JP2005235927A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 樹脂モールドパッケージタイプの半導体装置において、ヒートシンク上にダイボンド材で搭載されたＩＣチップに加わる熱応力を極力低減する。
【解決手段】 ヒートシンク１０と、ヒートシンク１０の上にダイボンド材３０を介して搭載されたＩＣチップ２０と、ＩＣチップ２０の周囲に配置されＩＣチップ２０と電気的に接続されたリードフレーム４０と、ＩＣチップ２０、ヒートシンク１０、リードフレーム４０を包み込むように封止するモールド樹脂６０とを備える半導体装置Ｓ１において、ＩＣチップ２０の端面におけるＩＣチップ２０の上面とダイボンド材３０の上端面との間に、好ましくは０．１ｍｍ以上の距離ｔ１を有した状態で、ＩＣチップ２０の上面よりもダイボンド材３０の上端面の方が低くなっている。
【選択図】 図１

Description

本発明は、リードフレームのアイランドやヒートシンクなどの金属製のチップ搭載部の上にダイボンド材を介して搭載された半導体チップおよび半導体チップと電気的に接続されたリードとを備え、これらをモールド樹脂で包み込むように封止してなる半導体装置、いわゆる樹脂モールドパッケージタイプの半導体装置に関する。

この種の樹脂モールドパッケージタイプの半導体装置としては、ＳＯＰ（スモールアウトラインパッケージ）、ＱＦＰ（クワッドフラットパッケージ）、ＱＦＮ（クワッドフラットノンリードパッケージ）、ＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）などが知られている。

図７（ａ）は、ヒートシンクを用いた従来の一般的な樹脂モールドパッケージタイプの半導体装置の概略断面構成を示す図であり、図７（ｂ）は、図７（ａ）中の丸で囲んだＢ部の拡大図である。

このものは、チップ搭載部としてのヒートシンク１０の上に、銀ペーストなどのダイボンド材３０を介して半導体チップ２０を搭載し、半導体チップ２０とリード４０とをワイヤ５０などによって電気的に接続し、ヒートシンク１０、半導体チップ２０およびリード４０を包み込むようにモールド樹脂６０にて封止してなる。

ここでは、ヒートシンク１０の他面側はモールド樹脂６０から露出させることで、放熱性を確保している。また、ヒートシンク１０は、その一面と他面との間の側面に突起部（コイニング）１２を有する。これは、突起部１２をモールド樹脂６０に食い込ませることにより、モールド樹脂６０とヒートシンク１０との密着性を高めるためである。

そして、図７に示されるように、この半導体装置は、基板１００上に搭載され、モールド樹脂６０から露出するリード４０の部分において、はんだ１２０を介して基板１００のランド１１０に接続されるようになっている。

ところで、近年、はんだ材料のＰｂ（鉛）フリー化が望まれており、それに伴い、はんだの溶融温度も高温化している。そのため、上記した半導体装置を基板１００上にはんだ１２０を介して接合する際、はんだリフローの温度は、従来のＰｂ含有はんだにおける２２５℃から２４０〜２６０℃へと高温化している。

そのため、従来の半導体装置では、装置の実装におけるリフローの際に、モールド樹脂６０の半導体チップ２０からの剥離が顕著に発生しやすくなり問題である。なお、上記図７において、太線Ｈ１は、このモールド樹脂６０と半導体チップ２０との間の剥離（チップ剥離）Ｈ１を示すものである。

本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、金属製のチップ搭載部の上にダイボンド材を介して半導体チップを搭載し、半導体チップおよびチップ搭載部を樹脂で包み込むように封止してなる半導体装置において、ダイボンド材で搭載された半導体チップに加わる熱応力を極力低減することを目的とする。

上記目的を達成するため、鋭意検討を行ったところ、従来の半導体装置では、上記図７（ｂ）に示されるように、半導体チップ２０の端面において半導体チップ２０の上面までダイボンド材３０が這い上がっていることが問題であるとわかった。

本発明者のＦＥＭ（有限要素法）などによる応力解析によれば、ダイボンド材がこのような状態となっていると、半導体チップの上端角部に応力が集中し、その結果、上記図７に示されるようなチップ剥離Ｈ１が発生することがわかった。

そこで、本発明者は、半導体チップの上端角部近傍のダイボンド材を無くすことにより、当該角部における応力集中を緩和すればよいと考えた。

実際に、半導体チップの上端角部近傍にてダイボンド材を無くした構成について、応力解析を行ったところ、当該角部における応力集中の緩和が確認された（図２参照）。本発明はこのような検討結果に基づいて創出されたものである。

すなわち、請求項１に記載の発明では、金属製のチップ搭載部（１０）と、チップ搭載部（１０）の上にダイボンド材（３０）を介して搭載された半導体チップ（２０）と、半導体チップ（２０）の周囲に配置され半導体チップ（２０）と電気的に接続されたリード（４０）と、半導体チップ（２０）、チップ搭載部（１０）、リード（４０）を包み込むように封止するモールド樹脂（６０）とを備える半導体装置において、半導体チップ（２０）の端面における半導体チップ（２０）の上面とダイボンド材（３０）の上端面との間に距離（ｔ１）を有した状態で、半導体チップ（２０）の上面よりもダイボンド材（３０）の上端面の方が低くなっていることを特徴としている。

それによれば、半導体チップ（２０）の端面における半導体チップ（２０）の上面とダイボンド材（３０）の上端面との間に距離（ｔ１）を有した状態で、半導体チップ（２０）の上面よりもダイボンド材（３０）の上端面の方が低くなっているため、半導体チップ（２０）の上端角部近傍にてダイボンド材（３０）を無くした構成を実現することができる。

したがって、本発明によれば、金属製のチップ搭載部（１０）の上にダイボンド材（３０）を介して半導体チップ（２０）を搭載し、半導体チップ（２０）およびチップ搭載部（１０）をモールド樹脂（６０）で包み込むように封止してなる半導体装置において、ダイボンド材（３０）で搭載された半導体チップ（２０）に加わる熱応力を極力低減することができる。

それにより、結果的に、半導体装置の実装時において、熱によるモールド樹脂（６０）の半導体チップ（２０）からの剥離を防止することができる。

ここで、請求項２に記載の発明のように、請求項１に記載の半導体装置において、半導体チップ（２０）の端面における半導体チップ（２０）の上面とダイボンド材（３０）の上端面との間の距離（ｔ１）を、０．１ｍｍ以上にすれば、半導体チップ（２０）に加わる熱応力を大幅に安定して低減することができ、好ましい（図２参照）。

また、請求項３に記載の発明のように、請求項２に記載の半導体装置においては、半導体チップ（２０）の厚さ（ｄ）は４００μｍであるものにできる。

また、請求項４に記載の発明のように、請求項１〜請求項３に記載の半導体装置においては、ダイボンド材（３０）は、銀ペーストであるものにできる。

ここで、請求項５に記載の発明では、請求項１〜請求項４に記載の半導体装置において、モールド樹脂（６０）からリード（４０）の一部が露出しており、このリード（４０）の露出部が、外部基板（１００）にはんだ（１２０）を介して接合される部位となっていることを特徴としている。

さらに、請求項６に記載の発明では、請求項５に記載の半導体装置において、はんだ（１２０）は、Ｐｂフリーはんだであることを特徴としている。

それによれば、半導体装置を外部基板へはんだ付け実装する時にＰｂフリーはんだを用いるため、リフロー温度が高温化するが、そのような状況に対して上記した各剥離や樹脂クラックの抑制が適切になされる。

また、請求項７に記載の発明では、金属製のチップ搭載部（１０）の上に、ダイボンド材（３０）を介して半導体チップ（２０）を搭載し、半導体チップ（２０）およびチップ搭載部（１０）をモールド樹脂（６０）で包み込むように封止してなる半導体装置の製造方法において、チップ搭載部（１０）の一面のうち半導体チップ（２０）が搭載されるチップ搭載領域に、ダイボンド材（３０）を塗布して配設する際に、当該チップ搭載領域の外周から０．２ｍｍ以上離れた内側の領域に、ダイボンド材（３０）を配設することを特徴としている。

本製造方法によれば、上記請求項１に記載されている半導体装置を適切に製造することができる。

また、請求項８に記載の発明では、金属製のチップ搭載部（１０）の上に、ダイボンド材（３０）を介して半導体チップ（２０）を搭載し、半導体チップ（２０）およびチップ搭載部（１０）をモールド樹脂（６０）で包み込むように封止してなる半導体装置の製造方法において、チップ搭載部（１０）の一面のうち半導体チップ（２０）が搭載されるチップ搭載領域に、ダイボンド材（３０）を塗布して配設する際に、当該チップ搭載領域の中央部から外周へ行くほど、ダイボンド材（３０）の塗布量が少なくなるようにすることを特徴としている。

本製造方法によれば、上記請求項１に記載されている半導体装置を適切に製造することができる。

なお、上記各手段における上下方向は、天地方向を意味するものではなく、後述する実施形態に示される各断面図における上下方向に相当するものである。

また、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各図相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。

図１（ａ）は、本発明の実施形態に係る樹脂モールドパッケージタイプの半導体装置Ｓ１の概略断面構成を示す図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）中の丸で囲んだＡ部の拡大図である。この半導体装置Ｓ１は、たとえばＱＦＰ（クワッドフラットパッケージ）、ＳＯＰ（スモールアウトラインパッケージ）などに適用できる。

金属製のチップ搭載部としてのヒートシンク１０は、ＣｕもしくはＣｕ合金などの金属を用いた矩形板状をなすものであり、本例では、熱膨張係数が１７ｐｐｍ／℃程度のＣｕ板からなる。

このヒートシンク１０の一面側には、半導体チップとしてのＩＣチップ２０が搭載されている。このＩＣチップは、シリコン基板などからなるもので、たとえば、その熱膨張係数は３ｐｐｍ／℃程度である。

そして、ヒートシンク１０とＩＣチップ２０とはダイボンド材３０を介して接着固定されている。このダイボンド材３０は、銀ペーストや、樹脂に導電性のフィラーが含有された導電性接着剤などからなるものであり、本例では、ダイボンド材３０は銀ペーストからなる。

また、ヒートシンク１０およびＩＣチップ２０の周囲には、Ｃｕや４２アロイ合金などの金属からなるリードとしてのリードフレーム４０が配置されている。そして、ＩＣチップ２０とリードフレーム４０とは、金やアルミニウムなどからなるワイヤ５０によって結線され電気的に接続されている。

そして、モールド樹脂６０は、ヒートシンク１０、ＩＣチップ２０、リードフレーム４０およびワイヤ５０を包み込むように封止している。ここでは、モールド樹脂６０は、ヒートシンク１０の他面およびリードフレーム４０のアウターリードを露出させつつ、各部の封止を行っている。

このモールド樹脂６０は、エポキシ系樹脂などの通常のモールド材料からなるものである。本例では、モールド樹脂６０は、エポキシ系樹脂からなり、さらに熱膨張係数を調整する等のためにシリカなどからなるフィラーが含有されたものである。モールド樹脂６０の熱膨張係数としては、たとえば１０ｐｐｍ／℃程度のものにできる。

また、図１に示されるように、ヒートシンク１０は、その一面と他面との間の側面に、モールド樹脂６０とヒートシンク１０との密着性を高めるための突起部（コイニング）１２を有する。このような突起部１２を有するヒートシンク１０は、プレス加工などにより形成することができる。

また、本実施形態の半導体装置Ｓ１においては、図１（ｂ）に示されるように、ＩＣチップ２０の端面におけるＩＣチップ２０の上面とダイボンド材３０の上端面との間に距離ｔ１を有した状態で、ＩＣチップ２０の上面よりもダイボンド材３０の上端面の方が低くなっている。つまり、ＩＣチップ２０の上端角部近傍にてダイボンド材３０を無くした構成となっている。

ここでは、ＩＣチップ２０の厚さｄ（図１（ｂ）参照）は４００μｍであり、ダイボンド材３０の厚さは３０μｍ程度である。このような場合には、上記距離ｔ１は０．１ｍｍ以上であることが好ましい。逆に言えば、ＩＣチップ２０の端面におけるＩＣチップ２０の下面を起点としたダイボンド材３０の這い上がり高さｔ２は、０．３ｍｍ以下であることが好ましい。

このような半導体装置Ｓ１は、ヒートシンク１０とリードフレーム４０とをかしめなどにより一体に固定した後、ＩＣチップ２０をヒートシンク１０に搭載し、ワイヤボンディングを行い、樹脂モールドを行い、リードフレームの成形・カットを行うことにより、製造することができる。

そして、半導体装置Ｓ１は、図１に示されるように、外部基板１００上に搭載され実装される。ここで、外部基板１００は、たとえばセラミック基板、プリント基板などであり、半導体装置Ｓ１が搭載される面には、ランド１１０が設けられている。

そして、半導体装置Ｓ１においては、モールド樹脂６０からリードフレーム４０の一部が露出しており、このリードフレーム４０の露出部すなわちアウターリードが、外部基板１００のランド１１０にはんだ１２０を介して接合されている。

また、ヒートシンク１０の他面も、外部基板１００のランド１１０にはんだ１２０を介して接合されている。これにより、本実施形態では、ヒートシンク１０の他面から外部基板１００への放熱が適切になされる。

ここで、このはんだ１２０は、Ｐｂを実質的に含まないＰｂフリーはんだである。これは、はんだリフローの温度が従来のＰｂ含有はんだにおける２２５℃から２４０〜２６０℃へと高温化したものである。

具体的なＰｂフリーはんだとしては、たとえば、Ｓｎ−Ａｇ（Ａｇ３．５）系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだなどが挙げられる。さらに、前記Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだとしては、Ａｇ１〜４、Ｃｕ０〜１で３Ａｇ−０．５Ｃｕ、３．５Ａｇ−０．７Ｃｕなどが挙げられる。

次に、本実施形態においては、上述したように、ＩＣチップ２０の端面におけるＩＣチップ２０の上面とダイボンド材３０の上端面との間に距離ｔ１を設けることで、ＩＣチップ２０の上端角部近傍にてダイボンド材３０を無くした構成としていることの根拠について述べる。

これは、ＩＣチップ２０に加わる熱応力を極力低減するためのものであり、本発明者が行った実験検討の結果に基づくものである。その検討結果の一例を述べる。

まず、上記したダイボンド材３０の這い上がり高さｔ２と、ＩＣチップ２０の上端角部に発生する応力との関係についてＦＥＭ（有限要素法）で解析を行った。その結果、ＩＣチップ２０の端面においてＩＣチップ２０の上面までダイボンド材３０が這い上がっている従来構成では、ＩＣチップ２０の上端角部近傍に最も応力が集中していることが確認された。

一方、ＩＣチップ２０の上端角部近傍にてダイボンド材３０を無くした構成とすれば、当該角部における応力集中の緩和が確認された。そして、さらに解析を進め、ダイボンド材の這い上がり高さｔ２を変えていき、ＩＣチップ２０の上端角部に発生する応力の変化を調査した。その結果が図２に示される。

なお、図２では、横軸のダイボンド材の這い上がり高さｔ２は単位：μｍであり、縦軸の応力は任意単位である。また、ここでは、ＩＣチップ２０の厚さｄは４００μｍとしている。

つまり、図２中、ダイボンド材の這い上がり高さｔ２が４００μｍのところは、上記図７に示される従来のものと同様、ＩＣチップ２０の端面においてＩＣチップ２０の上面までダイボンド材３０が這い上がっている構成である。そして、この応力を１００としている。

図２に示される結果から、ダイボンド材の這い上がり高さｔ２が４００μｍよりも小さくなる、すなわちＩＣチップ２０の端面におけるＩＣチップ２０の上面とダイボンド材３０の上端面との間に距離ｔ１を設ければ、ＩＣチップ２０の上端角部に発生する応力が大幅に低減することがわかる。

そして、ダイボンド材の這い上がり高さｔ２が３００μｍ以下になる、すなわち上記距離ｔ１が１００μｍ以上になると、応力の低下度合もほぼ飽和し、ほぼ安定して低い応力が実現されることがわかる。

実際に、上記図１に示される半導体装置において、当該這い上がり高さｔ２を変えたサンプルを作製し、装置実装時のリフロー条件と同様の高温試験を行ったところ、這い上がり高さｔ２が３００μｍ以下のものは、ほとんどチップ剥離は発生しなかった。なお、チップ剥離の確認はＳＥＭ（電子顕微鏡）観察などにより容易に可能である。

このような検討結果に基づいて、本実施形態では、ＩＣチップ２０の端面におけるＩＣチップ２０の上面とダイボンド材３０の上端面との間に距離ｔ１を設けることで、ＩＣチップ２０の上端角部近傍にてダイボンド材３０を無くした構成としている。また、好ましくは当該距離ｔ１を０．１ｍｍ以上としている。

ところで、本実施形態によれば、金属製のチップ搭載部としてのヒートシンク１０と、ヒートシンク１０の上にダイボンド材３０を介して搭載された半導体チップとしてのＩＣチップ２０と、ＩＣチップ２０の周囲に配置されＩＣチップ２０と電気的に接続されたリードフレーム４０と、ＩＣチップ２０、ヒートシンク１０、リードフレーム４０を包み込むように封止するモールド樹脂６０とを備える半導体装置において、ＩＣチップ２０の端面におけるＩＣチップ２０の上面とダイボンド材３０の上端面との間に距離ｔ１を有した状態で、ＩＣチップ２０の上面よりもダイボンド材３０の上端面の方が低くなっていることを特徴とする半導体装置Ｓ１が提供される。

それによれば、ＩＣチップ２０の端面におけるＩＣチップ２０の上面とダイボンド材３０の上端面との間に距離ｔ１を有した状態で、ＩＣチップ２０の上面よりもダイボンド材３０の上端面の方が低くなっているため、ＩＣチップ２０の上端角部近傍にてダイボンド材３０を無くした構成を実現することができる。

したがって、本実施形態によれば、金属製のヒートシンク１０の上にダイボンド材３０を介してＩＣチップ２０を搭載し、ＩＣチップ２０およびヒートシンク１０をモールド樹脂６０で包み込むように封止してなる半導体装置において、ダイボンド材３０で搭載されたＩＣチップ２０に加わる熱応力を極力低減することができる。

それにより、結果的に、半導体装置の実装時において、熱によるモールド樹脂６０のＩＣチップ２０からの剥離を防止することができる。

また、上述したように、本実施形態の半導体装置Ｓ１においては、ＩＣチップ２０の端面におけるＩＣチップ２０の上面とダイボンド材３０の上端面との間の距離ｔ１を、０．１ｍｍ以上にすれば、ＩＣチップ２０に加わる熱応力を大幅に安定して低減することができ、好ましい（図２参照）。

また、本実施形態の半導体装置Ｓ１では、モールド樹脂６０からリード４０の一部が露出しており、このリード４０の露出部が、外部基板１００にはんだ１２０を介して接合される部位となっている。そして、この接合部のはんだ１２０としては、Ｐｂフリーはんだを採用している。

それによれば、半導体装置Ｓ１を外部基板１００へはんだ付け実装する時にＰｂフリーはんだを用いるため、リフロー温度が高温化するが、そのような状況に対して上記したチップ剥離、リード剥離や樹脂クラックの抑制が適切になされる。

次に、ＩＣチップ２０の端面におけるＩＣチップ２０の上面とダイボンド材３０の上端面との間に、好ましくは０．１ｍｍ以上の距離ｔ１を有した状態で、ＩＣチップ２０の上面よりもダイボンド材３０の上端面の方が低くなっている構成を実現するための、ダイボンド材３０の形成方法について述べる。

ダイボンド材３０の形成は、半導体装置Ｓ１の製造工程において、ヒートシンク１０とリードフレーム４０とをかしめなどにより一体に固定した後、ＩＣチップ２０をヒートシンク１０に搭載する前に行う。

このとき、ダイボンド材３０は、ヒートシンク１０の一面のうちＩＣチップ２０が搭載されるチップ搭載領域に配設する。

その後、ダイボンド材３０の上にＩＣチップ２０を搭載し、ダイボンド材３０を硬化してＩＣチップ２０を接着し、次に、ワイヤボンディングを行い、金型を用いて樹脂モールドを行い、リードフレームの成形・カットを行うことにより、半導体装置Ｓ１ができあがる。

［従来のダイボンド材の形成方法］
まず、従来のダイボンド材の形成方法について図３を参照して述べておく。

図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示されるように、ヒートシンク１０の上にディスペンスノズルＫ１を用いてダイボンド材３０を塗布し、その上にＩＣチップ２０を搭載する。このとき、従来では、ダイボンド材３０は、チップ搭載領域よりも外側まで配設されているため、ダイボンド材３０の這い上がりが大きくなってしまう。

［第１のダイボンド材の形成方法］
図４は、本実施形態の第１のダイボンド材の形成方法を示す工程図である。本形成方法では、図４（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示されるように、ヒートシンク１０の一面のうちチップ搭載領域にダイボンド材３０を塗布して配設する際に、当該チップ搭載領域の外周から０．２ｍｍ以上離れた内側の領域に、ダイボンド材３０を配設する。

それにより、ダイボンド材３０の這い上がりを抑制することができ、上述したＩＣチップ２０の端面におけるダイボンド材３０構成を実現することができる。なお、この０．２ｍｍは、ダイボンド材３０の形成位置精度、ＩＣチップ２０のマウント精度を考慮して決めている。

［第２のダイボンド材の形成方法］
図５は、本実施形態の第２のダイボンド材の形成方法を示す工程図である。本形成方法では、図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示されるように、チップ搭載領域にダイボンド材３０を塗布して配設する際に、当該チップ搭載領域の中央部から外周へ行くほど、ダイボンド材３０の塗布量が少なくなるようにする。

この例では、ダイボンド材３０を塗布するディスペンスノズルＫ１の径を、最外周のみ小さくすることにより、塗布量の多少を実現している。そして、本形成方法によれば、ダイボンド材３０の這い上がりを抑制することができる。

（他の実施形態）
図６は、他の実施形態に係る樹脂モールドパッケージタイプの半導体装置の概略断面構成を示す図である。この半導体装置は、ヒートシンクのない標準的なパッケージに本発明が適用された例である。

つまり、この半導体装置においては、チップ搭載部がリードフレームのアイランド１０’となっているものである。なお、チップ搭載部はヒートシンクやアイランドに限定されるものではなく、半導体チップをダイボンド材を介して搭載できるならば、これらに限定されるものではない。

また、上記実施形態では、ＩＣチップ２０とリードフレーム４０との電気的な接続はワイヤ５０にて行っていたが、これに限定されるものではない。それ以外にも、バンプなどにより、ＩＣチップ２０とリードフレーム４０との電気的な接続が行われていてもよい。

以上のように、本発明は、金属製のチップ搭載部１０と、チップ搭載部１０の上にダイボンド材３０を介して搭載された半導体チップ２０と、半導体チップ２０の周囲に配置され半導体チップ２０と電気的に接続されたリード４０と、半導体チップ２０、ヒートシンク１０、リード４０を包み込むように封止するモールド樹脂６０とを備える半導体装置Ｓ１において、上述したように、半導体チップ２０の端面におけるダイボンド材３０の構成を規定したことを要部とするものであり、その他の部分については適宜設計変更することが可能である。

（ａ）は、本発明の実施形態に係る樹脂モールドパッケージタイプの半導体装置の概略断面構成を示す図であり、（ｂ）は、（ａ）中のＡ部拡大図である。 ダイボンド材の這い上がり高さｔ２とＩＣチップ２０の上端角部に発生する応力との関係について解析した結果を示す図である。 従来のダイボンド材の形成方法を示す工程図である。 上記実施形態の第１のダイボンド材の形成方法を示す工程図である。 上記実施形態の第２のダイボンド材の形成方法を示す工程図である。 本発明の他の実施形態に係る樹脂モールドパッケージタイプの半導体装置の概略断面構成を示す図である。 従来の一般的な樹脂モールドパッケージタイプの半導体装置の概略断面構成を示す図である。

符号の説明

１０…チップ搭載部としてのヒートシンク、
２０…半導体チップとしてのＩＣチップ、３０…ダイボンド材、
４０…リードとしてのリードフレーム、６０…モールド樹脂、１００…外部基板、
１２０…はんだ、ｄ…半導体チップの厚さ、
ｔ１…ＩＣチップの端面におけるＩＣチップの上面とダイボンド材の上端面との間の距離。

Claims (8)

1. 金属製のチップ搭載部（１０）と、
   前記チップ搭載部（１０）の上にダイボンド材（３０）を介して搭載された半導体チップ（２０）と、
   前記半導体チップ（２０）の周囲に配置され前記半導体チップ（２０）と電気的に接続されたリード（４０）と、
   前記半導体チップ（２０）、前記チップ搭載部（１０）、前記リード（４０）を包み込むように封止するモールド樹脂（６０）とを備える半導体装置において、
   前記半導体チップ（２０）の端面における前記半導体チップ（２０）の上面と前記ダイボンド材（３０）の上端面との間に距離（ｔ１）を有した状態で、前記半導体チップ（２０）の上面よりも前記ダイボンド材（３０）の上端面の方が低くなっていることを特徴とする半導体装置。
2. 前記半導体チップ（２０）の端面における前記半導体チップ（２０）の上面と前記ダイボンド材（３０）の上端面との間の距離（ｔ１）は、０．１ｍｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記半導体チップ（２０）の厚さ（ｄ）は４００μｍであることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
4. 前記ダイボンド材（３０）は、銀ペーストであることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の半導体装置。
5. 前記モールド樹脂（６０）から前記リード（４０）の一部が露出しており、このリード（４０）の露出部が、外部基板（１００）にはんだ（１２０）を介して接合される部位となっていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の半導体装置。
6. 前記はんだ（１２０）は、Ｐｂフリーはんだであることを特徴とする請求項５に記載の半導体装置。
7. 金属製のチップ搭載部（１０）の上に、ダイボンド材（３０）を介して半導体チップ（２０）を搭載し、前記半導体チップ（２０）および前記チップ搭載部（１０）をモールド樹脂（６０）で包み込むように封止してなる半導体装置の製造方法において、
   前記チップ搭載部（１０）の一面のうち前記半導体チップ（２０）が搭載されるチップ搭載領域に、前記ダイボンド材（３０）を塗布して配設する際に、前記チップ搭載領域の外周から０．２ｍｍ以上離れた内側の領域に、前記ダイボンド材（３０）を配設することを特徴とする半導体装置の製造方法。
8. 金属製のチップ搭載部（１０）の上に、ダイボンド材（３０）を介して半導体チップ（２０）を搭載し、前記半導体チップ（２０）および前記チップ搭載部（１０）をモールド樹脂（６０）で包み込むように封止してなる半導体装置の製造方法において、
   前記チップ搭載部（１０）の一面のうち前記半導体チップ（２０）が搭載されるチップ搭載領域に、前記ダイボンド材（３０）を塗布して配設する際に、前記チップ搭載領域の中央部から外周へ行くほど、前記ダイボンド材（３０）の塗布量が少なくなるようにすることを特徴とする半導体装置の製造方法。
   

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