JP2005189304A - 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】 補助配線の形成条件の自由度を高めることを可能とする電気光学装置を提供すること。
【解決手段】 基板(120)上に、第１電極(151)と透光性の第２電極(153)と当該第１及び第２電極の間に介在する発光層(152)とを含む発光素子を設け、発光素子からの発光を第２電極を介して基板と反対側へ取り出すように構成される電気光学装置であって、発光素子の発光状態を制御するための駆動回路を含み、基板上に配置される駆動回路層(121)と、駆動回路層の上側に配置される平坦化層(122)と、平坦化層の層内に配置される補助配線(142)と、発光素子を含み、平坦化層の上側に配置される発光素子層(123)と、平坦化層及び発光素子層を貫通して配置され、補助配線と第２電極とを電気的に接続する接続部(153a)と、を備える。
【選択図】 図４

Description

本発明は、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置などの電気光学装置に関する。

薄型、軽量、かつ高品質な画像を表示し得る電気光学装置（表示装置）として、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置が注目されている。一般的な有機ＥＬ表示装置は、発光を担う有機ＥＬ素子とこれを駆動する駆動回路などが基板上に形成された構造を有する。有機ＥＬ装置の構造としては、有機ＥＬ素子からの発光が基板を介して出射されるボトムエミッション構造と、当該発光が基板と反対側（対向する側）へ出射されるトップエミッション構造とが知られている。

アクティブ駆動型の有機ＥＬ表示装置では、光出射側となる上部電極が表示領域の略全体を覆う膜（いわゆるベタ膜）として形成され、全有機ＥＬ素子に共通して用いられるのが一般的である。この上部電極を介して光が出射されることから、トップエミッション構造を採用する場合には、上部電極としてインジウムと錫の酸化物（ＩＴＯ）やインジウムと亜鉛の酸化物（ＩＺＯ）などの透明導電膜が用いられる。

ところが、一般にこれらの透明導電膜は金属膜と比較して高抵抗であるため、上部電極内において電圧降下が生じやすく、このため上部電極を介して各有機ＥＬ素子に印加される電圧が不均一となり、表示領域の中央付近における発光輝度が低下するなど表示品質の低下を招きやすい。このような不都合は、表示領域の大きさ（画面サイズ）が大きくなるほど顕著となる。このような問題に対して、例えば特開２００２−３１８５５６号公報（特許文献１）では、ベタ膜の上部電極（第２電極）の面内の複数箇所と電気的に接続される補助配線を設けることにより、表示領域面内での印加電圧ばらつきを抑制し、表示品質を向上させた電気光学装置（アクティブマトリクス型平面表示装置）が記載されている。
特開２００２−３１８５５６号公報

上述した従来技術の電気光学装置では、補助配線が他の回路要素（下部電極等）と同じ層に形成されるため、補助配線と他の回路要素を上手く同一層内にレイアウトする必要がある。このため、他の回路要素、補助配線ともに設計の自由度が低かった。特に、大型の電気光学装置を形成する場合など、他の回路要素、例えば走査線、データ線或いはスイッチング素子等の配線の幅や厚み等を大きく確保して配線抵抗を低減する必要が生じる場合には、上記の不都合がより顕著となる。

そこで、本発明は、補助配線等の形成条件の自由度を高めることを可能とする電気光学装置とその製造方法を提供することを目的とする。

第１の態様の本発明は、基板上に、第１電極と透光性の第２電極と当該第１及び第２電極の間に介在する発光層とを含む発光素子を設け、上記発光層からの発光を上記第２電極を介して上記基板と反対側へ取り出すように構成される電気光学装置であって、上記発光素子の発光状態を制御するための駆動回路を含み、上記基板上に配置される駆動回路層と、上記駆動回路層の上側に配置される平坦化層と、上記平坦化層の層内に配置される補助配線と、上記発光素子を含み、上記平坦化層の上側に配置される発光素子層と、上記平坦化層及び上記発光素子層を貫通して配置され、上記補助配線と上記第２電極とを電気的に接続する接続部と、を備えるものである。

かかる構造によれば、平坦化層の層内に補助配線を配置しているので、補助配線等の形成条件の自由度が高くなる。また、発光素子の有効発光面積を減少させることもなく、駆動回路の形成領域を浸食することもない。また、駆動回路層内など比較的に下層側へ補助配線を設ける場合に比べて、上面に配置される第２電極と補助配線とを電気的に接続する接続部を設けるための孔（コンタクトホール）が浅くてすみ、コンタクトホールの形成やその後に接続部となるべき導電体を当該ホールへ埋め込むプロセスが容易となる利点がある。更には、補助配線を平坦化層内に配置することにより、補助配線を他の回路要素と比較的に大きく離間させることが可能となるので、補助配線と他の回路要素との間に生じる浮遊容量などの問題を回避しやすくなる利点もある。本発明の構造は特に大画面の電気光学装置に好適であり、表示品質の高い電気光学装置を得ることが可能となる。

好ましくは、上記発光素子層は、複数の上記発光素子を所定間隔で配列した構成を有し、上記第２電極は、複数の上記発光素子に渡って形成されて当該複数の発光素子によって共有される。

これにより、上面側の略一面に共通電極としての第２電極を設ける場合における面内での表示むらを効果的に抑制することが可能となる。

好ましくは、上記平坦化層は、二以上の平坦化膜を積層してなり、上記補助配線は、隣接する二の上記平坦化膜の相互間に配置される。

かかる構造の採用により、平坦化層の層内への補助配線の形成が容易となる。

好ましくは、上記平坦化層が光吸収性材料からなる。

これにより、補助配線に光反射率が比較的に高い金属等を用いた場合にも、補助配線による入射光の反射光が外部へ放射されるのを抑制し、表示品質を高めることが可能となる。

好ましくは、上記発光素子層は、上記発光素子の形成領域とその他の領域とを区分する隔壁を含み、当該隔壁が光吸収性材料からなる。

これによっても、補助配線に光反射率が比較的に高い金属等を用いた場合にも、補助配線による入射光の反射光が外部へ放射されるのを抑制し、表示品質を高めることが可能となる。

また好ましくは、上記補助配線が光反射率の低い導電材料からなる。

補助配線自体を光反射率の低いものとすることによっても、補助配線による入射光の反射光が外部へ放射されるのを抑制し、表示品質を高めることが可能となる。

第２の態様の本発明は、上述した電気光学装置を備える電子機器である。ここで「電子機器」とは、一定の機能を奏する機器一般をいい、その構成に特に限定はない。かかる電子機器としては、例えば、携帯電話、ビデオカメラ、パーソナルコンピュータ、ヘッドマウントディスプレイ、リア型またはフロント型のプロジェクター、テレビジョン（ＴＶ）、ロールアップ式ＴＶ、さらに表示機能付きファックス装置、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、ＤＳＰ装置、ＰＤＡ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイ等が含まれる。

第３の態様の本発明は、上述した第１の態様の本発明にかかる電気光学装置の好適な製造方法の一例である。具体的には、第３の態様の本発明は、基板上に、第１電極と透光性の第２電極と当該第１及び第２電極の間に介在する発光層とを含む発光素子を設け、上記発光層からの発光を上記第２電極を介して上記基板と対向する側へ取り出すように構成される電気光学装置の製造方法であって、基板上に、上記発光素子の発光状態を制御するための駆動回路を含む駆動回路層を形成する第１工程と、上記駆動回路層の上側に、補助配線を内部に含む平坦化層を形成する第２工程と、上記平坦化層の上側に、一又は複数の上記発光素子を含む発光素子層を形成するとともに、上記第２電極と上記補助配線とを電気的に接続する接続部を形成する第３工程と、を含む。

かかる製造方法によれば、第１の態様の本発明にかかる電気光学装置を容易に製造し得る。

好ましくは、上記第２工程は、第１の平坦化膜を形成した後に当該平坦化膜上に上記補助配線を形成し、更に上記第１の平坦化膜上に第２の平坦化膜を積層することにより上記平坦化層を形成する。

これにより、平坦化層の層内へ補助配線を容易に形成することが可能となる。

以下、本発明にかかる一実施形態の電気光学装置について詳細に説明する。以下の説明では、電気光学装置の一例として、いわゆるトップエミッション構造を有する有機ＥＬ表示装置を採り上げる。

図１〜図４は、本実施形態の有機ＥＬ表示装置の構成について説明する図である。より具体的には、図１は有機ＥＬ表示装置の回路構成を説明する図である。図２は有機ＥＬ表示装置の画素部の構造について説明する平面図である。図３は図２に示すIII−III線方向の一部断面図である。図４は図２に示すIV−IV線方向の一部断面図である。

図１に示すように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００は、マトリクス状に配置される複数の画素部１０１を含む表示パネル部１０２と、当該表示パネル部１０２を駆動するための走査線駆動回路１０３及びデータ線駆動回路１０４を含んで構成されている。

表示パネル部１０２は、行方向に沿って配置されるｎ本の走査線Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…と、列方向に沿って配置されるｍ本のデータ線Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、…とを備えている。各走査線と各データ線とが交差する位置に対応して各画素部１０１が配置されている。

各画素部１０１は、それぞれ、スイッチングトランジスタ１１０、保持キャパシタ１１１、ドライビングトランジスタ１１２及び有機ＥＬ素子１１３を含んで構成される。スイッチングトランジスタ１１０は、ゲートが走査線と接続され、ソースがデータ線と接続され、ドレインがドライビングトランジスタ１１２のゲートと接続されている。保持キャパシタ１１１は、ドライビングトランジスタ１１２のゲート／ソース間に接続されている。ドライビングトランジスタ１１２は、ゲートがスイッチングトランジスタ１１０のドレインと接続され、ソースが電源線Ｌｏと接続され、ドレインが有機ＥＬ素子１１３の陽極と接続されている。有機ＥＬ素子１１３は、陰極が他の有機ＥＬ素子１１３の陰極と相互に接続されている。

走査線駆動回路１０３は、図示しない外部装置から与えられる水平同期信号に従って走査信号を生成し、これを各走査線に出力することによって順次走査線Ｙ１等を選択駆動する。データ線駆動回路１０４は、図示しない外部装置から与えられる画像信号（画像データ）に従ってアナログのデータ信号を生成し、これを各データ線に出力する。

具体的には、走査線駆動回路１０３が水平同期信号にい従って各走査線Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…のうちの１本を選択してＨレベルの走査信号を出力すると、当該選択された走査線に接続された１行分の画素部１０１の各スイッチングトランジスタ１１０がオン状態となる。これに合わせてデータ線駆動回路１０４から各データ線Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、…のそれぞれを介してデータ信号が出力されると、選択された走査線に対応する各画素部１０１の保持キャパシタ１１１にデータ信号が供給される。この結果、各画素部１０１の保持キャパシタにはデータ信号に応じた量の電荷が蓄積され、これに応じてドライビングトランジスタ１１２の導電率が制御される。そして、当該導電率に応じたレベルの駆動電流がドライビングトランジスタ１１２から有機ＥＬ素子１１３に供給される。有機ＥＬ素子１１３は、この供給された駆動電流のレベルに応じた輝度で発光する。

以降、走査線駆動回路１０３により各走査線が順次選択され、データ線駆動回路１０４によって各画素部１０１にデータ信号が供給されることにより、当該画素部１０１に含まれる各有機ＥＬ素子１１３が駆動電流のレベルに応じた輝度で発光することにより、表示パネル部１０２に画像表示がなされる。

次に、図２〜図４に基づいて本実施形態の有機ＥＬ表示装置の構造について詳細に説明する。図２では、画素部１０１の構成を分かりやすくするために後述する層間絶縁膜などの一部の構成要素が省略されている。図３に示す断面図ではドライビングトランジスタ１１３が示されているが、スイッチングトランジスタ１１２等についても同様な構成である。

各図に示すように、有機ＥＬ表示装置１００は、ガラス等からなる基板１２０上に、有機ＥＬ素子の発光状態を制御するための駆動回路を含む駆動回路層１２１と、平坦化層１２２と、複数の有機ＥＬ素子を含む発光素子層１２３を積層して構成されている。

駆動回路層１２１は、スイッチングトランジスタ１１０、保持キャパシタ１１１、ドライビングトランジスタ１１２及びこれらと接続される走査線やデータ線に対応する各構成要素を含むものである。より具体的には、駆動回路層１２１は、半導体膜１３０ａ〜１３０ｃ、絶縁膜１３１ａ〜１３１ｃ、導電膜１３２ａ、１３２ｂを備える。

半導体膜１３０ａは、基板１２０上に島状に形成され、スイッチングトランジスタ１１０の活性層として機能する。半導体膜１３０ｃは、基板１２０上に島状に形成され、ドライビングトランジスタ１１２の活性層として機能する。半導体膜１３０ｂは、保持キャパシタ１１１の一方の電極として機能する。これらの半導体膜としては、例えば多結晶シリコン膜（ポリシリコン膜）が用いられる。

絶縁膜１３１ａは、上記半導体膜１３０ａ等を覆うように基板１２０上に形成され、各トランジスタのゲート絶縁膜として機能し、或いは保持キャパシタ１１１の電極間に介在する絶縁体として機能する。この絶縁膜１３１ａは、例えば二酸化珪素（ＳｉＯ₂）からなる。

導電膜１３２ａは、絶縁膜１３１ａ上に所定形状にパターニングして形成される。この導電膜１３２ａは、例えば図３に示すようにドライビングトランジスタ１１２のゲート電極として機能する。また導電膜１３２ａは、図２又は図４に示すように、スイッチングトランジスタ１１１のゲート電極として機能するとともに、当該ゲート電極と接続される走査線としても機能する。この導電膜１３２ａは、例えばアルミニウム（Ａｌ）などの導電性材料を用いて形成されている。

絶縁膜１３１ｂは、導電膜１３２ａと導電膜１３２ｂとの間を絶縁するためのもの（層間絶縁膜）である。この絶縁膜１３１ｂは、例えば二酸化珪素（ＳｉＯ₂）からなる。

導電膜１３２ｂは、絶縁膜１３１ｂ上に所定形状にパターニングして形成される。この導電膜１３２ｂは、例えば図３に示すように、絶縁膜１３１ａ、１３１ｂを貫通するコンタクトホールを通じてドライビングトランジスタ１１２（或いはスイッチングトランジスタ１１０）を構成する半導体膜１３０ｃ（或いは１３０ａ）と接続され、ソース／ドレイン電極として機能する。また導電膜１３２ｂは、図２又は図４に示すように、データ線或いは電源線として機能する。この導電膜１３２ｂは、例えばアルミニウム（Ａｌ）などの導電性材料を用いて形成されている。

絶縁膜１３１ｃは、導電膜１３２ｂとその上側に形成される発光素子層１２３との間を絶縁するためのもの（層間絶縁膜）である。この絶縁膜１３１ｃは、例えば窒化珪素（Ｓｉ_xＮ_y）からなる。

平坦化層１２２は、発光素子層１２３の形成を容易にするための略平坦な平面を得るためのものであり、駆動回路層１２１上に比較的厚く（例えば２μｍ程度）形成される。この平坦化層１２２は、二の平坦化膜１４１ａ、１４１ｂからなる。なお、二以上の平坦化膜を積層して平坦化層１２２が形成されていてもよい。また平坦化層１２２の層内には補助配線１４２が配置されている。また、平坦化層１２２は、光吸収性の感光性樹脂を用いて形成されることが好ましい。

補助配線１４２は、平坦化膜１４１ａと平坦化膜１４１ｂとの間に配置されている。この補助配線１４２は、平坦化層１２２及び発光素子層１２３を貫通する開口内に設けられる接続部１５３ａを介して、発光素子層１２３に含まれる上部電極１５３と電気的に接続されている。補助配線１４２は、例えばチタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）などの光反射率の低い導電材料を用いて構成することが好ましい。また、前述の金属とＩＴＯなどの積層膜（例えばＴｉ／ＩＴＯ）を用いることも好ましい。かかる積層膜を用いた場合には、入射光が反射した時にＩＴＯ表面からの反射光とＴｉ／ＩＴＯ界面からの反射光同士の干渉も生じるので反射光が著しく低減する。

発光素子層１２３は、有機ＥＬ素子の構成要素としての下部電極（陽極）１５１、発光層１５２及び上部電極１５３と、有機ＥＬ素子の形成領域とその他の領域とを区分する隔壁（バンク）１５４とを備える。下部電極１５１、発光層１５２及び上部電極１５３を含んで有機ＥＬ素子が構成されており、下部電極１５１及び上部電極１５３を介して発光層１５２に電流を供給することにより発光層１５２が発光し、当該発光が上部電極１５３を介して外部（基板１２０と反対側）に放出される。

下部電極１５１は、例えば銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）などの導電性材料を用いて形成されている。

発光層１５２は、例えばポリジアルキルフルオレン誘導体を用いて形成される。また、この発光層１５２と各電極１５１、１５３との間に正孔輸送層や電子輸送層が介在していてもよい。正孔輸送層は、例えばポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルフォン酸の混合体（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を用いて形成される。電子輸送層は、例えばカルシウム、リチウム、これらの酸化物、フッ化物などの膜を用いて形成される。

上部電極１５３は、例えばＩＴＯなどの透光性材料を用いて形成されている。この上部電極１５３は、図２等に示すように、複数の有機ＥＬ素子に渡るように基板１２０上の略全面に形成されており、当該複数の有機ＥＬ素子によって共有されている。図２ではこの上部電極１５３が部分的に破断して示されている。

また、平坦化層１２２及び発光素子層１２３を貫通して配置されて補助配線１４２と下部電極１５１とを電気的に接続する接続部１５３ａが形成されている。この接続部１５３ａは、図２に示すように画素部１０１に１つ以上設けられて上部電極１５３と補助配線１４２とを電気的に接続している。これにより、上部電極１５３を比較的に導電率の低い材料を用いて形成した場合でも、表示領域の面内位置による電圧降下の差異が緩和され、表示むらが軽減される。

隔壁１５４は、有機ＥＬ素子の形成領域とその他の領域とを区分するものであり、例えばアクリル樹脂などの有機材料からなる。また、隔壁１５４は、光吸収性の感光性樹脂を用いて形成されることが好ましい。

本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００はこのような構成を有しており、次にその製造方法について説明する。

図５及び図６は、有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明する図（工程図）である。説明の便宜上、図５及び図６では、図面左側のほぼ半分は上述した図３と同様にIII−III線における断面図を示し、図面右側のほぼ半分は上述した図４と同様にIV−IV線における断面図を示すこととする。

（駆動回路層形成工程）
図５（Ａ）に示すように、基板１２０上に駆動回路層１２１を形成する。この駆動回路層１２１は周知技術を用いて形成可能であり、例えば以下のようにして形成される。

まず、基板１２０上に半導体膜を成膜し、その後フォトリソグラフィ法及びエッチング法によって所望形状にパターニングすることによって、上述した各トランジスタ或いは保持キャパシタを構成する半導体膜１３０ａ〜１３０ｃを形成する。本例では半導体膜１３０ａ等として多結晶シリコン膜を用いる。多結晶シリコン膜は、例えば、プラズマＣＶＤ法などの成膜法により非晶質シリコン膜を成膜し、その後この非晶質シリコン膜に対してレーザアニール法又は急速加熱法などによる結晶化を行うことによって得られる。

なお、半導体膜の成膜に先立って、基板１２０上に二酸化珪素膜などからなる下地保護膜を形成するのも好ましい。二酸化珪素膜は例えばプラズマＣＶＤ法などの成膜法によって形成可能である。

次に、これらの半導体膜１３０ａ等を覆うようにして基板１２０上に絶縁膜１３１ａを形成する。本例では絶縁膜１３１ａとして、３０ｎｍ〜２００ｎｍ程度に成膜した二酸化珪素膜を用いる。二酸化珪素膜は、例えばプラズマＣＶＤ法などの成膜法によって成膜し得る。

次に、絶縁膜１３１ａ上に導電膜１３２ａを形成する。本例では導電膜１３２ａとしてアルミニウム膜を用いる。アルミニウム膜は、例えばスパッタ法などの成膜法によって成膜し得る。絶縁膜１３１ａ上のほぼ全体にアルミニウム膜を成膜した後に、所定形状にパターニングすることによって、各トランジスタのゲート電極として機能し、或いは走査線として機能する導電膜１３２ａが形成される。またこの導電膜１３２ａの形成工程の前後で、リン及びホウ素のイオンを、半導体膜１３０ａ〜１３０ｃの所定領域に対して所定量打ち込んでおく。

次に、導電膜１３２ａを覆うようにして、絶縁膜１３１ａ上に絶縁膜１３１ｂを形成する。本例では絶縁膜１３１ｂとして二酸化珪素膜を用いる。二酸化珪素膜は、例えばプラズマＣＶＤ法などの成膜法によって成膜し得る。

次に、絶縁膜１３１ｂの所定位置、具体的には、各トランジスタのソース／ドレイン電極に対応する位置などに、フォトリソグラフィ法及びエッチング法によってコンタクトホールを形成する。

次に、絶縁膜１３１ｂ上に導電膜１３２ｂを形成する。本例では導電膜１３２ｂとしてアルミニウム膜を用いる。アルミニウム膜は、例えばスパッタ法などの成膜法によって成膜し得る。絶縁膜１３１ｂ上および各コンタクトホール内にアルミニウム膜を成膜した後に、所定形状にパターニングすることによって、各トランジスタのソース／ドレイン電極として機能し、或いは信号線として機能する導電膜１３２ｂが形成される。

次に、導電膜１３２ｂを覆うようにして、絶縁膜１３１ｂ上に絶縁膜１３１ｃを形成する。本例では絶縁膜１３１ｃとして二酸化珪素膜を用いる。二酸化珪素膜は、例えばプラズマＣＶＤ法などの成膜法によって成膜し得る。次に、絶縁膜１３１ｃの所定位置、具体的には、導電膜１３２ｂによって導通を取るための所定位置などに、フォトリソグラフィ方及びエッチング法によってコンタクトホールを形成する。

（平坦化層形成工程）
図５（Ｂ）〜図５（Ｄ）に示すように、基板１２０上の駆動回路層１２１の上側に、補助配線を内部に含む平坦化層１２２を形成する。

より具体的には、まず図５（Ｂ）に示すように、絶縁膜１３１ｃ上に、感光性樹脂からなる平坦化膜１４１ａを形成する。本例では感光性樹脂としてポリイミド樹脂等の有機材料を用いる。具体的には、絶縁膜１３１ｃ上に感光性ポリイミド樹脂を塗布、乾燥、露光、現像、焼成することによってコンタクトホールを有する平坦化膜１４１ａが形成される。

次に、図５（Ｃ）に示すように、平坦化膜１４１ａ上に補助配線１４２を形成する。補助配線１４２は、例えば上述したチタン等の低反射性材料をスパッタ法などの成膜法によって成膜し、その後フォトリソグラフィ法及びエッチング法によってパターニングすることによって形成される。このとき、導電膜１３２ｂが腐蝕されないように、平坦化膜１４１ａのコンタクトホール部にも補助配線１４２と同じ材料で電極を形成する。

次に、図５（Ｄ）に示すように、補助配線１４２を覆うようにして平坦化膜１４１ａ上に感光性樹脂からなる平坦化膜１４１ｂを形成する。本例では感光性樹脂としてポリイミド樹脂等の有機材料を用いる。具体的には、平坦化膜１４１ａ上に感光性ポリイミド樹脂を塗布、乾燥、露光、現像、焼成することによってコンタクトホールを有する平坦化膜１４１ｂが形成される。このように、第１の平坦化膜１４１ａを形成した後に当該平坦化膜１４１ａ上に補助配線１４２を形成し、更に第１の平坦化膜１４１ａ上に第２の平坦化膜１４１ｂを積層することにより、本実施形態の平坦化層１４２が形成される。

（発光素子層形成工程）
次に、図６（Ａ）〜図６（Ｃ）に示すように、平坦化層１４２の上側に発光素子層１２３を形成する。

より具体的には、平坦化膜１４１ｂ上に下部電極１５１を形成する。本例では下部電極１５１としてクロム膜を用いる。クロム膜は、例えばスパッタ法などの成膜法によって成膜し得る。平坦化膜１４１ｂ上およびコンタクトホール内にクロム膜を成膜した後に、所定形状にパターニングすることによって、図６（Ａ）に示すように、ドライビングトランジスタのドレインと電気的に接続された下部電極１５１が得られる。

次に、図６（Ｂ）に示すように、有機ＥＬ素子の形成領域とその他の領域とを区分し、補助配線１４２の所定位置に対応するコンタクトホールを備える隔壁（バンク）１５４を形成する。この隔壁１５４は、例えば感光性アクリル樹脂を塗布、乾燥、露光、現像、焼成することによって得られる。その後、隔壁１５４の開口内に発光層１５２を形成する。発光層１５２と下部電極との間にさらに正孔輸送層を介在させてもよい。これらの発光層１５２や正孔輸送層は、例えば液滴吐出法（インクジェット法）を用いて形成することが可能であり、また真空蒸着法によって形成することも可能である。発光層１５２は、例えばポリジアルキルフルオレン誘導体を用いて形成される。正孔輸送層は、例えばポリエチレンジオキシチオフェンとポリスチレンスルフォン酸の混合体（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）を用いて形成される。

次に、隔壁１５４の上面の略全体に透光性の上部電極１５３を形成する。この上部電極１５３の形成時に、併せて上記コンタクトホール内に接続部１５３ａが形成される。本例では上部電極としてＩＴＯ（スズドープ酸化インジウム）膜を用いる。ＩＴＯ膜は、例えばスパッタ法、真空蒸着法、ＣＶＤ法などの各種成膜法によって形成し得る。上部電極１５３と発光層の間に、マグネシウム−銀合金などの金属材料や電子注入性の有機化合物を電子注入層として形成してもよい。

その後、必要に応じて適宜、上部電極１５３の上面に封止層が設けられる。封止層としては、酸化窒化珪素などが好適に用いられる。

このように、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１００は、平坦化層１２２の層内に補助配線１４２を配置しているので、補助配線１４２の設計や製造の自由度が高くなる。また、有機ＥＬ素子の有効発光面積を減少させることもなく、駆動回路の形成領域を浸食することもない。また、駆動回路層１２１など比較的に下層側へ補助配線を設ける場合に比べて、上面に配置される上部電極１５３と補助配線１４２とを電気的に接続する接続部１５３ａを設けるための孔（コンタクトホール）が浅くてすみ、コンタクトホールの形成やその後に接続部１５３ａとなるべき導電体を当該ホールへ埋め込むプロセスが容易となる利点がある。更には、補助配線１４２を平坦化層１２２内に配置することにより、補助配線１４２を他の回路要素（各トランジスタ、走査線、データ線等）と比較的に大きく離間させることが可能となるので、補助配線１４２と他の回路要素との間に生じる浮遊容量などの問題を回避しやすくなる利点もある。本実施形態の構造は特に大画面の電気光学装置に好適であり、表示品質の高い電気光学装置を得ることが可能となる。

なお、上述した実施形態の有機ＥＬ表示装置では、平坦化膜１４１ａ、１４１ｂおよび隔壁１５４には感光性ポリイミド樹脂および感光性アクリル樹脂を用いたが、黒色の染料または顔料を含有する感光性ポリイミド樹脂または感光性アクリル樹脂、その他の感光性樹脂を使用することもさらに好適である。これによって、有機ＥＬ表示装置の外から入射する光が反射してしまい、コントラストが低下したり視認性が悪化したりするのを抑制、防止することが可能となる。また、上述した実施形態の有機ＥＬ表示装置では、補助配線１４２は、平坦化層１２２の層内において、各画素部１０１を囲むようにして格子状に形成されていたが（図２等参照）、図７及び図８に示すように、平坦化層１２２の層内の略全面に渡って広範囲に補助配線１６２を形成することもさらに好適である。本実施形態では、平坦化層１２２の層内には他の配線等の構成要素がないため、このように補助配線の形状の自由度が高く、必要に応じて所望の膜厚や線幅等を比較的に自由に選択して補助配線を形成することが可能となる。

次に、上述した有機ＥＬ表示装置１００を用いて構成される各種の電子機器について例示する。本実施形態の有機ＥＬ表示装置を備えることにより、高品質な画像表示を行うことが可能な電子機器が得られる。

図９及び図１０は、上述した電気光学装置を適用可能な電子機器の例を示す図である。図９（Ａ）は携帯電話への適用例であり、当該携帯電話２３０はアンテナ部２３１、音声出力部２３２、音声入力部２３３、操作部２３４、および本発明の電気光学装置１００を備えている。このように本発明に係る電気光学装置は表示部として利用可能である。図９（Ｂ）はビデオカメラへの適用例であり、当該ビデオカメラ２４０は受像部２４１、操作部２４２、音声入力部２４３、および本発明の電気光学装置１００を備えている。

図９（Ｃ）はデジタルスチルカメラへの適用例であり、当該デジタルスチルカメラ２５０はカメラ部２５１、操作部２５２、および本発明に係る電気光学装置１００を備えている。図９（Ｄ）はヘッドマウントディスプレイへの適用例であり、当該ヘッドマウントディスプレイ２６０はバンド２６１、光学系収納部２６２および本発明に係る電気光学装置１００を備えている。

図１０（Ａ）はテレビジョンへの適用例であり、当該テレビジョン３００は本発明に係る電気光学装置１００を備えている。なお、パーソナルコンピュータ等に用いられるモニタ装置に対しても同様に本発明に係る電気光学装置を適用し得る。図１０（Ｂ）はロールアップ式テレビジョンへの適用例であり、当該ロールアップ式テレビジョン３１０は本発明に係る電気光学装置１００を備えている。

また、本発明に係る電気光学装置は、上述した例に限らず表示機能を有する各種の電子機器に適用可能である。例えばこれらの他に、表示機能付きファックス装置、携帯型パーソナルコンピュータ（いわゆるＰＤＡ）、デジタルカメラのファインダ、携帯型ＴＶ、電子手帳、電光掲示盤、宣伝公告用ディスプレイなどにも活用することができる。

なお、本発明は上述した実施形態の内容に限定されることなく、本発明の要旨の範囲内で種々に変形実施が可能である。例えば、上述した実施形態では複数の画素部１０１を有する有機ＥＬ表示装置について本発明を適用した場合について説明していたが、他にも、例えば発光領域が画素分けされておらずに比較的広い面積で形成されて光源などとして用いられる有機ＥＬ装置や、超大画面の表示装置における各画素に用いる場合のように１つ１つの画素部が広面積の場合に対しても本発明を適用することが可能である。このような有機ＥＬ装置について本発明を適用することにより、発光面内の発光輝度のばらつきが抑制され、均一な発光状態を得ることが可能となる。

一実施形態の有機ＥＬ表示装置の構成について説明する図である。 一実施形態の有機ＥＬ表示装置の構成について説明する図である。 一実施形態の有機ＥＬ表示装置の構成について説明する図である。 一実施形態の有機ＥＬ表示装置の構成について説明する図である。 有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明する図（工程図）である。 有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明する図（工程図）である。 有機ＥＬ表示装置の他の構成例について説明する図である。 有機ＥＬ表示装置の他の構成例について説明する図である。 電気光学装置を適用可能な電子機器の例を示す図である。 電気光学装置を適用可能な電子機器の例を示す図である。

符号の説明

１００…有機ＥＬ表示装置、 １２０…基板、 １２１…駆動回路層、 １２２…平坦化層、 １２３…発光素子層１２３、 １４２…補助配線

Claims (9)

1. 基板上に、第１電極と透光性の第２電極と当該第１及び第２電極の間に介在する発光層とを含む発光素子を設け、前記発光層からの発光を前記第２電極を介して前記基板と反対側へ取り出すように構成される電気光学装置であって、
   前記発光素子の発光状態を制御するための駆動回路を含み、前記基板上に配置される駆動回路層と、
   前記駆動回路層の上側に配置される平坦化層と、
   前記平坦化層の層内に配置される補助配線と、
   前記発光素子を含み、前記平坦化層の上側に配置される発光素子層と、
   前記平坦化層及び前記発光素子層を貫通して配置され、前記補助配線と前記第２電極とを電気的に接続する接続部と、
   を備える電気光学装置。
2. 前記発光素子層は、複数の前記発光素子を所定間隔で配列した構成を有し、
   前記第２電極は、複数の前記発光素子に渡って形成されて当該複数の発光素子によって共有される、請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記平坦化層は、二以上の平坦化膜を積層してなり、
   前記補助配線は、隣接する二の前記平坦化膜の相互間に配置される、請求項１に記載の電気光学装置。
4. 前記平坦化層が光吸収性材料からなる、請求項１に記載の電気光学装置。
5. 前記発光素子層は、前記発光素子の形成領域とその他の領域とを区分する隔壁を含み、
   当該隔壁が光吸収性材料からなる、請求項１に記載の電気光学装置。
6. 前記補助配線が光反射率の低い導電材料からなる、請求項１に記載の電気光学装置。
7. 請求項１乃至６のいずれかに記載の電気光学装置を含んで構成される電子機器。
8. 基板上に、第１電極と透光性の第２電極と当該第１及び第２電極の間に介在する発光層とを含む発光素子を設け、前記発光層からの発光を前記第２電極を介して前記基板と対向する側へ取り出すように構成される電気光学装置の製造方法であって、
   基板上に、前記発光素子の発光状態を制御するための駆動回路を含む駆動回路層を形成する第１工程と、
   前記駆動回路層の上側に、補助配線を内部に含む平坦化層を形成する第２工程と、
   前記平坦化層の上側に、一又は複数の前記発光素子を含む発光素子層を形成するとともに、前記第２電極と前記補助配線とを電気的に接続する接続部を形成する第３工程と、
   を含む、電気光学装置の製造方法。
9. 前記第２工程は、第１の平坦化膜を形成した後に当該平坦化膜上に前記補助配線を形成し、更に前記第１の平坦化膜上に第２の平坦化膜を積層することにより前記平坦化層を形成する、請求項８に記載の電気光学装置の製造方法。
   
   

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