JP2005217429A - 高周波モジュール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】凹部22内に収納された集積回路24と電気的に接続されるとともに凹部22の天面側に被せられた水晶振動子27は、基台21の大きさを略等しくするとともに、集積回路24と電気的に接続されたチップコンデンサ23a,23bを水晶振動子27側へ装着する構成としたものである。これにより、小型化された高周波モジュールが実現できるものである。
【選択図】図4
Description
図1は実施の形態1における温度補償発振器(高周波モジュールの一例として用いた)の断面図である。図1において、21はセラミックで形成された基台であり、4枚のセラミックシート21a,21b,21c,21dが積層されている。その大きさは略縦3.0mm、横5.0mm、高さ0.6mmであり、中央に凹部22が形成されている。そして、この凹部22の底面22aにはチップコンデンサ23a,23bと、フリップチップ実装された集積回路24がバンプ24aで接続されている。また、25は、絶縁材としての封止剤(アンダーフィル)であり、集積回路24を底面22aに固着するとともに集積回路の回路面の保護をしている。26は、基台21の凹部22を形成する側に設けられた天面であり、集積回路24の端子がセラミック上を配線パターンで導出されている。
図4は実施の形態2における温度補償発振器(高周波モジュールの一例として用いた)の断面図である。図4において、実施の形態1と異なるところはチップコンデンサ23a,23bを水晶振動子27側にクリーム半田で固着したことである。即ち、チップコンデンサ23a,23bの配線は基台21の凹部22を形成する側の天面26と対向する面28に導出し、クリーム半田で集積回路24と電気的に接続されている。このチップコンデンサ23a,23bは(実施の形態1に於いても同様であるが)凹部22の内面22cと集積回路24の間に収納されることにより薄型化を図っている。
図6は実施の形態3における温度補償発振器(高周波モジュールの一例として用いた)の製造方法の工程図である。図6において実施の形態2との相違は、基台21とチップコンデンサ23a,23bと水晶振動子27とを同時に一括して接着して生産効率を更に向上させるところにある。即ち、凹部22を有するとともにこの凹部22の底面22aに集積回路24をフリップチップ実装する第1の工程56と、この第1の工程56の後に集積回路24を接着材25で封止する第2の工程57と、この第2の工程57の後に接着材25を硬化させる第3の工程58とを有する第1の部品59と、この第1の部品59とは別工程であって、水晶振動子27にクリーム半田を印刷する工程60と、この工程60の後で印刷されたクリーム半田上に第1の部品59とチップコンデンサ23a,23bを実装する工程61と、この工程61の後で熱を加えてチップコンデンサ23a,23bと第1の部品59とを同時に接着する工程62とからなる温度補償発振器の製造方法であり、工程62でチップコンデンサ23a,23bと第1の部品59とを同時に接着するので、生産効率が更に向上する。
図7は、携帯電話等に使用される受信器(高周波モジュールの一例として用いた)のブロック図である。図7において、65a,65bはSAW(表面弾性波)フィルタであり、UHF帯の周波数を通過させるバンドパスフィルタである。また、66は増幅器であり、67は混合器であり、共に集積回路69内に収納されている。また、68a,68b,68c,68dはチップコンデンサである。そして、これらの集積回路69やチップコンデンサ68a,68b,68c,68dは、絶縁性を有するセラミック製の基台70に設けられた凹部70a(図示せず)に収納されている。この実施の形態4に於いても65a,65bで形成されたSAWフィルタ65の大きさは通過させる周波数によって決定されるものであり、基台70の大きさをSAWフィルタ65の大きさに合わせることによって小型化を図っている。
図8は、携帯電話等に使用される送信器(高周波モジュールの一例として用いた)のブロック図である。図8において、73はSAWフィルタであり、UHF帯の周波数を通過させるバンドパスフィルタである。また、74は電力増幅器であり集積回路(図示せず)内に収納されている。また、76a,76b,76cはチップコンデンサである。そして、これらの集積回路やチップコンデンサ76a,76b,76cは、絶縁性を有するセラミック製の基台77に設けられた凹部(図示せず)に収納されている。この実施の形態5に於いてもSAWフィルタ73の大きさは通過させる周波数によって決定されるものであり、基台77の大きさをSAWフィルタ73の大きさに合わせることによって小型化を図っている。
図9は、実施の形態6におけるVCO(電圧制御発振器)/PLLモジュール(高周波モジュールの一例として用いた)のブロック図である。図9において、本発明のVCO/PLLモジュールは、絶縁体で形成された基台81と、この基台81に設けられた凹部82と、この凹部82の底面にフリップチップ実装されたPLL集積回路83と、このPLL集積回路83と電気的に接続されるとともに基台81の凹部の天面側に被せられたVCO85とを備えた構成である。そして、凹部82内にPLL集積回路83と電気的に接続され、チップ部品で形成されたローパスフィルタ84とを収納するとともに、VCO85と基台81の大きさを略等しくしたものであり、このように凹部82内にバンプ接続されたPLL集積回路83とチップ部品で形成されたローパスフィルタ84を収納することにより、基台81を略VCO85の大きさに等しくすることができるので、小型化されたVCO/PLLモジュールが実現できる。
22 凹部
22a 底面
23a チップコンデンサ
23b チップコンデンサ
24 集積回路
24a バンプ
26 天面
27 水晶振動子
Claims (4)
- 絶縁体で形成された基台と、この基台に設けられた凹部と、この凹部の底面にフリップチップ実装された集積回路と、この集積回路と電気的に接続されたチップコンデンサと、前記集積回路と電気的に接続されるとともに前記基台の凹部の天面側に被せられたフィルタとを備え、前記フィルタは、前記基台の大きさと略等しくするとともに、前記チップコンデンサはフィルタにクリーム半田で固着された高周波モジュール。
- フィルタは水晶振動子とするとともに、集積回路内には、発振回路と、この発振回路に接続された出力端子と、温度補償回路と、周波数制御回路と、前記集積回路の外周に設けられたチップコンデンサに接続されることにより形成される安定化電源回路とを備え、前記水晶振動と前記集積回路および前記チップコンデンサとで温度補償発振器を形成した請求項1に記載の高周波モジュール。
- 高周波信号が入力される第1の入力端子と、この第1の入力端子に入力された信号が第1のチップコンデンサを介して供給される増幅回路と、この増幅回路の出力が供給されるフィルタと、このフィルタの出力が一方の入力に供給される混合回路と、この混合回路の出力が第2のチップコンデンサを介して供給される出力端子と、前記混合回路との他方の端子に第3のチップコンデンサを介して局部発振周波数が入力される第2の入力端子とを設けて受信器が形成された請求項1に記載の高周波モジュール。
- 高周波信号が入力される入力端子と、この入力端子に入力された信号が第1のチップコンデンサを介して供給されるフィルタと、このフィルタの出力が供給される増幅回路と、この増幅回路の出力が第2のチップコンデンサを介して供給される出力端子とを設けて送信器が形成された請求項1に記載の高周波モジュール。
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JP2007082113A (ja) * | 2005-09-16 | 2007-03-29 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 無線モジュール素子及びその実装方法 |
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- 2005-02-09 JP JP2005032564A patent/JP4148226B2/ja not_active Expired - Fee Related
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