JP2005192296A - インバータ装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】
生産性に優れ、配線インダクタンスの小さい、跳ね上がり電圧が抑制されたインバータ装置を提供することにある。
【解決手段】
複数のインバータを構成する直流入力用配線ブスバーの構造を簡素化するインバータ装置であり、複数のインバータ装置の正極,負極からなる直流入力端子を互いに対面する方向に配置したインバータ装置であって、前記それぞれのインバータ装置の負極は一体平面状の導体と接続され、他方の正極は他の一体平面状の導体と接続されて前記負極の導体に絶縁物を挟んで重なり合うように配置し接続される。
【選択図】図1
生産性に優れ、配線インダクタンスの小さい、跳ね上がり電圧が抑制されたインバータ装置を提供することにある。
【解決手段】
複数のインバータを構成する直流入力用配線ブスバーの構造を簡素化するインバータ装置であり、複数のインバータ装置の正極,負極からなる直流入力端子を互いに対面する方向に配置したインバータ装置であって、前記それぞれのインバータ装置の負極は一体平面状の導体と接続され、他方の正極は他の一体平面状の導体と接続されて前記負極の導体に絶縁物を挟んで重なり合うように配置し接続される。
【選択図】図1
Description
本発明は、インバータ装置に関する。
複数個のスイッチング素子(インバータ)を並列接続したインバータ装置は例えば特開2003−61365号公報で知られている。
上記公知例によれば、各スイッチング素子のP極及びN極端子に接続される導体を近接する面から向かい合ったL型形状にすると共に、絶縁シートP極及びN極導体の近接する面に沿って貼り付け、前記導体に固定した絶縁シート間に隙間を作ることで沿面距離を確保することが開示されている。
上記公知例によれば、各スイッチング素子のP極及びN極端子に接続される導体(ブスバー)を近接する面から向かい合ったL型形状に折り曲げなければならず、折り曲げに要する時間と設備が必要となり、強いてはコストアップの要因となっていた。
また、ブスバーの素材寸法の過大化,不要となる面積が多く廃棄する質量が大きい問題もある。一般にパワーモジュールから平滑コンデンサまでの配線はこのブスバーで形成されるが、モジュールの電極部の高さと平滑コンデンサの電極部の高さは大きく違い、水平状態から垂直状態に折り曲げる、また水平状態に戻すといった具合に配線しなければならなかった。
さらには、使用する素材は平角銅線もしくは平面状の銅板であり、平角銅線では折り曲げる手間が多くなり、平面状の銅板では不要な部分を削除しなければならなかった。よって、ブスバーの形状は複雑であった。
ブスバーの強度から見るとパワーモジュールや平滑コンデンサの質量は大きく、折り曲げ部には少なからずストレスがかかっていて、例えば、電気車などの車両に搭載するには折り曲げ部の強度に不足が生じる問題があった。
本発明の目的は、生産に優れ、配線インダクタンスが小さく、跳ね上がり電圧の抑制できるインバータ装置を提供するにある。
上記課題を解決するために、本発明は、直交三相電力変換できるモジュールからなるパワーデバイスを用いたインバータ装置を複数有し、その複数のインバータ装置の正極,負極からなる直流入力端子を互いに対面する方向に配置したインバータ装置であって、前記それぞれのインバータ装置の負極は一体平面状の導体と接続され、他方の正極は他の一体平面状の導体と接続されて前記負極の導体に絶縁物を挟んで重なり合うように配置し接続されることを特徴とする。
好ましくは、インバータ装置のそれぞれの直流入力端子間に一体平面状の導体に接続された平滑コンデンサを配置することにより達成される。
本発明によれば、生産に優れ、配線インダクタンスが小さく、跳ね上がり電圧の抑制できるインバータ装置が提供される。
本発明は、特に、1つのDC入力電源系統から、2つの直交三相電力変換を必要とした自己消弧型素子内蔵のパワーモジュールを使った複数のインバータ装置を平設して使用するインバータ装置に関する。
本発明の第1の内容を盛り込んだ一実施例でパワーモジュールを図2に示す。3相ブリッジ構成の6in1パワーモジュールAにはDC入力電源の−電極に接続される21N,
22N,23NとDC入力電源の+電極に接続される21P,22P,23Pの端子と
AC出力の27U,27V,27Wの端子を備える。
22N,23NとDC入力電源の+電極に接続される21P,22P,23Pの端子と
AC出力の27U,27V,27Wの端子を備える。
次にパワーモジュールを横から見た図(パワーモジュール内部は透視図)を図3に示す。まず図上部の端子高さは−電極21NとU出力27Uが同一である。しかし、+電極の
21Pは−電極21Nよりも低い高さに配置する。次に入力電源に接続される直流入力用ブスバーを配置し横から見た図を図4に示す。図4に示した−電極21Nや+電極21Pに接続される−電極ブスバー30や+電極ブスバー31の厚みは入力電流に併せて設計するが通常2〜3mmを選ぶ。本実施例では2mmの厚さとする。−電極ブスバー30と+電極ブスバー31は層間容量を期待するため重なるように配置し、その間には絶縁用に絶縁プレート32を挟み込む。その厚みは入力電圧値と絶縁プレートの絶縁耐圧に依るが本実施例では0.5mmとする。+電極21Pの上に厚さ2mmのブスバー31、その上に厚さ0.5mmの絶縁プレート32、その上には−電極21Nに接続されるブスバー30が積層される。
21Pは−電極21Nよりも低い高さに配置する。次に入力電源に接続される直流入力用ブスバーを配置し横から見た図を図4に示す。図4に示した−電極21Nや+電極21Pに接続される−電極ブスバー30や+電極ブスバー31の厚みは入力電流に併せて設計するが通常2〜3mmを選ぶ。本実施例では2mmの厚さとする。−電極ブスバー30と+電極ブスバー31は層間容量を期待するため重なるように配置し、その間には絶縁用に絶縁プレート32を挟み込む。その厚みは入力電圧値と絶縁プレートの絶縁耐圧に依るが本実施例では0.5mmとする。+電極21Pの上に厚さ2mmのブスバー31、その上に厚さ0.5mmの絶縁プレート32、その上には−電極21Nに接続されるブスバー30が積層される。
以上のことから、+電極21Pの高さと−電極21Nの電極部の高さ違いは2mmと0.5
mmを足して2.5mm とする。以上、+電極21Pと−電極21Nの関係について説明したが、+電極22Pと−電極22Nの関係,+電極23Pと−電極23Nの関係も同様とする。そして、+電極21Pと+電極22P,+電極23Pは同一の高さとし、よって−電極21Nと−電極22N,−電極23Nは同一の高さとなる。
mmを足して2.5mm とする。以上、+電極21Pと−電極21Nの関係について説明したが、+電極22Pと−電極22Nの関係,+電極23Pと−電極23Nの関係も同様とする。そして、+電極21Pと+電極22P,+電極23Pは同一の高さとし、よって−電極21Nと−電極22N,−電極23Nは同一の高さとなる。
次に配置について説明する。今回の発明の内容は2つのインバータに関することで、上記説明した+電極21Pと−電極21Nの高さ違いのモジュールを2つ用いる。それをパワーモジュールA2とパワーモジュールB3とする。配置例を図1に示す。その水平視
(モジュール内部は透視)を図9各々のモジュールを置く個所は冷却機能を有する一平面状のアルミ板35であり、ねじなどで固定される。そしてパワーモジュールA2とパワーモジュールB3は+電極21PなどのDC入力端子をお互い向かい合う方向かつ平行に配置する。出力端子27U,27V,27W,28U,28V,28Wは+ブスバー31や−ブスバー30が接近しないよう図のように外側へ向くこととする。
(モジュール内部は透視)を図9各々のモジュールを置く個所は冷却機能を有する一平面状のアルミ板35であり、ねじなどで固定される。そしてパワーモジュールA2とパワーモジュールB3は+電極21PなどのDC入力端子をお互い向かい合う方向かつ平行に配置する。出力端子27U,27V,27W,28U,28V,28Wは+ブスバー31や−ブスバー30が接近しないよう図のように外側へ向くこととする。
+側のブスバー31の形状について説明する。厚さ2mmの一平面状(段差のないもの)の銅板を用意し、その一銅板が各モジュールの+電極21P,22P,23P,24P,25P,26Pのすべてに接触し+電極固定ねじ34でねじ止め固定されるように形成する。その銅板はモジュールと接続される側の1辺が−電極と接近しないように凸凹した感じになる。
−側のブスバー30の形状について説明する。厚さ2mmの一平面状(段差のないもの)の銅板を用意し、その一銅板が各モジュールの−電極21N,22N,23N,24N,25N,26Nのすべてに接触し−電極固定ねじ33でねじ止め固定されるように形成する。その銅板はモジュールと接続される側の1辺が+電極と接近しないように凸凹した感じになる。
絶縁プレート32は、+側のブスバー31と−側のブスバー30が接触しないかつ必要十分な絶縁耐力を有する素材とする。形状は+側のブスバー31と−側のブスバー30が重なる部分に足して絶縁用にかせぐ沿面距離を考慮した形となる。
以上説明したモジュールの配置に、まず+ブスバー31を載せパワーモジュールA2の+電極端子に3箇所の+電極固定ねじ34でねじ止めし、パワーモジュールB3では+電極端子に3箇所の+電極固定ねじ34でねじ止めし、さらに必要に応じて他の端子を設ける場合は任意に接続する。+ブスバー31を固定後、その上に絶縁プレート32を載せる。本実施例では絶縁プレート32を固定せず載せるだけとした。振動等の問題がある場合は別途固定台を設けてそこに固定する。次に−ブスバー30を絶縁プレート32の上に載せる。−ブスバー30はパワーモジュールA2の−電極端子に3箇所の−電極固定ねじ
33でねじ止めし、さらにパワーモジュールB3の−電極端子に3箇所の−電極固定ねじ33でねじ止めし、さらに必要に応じて他の端子を設ける場合は任意に接続する。このとき中に挟みこんだ絶縁プレート32が動かないように押圧させることが望ましい。
33でねじ止めし、さらにパワーモジュールB3の−電極端子に3箇所の−電極固定ねじ33でねじ止めし、さらに必要に応じて他の端子を設ける場合は任意に接続する。このとき中に挟みこんだ絶縁プレート32が動かないように押圧させることが望ましい。
図6は本発明の第2実施例を示し、入力電源電圧の平滑用にコンデンサを配置したものである。
その水平視(モジュール内部は透視)を図7に示す。パワーモジュールA2とパワーモジュールB3は本発明の第1と同様のモジュールを使用し、各々のモジュールを置く個所は冷却機能を有する一平面状のアルミ板35であり、ねじなどで固定される。そしてパワーモジュールA2とパワーモジュールB3は+電極21PなどのDC入力端子をお互い向かい合い平行に配置する。本発明の第1の実施例と同様に−ブスバー37は厚さ2mmの一平面状(段差のないもの)の銅板を用意し、その一銅板が各モジュールの−電極21N,22N,23N,24N,25N,26Nのすべてに接触し−電極固定ねじ33でねじ止め固定されるように形成する。+側のブスバー31も本発明の第1と同様に、+ブスバー38は厚さ2mmの一平面状(段差のないもの)の銅板を用意し、その一銅板が各モジュールの+電極21P,22P,23P,24P,25P,26Pのすべてに接触し+電極固定ねじ34でねじ止め固定されるように形成し、−ブスバー37や+ブスバー38の中央部に平滑用コンデンサ36を接続する。
固定方法はねじ止めやスポット溶接等である。−ブスバー37には平滑コンデンサ36の負極側と接続し、そして絶縁プレート32を挟む形で+ブスバー38を平滑コンデンサ36のもう一方の電極に接続する。一平面状の−ブスバー37と一平面状の+ブスバー
38は積層され同一平面状でない(積層する分段差が生じる)ため、平滑用コンデンサ
36の電極の高さをブスバーに合致させる。ねじ止め式の平滑用コンデンサではコンデンサの2つの電極部には段差が付き、ブスバーのほうではコンデンサの電極が突き出るため絶縁耐力を考慮して切削するなどして逃げる必要がある。組みあがった平滑用コンデンサ36と−ブスバー37,絶縁プレート32,+ブスバー38を、前記配列したパワーモジュールA2とパワーモジュールB3の+電極または−電極上に乗せる感じで置く。−ブスバー37はパワーモジュールA2の−電極21N〜23NとパワーモジュールB3の−電極24N〜26Nに−電極固定ねじ33でねじ止め固定する。+電極ブスバー38はパワーモジュールA2の+電極21P,22P,23PとパワーモジュールB3の+電極24P,25P,26Pに+電極固定ねじ34でねじ止め固定する。
38は積層され同一平面状でない(積層する分段差が生じる)ため、平滑用コンデンサ
36の電極の高さをブスバーに合致させる。ねじ止め式の平滑用コンデンサではコンデンサの2つの電極部には段差が付き、ブスバーのほうではコンデンサの電極が突き出るため絶縁耐力を考慮して切削するなどして逃げる必要がある。組みあがった平滑用コンデンサ36と−ブスバー37,絶縁プレート32,+ブスバー38を、前記配列したパワーモジュールA2とパワーモジュールB3の+電極または−電極上に乗せる感じで置く。−ブスバー37はパワーモジュールA2の−電極21N〜23NとパワーモジュールB3の−電極24N〜26Nに−電極固定ねじ33でねじ止め固定する。+電極ブスバー38はパワーモジュールA2の+電極21P,22P,23PとパワーモジュールB3の+電極24P,25P,26Pに+電極固定ねじ34でねじ止め固定する。
本実施例の平滑用コンデンサ36は2つ用いたものであるが電圧または電流リップルの大きさにあわせてコンデンサの数を増減させることが必要である。本実施例では平滑用コンデンサ36を−ブスバー37よりも上部に配置したが、平滑用コンデンサ31を+ブスバー38より下部、つまりアルミ板35の方向に配置することでも実施可能である。また、平滑用コンデンサ36はアルミ電解コンデンサが一般的であるが大容量のフィルムコンデンサやセラミックコンデンサでも代用できる。
本発明の実施例によれば、複数のインバータを組み合わせた装置において、従来複雑な形状をしていた+ブスバーおよび−ブスバーが、一平面状となり材料費の削減,製造コストの削減できる効果がある。
また、平滑用コンデンサを組み合わせることで配線インダクタンスが削減でき、モジュールをスイッチングさせることによるノイズの発生の低減や、L×(di/dt)による跳ね上がり電圧の抑制できる効果がある。
2…パワーモジュールA、3…パワーモジュールB、5…絶縁基板、6…パワー半導体素子、7…アルミワイヤ、21N,22N,23N…パワーモジュールAの−電極、21P,22P,23P…パワーモジュールAの+電極、24N,25N,26N…パワーモジュールBの−電極、24P,25P,26P…パワーモジュールBの+電極、27U,
27V,27W…パワーモジュールAの出力端子、28U,28V,28W…パワーモジュールBの出力端子、30…−ブスバー、31…+ブスバー、32…絶縁プレート、33…−電極固定ねじ、34…+電極固定ねじ、35…アルミ板。
27V,27W…パワーモジュールAの出力端子、28U,28V,28W…パワーモジュールBの出力端子、30…−ブスバー、31…+ブスバー、32…絶縁プレート、33…−電極固定ねじ、34…+電極固定ねじ、35…アルミ板。
Claims (2)
- 直交三相電力変換できるモジュールからなるパワーデバイスを用いたインバータ装置を複数有し、その複数のインバータ装置の正極,負極からなる直流入力端子を互いに対面する方向に配置したインバータ装置であって、前記それぞれのインバータ装置の負極は一体平面状の導体と接続され、他方の正極は他の一体平面状の導体と接続されて前記負極の導体に絶縁物を挟んで重なり合うように配置し接続されることを特徴としたインバータ装置。
- 請求項1記載において、インバータ装置のそれぞれの直流入力端子間に一体平面状の導体に接続された平滑コンデンサを配置することを特徴としたインバータ装置。
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Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007282370A (ja) * | 2006-04-06 | 2007-10-25 | Hitachi Ltd | 電力変換装置 |
JP2007295765A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Hitachi Ltd | 電力変換装置 |
WO2008099952A1 (ja) | 2007-02-13 | 2008-08-21 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | 電力変換装置 |
WO2008146770A1 (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | コンデンサ一体バスバーの製造方法および電力変換装置 |
JP2010193593A (ja) * | 2009-02-17 | 2010-09-02 | Hitachi Ltd | 電力変換装置 |
JP2012029373A (ja) * | 2010-07-20 | 2012-02-09 | Yaskawa Electric Corp | マトリクスコンバータ |
JP2013212049A (ja) * | 2007-08-09 | 2013-10-10 | Hitachi Automotive Systems Ltd | 電力変換装置 |
JP2015122365A (ja) * | 2013-12-20 | 2015-07-02 | 株式会社三社電機製作所 | パワー半導体モジュール構造 |
US20150236607A1 (en) * | 2014-02-20 | 2015-08-20 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Power Converter |
US10128625B2 (en) | 2014-11-18 | 2018-11-13 | General Electric Company | Bus bar and power electronic device with current shaping terminal connector and method of making a terminal connector |
WO2021024321A1 (ja) | 2019-08-02 | 2021-02-11 | 富士電機株式会社 | 電力変換装置 |
JP7246460B1 (ja) | 2021-12-08 | 2023-03-27 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置 |
-
2003
- 2003-12-25 JP JP2003428552A patent/JP2005192296A/ja active Pending
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US9654046B2 (en) | 2006-04-06 | 2017-05-16 | Hitachi, Ltd. | Reduced size power inverter suitable for a vehicle |
US8755209B2 (en) | 2006-04-06 | 2014-06-17 | Hitachi, Ltd. | Reduced size power inverter suitable for a vehicle |
US8614906B2 (en) | 2006-04-06 | 2013-12-24 | Hitachi, Ltd. | Power inverter suitable for a vehicle |
JP2007282370A (ja) * | 2006-04-06 | 2007-10-25 | Hitachi Ltd | 電力変換装置 |
US8159849B2 (en) | 2006-04-06 | 2012-04-17 | Hitachi, Ltd. | Downsized power inverter and housing for a larger heat release value |
JP2007295765A (ja) * | 2006-04-27 | 2007-11-08 | Hitachi Ltd | 電力変換装置 |
WO2008099952A1 (ja) | 2007-02-13 | 2008-08-21 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | 電力変換装置 |
US8274807B2 (en) | 2007-02-13 | 2012-09-25 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Power conversion device |
US8112853B2 (en) | 2007-05-25 | 2012-02-14 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing capacitor-integrated busbar |
WO2008146770A1 (ja) * | 2007-05-25 | 2008-12-04 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | コンデンサ一体バスバーの製造方法および電力変換装置 |
US8902623B2 (en) | 2007-08-09 | 2014-12-02 | Hitachi, Ltd. | Power inverter |
JP2013212049A (ja) * | 2007-08-09 | 2013-10-10 | Hitachi Automotive Systems Ltd | 電力変換装置 |
JP2010193593A (ja) * | 2009-02-17 | 2010-09-02 | Hitachi Ltd | 電力変換装置 |
JP2012029373A (ja) * | 2010-07-20 | 2012-02-09 | Yaskawa Electric Corp | マトリクスコンバータ |
JP2015122365A (ja) * | 2013-12-20 | 2015-07-02 | 株式会社三社電機製作所 | パワー半導体モジュール構造 |
US20150236607A1 (en) * | 2014-02-20 | 2015-08-20 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Power Converter |
US10103640B2 (en) * | 2014-02-20 | 2018-10-16 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Power converter |
US10128625B2 (en) | 2014-11-18 | 2018-11-13 | General Electric Company | Bus bar and power electronic device with current shaping terminal connector and method of making a terminal connector |
WO2021024321A1 (ja) | 2019-08-02 | 2021-02-11 | 富士電機株式会社 | 電力変換装置 |
US11404970B2 (en) | 2019-08-02 | 2022-08-02 | Fuji Electric Co., Ltd. | Power converter |
JP7246460B1 (ja) | 2021-12-08 | 2023-03-27 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置 |
JP2023084721A (ja) * | 2021-12-08 | 2023-06-20 | 三菱電機株式会社 | 電力変換装置 |
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