JP2005236277A - 半導体集積回路 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】本発明の半導体集積回路は、半導体基板表面の、活性素子が形成される活性素子形成領域上に一部を重ねて配置され、ボンディング領域とプロービング領域とを有する接続パッドを備えている。接続パッドと活性素子形成領域との間には、少なくとも1つの配線層のそれぞれに設けられた、半導体集積回路の論理機能に寄与しないダミーパターンからなる補強構造が形成されている。プロービング領域の下の補強構造は、ボンディング領域の下の補強構造を形成するために利用されている複数の配線層の内、少なくとも1つの配線層を除いた配線層を利用して形成されている。
【選択図】図1
Description
前記接続パッドと前記活性素子形成領域との間には、複数の配線層が設けられており、
前記接続パッドは、いずれも前記活性素子形成領域上に、ワイヤボンディングを行うためのボンディング領域と、プロービングを行うためのプロービング領域とを有し、
前記プロービング領域と前記活性素子形成領域との間において、第1の補強構造が形成されており、
前記ボンディング領域と前記活性素子形成領域との間において、前記複数の配線層の2つ以上を利用して、第2の補強構造が形成されており、
前記第1の補強構造は、前記2つ以上の配線層の内、少なくとも最下層の1つの配線層を除いた配線層を利用して形成されており、該少なくとも1つの配線層が、前記半導体集積回路の論理機能を得るために必要な回路配線を形成するために利用可能であることを特徴とする半導体集積回路を提供するものである。
前記接続パッドと前記活性素子形成領域との間には、複数の配線層が設けられており、
前記接続パッドは、いずれも前記活性素子形成領域上に、ワイヤボンディングを行うためのボンディング領域と、プロービングを行うためのプロービング領域とを有し、
前記ボンディング領域と前記活性素子形成領域との間においては、前記半導体集積回路の論理機能を得るために必要な回路配線が、前記複数の配線層の少なくとも1つを利用して形成されるとともに、第1の補強構造が、該少なくとも1つの配線層よりも上に形成されており、
前記プロービング領域と前記活性素子形成領域との間においては、前記回路配線が、前記少なくとも1つの配線層に加えて、該少なくとも1つの配線層より上層の、他の配線層を利用して形成されるとともに、第2の補強構造が、該他の配線層よりも上に形成されていることを特徴とする半導体集積回路を提供するものである。
前記接続パッドと前記活性素子形成領域との間には、複数の配線層が設けられており、
前記接続パッドは、いずれも前記活性素子形成領域上に、ワイヤボンディングを行うためのボンディング領域と、プロービングを行うためのプロービング領域とを有し、
前記プロービング領域と前記活性素子形成領域との間において、前記複数の配線層の内の一部によってもたらされる配線資源が、第1の補強構造を形成するために消費され、該一部の配線層より下層の他の配線層によってもたらされる配線資源は、前記半導体集積回路の機能を得るために必要な回路配線を形成するために利用可能であり、
前記ボンディング領域と前記活性素子形成領域との間において、前記一部の配線層に加えて、前記他の配線層の少なくとも1つによってもたらされる配線資源が、第2の補強構造を形成するために消費されていることを特徴とする半導体集積回路を提供するものである。
以上、本発明の半導体集積回路について詳細に説明したが、本発明は上記実施形態に限定されず、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々の改良や変更をしてもよいのはもちろんである。
12 シリコン基板
13 シリコン基板の端部
14 層間絶縁膜
16 配線層
18 保護膜
20 活性素子形成領域
21 外部領域
22 素子分離領域
23 活性素子
24 ゲート電極
25 活性領域
26 ソースドレイン領域
28 サイドウオールスペーサ
30 接続パッド
32 プロービング領域
34 ボンディング領域
35 層間接続領域
36 補強構造
38 配線
40 層間接続コンタクト
42 接続針
44 ワイヤ
Claims (11)
- 半導体基板表面の、活性素子が形成される活性素子形成領域上に、少なくとも一部を重ねて配置された接続パッドを有する半導体集積回路であって、
前記接続パッドと前記活性素子形成領域との間には、複数の配線層が設けられており、
前記接続パッドは、いずれも前記活性素子形成領域上に、ワイヤボンディングを行うためのボンディング領域と、プロービングを行うためのプロービング領域とを有し、
前記プロービング領域と前記活性素子形成領域との間において、第1の補強構造が形成されており、
前記ボンディング領域と前記活性素子形成領域との間において、前記複数の配線層の2つ以上を利用して、第2の補強構造が形成されており、
前記第1の補強構造は、前記2つ以上の配線層の内、少なくとも最下層の1つの配線層を除いた配線層を利用して形成されており、該少なくとも1つの配線層が、前記半導体集積回路の論理機能を得るために必要な回路配線を形成するために利用可能であることを特徴とする半導体集積回路。 - 前記プロービング領域と前記活性素子形成領域との間において、前記少なくとも1つの配線層を利用して、前記回路配線が形成されていることを特徴とする請求項1記載の半導体集積回路。
- 前記第1の補強構造は、前記プロービング領域へのプロービング時の、該プロービング領域下の前記活性素子形成領域に形成された活性素子の損傷を防止するものであり、前記第2の補強構造は、前記ボンディング領域へのワイヤボンディング時の、該ボンディング領域下の前記活性素子形成領域に形成された活性素子の損傷を防止するものであることを特徴とする請求項1または2記載の半導体集積回路。
- 前記第1および第2の補強構造が、前記2つ以上の配線層に設けられた、前記半導体集積回路の論理機能に寄与しないダミーパターンからなることを特徴とする請求項1ないし3のいずれかに記載の半導体集積回路。
- 半導体基板表面の、活性素子が形成される活性素子形成領域上に、少なくとも一部を重ねて配置された接続パッドを有する半導体集積回路であって、
前記接続パッドと前記活性素子形成領域との間には、複数の配線層が設けられており、
前記接続パッドは、いずれも前記活性素子形成領域上に、ワイヤボンディングを行うためのボンディング領域と、プロービングを行うためのプロービング領域とを有し、
前記ボンディング領域と前記活性素子形成領域との間においては、前記半導体集積回路の論理機能を得るために必要な回路配線が、前記複数の配線層の少なくとも1つを利用して形成されるとともに、第1の補強構造が、該少なくとも1つの配線層よりも上に形成されており、
前記プロービング領域と前記活性素子形成領域との間においては、前記回路配線が、前記少なくとも1つの配線層に加えて、該少なくとも1つの配線層より上層の、他の配線層を利用して形成されるとともに、第2の補強構造が、該他の配線層よりも上に形成されていることを特徴とする半導体集積回路。 - 前記ボンディング領域と前記活性素子形成領域との間において、前記他の配線層には前記回路配線が配置されていないことを特徴とする請求項5記載の半導体集積回路。
- 半導体基板表面の、活性素子が形成される活性素子形成領域上に、少なくとも一部を重ねて配置された接続パッドを有する半導体集積回路であって、
前記接続パッドと前記活性素子形成領域との間には、複数の配線層が設けられており、
前記接続パッドは、いずれも前記活性素子形成領域上に、ワイヤボンディングを行うためのボンディング領域と、プロービングを行うためのプロービング領域とを有し、
前記プロービング領域と前記活性素子形成領域との間において、前記複数の配線層の内の一部によってもたらされる配線資源が、第1の補強構造を形成するために消費され、該一部の配線層より下層の他の配線層によってもたらされる配線資源は、前記半導体集積回路の機能を得るために必要な回路配線を形成するために利用可能であり、
前記ボンディング領域と前記活性素子形成領域との間において、前記一部の配線層に加えて、前記他の配線層の少なくとも1つによってもたらされる配線資源が、第2の補強構造を形成するために消費されていることを特徴とする半導体集積回路。 - 前記第1の補強構造と前記活性素子形成領域との間において、前記他の配線層の少なくとも1つを利用して、前記回路配線が形成されていることを特徴とする請求項7記載の半導体集積回路。
- 前記接続パッドが、前記ボンディング領域およびプロービング領域とは別に、その直下の層間絶縁膜内に層間接続コンタクトを配置するための層間接続領域を有することを特徴とする請求項1ないし8のいずれかに記載の半導体集積回路。
- 前記接続パッド下の領域において、前記直下の層間絶縁膜内には、前記層間接続領域下のみに前記層間接続コンタクトが配置されることを特徴とする請求項9記載の半導体集積回路。
- 前記接続パッドは、前記活性素子形成領域外の外部領域上に配置された層間接続コンタクトによって、対応する活性素子に接続されていることを特徴とする請求項9または10記載の半導体集積回路。
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