JP2005181523A - 設計パターン補正方法、マスクパターン作成方法、半導体装置の製造方法、設計パターン補正システム、及び設計パターン補正プログラム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 半導体集積回路の複数レイヤー間でのプロセスマージンを考慮して設計パターンを補正する設計パターン補正方法であって、第1の設計パターンに基づく第1のレイヤーの仕上がり平面形状である第1の平面形状を算出し、第2の設計パターンに基づく第2のレイヤーの仕上がり平面形状である第2の平面形状を算出し、第1の平面形状と第2の平面形状とのブーリアン演算処理により第3の平面形状を算出し、第3の平面形状から得られる評価量が所定値を満たすか否かを判定し、評価量が所定値を満たさないと判定された場合に、第1及び第2の設計パターンの少なくとも一方を修正する。
【選択図】 図4
Description
図1に、単一レイヤーに対してOPC検証を行った結果を示す。これは、メタル配線(M1)での一例であり、設計パターン(ターゲットパターン)のエッジからのずれ量を黒塗りで示している。図2に、本実施形態による複数レイヤーを考慮したOPC検証手法を示す。これは、第1の設計パターンに基づく第1のレイヤーとしてのM1と第2の設計パターンに基づく第2のレイヤーとしてのコンタクトホール(CS)の一例であり、プロセス条件は共に露光量,焦点位置共にベスト条件での結果である。
(1)メタル配線の幅を大きくする
(2)コンタクトホールの穴径を大きくする
などの方法がある。
1.近傍に別のビアV2が存在するかどうか
2.ビアV2はビアV1に対してどういう方向に存在するのか
3.ビアV2とビアV1とは接触してもよいのかどうか(同電位に落ちるビアであれば
接触しても問題はない)
を判断し、その結果に基づいて、ビアV1を大きくするための方向と大きさとを決める必要がある。
次に、本発明の第2の実施形態について説明する。
2.面積公差の見直し
3.実効面積を増加させる
上記の1.では、目標とする合わせ精度ターゲットを見直す必要があり、2.では、デバイススペックから規定された面積公差が本当に正しいかどうかを再度調査する必要があるため、これらの見直しには比較的時間を要する。最も簡便な方法は3.であり、リングパターンとメタルパターンとのAND領域の実効面積分布を全体的に増加させることである。これを行うためには、メタルフリンジ量を増加させる方法、若しくはコンタクト面積を増大させる方法があるが、コンタクトサイズを変えると、他のレイヤー(例えば、ゲート層)との位置関係を考慮する必要があるので、メタルフリンジ量を増加させる方法が現実的である。
図11及び図12は、本発明の第3の実施形態を説明するための図であり、それぞれの(a)は設計レイアウト、(b)はウェハ上での仕上がり平面形状を示している。また、図中の11は拡散層、12はゲート層、13,14はコンタクト層を示している。なお、図12(a)(b)において、上図は距離aが短い場合、下図は距離aが長い場合を示している。
2.拡散層の仕上がり平面形状を算出する。
3.ゲート層の仕上がり平面形状のうち、拡散との重なり部分を引き算(ブーリアン演算ではNOTに対応)する。
5.4で出力された長さが所定の範囲内にあるかどうかを判定する。
6.所定範囲内に入っていれば、チップ面積を測定する。
8.現在のbの値でチップ面積が所定値を満たしていなければ、さらにbの値を小さくし(チップ面積を小さくして)1から再度検討する。
9.5で所定の長さの範囲内に入っていない場合には、図12のaを大きくする、もしくはbの長さを大きくするといったレイアウト作成、修正を行う。
10.9でできたレイアウトを1から検証する。
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。
以上説明したように本発明の一態様は、半導体集積回路の複数レイヤー間でのプロセスマージンを考慮して設計パターンを補正する設計パターン補正方法であって、第1の設計パターンに基づく第1のレイヤーの仕上がり平面形状である第1の平面形状を算出する工程と、第2の設計パターンに基づく第2のレイヤーの仕上がり平面形状である第2の平面形状を算出する工程と、第1の平面形状と第2の平面形状とのブーリアン演算処理により第3の平面形状を算出する工程と、第3の平面形状から得られる評価量が所定値を満たすか否かを判定する工程と、前記判定工程により前記評価量が所定値を満たさないと判定された場合に、第1及び第2の設計パターンの少なくとも一方を修正する工程と、を含むことを特徴とする。
12…ゲート層
13,14…コンタクト層
21,22…メタル配線
31,33…ビア
Claims (9)
- 半導体集積回路の複数レイヤー間でのプロセスマージンを考慮して設計パターンを補正する方法であって、
第1の設計パターンに基づく第1のレイヤーの仕上がり平面形状である第1の平面形状を算出する工程と、
第2の設計パターンに基づく第2のレイヤーの仕上がり平面形状である第2の平面形状を算出する工程と、
第1の平面形状と第2の平面形状とのブーリアン演算処理により第3の平面形状を算出する工程と、
第3の平面形状から得られる評価量が所定値を満たすか否かを判定する工程と、
前記判定工程により前記評価量が所定値を満たさないと判定された場合に、第1及び第2の設計パターンの少なくとも一方を修正する工程と、
を含むことを特徴とする設計パターン補正方法。 - 第1及び第2の平面形状のうち、少なくとも一方は対応する設計パターンに対して光近接効果補正を含むリサイズ処理を行った後のマスクパターンから算出されることを特徴とする請求項1記載の設計パターン補正方法。
- 前記ブーリアン演算処理を、第1及び第2の平面形状の少なくとも一方をリサイズ若しくは移動させた後に行うことを特徴とする請求項1記載の設計パターン補正方法。
- 第1又は第2の平面形状は、露光装置の露光波長,レンズ開口数,照明形状,マスク寸法,露光量,焦点位置,収差,合わせずれ量,レジスト拡散長のうち少なくとも1つを含むプロセス条件下でそれぞれ算出されることを特徴とする請求項1記載の設計パターン補正方法。
- 前記各工程を、第3の平面形状から得られる評価量が前記所定値を満たすまで繰り返し行うことを特徴とする請求項1記載の設計パターン補正方法。
- 半導体集積回路の複数レイヤー間でのプロセスマージンを考慮したマスクパターン作成方法であって、
第1のレイヤーの第1の設計パターンに対して少なくとも1回のリサイズ処理を含む第1のマスクパターンを作成する工程と、
第2のレイヤーの第2の設計パターンに対して少なくとも1回のリサイズ処理を含む第2のマスクパターンを作成する工程と、
第1のマスクパターンから第1のレイヤーの仕上がり平面形状である第1の平面形状を算出する工程と、
第2のマスクパターンから第2のレイヤーの仕上がり平面形状である第2の平面形状を算出する工程と、
第1の平面形状と第2の平面形状とのブーリアン演算処理により第3の平面形状を算出する工程と、
第3の平面形状から得られる評価量が所定値を満たすか否かを判定する工程と、
前記判定工程により前記評価量が所定値を満たさないと判定された場合に、第1及び第2のマスクパターンの少なくとも一方を修正する工程と、
を含むことを特徴とするマスクパターン作成方法。 - 半導体集積回路の複数レイヤー間でのプロセスマージンを考慮して設計パターンを補正するシステムであって、
第1の設計パターンに基づく第1のレイヤーの仕上がり平面形状である第1の平面形状を算出する手段と、
第2の設計パターンに基づく第2のレイヤーの仕上がり平面形状である第2の平面形状を算出する手段と、
第1の平面形状と第2の平面形状とのブーリアン演算処理により第3の平面形状を算出する手段と、
第3の平面形状から得られる評価量が所定値を満たすか否かを判定する手段と、
前記判定手段により前記評価量が所定値を満たさないと判定された場合に、第1及び第2の設計パターンの少なくとも一方を修正する手段と、
を具備してなることを特徴とする設計パターン補正システム。 - 請求項1〜6の何れかに記載の設計パターン補正方法を用いて補正された設計パターンを基に半導体基板上に集積回路パターンを形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
- 半導体集積回路の複数レイヤー間でのプロセスマージンを考慮して、コンピュータ制御の下に設計パターンを補正するための設計パターン補正プログラムであって、
第1の設計パターンに基づく第1のレイヤーの仕上がり平面形状である第1の平面形状を算出する手順と、
第2の設計パターンに基づく第2のレイヤーの仕上がり平面形状である第2の平面形状を算出する手順と、
第1の平面形状と第2の平面形状とのブーリアン演算処理により第3の平面形状を算出する手順と、
第3の平面形状から得られる評価量が所定値を満たすか否かを判定する手順と、
前記判定手順により前記評価量が所定値を満たさないと判定された場合に、第1及び第2の設計パターンの少なくとも一方を修正する手順と、
をコンピュータに実行させるためのコンピュータ読み取り可能な設計パターン補正プログラム。
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