JP2005244162A - Substrate processing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
この発明は、半導体ウエハや液晶表示装置用のガラス基板(以下、単に基板と称する)等の基板に対して処理液を貯留している処理槽に浸漬することにより基板に処理を行う基板処理装置に関する。 The present invention relates to a substrate processing apparatus for processing a substrate by immersing it in a processing tank storing a processing liquid with respect to a substrate such as a semiconductor wafer or a glass substrate for a liquid crystal display device (hereinafter simply referred to as a substrate). About.
従来、この種の装置として、処理液を貯留している処理槽の底部に、複数枚の基板の整列方向に沿って配設された、球状を呈する複数個のバブラを備えたものがある(例えば、特許文献1参照)。 Conventionally, as this type of apparatus, there is one provided with a plurality of spherical bubblers disposed along the alignment direction of a plurality of substrates at the bottom of a processing tank storing a processing solution ( For example, see Patent Document 1).
ここで図6を参照する。なお、この図6は、従来装置の概略構成を示す側面図である。 Reference is now made to FIG. In addition, this FIG. 6 is a side view which shows schematic structure of a conventional apparatus.
この装置における複数個のバブラ101は、処理槽102の底部に設けられ、基板Wの整列方向(図6中の左右方向)にて互いに一定間隔を隔てて配備されている。また、複数枚の基板Wは、昇降自在の背板103と、この背板103の下部から水平に延出された支持部材105によって起立姿勢で保持される。これらの位置関係は、複数個のバブラ101から放出され、上方に向かって拡がってゆく気泡によって全ての基板Wが包み込まれるように決められている。
The plurality of
このような装置による具体的な処理としては、洗浄処理、エッチング処理、剥離処理、パーティクル除去、金属除去等が挙げられる。より詳細には、例えば、処理液として硫酸を用い、120〜130℃以上の高温に熱する。そして、気体としてオゾンガスを注入し、そこへ基板を浸漬する。このとき硫酸とオゾンにより合成されたペルオキソ2硫酸等の酸化性の強い物質により、基板Wの表面のレジスト膜といった不要な薄膜が溶解または剥離される。
しかしながら、このような構成を有する従来例の場合には、次のような問題がある。 However, the conventional example having such a configuration has the following problems.
すなわち、従来の装置は、複数の基板Wの整列方向において両端部(図6中の領域aと領域b)に位置する基板Wに対する処理が、中央部付近に位置するその他の基板Wに比較して遅くなり、全ての基板Wに対して均一に処理を施すことが困難であるという問題がある。 That is, in the conventional apparatus, the processing for the substrates W located at both ends (region a and region b in FIG. 6) in the alignment direction of the plurality of substrates W is compared with other substrates W located near the central portion. There is a problem that it is difficult to uniformly process all the substrates W.
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、気体の供給を工夫することにより、複数の基板に均一に処理を行うことができる基板処理装置を提供することを目的とする。 The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of uniformly processing a plurality of substrates by devising the supply of gas. .
本発明者等は、上記の問題を解決するために鋭意研究した結果、次のような知見を得た。 As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have obtained the following knowledge.
ここで図7を参照する。なお、図7は、従来装置における不具合発生の状態を示す模式図である。この図7中に二点鎖線矢印で示すように、処理槽102を側面から観察すると、各バブラ101から発生して上昇する気泡が渦を形成する。これにより、複数枚の基板Wの整列方向において両端部(図7中の領域aと領域b)に位置する基板Wに対しては気泡が触れにくくなっていることが判明した。また、このような現象は、特に気体の流量を高めた場合に顕著に生じていることも判った。このような知見に基づく本発明は、次のように構成されている。
Reference is now made to FIG. FIG. 7 is a schematic diagram showing a state of occurrence of a problem in the conventional apparatus. As indicated by a two-dot chain line arrow in FIG. 7, when the
すなわち、請求項1に記載の発明は、基板に処理を行う基板処理装置において、処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽内において一方向に整列された複数の基板を保持する保持部と、基板の整列方向に沿って設けられ、前記処理槽内の処理液に気体を発生し、複数の基板に気体を供給する複数のバブラと、前記基板の整列方向の両端部にあたる前記バブラと前記処理槽との二箇所の間のうちいずれか一方に設けられ、前記処理槽内の処理液に気体を供給する気体供給部と、を備えたことを特徴とするものである。
That is, the invention according to
[作用・効果]請求項1に記載の発明によれば、気体供給部から気体を供給することにより、各バブラからの気泡とは別に気泡を発生させる。この気泡により、各バブラから発生された気泡による渦の発生を防止し、各バブラの気泡を上方へと向かわせることができる。したがって、複数の基板の整列方向における両端部にも気泡が均等に触れることになり、複数の基板に対して処理を均一に施すことができる。
[Operation / Effect] According to the invention described in
また、各発明において、前記気体供給部は、前記バブラよりも気体の流量が大きいことが好ましい(請求項2)。バブラの気体流量よりも大流量で気体供給部から気体を供給することにより、各バブラから発生された気泡による渦の発生を短時間で防止し、各バブラの気泡をより短時間で上方へと向かわせることができる。 Moreover, in each invention, it is preferable that the said gas supply part has a larger gas flow volume than the said bubbler (Claim 2). By supplying the gas from the gas supply unit at a flow rate larger than the gas flow rate of the bubbler, the generation of vortices due to the bubbles generated from each bubbler can be prevented in a short time, and the bubbles in each bubbler can be moved upward in a shorter time. Can be directed.
請求項3に記載の発明は、基板に処理を行う基板処理装置において、処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽内において一方向に整列された複数の基板を保持する保持部と、基板の整列方向に沿って設けられ、前記処理槽内の処理液に気体を発生し、複数の基板に気体を供給する複数のバブラと、前記基板の整列方向の両端部にあたる前記バブラと前記処理槽との二箇所の間のうちの一方に設けられ、前記処理槽内の処理液に気体を供給する第1気体供給部と、前記二箇所の間のうちの他方に設けられ、前記処理槽内の処理液に気体を供給する第2気体供給部と、を備えたことを特徴とするものである。 According to a third aspect of the present invention, in a substrate processing apparatus for processing a substrate, a processing tank for storing a processing liquid, a holding unit for holding a plurality of substrates aligned in one direction in the processing tank, and a substrate A plurality of bubblers that are provided along the alignment direction and generate gas in the processing liquid in the processing tank and supply the gases to the plurality of substrates, the bubblers that correspond to both ends of the alignment direction of the substrates, and the processing tank The first gas supply unit that supplies gas to the processing liquid in the processing tank, and the other of the two positions, provided in one of the two places, and in the processing tank And a second gas supply unit for supplying gas to the treatment liquid.
[作用・効果]請求項3に記載の発明によれば、一方側の第1気体供給部の気体及び他方側の第2気体供給部からの気体の相乗効果により、複数のバブラから上方へ向かう気泡の流れをより確実に形成でき、各バブラから発生された気泡による渦の発生を阻害し、各バブラの気泡をより円滑に上方へと向かわせることができる。したがって、複数の基板の整列方向における両端部にも気泡がより均等に触れることになり、複数の基板に対して均一な処理を行える。
[Operation / Effect] According to the invention described in
さらに、各発明において、前記第1気体供給部及び前記第2気体供給部は、前記バブラよりも気体の流量が大きいことが好ましい(請求項4)。バブラの気体流量よりも大流量で第1気体供給部及び第2気体供給部から気体を供給することにより、第1気体供給部からの気体及び第2気体供給部からの気体の相乗効果もあって、各バブラから発生された気泡による渦の発生を短時間で防止し、各バブラの気泡をより短時間で上方へと向かわせることができる。 Furthermore, in each invention, it is preferable that the first gas supply unit and the second gas supply unit have a gas flow rate larger than that of the bubbler. By supplying gas from the first gas supply unit and the second gas supply unit at a flow rate larger than the gas flow rate of the bubbler, there is also a synergistic effect of the gas from the first gas supply unit and the gas from the second gas supply unit. Thus, the generation of vortices due to the bubbles generated from each bubbler can be prevented in a short time, and the bubbles in each bubbler can be directed upward in a shorter time.
また、各発明において、前記処理槽内の位置と前記処理槽の上方位置との間で昇降可能で、前記処理槽の内側壁に沿った背板と、前記背板の下部から水平方向に延出され、複数の基板を起立姿勢で支持する支持部材と、を備えていることが好ましい(請求項5)。昇降可能な背板と支持部材を備えることにより、複数の基板を処理槽の内部と外部とにわたって効率的に移動させることができる。 Moreover, in each invention, it can move up and down between the position in the said processing tank and the upper position of the said processing tank, and it extends in the horizontal direction from the backplate along the inner wall of the said processing tank, and the lower part of the said backplate. And a support member that supports the plurality of substrates in an upright posture (claim 5). By providing the back plate and the support member that can be moved up and down, the plurality of substrates can be efficiently moved between the inside and the outside of the processing tank.
また、請求項6に記載の発明は、基板に処理を行う基板処理装置において、処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽内において一方向に整列された複数の基板を保持する保持部と、基板の整列方向に沿って設けられ、前記処理槽内の処理液に気体を発生し、複数の基板に気体を供給する複数のバブラと、基板の整列方向の両端部にあたる前記バブラと前記処理槽の二箇所の間隔のうち、いずれか一方側には、前記バブラからの気泡により発生する渦を阻害するための処理液の流れを生じさせる液流発生部と、を備えていることを特徴とするものである。 According to a sixth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus for processing a substrate, a processing tank that stores a processing liquid, and a holding unit that holds a plurality of substrates aligned in one direction in the processing tank. A plurality of bubblers that are provided along the substrate alignment direction, generate gas in the processing liquid in the processing tank, and supply the gases to the plurality of substrates; the bubblers that correspond to both ends of the substrate alignment direction; and the processing A liquid flow generation part for generating a flow of a processing liquid for inhibiting a vortex generated by bubbles from the bubbler is provided on either side of the interval between the two locations of the tank. It is what.
[作用・効果]請求項6に記載の発明によれば、液流発生部が渦を阻害する処理液の流れを生じさせるので、各バブラの気泡を上方へと向かわせることができる。したがって、複数の基板の整列方向における両端部にも気泡が均等に触れることになり、複数の基板に対して処理を均一に行うことができる。 [Operation / Effect] According to the invention described in claim 6, since the liquid flow generating section generates a flow of the processing liquid that inhibits the vortex, the bubbles of each bubbler can be directed upward. Therefore, the air bubbles uniformly touch both end portions in the alignment direction of the plurality of substrates, and the processing can be uniformly performed on the plurality of substrates.
また、請求項7に記載の発明は、基板に処理を行う基板処理装置において、処理液を貯留する処理槽と、前記処理槽内において一方向に整列された複数の基板を保持する保持部と、基板の整列方向に沿って設けられ、前記処理槽内の処理液に気体を発生し、複数の基板に気体を供給する複数のバブラと、基板の整列方向の両端部にあたる前記バブラと前記処理槽との二箇所の間のうちの一方に設けられ、前記処理槽内の処理液に液流を発生する第1液流発生部と、前記二箇所の間のうちの他方に設けられ、前記処理槽内の処理液内に液流を発生する第2液流発生部と、を備えたことを特徴とするものである。
The invention described in
[作用・効果]請求項7に記載の発明によれば、両液流発生部からの液流の相乗効果もあって、より効果的に気泡の渦を防止することができる。
[Operation / Effect] According to the invention described in
本発明に係る基板処理装置によれば、気体供給部から気体を供給することにより、各バブラからの気泡とは別に気泡を発生させることができるので、各バブラから発生された気泡による渦の発生を防止し、各バブラの気泡を上方へと向かわせることができる。したがって、複数の基板の整列方向における両端部にも気泡が均等に触れることになり、複数の基板に対して処理を均一に施すことが可能となる。 According to the substrate processing apparatus of the present invention, by supplying the gas from the gas supply unit, it is possible to generate bubbles separately from the bubbles from each bubbler, so that the generation of vortices due to the bubbles generated from each bubbler And the bubbles of each bubbler can be directed upward. Therefore, the air bubbles uniformly touch both end portions in the alignment direction of the plurality of substrates, and the processing can be uniformly performed on the plurality of substrates.
以下、図面を参照して本発明の実施例1を説明する。
図1は、実施例1に係る基板処理装置の概略構成を示す平面図であり、図2は、実施例1に係る基板処理装置の概略構成を示す側面図である。 FIG. 1 is a plan view illustrating a schematic configuration of the substrate processing apparatus according to the first embodiment. FIG. 2 is a side view illustrating the schematic configuration of the substrate processing apparatus according to the first embodiment.
この基板処理装置は、処理液を貯留するための処理槽1を備えている。処理液としては、例えば、硫酸(H2SO4)が挙げられる。その底部付近には、内部に気体を供給するためのバブラ3を備えている。ここでいう気体としては、オゾンが例示される。なお、処理槽1は、底部付近に図示しない処理液供給のための注入管と、処理槽1から溢れた処理液を回収する回収槽とを備えている。
The substrate processing apparatus includes a
バブラ3は、両端バブラ5と、この両端バブラ5によって間に挟まれた中央バブラ7とを備えている。これらは、例えば、硫酸等の処理液に耐性を有する石英ガラスで構成されている。両端バブラ5は、主管9と、主管9の外周面に設けられたバブラ本体11と、主管9の基端部側(図1の間隔B側及び図2の右側)に連通接続された供給配管13と、二本の主管9を互いの先端部側(図1の間隔A側及び図2の左側)で連通接続する連通管15とを備えている。バブラ本体11は、外形が球状を呈し、連続気泡の多孔質材料で構成されている。なお、バブラ本体11は、外形が棒状等で構成されて球状以外のものであってもよい。
The
供給配管13には、図示しない気体供給源が連通接続されている。気体供給源から供給された気体は、この供給配管13を介して両端バブラ5の主管9に送り込まれ、バブラ本体11から処理槽1内に供給される。
A gas supply source (not shown) is connected to the
中央バブラ7は、両端バブラ5よりも低い位置に設けられている(図2参照)。これは基板Wが円形状を呈する場合に合わせて構成されているためであり、外形が円形状でなく角形である場合には同一高さに設けてもよい。
The
この中央バブラ7は、上記両端バブラ5と同様に、気体を処理槽1に放出するためのものである。中央バブラ7は、主管17と、この主管17の外周面に設けられたバブラ本体11と、主管17の基端部側(図1の間隔A側及び図2の右側)に連通接続された供給配管21と、二本の主管17を互いの先端部側(図1の間隔A側及び図2の左側)で連通接続する連通管23とを備えている。主管17は、両端バブラ5の主管9よりも若干長さ寸法が短く形成されている。供給配管21は、両端バブラ5と同様に、図示しない気体供給源に連通接続されている。
This
バブラ3における各バブラ本体11は、後述するリフター25によって処理位置に基板Wが移動された場合に、全ての基板Wがバブラ3からの気泡によって覆われる位置に配設されている(図2中に点線で示す)。なお、複数個のバブラ本体11が本発明における複数個のバブラに相当するものである。
Each
図2に示すように、処理槽1には、リフター25によって複数の基板Wが搬入出される。なお、図1では、他の構成を見やすくするためにリフター25については省略している。このリフター25は、処理槽1の左側側壁に沿って設けられた背板27と、この背板27の下部から水平方向に延出された支持部材29とを備えている。背板27は、処理槽1の内部にあたる処理位置と、処理槽1の上方待機位置とにわたって昇降可能である。支持部材29は、例えば、薄板状を呈し、図示省略しているが、その上部に複数の切り込みが形成されている。この切り込みにより、各基板Wの周縁部が当接支持され、基板Wが起立姿勢で支持される。
As shown in FIG. 2, a plurality of substrates W are carried into and out of the
バブラ3と処理槽1の底面との間には、チューブバブラ31が配設されている。このチューブバブラ31は、バブラ3と同様に、処理液に耐性を備えた材料で構成されている。また、図2に示すように、高さ方向においては、中央バブラ7の下部に沿って取り付けられている。平面視では、図1に示すように、主管9の外側付近と、その連通管15と中央バブラ7の連通管23との間と、主管17の外側付近と、主管17の基端部と連通管21との間とを通るように配設されている。ここではその左側を第1辺33と称し、その右側を第2辺35と称し、チューブバブラ31の両端部を供給口37と称する。
A
第1辺33と第2辺35は、その上部に複数個の噴出口39が形成されている。これらの噴出口39の各穴径は、例えば、0.5mm程度である。第1辺33は、リフター25が処理位置にある際に、バブラ3に備えられたバブラ本体11と処理槽1の側壁との二カ所の間隔A,Bのうちの間隔A側に位置し、第2辺35は、間隔B側に位置している。これらの第1辺33と第2辺35からは、図2中に二点鎖線で示すように気泡が発生する。
The
なお、上記第1辺33が本発明における第1気体供給部に相当し、上記第2辺35が本発明における第2気体供給部に相当する。
The
上記のように構成された装置では、例えば、次のようにして複数枚の基板Wに対して処理が施される。 In the apparatus configured as described above, for example, processing is performed on a plurality of substrates W as follows.
まず、処理液を処理槽1に貯留し、バブラ3の供給配管13,21に第1の流量で気体を供給し、チューブバブラ31の供給口37に第1の流量より大なる第2の流量で気体を供給して処理槽1内に気泡を発生させる。そして、待機位置にあるリフター25に複数枚の基板Wを移載するとともに、リフター25を処理位置に下降させ、所定時間だけ保持する。これにより複数枚の基板Wに対しては処理液による処理が施されるとともに、バブラ3からの気泡による相乗効果によって所定の処理が施される。その際には、チューブバブラ31の第1辺33と第2辺35の両部から勢いよく気泡が発生されているので、これらの相乗効果もあってバブラ3からの気泡が渦を発生するのを効率的に防止することができ、バブラ3からの気泡を上方へと向かわせることができる。したがって、バブラ3からの気泡が全ての基板Wに対してより均等に触れることになり、両端に位置する基板Wであっても処理ムラが生じることを防止して、全ての基板Wに対してより均等に処理を施すことができる。
First, the processing liquid is stored in the
また、従来構成にチューブバブラ31を追加するだけの簡単な構成であるので、基板処理装置を製造し易いという利点もある。さらに、渦が発生しないので、処理液中のパーティクルが処理槽1内に捕らわれることなく円滑に処理液の流れに乗って排出され、パーティクルの置換性が高くなって清浄度高く基板Wを処理することができる。
Moreover, since it is a simple structure which only adds the
なお、上記の説明のように、バブラ3の気体流量よりも大流量でチューブバブラ31に気体を供給するのが好ましいが、両者を同程度の流量としたり、チューブバブラ31の流量を小さくしたりしてもよい。また、第1辺33と第2辺35の複数の噴出口39を第1辺33と第2辺35のそれぞれの側部(側面)、下部(下面)に形成してもよい。
As described above, it is preferable to supply the gas to the
ここで上述した実施例の変形例について説明する。 Here, a modification of the above-described embodiment will be described.
<第1の変形例>
図3を参照する。なお、この図3は、第1の変形例を示す平面図である。
<First Modification>
Please refer to FIG. FIG. 3 is a plan view showing a first modification.
この変形例では、処理槽1がチューブバブラ31Aを備えている。チューブバブラ31Aは、平面視外形がほぼ鉤状を呈し、間隔A側だけに設けられている。換言すると、このチューブバブラ31Aは第1辺33のみを備えている。
In this modification, the
このような構成であっても、上述した実施例1と同様に、バブラ3からの気泡に渦が生じることを防止することができる。したがって、上記実施例1とほぼ同等の効果を奏することができる上、チューブバブラ31Aのコストを抑制することができる。
Even with such a configuration, vortices can be prevented from occurring in the bubbles from the
<第2の変形例>
図4を参照する。なお、この図4は、第2の変形例を示す平面図である。
<Second Modification>
Please refer to FIG. FIG. 4 is a plan view showing a second modification.
この変形例では、処理槽1がチューブバブラ31Bを備えている。チューブバブラ31Bは、平面視外形が棒状を呈し、間隔B側だけに設けられている。つまり、このチューブバブラ31Bは、第2辺35のみを備えている。
In this modification, the
この構成であっても、上記実施例1と同様に、バブラ3からの気泡に渦が生じることを防止できる。したがって、上記実施例1とほぼ同等の効果を奏することができる上、チューブバブラ31Bのコストを抑制できる。
Even with this configuration, vortices can be prevented from occurring in the bubbles from the
次に、図面を参照してこの発明の実施例2を説明する。 Next, Embodiment 2 of the present invention will be described with reference to the drawings.
図5は、実施例2に係る基板処理装置の概略構成を示す側面図である。 FIG. 5 is a side view illustrating a schematic configuration of the substrate processing apparatus according to the second embodiment.
上記実施例1及びその変形例は、バブラ3とは別に気泡を発生させることによりバブラ3の気泡による渦の発生を防止する構成であった。本実施例2は、それらとは相違し、処理液の流れを積極的に形成することによって、バブラ3の気泡による処理槽1内の渦の発生を防止するものである。
The first embodiment and the modification thereof are configured to prevent generation of vortices due to bubbles in the
処理槽1は、第1液流発生ノズル41と、第2液流発生ノズル43とを備えている。第1液流発生ノズル41は、間隔A側にあたる処理槽1の側壁に取り付けられ、その上面の噴出口41aから処理液を上方に向けて噴出する(図5中の二点鎖線)。また、第2の液流発生ノズル43は、間隔B側にあたる処理槽1の側壁に取り付けられ、その上面の噴出口43aから処理液を上方に向けて噴出する。これらの第1液流発生ノズル41と第2液流発生ノズル43から噴出される処理液は、処理槽1からオーバーフローしたものを循環供給させることが好ましい。これは、処理槽1での処理液の消費量を低減するためと、異なる液温の処理液を供給することによる処理への悪影響を防止するためである。また、液流は、バブラ3からの気泡によって発生する渦を阻害して、その発生を防止することができる程度に設定しておく。
The
なお、上記第1液流発生ノズル41が第1液流発生部に相当し、上記第2液流発生ノズル43が第2液流発生部に相当する。
The first liquid flow generation nozzle 41 corresponds to a first liquid flow generation unit, and the second liquid
上述した構成によると、渦を阻害する処理液の流れを生じさせるので、バブラ3の気泡を上方へと向かわせることができる。したがって、複数の基板Wの整列方向における両端部にも気泡が均等に触れることになり、複数の基板Wに対して処理を均一に施すことができる。
According to the configuration described above, the flow of the processing liquid that inhibits the vortex is generated, so that the bubbles of the
なお、この実施例2においても、上述した実施例1と同様に、間隔A側または間隔B側のいずれか一方側だけに液流を発生させるノズルを配設する構成としてもよい。 In the second embodiment, similarly to the first embodiment described above, a nozzle for generating a liquid flow may be provided only on either the interval A side or the interval B side.
W … 基板
1 … 処理槽
3 … バブラ
5 … 両端バブラ
7 … 中央バブラ
11 … バブラ本体
25 … リフター
27 … 背板
29 … 支持部材
31 … チューブバブラ
33 … 第1辺(第1気体供給部)
35 … 第2辺(第2気体供給部)
W ...
35 ... 2nd side (2nd gas supply part)
Claims (7)
処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽内において一方向に整列された複数の基板を保持する保持部と、
基板の整列方向に沿って設けられ、前記処理槽内の処理液に気体を発生し、複数の基板に気体を供給する複数のバブラと、
前記基板の整列方向の両端部にあたる前記バブラと前記処理槽との二箇所の間のうちいずれか一方に設けられ、前記処理槽内の処理液に気体を供給する気体供給部と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。 In a substrate processing apparatus for processing a substrate,
A treatment tank for storing the treatment liquid;
A holding unit for holding a plurality of substrates aligned in one direction in the processing tank;
A plurality of bubblers that are provided along the alignment direction of the substrates, generate a gas in the processing liquid in the processing tank, and supply the gases to the plurality of substrates;
A gas supply unit that is provided at any one of the two locations of the bubbler and the processing tank corresponding to both ends in the alignment direction of the substrate, and supplies gas to the processing liquid in the processing tank;
A substrate processing apparatus comprising:
前記気体供給部は、前記バブラよりも気体の流量が大きいことを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 1,
The substrate processing apparatus, wherein the gas supply unit has a larger gas flow rate than the bubbler.
処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽内において一方向に整列された複数の基板を保持する保持部と、
基板の整列方向に沿って設けられ、前記処理槽内の処理液に気体を発生し、複数の基板に気体を供給する複数のバブラと、
前記基板の整列方向の両端部にあたる前記バブラと前記処理槽との二箇所の間のうちの一方に設けられ、前記処理槽内の処理液に気体を供給する第1気体供給部と、
前記二箇所の間のうちの他方に設けられ、前記処理槽内の処理液に気体を供給する第2気体供給部と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。 In a substrate processing apparatus for processing a substrate,
A treatment tank for storing the treatment liquid;
A holding unit for holding a plurality of substrates aligned in one direction in the processing tank;
A plurality of bubblers that are provided along the alignment direction of the substrates, generate a gas in the processing liquid in the processing tank, and supply the gases to the plurality of substrates;
A first gas supply unit that is provided at one of the two locations of the bubbler and the processing tank corresponding to both ends in the alignment direction of the substrate, and supplies gas to the processing liquid in the processing tank;
A second gas supply unit that is provided on the other of the two locations and supplies gas to the processing liquid in the processing tank;
A substrate processing apparatus comprising:
前記第1の気体供給部及び前記第2の気体供給部は、前記バブラよりも気体の流量が大きいことを特徴とする基板処理装置。 The substrate processing apparatus according to claim 3,
The substrate processing apparatus, wherein the first gas supply unit and the second gas supply unit have a larger gas flow rate than the bubbler.
前記保持部は、前記処理槽内の位置と前記処理槽の上方位置との間で昇降可能であって、前記処理槽の内壁に沿った背板と、前記背板の下部から水平方向に延出され、複数の基板を起立姿勢で支持する支持部材と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。 In the substrate processing apparatus according to claim 1,
The holding portion can be moved up and down between a position in the processing tank and an upper position of the processing tank, and extends horizontally from a back plate along the inner wall of the processing tank and a lower portion of the back plate. A support member that is placed and supports a plurality of substrates in a standing posture;
A substrate processing apparatus comprising:
処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽内において一方向に整列された複数の基板を保持する保持部と、
基板の整列方向に沿って設けられ、前記処理槽内の処理液に気体を発生し、複数の基板に気体を供給する複数のバブラと、
基板の整列方向の両端部にあたる前記バブラと前記処理槽の二箇所の間隔のうち、いずれか一方側には、前記バブラからの気泡により発生する渦を阻害するための処理液の流れを生じさせる液流発生部と、
を備えていることを特徴とする基板処理装置。 In a substrate processing apparatus for processing a substrate,
A treatment tank for storing the treatment liquid;
A holding unit for holding a plurality of substrates aligned in one direction in the processing tank;
A plurality of bubblers that are provided along the alignment direction of the substrates, generate a gas in the processing liquid in the processing tank, and supply the gases to the plurality of substrates;
A flow of a processing solution for inhibiting vortices generated by bubbles from the bubbler is generated on either side of the interval between the bubbler and the processing tank corresponding to both ends in the substrate alignment direction. A liquid flow generator,
A substrate processing apparatus comprising:
処理液を貯留する処理槽と、
前記処理槽内において一方向に整列された複数の基板を保持する保持部と、
基板の整列方向に沿って設けられ、前記処理槽内の処理液に気体を発生し、複数の基板に気体を供給する複数のバブラと、
基板の整列方向の両端部にあたる前記バブラと前記処理槽との二箇所の間のうちの一方に設けられ、前記処理槽内の処理液に液流を発生する第1液流発生部と、
前記二箇所の間のうちの他方に設けられ、前記処理槽内の処理液内に液流を発生する第2液流発生部と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。
In a substrate processing apparatus for processing a substrate,
A treatment tank for storing the treatment liquid;
A holding unit for holding a plurality of substrates aligned in one direction in the processing tank;
A plurality of bubblers that are provided along the alignment direction of the substrates, generate a gas in the processing liquid in the processing tank, and supply the gases to the plurality of substrates;
A first liquid flow generation unit that is provided in one of the two locations between the bubbler and the processing tank corresponding to both ends in the alignment direction of the substrate, and generates a liquid flow in the processing liquid in the processing tank;
A second liquid flow generating section that is provided on the other of the two locations and generates a liquid flow in the processing liquid in the processing tank;
A substrate processing apparatus comprising:
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004275497A JP4338612B2 (en) | 2004-01-30 | 2004-09-22 | Substrate processing equipment |
US11/043,823 US7243911B2 (en) | 2004-01-27 | 2005-01-26 | Substrate treating apparatus |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004023762 | 2004-01-30 | ||
JP2004275497A JP4338612B2 (en) | 2004-01-30 | 2004-09-22 | Substrate processing equipment |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005244162A true JP2005244162A (en) | 2005-09-08 |
JP4338612B2 JP4338612B2 (en) | 2009-10-07 |
Family
ID=35025533
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004275497A Active JP4338612B2 (en) | 2004-01-27 | 2004-09-22 | Substrate processing equipment |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4338612B2 (en) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009007183A (en) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Nishiyama Stainless Chem Kk | Chemical polishing apparatus and glass substrate polished thereby |
WO2021131671A1 (en) * | 2019-12-26 | 2021-07-01 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing apparatus |
WO2023162355A1 (en) * | 2022-02-22 | 2023-08-31 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate treatment method and substrate treatment device |
JP7461269B2 (en) | 2020-10-09 | 2024-04-03 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate Processing Equipment |
JP7515335B2 (en) | 2019-12-26 | 2024-07-12 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate Processing Equipment |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7116694B2 (en) | 2019-02-21 | 2022-08-10 | キオクシア株式会社 | Substrate processing equipment |
-
2004
- 2004-09-22 JP JP2004275497A patent/JP4338612B2/en active Active
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009007183A (en) * | 2007-06-26 | 2009-01-15 | Nishiyama Stainless Chem Kk | Chemical polishing apparatus and glass substrate polished thereby |
WO2021131671A1 (en) * | 2019-12-26 | 2021-07-01 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate processing apparatus |
KR20220103163A (en) * | 2019-12-26 | 2022-07-21 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | substrate processing equipment |
TWI781496B (en) * | 2019-12-26 | 2022-10-21 | 日商斯庫林集團股份有限公司 | Substrate processing apparatus |
KR102671541B1 (en) * | 2019-12-26 | 2024-05-31 | 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 | substrate processing device |
JP7515335B2 (en) | 2019-12-26 | 2024-07-12 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate Processing Equipment |
JP7461269B2 (en) | 2020-10-09 | 2024-04-03 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate Processing Equipment |
WO2023162355A1 (en) * | 2022-02-22 | 2023-08-31 | 株式会社Screenホールディングス | Substrate treatment method and substrate treatment device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4338612B2 (en) | 2009-10-07 |
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