JP2005231983A - Method and apparatus for highly purifying glass body - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、ガラス体に含まれる不純物をガラス体内部で移動させ、ガラス体の高純度化を行う方法及び装置に関する。 The present invention relates to a method and an apparatus for purifying a glass body by moving impurities contained in the glass body inside the glass body.
従来、ガラスを高純度化処理する方法として、ガラスに電圧を印加して、その発生した電圧勾配によってガラス内部の不純物を移動させる技術が知られている（例えば、特許文献１及び２参照。）。 Conventionally, as a method for purifying glass, a technique is known in which a voltage is applied to glass and impurities inside the glass are moved by the generated voltage gradient (see, for example, Patent Documents 1 and 2). .
特許文献１には、溶融石英のチューブを１０００℃以上の温度で加熱しながら、電圧を印加することによって金属不純物イオンをチューブの外部壁面で拡散させる技術が記載されており、これにより、溶融石英のチューブの高純度化が図れるとされている。 Patent Document 1 describes a technique of diffusing metal impurity ions on the outer wall surface of a tube by applying a voltage while heating the fused quartz tube at a temperature of 1000 ° C. or higher. It is said that high purity of the tube can be achieved.
また、特許文献２には、電気溶融法で得られた石英ガラスインゴットの内周部に円柱状電極を挿入配置し、また、外周部にこれを覆うように容器状電極を配置し、加熱下でこの両電極間に、直流電圧を印加して、少なくともＦｅの含有量が１０ｐｐｂ以下になるよう高純度化する技術が記載されている。 In Patent Document 2, a cylindrical electrode is inserted and arranged on the inner peripheral part of a quartz glass ingot obtained by an electric melting method, and a container-like electrode is arranged on the outer peripheral part so as to cover it. Thus, a technique is described in which a DC voltage is applied between the two electrodes to attain a high purity so that at least the Fe content is 10 ppb or less.
ガラスの高純度化処理は、上述したように電圧を印加して行うことができるが、短時間での処理には大きな印加電圧が必要であったり、不純物の種類によってはガラスを高温に加熱する必要がある等、処理コストが嵩みやすい傾向にあった。 The glass purification treatment can be performed by applying a voltage as described above, but a large applied voltage is required for a short time treatment, or the glass is heated to a high temperature depending on the type of impurities. The processing cost tends to increase due to necessity.
本発明は、電圧を印加する方法以外に効率良くガラスを高純度化処理できるガラス体の高純度化方法及び装置を提供することを目的としている。 An object of the present invention is to provide a glass body high-purification method and apparatus capable of efficiently purifying glass in addition to a method of applying a voltage.
上記課題を解決することのできる本発明のガラス体の高純度化方法は、ガラス体に磁界を印加して、前記ガラス体に含まれる不純物を前記ガラス体の一部へ移動させるものである。 The method for purifying a glass body according to the present invention that can solve the above-mentioned problem is to apply a magnetic field to the glass body to move impurities contained in the glass body to a part of the glass body.
また、本発明に係るガラス体の高純度化方法において、前記ガラス体に電圧を印加することが好ましい。 In the method for purifying a glass body according to the present invention, it is preferable to apply a voltage to the glass body.
また、本発明に係るガラス体の高純度化方法において、前記ガラス体のうち、移動させた前記不純物を含む部分を除去することが好ましい。 Moreover, in the method for purifying a glass body according to the present invention, it is preferable that a portion of the glass body containing the transferred impurities is removed.
また、本発明に係るガラス体の高純度化方法において、前記ガラス体の前記一部分を除く領域における、前記不純物であるナトリウム及びカリウムの濃度を、それぞれ１０重量ｐｐｂ以下にすることが好ましい。 In the method for purifying a glass body according to the present invention, it is preferable that the concentrations of sodium and potassium as impurities in the region excluding the part of the glass body be 10 wt ppb or less, respectively.
また、本発明に係るガラス体の高純度化方法において、前記ガラス体の前記一部分を除く領域における、前記不純物である遷移金属の濃度を、それぞれ１０重量ｐｐｂ以下にすることが好ましい。 In the method for purifying a glass body according to the present invention, it is preferable that the concentration of the transition metal as the impurity in the region excluding the part of the glass body is 10 wt ppb or less.
また、本発明に係るガラス体の高純度化方法において、前記ガラス体を４５０℃以上に加熱することが好ましい。 In the method for purifying a glass body according to the present invention, the glass body is preferably heated to 450 ° C. or higher.
また、本発明に係るガラス体の高純度化方法において、前記ガラス体は、円柱または円筒形状の合成石英ガラスであり、当該ガラス体の長手方向に垂直な方向に磁界を印加することが好ましい。 In the method for purifying a glass body according to the present invention, the glass body is a cylindrical or cylindrical synthetic quartz glass, and it is preferable to apply a magnetic field in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the glass body.
また、上記課題を解決することのできる本発明のガラス体の高純度化装置は、ガラス体を加熱する加熱手段と、前記ガラス体に磁界を印加する磁界印加手段とを備えているものである。 Moreover, the glass body purification apparatus of the present invention that can solve the above-mentioned problems comprises a heating means for heating the glass body and a magnetic field applying means for applying a magnetic field to the glass body. .
また、本発明に係るガラス体の高純度化装置において、前記ガラス体に電圧を印加する電圧印加手段を備えていることが好ましい。 Moreover, it is preferable that the apparatus for purifying a glass body according to the present invention further includes a voltage applying unit that applies a voltage to the glass body.
本発明のガラス体の高純度化方法及び装置によれば、ガラスを効率良く高純度化処理することができる。 According to the glass body purification method and apparatus of the present invention, glass can be efficiently purified.
以下、本発明に係るガラス体の高純度化方法及び装置の実施の形態の例を、図面を参照して説明する。
図１に、本発明に係るガラス体の高純度化方法を実施することのできるガラス体の高純度化装置の要部を示す。
本実施形態のガラス体の高純度化装置１は、高純度化の対象物である円柱状のガラスロッドＧの周囲を円筒状に囲むように構成されている。高純度化装置１の最も内周側には、加熱手段である円筒状のヒータ１１が設けられており、この内側に配置されたガラスロッドＧをその軟化点程度まで加熱することができる。ヒータ１１の材質は、グラファイト等のカーボンを好適に例示でき、例えば抵抗加熱方式により発熱させることができる。ここで、グラファイト等のカーボンは、不純物の含有量が１ｐｐｍ以下であるのが好ましく、これにより、ガラスロッドＧに不純物が侵入しにくくなる。
Hereinafter, an example of an embodiment of a method and an apparatus for purifying a glass body according to the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 shows a main part of a glass body purification apparatus that can carry out the glass body purification method of the present invention.
The glass body high-purification apparatus 1 of the present embodiment is configured to surround a cylindrical glass rod G, which is an object to be purified, in a cylindrical shape. A cylindrical heater 11 serving as a heating means is provided on the innermost peripheral side of the high-purification apparatus 1, and the glass rod G disposed on the inner side can be heated to about its softening point. The material of the heater 11 can suitably be exemplified by carbon such as graphite, and can generate heat by a resistance heating method, for example. Here, carbon such as graphite preferably has an impurity content of 1 ppm or less, which makes it difficult for impurities to enter the glass rod G.
ヒータ１１の外側の周囲には、ヒータ１１を覆うように断熱材１２が設けられており、ヒータ１１の外周側にその発熱温度が伝わることを防いでいる。なお、断熱材１２を設ける代わりに、断熱を図るための真空にされた空間が設けられていても良い。 A heat insulating material 12 is provided around the outside of the heater 11 so as to cover the heater 11, and the heat generation temperature is prevented from being transmitted to the outer peripheral side of the heater 11. Instead of providing the heat insulating material 12, a vacuumed space for heat insulation may be provided.
さらに、断熱材１２の外周側には、ガラスロッドに対する磁界印加手段である円筒状のマグネット１０が設けられている。磁界印加手段として、誘導コイルを用いることもできる。好ましくは、マグネット１０は超伝導マグネットであると良く、その場合、ガラスロッドＧに対して非常に大きな磁界を印加することができる。磁界印加手段は、ガラスロッドＧに対して３Ｔ（テスラ）以上の磁界を印加できることが好ましい。１０Ｔ〜２０Ｔの磁界を印加できると、より好ましい。 Further, on the outer peripheral side of the heat insulating material 12, a cylindrical magnet 10 is provided as a magnetic field applying means for the glass rod. An induction coil can also be used as the magnetic field applying means. The magnet 10 is preferably a superconducting magnet, and in that case, a very large magnetic field can be applied to the glass rod G. It is preferable that the magnetic field applying means can apply a magnetic field of 3 T (tesla) or more to the glass rod G. More preferably, a magnetic field of 10T to 20T can be applied.
図１に示した高純度化装置１では、その円筒形状の略中心軸方向に沿った磁力線Ｍに示すように磁力が発生して、ヒータ１１の内側に配置されたガラスロッドＧに長手方向の磁界を印加することができる。 In the high purity device 1 shown in FIG. 1, a magnetic force is generated as indicated by a magnetic force line M along the substantially central axis direction of the cylindrical shape, and the glass rod G disposed inside the heater 11 is longitudinally moved. A magnetic field can be applied.
また、ガラスロッドＧの材質は、天然の石英ガラス、気相合成法等により人工的に合成され二酸化ケイ素を９９．９９％以上含有する純石英のガラス、石英にフッ素や塩素、ホウ素、ゲルマニウム等の添加物が含まれたガラスを好適に用いることができる。純度の高い石英ガラスを用いた場合には、さらに高純度のものとすることができる。そして、ガラスロッドＧに含まれる不純物Ｃは、ナトリウム（Ｎａ）、カリウム（Ｋ）等のアルカリ金属や、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）等の遷移金属が挙げられる。なお、適宜添加されているフッ素等の添加物は、本明細書中において不純物の範疇には含まれないものとする。 The material of the glass rod G is natural quartz glass, pure quartz glass artificially synthesized by a gas phase synthesis method or the like and containing 99.99% or more of silicon dioxide, fluorine, chlorine, boron, germanium, etc. on quartz. A glass containing the additive can be suitably used. When quartz glass with high purity is used, it can be made even higher purity. The impurities C contained in the glass rod G include alkali metals such as sodium (Na) and potassium (K), and transition metals such as iron (Fe) and nickel (Ni). Note that an appropriately added additive such as fluorine is not included in the category of impurities in this specification.
高純度化装置１を用いてガラスロッドＧを高純度化するには、図２に示すように、高純度化装置１の内側にガラスロッドＧを挿入し、ガラスロッドＧに対して磁界を印加する。ここで、ガラスロッドＧを構成する二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）は反磁性物質であり、鉄、ニッケル等の遷移金属は常磁性もしくは強磁性を示す。そのため、印加された磁界により二酸化ケイ素と不純物Ｃとの間の磁化率差により、磁力線Ｍの方向に沿って発生した磁界勾配に沿って不純物ＣがガラスロッドＧの内部を移動する。そして、この磁界の印加を一定時間継続することによって、ガラスロッドＧの長手方向の一端側の一部分に不純物Ｃを偏在させることができる。 In order to purify the glass rod G using the high purity device 1, the glass rod G is inserted inside the high purity device 1 and a magnetic field is applied to the glass rod G as shown in FIG. To do. Here, silicon dioxide (SiO 2 ) constituting the glass rod G is a diamagnetic substance, and transition metals such as iron and nickel are paramagnetic or ferromagnetic. Therefore, due to the magnetic susceptibility difference between the silicon dioxide and the impurity C due to the applied magnetic field, the impurity C moves inside the glass rod G along the magnetic field gradient generated along the direction of the lines of magnetic force M. Then, by continuing the application of this magnetic field for a certain period of time, the impurities C can be unevenly distributed in a part of one end side in the longitudinal direction of the glass rod G.
また、ガラスロッドＧの長さが高純度化装置１より長い場合には、図２に示すように、磁力線Ｍと反対方向（図中矢印Ａ方向）にガラスロッドＧを移動させていく。これにより、ガラスロッドＧの長手方向に沿って順次不純物Ｃが移動されていく。そして、図３に示すように、ガラスロッドＧの一端側（本実施形態では上端側）に不純物Ｃを移動させ、ガラスロッドＧの一部分に不純物Ｃを偏在させることができる。 Moreover, when the length of the glass rod G is longer than the highly purified apparatus 1, as shown in FIG. 2, the glass rod G is moved to the direction opposite to the magnetic force line M (arrow A direction in the figure). Thereby, the impurities C are sequentially moved along the longitudinal direction of the glass rod G. And as shown in FIG. 3, the impurity C can be moved to the one end side (upper end side in this embodiment) of the glass rod G, and the impurity C can be unevenly distributed to a part of glass rod G. FIG.
また、不純物Ｃの移動を短時間で効果的に行うために、磁界の印加とともにヒータ１１によってガラスロッドＧを加熱する。加熱する温度が高いほど、ガラスロッドＧの粘度が下がってガラスロッドＧを構成する二酸化ケイ素と不純物Ｃとの結合が解離し、不純物の移動抵抗が小さくなるため、高純度化を行いやすい。但し、加熱温度が高すぎると不純物Ｃの磁化率が低下したり、ガラスロッドＧが軟化して変形してしまうおそれがあるため、ガラスロッドＧの材質の軟化点未満の温度を維持すると良い。 Further, in order to effectively move the impurities C in a short time, the glass rod G is heated by the heater 11 along with the application of the magnetic field. The higher the heating temperature, the lower the viscosity of the glass rod G, the dissociation of the bonds between the silicon dioxide and the impurities C constituting the glass rod G, and the lower the resistance of impurity migration, and the higher the purity. However, if the heating temperature is too high, the magnetic susceptibility of the impurity C may be reduced, or the glass rod G may be softened and deformed. Therefore, it is preferable to maintain a temperature lower than the softening point of the material of the glass rod G.
ガラスロッドＧが純石英で形成されている場合には、８００℃以上に加熱することで不純物が解離しやすい。また、純石英にフッ素が添加されていると純石英よりも軟化点温度が低下するため、フッ素が添加されたガラスロッドＧの場合には、７００℃以上に加熱することで不純物が解離しやすい。
また、ガラスロッドＧを加熱することによって不純物Ｃが移動しやすくなるため、加熱温度を考慮して磁界の強さを調節すると良い。
When the glass rod G is made of pure quartz, impurities are easily dissociated by heating to 800 ° C. or higher. Further, when fluorine is added to pure quartz, the softening point temperature is lower than that of pure quartz. Therefore, in the case of glass rod G to which fluorine is added, impurities are easily dissociated by heating to 700 ° C. or higher. .
Further, since the impurity C is easily moved by heating the glass rod G, it is preferable to adjust the strength of the magnetic field in consideration of the heating temperature.
上述したように、ガラスロッドＧに対して磁界を印加することにより、ガラスロッドＧに含まれた不純物Ｃを効率良く一部分に偏在させ、ガラスロッドＧを高純度化処理することができる。そして、磁界勾配による不純物Ｃの移動後、不純物Ｃが偏在した箇所を除く領域において、例えば鉄やニッケルの濃度を、それぞれ１０重量ｐｐｂ以下とすることができる。 As described above, by applying a magnetic field to the glass rod G, the impurities C contained in the glass rod G can be unevenly distributed in a part and the glass rod G can be highly purified. Then, after the movement of the impurity C due to the magnetic field gradient, the concentration of, for example, iron or nickel can be set to 10 weight ppb or less, respectively, in the region excluding the portion where the impurity C is unevenly distributed.
また、不純物Ｃを偏在させた後は、その不純物Ｃが集中したガラスロッドＧの一部分を除去すると良い。除去方法としては、例えばフッ酸洗浄による化学的エッチングや、例えばＮＣ旋盤を用いた研削あるいは切削による機械的加工を用いることができる。また、ガラスロッドＧの温度と不純物Ｃの熱拡散係数から、一旦ガラスロッドＧの縁部に集中した不純物ＣがガラスロッドＧの内側に拡散する程度が算出できるため、除去する領域は、この拡散を考慮して決めることができる。また、遷移金属（例えば鉄やニッケル）が集中して存在している箇所はガラスが着色して目視により判別できるため、遷移金属に関わる除去領域は視覚的に決めることができる。 In addition, after the impurities C are unevenly distributed, a part of the glass rod G in which the impurities C are concentrated may be removed. As a removal method, for example, chemical etching by hydrofluoric acid cleaning, or mechanical processing by grinding or cutting using, for example, an NC lathe can be used. Moreover, since the extent to which the impurity C once concentrated on the edge of the glass rod G diffuses inside the glass rod G can be calculated from the temperature of the glass rod G and the thermal diffusion coefficient of the impurity C, the region to be removed is the diffusion region. Can be determined in consideration of Moreover, since the location where the transition metal (for example, iron or nickel) is concentrated is colored and can be visually discriminated, the removal region related to the transition metal can be visually determined.
次に、上記高純度化装置１とは異なる構成の、本発明に係るガラス体の高純度化装置２の要部を図４に示す。
図４に示すように、高純度化装置２は、図１に示した高純度化装置１とは磁界印加手段の形態が異なるものである。高純度化装置２に設けられた磁界印加手段は、１対の円板型のマグネット１３，１４であり、これらのマグネット１３，１４がヒータ１１と断熱材１２を中央に挟むように対向して配置されている。
Next, FIG. 4 shows a main part of the glass body high-purification device 2 according to the present invention, which is different from the high-purification device 1.
As shown in FIG. 4, the high purity device 2 is different from the high purity device 1 shown in FIG. 1 in the form of the magnetic field applying means. The magnetic field applying means provided in the high-purity device 2 is a pair of disc-shaped magnets 13 and 14, which are opposed to each other so that the heater 11 and the heat insulating material 12 are sandwiched in the center. Has been placed.
図４に示した高純度化装置２では、ヒータ１１及び断熱材１２の中心軸と略直交する方向に沿った磁力線Ｍに示すように磁力が発生して、ヒータ１１の内側に配置されたガラスロッドＧに側方から径方向の磁界を印加することができる。そして、図５に示すように、磁力線Ｍの方向に沿って発生した磁界勾配に沿って不純物ＣがガラスロッドＧの内部を移動する。そして、ガラスロッドＧの外周近傍の一部分に不純物Ｃを偏在させることができる。また、ガラス体が円柱や円筒あるいは角柱や角筒であって、その長手方向に沿った軸に垂直な断面（円または矩形）の径よりも長さが長い場合、不純物を径方向に移動させる方が、移動時間を短くできるため処理効率が良い。 In the high purity device 2 shown in FIG. 4, a magnetic force is generated as indicated by a magnetic force line M along a direction substantially orthogonal to the central axis of the heater 11 and the heat insulating material 12, and the glass disposed inside the heater 11. A radial magnetic field can be applied to the rod G from the side. Then, as shown in FIG. 5, the impurity C moves inside the glass rod G along the magnetic field gradient generated along the direction of the magnetic lines of force M. And the impurity C can be unevenly distributed in a part of outer periphery vicinity of the glass rod G. FIG. Further, when the glass body is a cylinder, cylinder, prism, or square cylinder, and the length is longer than the diameter of a cross section (circle or rectangle) perpendicular to the axis along the longitudinal direction, the impurities are moved in the radial direction. However, since the movement time can be shortened, the processing efficiency is better.
また、この高純度化装置２を用いる場合には、不純物ＣはガラスロッドＧの長手方向の一部の領域においてのみ略径方向に移動するため、ガラスロッドＧ全体の高純度化を行うためには、高純度化装置２に対してガラスロッドＧをその長手方向に移動させ、ガラスロッドＧの全体に磁界を印加すると良い。
さらに、上述したように、ヒータ１１によって適宜ガラスロッドＧを加熱すると、より短時間で効率的に高純度化処理を行うことができる。
Moreover, when using this high purity apparatus 2, since the impurity C moves to a substantially radial direction only in the one part area | region of the longitudinal direction of the glass rod G, in order to improve the purity of the whole glass rod G The glass rod G may be moved in the longitudinal direction with respect to the high purity device 2 and a magnetic field may be applied to the entire glass rod G.
Furthermore, as described above, when the glass rod G is appropriately heated by the heater 11, the purification process can be efficiently performed in a shorter time.
ガラスと不純物との磁化率差を利用した上記高純度化方法では、強磁性体である遷移金属（例えば鉄やニッケル）を特に容易かつ効果的に偏在させることができる。また、電圧印加のみで高純度化する場合と比較して、不純物を素早く移動させやすいため、効率良くガラスを高純度化処理できる。
また、次に説明するように、磁界とともに電圧を印加することで遷移金属より磁性の弱いアルカリ金属（例えばナトリウムやカリウム）も効果的に移動させることができる。
In the above purification method using the difference in magnetic susceptibility between glass and impurities, a transition metal (for example, iron or nickel), which is a ferromagnetic material, can be unevenly distributed particularly easily and effectively. Moreover, since it is easy to move an impurity rapidly compared with the case where it refines only by voltage application, glass can be purified highly efficiently.
In addition, as will be described below, by applying a voltage together with a magnetic field, an alkali metal (for example, sodium or potassium) that is weaker than a transition metal can also be effectively moved.
図６に要部を示すガラス体の高純度化装置３は、図１に示した高純度化装置１の構成に加えて、ガラスロッドＧに電圧を印加する電圧印加手段である電極１５，１６を備えている。電極１５，１６は、ガラスロッドＧの長手方向の両端部に接触するように配置されている。電極１５，１６には直流電源が接続され、本実施形態では電極１５が陰極、電極１６が陽極とされている。電極１５，１６の材質は、ガラスロッドＧに接触することを考慮すると表面処理グラファイトであることが好ましい。表面処理グラファイトの具体例としては、表面に熱分解炭素（ＰｙＣ）、金属炭化物（ＮｂＣ，ＴａＣ，ＴｉＣ，ＺｒＣ）、または炭化ケイ素（ＳｉＣ）が設けられたグラファイトを好適に挙げることができる。このような表面処理グラファイトを用いることで、電極１５，１６からガラスロッドＧに不純物が侵入することを防止できる。 The glass body high-purification device 3 whose main part is shown in FIG. 6 has electrodes 15 and 16 which are voltage application means for applying a voltage to the glass rod G in addition to the configuration of the high-purification device 1 shown in FIG. It has. The electrodes 15 and 16 are disposed so as to be in contact with both ends of the glass rod G in the longitudinal direction. A direct current power source is connected to the electrodes 15 and 16. In this embodiment, the electrode 15 is a cathode and the electrode 16 is an anode. In consideration of contact with the glass rod G, the material of the electrodes 15 and 16 is preferably surface-treated graphite. Specific examples of the surface-treated graphite include graphite having a surface provided with pyrolytic carbon (PyC), metal carbide (NbC, TaC, TiC, ZrC), or silicon carbide (SiC). By using such surface-treated graphite, impurities can be prevented from entering the glass rod G from the electrodes 15 and 16.
これらの電極１５，１６により、ガラスロッドＧには電圧が印加されるとともに、電極１６に接触する側から電極１５に接触する側に向けて（図中、下から上へ）負の電圧勾配が発生する。この電圧勾配により、陽イオン化した不純物Ｃが陰極である電極１５に接触したガラスロッドＧの長手方向端部側に移動する。そして、この電圧の印加を一定時間継続することによって、電極１５に接触したガラスロッドＧの端部近傍の一部分に不純物Ｃを偏在させることができる。
なお、印加する電圧は、１ｋＶ〜５０ｋＶの範囲内の直流電圧が好ましい。
A voltage is applied to the glass rod G by these electrodes 15 and 16, and a negative voltage gradient is generated from the side in contact with the electrode 16 to the side in contact with the electrode 15 (from bottom to top in the figure). Occur. Due to this voltage gradient, the cationized impurity C moves to the end in the longitudinal direction of the glass rod G in contact with the electrode 15 serving as the cathode. Then, by continuing the application of this voltage for a certain period of time, the impurity C can be unevenly distributed in a part near the end of the glass rod G that is in contact with the electrode 15.
The applied voltage is preferably a DC voltage within a range of 1 kV to 50 kV.
また、ヒータ１１によってガラスロッドＧを加熱すると、電圧勾配による不純物イオンの移動作用が促進される。ガラスロッドＧが加熱されて温度が上昇するにしたがって、ガラスロッドＧ内に含まれる不純物イオンの熱拡散係数が上がり、電圧勾配が負となっている方向に移動しやすくなる。 Moreover, when the glass rod G is heated by the heater 11, the movement action of the impurity ions due to the voltage gradient is promoted. As the glass rod G is heated and the temperature rises, the thermal diffusion coefficient of impurity ions contained in the glass rod G increases, and it becomes easier to move in the direction in which the voltage gradient is negative.
ガラスロッドＧの加熱温度が低い状態では、電極１５，１６から不純物がガラスロッドＧ内に混入しにくく、電極１５，１６として用いる材質を選定する際の自由度が広くなる。ただし、電圧を印加する処理時間を長く設ける必要が生じたり、不純物イオンの種類によっては、ガラスロッドＧ内を移動させることが困難になったりする。
ガラスロッドＧの加熱温度が高い状態では、電圧を印加する処理時間を短くすることができる。ただし、ガラスロッドＧが変形しやすくなるとともに、電極１５，１６の材質によっては、不純物がガラスロッドＧ内に混入しやすくなる。
In the state where the heating temperature of the glass rod G is low, impurities are not easily mixed into the glass rod G from the electrodes 15 and 16, and the degree of freedom in selecting the material used as the electrodes 15 and 16 is widened. However, it is necessary to provide a long processing time for applying the voltage, or it may be difficult to move the glass rod G depending on the type of impurity ions.
When the heating temperature of the glass rod G is high, the processing time for applying the voltage can be shortened. However, the glass rod G is easily deformed and impurities are easily mixed into the glass rod G depending on the material of the electrodes 15 and 16.
電圧勾配による不純物Ｃの移動は、ガラスロッドＧを４５０℃以上となるように加熱すればアルカリ金属イオンの移動が容易であり、６００℃以上とすれば２価の金属イオン（Ｃｕ２＋等）の移動が概ね容易であり、９００℃以上の温度であれば鉄イオン（Ｆｅ３＋）やニッケルイオン（Ｎｉ２＋）の移動が容易である。なお、ここで基準とする温度は、ガラスロッドＧの表面温度である。 The movement of the impurity C due to the voltage gradient facilitates the movement of alkali metal ions if the glass rod G is heated to 450 ° C. or higher, and if the glass rod G is heated to 600 ° C. or higher, divalent metal ions (Cu 2+, etc.) move. The movement is generally easy, and if the temperature is 900 ° C. or higher, the movement of iron ions (Fe 3+ ) and nickel ions (Ni 2+ ) is easy. Here, the reference temperature is the surface temperature of the glass rod G.
また、ガラスロッドＧに発生させる電圧勾配の方向は、如何なる方向であっても良いが、上記の実施形態のように、磁界勾配の方向と電圧勾配の方向が一致していることが好ましい。これにより、磁界勾配と電圧勾配の相乗作用によって非常に効果的に不純物を移動させることができる。さらに、偏在させる箇所を一箇所に集中させることができる。また、電圧勾配による不純物Ｃの移動後、不純物Ｃが偏在した箇所を除く領域において、ナトリウム及びカリウムの濃度を、それぞれ１０重量ｐｐｂ以下とすることができる。
また、磁界とともに電圧を印加した場合でも、偏在した不純物を含む部分を除去すると良い。
The direction of the voltage gradient generated in the glass rod G may be any direction, but it is preferable that the direction of the magnetic field gradient and the direction of the voltage gradient coincide with each other as in the above embodiment. Thereby, the impurities can be moved very effectively by the synergistic action of the magnetic field gradient and the voltage gradient. Furthermore, the unevenly distributed locations can be concentrated in one location. In addition, after the movement of the impurity C due to the voltage gradient, the concentration of sodium and potassium can be 10 wt ppb or less in each region except for the portion where the impurity C is unevenly distributed.
Further, even when a voltage is applied together with a magnetic field, a portion including unevenly distributed impurities is preferably removed.
なお、ガラスロッドＧに径方向の電圧を印加しても良い。その形態を、図７に示す。
図７に要部を示すガラス体の高純度化装置４は、陽極である電極１８と、陰極である電極１７とが、対向するようにガラスロッドＧの外周面に接触して配置されている。これにより、ガラスロッドＧには、電圧勾配の方向がガラスロッドＧの略径方向となる電圧が印加される。また、電圧勾配は、電極１８が接触する側から電極１７が接触する側に向けて負の勾配となっており、この勾配に沿って不純物Ｃが移動する。
A radial voltage may be applied to the glass rod G. The form is shown in FIG.
In the glass body purification apparatus 4 shown in FIG. 7, the electrode 18 as an anode and the electrode 17 as a cathode are arranged in contact with the outer peripheral surface of the glass rod G so as to face each other. . As a result, a voltage is applied to the glass rod G such that the direction of the voltage gradient is substantially the radial direction of the glass rod G. Further, the voltage gradient is a negative gradient from the side in contact with the electrode 18 to the side in contact with the electrode 17, and the impurity C moves along this gradient.
また、図７に要部を示すガラス体の高純度化装置４では、図４に示したような対のマグネット１３，１４により、電圧勾配の方向と同じ径方向に直流の磁界を印加する。これにより、磁界勾配と電圧勾配の相乗作用によって非常に効果的に不純物を移動させることができる。 Further, in the glass body purification apparatus 4 whose main part is shown in FIG. 7, a DC magnetic field is applied in the same radial direction as the voltage gradient direction by the pair of magnets 13 and 14 as shown in FIG. Thereby, the impurities can be moved very effectively by the synergistic action of the magnetic field gradient and the voltage gradient.
また、磁界の印加とともに電圧の印加も行う場合には、直流磁界の代わりに交流磁界を印加しても良い。その場合、交流磁界の作用だけでは不純物の移動を行うことはできないが、交流磁界の印加により不純物イオンが励起されるため、電圧による不純物の移動作用を大きくすることができる。 In addition, when a voltage is applied together with a magnetic field, an AC magnetic field may be applied instead of a DC magnetic field. In that case, the movement of the impurity cannot be performed only by the action of the AC magnetic field, but since the impurity ions are excited by the application of the AC magnetic field, the action of moving the impurity by the voltage can be increased.
交流磁界と電圧を印加する形態の一例を、図８に示す。
図８に要部を示すガラス体の高純度化装置５は、磁界印加手段として図４に示した１対の円板型のマグネット１３，１４を備えている。これらのマグネット１３，１４によって、ヒータ１１及び断熱材１２の中心軸と略直交する方向に沿った磁力線Ｍに示すように、ヒータ１１の内側に配置されたガラスロッドＧに交流の磁界を発生させて、ガラスロッドＧ中に含まれた不純物イオンを励起することができる。
また、ガラス体の高純度化装置５は、図６に示した電極１５，１６を備えている。これらの電極１５，１６により、ガラスロッドＧには電圧が印加されるとともに、電極１６に接触する側から電極１５に接触する側に向けて（図中、下から上へ）負の電圧勾配が発生する。そして、交流磁界の印加により励起された不純物Ｃが、電圧勾配によって電極１５に接触したガラスロッドＧの長手方向端部側に移動する。
An example of a mode in which an alternating magnetic field and voltage are applied is shown in FIG.
The glass body high-purity device 5 shown in FIG. 8 includes a pair of disk-type magnets 13 and 14 shown in FIG. 4 as magnetic field applying means. These magnets 13 and 14 cause an alternating magnetic field to be generated in the glass rod G disposed inside the heater 11 as indicated by a magnetic force line M along a direction substantially orthogonal to the central axis of the heater 11 and the heat insulating material 12. Thus, the impurity ions contained in the glass rod G can be excited.
Further, the glass body purification apparatus 5 includes the electrodes 15 and 16 shown in FIG. A voltage is applied to the glass rod G by these electrodes 15 and 16, and a negative voltage gradient is generated from the side in contact with the electrode 16 to the side in contact with the electrode 15 (from bottom to top in the figure). Occur. And the impurity C excited by the application of an alternating magnetic field moves to the longitudinal direction edge part side of the glass rod G which contacted the electrode 15 with the voltage gradient.
なお、高純度化を行う対象物のガラス体は、上記のような円柱状のガラスロッドに限られず、角柱状のガラスロッドや、さらには孔を有するガラスパイプであっても良い。磁界や電圧をガラス体の長手方向や径方向に印加する形態は、上記の実施形態と同様である。
また、ガラスパイプの外周面側あるいは内周面側に不純物を偏在させる場合には、図９に示すように、ガラスパイプＧ１の内周面側に配置した電極２０と外周面側に配置した円筒状の電極１９から電圧を印加すると良い。このとき、内周面側の電極２０を陽極とし、外周面側の電極１９を陰極とすることで、ガラスパイプＧ１に内周面側から外周面側に負の電圧勾配を発生させて、不純物Ｃを外周面側に移動させることができる。一方、内周面側の電極２０を陰極とし、外周面側の電極１９を陽極とすることで、ガラスパイプＧ１に外周面側から内周面側に負の電圧勾配を発生させて、不純物Ｃを内周面側に移動させることができる。
Note that the glass body of the object to be purified is not limited to the cylindrical glass rod as described above, but may be a prismatic glass rod or a glass pipe having holes. The form which applies a magnetic field and a voltage to the longitudinal direction and radial direction of a glass body is the same as that of said embodiment.
When impurities are unevenly distributed on the outer peripheral surface side or inner peripheral surface side of the glass pipe, as shown in FIG. 9, the electrode 20 disposed on the inner peripheral surface side of the glass pipe G1 and the cylinder disposed on the outer peripheral surface side. A voltage may be applied from the electrode 19 having a shape. At this time, by using the electrode 20 on the inner peripheral surface side as an anode and the electrode 19 on the outer peripheral surface side as a cathode, a negative voltage gradient is generated in the glass pipe G1 from the inner peripheral surface side to the outer peripheral surface side. C can be moved to the outer peripheral surface side. On the other hand, by using the electrode 20 on the inner peripheral surface side as a cathode and the electrode 19 on the outer peripheral surface side as an anode, a negative voltage gradient is generated from the outer peripheral surface side to the inner peripheral surface side in the glass pipe G1, and the impurity C Can be moved to the inner peripheral surface side.
また、図９に要部を示すガラス体の高純度化装置６では、図４に示したような対のマグネット１３，１４により、ガラスパイプＧ１の径方向に直流または交流の磁界を印加する。直流の磁界を印加した場合には、遷移金属（例えば鉄やニッケル）が磁界勾配に沿ってガラスパイプＧ１の外周面の一側部へ移動し、アルカリ金属（例えばナトリウムやカリウム）は電圧勾配に沿ってガラスパイプＧ１の外周面側または内周面側に移動する。交流の磁界を印加した場合には、不純物Ｃは磁界により励起され電圧勾配に沿ってガラスパイプＧ１の外周面側または内周面側に非常に効果的に移動する。 Further, in the glass body purification apparatus 6 whose main part is shown in FIG. 9, a pair of magnets 13 and 14 as shown in FIG. 4 applies a direct or alternating magnetic field in the radial direction of the glass pipe G1. When a DC magnetic field is applied, the transition metal (for example, iron or nickel) moves to one side of the outer peripheral surface of the glass pipe G1 along the magnetic field gradient, and the alkali metal (for example, sodium or potassium) has a voltage gradient. Along the outer peripheral surface side or the inner peripheral surface side of the glass pipe G1. When an alternating magnetic field is applied, the impurity C is excited by the magnetic field and moves very effectively to the outer peripheral surface side or the inner peripheral surface side of the glass pipe G1 along the voltage gradient.
また、上記の実施形態では、電極をガラス体に接触させて電圧を印加する構成としたが、非接触で電圧を印加することもできる。その場合、電極とガラス体との間にアルゴン等の希ガスや窒素ガスを供給すると良い。 In the above embodiment, the voltage is applied by bringing the electrode into contact with the glass body. However, the voltage can be applied in a non-contact manner. In that case, a rare gas such as argon or nitrogen gas may be supplied between the electrode and the glass body.
次に、本発明に係る実施例について説明する。
図４及び図５に示した形態により、円柱状のガラスロッドに側方から直流磁界を印加し、高純度化処理を行う。使用するガラスロッドは、天然の石英ガラスからなり、直径は３０ｍｍ、長さは３００ｍｍである。また、ガラスロッドを表面温度が１０００℃となるように加熱する。印加する磁界の強さは１０Ｔとし、印加する時間は３時間とする。
磁界の印加後、ガラスロッドの外周の一部分に偏在した不純物を含む部分を除去する。除去する部分以外の不純物濃度（単位：重量ｐｐｂ）を磁界の印加前と印加後で比較すると、次に示す表１のようになる。
Next, examples according to the present invention will be described.
According to the embodiment shown in FIGS. 4 and 5, a DC magnetic field is applied to the cylindrical glass rod from the side to perform the purification process. The glass rod used is made of natural quartz glass and has a diameter of 30 mm and a length of 300 mm. Further, the glass rod is heated so that the surface temperature becomes 1000 ° C. The strength of the magnetic field to be applied is 10T, and the application time is 3 hours.
After the application of the magnetic field, a portion including impurities that are unevenly distributed on a portion of the outer periphery of the glass rod is removed. Table 1 below shows a comparison of the impurity concentration (unit: weight ppb) other than the portion to be removed before and after application of the magnetic field.
表１に示すように、ガラスロッドに直流磁界を印加することによって鉄とニッケルを偏在させ、除去できることが判る。そして、鉄とニッケルの濃度が何れも１０重量ｐｐｂ以下の高純度のガラスロッドを得られることが判る。 As shown in Table 1, it can be seen that iron and nickel can be unevenly distributed by applying a DC magnetic field to the glass rod. And it turns out that the density | concentration of both iron and nickel can obtain the high purity glass rod below 10 weight ppb.
実施例１と同様のガラスロッドに対し、図６に示した形態により、磁界及び電圧の印加を行う。また、ガラスロッドを表面温度が１１００℃となるように加熱する。印加する磁界は１０Ｔとし、印加する電圧は１０ｋＶの直流電圧とし、印加する時間は３０時間とする。
磁界及び電圧の印加後、ガラスロッドの外周の一部分に偏在した不純物を含む部分を除去する。除去する部分以外の不純物濃度（単位：重量ｐｐｂ）を磁界の印加前と印加後で比較すると、次に示す表２のようになる。
A magnetic field and a voltage are applied to the same glass rod as in Example 1 in the form shown in FIG. Further, the glass rod is heated so that the surface temperature becomes 1100 ° C. The applied magnetic field is 10T, the applied voltage is a DC voltage of 10 kV, and the application time is 30 hours.
After application of the magnetic field and voltage, the portion including impurities that are unevenly distributed on a portion of the outer periphery of the glass rod is removed. The impurity concentration (unit: weight ppb) other than the portion to be removed is compared as shown in Table 2 below before and after the application of the magnetic field.
表２に示すように、ガラスロッドに直流磁界及び直流電圧を印加することによって、鉄、ニッケル、ナトリウム、カリウムを偏在させ、除去できることが判る。そして、鉄、ニッケル、ナトリウム、カリウムの濃度が何れも１０重量ｐｐｂ以下の高純度のガラスロッドを得られることが判る。 As shown in Table 2, it can be seen that iron, nickel, sodium, and potassium can be unevenly distributed by applying a DC magnetic field and a DC voltage to the glass rod. And it turns out that the concentration of iron, nickel, sodium, and potassium can obtain a high-purity glass rod in which all are 10 weight ppb or less.
実施例１で使用するガラスロッドとは別の天然の石英ガラスからなるガラスロッドに対し、図８に示した形態により、直径３０ｍｍ、長さ３００ｍｍの円柱状のガラスロッドに側方から交流磁界を印加し、同時にガラスロッドの長手方向に電圧の印加も行う。また、ガラスロッドを表面温度が１０００℃となるように加熱する。印加する磁界は１０Ｔとし、印加する電圧は１０ｋＶの直流電圧とし、印加する時間は８０時間とする。本実施例では、交流磁界を印加して、鉄またはニッケルとガラスのネットワーク構造との結合から鉄またはニッケルを分離し、直流電圧によりガラスロッドの長手方向に不純物を移動させて、不純物を偏在させる。
磁界及び電圧の印加後、ガラスロッドの一部分に偏在した不純物を含む部分を除去する。除去する部分以外の不純物濃度（単位：重量ｐｐｂ）を磁界の印加前と印加後で比較すると、次に示す表３のようになる。
With respect to a glass rod made of natural quartz glass different from the glass rod used in Example 1, an AC magnetic field is applied from the side to a cylindrical glass rod having a diameter of 30 mm and a length of 300 mm according to the form shown in FIG. At the same time, a voltage is also applied in the longitudinal direction of the glass rod. Further, the glass rod is heated so that the surface temperature becomes 1000 ° C. The applied magnetic field is 10T, the applied voltage is a DC voltage of 10 kV, and the application time is 80 hours. In this embodiment, an alternating magnetic field is applied to separate iron or nickel from the bond between iron or nickel and the glass network structure, and the impurities are moved in the longitudinal direction of the glass rod by a direct current voltage, so that the impurities are unevenly distributed. .
After application of the magnetic field and voltage, the portion including impurities unevenly distributed in a portion of the glass rod is removed. Table 3 below shows a comparison of the impurity concentration (unit: weight ppb) other than the portion to be removed before and after application of the magnetic field.
表３に示すように、ガラスロッドＧに交流磁界及び直流電圧を印加することによって、鉄、ニッケル、ナトリウム、カリウムを偏在させ、除去できることが判る。そして、鉄、ニッケル、ナトリウム、カリウムの濃度が何れも１０重量ｐｐｂ以下の高純度のガラスロッドを得られることが判る。 As shown in Table 3, it can be seen that by applying an AC magnetic field and a DC voltage to the glass rod G, iron, nickel, sodium and potassium can be unevenly distributed and removed. And it turns out that the concentration of iron, nickel, sodium, and potassium can obtain a high-purity glass rod in which all are 10 weight ppb or less.
円筒形状の合成石英パイプに対し、図６に示した形態により、磁界及び電圧の印加を行う。使用する合成石英パイプは、外径は３０ｍｍ、内径１０ｍｍ、長さは３００ｍｍである。また、ガラスロッドを表面温度が１０００℃となるように加熱する。印加する磁界は１０Ｔとし、印加する電圧は１０ｋＶの直流電圧とし、印加する時間は３０時間とする。
磁界及び電圧の印加後、ガラスロッドの外周の一部分に偏在した不純物を含む部分を除去する。除去する部分以外の不純物濃度（単位：重量ｐｐｂ）を磁界の印加前と印加後で比較すると、次に示す表４のようになる。
A magnetic field and voltage are applied to the cylindrical synthetic quartz pipe in the form shown in FIG. The synthetic quartz pipe used has an outer diameter of 30 mm, an inner diameter of 10 mm, and a length of 300 mm. Further, the glass rod is heated so that the surface temperature becomes 1000 ° C. The applied magnetic field is 10T, the applied voltage is a DC voltage of 10 kV, and the application time is 30 hours.
After application of the magnetic field and voltage, the portion including impurities that are unevenly distributed on a portion of the outer periphery of the glass rod is removed. Table 4 below shows a comparison of the impurity concentration (unit: weight ppb) other than the portion to be removed before and after application of the magnetic field.
表４に示すように、合成石英パイプに直流磁界及び直流電圧を印加することによって、鉄、ニッケル、ナトリウム、カリウムを偏在させ、除去できることが判る。そして、鉄、ニッケル、ナトリウム、カリウムの濃度が何れも１重量ｐｐｂ未満の高純度のガラスパイプを得られることが判る。 As shown in Table 4, it can be seen that iron, nickel, sodium, and potassium can be unevenly distributed by applying a DC magnetic field and a DC voltage to the synthetic quartz pipe. It can be seen that a high-purity glass pipe having iron, nickel, sodium and potassium concentrations of less than 1 weight ppb can be obtained.
１，２，３，４，５，６ ガラス体の高純度化装置
１０ マグネット（磁界印加手段）
１１ ヒータ（加熱手段）
１２ 断熱材
１３，１４ マグネット（磁界印加手段）
１５，１６，１７，１８，１９，２０ 電極（電圧印加手段）
Ｇ ガラスロッド
Ｇ１ ガラスパイプ
1,2,3,4,5,6 Glass body purification apparatus 10 Magnet (magnetic field applying means)
11 Heater (heating means)
12 Thermal insulation materials 13 and 14 Magnet (magnetic field application means)
15, 16, 17, 18, 19, 20 Electrode (voltage application means)
G Glass rod G1 Glass pipe
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| WO2007049811A1 (en) * | 2005-10-28 | 2007-05-03 | Japan Super Quartz Corporation | Method for purification of silica particles, purifier, and purified silica particles |
| EP3413041A1 (en) * | 2017-06-09 | 2018-12-12 | Hitachi-Ge Nuclear Energy, Ltd. | Lagging material |
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| US7935326B2 (en) | 2005-10-28 | 2011-05-03 | Japan Super Quartz Corporation | Method for purification of silica particles, purifier, and purified silica particles |
| US8506890B2 (en) | 2005-10-28 | 2013-08-13 | Japan Super Quartz Corporation | Method for purification of silica particles, purifier, and purified silica particles |
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