JP2005217352A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 Siを含む絶縁膜上に形成された低誘電率絶縁膜を有する半導体装置において、このSiを含む絶縁膜と低誘電率絶縁膜との界面に、その組成が、絶縁膜の材料の化学論理的組成よりもSi過剰なSiリッチ層を設ける。この半導体装置を形成する際には、まず、基板上にSiを含む絶縁膜を形成し、この絶縁膜の表面に、その組成が、絶縁膜の材料の化学論理的組成よりもSi過剰なSiリッチ層を形成する。その後、このSiリッチ層上に、低誘電率絶縁膜を形成する。
【選択図】 図1
Description
これに対して、例えば、多孔質絶縁膜の機械的強度改善のため、多孔質絶縁膜と多孔質絶縁膜上に形成するバリアメタルとの間にSiリッチ層を形成する等、種々の方法は検討されている(例えば、特許文献1参照)。
基板上に形成されたSiを含む絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成されたSiリッチ層と、
前記Siリッチ層上に形成された低誘電率絶縁膜と、
を備え、
前記Siリッチ層は、その組成が、前記絶縁膜の材料の化学論理的組成よりもSi過剰なものである。
基板に、Siを含む絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜表面に、前記絶縁膜の材料の化学論理的組成よりもSi過剰なSiリッチ層を形成するSiリッチ層形成工程と、
前記Siリッチ層上に、低誘電率絶縁膜を形成する低誘電率絶縁膜形成工程と、
を備えるものである。
以下、具体的に説明する。
図1は、この発明の実施の形態における、半導体装置を説明するための断面模式図である。
図1に示すように実施の形態における半導体装置100において、Si基板2には、STI(Shallow Trench Isolation)4が形成され、各活性領域に分離されている。活性領域には、拡散層6が形成されている。
以下、図1〜図11を用いて、この発明の実施の形態における半導体装置100の製造方法を説明する。
その後、必要に応じて、ステップS4〜S24に示すような工程を繰り返し、多層配線構造を有する所望の半導体装置を得ることができる。
2 Si基板
4 STI
6 拡散層
8 ゲート絶縁膜
10 ゲート電極
12 サイドウォール
14 絶縁膜
16 タングステンプラグ
20、40 SiOC膜
22、42 Siリッチ層
24、44 多孔質絶縁膜
26、46 SiO2キャップ膜
28、48 Cu配線
32、52 開口
34、54 バリアメタル
36、56 Cu
60 レジストマスク
Claims (9)
- 基板上に形成されたSiを含む絶縁膜と、
前記絶縁膜上に形成されたSiリッチ層と、
前記Siリッチ層上に形成された低誘電率絶縁膜と、
を備え、
前記Siリッチ層は、その組成が、前記絶縁膜の材料の化学論理的組成よりもSi過剰なものであることを特徴とする半導体装置。 - 前記Siリッチ層は、前記Siリッチ層を構成する元素のうち、Siの、Siを除く元素に対する原子数量比は、約0.6以上であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記Siリッチ層の膜厚は、約0.5〜約5nmであることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 基板に、Siを含む絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜表面に、前記絶縁膜の材料の化学論理的組成よりもSi過剰なSiリッチ層を形成するSiリッチ層形成工程と、
前記Siリッチ層上に、低誘電率絶縁膜を形成する低誘電率絶縁膜形成工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記Siリッチ層形成工程は、スパッタ法により行うことを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記Siリッチ層形成工程におけるスパッタ法は、SiO2換算で、約2nm〜約10nm程度のスパッタであることを特徴とする請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記Siリッチ層形成工程におけるスパッタ法は、ArまたはN2を用いて行うことを特徴とする請求項5または6に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記Siリッチ層形成工程は、プラズマ処理により行うことを特徴とする請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記プラズマ処理は、Ar、N2、H2、NH3のいずれかの雰囲気、又は、H2とN2との混合ガスの雰囲気中で行うことを特徴とする請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
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JP2004025323A JP2005217352A (ja) | 2004-02-02 | 2004-02-02 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
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JP2007227507A (ja) * | 2006-02-22 | 2007-09-06 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法および半導体装置 |
JP2011101028A (ja) * | 2010-12-17 | 2011-05-19 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置の製造方法 |
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- 2004-02-02 JP JP2004025323A patent/JP2005217352A/ja active Pending
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