JP2005197686A - フラッシュメモリ素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 フローティングゲート用ポリシリコン層の形成された半導体基板を提供する段階と、ポリシリコン層上に酸化膜及び窒化膜を順次形成する段階と、窒化膜の上部を酸化させて酸化窒化膜を形成し、これにより酸化膜、窒化膜及び酸化窒化膜の積層構造からなる誘電体膜を形成する段階と、誘電体膜の上部にコントロールゲート用ポリシリコン層及びシリサイド層を順次形成する段階とを含む構成としたことを特徴とする。
【選択図】 図2
Description
102…トンネル酸化膜
103…フローティングゲート用ポリシリコン層
104…窒化処理膜
105…ONO1酸化膜
106…ONO2窒化膜
107…ONO3SiON膜
108…誘電体膜
109…コントロールゲート用ポリシリコン層
110…シリサイド層
Claims (11)
- フローティングゲート用ポリシリコン層の形成された半導体基板を提供する段階と、
前記ポリシリコン層上に酸化膜及び窒化膜を順次形成する段階と、
前記窒化膜の上部を酸化させて酸化窒化膜を形成し、これにより前記酸化膜、前記窒化膜及び前記酸化窒化膜の積層構造からなる誘電体膜を形成する段階と、
前記誘電体膜の上部にコントロールゲート用ポリシリコン層及びシリサイド層を順次形成する段階とを含むことを特徴とするフラッシュメモリ素子の製造方法。 - 前記酸化膜を形成する前に、前記フローティングゲート用ポリシリコン層の表面を窒化処理する段階をさらに含むことを特徴とする請求項1記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記窒化処理は、600℃以上、且つ800℃以下の温度と20Torr以上、且つ760Torr以下の圧力で窒素含有気体を用いて行うことを特徴とする請求項2記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記窒素含有気体として、NH3気体を単独で使用し或いはNH3/ArまたはNH3/N2の混合気体を使用することを特徴とする請求項3記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記酸化膜は、SiH4/N2OまたはSiH2Cl2/N2Oの混合気体で形成され、700℃以上、且つ900℃以下の温度と0.05Torr以上、且つ2Torr以下の圧力でCVD法によって形成されることを特徴とする請求項1記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記酸化膜を形成するために前記半導体基板を蒸着チャンバーにロードする過程でローディング温度を300℃以下に設定することを特徴とする請求項1記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記窒化膜は、SiH4/NH3またはSiH2Cl2/NH3の混合気体で形成され、600℃以上、且つ800℃以下の温度と0.05Torr以上、且つ3Torr以下の圧力でCVD法によって形成されることを特徴とする請求項1記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記窒化膜の上部が所定の厚さだけ前記酸化窒化膜に変わることを考慮して窒化膜の厚さを決定することを特徴とする請求項1記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記酸化窒化膜は、O2ガス及びH2ガスを蒸着チャンバーに供給して前記半導体基板の表面にスチームを形成する方式で前記窒化膜を酸化させて形成されることを特徴とする請求項1記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記H2の割合は最高33%とし、圧力は20Torr以下に維持し、温度は800℃以上、且つ1050℃以下に維持することを特徴とする請求項9記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
- 前記窒化膜の最終厚さが30Å以上、且つ100Å以下となり、前記窒化膜の酸化損失によって形成される前記酸化窒化膜の厚さが30Å以上、且つ100Å以下となることを特徴とする請求項1記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
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