JP2005203772A - コンタクトホールのないナノサイズの磁気トンネル接合セルの形成方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 コンタクトホールを形成せずにMTJセル内にコンタクトを形成することによってナノサイズのMTJセルを形成できる方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板10上にMTJ層を積層する第1段階と、前記MTJ層を所定の深さにエッチングしてMTJセルの形成領域を形成する第2段階と、前記MTJ層の全面に絶縁層とマスク層とを順次に形成する第3段階と、前記MTJセルの形成領域が露出されるまで前記マスク層と絶縁層とをエッチングする第4段階と、前記絶縁層とMTJ層との全面に金属層を蒸着する第5段階と、を含むことを特徴とするコンタクトホールのないナノサイズのMTJセルの形成方法。
【選択図】 図3
【解決手段】 半導体基板10上にMTJ層を積層する第1段階と、前記MTJ層を所定の深さにエッチングしてMTJセルの形成領域を形成する第2段階と、前記MTJ層の全面に絶縁層とマスク層とを順次に形成する第3段階と、前記MTJセルの形成領域が露出されるまで前記マスク層と絶縁層とをエッチングする第4段階と、前記絶縁層とMTJ層との全面に金属層を蒸着する第5段階と、を含むことを特徴とするコンタクトホールのないナノサイズのMTJセルの形成方法。
【選択図】 図3
Description
本発明は、コンタクトホールのないナノサイズの磁気トンネル接合セル(Magnetic Tunnel Junction Cell:MTJセル)の形成方法に係り、より詳細には、コンタクトホールを形成せずにMTJセル内にコンタクトを形成することによってナノサイズのMTJセルを形成できる方法に関する。
フラッシュメモリは、不揮発性メモリであり、揮発性メモリとは違ってメモリへの電源供給が切れてしまっても、メモリに記録されたデータが失われずにそのまま保存されるという長所がある。しかし、データの記録速度が一般のDRAMより実に1000倍ほど遅く、かつ記録時の電力消費も相当多いという短所がある。また、データの消去および書き込み回数にもある程度の制限があることが知られている。そのために、一般的なDRAMとフラッシュメモリとの長所、すなわち、読出し/書込み速度が速く、消費電力が少なく、かつ電源がオフとなってもデータをそのまま保持できるメモリが研究されている。その結果として開発された不揮発性メモリとして、FeRAM(Ferroelectric RAM)、オボニック統合メモリ(Ovonic Unified Memory;OUM)、MRAMなどがある。
ここで、MRAMは、磁気ランダムアクセスメモリ(Magnetic Random Access Memory)の略称であって、トンネル型磁気抵抗効果によって情報を記憶する磁気トンネル接合(Magnetic Tunnel Junction;MTJ)素子を用いてメモリセルを構成する不揮発性メモリ素子である。図1Aおよび図1Bに示すように、MTJ素子は、2つの強磁性層100、300の間に絶縁層(トンネルバリヤ)200が挟設された構造を有する。MTJ素子に記憶される情報は、2つの強磁性層100、300の磁化方向が同一の方向か、逆の方向かによって決定される。すなわち、図1Aに示すように、2つの強磁性層の磁化方向が同一になった場合、前記強磁性層100、300間にある絶縁層(トンネルバリヤ)200のトンネル抵抗が最も低くなり、例えば、“1”状態となる。一方、図1Bに示されたように、2個の強磁性層100、300の磁化方向が逆の方向になった場合、前記強磁性層間にある絶縁層200のトンネル抵抗が高くなり、例えば、“0”状態となる。このようなMTJ素子の独特な性質を用いれば、MTJ素子をメモリセルとして機能させることができる。以下では、便宜上、MTJ素子を用いるメモリセルを“MTJセル”と称する。
図2Aないし図2Hは、このようなMTJセルを形成する一般的な方法を順を追って示す。
まず、図2Aに示されたように、基板10上にMTJ層20を形成し、前記MTJ層20上に再びハードマスク層30を形成する。次いで、MTJセルが形成される前記ハードマスク層30上の領域にフォトレジスト32を積層した後、ドライエッチング法によってMTJセルの形成領域部分以外のハードマスク層30をエッチングする。フォトレジスト32を除去して、図2Bに示す形態となる。
まず、図2Aに示されたように、基板10上にMTJ層20を形成し、前記MTJ層20上に再びハードマスク層30を形成する。次いで、MTJセルが形成される前記ハードマスク層30上の領域にフォトレジスト32を積層した後、ドライエッチング法によってMTJセルの形成領域部分以外のハードマスク層30をエッチングする。フォトレジスト32を除去して、図2Bに示す形態となる。
次いで、ドライエッチング法によって、ハードマスク層30の残余の部分とMTJ層20の一部をエッチングし(図2C)、その上に絶縁層40を蒸着する(図2D)。このように絶縁層40が蒸着されれば、コンタクトホール60の形成のために、前記絶縁層40上にマスク層35を塗布してKrステッパーを用いたリソグラフィー工程を行ってコンタクトホールをパターニングする(図2E)。次いで、ドライエッチングによってコンタクトホール60の形成部分の絶縁層40とフォトマスク32とを除去すれば、図2Fに示すように、MTJセルの中央にコンタクトホール60が形成される。引き続き、最後に残っているマスク層35を除去して(図2G)、その上に金属層50を全体的に塗布すれば、図2HのようなMTJセルが完成される。
このようなMTJセルよりなる磁気メモリ(MRAM)は、消費電力が低く、かつ高速にデータを記録/読取りでき、また、無制限にデータの修正を可能ならしめるという点で他の素子を用いるメモリと比較して多くの長所を有している。
ところで、このようなMRAMが実用性を有するためには他のメモリと同様に高集積化されねばならない。MRAMが高集積化されるためには、前記MTJセルの大きさが少なくとも100nm級以下にならねばならないが、現在の技術では100nm以下のサイズを有するセルの加工は非常に難しい。特に、前記のような従来のMTJセルの形成方法による場合、100nmのMTJセル内に100nmよりはるかに狭いコンタクトホールを形成してからコンタクトを形成しなければならないため、コンタクトを形成し難い。これは、いままで100nm以下のMTJセルの形成を不可能にする原因となっている。現在まで開発されたMTJセルのサイズは400nm×800nmほどであるために、高集積化の達成に要求されるサイズに比べると、相当大きい。したがって、現時点では磁気メモリの実用性が落ちていた。さらに、前記のような従来の方法でMTJセルを形成する場合、コンタクトホールの大きさが非常に小さくなるために、コンタクトでの抵抗が高まってデータの記録および判読過程でエラーが発生する確率が高くなるとともに、電力の消耗が増加する問題が発生する。
本発明は、前記問題点を改善するためのものである。したがって、本発明の目的は、この技術分野で要求される100nm以下のMTJセルを形成できる方法を提供することによって、磁気メモリの高集積化を可能ならしめることである。
また、本発明の目的は、コンタクトホールを形成せずにコンタクトを形成することによって、セルの小型化とともに小さくなるコンタクトホールの形成に伴う難点を避け、小さなコンタクトホールによる抵抗を低くすることができるナノサイズのMTJセルを形成する方法を提供することである。
また、本発明の他の目的は、コンタクトホールの形成に必要な工程を除くことによって、さらに速くかつ安価な方法でナノサイズのMTJセルを形成する方法を提供することである。
本発明の一類型によれば、コンタクトホールのないナノサイズのMTJセルを形成する本発明に係る方法は、基板上に磁気トンネル接合層を積層する第1段階と、前記磁気トンネル接合層をパターニングして磁気トンネル接合セルの形成領域を形成する第2段階と、前記磁気トンネル接合層の全面に絶縁層とマスク層とを順次に積層する第3段階と、前記マスク層と絶縁層とを同じ速度でエッチングして前記磁気トンネル接合セルの形成領域の上面を露出させる第4段階と、前記絶縁層と前記磁気トンネル接合層の全面に金属層を積層する第5段階と、を含むことを特徴とする
ここで、前記MTJ層は、導電性を有するベース層、磁性を有する下部物質膜、絶縁膜、磁性を有する上部物質膜および導電性を有するキャップ層が順次に積層されていることを特徴とする。
この際、前記MTJ層をパターニングしてMTJセルの形成領域を形成する第2段階は、前記MTJ層上にハードマスクを蒸着する段階と、第1ドライエッチングによって前記ハードマスクをパターニングする段階と、第2ドライエッチングによって前記ハードマスクが残っている領域を除いたMTJ層を所定の深さにエッチングしてMTJセルの形成領域を形成する段階と、を含むことを特徴とする。
また、前記マスク層と絶縁層とをエッチングする第4段階は、第3ドライエッチングによって前記マスク層と絶縁層とを同じエッチング速度でエッチングする段階と、前記MTJセルの形成領域が露出されれば、前記第3ドライエッチングを中止する段階と、残っているマスク層の成分を除去する段階と、を含むことを特徴とする。
本発明によれば、コンタクトホールを通じてコンタクトを形成した従来の方法では不可能であった、100nm級のMTJセルの製造が可能となった。また、コンタクトホールがないために比較的に広いコンタクトを形成でき、コンタクトの抵抗が比較的低くなるという長所もある。さらに、従来、コンタクトホールの形成のために追加的に要求されたリソグラフィー工程とドライエッチング工程とが本発明では短縮され、全般的に工程の制御が容易なために、MTJセルの製造時間および費用を低減させることができる。
その結果、本発明によれば、実用性ある高集積の磁気メモリをさらに安価で提供することができる。
以下、添付した図面に基づいて本発明の一実施形態によるコンタクトホールを有しないMRAMのMTJセルを形成する方法について詳細に説明する。
図3は、本発明に係るMTJセルを示す断面図である。図3に示された本発明に係るMTJセルと、図2Hに示された従来の技術に係るMTJセルとを比較すると、従来の技術に係るMTJセルではコンタクトホール60を通じて金属層50とMTJ素子20とが電気的に接続されているのに対して、本発明ではコンタクトホール無しに金属層50とMTJ素子20の上部が直接接触して電気的に接続されていることが分かる。したがって、このような構成によれば、接触面が広がるだけでなく、コンタクトホールの形成に要求される非常に複雑で微細な工程が不要となる。
図4Aないし図4Hは、このような本発明に係るMTJセルの製造方法を順を追って示す断面図である。図4Aから図4Dまでの過程は、図2Aから図2Dに示す従来のMTJセルの形成過程と同一である。この過程についてさらに具体的に説明すれば、次の通りである。まず、半導体基板10上にMTJ層20を積層する。ここで、前記半導体基板10はSiまたはSiO2のような材料を主に用い、MTJ層20の厚さは400Åないし1500Å程度であることが望ましい。
一方、説明の便宜上、図4では前記MTJ層20を簡単に1つの層と示したが、実際には、前記MTJ層20はさらに複雑な構造を有する。すなわち、図5に例示的に示されたように、前記MTJ層20は、ベース層21上に、下部物質膜22、絶縁膜23、上部物質膜24、およびキャップ層25の順に積層された構造よりなっている。下部物質膜22は単一磁性膜で形成することもできるが、磁性膜を含む複数の物質膜で形成することが望ましい。例えば、複数の物質膜構造よりなる下部物質膜22は、Ta膜、Ru膜、IrMn膜およびSAF(Synthetic Antiferromagnetic Film)を順を追って積層して形成することができる。この際、Ru膜の代りにNiFe膜を用いても良い。絶縁膜23は、電子トンネリングのためのものであって、例えば、Al2O3(Al−O)で形成することができる。上部物質膜24も下部物質膜22と同じく単一磁性膜で形成できるが、例えば、CoFe膜とNiFe膜とを順を追って積層して形成する複数の物質膜構造よりなることが望ましい。一方、キャップ層25は、Ta膜、Ru膜等の導電性を有する膜で形成する。下部物質膜22が形成されるベース層21も導電性を有する単層あるいは複層の物質膜で形成できるが、複層の場合、Ti膜とTiN膜とが順次に積層されたもの(Ti/TiN)とすることができる。MTJセルが完成されれば、前記ベース層21はメモリのデータライン(図示せず)と連結され、前記キャップ層25は金属層50を通じてメモリのビットライン(図示せず)と連結される。
MTJ層20が積層されたならば、前記MTJ層20の一部をエッチングしてMTJセルが形成される領域(以下、MTJセルの形成領域)を作らねばならない。この際、前記MTJセルの形成領域は、本発明の目的によって横および縦に幅が各々100nm以下であることが望ましい。このように微細なパターンでエッチングするためには、一般的にエッチング選択比の高いハードマスク(hard mask;H.M)30を用いる。ハードマスクを用いるさらに他の理由は、MTJ層20の最上部にあるキャップ層25の材料として使われるTaやRu上に一般のフォトレジストを精密に塗布することが難しいからである。したがって、MTJセルの形成領域を形成するために、前記MTJ層20上にまずハードマスク30を積層する。このようなハードマスクとしては、一般にSiO2、Si3N4、フッ素シリケートガラス(fluorinated silicate glass;FSG)、PSG(Phosphors Silicate Glass)、またはBPSG(Boron Phosphors Silicate Glass)が使われる。一方、ハードマスクの厚さは、MTJ層20の厚さによって適切に選択されるが、1000Åないし8000Å程度であることが望ましい。
MTJ層20上にハードマスク30が塗布された後には、前記ハードマスク30上にMTJセルの形成領域の大きさおよびパターンに合わせてフォトレジスト32(または、電子ビームレジスト)を塗布する。図4Aは、フォトレジスト32がハードマスク30上に塗布された状態を示している。その後、前記フォトレジスト32をマスクとして前記フォトレジスト32が塗布された部分を除いたハードマスク30の部分をドライエッチングすることによって、ハードマスクパターンを形成した後、フォトレジスト32を除去する。すなわち、図4Bに示されたように、ドライエッチング過程を通じてフォトレジスト32は除去され、フォトレジスト32のパターンがそのままハードマスク30に転写される。この際、前記ドライエッチングには、主にフッ素系のエッチングガスが使われる。例えば、C2F6、C4F8、CHF3などのガスをエッチングガスとして用いる。
次いで、図4Cに示されたように、再び前記ハードマスク30をマスクとして前記ハードマスク30が塗布された部分を除いたMTJ層20をドライエッチングすることによってMTJセルの形成領域を形成する。この際、ドライエッチング過程でMTJ層20を全てエッチングするものではなく、MTJ層20のベース層21が露出されるまでエッチングを行う。すなわち、ベース層21の成分のTiやTiNなどが検出されたとき、ドライエッチングを終了させる。ベース層21は、後でMRAMが完成された時、MTJセルの下部でMTJセルを制御するCMOS(図示せず)およびデータライン(図示せず)と連結される導電線の役割を有する。この過程でMTJセルの形成領域上にハードマスク30が少し残っていても良い。
MTJ層20をエッチングしてMTJセルの形成領域を形成する方法を簡単に説明すれば、キャップ層25、上部物質膜24、絶縁膜23および下部物質膜22が、所定のプラズマエッチング工程によって順次にエッチングされる。この過程で、エッチングされる物質膜によってエッチング条件を変えねばならないが、これは、エッチングガスとして用いられる混合ガスの混合比と基板に印加されるバイアスパワーとを各々独立して調節することによって可能である。この際、エッチングガスとして用いられる混合ガスは、Cl2を含まないものであって、主ガスと添加ガスとが所定の割合で混合されたものを用いる。前記主ガスとして、例えば、BCl3を用いる。そして前記添加ガスとして、例えば、Arを用いる。
このようにMTJセルの形成領域が形成されたならば、図4Dに示されたように、プラズマ化学蒸着(PECVD)またはマグネトロンスパッタリング法を用いて、MTJ層20の全面に亙り、例えば、SiO2やSi3N4よりなる絶縁層40を蒸着する。絶縁層40は、後で金属層50が最終的に蒸着された時、前記金属層50がキャップ層25とだけ電気的に接続され、他の部分との電気的接続を遮断する役割を有する。したがって、前記MTJ層20上に形成された絶縁層40のうち前記MTJセルの形成領域以外の部分に形成された絶縁層40(すなわち、MTJ層20のベース層21上に形成された絶縁層40)の部分の高さ(すなわち、図4Dで絶縁層40の最も低い部分の高さ)は、少なくともMTJセルの形成領域内のキャップ層25より高くなければならない。
次いで、図4Eに示されたように、前記絶縁層40の表面上にマスク層35を全体的に塗布する。以後のドライエッチングのために、マスク層35は、ポリミド(polymide)等のフォトレジストや電子ビームレジストで構成される。また、前記マスク層35は、図4Eに示されたように、以後のエッチング過程での必要に応じて、上面の高さが実質的に均一になるように塗布されることが望ましい。
絶縁層40とマスク層35とが形成された後、図4Fに示されたように、ドライエッチングによって、前記マスク層35と絶縁層40とを同じエッチング速度でエッチングする。すなわち、相異なる種類の薄膜に対するエッチング速度の相対的な比をいうエッチング選択比が、本発明での前記マスク層35と絶縁層40の場合には1:1となる。マスク層35と絶縁層40とをこのように同じエッチング速度でエッチングするためには、ドライエッチング時にエッチングガスが適切に選択されねばならない。絶縁層40がSiO2やSi3N4である場合、一般にC2F6やC4F8を主ガスとして用い、ArやO2を添加ガスとして用いる。前記ドライエッチングは、MTJ層20の最上層のキャップ層25で停止される。すなわち、エッチング途中でキャップ層25の成分のTaまたはRuが検出されたときにエッチングを停止する。
前記ドライエッチング作業が完了した後には、以後の金属層50の蒸着のために、前記エッチングされた表面上に残っているマスク層35の残余成分をドライエッチング法や有機クリーニング方法を用いて除去する。この時のドライエッチングや有機クリーニング方法は、フォトレジストや電子ビームレジスト等のマスク層35の成分だけを除去し、絶縁層40およびMTJ層20には影響を与えてはならない。マスク層35は、通常、C、H、Oなどの原子より構成されているポリマーであるため、アッシング装置内で主に酸素ガスを用いてCO、CO2などの揮発性反応生成物を生成して除去される。本発明において、前記マスク層35と絶縁層40とが同じエッチング速度でエッチングされるために、エッチング終了後には、図4Gに示されたように、絶縁層40とMTJ層20とが何れも同じ高さで平坦な面を形成する。
最後に、前記絶縁層40とMTJ層20の上に、スパッタリング法を用いて金属層50を蒸着する。この際、使われる金属としては、Ti、TiN、Ta、Al等の金属が挙げられる。図4Hは、このような過程を通じて完成された、本発明に係る最終的なMTJセルの断面図を示す。図4Hに示されたように、本発明によるMTJセルは、コンタクトホールが無く、MTJ層20のキャップ層25と金属層50の間に比較的広いコンタクトが形成される。
本発明はコンタクトホールを形成せずにMTJセル内にコンタクトを形成することによって高集積の磁気メモリを安価に提供するために好適である。
10 半導体基板
20 MTJ素子(MTJ層)
40 絶縁層
50 金属層
20 MTJ素子(MTJ層)
40 絶縁層
50 金属層
Claims (20)
- 基板上に磁気トンネル接合層を積層する第1段階と、
前記磁気トンネル接合層をパターニングして磁気トンネル接合セルの形成領域を形成する第2段階と、
前記磁気トンネル接合層の全面に絶縁層とマスク層とを順次に積層する第3段階と、
前記マスク層と絶縁層とを同じ速度でエッチングして前記磁気トンネル接合セルの形成領域の上面を露出させる第4段階と、
前記絶縁層と前記磁気トンネル接合層の全面に金属層を積層する第5段階と、を含むことを特徴とするコンタクトホールのない磁気トンネル接合セルの形成方法。 - 前記磁気トンネル接合層は、導電性を有するベース層、磁性を有する下部物質膜、絶縁膜、磁性を有する上部物質膜および導電性を有するキャップ層が順次に積層されていることを特徴とする請求項1に記載のコンタクトホールのない磁気トンネル接合セルの形成方法。
- 前記絶縁膜は、Al2O3を含む材料よりなることを特徴とする請求項2に記載のコンタクトホールのない磁気トンネル接合セルの形成方法。
- 前記磁気トンネル接合層をパターニングして磁気トンネル接合セルの形成領域を形成する第2段階は、
前記磁気トンネル接合層上にハードマスクを蒸着する段階と、
第1ドライエッチングによって前記ハードマスクをパターニングする段階と、
第2ドライエッチングによって前記ハードマスクが残っている領域を除いた磁気トンネル接合層を所定の深さにエッチングして磁気トンネル接合セルの形成領域を形成する段階と、を含むことを特徴とする請求項2に記載のコンタクトホールのない磁気トンネル接合セルの形成方法。 - 前記ハードマスクをパターニングする段階は、
前記ハードマスク上に磁気トンネル接合セルの形成領域の大きさにフォトレジストを塗布する段階と、
第1ドライエッチングによって前記フォトレジストの塗布された部分を除いて前記ハードマスクをエッチングする段階と、を含むことを特徴とする請求項4に記載のコンタクトホールのない磁気トンネル接合セルの形成方法。 - 前記ハードマスクは、SiO2、Si3N4、FSG、PSGおよびBPSGよりなる群から選ばれる少なくとも1種を含む材料よりなることを特徴とする請求項5に記載のコンタクトホールのない磁気トンネル接合セルの形成方法。
- 前記第1ドライエッチングは、C2F6、C4F8およびCHF3よりなる群から選ばれる少なくとも1種のフッ素系のガスをエッチングガスとして用いることを特徴とする請求項5に記載のコンタクトホールのない磁気トンネル接合セルの形成方法。
- 前記磁気トンネル接合層は、ベース層が露出される深さまでエッチングされることを特徴とする請求項4に記載のコンタクトホールのない磁気トンネル接合セルの形成方法。
- 前記第2ドライエッチングは、主ガスとしてBCl3を、添加ガスとしてArを用いることを特徴とする請求項4に記載のコンタクトホールのない磁気トンネル接合セルの形成方法。
- 前記磁気トンネル接合セルの形成領域の横および縦の幅は、それぞれ100nm以下であることを特徴とする請求項4に記載のコンタクトホールのない磁気トンネル接合セルの形成方法。
- 前記ハードマスクの厚さは、1000Åないし8000Åの範囲にあることを特徴とする請求項4に記載のコンタクトホールのない磁気トンネル接合セルの形成方法。
- 前記磁気トンネル接合層の厚さは、400Åないし1500Åの範囲にあることを特徴とする請求項4に記載のコンタクトホールのない磁気トンネル接合セルの形成方法。
- 前記磁気トンネル接合層上に積層された絶縁層のうち、前記磁気トンネル接合セルの形成領域以外の部分に積層された絶縁層部分の高さは少なくとも前記磁気トンネル接合層内のキャップ層より高いことを特徴とする請求項2に記載のコンタクトホールのない磁気トンネル接合セルの形成方法。
- 前記絶縁層は、SiO2およびSi3N4よりなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物であることを特徴とする請求項13に記載のコンタクトホールのない磁気トンネル接合セルの形成方法。
- 前記第4段階において、絶縁層上に塗布されるマスク層は、上面の高さがほぼ均一になるように塗布されることを特徴とする請求項13に記載のコンタクトホールのない磁気トンネル接合セルの形成方法。
- 前記マスク層と絶縁層とをエッチングする第4段階は、
第3ドライエッチングによって前記マスク層と絶縁層とを同じエッチング速度でエッチングする段階と、
前記磁気トンネル接合セルの形成領域が露出されたときに前記第3ドライエッチングを終了させる段階と、
残っているマスク層の成分を除去する段階と、を含むことを特徴とする請求項1に記載のコンタクトホールのない磁気トンネル接合セルの形成方法。 - 前記磁気トンネル接合層のうちのキャップ層を構成する金属成分が前記第3ドライエッチング中に検出されたときに、エッチングを終了させることを特徴とする請求項16に記載のコンタクトホールのない磁気トンネル接合セルの形成方法。
- 前記第3ドライエッチングは、前記絶縁層とマスク層とを同じ速度でエッチングするために、C2F6およびC4F8よりなる群から選ばれる少なくとも1種を主ガスとして用い、ArおよびO2よりなる群から選ばれる少なくとも1種を添加ガスとして用いることを特徴とする請求項16に記載のコンタクトホールのない磁気トンネル接合セルの形成方法。
- 前記残っているマスク層の成分を除去する段階は、酸素ガスを用いて揮発性反応生成物を生成させることによって、マスク層成分を除去するアッシング法によって行われることを特徴とする請求項16に記載のコンタクトホールのない磁気トンネル接合セルの形成方法。
- 前記金属層は、Ti、TiN、TaおよびAlよりなる群から選択される少なくとも1つの金属を含むことを特徴とする請求項1に記載のコンタクトホールのない磁気トンネル接合セルの形成方法。
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