JP2005249546A - ウエハ表面の金属元素の分析方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 ウエハの表面に高濃度HF溶液を滴下する(S101)。滴下した高濃度HF溶液により、ウエハ表面の自然酸化膜を溶解させるとともに、ウエハの表面近傍に存在する金属元素またはその化合物をウエハから離脱させ、高濃度HF溶液中に存在させる(S102)。高濃度HF溶液が集合した液滴をウエハ表面の所定の位置に回収する(S103)。回収した高濃度HF溶液の液滴を乾燥させる(S104)。この凝集物にX線を全反射する角度で照射し、放射X線を検知することにより、全反射蛍光X線分析を行う(S105)。
【選択図】 図1
Description
(i)Ti、FeおよびIn
(ii)Ce、Zr、Hf、Y、La、Ru、Pt、Ir、Rh、Pd、およびOs
本実施形態に係る分析方法では、ステップ101〜ステップ102において、20重量%以上の高濃度HF溶液105を自然酸化膜103の形成されたシリコン基板101の表面に滴下する。高濃度HF溶液105を液体として自然酸化膜103上に配置するため、自然酸化膜103を確実に溶解させつつ、自然酸化膜103の上部や自然酸化膜103中に存在する金属元素をウエハから離脱させ、高濃度HF溶液105中に存在させることができる。金属元素またはその化合物は、高濃度HF溶液105に溶解している必要はなく、高濃度HF溶液105中に存在していればよい。このため、従来の方法では測定が困難であった金属元素についても測定が可能となる。たとえば、ウエハ表面の重金属汚染の分析等に好適に用いられる。この効果は、高濃度HF溶液105中のHF濃度が40重量%以上であるときに顕著に発揮される。
(a)Fe、Ti等の第一遷移金属やIn等の金属元素、
(b)Ce等の金属元素、
(c)長周期律周期表第8〜10族に属するRu、Rh、Pd、Os、IrおよびPtのいわゆる白金族元素やZr、Hf、Y、La等の元素。
本実施例では、ウエハ上に滴下したRuを種々のエッチング液を用いて回収し、その回収率をTXRF分析により評価した。既知量のRuを含む溶液を清浄なシリコンウエハの中央に滴下し、乾燥させたものを対照試料とした(試料1)。また、既知量のRuを含む溶液を清浄なシリコンウエハ上にまだらに滴下し、乾燥させた後、30〜50重量%のHF水溶液をウエハ上に滴下して、Ruをウエハの中央付近に回収し、乾燥させた(試料2)。試料2において、30〜50重量%のHF水溶液の代わりに50重量%のHF水溶液の蒸気をウエハ表面に散布してエッチングした後、純水をウエハ表面に滴下し、ウエハの中央付近に凝集させ、その後乾燥させた(試料3)。また、試料3において、純水に代えて王水をウエハ表面に滴下し、ウエハの中央付近に凝集させた後、蒸発乾燥させた(試料4)。これらの試料について、TXRF分析を行い、得られたRu量がウエハ表面に滴下したRu量に占める割合を回収率(%)として求めた。
本実施例では、実施例1に記載の方法を用いてウエハ上に滴下したCeの回収を行った。そして、回収率を回収方法および分析方法により比較した。既知量のCeを含む溶液を滴下し、乾燥させた後、30〜50重量%のHF水溶液をウエハ上に滴下して、Ceをウエハの中央付近に回収し、乾燥させた。得られた乾燥物のTXRF分析を行った(試料5)。また、試料5において、ウエハの中央付近に回収したHF水溶液のICPMS分析を行った(試料6)。また、試料5において、50重量%のHF水溶液の蒸気をウエハ表面に散布してエッチングした後、純水をウエハ表面に滴下し、ウエハの中央付近に凝集させた後乾燥し、TXRF分析を行った(試料7)。
本比較例では、IPCMS法を用いてTiとFeの同時分析を行った。既知量のFeおよびTiをウエハ上に滴下し、回収方法の異なる以下の分析用試料を作製した。
試料7:50重量%のHF水溶液の蒸気をウエハ表面に散布してエッチングした後、純水をウエハ表面に滴下し、ウエハの中央付近に凝集させて回収した、
試料8:50重量%のHF水溶液の蒸気をウエハ表面に散布してエッチングした後、1〜5重量%のHFおよびH2O2の水溶液をウエハ表面に滴下し、ウエハの中央付近に凝集させて回収した。
103 自然酸化膜
105 高濃度HF溶液
107 回収棒
109 凝集物
Claims (8)
- 表面に酸化膜が形成された半導体ウエハ上に、フッ化水素酸の濃度が20重量%以上である液体を滴下し、前記酸化膜を溶解させつつ、前記半導体ウエハ中の金属元素を前記液体中に取り込むステップと、
前記金属元素を取り込んだ前記液体を前記半導体ウエハ上で集合させるステップと、
液体を集合させる前記ステップで集合させた前記液体を乾燥させて、前記半導体ウエハ上に前記金属元素の凝集物を得るステップと、
前記半導体ウエハ上にX線を全反射する角度で入射し、前記半導体ウエハからの蛍光X線を検出して、前記金属元素の分析を行うステップと、
を含むことを特徴とする分析方法。 - 請求項1に記載の分析方法において、前記半導体ウエハがシリコンウエハであることを特徴とする分析方法。
- 請求項1または2に記載の分析方法において、前記金属元素が、Ti、Fe、In、Ce、Zr、Hf、Y、La、Ru、Pt、Ir、Rh、Pd、およびOsからなる群から選択される1または2以上の元素を含むことを特徴とする分析方法。
- 請求項1乃至3いずれかに記載の分析方法において、金属元素の分析を行う前記ステップは、下記群(i)に含まれる少なくとも一種の元素および群(ii)に含まれる少なくとも一種の元素を同時に分析することを特徴とする分析方法。
(i)Ti、FeおよびIn
(ii)Ce、Zr、Hf、Y、La、Ru、Pt、Ir、Rh、Pd、およびOs - 請求項1乃至4いずれかに記載の分析方法において、前記液体中の前記フッ化水素酸の濃度が40重量%以上であることを特徴とする分析方法。
- 請求項1乃至5いずれかに記載の分析方法において、金属元素の凝集物を得る前記ステップは、金属元素の分析を行う前記ステップにおいて前記半導体ウエハの表面に照射される前記X線のスポット内に包含される前記凝集物を得るステップを含むことを特徴とする分析方法。
- 請求項1乃至6いずれかに記載の分析方法において、前記金属元素は、前記半導体ウエハの表面に付着した金属不純物に含有される金属元素であることを特徴とする分析方法。
- 請求項7に記載の分析方法において、前記金属不純物が前記液体に溶解しない成分を含むことを特徴とする分析方法。
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