JP2005251639A - Organic electroluminescent element and organic el display apparatus - Google Patents

Organic electroluminescent element and organic el display apparatus Download PDF

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JP2005251639A
JP2005251639A JP2004062772A JP2004062772A JP2005251639A JP 2005251639 A JP2005251639 A JP 2005251639A JP 2004062772 A JP2004062772 A JP 2004062772A JP 2004062772 A JP2004062772 A JP 2004062772A JP 2005251639 A JP2005251639 A JP 2005251639A
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Hisayuki Kawamura
久幸 川村
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an organic electroluminescent element with a long service life and to provide an organic EL display apparatus. <P>SOLUTION: The organic EL element 1 has at least a negative electrode 3, a light emitting layer 4, an electron injecting layer 5 and a positive electrode 6 laminated in this order on a substrate 2 and the electron injecting layer 5 contains metal oxide. Examples of the metal oxides are molybdenum oxide, vanadium oxide, hafnium oxide, yttrium oxide, zinc oxide and aluminum oxide. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、民生用及び工業用のディスプレイ、具体的には、携帯電話、PDA、カーナビ、モニター、TV等のディスプレイとして好適な、有機EL(エレクトロルミネッセンス)素子及び有機EL表示装置に関する。   The present invention relates to an organic EL (electroluminescence) element and an organic EL display device suitable as displays for consumer and industrial use, specifically, displays for mobile phones, PDAs, car navigation systems, monitors, TVs and the like.

有機EL表示装置は、対向する電極間に発光層を挟持した有機EL素子から構成されている。有機EL素子の両電極間に電圧を印加すると、一方の電極から注入された電子と他方の電極から注入されたホールとが、発光層で再結合する。発光層中の有機発光分子は、再結合エネルギーによりいったん励起状態となり、その後、励起状態から基底状態に戻る。この際に放出されるエネルギーを光として取り出すことにより、有機EL素子は発光する。   The organic EL display device includes an organic EL element in which a light emitting layer is sandwiched between opposed electrodes. When a voltage is applied between both electrodes of the organic EL element, electrons injected from one electrode and holes injected from the other electrode are recombined in the light emitting layer. The organic light emitting molecules in the light emitting layer are once excited by the recombination energy, and then return from the excited state to the ground state. The organic EL element emits light by taking out the energy released at this time as light.

有機EL素子は基板上に形成されるが、光の取り出し側により二つのタイプに大別される。即ち、基板の反対側から光を取り出すトップエミッションタイプと、基板側から光を取り出すボトムエミッションタイプである。基板にTFT(薄膜トランジスタ)を形成する場合は、ボトムエミッションタイプではTFTが光の取り出しを妨げるため、トップエミッションタイプが好ましい。この場合、一般に、基板/TFT/陰極/発光層/正孔注入層/透明陽極の順序に積層されるが、透明陽極を発光層の上にスパッタリングにより形成すると、発光層が損傷を受け、寿命が短くなる問題があった。   An organic EL element is formed on a substrate, but is roughly classified into two types depending on the light extraction side. That is, a top emission type that extracts light from the opposite side of the substrate and a bottom emission type that extracts light from the substrate side. When a TFT (thin film transistor) is formed on a substrate, the top emission type is preferable because the TFT prevents light extraction in the bottom emission type. In this case, in general, the layers are laminated in the order of substrate / TFT / cathode / light emitting layer / hole injection layer / transparent anode. However, when the transparent anode is formed on the light emitting layer by sputtering, the light emitting layer is damaged and the lifetime is increased. There was a problem of shortening.

そのため、正孔注入層の上に、保護膜として金属薄膜を形成し、その保護膜の上に透明陽極を形成することが提案されている(例えば、特許文献1)。
特開平06−290873号公報
Therefore, it has been proposed to form a metal thin film as a protective film on the hole injection layer and to form a transparent anode on the protective film (for example, Patent Document 1).
Japanese Patent Laid-Open No. 06-290873

しかしながら、発光層を保護して有機EL素子の寿命を長くするための方法として、さらに他の方法が求められていた。
本発明の目的は、寿命の長い有機EL素子及び有機EL表示装置を提供することである。
However, another method has been demanded as a method for protecting the light emitting layer and extending the lifetime of the organic EL element.
An object of the present invention is to provide an organic EL element and an organic EL display device having a long lifetime.

本発明者らは鋭意研究の結果、正孔注入層に金属酸化物を含ませる(ドーピング)ことにより、長寿命化が達成できることを見出し、本発明を完成させた。
本発明によれば、以下の有機EL素子及び有機EL表示装置が提供できる。
1.基板上に、少なくとも陰極、発光層、正孔注入層、及び陽極をこの順に積層し、
前記正孔注入層が金属酸化物を含む有機EL素子。
2.前記正孔注入層の厚みが40〜1000nmである1に記載の有機EL素子。
3.前記陽極が透明電極であり、前記陰極が反射電極である1又は2に記載の有機EL素子。
4.前記金属酸化物が、長期周期表3〜13属の金属の酸化物である1〜3のいずれか1に記載の有機EL素子。
5.前記金属酸化物が、酸化モリブテン、酸化バナジウム、酸化ハフニウム、酸化イットリウム、酸化亜鉛、酸化アルミニウムからなる群から選択される1種又は2種以上の金属酸化物である1〜4のいずれか1に記載の有機EL素子。
6.前記正孔注入層に金属酸化物が0.01〜50atm%含まれる1〜5のいずれか1に記載の有機EL素子。
7.前記正孔注入層と前記陽極の間に、保護層が設けられている1〜6のいずれか1に記載の有機EL素子。
8.前記保護層が、金属である7に記載の有機EL素子。
9.前記保護層が、Ag、Au、又はこれらの合金である7に記載の有機EL素子。
10.前記保護層が、半導体である7に記載の有機EL素子。
11.前記保護層が、絶縁体である7に記載の有機EL素子。
12.前記陰極と前記発光層の間に、絶縁層が設けられている1〜11のいずれか1に記載の有機EL素子。
13.前記陰極と前記発光層の間、又は前記絶縁層と前記発光層の間に、電子輸送層が設けられている1〜12のいずれか1に記載の有機EL素子。
14.1〜13のいずれか1に記載の有機EL素子を含んで構成される有機EL表示装置。
As a result of intensive studies, the present inventors have found that a long lifetime can be achieved by including a metal oxide in the hole injection layer (doping) and completed the present invention.
According to the present invention, the following organic EL element and organic EL display device can be provided.
1. On the substrate, at least a cathode, a light emitting layer, a hole injection layer, and an anode are laminated in this order,
An organic EL device in which the hole injection layer contains a metal oxide.
2. 2. The organic EL device according to 1, wherein the hole injection layer has a thickness of 40 to 1000 nm.
3. 3. The organic EL device according to 1 or 2, wherein the anode is a transparent electrode and the cathode is a reflective electrode.
4). The organic EL device according to any one of 1 to 3, wherein the metal oxide is an oxide of a metal belonging to Group 3 to 13 in the long-term periodic table.
5). In any one of 1-4, the metal oxide is one or more metal oxides selected from the group consisting of molybdenum oxide, vanadium oxide, hafnium oxide, yttrium oxide, zinc oxide, and aluminum oxide. The organic EL element of description.
6). The organic EL device according to any one of 1 to 5, wherein the hole injection layer contains 0.01 to 50 atm% of a metal oxide.
7). The organic EL element according to any one of 1 to 6, wherein a protective layer is provided between the hole injection layer and the anode.
8). 8. The organic EL device according to 7, wherein the protective layer is a metal.
9. 8. The organic EL device according to 7, wherein the protective layer is Ag, Au, or an alloy thereof.
10. 8. The organic EL element according to 7, wherein the protective layer is a semiconductor.
11. 8. The organic EL element according to 7, wherein the protective layer is an insulator.
12 The organic EL element according to any one of 1 to 11, wherein an insulating layer is provided between the cathode and the light emitting layer.
13. The organic EL device according to any one of 1 to 12, wherein an electron transport layer is provided between the cathode and the light emitting layer or between the insulating layer and the light emitting layer.
14. An organic EL display device comprising the organic EL element according to any one of 14.1 to 13.

本発明によれば、正孔注入層に金属酸化物を含ませることにより、寿命の長い有機EL素子及び有機EL表示装置を提供できる。特に、発光層を保護するために正孔注入層を厚くしても、正孔注入層の厚膜化による電圧上昇を、金属酸化物により防ぐことができる。   ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, an organic EL element and an organic EL display apparatus with a long lifetime can be provided by including a metal oxide in a positive hole injection layer. In particular, even if the hole injection layer is thickened to protect the light emitting layer, the increase in voltage due to the thickening of the hole injection layer can be prevented by the metal oxide.

本発明は、図1(a)に示すように、基板2上に、少なくとも陰極3、発光層4、正孔注入層5、及び陽極6をこの順に積層している有機EL素子1であり、必要に応じて、介在層を設けることができる。   As shown in FIG. 1A, the present invention is an organic EL element 1 in which at least a cathode 3, a light emitting layer 4, a hole injection layer 5, and an anode 6 are stacked in this order on a substrate 2. An intervening layer can be provided if necessary.

例えば、図1(b)に示すように、正孔注入層5と陽極6の間に、陽極形成時の正孔注入層へのスパッタリングダメージ防止のために、保護層7を設けることができる。また、図1(c)に示すように、陰極3と発光層4の間に、陰極と有機化合物の付着性改善、リーク電流防止のために、絶縁層9、さらに、電子注入性を高めるために、電子注入層8を設けることができる。   For example, as shown in FIG. 1B, a protective layer 7 can be provided between the hole injection layer 5 and the anode 6 in order to prevent sputtering damage to the hole injection layer during anode formation. Further, as shown in FIG. 1C, between the cathode 3 and the light emitting layer 4, in order to improve the adhesion between the cathode and the organic compound and prevent leakage current, the insulating layer 9 and further to increase the electron injection property. In addition, the electron injection layer 8 can be provided.

本発明の特徴は、正孔注入層に、金属酸化物を含むことである。金属酸化物を含むことにより、正孔注入層を厚くしても駆動電圧の上昇を制御できる。   A feature of the present invention is that the hole injection layer contains a metal oxide. By including the metal oxide, an increase in driving voltage can be controlled even if the hole injection layer is thickened.

尚、図1(a),(b),(c)において、有機EL素子1は、光を基板2と反対側から取り出すトップエミッションタイプでもよく、光を基板2側から取り出すボトムエミッションタイプでもよい。トップエミッションタイプのときは、陽極が透明電極であり、陰極が反射電極である。ボトムエミッションタイプのときは、陽極が反射電極であり、陰極が透明電極である。   1A, 1B, and 1C, the organic EL element 1 may be a top emission type that extracts light from the side opposite to the substrate 2 or a bottom emission type that extracts light from the substrate 2 side. . In the top emission type, the anode is a transparent electrode and the cathode is a reflective electrode. In the bottom emission type, the anode is a reflective electrode and the cathode is a transparent electrode.

図1以外の有機EL素子の代表的な構成例を以下に示すが、本発明はこれに限定されるものではない。
(i)陰極/発光層/正孔注入層/保護層/陽極
(ii)陰極/発光層/正孔輸送層/正孔注入層/保護層/陽極
(iii)陰極/電子注入層/発光層/正孔注入層/保護層/陽極
(iv)陰極/電子注入層/発光層/正孔輸送層/正孔注入層/保護層/陽極
(v)陰極/電子注入層/電子輸送層/発光層/正孔注入層/保護層/陽極
(vi)陰極/電子注入層/電子輸送層/発光層/正孔輸送層/正孔注入層/保護層/陽極
これらの中で(v),(vi)の構成が好ましい。
Although the typical structural example of organic EL elements other than FIG. 1 is shown below, this invention is not limited to this.
(I) Cathode / Light emitting layer / Hole injection layer / Protective layer / Anode (ii) Cathode / Light emitting layer / Hole transport layer / Hole injection layer / Protective layer / Anode (iii) Cathode / Electron injection layer / Light emitting layer / Hole injection layer / protection layer / anode (iv) cathode / electron injection layer / light emitting layer / hole transport layer / hole injection layer / protection layer / anode (v) cathode / electron injection layer / electron transport layer / light emission Layer / hole injection layer / protective layer / anode (vi) cathode / electron injection layer / electron transport layer / light emitting layer / hole transport layer / hole injection layer / protective layer / anode Among these (v), ( The configuration of vi) is preferred.

以下に、各部材について説明する。
(1)基板
本発明の有機EL素子は基板上に作製する。
基板としてはガラス板、ポリマー板等が好適に用いられる。ガラス板としては、特にソーダ石灰ガラス、バリウム・ストロンチウム含有ガラス、鉛ガラス、アルミノケイ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス、石英等が好ましい。ポリマー板としては、ポリカーボネート、アクリル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエーテルサルファイド、ポリサルフォン等が好ましい。
Below, each member is demonstrated.
(1) Substrate The organic EL device of the present invention is produced on a substrate.
As the substrate, a glass plate, a polymer plate or the like is preferably used. As the glass plate, soda-lime glass, barium / strontium-containing glass, lead glass, aluminosilicate glass, borosilicate glass, barium borosilicate glass, quartz and the like are particularly preferable. As the polymer plate, polycarbonate, acrylic, polyethylene terephthalate, polyether sulfide, polysulfone and the like are preferable.

(2)陽極
陽極は、4.5eV以上の仕事関数を有するものが好ましい。陽極の例として、酸化インジウム錫合金(ITO)、酸化インジウム亜鉛合金(IZO)、酸化錫(NESA)、金、銀、白金、銅等があげられる。この中で、酸化インジウム亜鉛合金(IZO)は室温で成膜できること、非晶質性が高いので陽極の剥離等が起きにくいことから特に好ましい。
(2) Anode The anode preferably has a work function of 4.5 eV or more. Examples of the anode include indium tin oxide alloy (ITO), indium zinc oxide alloy (IZO), tin oxide (NESA), gold, silver, platinum, copper, and the like. Among these, an indium zinc oxide alloy (IZO) is particularly preferable because it can be formed at room temperature, and since it is highly amorphous, it is difficult for the anode to peel off.

陽極のシート抵抗は、1000Ω/□以下が好ましい。より好ましくは、800Ω/□、さらに好ましくは、500Ω/□である。
陽極から発光を取出す場合には、陽極の発光に対する透過率を10%より大きくすることが好ましい。より好ましくは30%以上、さらに好ましくは50%以上である。
The sheet resistance of the anode is preferably 1000Ω / □ or less. More preferably, it is 800 ohm / square, More preferably, it is 500 ohm / square.
When light emission is taken out from the anode, it is preferable that the transmittance of the anode for light emission is greater than 10%. More preferably, it is 30% or more, More preferably, it is 50% or more.

陽極の膜厚は材料にもより最適値が異なるが、通常10nm〜1μm、好ましくは10〜200nmの範囲で選択される。
陽極の製膜は、公知の製膜方法であれば特に制限されない。好ましくは、蒸着法やスパッタリング法、塗布法がよい。
The film thickness of the anode varies depending on the material, but is usually selected in the range of 10 nm to 1 μm, preferably 10 to 200 nm.
The anode film formation is not particularly limited as long as it is a known film formation method. Preferably, the vapor deposition method, the sputtering method, and the coating method are good.

(3)発光層
発光層を形成する方法としては、蒸着法、スピンコート法、LB法等の公知の方法を適用することができる。また、特開昭57−51781号公報に開示されているように、樹脂等の結着剤と材料化合物とを溶剤に溶かして溶液とした後、これをスピンコート法等により薄膜化することによっても、発光層を形成することができる。
(3) Light-Emitting Layer As a method for forming the light-emitting layer, a known method such as a vapor deposition method, a spin coating method, or an LB method can be applied. Further, as disclosed in JP-A-57-51781, a binder such as a resin and a material compound are dissolved in a solvent to form a solution, and then this is thinned by a spin coating method or the like. In addition, a light emitting layer can be formed.

発光層に用いられる材料は、長寿命な発光材料として公知のものを用いることが可能であるが、式(1)で示される材料を発光材料として用いることが望ましい。

Figure 2005251639
(式中、Arは核炭素数6〜50の芳香族環、Xは置換基、lは1〜5の整数、mは0〜6の整数である。) As a material used for the light-emitting layer, a known material that has a long lifetime can be used, but a material represented by the formula (1) is preferably used as the light-emitting material.
Figure 2005251639
(In the formula, Ar 1 is an aromatic ring having 6 to 50 nuclear carbon atoms, X is a substituent, l is an integer of 1 to 5, and m is an integer of 0 to 6.)

Arは、具体的には、フェニル環、ナフチル環、アントラセン環、ビフェニレン環、アズレン環、アセナフチレン環、フルオレン環、フェナントレン環、フルオランテン環、アセフェナンスリレン環、トリフェニレン環、ピレン環、クリセン環、ナフタセン環、ピセン環、ペリレン環、ペンタフェン環、ペンタセン環、テトラフェニレン環、ヘキサフェン環、ヘキサセン環、ルビセン環、コロネン環、トリナフチレン環等が挙げられる。 Specifically, Ar 1 is a phenyl ring, naphthyl ring, anthracene ring, biphenylene ring, azulene ring, acenaphthylene ring, fluorene ring, phenanthrene ring, fluoranthene ring, acephenanthrylene ring, triphenylene ring, pyrene ring, chrysene ring Naphthacene ring, picene ring, perylene ring, pentaphen ring, pentacene ring, tetraphenylene ring, hexaphen ring, hexacene ring, rubicene ring, coronene ring, trinaphthylene ring, and the like.

好ましくはフェニル環、ナフチル環、アントラセン環、アセナフチレン環、フルオレン環、フェナントレン環、フルオランテン環、トリフェニレン環、ピレン環、クリセン環、ペリレン環、トリナフチレン環等が挙げられる。   Preferred examples include phenyl ring, naphthyl ring, anthracene ring, acenaphthylene ring, fluorene ring, phenanthrene ring, fluoranthene ring, triphenylene ring, pyrene ring, chrysene ring, perylene ring, trinaphthylene ring and the like.

さらに好ましくはフェニル環、ナフチル環、アントラセン環、フルオレン環、フェナントレン環、フルオランテン環、ピレン環、クリセン環、ペリレン環等が挙げられる。   More preferable examples include a phenyl ring, a naphthyl ring, an anthracene ring, a fluorene ring, a phenanthrene ring, a fluoranthene ring, a pyrene ring, a chrysene ring, and a perylene ring.

Xは、具体的には、置換もしくは無置換の核炭素数6〜50の芳香族基、置換もしくは無置換の核原子数5〜50の芳香族複素環基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアラルキル基、置換もしくは無置換の核原子数5〜50のアリールオキシ基、置換もしくは無置換の核原子数5〜50のアリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素数1〜50のカルボキシル基、置換又は無置換のスチリル基、ハロゲン基、シアノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基等である。   Specifically, X is a substituted or unsubstituted aromatic group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 to 50 nuclear atoms, a substituted or unsubstituted carbon number of 1 An alkyl group having ˜50, a substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aralkyl group having 1 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 5 to 50 nucleus atoms, Substituted or unsubstituted arylthio group having 5 to 50 nucleus atoms, substituted or unsubstituted carboxyl group having 1 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted styryl group, halogen group, cyano group, nitro group, hydroxyl group, etc. is there.

置換もしくは無置換の核炭素数6〜50の芳香族基の例としては、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9−フェナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、p−ターフェニル−4−イル基、p−ターフェニル−3−イル基、p−ターフェニル−2−イル基、m−ターフェニル−4−イル基、m−ターフェニル−3−イル基、m−ターフェニル−2−イル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基、p−(2−フェニルプロピル)フェニル基、3−メチル−2−ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基、4−メチル−1−アントリル基、4’−メチルビフェニルイル基、4”−t−ブチル−p−ターフェニル−4−イル基、2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、3−フルオランテニル基等が挙げられる。   Examples of the substituted or unsubstituted aromatic group having 6 to 50 nuclear carbon atoms include phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 1-anthryl group, 2-anthryl group, 9-anthryl group, 1- Phenanthryl group, 2-phenanthryl group, 3-phenanthryl group, 4-phenanthryl group, 9-phenanthryl group, 1-naphthacenyl group, 2-naphthacenyl group, 9-naphthacenyl group, 1-pyrenyl group, 2-pyrenyl group, 4- Pyrenyl group, 2-biphenylyl group, 3-biphenylyl group, 4-biphenylyl group, p-terphenyl-4-yl group, p-terphenyl-3-yl group, p-terphenyl-2-yl group M-terphenyl-4-yl group, m-terphenyl-3-yl group, m-terphenyl-2-yl group, o-tolyl group, m-tolyl group, p-tolyl group, p t-butylphenyl group, p- (2-phenylpropyl) phenyl group, 3-methyl-2-naphthyl group, 4-methyl-1-naphthyl group, 4-methyl-1-anthryl group, 4′-methylbiphenylyl Group, 4 "-t-butyl-p-terphenyl-4-yl group, 2-fluorenyl group, 9,9-dimethyl-2-fluorenyl group, 3-fluoranthenyl group and the like.

好ましくはフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、9−フェナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基、2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、3−フルオランテニル基等が挙げられる。   Preferably a phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 9-phenanthryl group, 1-naphthacenyl group, 2-naphthacenyl group, 9-naphthacenyl group, 1-pyrenyl group, 2-pyrenyl group, 4-pyrenyl group, 2-biphenylyl group, 3-biphenylyl group, 4-biphenylyl group, o-tolyl group, m-tolyl group, p-tolyl group, pt-butylphenyl group, 2-fluorenyl group, 9,9- A dimethyl-2-fluorenyl group, a 3-fluoranthenyl group, etc. are mentioned.

置換もしくは無置換の核原子数5〜50の芳香族複素環基の例としては、1−ピロリル基、2−ピロリル基、3−ピロリル基、ピラジニル基、2−ピリジニル基、3−ピリジニル基、4−ピリジニル基、1−インドリル基、2−インドリル基、3−インドリル基、4−インドリル基、5−インドリル基、6−インドリル基、7−インドリル基、1−イソインドリル基、2−イソインドリル基、3−イソインドリル基、4−イソインドリル基、5−イソインドリル基、6−イソインドリル基、7−イソインドリル基、2−フリル基、3−フリル基、2−ベンゾフラニル基、3−ベンゾフラニル基、4−ベンゾフラニル基、5−ベンゾフラニル基、6−ベンゾフラニル基、7−ベンゾフラニル基、1−イソベンゾフラニル基、3−イソベンゾフラニル基、4−イソベンゾフラニル基、5−イソベンゾフラニル基、6−イソベンゾフラニル基、7−イソベンゾフラニル基、キノリル基、3−キノリル基、4−キノリル基、5−キノリル基、6−キノリル基、7−キノリル基、8−キノリル基、1−イソキノリル基、3−イソキノリル基、4−イソキノリル基、5−イソキノリル基、6−イソキノリル基、7−イソキノリル基、8−イソキノリル基、2−キノキサリニル基、5−キノキサリニル基、6−キノキサリニル基、1−カルバゾリル基、2−カルバゾリル基、3−カルバゾリル基、4−カルバゾリル基、9−カルバゾリル基、1−フェナンスリジニル基、2−フェナンスリジニル基、3−フェナンスリジニル基、4−フェナンスリジニル基、6−フェナンスリジニル基、7−フェナンスリジニル基、8−フェナンスリジニル基、9−フェナンスリジニル基、10−フェナンスリジニル基、1−アクリジニル基、2−アクリジニル基、3−アクリジニル基、4−アクリジニル基、9−アクリジニル基、1,7−フェナンスロリン−2−イル基、1,7−フェナンスロリン−3−イル基、1,7−フェナンスロリン−4−イル基、1,7−フェナンスロリン−5−イル基、1,7−フェナンスロリン−6−イル基、1,7−フェナンスロリン−8−イル基、1,7−フェナンスロリン−9−イル基、1,7−フェナンスロリン−10−イル基、1,8−フェナンスロリン−2−イル基、1,8−フェナンスロリン−3−イル基、1,8−フェナンスロリン−4−イル基、1,8−フェナンスロリン−5−イル基、1,8−フェナンスロリン−6−イル基、1,8−フェナンスロリン−7−イル基、1,8−フェナンスロリン−9−イル基、1,8−フェナンスロリン−10−イル基、1,9−フェナンスロリン−2−イル基、1,9−フェナンスロリン−3−イル基、1,9−フェナンスロリン−4−イル基、1,9−フェナンスロリン−5−イル基、1,9−フェナンスロリン−6−イル基、1,9−フェナンスロリン−7−イル基、1,9−フェナンスロリン−8−イル基、1,9−フェナンスロリン−10−イル基、1,10−フェナンスロリン−2−イル基、1,10−フェナンスロリン−3−イル基、1,10−フェナンスロリン−4−イル基、1,10−フェナンスロリン−5−イル基、2,9−フェナンスロリン−1−イル基、2,9−フェナンスロリン−3−イル基、2,9−フェナンスロリン−4−イル基、2,9−フェナンスロリン−5−イル基、2,9−フェナンスロリン−6−イル基、2,9−フェナンスロリン−7−イル基、2,9−フェナンスロリン−8−イル基、2,9−フェナンスロリン−10−イル基、2,8−フェナンスロリン−1−イル基、2,8−フェナンスロリン−3−イル基、2,8−フェナンスロリン−4−イル基、2,8−フェナンスロリン−5−イル基、2,8−フェナンスロリン−6−イル基、2,8−フェナンスロリン−7−イル基、2,8−フェナンスロリン−9−イル基、2,8−フェナンスロリン−10−イル基、2,7−フェナンスロリン−1−イル基、2,7−フェナンスロリン−3−イル基、2,7−フェナンスロリン−4−イル基、2,7−フェナンスロリン−5−イル基、2,7−フェナンスロリン−6−イル基、2,7−フェナンスロリン−8−イル基、2,7−フェナンスロリン−9−イル基、2,7−フェナンスロリン−10−イル基、1−フェナジニル基、2−フェナジニル基、1−フェノチアジニル基、2−フェノチアジニル基、3−フェノチアジニル基、4−フェノチアジニル基、10−フェノチアジニル基、1−フェノキサジニル基、2−フェノキサジニル基、3−フェノキサジニル基、4−フェノキサジニル基、10−フェノキサジニル基、2−オキサゾリル基、4−オキサゾリル基、5−オキサゾリル基、2−オキサジアゾリル基、5−オキサジアゾリル基、3−フラザニル基、2−チエニル基、3−チエニル基、2−メチルピロール−1−イル基、2−メチルピロール−3−イル基、2−メチルピロール−4−イル基、2−メチルピロール−5−イル基、3−メチルピロール−1−イル基、3−メチルピロール−2−イル基、3−メチルピロール−4−イル基、3−メチルピロール−5−イル基、2−t−ブチルピロール−4−イル基、3−(2−フェニルプロピル)ピロール−1−イル基、2−メチル−1−インドリル基、4−メチル−1−インドリル基、2−メチル−3−インドリル基、4−メチル−3−インドリル基、2−t−ブチル1−インドリル基、4−t−ブチル1−インドリル基、2−t−ブチル3−インドリル基、4−t−ブチル3−インドリル基等が挙げられる。   Examples of the substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group having 5 to 50 nucleus atoms include 1-pyrrolyl group, 2-pyrrolyl group, 3-pyrrolyl group, pyrazinyl group, 2-pyridinyl group, 3-pyridinyl group, 4-pyridinyl group, 1-indolyl group, 2-indolyl group, 3-indolyl group, 4-indolyl group, 5-indolyl group, 6-indolyl group, 7-indolyl group, 1-isoindolyl group, 2-isoindolyl group, 3-isoindolyl group, 4-isoindolyl group, 5-isoindolyl group, 6-isoindolyl group, 7-isoindolyl group, 2-furyl group, 3-furyl group, 2-benzofuranyl group, 3-benzofuranyl group, 4-benzofuranyl group, 5-benzofuranyl group, 6-benzofuranyl group, 7-benzofuranyl group, 1-isobenzofuranyl group, 3-isobenzofuran group Group, 4-isobenzofuranyl group, 5-isobenzofuranyl group, 6-isobenzofuranyl group, 7-isobenzofuranyl group, quinolyl group, 3-quinolyl group, 4-quinolyl group, 5- Quinolyl group, 6-quinolyl group, 7-quinolyl group, 8-quinolyl group, 1-isoquinolyl group, 3-isoquinolyl group, 4-isoquinolyl group, 5-isoquinolyl group, 6-isoquinolyl group, 7-isoquinolyl group, 8- Isoquinolyl group, 2-quinoxalinyl group, 5-quinoxalinyl group, 6-quinoxalinyl group, 1-carbazolyl group, 2-carbazolyl group, 3-carbazolyl group, 4-carbazolyl group, 9-carbazolyl group, 1-phenanthridinyl group 2-phenanthridinyl group, 3-phenanthridinyl group, 4-phenanthridinyl group, 6-phenanthridinyl group, 7-phena Thridinyl group, 8-phenanthridinyl group, 9-phenanthridinyl group, 10-phenanthridinyl group, 1-acridinyl group, 2-acridinyl group, 3-acridinyl group, 4-acridinyl group, 9-acridinyl group Group, 1,7-phenanthrolin-2-yl group, 1,7-phenanthrolin-3-yl group, 1,7-phenanthrolin-4-yl group, 1,7-phenanthrolin-5 -Yl group, 1,7-phenanthrolin-6-yl group, 1,7-phenanthrolin-8-yl group, 1,7-phenanthrolin-9-yl group, 1,7-phenanthroline -10-yl group, 1,8-phenanthrolin-2-yl group, 1,8-phenanthrolin-3-yl group, 1,8-phenanthrolin-4-yl group, 1,8-phen group Nansulolin-5-yl group, 1,8-phena Nsulolin-6-yl group, 1,8-phenanthrolin-7-yl group, 1,8-phenanthrolin-9-yl group, 1,8-phenanthrolin-10-yl group, 1,9- Phenanthrolin-2-yl group, 1,9-phenanthrolin-3-yl group, 1,9-phenanthrolin-4-yl group, 1,9-phenanthrolin-5-yl group, 1, 9-phenanthroline-6-yl group, 1,9-phenanthrolin-7-yl group, 1,9-phenanthrolin-8-yl group, 1,9-phenanthrolin-10-yl group, 1,10-phenanthrolin-2-yl group, 1,10-phenanthrolin-3-yl group, 1,10-phenanthrolin-4-yl group, 1,10-phenanthrolin-5-yl Group, 2,9-phenanthrolin-1-yl group, 2,9-phenanthroli -3-yl group, 2,9-phenanthrolin-4-yl group, 2,9-phenanthrolin-5-yl group, 2,9-phenanthrolin-6-yl group, 2,9-phen group Nansulolin-7-yl group, 2,9-phenanthrolin-8-yl group, 2,9-phenanthrolin-10-yl group, 2,8-phenanthrolin-1-yl group, 2,8 -Phenanthrolin-3-yl group, 2,8-phenanthrolin-4-yl group, 2,8-phenanthrolin-5-yl group, 2,8-phenanthrolin-6-yl group, 2 , 8-phenanthroline-7-yl group, 2,8-phenanthrolin-9-yl group, 2,8-phenanthrolin-10-yl group, 2,7-phenanthrolin-1-yl group 2,7-phenanthrolin-3-yl group, 2,7-phenanthrolin-4-yl group, , 7-phenanthroline-5-yl group, 2,7-phenanthrolin-6-yl group, 2,7-phenanthrolin-8-yl group, 2,7-phenanthrolin-9-yl group 2,7-phenanthrolin-10-yl group, 1-phenazinyl group, 2-phenazinyl group, 1-phenothiazinyl group, 2-phenothiazinyl group, 3-phenothiazinyl group, 4-phenothiazinyl group, 10- Phenothiazinyl group, 1-phenoxazinyl group, 2-phenoxazinyl group, 3-phenoxazinyl group, 4-phenoxazinyl group, 10-phenoxazinyl group, 2-oxazolyl group, 4-oxazolyl group, 5-oxazolyl group, 2-oxadiazolyl group, 5 -Oxadiazolyl group, 3-furazanyl group, 2-thienyl group, 3-thienyl group, 2-methylpyrrol-1-yl group, 2 -Methylpyrrol-3-yl group, 2-methylpyrrol-4-yl group, 2-methylpyrrol-5-yl group, 3-methylpyrrol-1-yl group, 3-methylpyrrol-2-yl group, 3 -Methylpyrrol-4-yl group, 3-methylpyrrol-5-yl group, 2-t-butylpyrrol-4-yl group, 3- (2-phenylpropyl) pyrrol-1-yl group, 2-methyl- 1-indolyl group, 4-methyl-1-indolyl group, 2-methyl-3-indolyl group, 4-methyl-3-indolyl group, 2-t-butyl 1-indolyl group, 4-t-butyl 1-indolyl group Group, 2-t-butyl 3-indolyl group, 4-t-butyl 3-indolyl group and the like.

置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルキル基の例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシイソブチル基、1,2−ジヒドロキシエチル基、1,3−ジヒドロキシイソプロピル基、2,3−ジヒドロキシ−t−ブチル基、1,2,3−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、1−クロロエチル基、2−クロロエチル基、2−クロロイソブチル基、1,2−ジクロロエチル基、1,3−ジクロロイソプロピル基、2,3−ジクロロ−t−ブチル基、1,2,3−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、1−ブロモエチル基、2−ブロモエチル基、2−ブロモイソブチル基、1,2−ジブロモエチル基、1,3−ジブロモイソプロピル基、2,3−ジブロモ−t−ブチル基、1,2,3−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、1−ヨードエチル基、2−ヨードエチル基、2−ヨードイソブチル基、1,2−ジヨードエチル基、1,3−ジヨードイソプロピル基、2,3−ジヨード−t−ブチル基、1,2,3−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、1−アミノエチル基、2−アミノエチル基、2−アミノイソブチル基、1,2−ジアミノエチル基、1,3−ジアミノイソプロピル基、2,3−ジアミノ−t−ブチル基、1,2,3−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、1−シアノエチル基、2−シアノエチル基、2−シアノイソブチル基、1,2−ジシアノエチル基、1,3−ジシアノイソプロピル基、2,3−ジシアノ−t−ブチル基、1,2,3−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、1−ニトロエチル基、2−ニトロエチル基、2−ニトロイソブチル基、1,2−ジニトロエチル基、1,3−ジニトロイソプロピル基、2,3−ジニトロ−t−ブチル基、1,2,3−トリニトロプロピル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、4−メチルシクロヘキシル基、1−アダマンチル基、2−アダマンチル基、1−ノルボルニル基、2−ノルボルニル基等が挙げられる。   Examples of the substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 50 carbon atoms include methyl group, ethyl group, propyl group, isopropyl group, n-butyl group, s-butyl group, isobutyl group, t-butyl group, n- Pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, hydroxymethyl group, 1-hydroxyethyl group, 2-hydroxyethyl group, 2-hydroxyisobutyl group, 1,2-dihydroxyethyl group, 1, 3-dihydroxyisopropyl group, 2,3-dihydroxy-t-butyl group, 1,2,3-trihydroxypropyl group, chloromethyl group, 1-chloroethyl group, 2-chloroethyl group, 2-chloroisobutyl group, 1, 2-dichloroethyl group, 1,3-dichloroisopropyl group, 2,3-dichloro-t-butyl group, 1,2,3-trichloropropyl group Bromomethyl group, 1-bromoethyl group, 2-bromoethyl group, 2-bromoisobutyl group, 1,2-dibromoethyl group, 1,3-dibromoisopropyl group, 2,3-dibromo-t-butyl group, 1,2, 3-tribromopropyl group, iodomethyl group, 1-iodoethyl group, 2-iodoethyl group, 2-iodoisobutyl group, 1,2-diiodoethyl group, 1,3-diiodoisopropyl group, 2,3-diiodo-t- Butyl group, 1,2,3-triiodopropyl group, aminomethyl group, 1-aminoethyl group, 2-aminoethyl group, 2-aminoisobutyl group, 1,2-diaminoethyl group, 1,3-diaminoisopropyl Group, 2,3-diamino-t-butyl group, 1,2,3-triaminopropyl group, cyanomethyl group, 1-cyanoethyl group, 2-cyanoethyl 2-cyanoisobutyl group, 1,2-dicyanoethyl group, 1,3-dicyanoisopropyl group, 2,3-dicyano-t-butyl group, 1,2,3-tricyanopropyl group, nitromethyl group, 1- Nitroethyl group, 2-nitroethyl group, 2-nitroisobutyl group, 1,2-dinitroethyl group, 1,3-dinitroisopropyl group, 2,3-dinitro-t-butyl group, 1,2,3-trinitropropyl Group, cyclopropyl group, cyclobutyl group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, 4-methylcyclohexyl group, 1-adamantyl group, 2-adamantyl group, 1-norbornyl group, 2-norbornyl group and the like.

置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアルコキシ基は−OYで表される基であり、Yの例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシイソブチル基、1,2−ジヒドロキシエチル基、1,3−ジヒドロキシイソプロピル基、2,3−ジヒドロキシ−t−ブチル基、1,2,3−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、1−クロロエチル基、2−クロロエチル基、2−クロロイソブチル基、1,2−ジクロロエチル基、1,3−ジクロロイソプロピル基、2,3−ジクロロ−t−ブチル基、1,2,3−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、1−ブロモエチル基、2−ブロモエチル基、2−ブロモイソブチル基、1,2−ジブロモエチル基、1,3−ジブロモイソプロピル基、2,3−ジブロモ−t−ブチル基、1,2,3−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、1−ヨードエチル基、2−ヨードエチル基、2−ヨードイソブチル基、1,2−ジヨードエチル基、1,3−ジヨードイソプロピル基、2,3−ジヨード−t−ブチル基、1,2,3−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、1−アミノエチル基、2−アミノエチル基、2−アミノイソブチル基、1,2−ジアミノエチル基、1,3−ジアミノイソプロピル基、2,3−ジアミノ−t−ブチル基、1,2,3−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、1−シアノエチル基、2−シアノエチル基、2−シアノイソブチル基、1,2−ジシアノエチル基、1,3−ジシアノイソプロピル基、2,3−ジシアノ−t−ブチル基、1,2,3−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、1−ニトロエチル基、2−ニトロエチル基、2−ニトロイソブチル基、1,2−ジニトロエチル基、1,3−ジニトロイソプロピル基、2,3−ジニトロ−t−ブチル基、1,2,3−トリニトロプロピル基等が挙げられる。   A substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 50 carbon atoms is a group represented by -OY, and examples of Y include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, n-butyl, and s-butyl. Group, isobutyl group, t-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, hydroxymethyl group, 1-hydroxyethyl group, 2-hydroxyethyl group, 2-hydroxyisobutyl Group, 1,2-dihydroxyethyl group, 1,3-dihydroxyisopropyl group, 2,3-dihydroxy-t-butyl group, 1,2,3-trihydroxypropyl group, chloromethyl group, 1-chloroethyl group, 2 -Chloroethyl group, 2-chloroisobutyl group, 1,2-dichloroethyl group, 1,3-dichloroisopropyl group, 2,3-dichloro-t-butyl group, , 2,3-trichloropropyl group, bromomethyl group, 1-bromoethyl group, 2-bromoethyl group, 2-bromoisobutyl group, 1,2-dibromoethyl group, 1,3-dibromoisopropyl group, 2,3-dibromo- t-butyl group, 1,2,3-tribromopropyl group, iodomethyl group, 1-iodoethyl group, 2-iodoethyl group, 2-iodoisobutyl group, 1,2-diiodoethyl group, 1,3-diiodoisopropyl group 2,3-diiodo-t-butyl group, 1,2,3-triiodopropyl group, aminomethyl group, 1-aminoethyl group, 2-aminoethyl group, 2-aminoisobutyl group, 1,2-diamino Ethyl group, 1,3-diaminoisopropyl group, 2,3-diamino-t-butyl group, 1,2,3-triaminopropyl group, cyanomethyl group, 1- Anoethyl group, 2-cyanoethyl group, 2-cyanoisobutyl group, 1,2-dicyanoethyl group, 1,3-dicyanoisopropyl group, 2,3-dicyano-t-butyl group, 1,2,3-tricyanopropyl Group, nitromethyl group, 1-nitroethyl group, 2-nitroethyl group, 2-nitroisobutyl group, 1,2-dinitroethyl group, 1,3-dinitroisopropyl group, 2,3-dinitro-t-butyl group, 1, Examples include 2,3-trinitropropyl group.

置換もしくは無置換の炭素数1〜50のアラルキル基の例としては、ベンジル基、1−フェニルエチル基、2−フェニルエチル基、1−フェニルイソプロピル基、2−フェニルイソプロピル基、フェニル−t−ブチル基、α−ナフチルメチル基、1−α−ナフチルエチル基、2−α−ナフチルエチル基、1−α−ナフチルイソプロピル基、2−α−ナフチルイソプロピル基、β−ナフチルメチル基、1−β−ナフチルエチル基、2−β−ナフチルエチル基、1−β−ナフチルイソプロピル基、2−β−ナフチルイソプロピル基、1−ピロリルメチル基、2−(1−ピロリル)エチル基、p−メチルベンジル基、m−メチルベンジル基、o−メチルベンジル基、p−クロロベンジル基、m−クロロベンジル基、o−クロロベンジル基、p−ブロモベンジル基、m−ブロモベンジル基、o−ブロモベンジル基、p−ヨードベンジル基、m−ヨードベンジル基、o−ヨードベンジル基、p−ヒドロキシベンジル基、m−ヒドロキシベンジル基、o−ヒドロキシベンジル基、p−アミノベンジル基、m−アミノベンジル基、o−アミノベンジル基、p−ニトロベンジル基、m−ニトロベンジル基、o−ニトロベンジル基、p−シアノベンジル基、m−シアノベンジル基、o−シアノベンジル基、1−ヒドロキシ−2−フェニルイソプロピル基、1−クロロ−2−フェニルイソプロピル基等が挙げられる。   Examples of the substituted or unsubstituted aralkyl group having 1 to 50 carbon atoms include benzyl group, 1-phenylethyl group, 2-phenylethyl group, 1-phenylisopropyl group, 2-phenylisopropyl group, and phenyl-t-butyl. Group, α-naphthylmethyl group, 1-α-naphthylethyl group, 2-α-naphthylethyl group, 1-α-naphthylisopropyl group, 2-α-naphthylisopropyl group, β-naphthylmethyl group, 1-β- Naphthylethyl group, 2-β-naphthylethyl group, 1-β-naphthylisopropyl group, 2-β-naphthylisopropyl group, 1-pyrrolylmethyl group, 2- (1-pyrrolyl) ethyl group, p-methylbenzyl group, m -Methylbenzyl group, o-methylbenzyl group, p-chlorobenzyl group, m-chlorobenzyl group, o-chlorobenzyl group, p-bromoben Group, m-bromobenzyl group, o-bromobenzyl group, p-iodobenzyl group, m-iodobenzyl group, o-iodobenzyl group, p-hydroxybenzyl group, m-hydroxybenzyl group, o-hydroxybenzyl group P-aminobenzyl group, m-aminobenzyl group, o-aminobenzyl group, p-nitrobenzyl group, m-nitrobenzyl group, o-nitrobenzyl group, p-cyanobenzyl group, m-cyanobenzyl group, o -Cyanobenzyl group, 1-hydroxy-2-phenylisopropyl group, 1-chloro-2-phenylisopropyl group and the like.

置換もしくは無置換の核原子数5〜50のアリールオキシ基は−OY’と表され、Y’の例としてはフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9−フェナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、p−ターフェニル−4−イル基、p−ターフェニル−3−イル基、p−ターフェニル−2−イル基、m−ターフェニル−4−イル基、m−ターフェニル−3−イル基、m−ターフェニル−2−イル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基、p−(2−フェニルプロピル)フェニル基、3−メチル−2−ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基、4−メチル−1−アントリル基、4’−メチルビフェニルイル基、4”−t−ブチル−p−ターフェニル−4−イル基、2−ピロリル基、3−ピロリル基、ピラジニル基、2−ピリジニル基、3−ピリジニル基、4−ピリジニル基、2−インドリル基、3−インドリル基、4−インドリル基、5−インドリル基、6−インドリル基、7−インドリル基、1−イソインドリル基、3−イソインドリル基、4−イソインドリル基、5−イソインドリル基、6−イソインドリル基、7−イソインドリル基、2−フリル基、3−フリル基、2−ベンゾフラニル基、3−ベンゾフラニル基、4−ベンゾフラニル基、5−ベンゾフラニル基、6−ベンゾフラニル基、7−ベンゾフラニル基、1−イソベンゾフラニル基、3−イソベンゾフラニル基、4−イソベンゾフラニル基、5−イソベンゾフラニル基、6−イソベンゾフラニル基、7−イソベンゾフラニル基、2−キノリル基、3−キノリル基、4−キノリル基、5−キノリル基、6−キノリル基、7−キノリル基、8−キノリル基、1−イソキノリル基、3−イソキノリル基、4−イソキノリル基、5−イソキノリル基、6−イソキノリル基、7−イソキノリル基、8−イソキノリル基、2−キノキサリニル基、5−キノキサリニル基、6−キノキサリニル基、1−カルバゾリル基、2−カルバゾリル基、3−カルバゾリル基、4−カルバゾリル基、1−フェナンスリジニル基、2−フェナンスリジニル基、3−フェナンスリジニル基、4−フェナンスリジニル基、6−フェナンスリジニル基、7−フェナンスリジニル基、8−フェナンスリジニル基、9−フェナンスリジニル基、10−フェナンスリジニル基、1−アクリジニル基、2−アクリジニル基、3−アクリジニル基、4−アクリジニル基、9−アクリジニル基、1,7−フェナンスロリン−2−イル基、1,7−フェナンスロリン−3−イル基、1,7−フェナンスロリン−4−イル基、1,7−フェナンスロリン−5−イル基、1,7−フェナンスロリン−6−イル基、1,7−フェナンスロリン−8−イル基、1,7−フェナンスロリン−9−イル基、1,7−フェナンスロリン−10−イル基、1,8−フェナンスロリン−2−イル基、1,8−フェナンスロリン−3−イル基、1,8−フェナンスロリン−4−イル基、1,8−フェナンスロリン−5−イル基、1,8−フェナンスロリン−6−イル基、1,8−フェナンスロリン−7−イル基、1,8−フェナンスロリン−9−イル基、1,8−フェナンスロリン−10−イル基、1,9−フェナンスロリン−2−イル基、1,9−フェナンスロリン−3−イル基、1,9−フェナンスロリン−4−イル基、1,9−フェナンスロリン−5−イル基、1,9−フェナンスロリン−6−イル基、1,9−フェナンスロリン−7−イル基、1,9−フェナンスロリン−8−イル基、1,9−フェナンスロリン−10−イル基、1,10−フェナンスロリン−2−イル基、1,10−フェナンスロリン−3−イル基、1,10−フェナンスロリン−4−イル基、1,10−フェナンスロリン−5−イル基、2,9−フェナンスロリン−1−イル基、2,9−フェナンスロリン−3−イル基、2,9−フェナンスロリン−4−イル基、2,9−フェナンスロリン−5−イル基、2,9−フェナンスロリン−6−イル基、2,9−フェナンスロリン−7−イル基、2,9−フェナンスロリン−8−イル基、2,9−フェナンスロリン−10−イル基、2,8−フェナンスロリン−1−イル基、2,8−フェナンスロリン−3−イル基、2,8−フェナンスロリン−4−イル基、2,8−フェナンスロリン−5−イル基、2,8−フェナンスロリン−6−イル基、2,8−フェナンスロリン−7−イル基、2,8−フェナンスロリン−9−イル基、2,8−フェナンスロリン−10−イル基、2,7−フェナンスロリン−1−イル基、2,7−フェナンスロリン−3−イル基、2,7−フェナンスロリン−4−イル基、2,7−フェナンスロリン−5−イル基、2,7−フェナンスロリン−6−イル基、2,7−フェナンスロリン−8−イル基、2,7−フェナンスロリン−9−イル基、2,7−フェナンスロリン−10−イル基、1−フェナジニル基、2−フェナジニル基、1−フェノチアジニル基、2−フェノチアジニル基、3−フェノチアジニル基、4−フェノチアジニル基、1−フェノキサジニル基、2−フェノキサジニル基、3−フェノキサジニル基、4−フェノキサジニル基、2−オキサゾリル基、4−オキサゾリル基、5−オキサゾリル基、2−オキサジアゾリル基、5−オキサジアゾリル基、3−フラザニル基、2−チエニル基、3−チエニル基、2−メチルピロール−1−イル基、2−メチルピロール−3−イル基、2−メチルピロール−4−イル基、2−メチルピロール−5−イル基、3−メチルピロール−1−イル基、3−メチルピロール−2−イル基、3−メチルピロール−4−イル基、3−メチルピロール−5−イル基、2−t−ブチルピロール−4−イル基、3−(2−フェニルプロピル)ピロール−1−イル基、2−メチル−1−インドリル基、4−メチル−1−インドリル基、2−メチル−3−インドリル基、4−メチル−3−インドリル基、2−t−ブチル1−インドリル基、4−t−ブチル1−インドリル基、2−t−ブチル3−インドリル基、4−t−ブチル3−インドリル基等が挙げられる。   A substituted or unsubstituted aryloxy group having 5 to 50 nuclear atoms is represented as -OY ', and examples of Y' include a phenyl group, a 1-naphthyl group, a 2-naphthyl group, a 1-anthryl group, and a 2-anthryl group. Group, 9-anthryl group, 1-phenanthryl group, 2-phenanthryl group, 3-phenanthryl group, 4-phenanthryl group, 9-phenanthryl group, 1-naphthacenyl group, 2-naphthacenyl group, 9-naphthacenyl group, 1-pyrenyl Group, 2-pyrenyl group, 4-pyrenyl group, 2-biphenylyl group, 3-biphenylyl group, 4-biphenylyl group, p-terphenyl-4-yl group, p-terphenyl-3-yl group, p-terphenyl-2-yl group, m-terphenyl-4-yl group, m-terphenyl-3-yl group, m-terphenyl-2-yl group, o-tolyl group, -Tolyl group, p-tolyl group, pt-butylphenyl group, p- (2-phenylpropyl) phenyl group, 3-methyl-2-naphthyl group, 4-methyl-1-naphthyl group, 4-methyl- 1-anthryl group, 4′-methylbiphenylyl group, 4 ″ -t-butyl-p-terphenyl-4-yl group, 2-pyrrolyl group, 3-pyrrolyl group, pyrazinyl group, 2-pyridinyl group, 3- Pyridinyl group, 4-pyridinyl group, 2-indolyl group, 3-indolyl group, 4-indolyl group, 5-indolyl group, 6-indolyl group, 7-indolyl group, 1-isoindolyl group, 3-isoindolyl group, 4- Isoindolyl group, 5-isoindolyl group, 6-isoindolyl group, 7-isoindolyl group, 2-furyl group, 3-furyl group, 2-benzofuranyl group, 3-benzofuranyl group 4-benzofuranyl group, 5-benzofuranyl group, 6-benzofuranyl group, 7-benzofuranyl group, 1-isobenzofuranyl group, 3-isobenzofuranyl group, 4-isobenzofuranyl group, 5-isobenzofuranyl group Nyl group, 6-isobenzofuranyl group, 7-isobenzofuranyl group, 2-quinolyl group, 3-quinolyl group, 4-quinolyl group, 5-quinolyl group, 6-quinolyl group, 7-quinolyl group, 8 -Quinolyl group, 1-isoquinolyl group, 3-isoquinolyl group, 4-isoquinolyl group, 5-isoquinolyl group, 6-isoquinolyl group, 7-isoquinolyl group, 8-isoquinolyl group, 2-quinoxalinyl group, 5-quinoxalinyl group, 6 -Quinoxalinyl group, 1-carbazolyl group, 2-carbazolyl group, 3-carbazolyl group, 4-carbazolyl group, 1-phenanthridinyl Group, 2-phenanthridinyl group, 3-phenanthridinyl group, 4-phenanthridinyl group, 6-phenanthridinyl group, 7-phenanthridinyl group, 8-phenanthridinyl group, 9-phenanthridinyl group, 10-phenanthridinyl group, 1-acridinyl group, 2-acridinyl group, 3-acridinyl group, 4-acridinyl group, 9-acridinyl group, 1,7-phenanthroline-2 -Yl group, 1,7-phenanthrolin-3-yl group, 1,7-phenanthrolin-4-yl group, 1,7-phenanthrolin-5-yl group, 1,7-phenanthroline -6-yl group, 1,7-phenanthrolin-8-yl group, 1,7-phenanthrolin-9-yl group, 1,7-phenanthrolin-10-yl group, 1,8-phen group Nansulolin-2-yl group, 1,8- Phenanthrolin-3-yl group, 1,8-phenanthrolin-4-yl group, 1,8-phenanthrolin-5-yl group, 1,8-phenanthrolin-6-yl group, 1,8- Phenanthrolin-7-yl group, 1,8-phenanthroline-9-yl group, 1,8-phenanthrolin-10-yl group, 1,9-phenanthrolin-2-yl group, 1, 9-phenanthrolin-3-yl group, 1,9-phenanthrolin-4-yl group, 1,9-phenanthrolin-5-yl group, 1,9-phenanthrolin-6-yl group, 1,9-phenanthrolin-7-yl group, 1,9-phenanthrolin-8-yl group, 1,9-phenanthrolin-10-yl group, 1,10-phenanthrolin-2-yl Group, 1,10-phenanthrolin-3-yl group, 1,10-phenanth Rin-4-yl group, 1,10-phenanthrolin-5-yl group, 2,9-phenanthrolin-1-yl group, 2,9-phenanthrolin-3-yl group, 2,9- Phenanthrolin-4-yl group, 2,9-phenanthrolin-5-yl group, 2,9-phenanthrolin-6-yl group, 2,9-phenanthrolin-7-yl group, 2, 9-phenanthroline-8-yl group, 2,9-phenanthrolin-10-yl group, 2,8-phenanthrolin-1-yl group, 2,8-phenanthrolin-3-yl group, 2,8-phenanthrolin-4-yl group, 2,8-phenanthrolin-5-yl group, 2,8-phenanthrolin-6-yl group, 2,8-phenanthrolin-7-yl Group, 2,8-phenanthrolin-9-yl group, 2,8-phenanthrolin-10-yl Group, 2,7-phenanthrolin-1-yl group, 2,7-phenanthrolin-3-yl group, 2,7-phenanthrolin-4-yl group, 2,7-phenanthrolin-5 -Yl group, 2,7-phenanthroline-6-yl group, 2,7-phenanthrolin-8-yl group, 2,7-phenanthrolin-9-yl group, 2,7-phenanthroline -10-yl group, 1-phenazinyl group, 2-phenazinyl group, 1-phenothiazinyl group, 2-phenothiazinyl group, 3-phenothiazinyl group, 4-phenothiazinyl group, 1-phenoxazinyl group, 2-phenoxazinyl group, 3-phenoxazinyl group, 4-phenoxazinyl group, 2-oxazolyl group, 4-oxazolyl group, 5-oxazolyl group, 2-oxadiazolyl group, 5-oxadiazolyl group, 3-flazanyl group 2-thienyl group, 3-thienyl group, 2-methylpyrrol-1-yl group, 2-methylpyrrol-3-yl group, 2-methylpyrrol-4-yl group, 2-methylpyrrol-5-yl group, 3-methylpyrrol-1-yl group, 3-methylpyrrol-2-yl group, 3-methylpyrrol-4-yl group, 3-methylpyrrol-5-yl group, 2-t-butylpyrrol-4-yl Group, 3- (2-phenylpropyl) pyrrol-1-yl group, 2-methyl-1-indolyl group, 4-methyl-1-indolyl group, 2-methyl-3-indolyl group, 4-methyl-3- Indolyl group, 2-t-butyl 1-indolyl group, 4-t-butyl 1-indolyl group, 2-t-butyl 3-indolyl group, 4-t-butyl 3-indolyl group and the like can be mentioned.

置換もしくは無置換の核原子数5〜50のアリールチオ基は−SY”と表され、Y”の例としてはフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9−フェナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、p−ターフェニル−4−イル基、p−ターフェニル−3−イル基、p−ターフェニル−2−イル基、m−ターフェニル−4−イル基、m−ターフェニル−3−イル基、m−ターフェニル−2−イル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基、p−(2−フェニルプロピル)フェニル基、3−メチル−2−ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基、4−メチル−1−アントリル基、4’−メチルビフェニルイル基、4”−t−ブチル−p−ターフェニル−4−イル基、2−ピロリル基、3−ピロリル基、ピラジニル基、2−ピリジニル基、3−ピリジニル基、4−ピリジニル基、2−インドリル基、3−インドリル基、4−インドリル基、5−インドリル基、6−インドリル基、7−インドリル基、1−イソインドリル基、3−イソインドリル基、4−イソインドリル基、5−イソインドリル基、6−イソインドリル基、7−イソインドリル基、2−フリル基、3−フリル基、2−ベンゾフラニル基、3−ベンゾフラニル基、4−ベンゾフラニル基、5−ベンゾフラニル基、6−ベンゾフラニル基、7−ベンゾフラニル基、1−イソベンゾフラニル基、3−イソベンゾフラニル基、4−イソベンゾフラニル基、5−イソベンゾフラニル基、6−イソベンゾフラニル基、7−イソベンゾフラニル基、2−キノリル基、3−キノリル基、4−キノリル基、5−キノリル基、6−キノリル基、7−キノリル基、8−キノリル基、1−イソキノリル基、3−イソキノリル基、4−イソキノリル基、5−イソキノリル基、6−イソキノリル基、7−イソキノリル基、8−イソキノリル基、2−キノキサリニル基、5−キノキサリニル基、6−キノキサリニル基、1−カルバゾリル基、2−カルバゾリル基、3−カルバゾリル基、4−カルバゾリル基、1−フェナンスリジニル基、2−フェナンスリジニル基、3−フェナンスリジニル基、4−フェナンスリジニル基、6−フェナンスリジニル基、7−フェナンスリジニル基、8−フェナンスリジニル基、9−フェナンスリジニル基、10−フェナンスリジニル基、1−アクリジニル基、2−アクリジニル基、3−アクリジニル基、4−アクリジニル基、9−アクリジニル基、1,7−フェナンスロリン−2−イル基、1,7−フェナンスロリン−3−イル基、1,7−フェナンスロリン−4−イル基、1,7−フェナンスロリン−5−イル基、1,7−フェナンスロリン−6−イル基、1,7−フェナンスロリン−8−イル基、1,7−フェナンスロリン−9−イル基、1,7−フェナンスロリン−10−イル基、1,8−フェナンスロリン−2−イル基、1,8−フェナンスロリン−3−イル基、1,8−フェナンスロリン−4−イル基、1,8−フェナンスロリン−5−イル基、1,8−フェナンスロリン−6−イル基、1,8−フェナンスロリン−7−イル基、1,8−フェナンスロリン−9−イル基、1,8−フェナンスロリン−10−イル基、1,9−フェナンスロリン−2−イル基、1,9−フェナンスロリン−3−イル基、1,9−フェナンスロリン−4−イル基、1,9−フェナンスロリン−5−イル基、1,9−フェナンスロリン−6−イル基、1,9−フェナンスロリン−7−イル基、1,9−フェナンスロリン−8−イル基、1,9−フェナンスロリン−10−イル基、1,10−フェナンスロリン−2−イル基、1,10−フェナンスロリン−3−イル基、1,10−フェナンスロリン−4−イル基、1,10−フェナンスロリン−5−イル基、2,9−フェナンスロリン−1−イル基、2,9−フェナンスロリン−3−イル基、2,9−フェナンスロリン−4−イル基、2,9−フェナンスロリン−5−イル基、2,9−フェナンスロリン−6−イル基、2,9−フェナンスロリン−7−イル基、2,9−フェナンスロリン−8−イル基、2,9−フェナンスロリン−10−イル基、2,8−フェナンスロリン−1−イル基、2,8−フェナンスロリン−3−イル基、2,8−フェナンスロリン−4−イル基、2,8−フェナンスロリン−5−イル基、2,8−フェナンスロリン−6−イル基、2,8−フェナンスロリン−7−イル基、2,8−フェナンスロリン−9−イル基、2,8−フェナンスロリン−10−イル基、2,7−フェナンスロリン−1−イル基、2,7−フェナンスロリン−3−イル基、2,7−フェナンスロリン−4−イル基、2,7−フェナンスロリン−5−イル基、2,7−フェナンスロリン−6−イル基、2,7−フェナンスロリン−8−イル基、2,7−フェナンスロリン−9−イル基、2,7−フェナンスロリン−10−イル基、1−フェナジニル基、2−フェナジニル基、1−フェノチアジニル基、2−フェノチアジニル基、3−フェノチアジニル基、4−フェノチアジニル基、1−フェノキサジニル基、2−フェノキサジニル基、3−フェノキサジニル基、4−フェノキサジニル基、2−オキサゾリル基、4−オキサゾリル基、5−オキサゾリル基、2−オキサジアゾリル基、5−オキサジアゾリル基、3−フラザニル基、2−チエニル基、3−チエニル基、2−メチルピロール−1−イル基、2−メチルピロール−3−イル基、2−メチルピロール−4−イル基、2−メチルピロール−5−イル基、3−メチルピロール−1−イル基、3−メチルピロール−2−イル基、3−メチルピロール−4−イル基、3−メチルピロール−5−イル基、2−t−ブチルピロール−4−イル基、3−(2−フェニルプロピル)ピロール−1−イル基、2−メチル−1−インドリル基、4−メチル−1−インドリル基、2−メチル−3−インドリル基、4−メチル−3−インドリル基、2−t−ブチル1−インドリル基、4−t−ブチル1−インドリル基、2−t−ブチル3−インドリル基、4−t−ブチル3−インドリル基等が挙げられる。   A substituted or unsubstituted arylthio group having 5 to 50 nuclear atoms is represented by —SY ″, and examples of Y ″ include a phenyl group, a 1-naphthyl group, a 2-naphthyl group, a 1-anthryl group, and a 2-anthryl group. 9-anthryl group, 1-phenanthryl group, 2-phenanthryl group, 3-phenanthryl group, 4-phenanthryl group, 9-phenanthryl group, 1-naphthacenyl group, 2-naphthacenyl group, 9-naphthacenyl group, 1-pyrenyl group 2-pyrenyl group, 4-pyrenyl group, 2-biphenylyl group, 3-biphenylyl group, 4-biphenylyl group, p-terphenyl-4-yl group, p-terphenyl-3-yl group, p -Terphenyl-2-yl group, m-terphenyl-4-yl group, m-terphenyl-3-yl group, m-terphenyl-2-yl group, o-tolyl group, m Tolyl group, p-tolyl group, pt-butylphenyl group, p- (2-phenylpropyl) phenyl group, 3-methyl-2-naphthyl group, 4-methyl-1-naphthyl group, 4-methyl-1 -Anthryl group, 4'-methylbiphenylyl group, 4 "-t-butyl-p-terphenyl-4-yl group, 2-pyrrolyl group, 3-pyrrolyl group, pyrazinyl group, 2-pyridinyl group, 3-pyridinyl Group, 4-pyridinyl group, 2-indolyl group, 3-indolyl group, 4-indolyl group, 5-indolyl group, 6-indolyl group, 7-indolyl group, 1-isoindolyl group, 3-isoindolyl group, 4-isoindolyl group Group, 5-isoindolyl group, 6-isoindolyl group, 7-isoindolyl group, 2-furyl group, 3-furyl group, 2-benzofuranyl group, 3-benzofuranyl group 4-benzofuranyl group, 5-benzofuranyl group, 6-benzofuranyl group, 7-benzofuranyl group, 1-isobenzofuranyl group, 3-isobenzofuranyl group, 4-isobenzofuranyl group, 5-isobenzofuranyl group Group, 6-isobenzofuranyl group, 7-isobenzofuranyl group, 2-quinolyl group, 3-quinolyl group, 4-quinolyl group, 5-quinolyl group, 6-quinolyl group, 7-quinolyl group, 8- Quinolyl group, 1-isoquinolyl group, 3-isoquinolyl group, 4-isoquinolyl group, 5-isoquinolyl group, 6-isoquinolyl group, 7-isoquinolyl group, 8-isoquinolyl group, 2-quinoxalinyl group, 5-quinoxalinyl group, 6- Quinoxalinyl group, 1-carbazolyl group, 2-carbazolyl group, 3-carbazolyl group, 4-carbazolyl group, 1-phenanthridinyl group 2-phenanthridinyl group, 3-phenanthridinyl group, 4-phenanthridinyl group, 6-phenanthridinyl group, 7-phenanthridinyl group, 8-phenanthridinyl group, 9 -Phenanthridinyl group, 10-phenanthridinyl group, 1-acridinyl group, 2-acridinyl group, 3-acridinyl group, 4-acridinyl group, 9-acridinyl group, 1,7-phenanthroline-2- Yl group, 1,7-phenanthrolin-3-yl group, 1,7-phenanthrolin-4-yl group, 1,7-phenanthrolin-5-yl group, 1,7-phenanthrolin- 6-yl group, 1,7-phenanthroline-8-yl group, 1,7-phenanthrolin-9-yl group, 1,7-phenanthrolin-10-yl group, 1,8-phenance Lorin-2-yl group, 1,8-Fu Nansulolin-3-yl group, 1,8-phenanthrolin-4-yl group, 1,8-phenanthrolin-5-yl group, 1,8-phenanthrolin-6-yl group, 1,8- Phenanthrolin-7-yl group, 1,8-phenanthroline-9-yl group, 1,8-phenanthrolin-10-yl group, 1,9-phenanthrolin-2-yl group, 1, 9-phenanthrolin-3-yl group, 1,9-phenanthrolin-4-yl group, 1,9-phenanthrolin-5-yl group, 1,9-phenanthrolin-6-yl group, 1,9-phenanthrolin-7-yl group, 1,9-phenanthrolin-8-yl group, 1,9-phenanthrolin-10-yl group, 1,10-phenanthrolin-2-yl Group, 1,10-phenanthrolin-3-yl group, 1,10-phenanthro N-4-yl group, 1,10-phenanthrolin-5-yl group, 2,9-phenanthrolin-1-yl group, 2,9-phenanthrolin-3-yl group, 2,9- Phenanthrolin-4-yl group, 2,9-phenanthrolin-5-yl group, 2,9-phenanthrolin-6-yl group, 2,9-phenanthrolin-7-yl group, 2, 9-phenanthroline-8-yl group, 2,9-phenanthrolin-10-yl group, 2,8-phenanthrolin-1-yl group, 2,8-phenanthrolin-3-yl group, 2,8-phenanthrolin-4-yl group, 2,8-phenanthrolin-5-yl group, 2,8-phenanthrolin-6-yl group, 2,8-phenanthrolin-7-yl Group, 2,8-phenanthrolin-9-yl group, 2,8-phenanthrolin-10-yl group 2,7-phenanthrolin-1-yl group, 2,7-phenanthrolin-3-yl group, 2,7-phenanthrolin-4-yl group, 2,7-phenanthrolin-5- Yl group, 2,7-phenanthrolin-6-yl group, 2,7-phenanthrolin-8-yl group, 2,7-phenanthrolin-9-yl group, 2,7-phenanthrolin- 10-yl group, 1-phenazinyl group, 2-phenazinyl group, 1-phenothiazinyl group, 2-phenothiazinyl group, 3-phenothiazinyl group, 4-phenothiazinyl group, 1-phenoxazinyl group, 2-phenoxazinyl group, 3 -Phenoxazinyl group, 4-phenoxazinyl group, 2-oxazolyl group, 4-oxazolyl group, 5-oxazolyl group, 2-oxadiazolyl group, 5-oxadiazolyl group, 3-flazanyl group, -Thienyl group, 3-thienyl group, 2-methylpyrrol-1-yl group, 2-methylpyrrol-3-yl group, 2-methylpyrrol-4-yl group, 2-methylpyrrol-5-yl group, 3 -Methylpyrrol-1-yl group, 3-methylpyrrol-2-yl group, 3-methylpyrrol-4-yl group, 3-methylpyrrol-5-yl group, 2-t-butylpyrrol-4-yl group 3- (2-phenylpropyl) pyrrol-1-yl group, 2-methyl-1-indolyl group, 4-methyl-1-indolyl group, 2-methyl-3-indolyl group, 4-methyl-3-indolyl group Group, 2-t-butyl 1-indolyl group, 4-t-butyl 1-indolyl group, 2-t-butyl 3-indolyl group, 4-t-butyl 3-indolyl group and the like.

置換もしくは無置換の炭素数1〜50のカルボキシル基はは−COOZと表され、Zの例としてはメチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、n−ブチル基、s−ブチル基、イソブチル基、t−ブチル基、n−ペンチル基、n−ヘキシル基、n−ヘプチル基、n−オクチル基、ヒドロキシメチル基、1−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシエチル基、2−ヒドロキシイソブチル基、1,2−ジヒドロキシエチル基、1,3−ジヒドロキシイソプロピル基、2,3−ジヒドロキシ−t−ブチル基、1,2,3−トリヒドロキシプロピル基、クロロメチル基、1−クロロエチル基、2−クロロエチル基、2−クロロイソブチル基、1,2−ジクロロエチル基、1,3−ジクロロイソプロピル基、2,3−ジクロロ−t−ブチル基、1,2,3−トリクロロプロピル基、ブロモメチル基、1−ブロモエチル基、2−ブロモエチル基、2−ブロモイソブチル基、1,2−ジブロモエチル基、1,3−ジブロモイソプロピル基、2,3−ジブロモ−t−ブチル基、1,2,3−トリブロモプロピル基、ヨードメチル基、1−ヨードエチル基、2−ヨードエチル基、2−ヨードイソブチル基、1,2−ジヨードエチル基、1,3−ジヨードイソプロピル基、2,3−ジヨード−t−ブチル基、1,2,3−トリヨードプロピル基、アミノメチル基、1−アミノエチル基、2−アミノエチル基、2−アミノイソブチル基、1,2−ジアミノエチル基、1,3−ジアミノイソプロピル基、2,3−ジアミノ−t−ブチル基、1,2,3−トリアミノプロピル基、シアノメチル基、1−シアノエチル基、2−シアノエチル基、2−シアノイソブチル基、1,2−ジシアノエチル基、1,3−ジシアノイソプロピル基、2,3−ジシアノ−t−ブチル基、1,2,3−トリシアノプロピル基、ニトロメチル基、1−ニトロエチル基、2−ニトロエチル基、2−ニトロイソブチル基、1,2−ジニトロエチル基、1,3−ジニトロイソプロピル基、2,3−ジニトロ−t−ブチル基、1,2,3−トリニトロプロピル基等が挙げられる。   The substituted or unsubstituted carboxyl group having 1 to 50 carbon atoms is represented as —COOZ, and examples of Z include methyl, ethyl, propyl, isopropyl, n-butyl, s-butyl, and isobutyl. , T-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n-heptyl group, n-octyl group, hydroxymethyl group, 1-hydroxyethyl group, 2-hydroxyethyl group, 2-hydroxyisobutyl group, 1, 2-dihydroxyethyl group, 1,3-dihydroxyisopropyl group, 2,3-dihydroxy-t-butyl group, 1,2,3-trihydroxypropyl group, chloromethyl group, 1-chloroethyl group, 2-chloroethyl group, 2-chloroisobutyl group, 1,2-dichloroethyl group, 1,3-dichloroisopropyl group, 2,3-dichloro-t-butyl group, 1, , 3-trichloropropyl group, bromomethyl group, 1-bromoethyl group, 2-bromoethyl group, 2-bromoisobutyl group, 1,2-dibromoethyl group, 1,3-dibromoisopropyl group, 2,3-dibromo-t- Butyl group, 1,2,3-tribromopropyl group, iodomethyl group, 1-iodoethyl group, 2-iodoethyl group, 2-iodoisobutyl group, 1,2-diiodoethyl group, 1,3-diiodoisopropyl group, 2 , 3-Diiodo-t-butyl group, 1,2,3-triiodopropyl group, aminomethyl group, 1-aminoethyl group, 2-aminoethyl group, 2-aminoisobutyl group, 1,2-diaminoethyl group 1,3-diaminoisopropyl group, 2,3-diamino-t-butyl group, 1,2,3-triaminopropyl group, cyanomethyl group, 1-sia Ethyl group, 2-cyanoethyl group, 2-cyanoisobutyl group, 1,2-dicyanoethyl group, 1,3-dicyanoisopropyl group, 2,3-dicyano-t-butyl group, 1,2,3-tricyanopropyl Group, nitromethyl group, 1-nitroethyl group, 2-nitroethyl group, 2-nitroisobutyl group, 1,2-dinitroethyl group, 1,3-dinitroisopropyl group, 2,3-dinitro-t-butyl group, 1, Examples include 2,3-trinitropropyl group.

置換又は無置換のスチリル基の例としては、2−フェニル−1−ビニル基、2,2−ジフェニル−1−ビニル基、1,2,2−トリフェニル−1−ビニル基等が挙げられる。   Examples of the substituted or unsubstituted styryl group include 2-phenyl-1-vinyl group, 2,2-diphenyl-1-vinyl group, 1,2,2-triphenyl-1-vinyl group, and the like.

ハロゲン基の例としては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素等が挙げられる。
lは、1〜5、好ましくは1〜2の整数である。mは、0〜6、好ましくは0〜4の整数である。
Examples of the halogen group include fluorine, chlorine, bromine and iodine.
l is an integer of 1-5, preferably 1-2. m is an integer of 0-6, preferably 0-4.

尚l≧2の時、l個のAr1はそれぞれ同じでも異なっていても良い。
またm≧2の時、m個のXはそれぞれ同じでも異なっていても良い。
When l ≧ 2, l Ar 1 s may be the same or different.
When m ≧ 2, the m Xs may be the same or different.

式(1)で表わされる化合物の具体例を以下に示す。

Figure 2005251639
Figure 2005251639
Specific examples of the compound represented by the formula (1) are shown below.
Figure 2005251639
Figure 2005251639

発光層に蛍光性化合物をドーパントとし添加し、発光性能を向上させることができる。ドーパントは、それぞれ長寿命等パント材料として公知のものを用いることが可能であるが、式(2)で示される材料を発光材料のドーパント材料として用いることが好ましい。

Figure 2005251639
(式中、Ar〜Arは置換又は無置換の核炭素数6〜50の芳香族基、置換又は無置換のスチリル基、pは1〜4の整数である。) Luminescent performance can be improved by adding a fluorescent compound as a dopant to the light emitting layer. As the dopant, a known material such as a long-life punt material can be used, but it is preferable to use a material represented by the formula (2) as a dopant material of the light emitting material.
Figure 2005251639
(In the formula, Ar 2 to Ar 4 are substituted or unsubstituted aromatic groups having 6 to 50 nuclear carbon atoms, substituted or unsubstituted styryl groups, and p is an integer of 1 to 4).

置換もしくは無置換の核炭素数6〜50の芳香族基の例としては、フェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、1−アントリル基、2−アントリル基、9−アントリル基、1−フェナントリル基、2−フェナントリル基、3−フェナントリル基、4−フェナントリル基、9−フェナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、p−ターフェニル−4−イル基、p−ターフェニル−3−イル基、p−ターフェニル−2−イル基、m−ターフェニル−4−イル基、m−ターフェニル−3−イル基、m−ターフェニル−2−イル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基、p−(2−フェニルプロピル)フェニル基、3−メチル−2−ナフチル基、4−メチル−1−ナフチル基、4−メチル−1−アントリル基、4’−メチルビフェニルイル基、4”−t−ブチル−p−ターフェニル−4−イル基、2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、3−フルオランテニル基等が挙げられる。   Examples of the substituted or unsubstituted aromatic group having 6 to 50 nuclear carbon atoms include phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 1-anthryl group, 2-anthryl group, 9-anthryl group, 1- Phenanthryl group, 2-phenanthryl group, 3-phenanthryl group, 4-phenanthryl group, 9-phenanthryl group, 1-naphthacenyl group, 2-naphthacenyl group, 9-naphthacenyl group, 1-pyrenyl group, 2-pyrenyl group, 4- Pyrenyl group, 2-biphenylyl group, 3-biphenylyl group, 4-biphenylyl group, p-terphenyl-4-yl group, p-terphenyl-3-yl group, p-terphenyl-2-yl group M-terphenyl-4-yl group, m-terphenyl-3-yl group, m-terphenyl-2-yl group, o-tolyl group, m-tolyl group, p-tolyl group, p t-butylphenyl group, p- (2-phenylpropyl) phenyl group, 3-methyl-2-naphthyl group, 4-methyl-1-naphthyl group, 4-methyl-1-anthryl group, 4′-methylbiphenylyl Group, 4 "-t-butyl-p-terphenyl-4-yl group, 2-fluorenyl group, 9,9-dimethyl-2-fluorenyl group, 3-fluoranthenyl group and the like.

好ましくはフェニル基、1−ナフチル基、2−ナフチル基、9−フェナントリル基、1−ナフタセニル基、2−ナフタセニル基、9−ナフタセニル基、1−ピレニル基、2−ピレニル基、4−ピレニル基、2−ビフェニルイル基、3−ビフェニルイル基、4−ビフェニルイル基、o−トリル基、m−トリル基、p−トリル基、p−t−ブチルフェニル基、2−フルオレニル基、9,9−ジメチル−2−フルオレニル基、3−フルオランテニル基等が挙げられる。   Preferably a phenyl group, 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 9-phenanthryl group, 1-naphthacenyl group, 2-naphthacenyl group, 9-naphthacenyl group, 1-pyrenyl group, 2-pyrenyl group, 4-pyrenyl group, 2-biphenylyl group, 3-biphenylyl group, 4-biphenylyl group, o-tolyl group, m-tolyl group, p-tolyl group, pt-butylphenyl group, 2-fluorenyl group, 9,9- A dimethyl-2-fluorenyl group, a 3-fluoranthenyl group, etc. are mentioned.

置換又は無置換のスチリル基の例としては、2−フェニル−1−ビニル基、2,2−ジフェニル−1−ビニル基、1,2,2−トリフェニル−1−ビニル基等が挙げられる。   Examples of the substituted or unsubstituted styryl group include 2-phenyl-1-vinyl group, 2,2-diphenyl-1-vinyl group, 1,2,2-triphenyl-1-vinyl group, and the like.

pは1〜4の整数である。
尚、p≧2の時、p個のAr、Arはそれぞれ同じでも異なっていても良い。
p is an integer of 1 to 4.
When p ≧ 2, p Ar 3 and Ar 4 may be the same or different.

式(2)で表わされる化合物の具体例を以下に示す。

Figure 2005251639
Figure 2005251639
Figure 2005251639
Figure 2005251639
Specific examples of the compound represented by the formula (2) are shown below.
Figure 2005251639
Figure 2005251639
Figure 2005251639
Figure 2005251639

(4)正孔輸送層
本発明では、発光層と正孔注入層の間に正孔輸送層を設けることができる。
正孔輸送層は、より低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材料が好ましい。即ち、正孔の移動度が、10〜10V/cmの電界印加時に、10−4cm/V・秒以上であると好ましい。
(4) Hole transport layer In this invention, a hole transport layer can be provided between a light emitting layer and a hole injection layer.
The hole transport layer is preferably a material that transports holes to the light emitting layer with lower electric field strength. That is, the mobility of holes is preferably 10 −4 cm 2 / V · sec or more when an electric field of 10 4 to 10 6 V / cm is applied.

正孔輸送層を形成する材料としては、光導伝材料において正孔の電荷輸送材料として慣用されているものや、EL素子の正孔輸送層に使用される公知のものの中から任意のものを選択して用いることができる。   The material for forming the hole transport layer is selected from materials commonly used as charge transport materials for holes in photoconductive materials and known materials used for hole transport layers in EL devices. Can be used.

具体例としては、トリアゾール誘導体(米国特許3,112,197号明細書等参照)、オキサジアゾール誘導体(米国特許3,189,447号明細書等参照)、イミダゾール誘導体(特公昭37−16096号公報等参照)、ポリアリールアルカン誘導体(米国特許3,615,402号明細書、同第3,820,989号明細書、同第3,542,544号明細書、特公昭45−555号公報、同51−10983号公報、特開昭51−93224号公報、同55−17105号公報、同56−4148号公報、同55−108667号公報、同55−156953号公報、同56−36656号公報等参照)、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体(米国特許第3,180,729号明細書、同第4,278,746号明細書、特開昭55−88064号公報、同55−88065号公報、同49−105537号公報、同55−51086号公報、同56−80051号公報、同56−88141号公報、同57−45545号公報、同54−112637号公報、同55−74546号公報等参照)、フェニレンジアミン誘導体(米国特許第3,615,404号明細書、特公昭51−10105号公報、同46−3712号公報、同47−25336号公報、特開昭54−53435号公報、同54−110536号公報、同54−119925号公報等参照)、アリールアミン誘導体(米国特許第3,567,450号明細書、同第3,180,703号明細書、同第3,240,597号明細書、同第3,658,520号明細書、同第4,232,103号明細書、同第4,175,961号明細書、同第4,012,376号明細書、特公昭49−35702号公報、同39−27577号公報、特開昭55−144250号公報、同56−119132号公報、同56−22437号公報、***特許第1,110,518号明細書等参照)、アミノ置換カルコン誘導体(米国特許第3,526,501号明細書等参照)、オキサゾール誘導体(米国特許第3,257,203号明細書等に開示のもの)、スチリルアントラセン誘導体(特開昭56−46234号公報等参照)、フルオレノン誘導体(特開昭54−110837号公報等参照)、ヒドラゾン誘導体(米国特許第3,717,462号明細書、特開昭54−59143号公報、同55−52063号公報、同55−52064号公報、同55−46760号公報、同55−85495号公報、同57−11350号公報、同57−148749号公報、特開平2−311591号公報等参照)、スチルベン誘導体(特開昭61−210363号公報、同第61−228451号公報、同61−14642号公報、同61−72255号公報、同62−47646号公報、同62−36674号公報、同62−10652号公報、同62−30255号公報、同60−93455号公報、同60−94462号公報、同60−174749号公報、同60−175052号公報等参照)、シラザン誘導体(米国特許第4,950,950号明細書)、ポリシラン系(特開平2−204996号公報)、アニリン系共重合体(特開平2−282263号公報)、特開平1−211399号公報に開示されている導電性高分子オリゴマー(特にチオフェンオリゴマー)等を挙げることができる。   Specific examples include triazole derivatives (see US Pat. No. 3,112,197), oxadiazole derivatives (see US Pat. No. 3,189,447, etc.), imidazole derivatives (Japanese Patent Publication No. 37-16096). Polyarylalkane derivatives (US Pat. Nos. 3,615,402, 3,820,989, 3,542,544, JP-B-45-555). 51-10983, JP-A-51-93224, 55-17105, 56-4148, 55-108667, 55-156953, 56-36656 Patent Publication etc.), pyrazoline derivatives and pyrazolone derivatives (US Pat. Nos. 3,180,729, 4,278,746, Sho 55-88064, 55-88065, 49-105537, 55-51086, 56-80051, 56-88141, 57-45545, 54-112737, 55-74546, etc.), phenylenediamine derivatives (US Pat. No. 3,615,404, JP-B 51-10105, 46-3712, 47- No. 25336, Japanese Patent Laid-Open Nos. 54-53435, 54-110536, 54-1119925, etc.), arylamine derivatives (US Pat. No. 3,567,450, No. 3, 180,703 specification, 3,240,597 specification, 3,658,520 specification, 4,232,103 specification No. 4,175,961, No. 4,012,376, JP-B-49-35702, JP-A-39-27577, JP-A-55-144250, JP-A-56. 119132, 56-22437, West German Patent 1,110,518, etc.), amino-substituted chalcone derivatives (see US Pat. No. 3,526,501, etc.), oxazole derivatives (see U.S. Pat. No. 3,257,203), styryl anthracene derivatives (see JP-A-56-46234, etc.), fluorenone derivatives (see JP-A-54-110837, etc.), hydrazone Derivatives (US Pat. No. 3,717,462, JP-A-54-59143, 55-52063, 55-52064) 55-46760, 55-85495, 57-11350, 57-148799, JP-A-2-311591, etc.), stilbene derivatives (JP-A-61-210363) Gazette, 61-228451, 61-14642, 61-72255, 62-47646, 62-36684, 62-10652, 62-30255 No. 60-93455, No. 60-94462, No. 60-174749, No. 60-175052, etc.), silazane derivatives (US Pat. No. 4,950,950), polysilane System (JP-A-2-204996), aniline copolymer (JP-A-2-282263), JP-A-1-21 Conductive polymer oligomers disclosed in 399 JP can (particularly thiophene oligomer).

正孔輸送層は上述した化合物を、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法等の公知の方法により形成することができる。正孔輸送層の膜厚は特に制限されないが、好ましくは5nm〜5μm、特に好ましくは5〜40nmである。正孔輸送層は上述した材料の一種又は二種以上からなる一層で構成されてもよい。また、別種の化合物からなる正孔輸送層を積層したものであってもよい。   The hole transport layer can be formed from the above-described compound by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, or an LB method. The film thickness of the hole transport layer is not particularly limited, but is preferably 5 nm to 5 μm, particularly preferably 5 to 40 nm. The hole transport layer may be composed of one or more of the above materials. Also, a hole transport layer made of another kind of compound may be laminated.

(5)正孔注入層
正孔注入層の材料としては正孔輸送層と同様の材料を使用することができるが、ポルフィリン化合物(特開昭63−2956965号公報等に開示のもの)、芳香族第三級アミン化合物及びスチリルアミン化合物(米国特許第4,127,412号明細書、特開昭53−27033号公報、同54−58445号公報、同54−149634号公報、同54−64299号公報、同55−79450号公報、同55−144250号公報、同56−119132号公報、同61−295558号公報、同61−98353号公報、同63−295695号公報等参照)、特に芳香族第三級アミン化合物を用いることが好ましい。
(5) Hole Injecting Layer The same material as the hole transporting layer can be used as the material for the hole injecting layer, but a porphyrin compound (disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 63-295965), aromatic Group tertiary amine compounds and styrylamine compounds (US Pat. No. 4,127,412, JP-A-53-27033, 54-58445, 54-149634, 54-64299) No. 55-79450, No. 55-144250, No. 56-119132, No. 61-295558, No. 61-98353, No. 63-295695, etc.), especially fragrance It is preferable to use a group III tertiary amine compound.

また米国特許第5,061,569号に記載されている2個の縮合芳香族環を分子内に有する、例えば4,4’−ビス(N−(1−ナフチル)−N−フェニルアミノ)ビフェニル(以下NPDと略記する)、また特開平4−308688号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが3つスターバースト型に連結された4,4’,4”−トリス(N−(3−メチルフェニル)−N−フェニルアミノ)トリフェニルアミン(以下MTDATAと略記する)等を挙げることができる。   Further, for example, 4,4′-bis (N- (1-naphthyl) -N-phenylamino) biphenyl having two condensed aromatic rings described in US Pat. No. 5,061,569 in the molecule. (Hereinafter abbreviated as NPD), and 4,4 ′, 4 ″ -tris (N- (3−3) in which three triphenylamine units described in JP-A-4-308688 are linked in a starburst type. And methylphenyl) -N-phenylamino) triphenylamine (hereinafter abbreviated as MTDATA).

また芳香族ジメチリディン系化合物の他、p型Si、p型SiC等の無機化合物も正孔注入層の材料として使用することができる。また有機半導体層も正孔注入層の一部であるが、これは発光層への正孔注入又は電子注入を助ける層であって、10−10S/cm以上の導電率を有するものが好適である。このような有機半導体層の材料としては、含チオフェンオリゴマーや特開平8−193191号公報に開示してある含アリールアミンオリゴマー等の導電性オリゴマー、含アリールアミンデンドリマー等の導電性デンドリマー等を用いることができる。 In addition to aromatic dimethylidin compounds, inorganic compounds such as p-type Si and p-type SiC can also be used as the material for the hole injection layer. The organic semiconductor layer is also a part of the hole injection layer, which is a layer that assists hole injection or electron injection into the light emitting layer, and preferably has a conductivity of 10 −10 S / cm or more. It is. As a material for such an organic semiconductor layer, a conductive oligomer such as a thiophene-containing oligomer, an arylamine oligomer disclosed in JP-A-8-193191, a conductive dendrimer such as an arylamine dendrimer, or the like is used. Can do.

正孔注入層は上述した化合物を、例えば真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法等の公知の方法により形成することができる。
正孔注入層としての膜厚は、陽極の成膜時のダメージを回避するために、40nm〜1000nmにすることが好ましい。より好ましくは60〜300nm、さらに好ましくは100〜200nmである。
The hole injection layer can be formed of the above-described compound by a known method such as a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, or an LB method.
The film thickness as the hole injection layer is preferably 40 nm to 1000 nm in order to avoid damage during film formation of the anode. More preferably, it is 60-300 nm, More preferably, it is 100-200 nm.

正孔注入層は上述した材料の一種又は二種以上からなる一層で構成されてもよい。又は、前記正孔注入層とは別種の化合物からなる正孔注入層を積層したものであってもよい。   The hole injection layer may be composed of one or more layers made of the above materials. Alternatively, a hole injection layer made of a compound different from the hole injection layer may be laminated.

(6)電子輸送層
本発明では、陰極と発光層の間に電子輸送層を設けることができる。
電子輸送層は数nm〜数μmの膜厚で適宜選ばれるが、10〜10V/cmの電界印加時に電子移動度が10−5cm/Vs以上であるものが好ましい。
(6) Electron transport layer In this invention, an electron transport layer can be provided between a cathode and a light emitting layer.
The electron transport layer is appropriately selected with a film thickness of several nm to several μm, but preferably has an electron mobility of 10 −5 cm 2 / Vs or more when an electric field of 10 4 to 10 6 V / cm is applied.

電子輸送層に用いられる材料としては、8−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体が好適である。
上記8−ヒドロキシキノリン又はその誘導体の金属錯体の具体例としては、オキシン(一般に8−キノリノール又は8−ヒドロキシキノリン)のキレートを含む金属キレートオキシノイド化合物が挙げられる。
As a material used for the electron transport layer, a metal complex of 8-hydroxyquinoline or a derivative thereof is preferable.
Specific examples of the metal complex of 8-hydroxyquinoline or a derivative thereof include metal chelate oxinoid compounds containing a chelate of oxine (generally 8-quinolinol or 8-hydroxyquinoline).

例えば発光材料の項で記載したAlqを電子注入層として用いることができる。   For example, Alq described in the section of the light emitting material can be used as the electron injection layer.

一方オキサジアゾール誘導体としては、下記の式で表される電子伝達化合物が挙げられる。

Figure 2005251639
(式中、Ar,Ar,Ar,Ar,Ar10,Ar13はそれぞれ置換又は無置換のアリール基を示し、それぞれ互いに同一であっても異なっていてもよい。またAr,Ar11,Ar12は置換又は無置換のアリーレン基を示し、それぞれ同一であっても異なっていてもよい) On the other hand, examples of the oxadiazole derivative include an electron transfer compound represented by the following formula.
Figure 2005251639
(In the formula, Ar 5 , Ar 6 , Ar 7 , Ar 9 , Ar 10 , Ar 13 each represents a substituted or unsubstituted aryl group, and may be the same or different from each other. Ar 8 , Ar 11 and Ar 12 represent a substituted or unsubstituted arylene group, which may be the same or different.

ここでアリール基としてはフェニル基、ビフェニル基、アントラニル基、ペリレニル基、ピレニル基が挙げられる。またアリーレン基としてはフェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、アントラニレン基、ペリレニレン基、ピレニレン基等が挙げられる。また置換基としては炭素数1〜10のアルキル基、炭素数1〜10のアルコキシ基又はシアノ基等が挙げられる。この電子伝達化合物は薄膜形成性のものが好ましい。   Here, examples of the aryl group include a phenyl group, a biphenyl group, an anthranyl group, a perylenyl group, and a pyrenyl group. Examples of the arylene group include a phenylene group, a naphthylene group, a biphenylene group, an anthranylene group, a peryleneylene group, and a pyrenylene group. Examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, and a cyano group. This electron transfer compound is preferably a thin film-forming compound.

上記電子伝達性化合物の具体例としては下記のものを挙げることができる。

Figure 2005251639
Specific examples of the electron transfer compound include the following.
Figure 2005251639

下記式で表される含窒素複素環誘導体

Figure 2005251639
(式中、A〜Aは、窒素原子又は炭素原子である。
Rは、置換基を有していてもよい炭素数6〜60のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数3〜60のヘテロアリール基、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数1〜20のハロアルキル基、炭素数1〜20のアルコキシ基であり、nは0から5の整数であり、nが2以上の整数であるとき、複数のRは互いに同一又は異なっていてもよい。
また、隣接する複数のR基同士で互いに結合して、置換又は未置換の炭素環式脂肪族環、あるいは、置換又は未置換の炭素環式芳香族環を形成していてもよい。
Ar14は、置換基を有していてもよい炭素数6〜60のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数3〜60のヘテロアリール基である。
Ar15は、水素原子、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数1〜20のハロアルキル基、炭素数1〜20のアルコキシ基、置換基を有していてもよい炭素数6〜60のアリール基、置換基を有していてもよい炭素数3〜60のヘテロアリール基である。
ただし、Ar14、Ar15のいずれか一方は置換基を有していてもよい炭素数10〜60の縮合環基、置換基を有していてもよい炭素数3〜60のヘテロ縮合環基である。
、Lは、それぞれ単結合、置換基を有していてもよい炭素数6〜60の縮合環、置換基を有していてもよい炭素数3〜60のヘテロ縮合環又は置換基を有していてもよいフルオレニレン基である。) Nitrogen-containing heterocyclic derivative represented by the following formula
Figure 2005251639
(Wherein, A 1 to A 3 is a nitrogen atom or a carbon atom.
R is an aryl group having 6 to 60 carbon atoms which may have a substituent, a heteroaryl group having 3 to 60 carbon atoms which may have a substituent, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, carbon A haloalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, n is an integer of 0 to 5, and when n is an integer of 2 or more, a plurality of Rs may be the same or different from each other Good.
Further, a plurality of adjacent R groups may be bonded to each other to form a substituted or unsubstituted carbocyclic aliphatic ring or a substituted or unsubstituted carbocyclic aromatic ring.
Ar 14 is an aryl group having 6 to 60 carbon atoms which may have a substituent and a heteroaryl group having 3 to 60 carbon atoms which may have a substituent.
Ar 15 is a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, a haloalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 20 carbon atoms, or an aryl having 6 to 60 carbon atoms which may have a substituent. A heteroaryl group having 3 to 60 carbon atoms which may have a group or a substituent.
However, any one of Ar 14 and Ar 15 may have a substituent, a C10-60 condensed ring group, and a C3-60 heterocondensed ring group, which may have a substituent. It is.
L 1 and L 2 are each a single bond, a condensed ring having 6 to 60 carbon atoms which may have a substituent, a hetero condensed ring having 3 to 60 carbon atoms which may have a substituent, or a substituent. It is a fluorenylene group which may have )

下記式で表される含窒素複素環誘導体
HAr−L−Ar16−Ar17
(式中、HArは、置換基を有していても良い炭素数3〜40の含窒素複素環であり、
は、単結合、置換基を有していてもよい炭素数6〜60のアリーレン基、置換基を有していてもよい炭素数3〜60のヘテロアリーレン基又は置換基を有していてもよいフルオレニレン基であり、
Ar16は、置換基を有していてもよい炭素数6〜60の2価の芳香族炭化水素基であり、
Ar17は、置換基を有していてもよい炭素数6〜60のアリール基又は、
置換基を有していてもよい炭素数3〜60のヘテロアリール基である。)
Nitrogen-containing heterocyclic derivative represented by the following formula HAr-L 3 -Ar 16 -Ar 17
(Wherein HAr is a nitrogen-containing heterocycle having 3 to 40 carbon atoms which may have a substituent,
L 3 has a single bond, an arylene group having 6 to 60 carbon atoms which may have a substituent, a heteroarylene group having 3 to 60 carbon atoms which may have a substituent, or a substituent. A fluorenylene group that may be
Ar 16 is a divalent aromatic hydrocarbon group having 6 to 60 carbon atoms which may have a substituent,
Ar 17 is an aryl group having 6 to 60 carbon atoms which may have a substituent, or
It is a C3-C60 heteroaryl group which may have a substituent. )

特開平第09−087616号公報に示されている、下記式で表されるシラシクロペンタジエン誘導体を用いた電界発光素子

Figure 2005251639
(式中、Q及びQは、それぞれ独立に炭素数1から6までの飽和若しくは不飽和の炭化水素基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アルキニルオキシ基、ヒドロキシ基、置換若しくは無置換のアリール基、置換若しくは無置換のヘテロ環又はQとQが結合して飽和又は不飽和の環を形成した構造であり、R〜Rは、それぞれ独立に水素、ハロゲン、置換もしくは無置換の炭素数1から6までのアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、パーフルオロアルキル基、パーフルオロアルコキシ基、アミノ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アゾ基、アルキルカルボニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、スルフィニル基、スルフォニル基、スルファニル基、シリル基、カルバモイル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケニル基、アルキニル基、ニトロ基、ホルミル基、ニトロソ基、ホルミルオキシ基、イソシアノ基、シアネート基、イソシアネート基、チオシアネート基、イソチオシアネート基もしくはシアノ基又は隣接した場合には置換若しくは無置換の環が縮合した構造である。) An electroluminescent device using a silacyclopentadiene derivative represented by the following formula, as disclosed in JP-A-09-087616
Figure 2005251639
(Wherein Q 1 and Q 2 are each independently a saturated or unsaturated hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, alkoxy group, alkenyloxy group, alkynyloxy group, hydroxy group, substituted or unsubstituted aryl group) A group, a substituted or unsubstituted heterocycle, or a structure in which Q 1 and Q 2 are combined to form a saturated or unsaturated ring, and R 1 to R 4 are each independently hydrogen, halogen, substituted or unsubstituted Alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, alkoxy group, aryloxy group, perfluoroalkyl group, perfluoroalkoxy group, amino group, alkylcarbonyl group, arylcarbonyl group, alkoxycarbonyl group, aryloxycarbonyl group, azo group Alkylcarbonyloxy group, arylcarbonyloxy group, alkoxycarbonyloxy group, Reeloxycarbonyloxy group, sulfinyl group, sulfonyl group, sulfanyl group, silyl group, carbamoyl group, aryl group, heterocyclic group, alkenyl group, alkynyl group, nitro group, formyl group, nitroso group, formyloxy group, isocyano group, (Cyanate group, isocyanate group, thiocyanate group, isothiocyanate group or cyano group, or if adjacent, substituted or unsubstituted ring is condensed.)

特開平第09−194487号公報に示されている下記式で表されるシラシクロペンタジエン誘導体

Figure 2005251639
(式中、Q及びQは、それぞれ独立に炭素数1から6までの飽和もしくは不飽和の炭化水素基、アルコキシ基、アルケニルオキシ基、アルキニルオキシ基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換のヘテロ環又はQとQが結合して飽和もしくは不飽和の環を形成した構造であり、R〜Rは、それぞれ独立に水素、ハロゲン、置換もしくは無置換の炭素数1から6までのアルキル基、アルコキシ基、アリールオキシ基、パーフルオロアルキル基、パーフルオロアルコキシ基、アミノ基、アルキルカルボニル基、アリールカルボニル基、アルコキシカルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アゾ基、アルキルカルボニルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、アルコキシカルボニルオキシ基、アリールオキシカルボニルオキシ基、スルフィニル基、スルフォニル基、スルファニル基、シリル基、カルバモイル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケニル基、アルキニル基、ニトロ基、ホルミル基、ニトロソ基、ホルミルオキシ基、イソシアノ基、シアネート基、イソシアネート基、チオシアネート基、イソチオシアネート基、もしくはシアノ基又は隣接した場合には置換もしくは無置換の環が縮合した構造である(但し、R及びRがフェニル基の場合、Q及びQは、アルキル基及びフェニル基ではなく、R及びRがチエニル基の場合、Q及びQは、一価炭化水素基を、R及びRは、アルキル基、アリール基、アルケニル基又はRとRが結合して環を形成する脂肪族基を同時に満たさない構造であり、R及びRがシリル基の場合、R、R、Q及びQは、それぞれ独立に、炭素数1から6の一価炭化水素基又は水素原子でなく、R及びRでベンゼン環が縮合した構造の場合、Q及びQは、アルキル基及びフェニル基ではない。)) A silacyclopentadiene derivative represented by the following formula disclosed in JP-A No. 09-194487
Figure 2005251639
Wherein Q 3 and Q 4 are each independently a saturated or unsaturated hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxy group, an alkenyloxy group, an alkynyloxy group, a substituted or unsubstituted aryl group, a substituted group Or an unsubstituted heterocyclic ring or a structure in which Q 3 and Q 4 are combined to form a saturated or unsaturated ring, and R 5 to R 8 are independently hydrogen, halogen, substituted or unsubstituted carbon number. 1 to 6 alkyl groups, alkoxy groups, aryloxy groups, perfluoroalkyl groups, perfluoroalkoxy groups, amino groups, alkylcarbonyl groups, arylcarbonyl groups, alkoxycarbonyl groups, aryloxycarbonyl groups, azo groups, alkylcarbonyls Oxy group, arylcarbonyloxy group, alkoxycarbonyloxy group, aryloxy Sicarbonyloxy group, sulfinyl group, sulfonyl group, sulfanyl group, silyl group, carbamoyl group, aryl group, heterocyclic group, alkenyl group, alkynyl group, nitro group, formyl group, nitroso group, formyloxy group, isocyano group, cyanate A group, an isocyanate group, a thiocyanate group, an isothiocyanate group, or a cyano group or, when adjacent, a substituted or unsubstituted ring is condensed (provided that when R 5 and R 8 are phenyl groups, Q 3 and Q 4 is not an alkyl group or a phenyl group, and when R 5 and R 8 are thienyl groups, Q 3 and Q 4 are monovalent hydrocarbon groups, R 6 and R 7 are alkyl groups, aryl groups, alkenyl group, or R 6 and R 7 are bonded to a structure that does not satisfy the aliphatic group simultaneously forming a ring, R 5 and R If is a silyl group, R 6, R 7, Q 3 and Q 4 are each independently, not a monovalent hydrocarbon group or a hydrogen atom from 1 to 6 carbon atoms, a benzene ring is fused with R 5 and R 6 In the structure, Q 3 and Q 4 are not an alkyl group or a phenyl group.))

特再第2000−040586号公報に示されている下記式で表されるボラン誘導体

Figure 2005251639
(式中、R〜R16及びQは、それぞれ独立に、水素原子、飽和もしくは不飽和の炭化水素基、芳香族基、ヘテロ環基、置換アミノ基、置換ボリル基、アルコキシ基又はアリールオキシ基を示し、Q、Q及びQは、それぞれ独立に、飽和もしくは不飽和の炭化水素基、芳香族基、ヘテロ環基、置換アミノ基、アルコキシ基又はアリールオキシ基を示し、QとQの置換基は相互に結合して縮合環を形成してもよく、rは1〜3の整数を示し、rが2以上の場合、Qは異なってもよい。但し、rが1、Q、Q及びR10がメチル基であって、R16が水素原子又は置換ボリル基の場合、及びrが3でQがメチル基の場合を含まない。) A borane derivative represented by the following formula disclosed in Japanese Patent Publication No. 2000-040586
Figure 2005251639
(In the formula, R 9 to R 16 and Q 8 are each independently a hydrogen atom, a saturated or unsaturated hydrocarbon group, an aromatic group, a heterocyclic group, a substituted amino group, a substituted boryl group, an alkoxy group, or aryl. Q 5 , Q 6 and Q 7 each independently represents a saturated or unsaturated hydrocarbon group, aromatic group, heterocyclic group, substituted amino group, alkoxy group or aryloxy group; The substituents of 7 and Q 8 may be bonded to each other to form a condensed ring, and r represents an integer of 1 to 3, and when r is 2 or more, Q 7 may be different, provided that r 1, Q 5 , Q 6 and R 10 are methyl groups, R 16 is a hydrogen atom or a substituted boryl group, and r is 3 and Q 7 is a methyl group.

特開平10−088121に示されている下記式で示される化合物

Figure 2005251639
(式中、Q,Q10は、それぞれ独立に、下記式(3)で示される配位子を表し、Lは、ハロゲン原子、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のシクロアルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、置換もしくは未置換の複素環基、−OR17(R17は水素原子、置換もしくは未置換のアルキル基、置換もしくは未置換のシクロアルキル基、置換もしくは未置換のアリール基、置換もしくは未置換の複素環基である。)又は−O−Ga−Q11(Q12)(Q11及びQ12は、Q及びQ10と同じ意味を表す。)で示される配位子を表す。) A compound represented by the following formula shown in JP-A-10-088121
Figure 2005251639
(In the formula, Q 9 and Q 10 each independently represent a ligand represented by the following formula (3), and L 4 represents a halogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted cyclohexane. An alkyl group, a substituted or unsubstituted aryl group, a substituted or unsubstituted heterocyclic group, —OR 17 (R 17 represents a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, a substituted or unsubstituted cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted group; A substituted aryl group, a substituted or unsubstituted heterocyclic group) or —O—Ga—Q 11 (Q 12 ) (Q 11 and Q 12 represent the same meaning as Q 9 and Q 10 ). Represents the ligand shown.)

Figure 2005251639
(式中、環A及びAは、置換基を有してよい互いに縮合した6員アリール環構造である。)
この金属錯体はn型半導体としての性質が強く、電子注入能力が大きい。さらには、錯体形成時の生成エネルギーも低いために、形成した金属錯体の金属と配位子との結合性も強固になり、発光材料としての蛍光量子効率も大きくなっている。
Figure 2005251639
(Wherein rings A 4 and A 5 are 6-membered aryl ring structures condensed with each other which may have a substituent)
This metal complex has strong properties as an n-type semiconductor and has a large electron injection capability. Furthermore, since the generation energy at the time of complex formation is also low, the bond between the metal of the formed metal complex and the ligand is strengthened, and the fluorescence quantum efficiency as a light emitting material is also increased.

上記式の配位子を形成する環A及びAの置換基の具体的な例を挙げると、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素のハロゲン原子、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、sec−ブチル基、tert−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ステアリル基、トリクロロメチル基等の置換もしくは未置換のアルキル基、フェニル基、ナフチル基、3−メチルフェニル基、3−メトキシフェニル基、3−フルオロフェニル基、3−トリクロロメチルフェニル基、3−トリフルオロメチルフェニル基、3−ニトロフェニル基等の置換もしくは未置換のアリール基、メトキシ基、n−ブトキシ基、tert−ブトキシ基、トリクロロメトキシ基、トリフルオロエトキシ基、ペンタフルオロプロポキシ基、2,2,3,3−テトラフルオロプロポキシ基、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ−2−プロポキシ基、6−(パーフルオロエチル)ヘキシルオキシ基等の置換もしくは未置換のアルコキシ基、フェノキシ基、p−ニトロフェノキシ基、p−tert−ブチルフェノキシ基、3−フルオロフェノキシ基、ペンタフルオロフェニル基、3−トリフルオロメチルフェノキシ基等の置換もしくは未置換のアリールオキシ基、メチルチオ基、エチルチオ基、tert−ブチルチオ基、ヘキシルチオ基、オクチルチオ基、トリフルオロメチルチオ基等の置換もしくは未置換のアルキルチオ基、フェニルチオ基、p−ニトロフェニルチオ基、ptert−ブチルフェニルチオ基、3−フルオロフェニルチオ基、ペンタフルオロフェニルチオ基、3−トリフルオロメチルフェニルチオ基等の置換もしくは未置換のアリールチオ基、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、メチルアミノ基、ジエチルアミノ基、エチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジプロピルアミノ基、ジブチルアミノ基、ジフェニルアミノ基等のモノ又はジ置換アミノ基、ビス(アセトキシメチル)アミノ基、ビス(アセトキシエチル)アミノ基、ビスアセトキシプロピル)アミノ基、ビス(アセトキシブチル)アミノ基等のアシルアミノ基、水酸基、シロキシ基、アシル基、メチルカルバモイル基、ジメチルカルバモイル基、エチルカルバモイル基、ジエチルカルバモイル基、プロイピルカルバモイル基、ブチルカルバモイル基、フェニルカルバモイル基等のカルバモイル基、カルボン酸基、スルフォン酸基、イミド基、シクロペンタン基、シクロヘキシル基等のシクロアルキル基、フェニル基、ナフチル基、ビフェニル基、アントラニル基、フェナントリル基、フルオレニル基、ピレニル基等のアリール基、ピリジニル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、トリアジニル基、インドリニル基、キノリニル基、アクリジニル基、ピロリジニル基、ジオキサニル基、ピペリジニル基、モルフォリジニル基、ピペラジニル基、トリアチニル基、カルバゾリル基、フラニル基、チオフェニル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル基、ベンゾオキサゾリル基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、ベンゾチアゾリル基、トリアゾリル基、イミダゾリル基、ベンゾイミダゾリル基、プラニル基等の複素環基等がある。また、以上の置換基同士が結合してさらなる6員アリール環もしくは複素環を形成しても良い。 Specific examples of the substituents of the rings A 4 and A 5 that form the ligand of the above formula include chlorine, bromine, iodine, halogen atoms of fluorine, methyl group, ethyl group, propyl group, butyl group, substituted or unsubstituted alkyl groups such as sec-butyl group, tert-butyl group, pentyl group, hexyl group, heptyl group, octyl group, stearyl group, trichloromethyl group, phenyl group, naphthyl group, 3-methylphenyl group, 3-methoxyphenyl group, 3-fluorophenyl group, 3-trichloromethylphenyl group, 3-trifluoromethylphenyl group, substituted or unsubstituted aryl group such as 3-nitrophenyl group, methoxy group, n-butoxy group, tert-butoxy group, trichloromethoxy group, trifluoroethoxy group, pentafluoropropoxy group, 2,2,3,3- Substituted or unsubstituted alkoxy groups such as trifluoropropoxy group, 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2-propoxy group, 6- (perfluoroethyl) hexyloxy group, phenoxy group, p- Nitrophenoxy group, p-tert-butylphenoxy group, 3-fluorophenoxy group, pentafluorophenyl group, substituted or unsubstituted aryloxy group such as 3-trifluoromethylphenoxy group, methylthio group, ethylthio group, tert-butylthio Group, hexylthio group, octylthio group, trifluoromethylthio group and other substituted or unsubstituted alkylthio groups, phenylthio group, p-nitrophenylthio group, tert-butylphenylthio group, 3-fluorophenylthio group, pentafluorophenylthio group Group, 3-trifluoromethyl Monophenyls such as substituted or unsubstituted arylthio groups such as ruphenylthio groups, cyano groups, nitro groups, amino groups, methylamino groups, diethylamino groups, ethylamino groups, diethylamino groups, dipropylamino groups, dibutylamino groups, diphenylamino groups, etc. Or an acylamino group such as a di-substituted amino group, bis (acetoxymethyl) amino group, bis (acetoxyethyl) amino group, bisacetoxypropyl) amino group, bis (acetoxybutyl) amino group, hydroxyl group, siloxy group, acyl group, methyl Carbamoyl group, dimethylcarbamoyl group, ethylcarbamoyl group, diethylcarbamoyl group, propylcarbamoyl group, butylcarbamoyl group, phenylcarbamoyl group, etc.carbamoyl group, carboxylic acid group, sulfonic acid group, imide group, cyclopentane group, Cycloalkyl group such as hexyl group, phenyl group, naphthyl group, biphenyl group, anthranyl group, aryl group such as phenanthryl group, fluorenyl group, pyrenyl group, pyridinyl group, pyrazinyl group, pyrimidinyl group, pyridazinyl group, triazinyl group, indolinyl group , Quinolinyl group, acridinyl group, pyrrolidinyl group, dioxanyl group, piperidinyl group, morpholidinyl group, piperazinyl group, triatinyl group, carbazolyl group, furanyl group, thiophenyl group, oxazolyl group, oxadiazolyl group, benzooxazolyl group, thiazolyl group And heterocyclic groups such as thiadiazolyl group, benzothiazolyl group, triazolyl group, imidazolyl group, benzoimidazolyl group, and pranyl group. Moreover, the above substituents may combine to form a further 6-membered aryl ring or heterocyclic ring.

(7)電子注入層
本発明においては陰極と電子注入層の間又は陰極と発光層の間に絶縁体や半導体からなる電子注入層を設けることができる。このような電子注入層を設けることで、電流のリークを有効に防止して、電子注入性の向上が図られる。
絶縁体としては、アルカリ金属カルコゲナイド、アルカリ土類金属カルコゲナイド、アルカリ金属のハロゲン化物及びアルカリ土類金属のハロゲン化物、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化バナジウム等の金属化合物を単独又は組み合わせて使用するのが好ましい。これらの金属化合物の中でもアルカリ金属カルコゲナイドやアルカリ土類金属のカルコゲナイドが電子注入性の点で好ましい。好ましいアルカリ金属カルコゲナイドとしては、LiO、LiO、NaS、NaSe及びNaOが挙げられる。好ましいアルカリ土類金属カルコゲナイドとしては、CaO、BaO、SrO、BeO、BaS、及びCaSeが挙げられる。アルカリ金属のハロゲン化物としては、LiF、NaF、KF、LiCl、KCl及びNaCl等を挙げることができる。アルカリ土類金属のハロゲン化物としては、CaF 、BaF、SrF、MgF及びBeF等のフッ化物や、フッ化物以外のハロゲン化物が挙げられる。
(7) Electron Injection Layer In the present invention, an electron injection layer made of an insulator or a semiconductor can be provided between the cathode and the electron injection layer or between the cathode and the light emitting layer. By providing such an electron injection layer, current leakage is effectively prevented, and the electron injection property is improved.
As the insulator, alkali metal chalcogenide, alkaline earth metal chalcogenide, alkali metal halide and alkaline earth metal halide, aluminum oxide, aluminum nitride, titanium oxide, silicon oxide, germanium oxide, silicon nitride, boron nitride, It is preferable to use metal compounds such as molybdenum oxide, ruthenium oxide and vanadium oxide alone or in combination. Among these metal compounds, alkali metal chalcogenides and alkaline earth metal chalcogenides are preferable from the viewpoint of electron injection. Preferred alkali metal chalcogenides include Li 2 O, LiO, Na 2 S, Na 2 Se, and NaO. Preferred alkaline earth metal chalcogenides include CaO, BaO, SrO, BeO, BaS, and CaSe. Examples of the alkali metal halide include LiF, NaF, KF, LiCl, KCl, and NaCl. Examples of the alkaline earth metal halide include fluorides such as CaF 2 , BaF 2 , SrF 2 , MgF 2 and BeF 2 , and halides other than fluorides.

電子輸送層を構成する半導体としては、Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Li、Na、Cd、Mg、Si、Ta、Sb及びZnからなる群から選ばれる少なくとも一つの元素を含む酸化物、窒化物又は酸化窒化物等の一種単独又は二種以上の組み合わせが挙げられる。   As a semiconductor constituting the electron transport layer, at least one element selected from the group consisting of Ba, Ca, Sr, Yb, Al, Ga, In, Li, Na, Cd, Mg, Si, Ta, Sb, and Zn is used. One kind or a combination of two or more kinds of oxides, nitrides, oxynitrides and the like are included.

電子注入層は、微結晶又は非晶質であることが好ましい。均質な薄膜が形成されるために、ダークスポット等の画素欠陥を減少させることができるからである。
尚、2種以上の電子注入層を積層して使用してもよい。
The electron injection layer is preferably microcrystalline or amorphous. This is because a uniform thin film is formed, so that pixel defects such as dark spots can be reduced.
Two or more kinds of electron injection layers may be laminated and used.

(8)還元性ドーパント
本発明では、電子を輸送する領域又は陰極と有機層の界面領域に、還元性ドーパントを含有させることができる。還元性ドーパントとは、電子輸送性化合物を還元ができる物質をいう。従って、還元性を有するものであれば、様々なものが用いることができる。例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、アルカリ金属の酸化物、アルカリ金属のハロゲン化物、アルカリ土類金属の酸化物、アルカリ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物又は希土類金属のハロゲン化物、アルカリ金属の有機錯体、アルカリ土類金属の有機錯体、希土類金属の有機錯体等を好適に使用することができる。
好ましい還元性ドーパントとしては、Na(仕事関数:2.36eV)、K(仕事関数:2.28eV)、Rb(仕事関数:2.16eV)及びCs(仕事関数:1.95eV)等のアルカリ金属や、Ca(仕事関数:2.9eV)、Sr(仕事関数:2.0〜2.5eV)、及びBa(仕事関数:2.52eV)等のルカリ土類金属が挙げられる。これらのなかで、K、Rb及びCsが好く、より好ましくは、Rb又はCsであり、さらに好ましのは、Csである。尚、これら2種以上のアルカリ金属の組合わせも好ましく、Csを含んだ組み合わせ、例えば、CsとNa、CsとK、CsとRbあるいはCsとNaとKとの組み合わせは特に好ましい。
(8) Reducing dopant In this invention, a reducing dopant can be contained in the area | region which conveys an electron, or the interface area | region of a cathode and an organic layer. A reducing dopant refers to a substance that can reduce an electron transporting compound. Accordingly, various materials can be used as long as they have reducibility. For example, alkali metal, alkaline earth metal, rare earth metal, alkali metal oxide, alkali metal halide, alkaline earth metal oxide, alkaline earth metal halide, rare earth metal oxide or rare earth metal A halide, an alkali metal organic complex, an alkaline earth metal organic complex, a rare earth metal organic complex, or the like can be preferably used.
Preferred reducing dopants include alkali metals such as Na (work function: 2.36 eV), K (work function: 2.28 eV), Rb (work function: 2.16 eV) and Cs (work function: 1.95 eV). And Lucari earth metals such as Ca (work function: 2.9 eV), Sr (work function: 2.0 to 2.5 eV), and Ba (work function: 2.52 eV). Among these, K, Rb, and Cs are preferable, Rb or Cs is more preferable, and Cs is more preferable. A combination of two or more alkali metals is also preferable, and a combination including Cs, for example, a combination of Cs and Na, Cs and K, Cs and Rb, or Cs, Na, and K is particularly preferable.

(9)陰極
陰極としては仕事関数の小さい(4eV以下)金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましい。具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム・銀合金、アルミニウム/酸化アルミニウム、アルミニウム・リチウム合金、インジウム、希土類金属等が挙げられる。
(9) Cathode The cathode preferably uses a metal, an alloy, an electrically conductive compound and a mixture thereof having a low work function (4 eV or less) as an electrode material. Specific examples include sodium, sodium-potassium alloy, magnesium, lithium, magnesium / silver alloy, aluminum / aluminum oxide, aluminum / lithium alloy, indium, rare earth metal, and the like.

この陰極はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。
発光層からの発光を陰極側から取り出す場合には、陰極の発光に対する透過率は10%より大きくすることが好ましい。より好ましくは、30%以上、さらに好ましくは50%以上である。
The cathode can be produced by forming a thin film of these electrode materials by a method such as vapor deposition or sputtering.
In the case where light emitted from the light emitting layer is taken out from the cathode side, it is preferable that the transmittance of the cathode for light emission is greater than 10%. More preferably, it is 30% or more, and further preferably 50% or more.

陰極シート抵抗は1000Ω/□以下が好ましい。より好ましくは。800Ω/□、さらに好ましくは、600Ω/□である
膜厚は特に制限はないが、10nm〜1μmが好ましく、より好ましくは50〜200nmである。
尚、陽極側から発光を取りだす場合には、陰極を反射電極にすることが好ましい。
The cathode sheet resistance is preferably 1000Ω / □ or less. More preferably. 800Ω / □, more preferably 600Ω / □ The film thickness is not particularly limited, but is preferably 10 nm to 1 μm, more preferably 50 to 200 nm.
In addition, when taking out light emission from the anode side, it is preferable to make a cathode into a reflective electrode.

(10)金属酸化物
正孔注入層に対する金属酸化物の添加量は0.01〜50atm%であることが好ましい。より好ましくは、0.05〜30atm%、さらに好ましくは、0.1〜10atm%である。
(10) Metal oxide The amount of metal oxide added to the hole injection layer is preferably 0.01 to 50 atm%. More preferably, it is 0.05-30 atm%, More preferably, it is 0.1-10 atm%.

金属酸化物は、長期周期律表3〜13族の金属元素の酸化物が好ましい。これらの中でも酸化モリブデン、酸化バナジウム、酸化ハフニウム、酸化イットリウム、酸化亜鉛、酸化アルミニウムが好適である。   The metal oxide is preferably an oxide of a metal element belonging to Groups 3 to 13 of the long-term periodic table. Among these, molybdenum oxide, vanadium oxide, hafnium oxide, yttrium oxide, zinc oxide, and aluminum oxide are preferable.

金属酸化物を含む正孔注入層を形成する方法としては、有機EL素子作製に用いられるような公知の方法を用いることができる。例えば、蒸着、スピンコート、スパッタリング、インクジェット等がある。
蒸着法により形成する場合は、三酸化モリブデンや五酸化バナジウム等が好適に用いられる。
As a method for forming a hole injection layer containing a metal oxide, a known method such as that used for manufacturing an organic EL element can be used. For example, there are vapor deposition, spin coating, sputtering, ink jet and the like.
In the case of forming by vapor deposition, molybdenum trioxide, vanadium pentoxide, or the like is preferably used.

(11)絶縁層
有機ELは超薄膜に電界を印可するために、リークやショートによる画素欠陥が生じやすい。これを防止するために、陰極と有機物層の間に絶縁性の薄膜層を挿入することが好ましい。
(11) Insulating layer Since an organic EL applies an electric field to an ultra-thin film, pixel defects are likely to occur due to leakage or short circuit. In order to prevent this, it is preferable to insert an insulating thin film layer between the cathode and the organic layer.

絶縁層に用いられる材料としては例えば酸化アルミニウム、弗化リチウム、酸化リチウム、弗化セシウム、酸化セシウム、酸化マグネシウム、弗化マグネシウム、酸化カルシウム、弗化カルシウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、酸化珪素、酸化ゲルマニウム、窒化珪素、窒化ホウ素、酸化モリブデン、酸化ルテニウム、酸化バナジウム等が挙げられる。
これらの混合物や積層物を用いてもよい。
Examples of materials used for the insulating layer include aluminum oxide, lithium fluoride, lithium oxide, cesium fluoride, cesium oxide, magnesium oxide, magnesium fluoride, calcium oxide, calcium fluoride, aluminum nitride, titanium oxide, silicon oxide, and oxide. Examples include germanium, silicon nitride, boron nitride, molybdenum oxide, ruthenium oxide, and vanadium oxide.
A mixture or laminate of these may be used.

(12)保護層
保護層は陽極を形成する際に、有機層を保護するために形成する。
通常は光の透過率が大きい、Ag,Au等の金属やそれらの合金が用いられる。これら以外にも上記目的を達成するために、半導体や絶緑体を用いても良い。
(12) Protective layer The protective layer is formed to protect the organic layer when forming the anode.
Usually, metals such as Ag and Au, and alloys thereof having a high light transmittance are used. In addition to these, in order to achieve the above object, a semiconductor or an green body may be used.

具体的には、絶緑層で例示した材料や、金属酸化物で例示した材料が好適の用いられる。半導体の例としては、CdSe,CdS,ZnS,ZnSeが挙げられる。
保護層はこれら材料を単体で用いても、またこれらを混合して用いても良い。またこれら材料に、他の用途で用いられる材料を混合して用いても良い。
保護層は光の透過率を上げるために、通常数nm〜数十nmの膜厚で形成するが、特に好ましくは1〜10nmである。
Specifically, materials exemplified for the green layer and materials exemplified for the metal oxide are preferably used. Examples of the semiconductor include CdSe, CdS, ZnS, and ZnSe.
For the protective layer, these materials may be used alone or in combination. These materials may be mixed with materials used for other purposes.
The protective layer is usually formed with a film thickness of several nanometers to several tens of nanometers in order to increase the light transmittance, but it is particularly preferably 1 to 10 nm.

(13)有機EL素子の作製例
基板上に陰極/電子輸送層/発光層/正孔注入層/陽極が順次設けられた構成の有機EL素子の作製例をあげる。
基板上に陰極材料からなる薄膜を1μm以下、好ましくは10〜200nmの範囲の膜厚になるように蒸着やスパッタリング等の方法により形成して陰極を作製する。次にこの陰極上に電子輸送層を設ける。電子輸送層の形成は、に真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、LB法等の方法等により行うことができるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法により電子輸送層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物(電子輸送層の材料)、目的とする電子輸送層の結晶構造や再結合構造等により異なるが、一般に蒸着源温度50〜450℃、真空度10−7〜10−3torr、蒸着速度0.01〜50nm/秒、基板温度−50〜300℃、膜厚5nm〜5μmの範囲で適宜選択することが好ましい。
(13) Production Example of Organic EL Element A production example of an organic EL element having a structure in which a cathode / electron transport layer / light emitting layer / hole injection layer / anode are sequentially provided on a substrate will be given.
A thin film made of a cathode material is formed on a substrate by a method such as vapor deposition or sputtering so as to have a film thickness of 1 μm or less, preferably in the range of 10 to 200 nm, to produce a cathode. Next, an electron transport layer is provided on the cathode. The electron transport layer can be formed by methods such as vacuum deposition, spin coating, casting, and LB, but it is easy to obtain a uniform film and pinholes are not easily generated. It is preferable to form by vacuum evaporation. When an electron transport layer is formed by a vacuum deposition method, the deposition conditions vary depending on the compound used (material of the electron transport layer), the crystal structure and recombination structure of the target electron transport layer, etc., but generally the deposition source temperature is 50. It is preferable to select as appropriate in a range of ˜450 ° C., a degree of vacuum of 10 −7 to 10 −3 torr, a deposition rate of 0.01 to 50 nm / second, a substrate temperature of −50 to 300 ° C., and a film thickness of 5 nm to 5 μm.

次に電子輸送層上に発光層を設ける発光層の形成も、所望の有機発光材料を用いて真空蒸着法、スパッタリング、スピンコート法、キャスト法等の方法により有機発光材料を薄膜化することにより形成できるが、均質な膜が得られやすく、かつピンホールが発生しにくい等の点から真空蒸着法により形成することが好ましい。真空蒸着法により発光層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物により異なるが、一般的に電子輸送層と同じような条件範囲の中から選択することができる。   Next, the light-emitting layer is formed on the electron transport layer by forming the organic light-emitting material into a thin film by a method such as vacuum deposition, sputtering, spin coating, or casting using a desired organic light-emitting material. Although it can be formed, it is preferably formed by a vacuum deposition method from the viewpoint that a homogeneous film is easily obtained and pinholes are hardly generated. When the light emitting layer is formed by the vacuum vapor deposition method, the vapor deposition condition varies depending on the compound used, but can be generally selected from the same condition range as that of the electron transport layer.

次にこの発光層上に正孔注入層を設ける。電子輸送層、発光層と同様、均質な膜を得る必要から真空蒸着法により形成することが好ましい。蒸着条件は電子輸送層、発光層と同様の条件範囲から選択することができる。   Next, a hole injection layer is provided on the light emitting layer. As with the electron transport layer and the light emitting layer, it is preferable to form by a vacuum evaporation method because it is necessary to obtain a homogeneous film. The vapor deposition conditions can be selected from the same condition ranges as those for the electron transport layer and the light emitting layer.

この正孔注入材料の上に保護層を数nm〜数十nm形成する。この保護層は様々な方法で成膜できるが、具体的には真空蒸着、スパッタリング、電子ビーム蒸着等である。真空蒸着法により保護層を形成する場合、その蒸着条件は使用する化合物(正孔注入層の材料)、目的とする保護層の結晶構造や再結合構造等により異なるが、一般に蒸着源温度500〜1000℃、真空度10−7〜10−3torr、蒸着速度0.01〜50nm/秒、基板温度−50〜300℃、膜厚1nm〜20nmの範囲で適宜選択することが好ましい。
最後に陽極を積層して有機EL素子を得ることができる。
A protective layer is formed from several nm to several tens of nm on the hole injection material. This protective layer can be formed by various methods, and specifically, vacuum deposition, sputtering, electron beam deposition, and the like. When a protective layer is formed by vacuum vapor deposition, the vapor deposition conditions vary depending on the compound used (the material of the hole injection layer), the crystal structure and recombination structure of the target protective layer, etc. It is preferable to select appropriately at 1000 ° C., a degree of vacuum of 10 −7 to 10 −3 torr, a deposition rate of 0.01 to 50 nm / second, a substrate temperature of −50 to 300 ° C., and a film thickness of 1 nm to 20 nm.
Finally, an anode can be laminated to obtain an organic EL element.

陽極は金属から構成されるもので、蒸着法、スパッタリングを用いることができる。しかし下地の有機物層を製膜時の損傷から守るためには真空蒸着法が好ましい。   The anode is made of metal, and vapor deposition or sputtering can be used. However, vacuum deposition is preferred to protect the underlying organic layer from damage during film formation.

これまで記載してきた有機EL素子の作製は一回の真空引きで一貫して陰極から陽極まで作製することが好ましい。   The organic EL elements described so far are preferably produced from the cathode to the anode consistently by a single evacuation.

尚、本発明の有機EL素子の各層の形成方法は特に限定されない。従来公知の真空蒸着法、スピンコーティング法等による形成方法を用いることができる。本発明の有機EL素子に用いる、有機薄膜層は、真空蒸着法、分子線蒸着法(MBE法)あるいは溶媒に解かした溶液のディッピング法、スピンコーティング法、キャスティング法、バーコート法、ロールコート法等の塗布法による公知の方法で形成することができる。   In addition, the formation method of each layer of the organic EL element of this invention is not specifically limited. Conventionally known methods such as vacuum deposition and spin coating can be used. The organic thin film layer used in the organic EL device of the present invention can be formed by vacuum deposition, molecular beam deposition (MBE) or solvent dipping method, spin coating method, casting method, bar coating method, roll coating method. It can be formed by a known method such as a coating method.

本発明の有機EL素子の各有機層の膜厚は特に制限されないが、一般に膜厚が薄すぎるとピンホール等の欠陥が生じやすく、逆に厚すぎると高い印加電圧が必要となり効率が悪くなるため、通常は数nmから1μmの範囲が好ましい。   The film thickness of each organic layer of the organic EL device of the present invention is not particularly limited. Generally, if the film thickness is too thin, defects such as pinholes are likely to occur. Conversely, if it is too thick, a high applied voltage is required and the efficiency is deteriorated. Therefore, the range of several nm to 1 μm is usually preferable.

実施例1
25mm×75mm×1.1mm厚のガラス基板(ジオマティック社製)をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を5分間行なった後、UVオゾン洗浄を30分間行なった。
Example 1
A glass substrate (manufactured by Geomatic) having a thickness of 25 mm × 75 mm × 1.1 mm was subjected to ultrasonic cleaning in isopropyl alcohol for 5 minutes, and then UV ozone cleaning was performed for 30 minutes.

洗浄後のガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、真空蒸着装置内に入れ、金属Alを150nm蒸着し、金属陰極を形成した。
次にこの陰極上に、電子注入層としてLiFを1nm蒸着した。
次に膜厚20nmのAlqを蒸着し成膜した。これは、電子輸送層として機能する。
The glass substrate after washing was mounted on a substrate holder of a vacuum vapor deposition apparatus, placed in the vacuum vapor deposition apparatus, and metal Al was deposited to a thickness of 150 nm to form a metal cathode.
Next, 1 nm of LiF was deposited on the cathode as an electron injection layer.
Next, Alq having a thickness of 20 nm was deposited to form a film. This functions as an electron transport layer.

次にこの電子輸送層上に膜厚40nmの下記のH1を蒸着し成膜した。同時に発光分子として、下記のドーパントD1を共蒸着した。蒸着比はH1:D1=重量比40:2で蒸着した。この膜は、発光層として機能する。   Next, the following H1 having a film thickness of 40 nm was deposited on the electron transport layer to form a film. At the same time, the following dopant D1 was co-deposited as a luminescent molecule. The evaporation ratio was H1: D1 = weight ratio 40: 2. This film functions as a light emitting layer.

次にこの発光層上に膜厚20nmのN,N,N’,N’−テトラ(4−ビフェニル)−ジアミノビフェニレン層(以下「TBDB層」)を成膜した。この膜は正孔輸送層として機能する。   Next, an N, N, N ′, N′-tetra (4-biphenyl) -diaminobiphenylene layer (hereinafter referred to as “TBDB layer”) having a thickness of 20 nm was formed on the light emitting layer. This film functions as a hole transport layer.

さらにこの正孔輸送層上にTBDBと三酸化モリブデンを共蒸着した。蒸着の比率はTBDB60nmに対し、三酸化モリブデンを蒸着した層が3nm成膜される蒸着速度比率で成膜した。膜の厚みは60nmであった。この膜は正孔注入層として機能する。   Further, TBDB and molybdenum trioxide were co-deposited on the hole transport layer. The deposition ratio was such that the layer deposited with molybdenum trioxide was deposited at a deposition rate ratio of 3 nm with respect to TBDB 60 nm. The thickness of the film was 60 nm. This film functions as a hole injection layer.

次にこの正孔注入層上に、三酸化モリブテンを抵抗加熱ボートを用いて加熱し、5nm膜を製膜した。この膜は保護層に該当する。
最後にIZOを室温でスパッタリングすることにより、保護膜上に150nm蒸着し、透明陽極を形成し有機EL発光素子を形成した。
Next, molybdenum trioxide was heated on the hole injection layer using a resistance heating boat to form a 5 nm film. This film corresponds to a protective layer.
Finally, IZO was sputtered at room temperature to deposit 150 nm on the protective film to form a transparent anode to form an organic EL light emitting device.

この有機EL素子に10mA/cm流すときに必要な電圧と、初期輝度1,000nitからの半減寿命を表に示す。 The table shows the voltage required to flow 10 mA / cm 2 through this organic EL element and the half life from an initial luminance of 1,000 nit.

Figure 2005251639
Figure 2005251639

実施例2
実施例1で保護層を形成せず、正孔注入層の厚みを120nmにした以外は全く同様にして有機EL素子を作製した。
この有機EL素子に10mA/cm流すときに必要な電圧と、初期輝度1,000nitからの半減寿命を表に示す。
Example 2
An organic EL device was produced in exactly the same manner as in Example 1 except that the protective layer was not formed and the thickness of the hole injection layer was 120 nm.
The table shows the voltage required to flow 10 mA / cm 2 through this organic EL element and the half life from an initial luminance of 1,000 nit.

比較例1
実施例1で正孔注入層の金属酸化物を共蒸着しなかった以外は全く同様にして有機EL素子を作製した。
この有機EL素子に10mA/cm流すときに必要な電圧と、初期輝度1,000nitからの半減寿命を表に示す。
Comparative Example 1
An organic EL device was prepared in exactly the same manner as in Example 1 except that the metal oxide of the hole injection layer was not co-evaporated.
The table shows the voltage required to flow 10 mA / cm 2 through this organic EL element and the half life from an initial luminance of 1,000 nit.

Figure 2005251639
Figure 2005251639

本発明の有機EL素子及び有機EL表示装置は、民生用及び工業用のディスプレイ、具体的には、携帯電話、PDA、カーナビ、モニター、TV等に使用できる。   The organic EL element and the organic EL display device of the present invention can be used for consumer and industrial displays, specifically, mobile phones, PDAs, car navigation systems, monitors, TVs and the like.

本発明の有機EL素子の実施形態を示す図であるIt is a figure which shows embodiment of the organic EL element of this invention.

符号の説明Explanation of symbols

1 有機EL素子
2 基板
3 陰極
4 発光層
5 正孔注入層
6 陽極
7 保護層
8 電子注入層
9 絶縁層
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Organic EL element 2 Board | substrate 3 Cathode 4 Light emitting layer 5 Hole injection layer 6 Anode 7 Protective layer 8 Electron injection layer 9 Insulating layer

Claims (14)

基板上に、少なくとも陰極、発光層、正孔注入層、及び陽極をこの順に積層し、
前記正孔注入層が金属酸化物を含む有機EL素子。
On the substrate, at least a cathode, a light emitting layer, a hole injection layer, and an anode are laminated in this order,
An organic EL device in which the hole injection layer contains a metal oxide.
前記正孔注入層の厚みが40〜1000nmである請求項1に記載の有機EL素子。   The organic EL element according to claim 1, wherein the hole injection layer has a thickness of 40 to 1000 nm. 前記陽極が透明電極であり、前記陰極が反射電極である請求項1又は請求項2に記載の有機EL素子。   The organic EL element according to claim 1, wherein the anode is a transparent electrode and the cathode is a reflective electrode. 前記金属酸化物が、長期周期表3〜13属の金属の酸化物である請求項1〜3のいずれか1項に記載の有機EL素子。   The organic EL device according to any one of claims 1 to 3, wherein the metal oxide is an oxide of a metal belonging to Group 3 to 13 in the long-term periodic table. 前記金属酸化物が、酸化モリブテン、酸化バナジウム、酸化ハフニウム、酸化イットリウム、酸化亜鉛、酸化アルミニウムからなる群から選択される1種又は2種以上の金属酸化物である請求項1〜4のいずれか1項に記載の有機EL素子。   The metal oxide is one or more metal oxides selected from the group consisting of molybdenum oxide, vanadium oxide, hafnium oxide, yttrium oxide, zinc oxide, and aluminum oxide. 2. The organic EL device according to item 1. 前記正孔注入層に金属酸化物が0.01〜50atm%含まれる請求項1〜5のいずれか1項に記載の有機EL素子。   The organic EL element according to claim 1, wherein the hole injection layer contains 0.01 to 50 atm% of a metal oxide. 前記正孔注入層と前記陽極の間に、保護層が設けられている請求項1〜6のいずれか1項に記載の有機EL素子。   The organic EL element according to claim 1, wherein a protective layer is provided between the hole injection layer and the anode. 前記保護層が、金属である請求項7に記載の有機EL素子。   The organic EL element according to claim 7, wherein the protective layer is a metal. 前記保護層が、Ag、Au、又はこれらの合金である請求項7に記載の有機EL素子。   The organic EL element according to claim 7, wherein the protective layer is Ag, Au, or an alloy thereof. 前記保護層が、半導体である請求項7に記載の有機EL素子。   The organic EL element according to claim 7, wherein the protective layer is a semiconductor. 前記保護層が、絶縁体である請求項7に記載の有機EL素子。   The organic EL element according to claim 7, wherein the protective layer is an insulator. 前記陰極と前記発光層の間に、絶縁層が設けられている請求項1〜11のいずれか1項に記載の有機EL素子。   The organic EL element according to claim 1, wherein an insulating layer is provided between the cathode and the light emitting layer. 前記陰極と前記発光層の間、又は前記絶縁層と前記発光層の間に、電子輸送層が設けられている請求項1〜12のいずれか1項に記載の有機EL素子。   The organic EL element according to any one of claims 1 to 12, wherein an electron transport layer is provided between the cathode and the light emitting layer, or between the insulating layer and the light emitting layer. 請求項1〜13のいずれか1項に記載の有機EL素子を含んで構成される有機EL表示装置。   The organic electroluminescence display comprised including the organic electroluminescent element of any one of Claims 1-13.
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