JP2005217188A - 半導体光検出装置及び製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体光検出装置1は、同一半導体基板2上に形成された複数の柱状突起A,B,C,Dを備えており、それぞれの柱状突起A,B,C,Dの側面は光検出面a,b,c,dを備えている。半導体発光素子A1,B1,C1,D1から出射された光は、光検出面a,b,c,dに入射する。半導体光検出装置1は、複数の柱状突起A,B,C,Dの側面が光検出面a,b,c,dを備えているので、半導体発光素子A1,B1,C1,D1からの出射光を光検出面a,b,c,d上に容易に照射することができる。半導体光検出装置1及び半導体発光素子A1,B1,C1,D1は、配線基板10上にダイボンドされている。
【選択図】 図1
Description
Claims (7)
- 同一半導体基板上に形成された複数の柱状突起を備えた半導体光検出装置であって、それぞれの前記柱状突起の側面は光検出面を備えていることを特徴とする半導体光検出装置。
- 前記柱状突起は、前記光検出面を含む側面によって囲まれ、厚み方向に半導体層を積層してなるホトダイオードを構成することを特徴とする請求項1に記載の半導体光検出装置。
- それぞれの前記柱状突起の前記側面は、それぞれ周方向全体に沿って前記光検出面を備えていることを特徴とする請求項2に記載の半導体光検出装置。
- それぞれの前記柱状突起の前記側面は、それぞれ周方向の一部に沿った1平面を有しており、この平面は前記光検出面を構成することを特徴とする請求項2に記載の半導体光検出装置。
- それぞれの前記柱状突起の前記側面は、それぞれ周方向の一部に沿った2平面を有しており、これらの平面は前記光検出面を構成することを特徴とする請求項2に記載の半導体光検出装置。
- 半導体光検出装置の製造方法において、
第1導電型の半導体基板の表面をエッチングし複数の柱状突起を製造する工程と、
複数の前記柱状突起の側面及び頂面を覆うようにI型の半導体層をエピタキシャル成長させる工程と、
前記柱状突起毎の前記半導体層の表面から第2導電型の不純物を拡散する工程と、
を備えることを特徴とする半導体光検出装置。 - 半導体光検出装置の製造方法において、
第1導電型の半導体基板の表面をエッチングし複数の柱状突起を製造する工程と、
複数の前記柱状突起の側面及び頂面から第2導電型の不純物を拡散する工程と、
を備えることを特徴とする半導体光検出装置。
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