JP2005222826A - 異方導電性シートの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 小さい加圧力で加圧しても、電気抵抗値が低くて安定な導電性を示す異方導電性シートを製造することができる方法を提供する。
【解決手段】 本発明の異方導電性シートの製造方法は、硬化されて絶縁性の弾性高分子物質となる液状の高分子形成材料中に導電性粒子が含有されてなる導電性材料層に対して、その厚み方向に磁場を作用させることにより、導電性粒子を当該導電性材料層の厚み方向に配向させる工程を有し、この工程において、前記導電性材料層に対する磁場の作用を停止した後、再度、当該導電性材料層に対して磁場を作用させる操作を少なくとも１回行うことを特徴とする。
【選択図】 図７
【解決手段】 本発明の異方導電性シートの製造方法は、硬化されて絶縁性の弾性高分子物質となる液状の高分子形成材料中に導電性粒子が含有されてなる導電性材料層に対して、その厚み方向に磁場を作用させることにより、導電性粒子を当該導電性材料層の厚み方向に配向させる工程を有し、この工程において、前記導電性材料層に対する磁場の作用を停止した後、再度、当該導電性材料層に対して磁場を作用させる操作を少なくとも１回行うことを特徴とする。
【選択図】 図７
Description
本発明は、異方導電性シートの製造方法に関し、更に詳しくはウエハに形成された集積回路などの回路装置の電気的検査に好適に用いることができる異方導電性シートの製造方法に関する。
異方導電性エラストマーシートは、厚み方向にのみ導電性を示すもの、または厚み方向に加圧されたときに厚み方向にのみ導電性を示す加圧導電性導電部を有するものであり、ハンダ付けあるいは機械的嵌合などの手段を用いずにコンパクトな電気的接続を達成することが可能であること、機械的な衝撃やひずみを吸収してソフトな接続が可能であることなどの特長を有するため、このような特長を利用して、例えば電子計算機、電子式デジタル時計、電子カメラ、コンピューターキーボードなどの分野において、回路装置、例えばプリント回路基板とリードレスチップキャリアー、液晶パネルなどとの相互間の電気的な接続を達成するためのコネクターとして広く用いられている。
また、パッケージＩＣ、ＭＣＭ等の半導体集積回路装置、集積回路が形成されたウエハ、プリント回路基板などの回路装置の電気的検査においては、検査対象である回路装置の一面に形成された被検査電極と、検査用回路基板の表面に形成された検査用電極との電気的な接続を達成するために、電気回路部品の被検査電極領域と検査用回路基板の検査用電極領域との間に異方導電性エラストマーシートを介在させることが行われている。
従来、このような異方導電性エラストマーシートとしては、種々の構造のものが知られており、例えば特許文献１等には、磁性を示す導電性粒子をエラストマー中に厚み方向に並ぶよう配向した状態で分散させて得られる異方導電性エラストマーシート（以下、これを「分散型異方導電性シート」という。）が開示され、また、特許文献２等には、磁性を示す導電性粒子をエラストマー中に不均一に分布させることにより、厚み方向に伸びる多数の導電路形成部と、これらを相互に絶縁する絶縁部とが形成されてなる異方導電性エラストマーシート（以下、これを「偏在型異方導電性シート」という。）が開示され、更に、特許文献３等には、導電路形成部の表面と絶縁部との間に段差が形成された偏在型異方導電性シートが開示されている。
これらの異方導電性エラストマーシートにおいては、弾性高分子物質中に導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されて導電性粒子の連鎖が形成されており、この導電性粒子の連鎖によって導電路が形成される。
このような異方導電性エラストマーシートは、従来、硬化されて弾性高分子物質となる高分子物質形成材料中に磁性を示す導電性粒子が分散されてなる導電性材料層に対して、その厚み方向に磁場を作用させることにより、当該導電性材料層中の導電性粒子を厚み方向に並ぶよう配向させ、次いで、導電性材料層に対する磁場の作用を停止した後または磁場の作用を継続しながら、当該導電性材料層を硬化処理する工程を経由して製造されている。
これらの異方導電性エラストマーシートにおいては、弾性高分子物質中に導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されて導電性粒子の連鎖が形成されており、この導電性粒子の連鎖によって導電路が形成される。
このような異方導電性エラストマーシートは、従来、硬化されて弾性高分子物質となる高分子物質形成材料中に磁性を示す導電性粒子が分散されてなる導電性材料層に対して、その厚み方向に磁場を作用させることにより、当該導電性材料層中の導電性粒子を厚み方向に並ぶよう配向させ、次いで、導電性材料層に対する磁場の作用を停止した後または磁場の作用を継続しながら、当該導電性材料層を硬化処理する工程を経由して製造されている。
しかしながら、従来の異方導電性エラストマーシートの製造方法においては、以下のような問題があることが判明した。
小さい加圧力で高い導電性を示す異方導電性シートを製造するためには、導電性材料層に対して磁場を作用させる工程において、厚み方向すなわち導電性材料層の表面に対して垂直な方向に導電性粒子の連鎖を形成することが肝要である。
然るに、磁場を作用させる前の導電性材料層においては、導電性粒子が当該導電性材料層中に均一に分散した状態で存在するため、導電性材料層の厚み方向に磁場を作用させても、図２６に示すように、導電性粒子Ｐの連鎖は、導電性材料層８０の厚み方向のみならず、厚み方向に対して傾斜した方向にも形成されてしまう。しかも、この状態においては、磁気力学的に安定で、個々の導電性粒子が磁気力によって拘束されているため、磁場の作用を継続しても、導電性粒子が厚み方向に連鎖を形成するよう移動することがない。そして、この状態で、導電性材料層８０が硬化処理されることにより、得られる異方導電性シートは、導電性粒子の連鎖が厚み方向に対して傾斜した方向にも形成されたものとなり、そのため、小さい加圧力で高い導電性を得ることが困難となる。
また、分散型異方導電性シートにおいては、導電性粒子の連鎖が厚み方向に対して傾斜した方向に形成されている場合には、高い分解能、すなわち隣接する電極間に必要な絶縁性が確保された状態で当該電極の各々に対する電気的な接続を高い信頼性で達成する性能を得ることが困難である。
小さい加圧力で高い導電性を示す異方導電性シートを製造するためには、導電性材料層に対して磁場を作用させる工程において、厚み方向すなわち導電性材料層の表面に対して垂直な方向に導電性粒子の連鎖を形成することが肝要である。
然るに、磁場を作用させる前の導電性材料層においては、導電性粒子が当該導電性材料層中に均一に分散した状態で存在するため、導電性材料層の厚み方向に磁場を作用させても、図２６に示すように、導電性粒子Ｐの連鎖は、導電性材料層８０の厚み方向のみならず、厚み方向に対して傾斜した方向にも形成されてしまう。しかも、この状態においては、磁気力学的に安定で、個々の導電性粒子が磁気力によって拘束されているため、磁場の作用を継続しても、導電性粒子が厚み方向に連鎖を形成するよう移動することがない。そして、この状態で、導電性材料層８０が硬化処理されることにより、得られる異方導電性シートは、導電性粒子の連鎖が厚み方向に対して傾斜した方向にも形成されたものとなり、そのため、小さい加圧力で高い導電性を得ることが困難となる。
また、分散型異方導電性シートにおいては、導電性粒子の連鎖が厚み方向に対して傾斜した方向に形成されている場合には、高い分解能、すなわち隣接する電極間に必要な絶縁性が確保された状態で当該電極の各々に対する電気的な接続を高い信頼性で達成する性能を得ることが困難である。
更に、偏在型異方導電性シートの製造方法においては、以下のような問題がある。
偏在型異方導電性シートの製造プロセスにおいては、図２７に示すように、基板９１上に、形成すべき導電路形成部と同一のパターンに従って強磁性体層９２が形成され、それ以外の領域に非磁性体層９３が形成されてなる上型９０と、基板９６上に、上型９０の強磁性体層９２と対掌なパターンに従って強磁性体層９７が形成され、それ以外の領域に非磁性体層９８が配置されてなる下型９５との間に、硬化されて弾性高分子物質となる高分子形成材料中に磁性を示す導電性粒子Ｐが分散されてなる導電性材料層８０を形成する。次いで、上型９０の上面および下型９５の下面に一対の電磁石（図示せず）を配置してこれを作動させることにより、導電性材料層８０における上型９０の強磁性体層９２と下型９５の強磁性体層９７との間に位置する部分に、それ以外の部分より大きい強度の磁場を作用させる。その結果、導電性材料層８０中に分散されていた導電性粒子Ｐが、上型９０の強磁性体層９２と下型９５の強磁性体層９７との間に位置する部分すなわち導電路形成部となる部分に集合すると共に、厚み方向に並ぶよう配向する。そして、この状態で、導電性材料層８０の硬化処理が行われる。
然るに、導電性材料層８０における、互いに隣接する導電路形成部となる部分の間の中央位置に存在する導電性粒子Ｐは、当該導電性粒子Ｐに作用する磁場のバランスにより、導電路形成部となる部分に向かって移動せずに滞留することがあり、このような導電性粒子Ｐに他の導電性粒子Ｐが連なることにより、図２８に示すように、上型９０の強磁性体層９２とこれに対応する下型９５の強磁性体層９７に隣接する強磁性体層９７との間に、導電性粒子Ｐの連鎖が形成され、その結果、隣接する導電路形成部間に所要の絶縁性が確保された異方導電性シートを得ることが困難となる。このような現象は、導電路形成部のピッチが小さければ小さい程、顕著である。
偏在型異方導電性シートの製造プロセスにおいては、図２７に示すように、基板９１上に、形成すべき導電路形成部と同一のパターンに従って強磁性体層９２が形成され、それ以外の領域に非磁性体層９３が形成されてなる上型９０と、基板９６上に、上型９０の強磁性体層９２と対掌なパターンに従って強磁性体層９７が形成され、それ以外の領域に非磁性体層９８が配置されてなる下型９５との間に、硬化されて弾性高分子物質となる高分子形成材料中に磁性を示す導電性粒子Ｐが分散されてなる導電性材料層８０を形成する。次いで、上型９０の上面および下型９５の下面に一対の電磁石（図示せず）を配置してこれを作動させることにより、導電性材料層８０における上型９０の強磁性体層９２と下型９５の強磁性体層９７との間に位置する部分に、それ以外の部分より大きい強度の磁場を作用させる。その結果、導電性材料層８０中に分散されていた導電性粒子Ｐが、上型９０の強磁性体層９２と下型９５の強磁性体層９７との間に位置する部分すなわち導電路形成部となる部分に集合すると共に、厚み方向に並ぶよう配向する。そして、この状態で、導電性材料層８０の硬化処理が行われる。
然るに、導電性材料層８０における、互いに隣接する導電路形成部となる部分の間の中央位置に存在する導電性粒子Ｐは、当該導電性粒子Ｐに作用する磁場のバランスにより、導電路形成部となる部分に向かって移動せずに滞留することがあり、このような導電性粒子Ｐに他の導電性粒子Ｐが連なることにより、図２８に示すように、上型９０の強磁性体層９２とこれに対応する下型９５の強磁性体層９７に隣接する強磁性体層９７との間に、導電性粒子Ｐの連鎖が形成され、その結果、隣接する導電路形成部間に所要の絶縁性が確保された異方導電性シートを得ることが困難となる。このような現象は、導電路形成部のピッチが小さければ小さい程、顕著である。
本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものであって、その第１の目的は、小さい加圧力で加圧しても、電気抵抗値が低くて安定な導電性を示す異方導電性シートを製造することができる方法を提供することにある。
本発明の第２の目的は、導電性粒子が厚み方向に配向した状態で含有されてなる複数の導電路形成部と、これらの導電路形成部を相互に絶縁する絶縁部とを有する異方導電性シートの製造方法であって、小さい加圧力で加圧しても、電気抵抗値が低くて安定な導電性を示し、しかも、導電路形成部のピッチが小さいものであっても、隣接する導電路形成部間に所要の絶縁性が確実に得られる異方導電性シートを製造することができる方法を提供することにある。
本発明の第３の目的は、導電性粒子が厚み方向に配向した状態で含有されてなる異方導電性シートの製造方法であって、小さい加圧力で加圧しても、電気抵抗値が低くて安定な導電性を示し、しかも、高い分解能を有する異方導電性シートを製造することができる方法を提供することにある。
本発明の第２の目的は、導電性粒子が厚み方向に配向した状態で含有されてなる複数の導電路形成部と、これらの導電路形成部を相互に絶縁する絶縁部とを有する異方導電性シートの製造方法であって、小さい加圧力で加圧しても、電気抵抗値が低くて安定な導電性を示し、しかも、導電路形成部のピッチが小さいものであっても、隣接する導電路形成部間に所要の絶縁性が確実に得られる異方導電性シートを製造することができる方法を提供することにある。
本発明の第３の目的は、導電性粒子が厚み方向に配向した状態で含有されてなる異方導電性シートの製造方法であって、小さい加圧力で加圧しても、電気抵抗値が低くて安定な導電性を示し、しかも、高い分解能を有する異方導電性シートを製造することができる方法を提供することにある。
本発明の異方導電性シートの製造方法は、硬化されて絶縁性の弾性高分子物質となる液状の高分子形成材料中に導電性粒子が含有されてなる導電性材料層に対して、その厚み方向に磁場を作用させることにより、導電性粒子を当該導電性材料層の厚み方向に配向させる工程を有し、
この工程において、前記導電性材料層に対する磁場の作用を停止した後、再度、当該導電性材料層に対して磁場を作用させる操作を少なくとも１回行うことを特徴とする。
この工程において、前記導電性材料層に対する磁場の作用を停止した後、再度、当該導電性材料層に対して磁場を作用させる操作を少なくとも１回行うことを特徴とする。
また、本発明の異方導電性シートの製造方法は、絶縁性の弾性高分子物質中に磁性を示す導電性粒子が厚み方向に配向した状態で含有されてなる複数の導電路形成部と、これらの導電路形成部を相互に絶縁する絶縁性の弾性高分子物質よりなる絶縁部とを有する異方導電性シートを製造する方法であって、
硬化されて絶縁性の弾性高分子物質となる液状の高分子形成材料中に導電性粒子が含有されてなる導電性材料層に対して、導電路形成部となる部分にそれ以外の部分より大きい強度の磁場を当該導電性材料層の厚み方向に作用させることにより、当該導電路形成部となる部分に導電性粒子を集合させて当該導電性材料層の厚み方向に配向させる工程を有し、
この工程において、前記導電性材料層に対する磁場の作用を停止した後、再度、当該導電性材料層に対して磁場を作用させる操作を少なくとも１回行うことを特徴とする。
硬化されて絶縁性の弾性高分子物質となる液状の高分子形成材料中に導電性粒子が含有されてなる導電性材料層に対して、導電路形成部となる部分にそれ以外の部分より大きい強度の磁場を当該導電性材料層の厚み方向に作用させることにより、当該導電路形成部となる部分に導電性粒子を集合させて当該導電性材料層の厚み方向に配向させる工程を有し、
この工程において、前記導電性材料層に対する磁場の作用を停止した後、再度、当該導電性材料層に対して磁場を作用させる操作を少なくとも１回行うことを特徴とする。
また、本発明の異方導電性シートの製造方法は、絶縁性の弾性高分子物質中に磁性を示す導電性粒子が厚み方向に配向した状態で含有されてなる異方導電性シートを製造する方法であって、
硬化されて絶縁性の弾性高分子物質となる液状の高分子形成材料中に導電性粒子が含有されてなる導電性材料層に対して、その厚み方向に磁場を作用させることにより、導電性粒子を当該導電性材料層の厚み方向に配向させる工程を有し、
この工程において、前記導電性材料層に対する磁場の作用を停止した後、再度、当該導電性材料層に対して磁場を作用させる操作を少なくとも１回行うことを特徴とする。
硬化されて絶縁性の弾性高分子物質となる液状の高分子形成材料中に導電性粒子が含有されてなる導電性材料層に対して、その厚み方向に磁場を作用させることにより、導電性粒子を当該導電性材料層の厚み方向に配向させる工程を有し、
この工程において、前記導電性材料層に対する磁場の作用を停止した後、再度、当該導電性材料層に対して磁場を作用させる操作を少なくとも１回行うことを特徴とする。
また、本発明の異方導電性シートの製造方法は、絶縁性の弾性高分子物質中に磁性を示す導電性粒子が厚み方向に配向した状態で含有されてなる複数の導電路形成部と、これらの導電路形成部を相互に絶縁する絶縁性の弾性高分子物質よりなる絶縁部とを有する異方導電性シートを製造する方法であって、
形成すべき導電路形成部のパターンに対応するパターンに従って複数の貫通孔が形成された、絶縁性の弾性高分子物質よりなる絶縁部用シート体を用意し、
この絶縁部用シート体の貫通孔の各々に充填された、硬化されて絶縁性の弾性高分子物質となる液状の高分子形成材料中に導電性粒子が含有されてなる導電性材料層に対して、その厚み方向に磁場を作用させることにより、導電性粒子を当該導電性材料層の厚み方向に配向させる工程を有し、
この工程において、前記導電性材料層に対する磁場の作用を停止した後、再度、当該導電性材料層に対して磁場を作用させる操作を少なくとも１回行うことを特徴とする。
形成すべき導電路形成部のパターンに対応するパターンに従って複数の貫通孔が形成された、絶縁性の弾性高分子物質よりなる絶縁部用シート体を用意し、
この絶縁部用シート体の貫通孔の各々に充填された、硬化されて絶縁性の弾性高分子物質となる液状の高分子形成材料中に導電性粒子が含有されてなる導電性材料層に対して、その厚み方向に磁場を作用させることにより、導電性粒子を当該導電性材料層の厚み方向に配向させる工程を有し、
この工程において、前記導電性材料層に対する磁場の作用を停止した後、再度、当該導電性材料層に対して磁場を作用させる操作を少なくとも１回行うことを特徴とする。
本発明の異方導電性シートの製造方法においては、導電性材料層に対する磁場の作用を停止した後、再度、当該導電性材料層に対して磁場を作用させる操作において、導電性材料層に再度作用させる磁場の磁束線の方向が、停止前の磁場の磁束線の方向と逆方向であることが好ましい。
また、本発明の異方導電性シートの製造方法においては、導電性材料層に対する磁場の作用を停止した後、再度、当該導電性材料層に対して磁場を作用させる操作を繰り返して行うことが好ましい。
このような製造方法においては、導電性材料層に対する磁場の作用を停止した後、再度、当該導電性材料層に対して磁場を作用させる操作を５回以上行うことが好ましい。
このような製造方法においては、導電性材料層に対する磁場の作用を停止した後、再度、当該導電性材料層に対して磁場を作用させる操作を５回以上行うことが好ましい。
本発明の異方導電性シートの製造方法によれば、導電性材料層に対する磁場の作用を一旦停止するため、この停止状態においては、導電性材料層中の個々の導電性粒子が磁気力による拘束から開放される。そして、再度、導電性材料層に対して厚み方向に磁場を作用させることにより、この動作がトリガーとなって、導電性粒子の移動が再度開始するため、導電性材料層の厚み方向に対してより忠実な方向に導電性粒子の連鎖が形成される。
このように、厚み方向に対して傾斜した方向に導電性粒子の連鎖が形成されることを抑制することができるので、小さい加圧力で加圧しても、電気抵抗値が低くて安定な導電性を示す異方導電性シートを製造することができる。
また、複数の導電路形成部が絶縁部によって相互に絶縁されてなる偏在型異方導電性シートを製造する場合には、隣接する導電路形成部間を結ぶような導電性粒子の連鎖が形成されることが防止されるので、導電路形成部のピッチが小さいものであっても、隣接する導電路形成部間に所要の絶縁性が確実に得られる異方導電性シートを製造することができる。
また、分散型異方導電性シートを製造する場合には、厚み方向に対して傾斜した方向に導電性粒子の連鎖が形成されることが抑制されるので、高い分解能を有する異方導電性シートを製造することができる。
このように、厚み方向に対して傾斜した方向に導電性粒子の連鎖が形成されることを抑制することができるので、小さい加圧力で加圧しても、電気抵抗値が低くて安定な導電性を示す異方導電性シートを製造することができる。
また、複数の導電路形成部が絶縁部によって相互に絶縁されてなる偏在型異方導電性シートを製造する場合には、隣接する導電路形成部間を結ぶような導電性粒子の連鎖が形成されることが防止されるので、導電路形成部のピッチが小さいものであっても、隣接する導電路形成部間に所要の絶縁性が確実に得られる異方導電性シートを製造することができる。
また、分散型異方導電性シートを製造する場合には、厚み方向に対して傾斜した方向に導電性粒子の連鎖が形成されることが抑制されるので、高い分解能を有する異方導電性シートを製造することができる。
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
［第１の方法］
第１の方法は、図１に示すような構成の異方導電性シート１０を製造する方法である。 異方導電性シート１０について説明すると、この異方導電性シート１０は偏在型異方導電性シートであって、接続すべき電極例えば検査対象である回路装置の被検査電極のパターンに対応するパターンに従って配置された、それぞれ厚み方向に伸びる複数の導電路形成部１１と、これらの導電路形成部１１を相互に絶縁する絶縁部１２とにより構成されている。導電路形成部１１の各々は、図２に拡大して示すように、絶縁性の弾性高分子物質Ｅ中に導電性粒子Ｐが厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されてなるものであって、厚み方向に加圧されることにより、厚み方向に導電性粒子Ｐの連鎖による導電路が形成されるものである。図示の例では、導電路形成部１１の各々は、絶縁部１２の両面の各々から突出するよう形成されている。これに対して、絶縁部１２は、絶縁性の弾性高分子物質よりなり、導電性粒子Ｐが全く或いは殆ど含有されていないものであって、厚み方向および面方向に導電性を示さないものである。
また、この例の異方導電性シートにおいては、枠状のフレーム板１５が絶縁部１２の周縁部分に一体的に設けられている。
ここで、導電路形成部１１における導電性粒子Ｐの含有割合は、体積分率で１０〜６０％、好ましくは１５〜５０％であることが好ましい。この割合が１０％未満の場合には、十分に電気抵抗値の小さい導電路形成部１１が得られないことがある。一方、この割合が６０％を超える場合には、得られる導電路形成部１１は脆弱なものとなりやすく、導電路形成部１１として必要な弾性が得られないことがある。
また、導電路形成部１１のピッチは、例えば６０〜５００μｍであるが、このピッチが２００μｍ以下である異方導電性シート１０を製造する場合には、本発明の製造方法は極めて有効である。
［第１の方法］
第１の方法は、図１に示すような構成の異方導電性シート１０を製造する方法である。 異方導電性シート１０について説明すると、この異方導電性シート１０は偏在型異方導電性シートであって、接続すべき電極例えば検査対象である回路装置の被検査電極のパターンに対応するパターンに従って配置された、それぞれ厚み方向に伸びる複数の導電路形成部１１と、これらの導電路形成部１１を相互に絶縁する絶縁部１２とにより構成されている。導電路形成部１１の各々は、図２に拡大して示すように、絶縁性の弾性高分子物質Ｅ中に導電性粒子Ｐが厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されてなるものであって、厚み方向に加圧されることにより、厚み方向に導電性粒子Ｐの連鎖による導電路が形成されるものである。図示の例では、導電路形成部１１の各々は、絶縁部１２の両面の各々から突出するよう形成されている。これに対して、絶縁部１２は、絶縁性の弾性高分子物質よりなり、導電性粒子Ｐが全く或いは殆ど含有されていないものであって、厚み方向および面方向に導電性を示さないものである。
また、この例の異方導電性シートにおいては、枠状のフレーム板１５が絶縁部１２の周縁部分に一体的に設けられている。
ここで、導電路形成部１１における導電性粒子Ｐの含有割合は、体積分率で１０〜６０％、好ましくは１５〜５０％であることが好ましい。この割合が１０％未満の場合には、十分に電気抵抗値の小さい導電路形成部１１が得られないことがある。一方、この割合が６０％を超える場合には、得られる導電路形成部１１は脆弱なものとなりやすく、導電路形成部１１として必要な弾性が得られないことがある。
また、導電路形成部１１のピッチは、例えば６０〜５００μｍであるが、このピッチが２００μｍ以下である異方導電性シート１０を製造する場合には、本発明の製造方法は極めて有効である。
このような異方導電性シート１０を製造するための第１の方法においては、図３に示すような金型が用いられる。図３に示す金型について具体的に説明すると、この金型は、上型５０およびこれと対となる下型５５が、それぞれの成形面が互いに対向するよう配置されて構成され、上型５０の成形面（図３において下面）と下型５５の成形面（図３において上面）との間にキャビティが形成されている。
上型５０においては、強磁性体基板５１の下面に、製造すべき異方導電性シート１０の導電路形成部１１の配置パターンに対掌なパターンに従って強磁性体層５２が形成され、この強磁性体層５２以外の個所には、当該強磁性体層５２の厚みより大きい厚みを有する非磁性体層５３が形成されており、これにより、上型５０の成形面における強磁性体層５２が位置する個所には、凹所が形成されている。
一方、下型５５においては、強磁性体基板５６の上面に、製造すべき異方導電性シート１０の導電路形成部１１の配置パターンと同一のパターンに従って強磁性体層５７が形成され、この強磁性体層５７以外の個所には、当該強磁性体層５７の厚みより大きい厚みを有する非磁性体層５８が形成されており、これにより、下型５５の成形面における強磁性体層５７が位置する個所には、凹所が形成されている。
上型５０においては、強磁性体基板５１の下面に、製造すべき異方導電性シート１０の導電路形成部１１の配置パターンに対掌なパターンに従って強磁性体層５２が形成され、この強磁性体層５２以外の個所には、当該強磁性体層５２の厚みより大きい厚みを有する非磁性体層５３が形成されており、これにより、上型５０の成形面における強磁性体層５２が位置する個所には、凹所が形成されている。
一方、下型５５においては、強磁性体基板５６の上面に、製造すべき異方導電性シート１０の導電路形成部１１の配置パターンと同一のパターンに従って強磁性体層５７が形成され、この強磁性体層５７以外の個所には、当該強磁性体層５７の厚みより大きい厚みを有する非磁性体層５８が形成されており、これにより、下型５５の成形面における強磁性体層５７が位置する個所には、凹所が形成されている。
上型５０および下型５５の各々における強磁性体基板５１，５６を構成する材料としては、鉄、鉄−ニッケル合金、鉄−コバルト合金、ニッケル、コバルトなどの強磁性金属を用いることができる。この強磁性体基板５１，５６は、その厚みが０．１〜５０ｍｍであることが好ましく、表面が平滑で、化学的に脱脂処理され、また、機械的に研磨処理されたものであることが好ましい。
また、上型５０および下型５５の各々における強磁性体層５２，５７を構成する材料としては、鉄、鉄−ニッケル合金、鉄−コバルト合金、ニッケル、コバルトなどの強磁性金属を用いることができる。この強磁性体層５２，５７は、その厚みが１０μｍ以上であることが好ましい。この厚みが１０μｍ未満である場合には、金型内に形成される導電性材料層に対して、十分な強度分布を有する磁場を作用させることが困難となり、この結果、当該導電性材料層における導電路形成部を形成すべき部分に導電性粒子を高密度に集合させることが困難となるため、良好な異方導電性を有するシートが得られないことがある。
また、上型５０および下型５５の各々における非磁性体層５３，５８を構成する材料としては、銅などの非磁性金属、耐熱性を有する高分子物質などを用いることができるが、フォトリソグラフィーの手法により容易に非磁性体層５３，５８を形成することができる点で、放射線によって硬化された高分子物質を用いることが好ましく、その材料としては、例えばアクリル系のドライフィルムレジスト、エポキシ系の液状レジスト、ポリイミド系の液状レジストなどのフォトレジストを用いることができる。
また、非磁性体層５３，５８の厚みは、強磁性体層５２，５７の厚み、目的とする異方導電性シート１０の導電路形成部１１の突出高さに応じて設定される。
また、非磁性体層５３，５８の厚みは、強磁性体層５２，５７の厚み、目的とする異方導電性シート１０の導電路形成部１１の突出高さに応じて設定される。
そして、第１の方法においては、
金型内に、硬化されて絶縁性の弾性高分子物質となる液状の高分子形成材料中に導電性粒子が含有されてなる導電性材料層を形成する工程（ａ−１）と、
前記導電性材料層に対して、導電路形成部となる部分にそれ以外の部分より大きい強度の磁場を当該導電性材料層の厚み方向に作用させることにより、当該導電路形成部となる部分に導電性粒子を集合させて当該導電性材料層の厚み方向に配向させる工程（ｂ−１）と、
前記導電性材料層に対する磁場の作用を停止した後または磁場の作用を継続しながら、当該導電性材料層を硬化処理する工程（ｃ−１）と
を経由して、異方導電性シート１０が製造される。
以下、各工程について具体的に説明する。
金型内に、硬化されて絶縁性の弾性高分子物質となる液状の高分子形成材料中に導電性粒子が含有されてなる導電性材料層を形成する工程（ａ−１）と、
前記導電性材料層に対して、導電路形成部となる部分にそれ以外の部分より大きい強度の磁場を当該導電性材料層の厚み方向に作用させることにより、当該導電路形成部となる部分に導電性粒子を集合させて当該導電性材料層の厚み方向に配向させる工程（ｂ−１）と、
前記導電性材料層に対する磁場の作用を停止した後または磁場の作用を継続しながら、当該導電性材料層を硬化処理する工程（ｃ−１）と
を経由して、異方導電性シート１０が製造される。
以下、各工程について具体的に説明する。
工程（ａ−１）：
工程（ａ−１）においては、先ず、硬化されて絶縁性の弾性高分子物質となる液状の高分子形成材料中に導電性粒子を分散させることにより、導電性材料を調製する。
導電性材料を調製するための高分子物質形成材料としては、種々のものを用いることができ、その具体例としては、シリコーンゴム、ポリブタジエンゴム、天然ゴム、ポリイソプレンゴム、スチレン−ブタジエン共重合体ゴム、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体ゴムなどの共役ジエン系ゴムおよびこれらの水素添加物、スチレン−ブタジエン−ジエンブロック共重合体ゴム、スチレン−イソプレンブロック共重合体などのブロック共重合体ゴムおよびこれらの水素添加物、クロロプレンゴム、ウレタンゴム、ポリエステル系ゴム、エピクロルヒドリンゴム、エチレン−プロピレン共重合体ゴム、エチレン−プロピレン−ジエン共重合体ゴム、軟質液状エポキシゴムなどが挙げられる。
これらの中では、耐久性、成形加工性、電気特性などの観点から、シリコーンゴムが好ましい。
工程（ａ−１）においては、先ず、硬化されて絶縁性の弾性高分子物質となる液状の高分子形成材料中に導電性粒子を分散させることにより、導電性材料を調製する。
導電性材料を調製するための高分子物質形成材料としては、種々のものを用いることができ、その具体例としては、シリコーンゴム、ポリブタジエンゴム、天然ゴム、ポリイソプレンゴム、スチレン−ブタジエン共重合体ゴム、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体ゴムなどの共役ジエン系ゴムおよびこれらの水素添加物、スチレン−ブタジエン−ジエンブロック共重合体ゴム、スチレン−イソプレンブロック共重合体などのブロック共重合体ゴムおよびこれらの水素添加物、クロロプレンゴム、ウレタンゴム、ポリエステル系ゴム、エピクロルヒドリンゴム、エチレン−プロピレン共重合体ゴム、エチレン−プロピレン−ジエン共重合体ゴム、軟質液状エポキシゴムなどが挙げられる。
これらの中では、耐久性、成形加工性、電気特性などの観点から、シリコーンゴムが好ましい。
シリコーンゴムとしては、液状シリコーンゴムを架橋または縮合したものが好ましい。液状シリコーンゴムは、縮合型のもの、付加型のもの、ビニル基やヒドロキシル基を含有するものなどのいずれであってもよい。具体的には、ジメチルシリコーン生ゴム、メチルビニルシリコーン生ゴム、メチルフェニルビニルシリコーン生ゴムなどを挙げることができる。
また、付加型の液状シリコーンゴムとしては、ビニル基とＳｉ−Ｈ結合との反応によって硬化するものであって、ビニル基およびＳｉ−Ｈ結合の両方を含有するポリシロキサンからなる一液型（一成分型）のもの、およびビニル基を含有するポリシロキサンおよびＳｉ−Ｈ結合を含有するポリシロキサンからなる二液型（二成分型）のもののいずれも用いることができるが、二液型の付加型液状シリコーンゴムを用いることが好ましい。
また、付加型の液状シリコーンゴムとしては、ビニル基とＳｉ−Ｈ結合との反応によって硬化するものであって、ビニル基およびＳｉ−Ｈ結合の両方を含有するポリシロキサンからなる一液型（一成分型）のもの、およびビニル基を含有するポリシロキサンおよびＳｉ−Ｈ結合を含有するポリシロキサンからなる二液型（二成分型）のもののいずれも用いることができるが、二液型の付加型液状シリコーンゴムを用いることが好ましい。
これらの中で、ビニル基を含有する液状シリコーンゴム（ビニル基含有ポリジメチルシロキサン）は、通常、ジメチルジクロロシランまたはジメチルジアルコキシシランを、ジメチルビニルクロロシランまたはジメチルビニルアルコキシシランの存在下において、加水分解および縮合反応させ、例えば引続き溶解−沈殿の繰り返しによる分別を行うことにより得られる。
また、ビニル基を両末端に含有する液状シリコーンゴムは、オクタメチルシクロテトラシロキサンのような環状シロキサンを触媒の存在下においてアニオン重合し、重合停止剤として例えばジメチルジビニルシロキサンを用い、その他の反応条件（例えば、環状シロキサンの量および重合停止剤の量）を適宜選択することにより得られる。ここで、アニオン重合の触媒としては、水酸化テトラメチルアンモニウムおよび水酸化ｎ−ブチルホスホニウムなどのアルカリまたはこれらのシラノレート溶液などを用いることができ、反応温度は、例えば８０〜１３０℃である。
このようなビニル基含有ポリジメチルシロキサンは、その分子量Ｍｗ（標準ポリスチレン換算重量平均分子量をいう。以下同じ。）が１００００〜４００００のものであることが好ましい。また、得られる異方導電性シート１０の耐熱性の観点から、分子量分布指数（標準ポリスチレン換算重量平均分子量Ｍｗと標準ポリスチレン換算数平均分子量Ｍｎとの比Ｍｗ／Ｍｎの値をいう。以下同じ。）が２以下のものが好ましい。
また、ビニル基を両末端に含有する液状シリコーンゴムは、オクタメチルシクロテトラシロキサンのような環状シロキサンを触媒の存在下においてアニオン重合し、重合停止剤として例えばジメチルジビニルシロキサンを用い、その他の反応条件（例えば、環状シロキサンの量および重合停止剤の量）を適宜選択することにより得られる。ここで、アニオン重合の触媒としては、水酸化テトラメチルアンモニウムおよび水酸化ｎ−ブチルホスホニウムなどのアルカリまたはこれらのシラノレート溶液などを用いることができ、反応温度は、例えば８０〜１３０℃である。
このようなビニル基含有ポリジメチルシロキサンは、その分子量Ｍｗ（標準ポリスチレン換算重量平均分子量をいう。以下同じ。）が１００００〜４００００のものであることが好ましい。また、得られる異方導電性シート１０の耐熱性の観点から、分子量分布指数（標準ポリスチレン換算重量平均分子量Ｍｗと標準ポリスチレン換算数平均分子量Ｍｎとの比Ｍｗ／Ｍｎの値をいう。以下同じ。）が２以下のものが好ましい。
一方、ヒドロキシル基を含有する液状シリコーンゴム（ヒドロキシル基含有ポリジメチルシロキサン）は、通常、ジメチルジクロロシランまたはジメチルジアルコキシシランを、ジメチルヒドロクロロシランまたはジメチルヒドロアルコキシシランの存在下において、加水分解および縮合反応させ、例えば引続き溶解−沈殿の繰り返しによる分別を行うことにより得られる。
また、環状シロキサンを触媒の存在下においてアニオン重合し、重合停止剤として、例えばジメチルヒドロクロロシラン、メチルジヒドロクロロシランまたはジメチルヒドロアルコキシシランなどを用い、その他の反応条件（例えば、環状シロキサンの量および重合停止剤の量）を適宜選択することによっても得られる。ここで、アニオン重合の触媒としては、水酸化テトラメチルアンモニウムおよび水酸化ｎ−ブチルホスホニウムなどのアルカリまたはこれらのシラノレート溶液などを用いることができ、反応温度は、例えば８０〜１３０℃である。
また、環状シロキサンを触媒の存在下においてアニオン重合し、重合停止剤として、例えばジメチルヒドロクロロシラン、メチルジヒドロクロロシランまたはジメチルヒドロアルコキシシランなどを用い、その他の反応条件（例えば、環状シロキサンの量および重合停止剤の量）を適宜選択することによっても得られる。ここで、アニオン重合の触媒としては、水酸化テトラメチルアンモニウムおよび水酸化ｎ−ブチルホスホニウムなどのアルカリまたはこれらのシラノレート溶液などを用いることができ、反応温度は、例えば８０〜１３０℃である。
このようなヒドロキシル基含有ポリジメチルシロキサンは、その分子量Ｍｗが１００００〜４００００のものであることが好ましい。また、得られる異方導電性シート１０の耐熱性の観点から、分子量分布指数が２以下のものが好ましい。
本発明においては、上記のビニル基含有ポリジメチルシロキサンおよびヒドロキシル基含有ポリジメチルシロキサンのいずれか一方を用いることもでき、両者を併用することもできる。
本発明においては、上記のビニル基含有ポリジメチルシロキサンおよびヒドロキシル基含有ポリジメチルシロキサンのいずれか一方を用いることもでき、両者を併用することもできる。
また、回路装置のプローブ試験またはバーンイン試験などに用いられる異方導電性シート１０を製造する場合には、液状シリコーンゴムとして、その硬化物の１５０℃における圧縮永久歪みが１０％以下であるものを用いることが好ましく、より好ましくは８％以下、さらに好ましくは６％以下である。この圧縮永久歪みが１０％を超える場合には、得られる異方導電性シート１０を多数回にわたって繰り返し使用したとき或いは高温環境下において繰り返し使用したときには、導電路形成部１１に永久歪みが発生しやすく、これにより、導電路形成部１１における導電性粒子の連鎖に乱れが生じる結果、所要の導電性を維持することが困難となることがある。
ここで、液状シリコーンゴムの硬化物の圧縮永久歪みは、ＪＩＳ Ｋ ６２４９に準拠した方法によって測定することができる。
ここで、液状シリコーンゴムの硬化物の圧縮永久歪みは、ＪＩＳ Ｋ ６２４９に準拠した方法によって測定することができる。
また、液状シリコーンゴムとしては、その硬化物の２３℃におけるデュロメーターＡ硬度が１０〜６０のものを用いることが好ましく、さらに好ましくは１５〜６０、特に好ましくは２０〜６０のものである。このデュロメーターＡ硬度が１０未満である場合には、加圧されたときに、導電路形成部１１を相互に絶縁する絶縁部１２が過度に歪みやすく、導電路形成部１１間の所要の絶縁性を維持することが困難となることがある。一方、このデュロメーターＡ硬度が６０を超える場合には、導電路形成部１１に適正な歪みを与えるために相当に大きい荷重による加圧力が必要となるため、例えば検査対象物の変形や破損が生じやすくなる。
ここで、液状シリコーンゴムの硬化物のデュロメーターＡ硬度は、ＪＩＳ Ｋ ６２４９に準拠した方法によって測定することができる。
ここで、液状シリコーンゴムの硬化物のデュロメーターＡ硬度は、ＪＩＳ Ｋ ６２４９に準拠した方法によって測定することができる。
また、液状シリコーンゴムとしては、その硬化物の２３℃における引き裂き強度が８ｋＮ／ｍ以上のものを用いることが好ましく、さらに好ましくは１０ｋＮ／ｍ以上、より好ましくは１５ｋＮ／ｍ以上、特に好ましくは２０ｋＮ／ｍ以上のものである。この引き裂き強度が８ｋＮ／ｍ未満である場合には、異方導電性シート１０に過度の歪みが与えられたときに、耐久性の低下を起こしやすい。
ここで、液状シリコーンゴムの硬化物の引き裂き強度は、ＪＩＳ Ｋ ６２４９に準拠した方法によって測定することができる。
ここで、液状シリコーンゴムの硬化物の引き裂き強度は、ＪＩＳ Ｋ ６２４９に準拠した方法によって測定することができる。
また、液状シリコーンゴムとしては、その２３℃における粘度が１００〜１，２５０Ｐａ・ｓのものを用いることが好ましく、さらに好ましくは１５０〜８００Ｐａ・ｓ、特に好ましくは２５０〜５００Ｐａ・ｓのものである。この粘度が１００Ｐａ・ｓ未満である場合には、得られる導電性材料において、当該液状シリコーンゴム中における導電性粒子の沈降が生じやすく、良好な保存安定性が得られず、また、後述する工程（ｂ−１）において、導電性材料層に対して厚み方向に磁場を作用させたときに、導電性粒子が厚み方向に並ぶよう配向せず、均一な状態で導電性粒子の連鎖を形成することが困難となることがある。一方、この粘度が１，２５０Ｐａ・ｓを超える場合には、得られる導電性材料が粘度の高いものとなるため、金型内に導電性材料層を形成しにくいものとなることがあり、また、導電性材料層に対して厚み方向に磁場を作用させても、導電性粒子が十分に移動せず、そのため、導電性粒子を厚み方向に並ぶよう配向させることが困難となることがある。
ここで、液状シリコーンゴムの粘度は、Ｂ型粘度計によって測定することができる。
ここで、液状シリコーンゴムの粘度は、Ｂ型粘度計によって測定することができる。
高分子物質形成材料中には、当該高分子物質形成材料を硬化させるための硬化触媒を含有させることができる。このような硬化触媒としては、有機過酸化物、脂肪酸アゾ化合物、ヒドロシリル化触媒などを用いることができる。
硬化触媒として用いられる有機過酸化物の具体例としては、過酸化ベンゾイル、過酸化ビスジシクロベンゾイル、過酸化ジクミル、過酸化ジターシャリーブチルなどが挙げられる。
硬化触媒として用いられる脂肪酸アゾ化合物の具体例としては、アゾビスイソブチロニトリルなどが挙げられる。
ヒドロシリル化反応の触媒として使用し得るものの具体例としては、塩化白金酸およびその塩、白金−不飽和基含有シロキサンコンプレックス、ビニルシロキサンと白金とのコンプレックス、白金と１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサンとのコンプレックス、トリオルガノホスフィンあるいはホスファイトと白金とのコンプレックス、アセチルアセテート白金キレート、環状ジエンと白金とのコンプレックスなどの公知のものが挙げられる。
硬化触媒の使用量は、高分子物質形成材料の種類、硬化触媒の種類、その他の硬化処理条件を考慮して適宜選択されるが、通常、高分子物質形成材料１００重量部に対して３〜１５重量部である。
硬化触媒として用いられる有機過酸化物の具体例としては、過酸化ベンゾイル、過酸化ビスジシクロベンゾイル、過酸化ジクミル、過酸化ジターシャリーブチルなどが挙げられる。
硬化触媒として用いられる脂肪酸アゾ化合物の具体例としては、アゾビスイソブチロニトリルなどが挙げられる。
ヒドロシリル化反応の触媒として使用し得るものの具体例としては、塩化白金酸およびその塩、白金−不飽和基含有シロキサンコンプレックス、ビニルシロキサンと白金とのコンプレックス、白金と１，３−ジビニルテトラメチルジシロキサンとのコンプレックス、トリオルガノホスフィンあるいはホスファイトと白金とのコンプレックス、アセチルアセテート白金キレート、環状ジエンと白金とのコンプレックスなどの公知のものが挙げられる。
硬化触媒の使用量は、高分子物質形成材料の種類、硬化触媒の種類、その他の硬化処理条件を考慮して適宜選択されるが、通常、高分子物質形成材料１００重量部に対して３〜１５重量部である。
高分子物質形成材料は、通常のシリカ粉、コロイダルシリカ、エアロゲルシリカ、アルミナなどの無機充填材が含有されてなるものが含有されてなるものであってもよい。このような無機充填材が含有されることにより、得られる導電性材料のチクソトロピー性が確保され、その粘度が高くなり、しかも、導電性粒子Ｐの分散安定性が向上すると共に、硬化処理されて得られる異方導電性シート１０の強度が高くなる。
このような無機充填材の使用量は、特に限定されるものではないが、多量に使用すると、後述する工程（ｂ−１）において、磁場による導電性粒子Ｐの移動が大きく阻害されるため、好ましくない。
このような無機充填材の使用量は、特に限定されるものではないが、多量に使用すると、後述する工程（ｂ−１）において、磁場による導電性粒子Ｐの移動が大きく阻害されるため、好ましくない。
導電性材料を調製するための導電性粒子としては、磁性を示すものが用いられ、その具体例としては、鉄、ニッケル、コバルトなどの磁性を示す金属の粒子若しくはこれらの合金の粒子またはこれらの金属を含有する粒子、またはこれらの粒子を芯粒子とし、当該芯粒子の表面に金、銀、パラジウム、ロジウムなどの導電性の良好な金属のメッキを施したもの、あるいは非磁性金属粒子若しくはガラスビーズなどの無機物質粒子またはポリマー粒子を芯粒子とし、当該芯粒子の表面に、ニッケル、コバルトなどの導電性磁性体のメッキを施したもの、あるいは芯粒子に、導電性磁性体および導電性の良好な金属の両方を被覆したものなどが挙げられる。
これらの中では、ニッケル粒子を芯粒子とし、その表面に金や銀などの導電性の良好な金属のメッキを施したものを用いることが好ましい。
芯粒子の表面に導電性金属を被覆する手段としては、特に限定されるものではないが、例えば無電解メッキにより行うことができる。
これらの中では、ニッケル粒子を芯粒子とし、その表面に金や銀などの導電性の良好な金属のメッキを施したものを用いることが好ましい。
芯粒子の表面に導電性金属を被覆する手段としては、特に限定されるものではないが、例えば無電解メッキにより行うことができる。
導電性粒子として、芯粒子の表面に導電性金属が被覆されてなるものを用いる場合には、良好な導電性が得られる観点から、粒子表面における導電性金属の被覆率（芯粒子の表面積に対する導電性金属の被覆面積の割合）が４０％以上であることが好ましく、さらに好ましくは４５％以上、特に好ましくは４７〜９５％である。
また、導電性金属の被覆量は、芯粒子の２．５〜５０重量％であることが好ましく、より好ましくは３〜３０重量％、さらに好ましくは３．５〜２５重量％、特に好ましくは４〜２０重量％である。被覆される導電性金属が金である場合には、その被覆量は、芯粒子の３〜３０重量％であることが好ましく、より好ましくは３．５〜２５重量％、さらに好ましくは４〜２０重量％である。また、被覆される導電性金属が銀である場合には、その被覆量は、芯粒子の３〜３０重量％であることが好ましく、より好ましくは４〜２５重量％、さらに好ましくは５〜２３重量％、特に好ましくは６〜２０重量％である。
また、導電性金属の被覆量は、芯粒子の２．５〜５０重量％であることが好ましく、より好ましくは３〜３０重量％、さらに好ましくは３．５〜２５重量％、特に好ましくは４〜２０重量％である。被覆される導電性金属が金である場合には、その被覆量は、芯粒子の３〜３０重量％であることが好ましく、より好ましくは３．５〜２５重量％、さらに好ましくは４〜２０重量％である。また、被覆される導電性金属が銀である場合には、その被覆量は、芯粒子の３〜３０重量％であることが好ましく、より好ましくは４〜２５重量％、さらに好ましくは５〜２３重量％、特に好ましくは６〜２０重量％である。
また、導電性粒子の粒子径は、１〜５００μｍであることが好ましく、より好ましくは２〜３００μｍ、さらに好ましくは３〜２００μｍ、特に好ましくは５〜１５０μｍである。
また、導電性粒子の粒子径分布（Ｄｗ／Ｄｎ）は、１〜１０であることが好ましく、より好ましくは１〜７、さらに好ましくは１〜５、特に好ましくは１〜４である。
このような条件を満足する導電性粒子を用いることにより、得られる異方導電性シート１０は、加圧変形が容易なものとなり、また、当該異方導電性シート１０における導電路形成部１１において導電性粒子Ｐ間に十分な電気的接触が得られる。
また、導電性粒子の形状は、特に限定されるものではないが、高分子物質形成材料中に容易に分散させることができる点で、球状のもの、星形状のものあるいはこれらが凝集した２次粒子による塊状のものであることが好ましい。
また、導電性粒子の粒子径分布（Ｄｗ／Ｄｎ）は、１〜１０であることが好ましく、より好ましくは１〜７、さらに好ましくは１〜５、特に好ましくは１〜４である。
このような条件を満足する導電性粒子を用いることにより、得られる異方導電性シート１０は、加圧変形が容易なものとなり、また、当該異方導電性シート１０における導電路形成部１１において導電性粒子Ｐ間に十分な電気的接触が得られる。
また、導電性粒子の形状は、特に限定されるものではないが、高分子物質形成材料中に容易に分散させることができる点で、球状のもの、星形状のものあるいはこれらが凝集した２次粒子による塊状のものであることが好ましい。
また、導電性粒子の含水率は、５％以下であることが好ましく、より好ましくは３％以下、さらに好ましくは２％以下、特に好ましくは１％以下である。このような条件を満足する導電性粒子を用いることにより、後述する工程（ｃ−１）において、導電性材料層を硬化処理する際に、当該導電性材料層内に気泡が生ずることが防止または抑制される。
このような導電性材料を、例えばスクリーン印刷法によって、図３に示す金型における上型５０の成形面および下型５５の成形面のいずれか一方または両方に塗布し、その後、図４に示すように、導電性材料が塗布された下型５５に、下側スペーサー５９、フレーム板１５、上側スペーサー５４および導電性材料が塗布された上型５０を下からこの順で重ね合わせることにより、金型における上型５０および下型５５の間のキャビティ内に、高分子形成材料中に導電性粒子Ｐが含有されてなる導電性材料層１０Ａが形成される。この導電性材料層１０Ａにおいては、図５に示すように、導電性粒子Ｐは当該導電性材料層１０Ａ中に分散された状態である。
以上において、フレーム板１５を構成する材料としては、金属材料、セラミックス材料、樹脂材料などの種々の材料を用いることができ、その具体例としては、鉄、銅、ニッケル、クロム、コバルト、マグネシウム、マンガン、モリブデン、インジウム、鉛、パラジウム、チタン、タングステン、アルミニウム、金、白金、銀などの金属またはこれらを２種以上組み合わせた合金若しくは合金鋼などの金属材料、窒化珪素、炭化珪素、アルミナなどのセラミックス材料、アラミッド不繊布補強型エポキシ樹脂、アラミッド不繊布補強型ポリイミド樹脂、アラミッド不繊布補強型ビスマレイミドトリアジン樹脂などの樹脂材料が挙げられる。
また、バーンイン試験に用いられる異方導電性シート１０を製造する場合には、フレーム板１５を構成する材料としては、線熱膨張係数が検査対象であるウエハを構成する材料の線熱膨張係数と同等若しくは近似したものを用いることが好ましい。具体的には、ウエハを構成する材料がシリコンである場合には、線熱膨張係数が１．５×１０-4／Ｋ以下、特に、３×１０-6〜８×１０-6／Ｋのものを用いることが好ましく、その具体例としては、インバーなどのインバー型合金、エリンバーなどのエリンバー型合金、スーパーインバー、コバール、４２アロイなどの金属材料、アラミッド不繊布補強型有機樹脂材料が挙げられる。
また、フレーム板１５の厚みは、例えば０．０３〜１ｍｍ、好ましくは０．０５〜０．２５ｍｍである。
また、バーンイン試験に用いられる異方導電性シート１０を製造する場合には、フレーム板１５を構成する材料としては、線熱膨張係数が検査対象であるウエハを構成する材料の線熱膨張係数と同等若しくは近似したものを用いることが好ましい。具体的には、ウエハを構成する材料がシリコンである場合には、線熱膨張係数が１．５×１０-4／Ｋ以下、特に、３×１０-6〜８×１０-6／Ｋのものを用いることが好ましく、その具体例としては、インバーなどのインバー型合金、エリンバーなどのエリンバー型合金、スーパーインバー、コバール、４２アロイなどの金属材料、アラミッド不繊布補強型有機樹脂材料が挙げられる。
また、フレーム板１５の厚みは、例えば０．０３〜１ｍｍ、好ましくは０．０５〜０．２５ｍｍである。
工程（ｂ−１）：
工程（ｂ−１）においては、工程（ａ−１）において形成された導電性材料層１０Ａに対して、導電路形成部となる部分にそれ以外の部分より大きい強度の磁場を当該導電性材料層１０Ａの厚み方向に作用させることにより、当該導電路形成部となる部分に導電性粒子を集合させて当該導電性材料層１０Ａの厚み方向に並ぶよう配向させる。
具体的に説明すると、図６に示すように、上側電磁石６１および下側電磁石６５を有してなり、それぞれの磁極６２，６６が互いに対向するよう配置された電磁石装置６０を用意し、この電磁石装置６０における上側電磁石６１の磁極６２と下側電磁石６５の磁極６６との間に、キャビティ内に導電性材料層１０Ａが形成された金型を配置する。次いで、電磁石装置６０を作動させることにより、上型５０の強磁性体層５２とこれに対応する下型５５の強磁性体層５７との間には、上型５０の非磁性体層５３と下型５５の非磁性体層との間より強度の大きい磁場が形成される。すなわち、導電性材料層１０Ａに、導電路形成部となる部分にそれ以外の部分より大きい強度の磁場を作用させ、これにより、導電性材料層１０Ａ中に分散されている導電性粒子Ｐを導電路形成部となる部分に集合させて当該導電性材料層１０Ａの厚み方向に並ぶよう配向させる。
ここで、導電性材料層１０Ａに作用させる磁場の強度は、平均で０．０２〜２．５テスラとなる大きさが好ましい。
また、この工程（ｂ−１）は、導電性材料層１０Ａの硬化を促進しない条件下、例えば室温下で行われることが好ましい。
工程（ｂ−１）においては、工程（ａ−１）において形成された導電性材料層１０Ａに対して、導電路形成部となる部分にそれ以外の部分より大きい強度の磁場を当該導電性材料層１０Ａの厚み方向に作用させることにより、当該導電路形成部となる部分に導電性粒子を集合させて当該導電性材料層１０Ａの厚み方向に並ぶよう配向させる。
具体的に説明すると、図６に示すように、上側電磁石６１および下側電磁石６５を有してなり、それぞれの磁極６２，６６が互いに対向するよう配置された電磁石装置６０を用意し、この電磁石装置６０における上側電磁石６１の磁極６２と下側電磁石６５の磁極６６との間に、キャビティ内に導電性材料層１０Ａが形成された金型を配置する。次いで、電磁石装置６０を作動させることにより、上型５０の強磁性体層５２とこれに対応する下型５５の強磁性体層５７との間には、上型５０の非磁性体層５３と下型５５の非磁性体層との間より強度の大きい磁場が形成される。すなわち、導電性材料層１０Ａに、導電路形成部となる部分にそれ以外の部分より大きい強度の磁場を作用させ、これにより、導電性材料層１０Ａ中に分散されている導電性粒子Ｐを導電路形成部となる部分に集合させて当該導電性材料層１０Ａの厚み方向に並ぶよう配向させる。
ここで、導電性材料層１０Ａに作用させる磁場の強度は、平均で０．０２〜２．５テスラとなる大きさが好ましい。
また、この工程（ｂ−１）は、導電性材料層１０Ａの硬化を促進しない条件下、例えば室温下で行われることが好ましい。
そして、第１の方法においては、この工程（ｂ−１）において、導電性材料層１０Ａに対する磁場の作用を一旦停止し、その後、再度、導電性材料層１０Ａに対して磁場を作用させる操作（以下、この操作を「再作動操作」という。）が少なくとも１回行われる。この再作動操作は、具体的には、電磁石装置６０の作動を停止した後、再度、電磁石装置６０を作動させることによって行われる。
この再作動操作において、導電性材料層１０Ａに対する磁場の作用を停止してから、再度、導電性材料層１０Ａに対して磁場を作用させるまでの時間（以下、「作動停止時間」という。）は、導電性材料層１０Ａの粘度、導電性材料層１０Ａ中の導電性粒子の割合、導電性粒子の平均粒子径などを考慮して適宜設定されるが、２００秒間以下であることが好ましく、より好ましくは６０秒間以下である。
この作動停止時間が過大である場合には、工程（ｂ−１）に要する時間が長くなりすぎて製造工程全体を通しての生産効率が極めて低いものとなると共に、液状の高分子物質形成材料の硬化が開始するため、導電性材料層１０Ａの粘度が変化する結果、十分な効果が得られないことがある。
この再作動操作において、導電性材料層１０Ａに対する磁場の作用を停止してから、再度、導電性材料層１０Ａに対して磁場を作用させるまでの時間（以下、「作動停止時間」という。）は、導電性材料層１０Ａの粘度、導電性材料層１０Ａ中の導電性粒子の割合、導電性粒子の平均粒子径などを考慮して適宜設定されるが、２００秒間以下であることが好ましく、より好ましくは６０秒間以下である。
この作動停止時間が過大である場合には、工程（ｂ−１）に要する時間が長くなりすぎて製造工程全体を通しての生産効率が極めて低いものとなると共に、液状の高分子物質形成材料の硬化が開始するため、導電性材料層１０Ａの粘度が変化する結果、十分な効果が得られないことがある。
また、再作動操作において、導電性材料層１０Ａに再度作用させる磁場は、その磁束線の方向が停止前の磁場の磁束線の方向と同方向のものであっても、停止前の磁場の磁束線の方向と逆方向のものであってもよいが、残留磁場の影響が少ない点で、停止前の磁場の磁束線の方向と逆方向のものであることが好ましい。
また、磁束線の方向が停止前の磁場の磁束線と逆方向の磁場を作用させる場合には、当該磁場の強度は、停止前の磁場の強度と同程度であることが好ましい。
磁束線の方向が停止前の磁場の磁束線の方向と逆方向である磁場を作用させるためには、電磁石装置６０における上型電磁石６１の磁極６２の極性および下型電磁石６５の磁極６６の極性を変更すればよい。
具体的に説明すると、導電性材料層１０Ａに対して最初に磁場を作用させるときに、例えば上型電磁石６１の磁極６２がＮ極および下型電磁石６５の磁極６６がＳ極となる条件で、電磁石装置６０を作動させる。この状態においては，上型５０の強磁性体層５２がＮ極、下型５５の強磁性体層５７がＳ極として機能するため、図７に示すように、導電性材料層１０Ａに作用する磁場における磁束線の方向は、上型５０の強磁性体層５２からこれに対応する下型５５の強磁性体層５７に向う方向、すなわち上から下に向かう方向である。このようにして、導電性材料層１０Ａに磁場を作用させた状態で所定の時間が経過した後、電磁石装置６０の作動を一旦停止する。その後、上型電磁石６１の磁極６２がＳ極および下型電磁石６５の磁極６６がＮ極となる条件で、再度、電磁石装置６０を作動させる。この状態においては，上型５０の強磁性体層５２がＳ極、下型５５の強磁性体層５７がＮ極として機能するため、図８に示すように、導電性材料層１０Ａに作用する磁場における磁束線の方向は、下型５５の強磁性体層５７からこれに対応する上型５０の強磁性体層５２に向う方向、すなわち下から上に向かう方向である。
このような方法によれば、電磁石装置６０の作動を停止したときに、残留磁場が生じていても、電磁石装置６０を再度作動させることによって消磁されるので、残留磁場による影響が少なくなる。
また、磁束線の方向が停止前の磁場の磁束線と逆方向の磁場を作用させる場合には、当該磁場の強度は、停止前の磁場の強度と同程度であることが好ましい。
磁束線の方向が停止前の磁場の磁束線の方向と逆方向である磁場を作用させるためには、電磁石装置６０における上型電磁石６１の磁極６２の極性および下型電磁石６５の磁極６６の極性を変更すればよい。
具体的に説明すると、導電性材料層１０Ａに対して最初に磁場を作用させるときに、例えば上型電磁石６１の磁極６２がＮ極および下型電磁石６５の磁極６６がＳ極となる条件で、電磁石装置６０を作動させる。この状態においては，上型５０の強磁性体層５２がＮ極、下型５５の強磁性体層５７がＳ極として機能するため、図７に示すように、導電性材料層１０Ａに作用する磁場における磁束線の方向は、上型５０の強磁性体層５２からこれに対応する下型５５の強磁性体層５７に向う方向、すなわち上から下に向かう方向である。このようにして、導電性材料層１０Ａに磁場を作用させた状態で所定の時間が経過した後、電磁石装置６０の作動を一旦停止する。その後、上型電磁石６１の磁極６２がＳ極および下型電磁石６５の磁極６６がＮ極となる条件で、再度、電磁石装置６０を作動させる。この状態においては，上型５０の強磁性体層５２がＳ極、下型５５の強磁性体層５７がＮ極として機能するため、図８に示すように、導電性材料層１０Ａに作用する磁場における磁束線の方向は、下型５５の強磁性体層５７からこれに対応する上型５０の強磁性体層５２に向う方向、すなわち下から上に向かう方向である。
このような方法によれば、電磁石装置６０の作動を停止したときに、残留磁場が生じていても、電磁石装置６０を再度作動させることによって消磁されるので、残留磁場による影響が少なくなる。
また、再作動操作は、工程（ｂ−１）において少なくとも１回行われればよいが、繰り返して行われることが好ましく、具体的には、再作動操作の回数が５回以上であることが好ましく、より好ましくは１０〜５００回である。
再作動操作の回数が過小である場合には、導電性材料層１０Ａ中の個々の導電性粒子Ｐが磁気力による拘束から開放される機会が少なく、従って、導電性粒子Ｐの移動が再度開始する機会が少ないため、導電性材料層１０Ａの厚み方向に対してより忠実な方向に導電性粒子Ｐの連鎖が形成されにくくなり、その結果、得られる異方導電性シートにおいて、隣接する導電路形成部間を結ぶような導電性粒子Ｐの連鎖が形成されることを確実に防止することが困難となることがある。
再作動操作の回数が過小である場合には、導電性材料層１０Ａ中の個々の導電性粒子Ｐが磁気力による拘束から開放される機会が少なく、従って、導電性粒子Ｐの移動が再度開始する機会が少ないため、導電性材料層１０Ａの厚み方向に対してより忠実な方向に導電性粒子Ｐの連鎖が形成されにくくなり、その結果、得られる異方導電性シートにおいて、隣接する導電路形成部間を結ぶような導電性粒子Ｐの連鎖が形成されることを確実に防止することが困難となることがある。
このように、再作動操作を繰り返して行う場合においては、再度、導電性材料層に対して磁場を作用させてから、当該導電性材料層に対する磁場の作用を停止するまでの時間（以下、「再作動時間」という。）は、導電性材料層１０Ａの粘度、導電性材料層１０Ａ中の導電性粒子の割合、導電性粒子の平均粒子径などを考慮して適宜設定されるが、１０〜３００秒間であることが好ましく、より好ましくは１０〜２００秒間である。
この再作動時間が過小である場合には、高い強度の磁場が形成されず、そのため、導電性材料層１０Ａ中の導電性粒子Ｐが十分に移動せず、その結果、導電性材料層１０Ａの厚み方向に対してより忠実な方向に導電性粒子Ｐの連鎖が形成されにくくなることがある。一方、再作動時間が過大である場合には、工程（ｂ−１）に要する時間が長くなりすぎて製造工程全体を通しての生産効率が極めて低いものとなると共に、液状の高分子物質形成材料の硬化が開始するため、導電性材料層１０Ａの粘度が変化する結果、十分な効果が得られないことがある。
この再作動時間が過小である場合には、高い強度の磁場が形成されず、そのため、導電性材料層１０Ａ中の導電性粒子Ｐが十分に移動せず、その結果、導電性材料層１０Ａの厚み方向に対してより忠実な方向に導電性粒子Ｐの連鎖が形成されにくくなることがある。一方、再作動時間が過大である場合には、工程（ｂ−１）に要する時間が長くなりすぎて製造工程全体を通しての生産効率が極めて低いものとなると共に、液状の高分子物質形成材料の硬化が開始するため、導電性材料層１０Ａの粘度が変化する結果、十分な効果が得られないことがある。
以上のようにして、工程（ｂ−１）においては、図９に示すように、上型５０の強磁性体層５２とこれに対応する下型５５の強磁性体層５７との間の部分、すわなち導電路形成部となる部分に導電性粒子Ｐが厚み方向に配向した状態で密に含有された導電性材料層１０Ａが形成される。
工程（ｃ−１）：
工程（ｃ−１）においては、導電路形成部となる部分に導電性粒子Ｐが厚み方向に配向した状態で密に含有された導電性材料層１０Ａに対して、硬化処理を行う。
導電性材料層１０Ａの硬化処理は、当該導電性材料層１０Ａに対する磁場の作用を停止した後に行われても、導電性材料層１０Ａに対して磁場を作用させながら行われてもよいが、磁場を作用させながら行われることが好ましい。
また、導電性材料層１０Ａの硬化処理は、使用される材料によって異なるが、通常、加熱処理によって行われる。具体的な加熱温度および加熱時間は、導電性材料層１０Ａを構成する高分子物質形成材料の種類などを考慮して適宜設定される。
そして、導電性材料層１０Ａの硬化処理が終了した後、例えは室温に冷却して金型から取り出すことにより、図１および図２に示す異方導電性シート１０が得られる。
工程（ｃ−１）においては、導電路形成部となる部分に導電性粒子Ｐが厚み方向に配向した状態で密に含有された導電性材料層１０Ａに対して、硬化処理を行う。
導電性材料層１０Ａの硬化処理は、当該導電性材料層１０Ａに対する磁場の作用を停止した後に行われても、導電性材料層１０Ａに対して磁場を作用させながら行われてもよいが、磁場を作用させながら行われることが好ましい。
また、導電性材料層１０Ａの硬化処理は、使用される材料によって異なるが、通常、加熱処理によって行われる。具体的な加熱温度および加熱時間は、導電性材料層１０Ａを構成する高分子物質形成材料の種類などを考慮して適宜設定される。
そして、導電性材料層１０Ａの硬化処理が終了した後、例えは室温に冷却して金型から取り出すことにより、図１および図２に示す異方導電性シート１０が得られる。
以上のような第１の方法によれば、導電性材料層１０Ａに対する磁場の作用を一旦停止するため、この停止状態においては、導電性材料層１０Ａ中の個々の導電性粒子Ｐが磁気力による拘束から開放される。そして、導電性材料層１０Ａに対して、再度、厚み方向に磁場を作用させることにより、この動作がトリガーとなって、導電性粒子Ｐの移動が再度開始するため、導電性材料層１０Ａの厚み方向に対してより忠実な方向に導電性粒子Ｐの連鎖が形成される。
このように、厚み方向に対して傾斜した方向に導電性粒子Ｐの連鎖が形成されることを抑制することができるので、小さい加圧力で加圧しても、電気抵抗値が低くて安定な導電性を示し、しかも、隣接する導電路形成部間を結ぶような導電性粒子Ｐの連鎖が形成されることが防止されるので、導電路形成部１１のピッチが小さいものであっても、隣接する導電路形成部１１間に所要の絶縁性が確実に得られる異方導電性シート１０を製造することができる。
このように、厚み方向に対して傾斜した方向に導電性粒子Ｐの連鎖が形成されることを抑制することができるので、小さい加圧力で加圧しても、電気抵抗値が低くて安定な導電性を示し、しかも、隣接する導電路形成部間を結ぶような導電性粒子Ｐの連鎖が形成されることが防止されるので、導電路形成部１１のピッチが小さいものであっても、隣接する導電路形成部１１間に所要の絶縁性が確実に得られる異方導電性シート１０を製造することができる。
［第２の方法］
第２の方法は、図１０に示すような構成の異方導電性シート２０を製造する方法である。
異方導電性シート２０について説明すると、この異方導電性シート２０は分散型異方導電性シートであって、図１１にも拡大して示すように、絶縁性の弾性高分子物質Ｅ中に、導電性粒子Ｐが厚み方向に並ぶよう配向して導電性粒子Ｐの連鎖が形成された状態で、かつ、導電性粒子Ｐの連鎖が面方向に均一に分布した状態で含有されてなり、表面の任意の箇所を厚み方向に加圧することにより、当該箇所において厚み方向に導電性粒子Ｐの連鎖による導電路が形成されるものである。
ここで、異方導電性シート２０における導電性粒子Ｐの含有割合は、体積分率で１０〜６０％、好ましくは１５〜５０％であることが好ましい。この割合が１０％未満の場合には、十分に電気抵抗値の小さい導電路形成部１１が得られないことがある。一方、この割合が６０％を超える場合には、得られる異方導電性シート２０は脆弱なものとなりやすく、異方導電性シート２０として必要な弾性が得られないことがある。
第２の方法は、図１０に示すような構成の異方導電性シート２０を製造する方法である。
異方導電性シート２０について説明すると、この異方導電性シート２０は分散型異方導電性シートであって、図１１にも拡大して示すように、絶縁性の弾性高分子物質Ｅ中に、導電性粒子Ｐが厚み方向に並ぶよう配向して導電性粒子Ｐの連鎖が形成された状態で、かつ、導電性粒子Ｐの連鎖が面方向に均一に分布した状態で含有されてなり、表面の任意の箇所を厚み方向に加圧することにより、当該箇所において厚み方向に導電性粒子Ｐの連鎖による導電路が形成されるものである。
ここで、異方導電性シート２０における導電性粒子Ｐの含有割合は、体積分率で１０〜６０％、好ましくは１５〜５０％であることが好ましい。この割合が１０％未満の場合には、十分に電気抵抗値の小さい導電路形成部１１が得られないことがある。一方、この割合が６０％を超える場合には、得られる異方導電性シート２０は脆弱なものとなりやすく、異方導電性シート２０として必要な弾性が得られないことがある。
そして、第２の方法においては、
適宜の支持体上に、硬化されて絶縁性の弾性高分子物質となる液状の高分子形成材料中に導電性粒子が含有されてなる導電性材料層を形成する工程（ａ−２）と、
前記導電性材料層に対して、その厚み方向に磁場を作用させることにより、導電性粒子を当該導電性材料層の厚み方向に配向させる工程（ｂ−２）と、
前記導電性材料層に対する磁場の作用を停止した後または磁場の作用を継続しながら、当該導電性材料層を硬化処理する工程（ｃ−２）と
を経由して、異方導電性シート２０が製造される。
以下、各工程について具体的に説明する。
適宜の支持体上に、硬化されて絶縁性の弾性高分子物質となる液状の高分子形成材料中に導電性粒子が含有されてなる導電性材料層を形成する工程（ａ−２）と、
前記導電性材料層に対して、その厚み方向に磁場を作用させることにより、導電性粒子を当該導電性材料層の厚み方向に配向させる工程（ｂ−２）と、
前記導電性材料層に対する磁場の作用を停止した後または磁場の作用を継続しながら、当該導電性材料層を硬化処理する工程（ｃ−２）と
を経由して、異方導電性シート２０が製造される。
以下、各工程について具体的に説明する。
工程（ａ−２）：
工程（ａ−２）においては、先ず、第１の方法における工程（ａ−１）と同様にして、硬化されて絶縁性の弾性高分子物質となる液状の高分子形成材料中に導電性粒子を分散させることにより、導電性材料を調製する。
そして、図１２に示すように、一方の支持体２６、他方の支持体２７およびスペーサー２８からなる成形部材２５を用意し、この成形部材２５における他方の支持体２７上に、導電性材料を、例えばスクリーン印刷法によって塗布し、その後、一方の支持体２６をスペーサー２７を介してを重ね合わせることにより、図１３に示すように、一方の支持体２６と他方の支持体２７との間に導電性材料層２０Ａが形成される。この導電性材料層２０Ａにおいては、図１４に示すように、導電性粒子Ｐは当該導電性材料層２０Ａ中に分散された状態である。
工程（ａ−２）においては、先ず、第１の方法における工程（ａ−１）と同様にして、硬化されて絶縁性の弾性高分子物質となる液状の高分子形成材料中に導電性粒子を分散させることにより、導電性材料を調製する。
そして、図１２に示すように、一方の支持体２６、他方の支持体２７およびスペーサー２８からなる成形部材２５を用意し、この成形部材２５における他方の支持体２７上に、導電性材料を、例えばスクリーン印刷法によって塗布し、その後、一方の支持体２６をスペーサー２７を介してを重ね合わせることにより、図１３に示すように、一方の支持体２６と他方の支持体２７との間に導電性材料層２０Ａが形成される。この導電性材料層２０Ａにおいては、図１４に示すように、導電性粒子Ｐは当該導電性材料層２０Ａ中に分散された状態である。
工程（ｂ−２）：
工程（ｂ−２）においては、工程（ａ−２）において形成された導電性材料層２０Ａに対して、その厚み方向に作用させることにより、導電性粒子を当該導電性材料層２０Ａの厚み方向に配向させる。
具体的に説明すると、図１５に示すように、上側電磁石６１および下側電磁石６５を有してなり、それぞれの磁極６２，６６が互いに対向するよう配置された電磁石装置６０を用意し、この電磁石装置６０における上側電磁石６１の磁極６２と下側電磁石６５の磁極６６との間に、導電性材料層２０Ａが形成された成形部材２５を配置する。次いで、電磁石装置６０を作動させることにより、導電性材料層２０Ａに対してその厚み方向に磁場を作用させ、これにより、導電性材料層２０Ａ中に分散されている導電性粒子Ｐを当該導電性材料層２０Ａの厚み方向に並ぶよう配向させる。
ここで、導電性材料層２０Ａに作用させる磁場の強度は、平均で０．０２〜２．５テスラとなる大きさが好ましい。
また、この工程（ｂ−２）は、導電性材料層２０Ａの硬化を促進しない条件下、例えば室温下で行われることが好ましい。
工程（ｂ−２）においては、工程（ａ−２）において形成された導電性材料層２０Ａに対して、その厚み方向に作用させることにより、導電性粒子を当該導電性材料層２０Ａの厚み方向に配向させる。
具体的に説明すると、図１５に示すように、上側電磁石６１および下側電磁石６５を有してなり、それぞれの磁極６２，６６が互いに対向するよう配置された電磁石装置６０を用意し、この電磁石装置６０における上側電磁石６１の磁極６２と下側電磁石６５の磁極６６との間に、導電性材料層２０Ａが形成された成形部材２５を配置する。次いで、電磁石装置６０を作動させることにより、導電性材料層２０Ａに対してその厚み方向に磁場を作用させ、これにより、導電性材料層２０Ａ中に分散されている導電性粒子Ｐを当該導電性材料層２０Ａの厚み方向に並ぶよう配向させる。
ここで、導電性材料層２０Ａに作用させる磁場の強度は、平均で０．０２〜２．５テスラとなる大きさが好ましい。
また、この工程（ｂ−２）は、導電性材料層２０Ａの硬化を促進しない条件下、例えば室温下で行われることが好ましい。
そして、第２の方法においては、この工程（ｂ−２）において、電磁石装置６０の作動を停止した後、再度、電磁石装置６０を作動させることによって、再作動操作が行われる。
この再作動操作において、導電性材料層２０Ａに再度作用させる磁場は、その磁束線の方向が停止前の磁場の磁束線の方向と同方向のものであっても、停止前の磁場の磁束線の方向と逆方向のものであってもよいが、残留磁場の影響が少ない点で、逆方向のものであることが好ましい。また、磁束線の方向が停止前の磁場の磁束線と逆方向の磁場を作用させる場合には、当該磁場の強度は、停止前の磁場の強度と同程度であることが好ましい。 また、再作動操作は、工程（ｂ−２）において少なくとも１回行われればよいが、繰り返して行われることが好ましく、具体的には、再作動操作の回数が５回以上であることが好ましく、より好ましくは１０〜５００回である。
再作動操作の具体的な条件および再作動操作を繰り返す場合の具体的な条件は、前述の第１の方法における工程（ｂ−１）で示したものと同様である。
以上のようにして、工程（ｂ−２）においては、図１６に示すように、導電性粒子Ｐが厚み方向に配向した状態で含有された導電性材料層２０Ａが形成される。
この再作動操作において、導電性材料層２０Ａに再度作用させる磁場は、その磁束線の方向が停止前の磁場の磁束線の方向と同方向のものであっても、停止前の磁場の磁束線の方向と逆方向のものであってもよいが、残留磁場の影響が少ない点で、逆方向のものであることが好ましい。また、磁束線の方向が停止前の磁場の磁束線と逆方向の磁場を作用させる場合には、当該磁場の強度は、停止前の磁場の強度と同程度であることが好ましい。 また、再作動操作は、工程（ｂ−２）において少なくとも１回行われればよいが、繰り返して行われることが好ましく、具体的には、再作動操作の回数が５回以上であることが好ましく、より好ましくは１０〜５００回である。
再作動操作の具体的な条件および再作動操作を繰り返す場合の具体的な条件は、前述の第１の方法における工程（ｂ−１）で示したものと同様である。
以上のようにして、工程（ｂ−２）においては、図１６に示すように、導電性粒子Ｐが厚み方向に配向した状態で含有された導電性材料層２０Ａが形成される。
工程（ｃ−２）：
工程（ｃ−２）においては、導電性粒子Ｐが厚み方向に配向した状態で含有された導電性材料層２０Ａに対して、硬化処理を行う。
導電性材料層２０Ａの硬化処理は、当該導電性材料層２０Ａに対する磁場の作用を停止した後に行われても、導電性材料層２０Ａに対して磁場を作用させながら行われてもよいが、磁場を作用させながら行われることが好ましい。
また、導電性材料層２０Ａの硬化処理は、使用される材料によって異なるが、通常、加熱処理によって行われる。具体的な加熱温度および加熱時間は、導電性材料層２０Ａを構成する高分子物質形成材料の種類などを考慮して適宜設定される。
そして、導電性材料層２０Ａの硬化処理が終了した後、例えは室温に冷却して成形部材から取り出すことによって、図１０および図１１に示す異方導電性シート２０が得られる。
工程（ｃ−２）においては、導電性粒子Ｐが厚み方向に配向した状態で含有された導電性材料層２０Ａに対して、硬化処理を行う。
導電性材料層２０Ａの硬化処理は、当該導電性材料層２０Ａに対する磁場の作用を停止した後に行われても、導電性材料層２０Ａに対して磁場を作用させながら行われてもよいが、磁場を作用させながら行われることが好ましい。
また、導電性材料層２０Ａの硬化処理は、使用される材料によって異なるが、通常、加熱処理によって行われる。具体的な加熱温度および加熱時間は、導電性材料層２０Ａを構成する高分子物質形成材料の種類などを考慮して適宜設定される。
そして、導電性材料層２０Ａの硬化処理が終了した後、例えは室温に冷却して成形部材から取り出すことによって、図１０および図１１に示す異方導電性シート２０が得られる。
このような第２の方法によれば、導電性材料層２０Ａに対する磁場の作用を一旦停止するため、この停止状態においては、導電性材料層２０Ａ中の個々の導電性粒子Ｐが磁気力による拘束から開放される。そして、導電性材料層２０Ａに対して、再度、厚み方向に磁場を作用させることにより、この動作がトリガーとなって、導電性粒子Ｐの移動が再度開始するため、導電性材料層２０Ａの厚み方向に対してより忠実な方向に導電性粒子Ｐの連鎖が形成される。
このように、厚み方向に対して傾斜した方向に導電性粒子Ｐの連鎖が形成されることを抑制することができるので、小さい加圧力で加圧しても、電気抵抗値が低くて安定な導電性を示し、しかも、高い分解能を有する異方導電性シート２０を製造することができる。
このように、厚み方向に対して傾斜した方向に導電性粒子Ｐの連鎖が形成されることを抑制することができるので、小さい加圧力で加圧しても、電気抵抗値が低くて安定な導電性を示し、しかも、高い分解能を有する異方導電性シート２０を製造することができる。
［第３の方法］
第３の方法は、図１７に示すような構成の異方導電性シート３０を製造する方法である。
異方導電性シート３０について説明すると、この異方導電性シート３０は偏在型異方導電性シートであって、接続すべき電極例えば検査対象である回路装置の被検査電極のパターンに対応するパターンに従って配置された、それぞれ厚み方向に伸びる複数の導電路形成部３１と、これらの導電路形成部３１を相互に絶縁する絶縁部３２とにより構成されている。導電路形成部３１の各々は、図１８に拡大して示すように、絶縁性の弾性高分子物質Ｅ中に導電性粒子Ｐが厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されてなるものであって、厚み方向に加圧されることにより、厚み方向に導電性粒子Ｐの連鎖による導電路が形成されるものである。これに対して、絶縁部３２は、絶縁性の弾性高分子物質よりなり、導電性粒子Ｐが全く含有されていないものであって、厚み方向および面方向に導電性を示さないものである。また、この例の異方導電性シート３０においては、導電路形成部３１の各々は、絶縁部３２の一面（図において上面）から突出するよう形成されている。
ここで、導電路形成部３１における導電性粒子Ｐの含有割合は、体積分率で１０〜６０％、好ましくは１５〜５０％であることが好ましい。この割合が１０％未満の場合には、十分に電気抵抗値の小さい導電路形成部３１が得られないことがある。一方、この割合が６０％を超える場合には、得られる導電路形成部３１は脆弱なものとなりやすく、導電路形成部３１として必要な弾性が得られないことがある。
第３の方法は、図１７に示すような構成の異方導電性シート３０を製造する方法である。
異方導電性シート３０について説明すると、この異方導電性シート３０は偏在型異方導電性シートであって、接続すべき電極例えば検査対象である回路装置の被検査電極のパターンに対応するパターンに従って配置された、それぞれ厚み方向に伸びる複数の導電路形成部３１と、これらの導電路形成部３１を相互に絶縁する絶縁部３２とにより構成されている。導電路形成部３１の各々は、図１８に拡大して示すように、絶縁性の弾性高分子物質Ｅ中に導電性粒子Ｐが厚み方向に並ぶよう配向した状態で含有されてなるものであって、厚み方向に加圧されることにより、厚み方向に導電性粒子Ｐの連鎖による導電路が形成されるものである。これに対して、絶縁部３２は、絶縁性の弾性高分子物質よりなり、導電性粒子Ｐが全く含有されていないものであって、厚み方向および面方向に導電性を示さないものである。また、この例の異方導電性シート３０においては、導電路形成部３１の各々は、絶縁部３２の一面（図において上面）から突出するよう形成されている。
ここで、導電路形成部３１における導電性粒子Ｐの含有割合は、体積分率で１０〜６０％、好ましくは１５〜５０％であることが好ましい。この割合が１０％未満の場合には、十分に電気抵抗値の小さい導電路形成部３１が得られないことがある。一方、この割合が６０％を超える場合には、得られる導電路形成部３１は脆弱なものとなりやすく、導電路形成部３１として必要な弾性が得られないことがある。
そして、第３の方法においては、
形成すべき導電路形成部のパターンに対応するパターンに従って複数の貫通孔が形成された、絶縁性の弾性高分子物質よりなる絶縁部用シート体を用意し、当該絶縁部用シート体の各貫通孔内に充填された、硬化されて絶縁性の弾性高分子物質となる液状の高分子形成材料中に導電性粒子が含有されてなる導電性材料層を形成する工程（ａ−３）と、
前記導電性材料層に対して、その厚み方向に磁場を作用させることにより、導電性粒子を当該導電性材料層の厚み方向に配向させる工程（ｂ−３）と、
前記導電性材料層に対する磁場の作用を停止した後または磁場の作用を継続しながら、当該導電性材料層を硬化処理する工程（ｃ−３）と
を経由して、異方導電性シート３０が製造される。
以下、各工程について具体的に説明する。
形成すべき導電路形成部のパターンに対応するパターンに従って複数の貫通孔が形成された、絶縁性の弾性高分子物質よりなる絶縁部用シート体を用意し、当該絶縁部用シート体の各貫通孔内に充填された、硬化されて絶縁性の弾性高分子物質となる液状の高分子形成材料中に導電性粒子が含有されてなる導電性材料層を形成する工程（ａ−３）と、
前記導電性材料層に対して、その厚み方向に磁場を作用させることにより、導電性粒子を当該導電性材料層の厚み方向に配向させる工程（ｂ−３）と、
前記導電性材料層に対する磁場の作用を停止した後または磁場の作用を継続しながら、当該導電性材料層を硬化処理する工程（ｃ−３）と
を経由して、異方導電性シート３０が製造される。
以下、各工程について具体的に説明する。
工程（ａ−３）：
工程（ａ−３）においては、先ず、図１９に示すように、形成すべき導電路形成部３１のパターンに対応するパターンに従って複数の貫通孔３１Ｈが形成された、絶縁性の弾性高分子物質よりなる絶縁部用シート体３２Ａを製造する。
具体的に説明すると、図２０に示すように、絶縁性の弾性高分子物質よりなるシート体３２Ｂを用意し、このシート体３２Ｂ上に、形成すべき導電路形成部のパターンに対応するパターンに従って複数の開口３６が形成されたレーザー用マスク３５を配置し、当該シート体３２Ｂに、レーザー用マスク３５の開口３６を介してレーザー加工を施すことにより、図２１に示すように、形成すべき導電路形成部のパターンに対応するパターンに従って複数の貫通孔３１Ｈが形成された絶縁部用シート体３２Ａが得られる。
一方、第１の方法における工程（ａ−１）と同様にして、硬化されて絶縁性の弾性高分子物質となる液状の高分子形成材料中に導電性粒子を分散させることにより、導電性材料を調製する。
そして、絶縁部用シート体３２Ａ上に配置されたレーザー用マスク３５の表面に、導電性材料２０Ｂを、例えばスクリーン印刷法によって塗布することにより、図２２に示すように、絶縁部用シート体３２の各貫通孔３１Ｈおよびレーザー用マスク３５の各開口３６内に導電性材料層３１Ａが形成され、これにより、絶縁部用シート体３２Ａと、その一面に配置されたレーザー用マスク３５と、絶縁部用シート体３２の各貫通孔３１Ｈおよびレーザー用マスク３５の各開口３６内に形成された導電性材料層３１Ａとからなる中間複合体３４が得られる。この中間複合体３４における導電性材料層３１Ａにおいては、図２３に示すように、導電性粒子Ｐは当該導電性材料層３１Ａ中に分散された状態である。
工程（ａ−３）においては、先ず、図１９に示すように、形成すべき導電路形成部３１のパターンに対応するパターンに従って複数の貫通孔３１Ｈが形成された、絶縁性の弾性高分子物質よりなる絶縁部用シート体３２Ａを製造する。
具体的に説明すると、図２０に示すように、絶縁性の弾性高分子物質よりなるシート体３２Ｂを用意し、このシート体３２Ｂ上に、形成すべき導電路形成部のパターンに対応するパターンに従って複数の開口３６が形成されたレーザー用マスク３５を配置し、当該シート体３２Ｂに、レーザー用マスク３５の開口３６を介してレーザー加工を施すことにより、図２１に示すように、形成すべき導電路形成部のパターンに対応するパターンに従って複数の貫通孔３１Ｈが形成された絶縁部用シート体３２Ａが得られる。
一方、第１の方法における工程（ａ−１）と同様にして、硬化されて絶縁性の弾性高分子物質となる液状の高分子形成材料中に導電性粒子を分散させることにより、導電性材料を調製する。
そして、絶縁部用シート体３２Ａ上に配置されたレーザー用マスク３５の表面に、導電性材料２０Ｂを、例えばスクリーン印刷法によって塗布することにより、図２２に示すように、絶縁部用シート体３２の各貫通孔３１Ｈおよびレーザー用マスク３５の各開口３６内に導電性材料層３１Ａが形成され、これにより、絶縁部用シート体３２Ａと、その一面に配置されたレーザー用マスク３５と、絶縁部用シート体３２の各貫通孔３１Ｈおよびレーザー用マスク３５の各開口３６内に形成された導電性材料層３１Ａとからなる中間複合体３４が得られる。この中間複合体３４における導電性材料層３１Ａにおいては、図２３に示すように、導電性粒子Ｐは当該導電性材料層３１Ａ中に分散された状態である。
工程（ｂ−３）：
工程（ｂ−３）においては、工程（ａ−３）において形成された導電性材料層３１Ａに対して、その厚み方向に作用させることにより、導電性粒子を当該導電性材料層３１Ａの厚み方向に配向させる。
具体的に説明すると、図２４に示すように、上側電磁石６１および下側電磁石６５を有してなり、それぞれの磁極６２，６６が互いに対向するよう配置された電磁石装置６０を用意し、この電磁石装置６０における上側電磁石６１の磁極６２と下側電磁石６５の磁極６６との間に、中間複合体３４を配置する。次いで、電磁石装置６０を作動させることにより、中間複合体３４における導電性材料層３１Ａの各々に対してその厚み方向に磁場を作用させ、これにより、導電性材料層３１Ａ中に分散されている導電性粒子Ｐを当該導電性材料層３１Ａの厚み方向に並ぶよう配向させる。
ここで、導電性材料層３１Ａに作用させる磁場の強度は、平均で０．０２〜２．５テスラとなる大きさが好ましい。
また、この工程（ｂ−３）は、導電性材料層３１Ａの硬化を促進しない条件下、例えば室温下で行われることが好ましい。
工程（ｂ−３）においては、工程（ａ−３）において形成された導電性材料層３１Ａに対して、その厚み方向に作用させることにより、導電性粒子を当該導電性材料層３１Ａの厚み方向に配向させる。
具体的に説明すると、図２４に示すように、上側電磁石６１および下側電磁石６５を有してなり、それぞれの磁極６２，６６が互いに対向するよう配置された電磁石装置６０を用意し、この電磁石装置６０における上側電磁石６１の磁極６２と下側電磁石６５の磁極６６との間に、中間複合体３４を配置する。次いで、電磁石装置６０を作動させることにより、中間複合体３４における導電性材料層３１Ａの各々に対してその厚み方向に磁場を作用させ、これにより、導電性材料層３１Ａ中に分散されている導電性粒子Ｐを当該導電性材料層３１Ａの厚み方向に並ぶよう配向させる。
ここで、導電性材料層３１Ａに作用させる磁場の強度は、平均で０．０２〜２．５テスラとなる大きさが好ましい。
また、この工程（ｂ−３）は、導電性材料層３１Ａの硬化を促進しない条件下、例えば室温下で行われることが好ましい。
そして、第３の方法においては、この工程（ｂ−３）において、電磁石装置６０の作動を停止した後、再度、電磁石装置６０を作動させることによって、再作動操作が行われる。
この再作動操作において、導電性材料層３１Ａに再度作用させる磁場は、その磁束線の方向が停止前の磁場の磁束線の方向と同方向のものであっても、停止前の磁場の磁束線の方向と逆方向のものであってもよいが、残留磁場の影響が少ない点で、逆方向のものであることが好ましい。また、磁束線の方向が停止前の磁場の磁束線と逆方向の磁場を作用させる場合には、当該磁場の強度は、停止前の磁場の強度と同程度であることが好ましい。 また、再作動操作は、工程（ｂ−３）において少なくとも１回行われればよいが、繰り返して行われることが好ましく、具体的には、再作動操作の回数が５回以上であることが好ましく、より好ましくは１０〜５００回である。
再作動操作の具体的な条件および再作動操作を繰り返す場合の具体的な条件は、前述の第１の方法における工程（ｂ−１）で示したものと同様である。
以上のようにして、工程（ｂ−３）においては、図２５に示すように、導電性粒子Ｐが厚み方向に配向した状態で密に含有された導電性材料層３１Ａが形成される。
この再作動操作において、導電性材料層３１Ａに再度作用させる磁場は、その磁束線の方向が停止前の磁場の磁束線の方向と同方向のものであっても、停止前の磁場の磁束線の方向と逆方向のものであってもよいが、残留磁場の影響が少ない点で、逆方向のものであることが好ましい。また、磁束線の方向が停止前の磁場の磁束線と逆方向の磁場を作用させる場合には、当該磁場の強度は、停止前の磁場の強度と同程度であることが好ましい。 また、再作動操作は、工程（ｂ−３）において少なくとも１回行われればよいが、繰り返して行われることが好ましく、具体的には、再作動操作の回数が５回以上であることが好ましく、より好ましくは１０〜５００回である。
再作動操作の具体的な条件および再作動操作を繰り返す場合の具体的な条件は、前述の第１の方法における工程（ｂ−１）で示したものと同様である。
以上のようにして、工程（ｂ−３）においては、図２５に示すように、導電性粒子Ｐが厚み方向に配向した状態で密に含有された導電性材料層３１Ａが形成される。
工程（ｃ−３）：
工程（ｃ−２）においては、導電性粒子Ｐが厚み方向に配向した状態で含有された導電性材料層３１Ａの各々に対して、硬化処理を行う。
導電性材料層３１Ａの硬化処理は、当該導電性材料層３１Ａの各々に対する磁場の作用を停止した後に行われても、導電性材料層３１Ａの各々に対して磁場を作用させながら行われてもよいが、磁場を作用させながら行われることが好ましい。
また、導電性材料層３１Ａの硬化処理は、使用される材料によって異なるが、通常、加熱処理によって行われる。具体的な加熱温度および加熱時間は、導電性材料層３１Ａを構成する高分子物質形成材料の種類などを考慮して適宜設定される。
以上のようにして、導電性材料層３１Ａの各々が硬化処理されることにより、複数の導電路形成部が絶縁部によって相互に絶縁された状態で当該絶縁部に一体的に形成される。 そして、導電性材料層３１Ａの硬化処理が終了した後、例えは室温に冷却し、レーザー用マスク３５を除去することによって、図１７および図１８に示す異方導電性シート３０が得られる。
工程（ｃ−２）においては、導電性粒子Ｐが厚み方向に配向した状態で含有された導電性材料層３１Ａの各々に対して、硬化処理を行う。
導電性材料層３１Ａの硬化処理は、当該導電性材料層３１Ａの各々に対する磁場の作用を停止した後に行われても、導電性材料層３１Ａの各々に対して磁場を作用させながら行われてもよいが、磁場を作用させながら行われることが好ましい。
また、導電性材料層３１Ａの硬化処理は、使用される材料によって異なるが、通常、加熱処理によって行われる。具体的な加熱温度および加熱時間は、導電性材料層３１Ａを構成する高分子物質形成材料の種類などを考慮して適宜設定される。
以上のようにして、導電性材料層３１Ａの各々が硬化処理されることにより、複数の導電路形成部が絶縁部によって相互に絶縁された状態で当該絶縁部に一体的に形成される。 そして、導電性材料層３１Ａの硬化処理が終了した後、例えは室温に冷却し、レーザー用マスク３５を除去することによって、図１７および図１８に示す異方導電性シート３０が得られる。
このような第３の方法によれば、導電性材料層３１Ａに対する磁場の作用を一旦停止するため、この停止状態においては、導電性材料層３１Ａ中の個々の導電性粒子Ｐが磁気力による拘束から開放される。そして、導電性材料層３１Ａに対して、再度、厚み方向に磁場を作用させることにより、この動作がトリガーとなって、導電性粒子Ｐの移動が再度開始するため、導電性材料層３１Ａの厚み方向に対してより忠実な方向に導電性粒子Ｐの連鎖が形成される。
このように、厚み方向に対して傾斜した方向に導電性粒子Ｐの連鎖が形成されることを抑制することができるので、小さい加圧力で加圧しても、電気抵抗値が低くて安定な導電性を示す異方導電性シート３０を製造することができる。
また、絶縁部用シート体３２Ａの各貫通孔３１Ｈ内に導電路形成部３１を形成するため、導電性粒子Ｐが全く存在しない絶縁部３２が形成されるので、導電路形成部３１のピッチが小さいものであっても、隣接する導電路形成部３１間に所要の絶縁性が確実に得られる異方導電性シート３０を製造することができる。
このように、厚み方向に対して傾斜した方向に導電性粒子Ｐの連鎖が形成されることを抑制することができるので、小さい加圧力で加圧しても、電気抵抗値が低くて安定な導電性を示す異方導電性シート３０を製造することができる。
また、絶縁部用シート体３２Ａの各貫通孔３１Ｈ内に導電路形成部３１を形成するため、導電性粒子Ｐが全く存在しない絶縁部３２が形成されるので、導電路形成部３１のピッチが小さいものであっても、隣接する導電路形成部３１間に所要の絶縁性が確実に得られる異方導電性シート３０を製造することができる。
本発明の異方導電性シートの製造方法は、上記の第１の方法〜第３の方法に限定されるものではなく、硬化されて絶縁性の弾性高分子物質となる液状の高分子形成材料中に導電性粒子が含有されてなる導電性材料層に対して、その厚み方向に磁場を作用させることにより、導電性粒子を当該導電性材料層の厚み方向に配向させる工程を有する全ての製造方法に適用することができる。
以下、本発明に係る異方導電性シートの製造方法の具体的な実施例について説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
〈実施例１〉
（１）フレーム板の作製：
以下の仕様のフレーム板を作製した。
フレーム板は、材質が４，２アロイで、寸法が２５ｍｍ×２５ｍｍ×０．０３ｍｍの矩形であり、その中央位置には、１０．０ｍｍ×１０．０ｍｍの矩形の開口が形成されている。
（２）スペーサーの作製：
以下の仕様の上側スペーサーおよび下側スペーサーを作製した。
上側スペーサーおよび下側スペーサーは、材質がステンレス（ＳＵＳ−３０４）で、寸法が２５ｍｍ×２５ｍｍ×０．０３ｍｍの矩形であり、その中央位置には、１１．０ｍｍ×１１．０ｍｍの矩形の開口が形成されている。
（１）フレーム板の作製：
以下の仕様のフレーム板を作製した。
フレーム板は、材質が４，２アロイで、寸法が２５ｍｍ×２５ｍｍ×０．０３ｍｍの矩形であり、その中央位置には、１０．０ｍｍ×１０．０ｍｍの矩形の開口が形成されている。
（２）スペーサーの作製：
以下の仕様の上側スペーサーおよび下側スペーサーを作製した。
上側スペーサーおよび下側スペーサーは、材質がステンレス（ＳＵＳ−３０４）で、寸法が２５ｍｍ×２５ｍｍ×０．０３ｍｍの矩形であり、その中央位置には、１１．０ｍｍ×１１．０ｍｍの矩形の開口が形成されている。
（３）金型の作製：
図３に示す構成に従い、下記の仕様の金型を作製した。
上型（５０）および下型（５５）は、それぞれ厚みが６ｍｍの４，２アロイよりなる強磁性体基板（５１，５６）を有し、各強磁性体基板（５１，５６）の表面上には、それぞれニッケル−コバルトよりなる２０００個の矩形の強磁性体層（５２，５７）が形成されている。強磁性体層（５２，５７）の各々の寸法は８０μｍ（縦）×８０μｍ（横）×５０μｍ（厚み）で、配置ピッチが１３０μｍである。また、強磁性体基板（５１，５６）の表面における強磁性体層（５２，５７）が形成された以外の領域には、ドライフィルムレジストが硬化処理されてなる厚みが８０μｍの非磁性体層（５３，５８）が形成されている。
図３に示す構成に従い、下記の仕様の金型を作製した。
上型（５０）および下型（５５）は、それぞれ厚みが６ｍｍの４，２アロイよりなる強磁性体基板（５１，５６）を有し、各強磁性体基板（５１，５６）の表面上には、それぞれニッケル−コバルトよりなる２０００個の矩形の強磁性体層（５２，５７）が形成されている。強磁性体層（５２，５７）の各々の寸法は８０μｍ（縦）×８０μｍ（横）×５０μｍ（厚み）で、配置ピッチが１３０μｍである。また、強磁性体基板（５１，５６）の表面における強磁性体層（５２，５７）が形成された以外の領域には、ドライフィルムレジストが硬化処理されてなる厚みが８０μｍの非磁性体層（５３，５８）が形成されている。
（４）工程（ａ−１）：
付加型液状シリコーンゴム１００重量部に、平均粒子径が８．７μｍの導電性粒子１４０重量部を添加して混合した後、減圧による脱泡処理を行うことにより、導電性材料を調製した。
この導電性材料を、スクリーン印刷法によって、上記の金型における上型の成形面および下型の成形面に塗布し、その後、下型に、下側スペーサー、フレーム板、下側スペーサーおよび上型を下からこの順で重ね合わせることにより、上型および下型の間のキャビティ内に導電性材料層を形成した。
以上において、導電性粒子としては、ニッケル粒子を芯粒子とし、この芯粒子に無電解金メッキが施されてなるもの（平均被覆量：芯粒子の重量の２５重量％となる量）を用いた。
また、付加型液状シリコーンゴムとしては、Ａ液の粘度が２５０Ｐａ・ｓで、Ｂ液の粘度が２５０Ｐａ・ｓである二液型のものであって、硬化物の１５０℃における永久圧縮歪みが５％、硬化物のデュロメーターＡ硬度が３５、硬化物の引裂強度が２５ｋＮ／ｍのものを用いた。
付加型液状シリコーンゴム１００重量部に、平均粒子径が８．７μｍの導電性粒子１４０重量部を添加して混合した後、減圧による脱泡処理を行うことにより、導電性材料を調製した。
この導電性材料を、スクリーン印刷法によって、上記の金型における上型の成形面および下型の成形面に塗布し、その後、下型に、下側スペーサー、フレーム板、下側スペーサーおよび上型を下からこの順で重ね合わせることにより、上型および下型の間のキャビティ内に導電性材料層を形成した。
以上において、導電性粒子としては、ニッケル粒子を芯粒子とし、この芯粒子に無電解金メッキが施されてなるもの（平均被覆量：芯粒子の重量の２５重量％となる量）を用いた。
また、付加型液状シリコーンゴムとしては、Ａ液の粘度が２５０Ｐａ・ｓで、Ｂ液の粘度が２５０Ｐａ・ｓである二液型のものであって、硬化物の１５０℃における永久圧縮歪みが５％、硬化物のデュロメーターＡ硬度が３５、硬化物の引裂強度が２５ｋＮ／ｍのものを用いた。
また、上記の付加型液状シリコーンゴムおよびその硬化物の特性は、次のようにして測定した。
（ｉ）付加型液状シリコーンゴムの粘度：
Ｂ型粘度計により、２３±２℃における粘度を測定した。
（ii）シリコーンゴム硬化物の圧縮永久歪み：
二液型の付加型液状シリコーンゴムにおけるＡ液とＢ液とを等量となる割合で攪拌混合した。次いで、この混合物を金型に流し込み、当該混合物に対して減圧による脱泡処理を行った後、１２０℃、３０分間の条件で硬化処理を行うことにより、厚みが１２．７ｍｍ、直径が２９ｍｍのシリコーンゴム硬化物よりなる円柱体を作製し、この円柱体に対して、２００℃、４時間の条件でポストキュアを行った。このようにして得られた円柱体を試験片として用い、ＪＩＳ Ｋ ６２４９に準拠して１５０±２℃における圧縮永久歪みを測定した。
（iii)シリコーンゴム硬化物の引裂強度：
上記（ii）と同様の条件で付加型液状シリコーンゴムの硬化処理およびポストキュアを行うことにより、厚みが２．５ｍｍのシートを作製した。このシートから打ち抜きによってクレセント形の試験片を作製し、ＪＩＳ Ｋ ６２４９に準拠して２３±２℃における引裂強度を測定した。
（iv）デュロメーターＡ硬度：
上記（iii)と同様にして作製されたシートを５枚重ね合わせ、得られた積重体を試験片として用い、ＪＩＳ Ｋ ６２４９に準拠して２３±２℃におけるデュロメーターＡ硬度を測定した。
（ｉ）付加型液状シリコーンゴムの粘度：
Ｂ型粘度計により、２３±２℃における粘度を測定した。
（ii）シリコーンゴム硬化物の圧縮永久歪み：
二液型の付加型液状シリコーンゴムにおけるＡ液とＢ液とを等量となる割合で攪拌混合した。次いで、この混合物を金型に流し込み、当該混合物に対して減圧による脱泡処理を行った後、１２０℃、３０分間の条件で硬化処理を行うことにより、厚みが１２．７ｍｍ、直径が２９ｍｍのシリコーンゴム硬化物よりなる円柱体を作製し、この円柱体に対して、２００℃、４時間の条件でポストキュアを行った。このようにして得られた円柱体を試験片として用い、ＪＩＳ Ｋ ６２４９に準拠して１５０±２℃における圧縮永久歪みを測定した。
（iii)シリコーンゴム硬化物の引裂強度：
上記（ii）と同様の条件で付加型液状シリコーンゴムの硬化処理およびポストキュアを行うことにより、厚みが２．５ｍｍのシートを作製した。このシートから打ち抜きによってクレセント形の試験片を作製し、ＪＩＳ Ｋ ６２４９に準拠して２３±２℃における引裂強度を測定した。
（iv）デュロメーターＡ硬度：
上記（iii)と同様にして作製されたシートを５枚重ね合わせ、得られた積重体を試験片として用い、ＪＩＳ Ｋ ６２４９に準拠して２３±２℃におけるデュロメーターＡ硬度を測定した。
（５）工程（ｂ−１）：
上側電磁石および下側電磁石を有してなり、それぞれの磁極が互いに対向するよう配置された電磁石装置を用意し、この電磁石装置における上側電磁石の磁極と下側電磁石の磁極との間に、上記の導電性材料層が形成された金型をセットした。次いで、室温で、電磁石装置を１５秒間作動させることにより、導電性材料層における導電路形成部となる部分に１．６Ｔの強度の磁場を作用させ、更に、再作動操作を合計で２００回行いながら、導電路形成部となる部分に磁場を作用させた。ここで、再作動操作の条件は、作動停止時間が５秒間、再作動時間が１５秒間、再度作用させる磁場の磁束線の方向が停止前の磁場の磁束線の方向と逆方向であり、再度、導電性材料層における導電路形成部となる部分に対して磁場を作用させたときの当該磁場の強度は、いずれも１．６Ｔである。
上側電磁石および下側電磁石を有してなり、それぞれの磁極が互いに対向するよう配置された電磁石装置を用意し、この電磁石装置における上側電磁石の磁極と下側電磁石の磁極との間に、上記の導電性材料層が形成された金型をセットした。次いで、室温で、電磁石装置を１５秒間作動させることにより、導電性材料層における導電路形成部となる部分に１．６Ｔの強度の磁場を作用させ、更に、再作動操作を合計で２００回行いながら、導電路形成部となる部分に磁場を作用させた。ここで、再作動操作の条件は、作動停止時間が５秒間、再作動時間が１５秒間、再度作用させる磁場の磁束線の方向が停止前の磁場の磁束線の方向と逆方向であり、再度、導電性材料層における導電路形成部となる部分に対して磁場を作用させたときの当該磁場の強度は、いずれも１．６Ｔである。
（６）工程（ｃ−１）：
電磁石装置における上側電磁石の磁極と下側電磁石の磁極との間に、金型をセットしたままの状態で、当該電磁石装置を作動させることにより、導電性材料層における導電路形成部となる部分に１．６Ｔの強度の磁場を作用させながら、１００℃で２時間の条件で、当該導電性材料の硬化処理を行い、次いで、室温に冷却した後、金型から取り出すことにより、絶縁部の周縁部分にフレーム板が一体的に設けられた異方導電性シートを製造した。
得られた異方導電性シートにおいては、２０００個の矩形の導電路形成部が１３０μｍのピッチで配置されており、導電路形成部は、縦横の寸法が８０μｍ×８０μｍ、厚みが１５０μｍ、絶縁部の両面からの突出高さがそれぞれ３０μｍであり、絶縁部の厚みが９０μｍであった。
また、導電路形成部中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての導電路形成部について体積分率で約３０％であった。
電磁石装置における上側電磁石の磁極と下側電磁石の磁極との間に、金型をセットしたままの状態で、当該電磁石装置を作動させることにより、導電性材料層における導電路形成部となる部分に１．６Ｔの強度の磁場を作用させながら、１００℃で２時間の条件で、当該導電性材料の硬化処理を行い、次いで、室温に冷却した後、金型から取り出すことにより、絶縁部の周縁部分にフレーム板が一体的に設けられた異方導電性シートを製造した。
得られた異方導電性シートにおいては、２０００個の矩形の導電路形成部が１３０μｍのピッチで配置されており、導電路形成部は、縦横の寸法が８０μｍ×８０μｍ、厚みが１５０μｍ、絶縁部の両面からの突出高さがそれぞれ３０μｍであり、絶縁部の厚みが９０μｍであった。
また、導電路形成部中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての導電路形成部について体積分率で約３０％であった。
〈比較例１〉
工程（ｂ−１）において、再作動操作を行わずに、電磁石装置を４０００秒間作動させることにより、導電性材料層における導電路形成部となる部分に１．６Ｔの強度の磁場を作用させたこと以外は実施例１と同様にして、絶縁部の周縁部分にフレーム板が一体的に設けられた異方導電性シートを製造した。
得られた異方導電性シートにおいては、２０００個の矩形の導電路形成部が１３０μｍのピッチで配置されており、導電路形成部は、縦横の寸法が８０μｍ×８０μｍ、厚みが１５０μｍ、絶縁部の両面からの突出高さがそれぞれ３０μｍであり、絶縁部の厚みが９０μｍであった。
また、導電路形成部中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての導電路形成部について体積分率で約３０％であった。
工程（ｂ−１）において、再作動操作を行わずに、電磁石装置を４０００秒間作動させることにより、導電性材料層における導電路形成部となる部分に１．６Ｔの強度の磁場を作用させたこと以外は実施例１と同様にして、絶縁部の周縁部分にフレーム板が一体的に設けられた異方導電性シートを製造した。
得られた異方導電性シートにおいては、２０００個の矩形の導電路形成部が１３０μｍのピッチで配置されており、導電路形成部は、縦横の寸法が８０μｍ×８０μｍ、厚みが１５０μｍ、絶縁部の両面からの突出高さがそれぞれ３０μｍであり、絶縁部の厚みが９０μｍであった。
また、導電路形成部中の導電性粒子の含有割合を調べたところ、全ての導電路形成部について体積分率で約３０％であった。
〔異方導電性シートの評価〕
導電路形成部の導電性：
異方導電性シートの全ての導電路形成部を、その厚み方向の歪み率が１０％、２０％、３０％および４０％となるよう加圧した状態で、当該導電路形成部の各々の厚み方向の電気抵抗値を測定した。その結果を表１に示す。
導電路形成部間の絶縁性：
異方導電性シートの全ての導電路形成部を、その厚み方向の歪み率が２０％となるよう加圧した状態で、隣接する導電路形成部間の電気抵抗値を測定し、その値が１ＭΩ未満のものの数を求めた。その結果を表１に示す。
導電路形成部の導電性：
異方導電性シートの全ての導電路形成部を、その厚み方向の歪み率が１０％、２０％、３０％および４０％となるよう加圧した状態で、当該導電路形成部の各々の厚み方向の電気抵抗値を測定した。その結果を表１に示す。
導電路形成部間の絶縁性：
異方導電性シートの全ての導電路形成部を、その厚み方向の歪み率が２０％となるよう加圧した状態で、隣接する導電路形成部間の電気抵抗値を測定し、その値が１ＭΩ未満のものの数を求めた。その結果を表１に示す。
表１の結果から明らかなように、実施例１によれば、小さい加圧力で加圧しても、電気抵抗値が低くて安定な導電性を示す導電路形成部を有し、しかも、隣接する導電路形成部間に所要の絶縁性を有する異方導電性シートが得られることが確認された。
１０ 異方導電性シート
１０Ａ 導電性材料層
１１ 導電路形成部
１２ 絶縁部
１５ フレーム板
２０ 異方導電性シート
２０Ａ 導電性材料層
２５ 成形部材
２６ 一方の支持体
２７ 他方の支持体
２８ スペーサー
３０ 異方導電性シート
３１ 導電路形成部
３１Ａ 導電性材料層
３１Ｈ 貫通孔
３２ 絶縁部
３２Ａ 絶縁部用シート体
３２Ｂ シート体
３４ 中間複合体
３５ レーザー用マスク
３６ 開口
５０ 上型
５１ 強磁性体基板
５２ 強磁性体層
５３ 非磁性体層
５４ 上側スペーサー
５５ 下型
５６ 強磁性体基板
５７ 強磁性体層
５８ 非磁性体層
５９ 下側スペーサー
６０ 電磁石装置
６１ 上側電磁石
６２ 磁極
６５ 下側電磁石
６６ 磁極
９０ 上型
９１ 基板
９２ 強磁性体層
９３ 非磁性体層
９５ 下型
９６ 基板
９７ 強磁性体層
９８ 非磁性体層
８０ 導電性材料層
Ｐ 導電性粒子
Ｅ 弾性高分子物質
１０Ａ 導電性材料層
１１ 導電路形成部
１２ 絶縁部
１５ フレーム板
２０ 異方導電性シート
２０Ａ 導電性材料層
２５ 成形部材
２６ 一方の支持体
２７ 他方の支持体
２８ スペーサー
３０ 異方導電性シート
３１ 導電路形成部
３１Ａ 導電性材料層
３１Ｈ 貫通孔
３２ 絶縁部
３２Ａ 絶縁部用シート体
３２Ｂ シート体
３４ 中間複合体
３５ レーザー用マスク
３６ 開口
５０ 上型
５１ 強磁性体基板
５２ 強磁性体層
５３ 非磁性体層
５４ 上側スペーサー
５５ 下型
５６ 強磁性体基板
５７ 強磁性体層
５８ 非磁性体層
５９ 下側スペーサー
６０ 電磁石装置
６１ 上側電磁石
６２ 磁極
６５ 下側電磁石
６６ 磁極
９０ 上型
９１ 基板
９２ 強磁性体層
９３ 非磁性体層
９５ 下型
９６ 基板
９７ 強磁性体層
９８ 非磁性体層
８０ 導電性材料層
Ｐ 導電性粒子
Ｅ 弾性高分子物質
Claims (7)
- 硬化されて絶縁性の弾性高分子物質となる液状の高分子形成材料中に導電性粒子が含有されてなる導電性材料層に対して、その厚み方向に磁場を作用させることにより、導電性粒子を当該導電性材料層の厚み方向に配向させる工程を有し、
この工程において、前記導電性材料層に対する磁場の作用を停止した後、再度、当該導電性材料層に対して磁場を作用させる操作を少なくとも１回行うことを特徴とする異方導電性シートの製造方法。 - 絶縁性の弾性高分子物質中に磁性を示す導電性粒子が厚み方向に配向した状態で含有されてなる複数の導電路形成部と、これらの導電路形成部を相互に絶縁する絶縁性の弾性高分子物質よりなる絶縁部とを有する異方導電性シートを製造する方法であって、
硬化されて絶縁性の弾性高分子物質となる液状の高分子形成材料中に導電性粒子が含有されてなる導電性材料層に対して、導電路形成部となる部分にそれ以外の部分より大きい強度の磁場を当該導電性材料層の厚み方向に作用させることにより、当該導電路形成部となる部分に導電性粒子を集合させて当該導電性材料層の厚み方向に配向させる工程を有し、
この工程において、前記導電性材料層に対する磁場の作用を停止した後、再度、当該導電性材料層に対して磁場を作用させる操作を少なくとも１回行うことを特徴とする異方導電性シートの製造方法。 - 絶縁性の弾性高分子物質中に磁性を示す導電性粒子が厚み方向に配向した状態で含有されてなる異方導電性シートを製造する方法であって、
硬化されて絶縁性の弾性高分子物質となる液状の高分子形成材料中に導電性粒子が含有されてなる導電性材料層に対して、その厚み方向に磁場を作用させることにより、導電性粒子を当該導電性材料層の厚み方向に配向させる工程を有し、
この工程において、前記導電性材料層に対する磁場の作用を停止した後、再度、当該導電性材料層に対して磁場を作用させる操作を少なくとも１回行うことを特徴とする異方導電性シートの製造方法。 - 絶縁性の弾性高分子物質中に磁性を示す導電性粒子が厚み方向に配向した状態で含有されてなる複数の導電路形成部と、これらの導電路形成部を相互に絶縁する絶縁性の弾性高分子物質よりなる絶縁部とを有する異方導電性シートを製造する方法であって、
形成すべき導電路形成部のパターンに対応するパターンに従って複数の貫通孔が形成された、絶縁性の弾性高分子物質よりなる絶縁部用シート体を用意し、
この絶縁部用シート体の貫通孔の各々に充填された、硬化されて絶縁性の弾性高分子物質となる液状の高分子形成材料中に導電性粒子が含有されてなる導電性材料層に対して、その厚み方向に磁場を作用させることにより、導電性粒子を当該導電性材料層の厚み方向に配向させる工程を有し、
この工程において、前記導電性材料層に対する磁場の作用を停止した後、再度、当該導電性材料層に対して磁場を作用させる操作を少なくとも１回行うことを特徴とする異方導電性シートの製造方法。 - 導電性材料層に対する磁場の作用を停止した後、再度、当該導電性材料層に対して磁場を作用させる操作において、導電性材料層に再度作用させる磁場の磁束線の方向が、停止前の磁場の磁束線の方向と逆方向であることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の異方導電性シートの製造方法。
- 導電性材料層に対する磁場の作用を停止した後、再度、当該導電性材料層に対して磁場を作用させる操作を繰り返して行うことを特徴とする請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の異方導電性シートの製造方法。
- 導電性材料層に対する磁場の作用を停止した後、再度、当該導電性材料層に対して磁場を作用させる操作を５回以上行うことを特徴とする請求項６に記載の異方導電性シートの製造方法。
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| JP2004030180A JP2005222826A (ja) | 2004-02-06 | 2004-02-06 | 異方導電性シートの製造方法 |
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| CN110767348A (zh) * | 2019-11-12 | 2020-02-07 | 业成科技（成都）有限公司 | 异方性导电膜及其制作方法 |
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| JPS5193393A (en) * | 1975-02-12 | 1976-08-16 | Erasuteitsuku kontakutoshiitonoseizohoho | |
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| JPS61250906A (ja) * | 1985-04-26 | 1986-11-08 | ジェイエスアール株式会社 | 導電性エラストマ−シ−ト |
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| JPH11283718A (ja) * | 1998-03-27 | 1999-10-15 | Jsr Corp | 異方導電性シートの製造方法及びその製造装置 |
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2004
- 2004-02-06 JP JP2004030180A patent/JP2005222826A/ja active Pending
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- 2005-02-01 WO PCT/JP2005/001419 patent/WO2005076418A1/ja active Application Filing
- 2005-02-01 CN CN 200580004183 patent/CN1918756A/zh active Pending
- 2005-02-02 TW TW94103240A patent/TW200527754A/zh unknown
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|---|---|---|---|---|
| JP2005322492A (ja) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Polymatech Co Ltd | 導電弾性体及びその製造方法 |
| EP2942846A1 (en) * | 2014-05-07 | 2015-11-11 | ABB Technology Ltd | Electrical device with low friction contact parts |
| WO2015169622A1 (en) * | 2014-05-07 | 2015-11-12 | Abb Technology Ltd | Electrical device with low friction contact parts |
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