性接着材13中の接着剤によって確実に接着することができる。特に、異方導電性接着材13の接着剤が熱硬化性樹脂であるから、熱圧着により接着剤を加圧して硬化させることができ、これにより接続端子部12の基端部12b側と電極端子部10とを強固に接合することができる。
In this case, the anisotropic conductive adhesive 13 is obtained by mixing conductive particles in the insulating adhesive, so that the
このように、このフィルム基板1の接合方法およびその接合構造によれば、フィルム基板1に設けられた接続端子部12の基端部12b側を半導体チップ7が搭載された透明基板5上の電極端子部10に異方導電性接着材13を介して熱圧着により接合すると共に、この接続端子部12の先端部12c側を半導体チップ7の上面に接着剤14を介して接合するので、フィルム基板1の接続端子部12を透明基板5の電極端子部10と半導体チップ7の上面との2か所で接合することができる。
Thus, according to the bonding method and the bonding structure of the
このため、透明基板5の電極端子部10における電極端子10aの延在方向に沿う長さ、つまり電極端子10aの配列方向と直交する方向の長さを短くして短端子化を図ることができると共に、透明基板5の電極端子部10の短端子化を図っても、フィルム基板1の接続端子部12が基端部12bで透明基板5の電極端子部10と接合するとともに先端部12cで半導体チップ7の上面と接合されているので、透明基板5に対するフィルム基板1の接続端子部12の接合強度を確保することができる。
For this reason, the length along the extending direction of the
また、フィルム基板1の各接続端子12a間に接合強度を高めるために絶縁部を広く設ける必要がないので、透明基板5の各電極端子10aの間隔およびフィルム基板1の各接続端子12aの間隔を狭くすることができる。これにより、電極端子10aおよび接続端子12aの単位面積当たりの各配列数を高めることができるほか、各端子10a、12aの幅を広くすることができるので、各端子10a、12aの電気抵抗値を下げることができる。
Further, since it is not necessary to provide a wide insulating portion in order to increase the bonding strength between the
この場合、フィルム基板1の接続端子部12を透明基板5の電極端子部10に異方導電性接着材13を介して熱圧着により接合するので、各接続端子12aの間隔と各電極端子10aの間隔とを狭くしても、異方導電性接着材13の導電性を有する粒子によって互いに対向する接続端子12aと電極端子10aとの導通を確実に図ることができると共に、異方導電性接着材13の接着剤が熱圧着によって接続端子部12と電極端子部10とを確実に且つ強固に接合することができる。特に、フィルム基板1の接続端子部12は、その先端部12c側を半導体チップ7の上面に接着剤14により接合する際、接着剤14を介して熱圧着することにより、より一層、強固に接合することができる。
In this case, since the
(実施形態2)
次に、図4および図5を参照して、この発明を適用した実施形態2について説明する。なお、図1〜図3に示された実施形態1と同一部分には同一符号を付して説明する。
半導体チップ7は、実施形態1のように、下面に設けられたバンプ電極7a、7a、…に加え、上面に半導体チップ7の内部回路と電気的に接続された多数のバンプ電極20が設けられた構造になっている。そして、フィルム基板1の接合構造は、フィルム基板1の接続端子部21の基端部21cに設けられた第1接続端子21aを透明基板5の各電極端子10aに対応させると共に、フィルム基板1の接続端子部21の先端部21dに設けられた第2接続端子21bを各バンプ電極20に対応させ、この状態で接続端子部21を電極端子部10と半導体チップ7の上面とに異方導電性接着材13を介して熱圧着により接合した構造で、これ以外は実施形態1とほぼ同じ構造になっている。
(Embodiment 2)
Next, a second embodiment to which the present invention is applied will be described with reference to FIGS. In addition, the same code | symbol is attached | subjected and demonstrated to the same part as
As in the first embodiment, the
すなわち、フィルム基板1の接続端子部21は、実施形態1と同様、透明基板5の電極端子部10から半導体チップ7の上面に亘る大きさに形成され、図5に示すように、その下面に透明基板5の電極端子部10の各電極端子10aにそれぞれ対応する第1接続端子21aと、半導体チップ7の上面に設けられた各バンプ電極20にそれぞれ対応する第2接続端子21bとが配列された構成になっている。この場合、第1接続端子21aは、フィルム基板1の接続配線11に連続した状態で、接続端子部21の基端部21c側のみに設けられており、第2接続端子21bは、フィルム基板1の接続配線11に連続した状態で、接続端子部21の基端部21c側から先端部21d側に亘って設けられている。
That is, the
このフィルム基板1の接続端子部21を透明基板5の電極端子部10と半導体チップ7とに接合する場合には、まず、電極端子部10と半導体チップ7の上面におけるバンプ電極20が設けられた部分とに未硬化の異方導電性接着材13をそれぞれ塗布する。そして、接続端子部21の基端部21c側の各第1接続端子21aを透明基板5の電極端子部10の各電極端子10aに対応させ、接続端子部21の各第2接続端子21bの先端部21d側を半導体チップ7の上面の各バンプ電極20に対応させる。
When joining the
この状態で、接続端子部21を電極端子部10と半導体チップ7のバンプ電極20部分とに異方導電性接着材13を介して熱圧着により接合する。このときには、バンプ電極20に接合されるフィルム基板1の第2接続端子21bの基端部21c側を透明基板5の電極端子10aに対応させずに、フィルム基板1の接続端子部21の基端部21c側に位置する第1接続端子21aのみを透明基板5の電極端子部10の電極端子10aに接続し、第2接続端子21bのみを半導体チップ7のバンプ電極20と接続するように、電極端子部10とフィルム基板1の基端部21cとを接合し、半導体チップ7とフィルム基板1の先端部21dとを接合する。
In this state, the
このようなフィルム基板1の接合方法およびその接合構造によれば、実施形態1と同様の作用効果があるほか、特に半導体チップ7の上面に半導体チップ7の内部回路と接続されたバンプ電極20を設け、このバンプ電極20に接合されるフィルム基板1の接続端子部21の第2接続端子21bを透明基板5の電極端子部10の電極端子10aに接続させずに、半導体チップ7の上面のバンプ電極20のみに対応させて接合することにより、フィルム基板1と半導体チップ7のバンプ電極20との電気的な接続を図ることができる。
According to the bonding method and the bonding structure of the
この場合にも、フィルム基板1の接続端子部21の基端部21c側に位置する第1、第2接続端子21a、21bを透明基板5の電極端子部10に接合すると共に、フィルム基板1の接続端子部21の先端部21d側を半導体チップ7の上面に接合するので、実施形態1と同様、短端子化を図っても、フィルム基板1の接続端子部21の接合強度を高めることができる。特に、接続端子部21の先端部21d側は、第2接続端子21bがバンプ電極20に対応した状態で異方導電性接着材13を介して熱圧着により接合されるので、実施形態1と同様、強固に接合することができる。
Also in this case, the first and
(実施形態3)
次に、図6を参照して、この発明を適用した実施形態3について説明する。この場合にも、図1〜図3に示された実施形態1と同一部分に同一符号を付して説明する。
半導体チップ7は、入力側配線8に接続される複数のバンプ電極7a、7a、…が下面に設けられ、複数のバンプ25、25、…が上面に設けられている。複数のバンプ電極7a、7a、…はそれぞれ複数のバンプ25、25、…に対応しており、これら対応しているバンプ電極7a、7a、…とバンプ25、25、…の組みは、互いに半導体チップ7の同じ内部回路に接続されている。
(Embodiment 3)
Next, a third embodiment to which the present invention is applied will be described with reference to FIG. Also in this case, the same portions as those in the first embodiment shown in FIGS.
The
そして、フィルム基板1の接合構造は、フィルム基板1の接続端子部26に多数の接続端子26a、26a、…を配列させて設け、これら接続端子26aを透明基板5の各電極端子10aと半導体チップ7の各バンプ25に対応させた状態で、接続端子部26を電極端子部10と半導体チップ7の上面のバンプ25部分とに異方導電性接着材13を介して熱圧着により接合した構造で、これ以外は実施形態1とほぼ同じ構造になっている。
And the joining structure of the film board |
すなわち、フィルム基板1の接続端子部26は、実施形態1と同様、透明基板5の電極端子部10から半導体チップ7の上面に亘る大きさに形成されている。この接続端子部26の各接続端子26aは、図6に示すように、電極端子部10に対応する基端部26b側から半導体チップ7の上面に対応する先端部26c側に亘って連続して設けられ、基端部26b側が透明基板5の各電極端子10aに対応し、先端部26c側が半導体チップ7の上面に露出して設けられた各バンプ25に対応するように形成されている。
That is, the connection terminal portion 26 of the
このフィルム基板1の接続端子部26を透明基板5の電極端子部10と半導体チップ7のバンプ25が設けられた部分とに接合する場合には、まず、透明基板5の電極端子部10と半導体チップ7のバンプ25部分とに異方導電性接着材13をそれぞれ塗布する。そして、フィルム基板1の接続端子部26の各接続端子26aを透明基板5の電極端子部10の各電極端子10aと半導体チップ7の上面の各バンプ25とに対応させ、この状態で接続端子部26を電極端子部10と半導体チップ7の上面とに異方導電性接着材13を介して熱圧着により接合する。
When joining the connection terminal portion 26 of the
このようなフィルム基板1の接合方法およびその接合構造によれば、実施形態1と同様の作用効果があるほか、特にフィルム基板1の接続端子部26を透明基板5の電極端子部10と半導体チップ7の上面とに接続するので、一方で接続不良が起きても他方で接続されていれば、液晶表示装置2を電気的に駆動することが可能となる。また、フィルム基板1の接続端子部26の各接続端子26aを透明基板5の各電極端子10aと半導体チップ7の各バンプ25とに対応させ、この状態で接続端子部26を電極端子部10と半導体チップ7の上面とに異方導電性接着材13を介して熱圧着により接合するので、短端子化を図っても、実施形態1、2と同様、フィルム基板1の接続端子部26の接合強度を高めることができる。この場合、特にフィルム基板1の各接続端子26aを透明基板5の各電極端子10aに接合した状態で各バンプ25にも接合するので、より一層、強固に接合することができる。
According to such a bonding method and bonding structure of the
なお、上記実施形態1〜3では、液晶表示装置2の透明基板5と回路基板(図示せず)とを接続するフィルム基板1について述べたが、これに限らず、例えば液晶表示装置以外の表示装置と回路基板とを接続する場合、または回路基板と他の回路基板とを接続する場合にも適用することができる。
In the first to third embodiments, the
1 フィルム基板
2 液晶表示装置
5 透明基板
7 半導体チップ
7a バンプ電極
8 入力側配線
9 出力側配線
10 電極端子部
10a 電極端子
11 接続配線
12、21、26 接続端子部
12a、26a 接続端子
12b、21c、26b 基端部
12c、21d、26c 先端部
13 異方導電性接着材
14 接着剤
20 バンプ電極
21a 第1接続端子
21b 第2接続端子
25 バンプ
DESCRIPTION OF
Claims (6)
The connection terminal portion of the film substrate is bonded to the electrode terminal of the wiring substrate and the upper surface provided with the bump of the semiconductor chip by thermocompression bonding via an anisotropic conductive adhesive. The film substrate bonding structure according to claim 5, wherein:
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017043480A1 (en) * | 2015-09-09 | 2017-03-16 | 株式会社ソシオネクスト | Semiconductor package |
JP2017514304A (en) * | 2014-04-16 | 2017-06-01 | クアルコム,インコーポレイテッド | A die package comprising a die-to-wire connector and a wire-to-die connector configured to couple to the die package |
WO2020071027A1 (en) * | 2018-10-04 | 2020-04-09 | 日本航空電子工業株式会社 | Method for producing mount structure of electronic component, mount structure of electronic component, electronic module and wiring sheet |
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2004
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Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2017514304A (en) * | 2014-04-16 | 2017-06-01 | クアルコム,インコーポレイテッド | A die package comprising a die-to-wire connector and a wire-to-die connector configured to couple to the die package |
WO2017043480A1 (en) * | 2015-09-09 | 2017-03-16 | 株式会社ソシオネクスト | Semiconductor package |
WO2020071027A1 (en) * | 2018-10-04 | 2020-04-09 | 日本航空電子工業株式会社 | Method for producing mount structure of electronic component, mount structure of electronic component, electronic module and wiring sheet |
TWI802759B (en) * | 2018-10-04 | 2023-05-21 | 日商日本航空電子工業股份有限公司 | Manufacturing method of mounting structure of electronic parts, mounting structure of electronic parts, electronic module, wiring sheet |
US11881470B2 (en) | 2018-10-04 | 2024-01-23 | Japan Aviation Electronics Industry, Limited | Method for manufacturing mounting structure for electronic component, mounting structure for electronic component, electronic module, and wiring sheet |
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