JP2005187869A - メッキ方法及びメッキ装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】金属膜形成板111は、銅箔が形成された樹脂基板であり、管理槽102に収容されているメッキ液中に浸漬される。金属膜形成板111は、例えば、保持治具112に固定されてメッキ液中に浸漬され、保持治具112は、例えば、管理槽102の上部周縁部に固定された保持治具固定部113に保持されている。金属膜形成板111の銅箔は、メッキ液中において電気的に浮遊した状態となっている。
【選択図】 図1
Description
極小孔部の表面側のエッジ部分には、メッキ電流の集中が生じやすくメッキ電着が進行しやすい。このエッジ部分に抑制剤が吸着し、過剰なメッキの電着が抑制される。これに対し、抑制剤は、物理的な大きさによって微細な孔部の内部に拡散しにくく、孔部の底部に行くに従って抑制剤の濃度は低くなる。この結果、微小な孔部の内部には、抑制剤があまり吸着しないため、電析反応の進行しやすい状態が確保される。
以上に示した抑制剤と促進剤との作用により、微細な孔部の内部に選択的に銅メッキをして充填することが可能となる。
銅のメッキを行うプロセスにおいては、メッキ液中に銅のイオンを供給するための手段として銅電極(アノード)が利用される(特許文献4参照)。ところが、銅電極の使用によりメッキ液中にCu+が発生してしまい、上述した促進剤の分解を招いていた。
また、Cu+発生を抑制する技術として、アノード電極に銅を用いずに不溶性の金属を用い、銅のイオンの供給は酸化銅を添加することで行う技術がある(特許文献5,6参照)。不溶性のアノード電極を用いることにより、メッキ液中におけるCu+の発生が抑制でき、促進剤の濃度低下を抑制できるようになる。
本発明は、以上のような問題点を解消するためになされたものであり、不溶性の金属アノードを用いた銅の電解メッキにおいても発生している孔部に対するメッキの充填不良が、解消できるようにすることを目的とする。
図1は、本発明の実施の形態におけるメッキ装置の構成例を示した構成図である。このメッキ装置は、メッキ槽101,管理槽102,酸化銅溶解槽103から構成されている。メッキ槽101には、硫酸銅,硫酸,微量の塩素イオンなどから構成されたメッキ液が収容され、メッキ槽101のオーバーフロー部104にオーバーフローしたメッキ液は、管理槽102に輸送される。
管理槽102により成分の濃度が調整されて循環しているメッキ液を収容しているメッキ槽101では、メッキ液中に、例えばチタン板に白金とイリジウムとを7:3の割合で被覆した不溶性の陽極109が浸漬されている。メッキ槽101のメッキ液中に、板状の陽極109に対向するように処理対象の基板110を浸漬し、陽極109と基板110との間に電流を流すことで、基板110の所望の領域に対する銅のメッキが行える。
以上に示した抑制剤と促進剤との作用により、基板110が備える微細な孔部の内部が、選択的に銅メッキされて銅膜により充填されるようになる。
メッキ液中に金属膜形成板111を浮遊した状態で浸漬する処理をしたメッキ液に、抑制剤を新たに添加して所定の濃度とし、このメッキ液を用いて電解メッキをすることで、メッキ対象の基板の孔部に対するメッキの充填不良が解消する。
まず、図2(a)に示すように、銅からなる膜厚18μm程度の金属層202が表面に形成されたコア基板201を用意する。例えば、日立化成工業株式会社製MCL−E−67を任意の寸法に切り出すことで、コア基板201を得ることができる。
次に、図2(b)に示すように、コア基板201に貫通孔203を形成する。貫通孔203は、例えばドリルを用いた穴あけ処理により行うことができる。この場合、バリ取り(デバリング)処理が必要となる。
次に、公知のフォトリソグラフィグラフィー技術とエッチング技術とにより、金属層206を加工し、図2(f)に示すように、金属層206に内層パターン207が形成された状態とする。
次に、公知のフォトリソグラフィ技術とエッチング技術とにより、図2(h)に示すように、金属層209の所望の領域に開口部210が形成された状態とする。
金属層213の形成について、以下に説明する。
まず、シード層212が形成されたコア基板201を、図1に示す基板110としてメッキ装置にセットする。
以上のことにより、管理槽302において各成分の濃度が調整されたメッキ液は、ポンプ307により濾過部308を介してメッキ槽301に循環される。
図3のメッキ装置においても、金属膜形成板311が、管理槽302に設けられている。金属膜形成板311は、銅箔が形成された樹脂基板であり、管理槽302に収容されているメッキ液中に浸漬される。金属膜形成板311は、例えば、保持治具312に固定されてメッキ液中に浸漬され、保持治具312は、例えば、管理槽302の上部周縁部に固定された保持治具固定部313に保持されている。
図3のメッキ装置においても、金属膜形成板311の表面の銅により、メッキ液中の促進剤が分解した分解成分がより分解され、この結果、孔部に対する銅メッキ膜の充填状態が改善されるようになる。
前述したように、銅の電解メッキにおいて、不溶性の金属アノードを用いる技術においても、くぼみの大きい充填部が発生する問題が起きている。この問題は、促進剤の濃度低下ではない他の原因により起きるものと推定できる。
以上のことをふまえると、くぼみの大きい充填部が発生している状況では、くぼみの部分(くぼみの底)の表面において、銅の電析が抑制されているものと推定される。この推論を進めると、問題が発生している微小な領域の銅メッキ膜表面に、電析を抑制する物質が吸着しているものと推定され、この物質は、抑制剤が分解して生成した分解物ではないかと推定される。
懸かる状況においても、メッキ液における「銅の溶解に必要な電荷量」には変化がなく、この結果、CVS分析では、今回の問題が発生している状況が反映されないものと推定される。
Claims (3)
- 硫酸銅の水溶液から構成されて抑制剤と促進剤とが添加されたメッキ液を用いてメッキ対象物に銅の電解メッキを行うメッキ方法において、
銅から構成された構造体を電気的に浮遊した状態で前記メッキ液中に浸漬する処理をする第1工程と、
前記処理の後、前記メッキ液中に前記抑制剤を新たに添加する第2工程と、
前記メッキ液中に浸漬した陽極とメッキ対象物との間に電流を流して前記メッキ対象物の表面に銅の電解メッキを行う第3工程と
を備えたことを特徴とするメッキ方法。 - 請求項1記載のメッキ方法において、
前記第1工程において、前記メッキ液中に気泡を導入して導入した気泡を前記構造体に作用させる
ことを特徴とするメッキ方法。 - 硫酸銅の水溶液から構成されて抑制剤と促進剤とが添加されたメッキ液を用いた電解メッキを行うメッキ装置において、
前記メッキ液を収容して陽極とメッキ対象物とが浸漬されるメッキ槽と、
前記メッキ槽に収容されているメッキ液が循環され、銅から構成された構造体が電気的に浮遊した状態で浸漬され、かつメッキ液中に複数の気泡を供給する泡沫発生手段を備える管理槽と
を少なくとも備えたことを特徴とするメッキ装置。
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