JP2005174627A - Picture display device - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a picture display device in which the orbital deviation of an electron beam and the outbreak of electric discharge are suppressed, and reliability and display quality are improved. <P>SOLUTION: A spacer structure 22 is installed between a first substrate on which a fluorescent face is formed and a second substrate on which a plurality of electron emitting sources are installed. The spacer structure is opposed to the first and the second substrates, while being provided with a plate-formed support substrate 24 having a plurality of penetrating holes for electron beams opposed to an electron emitting source, and a plurality of spacers 30a, 30b erected on at least one surface of the support substrate. On the surface of the spacer, a plurality of grooves 60 are formed, these grooves are spread from ends of respective spacers on the side of the support substrate to extended ends, and are opposed to penetrating holes for the electron beams. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

この発明は、対向配置された基板と、基板間に配設されたスペーサ構体とを備えた画像表示装置に関する。   The present invention relates to an image display device including a substrate disposed oppositely and a spacer structure disposed between the substrates.

近年、陰極線管（以下、ＣＲＴと称する）に代わる次世代の軽量、薄型の表示装置として様々な平面型の画像表示装置が注目されている。例えば、平面表示装置として機能するフィールド・エミッション・デバイス（以下、ＦＥＤと称する）の一種として、表面伝導型電子放出装置（以下、ＳＥＤと称する）の開発が進められている。   2. Description of the Related Art In recent years, various flat-type image display devices have attracted attention as next-generation lightweight and thin display devices that replace cathode ray tubes (hereinafter referred to as CRTs). For example, a surface conduction electron-emitting device (hereinafter referred to as SED) is being developed as a kind of field emission device (hereinafter referred to as FED) that functions as a flat display device.

このＳＥＤは、所定の間隔をおいて対向配置された第１基板および第２基板を備え、これらの基板は矩形状の側壁を介して周辺部を互いに接合することにより真空外囲器を構成している。第１基板の内面には３色の蛍光体層が形成され、第２基板の内面には、蛍光体を励起する電子源として、各画素に対応する多数の電子放出素子が配列されている。各電子放出素子は、電子放出部、この電子放出部に電圧を印加する一対の電極等で構成されている。   The SED includes a first substrate and a second substrate that are arranged to face each other at a predetermined interval, and these substrates form a vacuum envelope by joining peripheral portions to each other through rectangular side walls. ing. Three color phosphor layers are formed on the inner surface of the first substrate, and on the inner surface of the second substrate, a large number of electron-emitting devices corresponding to each pixel are arranged as an electron source for exciting the phosphor. Each electron-emitting device includes an electron-emitting portion and a pair of electrodes that apply a voltage to the electron-emitting portion.

前記ＳＥＤにおいて、第１基板および第２基板間の空間、すなわち真空外囲器内は、高い真空度に維持されることが重要となる。真空度が低い場合、電子放出素子の寿命、ひいては、装置の寿命が低下してしまう。また、第１基板および第２基板間に作用する大気圧荷重を支持し基板間の隙間を維持するため、両基板間には、多数の板状あるいは柱状のスペーサが配置されている（例えば、特許文献１）。ＳＥＤにおいて、画像を表示する場合、蛍光体層にアノード電圧が印加され、電子放出素子から放出された電子ビームをアノード電圧により加速して蛍光体層へ衝突させることにより、蛍光体が発光して画像を表示する。実用的な表示特性を得るためには、通常の陰極線管と同様の蛍光体を用い、アノード電圧を数ｋＶ以上望ましくは５ｋＶ以上に設定することが必要となる。
特開２００１−２７２９２６号公報 In the SED, it is important that the space between the first substrate and the second substrate, that is, the inside of the vacuum envelope, is maintained at a high degree of vacuum. When the degree of vacuum is low, the lifetime of the electron-emitting device, and hence the lifetime of the device, is reduced. Further, in order to support an atmospheric pressure load acting between the first substrate and the second substrate and maintain a gap between the substrates, a large number of plate-like or columnar spacers are arranged between the two substrates (for example, Patent Document 1). In the SED, when displaying an image, an anode voltage is applied to the phosphor layer, and the electron beam emitted from the electron-emitting device is accelerated by the anode voltage to collide with the phosphor layer, so that the phosphor emits light. Display an image. In order to obtain practical display characteristics, it is necessary to use a phosphor similar to a normal cathode ray tube and set the anode voltage to several kV or more, preferably 5 kV or more.
JP 2001-272926 A

上記構成のＳＥＤにおいて、高い加速電圧を持った電子が蛍光面に衝突した際、蛍光面で２次電子および反射電子が発生する。第１基板と第２基板との間の空間が狭い場合、蛍光面で発生した２次電子および反射電子が、基板間に配設されたスペーサに衝突し、その結果、スペーサが帯電する。ＳＥＤにおける加速電圧では、一般にスペーサは正に帯電する。この場合、電子放出素子から放出された電子ビームはスペーサに引き付けられ、本来の軌道からずれてしまう。その結果、蛍光体層に対して電子ビームのミスランディングが発生し、表示画像の色純度が劣化するという問題がある。   In the SED having the above configuration, when electrons having a high acceleration voltage collide with the phosphor screen, secondary electrons and reflected electrons are generated on the phosphor screen. When the space between the first substrate and the second substrate is narrow, secondary electrons and reflected electrons generated on the phosphor screen collide with a spacer disposed between the substrates, and as a result, the spacer is charged. At the acceleration voltage in the SED, the spacer is generally positively charged. In this case, the electron beam emitted from the electron-emitting device is attracted to the spacer and deviates from the original trajectory. As a result, there is a problem that electron beam mislanding occurs in the phosphor layer and the color purity of the display image is deteriorated.

この発明は、以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、電子ビームの軌道ずれ、および放電の発生を抑制し、信頼性および表示品位の向上した画像表示装置を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide an image display device that suppresses the deviation of the trajectory of an electron beam and the occurrence of discharge, and has improved reliability and display quality.

前記目的を達成するため、この発明の態様に係る画像表示装置は、蛍光面が形成された第１基板と、前記第１基板と隙間を置いて対向配置されているとともに前記蛍光面を励起する複数の電子放出源が設けられた第２基板と、前記第１および第２基板の間に設けられ前記第１および第２基板に作用する大気圧荷重を支持するスペーサ構体とを備えている。
前記スペーサ構体は、前記第１および第２基板に対向しているとともに、それぞれ前記電子放出源に対向した複数の電子ビーム通過孔を有した板状の支持基板と、前記複数の電子ビーム通過孔間で、前記支持基板の少なくとも一方の表面上に立設された複数のスペーサと、を有し、前記スペーサは、その表面に形成された複数の溝を有し、前記複数の溝は、それぞれスペーサの前記支持基板側の端から延出端まで延びているとともに前記電子ビーム通過孔と対向している。 In order to achieve the above object, an image display device according to an aspect of the present invention is configured to excite the phosphor screen while being disposed to face the first substrate with a gap between the first substrate on which the phosphor screen is formed. A second substrate provided with a plurality of electron emission sources; and a spacer structure provided between the first and second substrates and supporting an atmospheric pressure load acting on the first and second substrates.
The spacer structure is opposed to the first and second substrates, and has a plate-like support substrate having a plurality of electron beam passage holes opposed to the electron emission sources, and the plurality of electron beam passage holes. A plurality of spacers erected on at least one surface of the support substrate, and the spacers have a plurality of grooves formed on the surface, and the plurality of grooves are respectively The spacer extends from the end on the support substrate side to the extended end and faces the electron beam passage hole.

この発明によれば、電子ビームの軌道ずれ、および放電の発生を抑制し、信頼性および表示品位の向上した画像表示装置を提供することができる。   According to the present invention, it is possible to provide an image display device in which an electron beam trajectory shift and discharge are suppressed, and reliability and display quality are improved.

以下図面を参照しながら、この発明を、平面型の画像表示装置としてＦＥＤの一種であるＳＥＤに適用した実施形態について詳細に説明する。
図１ないし図３に示すように、ＳＥＤは、それぞれ矩形状のガラス板からなる第１基板１０および第２基板１２を備え、これらの基板は約１．０〜２．０ｍｍの隙間をおいて対応配置されている。第１基板１０および第２基板１２は、ガラスからなる矩形枠状の側壁１４を介して周縁部同士が接合され、内部が真空に維持された偏平な真空外囲器１５を構成している。 Hereinafter, an embodiment in which the present invention is applied to an SED, which is a kind of FED, as a flat-type image display device will be described in detail with reference to the drawings.
As shown in FIGS. 1 to 3, the SED includes a first substrate 10 and a second substrate 12 each made of a rectangular glass plate, and these substrates have a gap of about 1.0 to 2.0 mm. Corresponding arrangement. The 1st board | substrate 10 and the 2nd board | substrate 12 comprise the flat vacuum envelope 15 by which the peripheral part was joined through the rectangular-frame-shaped side wall 14 which consists of glass, and the inside was maintained at the vacuum.

第１基板１０の内面には蛍光面として機能する蛍光体スクリーン１６が形成されている。この蛍光体スクリーン１６は、赤、緑、青に発光する蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂ、および遮光層１１を並べて構成され、これらの蛍光体層はストライプ状、ドット状あるいは矩形状に形成されている。蛍光体スクリーン１６上には、アルミニウム等からなるメタルバック１７およびゲッタ膜１９が順に形成されている。   A phosphor screen 16 that functions as a phosphor screen is formed on the inner surface of the first substrate 10. The phosphor screen 16 is configured by arranging phosphor layers R, G, and B that emit red, green, and blue, and a light shielding layer 11, and these phosphor layers are formed in a stripe shape, a dot shape, or a rectangular shape. ing. On the phosphor screen 16, a metal back 17 and a getter film 19 made of aluminum or the like are sequentially formed.

第２基板１２の内面には、蛍光体スクリーン１６の蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂを励起する電子放出源として、それぞれ電子ビームを放出する多数の表面伝導型の電子放出素子１８が設けられている。これらの電子放出素子１８は、画素毎に対応して複数列および複数行に配列されている。各電子放出素子１８は、図示しない電子放出部、この電子放出部に電圧を印加する一対の素子電極等で構成されている。第２基板１２の内面上には、電子放出素子１８に電位を供給する多数本の配線２１がマトリックス状に設けられ、その端部は真空外囲器１５の外部に引出されている。   On the inner surface of the second substrate 12, a number of surface-conduction electron-emitting elements 18 that emit electron beams are provided as electron emission sources for exciting the phosphor layers R, G, and B of the phosphor screen 16. Yes. These electron-emitting devices 18 are arranged in a plurality of columns and a plurality of rows corresponding to each pixel. Each electron-emitting device 18 includes an electron emitting portion (not shown) and a pair of device electrodes for applying a voltage to the electron emitting portion. On the inner surface of the second substrate 12, a large number of wirings 21 for supplying a potential to the electron-emitting devices 18 are provided in a matrix shape, and end portions thereof are drawn out of the vacuum envelope 15.

接合部材として機能する側壁１４は、例えば、低融点ガラス、低融点金属等の封着材２０により、第１基板１０の周縁部および第２基板１２の周縁部に封着され、これらの基板同士を接合している。   The side wall 14 functioning as a bonding member is sealed to the peripheral edge of the first substrate 10 and the peripheral edge of the second substrate 12 by, for example, a sealing material 20 such as low-melting glass or low-melting metal. Are joined.

図２ないし図５に示すように、ＳＥＤは、第１基板１０および第２基板１２の間に配設されたスペーサ構体２２を備えている。本実施形態において、スペーサ構体２２は、第１および第２基板１０、１２間に配設された矩形状の金属板からなるグリッド２４と、グリッドの両面に一体的に立設された多数の柱状のスペーサと、で構成されている。   As shown in FIGS. 2 to 5, the SED includes a spacer structure 22 disposed between the first substrate 10 and the second substrate 12. In the present embodiment, the spacer structure 22 includes a grid 24 made of a rectangular metal plate disposed between the first and second substrates 10 and 12, and a number of columnar shapes integrally provided on both sides of the grid. And a spacer.

詳細に述べると、支持基板として機能するグリッド２４は、第１基板１０の内面と対向した第１表面２４ａおよび第２基板１２の内面と対向した第２表面２４ｂを有し、これらの基板と平行に配置されている。グリッド２４には、エッチング等により多数の電子ビーム通過孔２６が形成されている。電子ビーム通過孔２６は、それぞれ電子放出素子１８と対向して、複数列および複数行に配列され、電子放出素子から放出された電子ビームを透過する。真空外囲器１５の長手方向をＸ、これと直交する幅方向をＹとした場合、電子ビーム通過孔２６は、長手方向Ｘおよび幅方向Ｙに所定のピッチで並んでいる。ここでは、幅方向Ｙのピッチが長手方向Ｘのピッチよりも大きく設定されている。   More specifically, the grid 24 functioning as a support substrate has a first surface 24a facing the inner surface of the first substrate 10 and a second surface 24b facing the inner surface of the second substrate 12, and is parallel to these substrates. Is arranged. A large number of electron beam passage holes 26 are formed in the grid 24 by etching or the like. The electron beam passage holes 26 are arranged in a plurality of columns and a plurality of rows so as to face the electron emission elements 18 and transmit the electron beams emitted from the electron emission elements. Assuming that the longitudinal direction of the vacuum envelope 15 is X and the width direction perpendicular thereto is Y, the electron beam passage holes 26 are arranged at a predetermined pitch in the longitudinal direction X and the width direction Y. Here, the pitch in the width direction Y is set larger than the pitch in the longitudinal direction X.

グリッド２４は、例えば鉄−ニッケル系の金属板により厚さ０．１〜０．３ｍｍに形成されている。グリッド２４の表面には、金属板を構成する元素からなる酸化膜、例えば、Ｆｅ_３Ｏ_４、ＮｉＦｅ_２Ｏ_４からなる酸化膜が形成されている。また、グリッド２４の表面２４ａ、２４ｂ、並びに、各電子ビーム通過孔２６の壁面は、放電電流制限効果を有する高抵抗膜により被覆されている。この高抵抗膜は、ガラスを主成分とする高抵抗物質で形成されている。 The grid 24 is formed with a thickness of 0.1 to 0.3 mm using, for example, an iron-nickel metal plate. On the surface of the grid 24, an oxide film made of an element constituting a metal plate, for example, an oxide film made of Fe ₃ O ₄ or NiFe ₂ O ₄ is formed. The surfaces 24a and 24b of the grid 24 and the wall surfaces of the electron beam passage holes 26 are covered with a high resistance film having a discharge current limiting effect. This high resistance film is made of a high resistance material mainly composed of glass.

グリッド２４の第１表面２４ａ上には複数の第１スペーサ３０ａが一体的に立設され、それぞれ隣合う電子ビーム通過孔２６間に位置している。第１スペーサ３０ａの先端は、ゲッタ膜１９、メタルバック１７、および蛍光体スクリーン１６の遮光層１１を介して第１基板１０の内面に当接している。   A plurality of first spacers 30 a are integrally provided on the first surface 24 a of the grid 24, and are positioned between adjacent electron beam passage holes 26. The tip of the first spacer 30 a is in contact with the inner surface of the first substrate 10 through the getter film 19, the metal back 17, and the light shielding layer 11 of the phosphor screen 16.

グリッド２４の第２表面２４ｂ上には複数の第２スペーサ３０ｂが一体的に立設され、それぞれ隣合う電子ビーム通過孔２６間に位置している。第２スペーサ３０ｂの先端は第２基板１２の内面に当接している。ここでは、各第２スペーサ３０ｂの先端は、第２基板１２の内面上に設けられた配線２１上に位置している。第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂは、長手方向Ｘおよび幅方向Ｙにおいて、電子ビーム通過孔２６よりも数倍大きなピッチで配列されている。各第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂは互いに整列して位置し、グリッド２４を両面から挟み込んだ状態でグリッド２４と一体に形成されている。   A plurality of second spacers 30 b are integrally provided on the second surface 24 b of the grid 24, and are positioned between adjacent electron beam passage holes 26. The tip of the second spacer 30 b is in contact with the inner surface of the second substrate 12. Here, the tip of each second spacer 30 b is located on the wiring 21 provided on the inner surface of the second substrate 12. The first and second spacers 30 a and 30 b are arranged at a pitch several times larger than the electron beam passage holes 26 in the longitudinal direction X and the width direction Y. The first and second spacers 30a and 30b are aligned with each other, and are formed integrally with the grid 24 with the grid 24 sandwiched from both sides.

図４および図５に示すように、第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂの各々は、グリッド２４側から延出端に向かって径が小さくなった先細テーパ状に形成されている。例えば、各第１スペーサ３０ａは細長い長円状の横断面形状を有し、グリッド２４側に位置した基端の長手方向Ｘに沿った長さＬが約１ｍｍ、幅方向Ｙに沿った幅Ｗが約３００μｍ、また、延出方向に沿った高さが約０．６ｍｍに形成されている。各第２スペーサ３０ｂは細長い長円状の横断面形状を有し、グリッド２４側に位置した基端の長手方向Ｘに沿った長さが約１ｍｍ、幅方向Ｙに沿った幅が約３００μｍ、また、延出方向に沿った高さが約０．８ｍｍに形成されている。第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂは、その長手方向が長手方向Ｘと一致した状態でグリッド２４上に設けられている。   As shown in FIGS. 4 and 5, each of the first and second spacers 30a and 30b is formed in a tapered shape having a diameter that decreases from the grid 24 side toward the extending end. For example, each first spacer 30a has an elongated oval cross-sectional shape, the length L along the longitudinal direction X of the proximal end located on the grid 24 side is about 1 mm, and the width W along the width direction Y. Is about 300 μm, and the height along the extending direction is about 0.6 mm. Each of the second spacers 30b has an elongated oval cross-sectional shape, the length of the base end located on the grid 24 side along the longitudinal direction X is about 1 mm, the width along the width direction Y is about 300 μm, Moreover, the height along the extending direction is formed to be about 0.8 mm. The first and second spacers 30 a and 30 b are provided on the grid 24 in a state where the longitudinal direction thereof coincides with the longitudinal direction X.

第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂの表面、ここでは側面には複数の細長い溝６０が形成されている。第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂの各々において、溝６０はスペーサのグリッド２４側の基端から先端まで、スペーサの延出方向に沿って直線的に延びている。また、溝６０は、スペーサの側面において、グリッド２４の表面と平行な方向に隙間をおいて複数並んで設けられている。溝６０は、各スペーサの全周に渡って複数設けられている。   A plurality of elongated grooves 60 are formed on the surfaces of the first and second spacers 30a and 30b, here on the side surfaces. In each of the first and second spacers 30a and 30b, the groove 60 extends linearly from the proximal end to the distal end of the spacer on the grid 24 side along the extending direction of the spacer. A plurality of grooves 60 are provided side by side with a gap in the direction parallel to the surface of the grid 24 on the side surface of the spacer. A plurality of grooves 60 are provided over the entire circumference of each spacer.

各溝６０の深さｄは、各第１および第２スペーサの幅Ｗの２０％以上５０％以下に形成されている。本実施形態において、溝６０の深さｄは約６０μｍに形成され、また、長手方向Ｘに沿った溝６０の幅ｇは、電子ビーム通過孔２６の径よりも小さい６０μｍに形成されている。第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂに形成された溝６０は、それぞれ隣接した１つの電子ビーム通過孔２６と対向した位置に設けられている。   The depth d of each groove 60 is 20% or more and 50% or less of the width W of each first and second spacer. In the present embodiment, the depth d of the groove 60 is formed to be about 60 μm, and the width g of the groove 60 along the longitudinal direction X is formed to be 60 μm smaller than the diameter of the electron beam passage hole 26. The grooves 60 formed in the first and second spacers 30a and 30b are provided at positions facing one adjacent electron beam passage hole 26, respectively.

上記のように構成されたスペーサ構体２２は第１基板１０および第２基板１２間に配設されている。そして、第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂは、第１基板１０および第２基板１２の内面に当接することにより、これらの基板に作用する大気圧荷重を支持し、基板間の間隔を所定値に維持している。   The spacer structure 22 configured as described above is disposed between the first substrate 10 and the second substrate 12. The first and second spacers 30a and 30b are in contact with the inner surfaces of the first substrate 10 and the second substrate 12, thereby supporting the atmospheric pressure load acting on these substrates, and the interval between the substrates being a predetermined value. To maintain.

ＳＥＤは、グリッド２４および第１基板１０のメタルバック１７に電圧を印加する図示しない電圧供給部を備えている。この電圧供給部は、グリッド２４およびメタルバック１７にそれぞれ接続され、例えば、グリッド２４に１２ｋＶ、メタルバック１７に１０ｋＶの電圧を印加する。そして、ＳＥＤにおいて、画像を表示する場合、蛍光体スクリーン１６およびメタルバック１７にアノード電圧が印加され、電子放出素子１８から放出された電子ビームをアノード電圧により加速して蛍光体スクリーン１６へ衝突させる。これにより、蛍光体スクリーン１６の蛍光体層が励起されて発光し、画像を表示する。   The SED includes a voltage supply unit (not shown) that applies a voltage to the grid 24 and the metal back 17 of the first substrate 10. The voltage supply unit is connected to the grid 24 and the metal back 17, and applies a voltage of 12 kV to the grid 24 and 10 kV to the metal back 17, for example. When an image is displayed in the SED, an anode voltage is applied to the phosphor screen 16 and the metal back 17, and the electron beam emitted from the electron emitter 18 is accelerated by the anode voltage to collide with the phosphor screen 16. . As a result, the phosphor layer of the phosphor screen 16 is excited to emit light and display an image.

次に、以上のように構成されたＳＥＤの製造方法について説明する。始めに、スペーサ構体２２の製造方法について説明する。
図６に示すように、所定寸法のグリッド２４、このグリッドとほぼ同一の寸法を有した矩形板状の上型３６ａおよび下型３６ｂを用意する。この場合、Ｆｅ−５０％Ｎｉからなる板厚０．１２ｍｍの金属板を脱脂、洗浄、乾燥した後、エッチングにより電子ビーム通過孔２６を形成する。金属板全体を酸化処理した後、電子ビーム通過孔２６の内面を含めグリッド表面に絶縁膜を形成する。更に、絶縁膜の上に、ガラスを主成分としたコート液を塗布し、乾燥した後、焼成することにより、高抵抗膜を形成する。これにより、グリッド２４を得る。 Next, the manufacturing method of SED comprised as mentioned above is demonstrated. First, a method for manufacturing the spacer structure 22 will be described.
As shown in FIG. 6, a grid 24 having a predetermined size and a rectangular plate-like upper mold 36a and lower mold 36b having substantially the same dimensions as this grid are prepared. In this case, a metal plate made of Fe-50% Ni having a thickness of 0.12 mm is degreased, washed and dried, and then the electron beam passage hole 26 is formed by etching. After the entire metal plate is oxidized, an insulating film is formed on the grid surface including the inner surface of the electron beam passage hole 26. Further, a coating solution containing glass as a main component is applied on the insulating film, dried, and baked to form a high resistance film. Thereby, the grid 24 is obtained.

成形型としての上型３６ａおよび下型３６ｂは、紫外線を透過する透明な材料、例えば、透明シリコン、透明ポリエチレンテレフタレート等により平坦な板状に形成されている。上型３６ａは、グリッド２４に当接される平坦な当接面４１ａと、第１スペーサ３０ａを成形するための多数の有底のスペーサ形成孔４０ａと、を有している。スペーサ形成孔４０ａはそれぞれ上型３６ａの当接面４１ａに開口しているとともに、所定の間隔を置いて配列されている。同様に、下型３６ｂは、平坦な当接面４１ｂと、第２スペーサ３０ｂを成形するための多数の有底のスペーサ形成孔４０ｂと、を有している。スペーサ形成孔４０ｂはそれぞれ下型３６ｂの当接面４１ｂに開口しているとともに、所定の間隔を置いて配列されている。   The upper mold 36a and the lower mold 36b as the molds are formed in a flat plate shape using a transparent material that transmits ultraviolet rays, for example, transparent silicon, transparent polyethylene terephthalate, or the like. The upper die 36a has a flat contact surface 41a that is in contact with the grid 24, and a large number of bottomed spacer forming holes 40a for forming the first spacers 30a. Each of the spacer formation holes 40a opens on the contact surface 41a of the upper die 36a and is arranged at a predetermined interval. Similarly, the lower mold 36b has a flat contact surface 41b and a large number of bottomed spacer forming holes 40b for forming the second spacer 30b. Each of the spacer formation holes 40b opens on the contact surface 41b of the lower mold 36b and is arranged at a predetermined interval.

上型３６ａおよび下型３６ｂは以下の工程により作成する。ここでは、上型３６ａの作成方法を代表して説明する。まず、図７に示すように、上型を形成するためのマスタ雄型７０を切削により形成する。この場合、例えば、真鍮により形成されたベース板７１を用意し、このベース板の一方の表面を切削することにより、第１スペーサ３０ａに対応する複数の長円柱７２を形成する。次いで、直径０．１ｍｍのドリルを用いて、各長円柱６２の側面に、スペーサの溝６０に対応する複数の溝７４を形成する。これによりマスタ雄型７０が得られる。続いて、図８に示すように、マスタ雄型７０に透明なシリコンを充填して上型３６ａを成形した後、離型することにより、上型が得られる。なお、下型３６ｂも同様の工程により作成する。   The upper mold 36a and the lower mold 36b are formed by the following process. Here, a method of creating the upper mold 36a will be described as a representative. First, as shown in FIG. 7, a master male mold 70 for forming an upper mold is formed by cutting. In this case, for example, a base plate 71 made of brass is prepared, and one surface of the base plate is cut to form a plurality of long cylinders 72 corresponding to the first spacers 30a. Next, using a drill having a diameter of 0.1 mm, a plurality of grooves 74 corresponding to the groove 60 of the spacer are formed on the side surface of each long cylinder 62. Thereby, the master male mold 70 is obtained. Subsequently, as shown in FIG. 8, the master male mold 70 is filled with transparent silicon to form the upper mold 36a, and then the upper mold 36a is obtained by releasing the mold. Note that the lower die 36b is formed by the same process.

上型３６ａ、下型３６ｂは、マスタ雌型を用いて作成してもよい。この場合、まず、Ｆｅ５０％Ｎｉ合金からなる厚さ０．２５ｍｍの金属板を複数枚用意し、エッチングにより、各金属板にスペーサ断面と等しい断面形状を有した複数の透孔を形成する。図９に示すように、これらの金属板を高い位置精度で積層し、仮止めした後、ホットプレス加工を施すことによりマスタ雌型８０が得られる。このマスタ雌型８０にシリコン樹脂を充填し、硬化させた後、離型してマスタ雄型８２を形成した。その後、上記と同様に、マスタ雄型８２を用いて上型３６ａを作成した。下型３６ｂも同様の工程により作成することができる。   The upper mold 36a and the lower mold 36b may be created using a master female mold. In this case, first, a plurality of 0.25 mm-thick metal plates made of Fe50% Ni alloy are prepared, and a plurality of through holes having a cross-sectional shape equal to the spacer cross section are formed in each metal plate by etching. As shown in FIG. 9, these metal plates are laminated with high positional accuracy, temporarily fixed, and then subjected to hot pressing to obtain a master female die 80. The master female mold 80 was filled with a silicone resin, cured, and then released to form a master male mold 82. Thereafter, in the same manner as described above, the upper die 36a was created using the master male die 82. The lower mold 36b can also be created by the same process.

次に、図１１に示すように、上型３６ａのスペーサ形成孔４０ａおよび下型２６ｂのスペーサ形成孔４０ｂにスペーサ形成材料４６を充填する。スペーサ形成材料４６としては、少なくとも紫外線硬化型のバインダ（有機成分）およびガラスフィラーを含有したガラスペーストを用いる。ガラスペーストの比重、粘度は適宜選択する。   Next, as shown in FIG. 11, the spacer forming material 46 is filled into the spacer forming hole 40a of the upper mold 36a and the spacer forming hole 40b of the lower mold 26b. As the spacer forming material 46, a glass paste containing at least an ultraviolet curable binder (organic component) and a glass filler is used. The specific gravity and viscosity of the glass paste are appropriately selected.

そして、スペーサ形成材料４６の充填されたスペーサ形成孔４０ａがそれぞれ電子ビーム通過孔２６間の所定領域と対向するように、上型３６ａを位置決めし当接面４１ａをグリッド２４の第１表面２４ａに密着させる。同様に、下型３６ｂを、各スペーサ形成孔４０ｂが電子ビーム通過孔２６間の所定領域と対向するように位置決めし、当接面４１ｂをグリッド２４の第２表面２４ｂに密着させる。なお、グリッド２４のスペーサ立設位置には、ディスペンサあるいは印刷により、予め接着剤を塗布しておいてもよい。これにより、グリッド２４、上型３６ａおよび下型３６ｂからなる組立体４２を構成する。組立体４２において、上型３６ａのスペーサ形成孔４０ａと下型３６ｂのスペーサ形成孔４０ｂとは、グリッド２４を挟んで対向して配列されている。   Then, the upper mold 36a is positioned so that the spacer forming holes 40a filled with the spacer forming material 46 are respectively opposed to predetermined regions between the electron beam passage holes 26, and the contact surface 41a is formed on the first surface 24a of the grid 24. Adhere closely. Similarly, the lower die 36 b is positioned so that each spacer forming hole 40 b faces a predetermined region between the electron beam passage holes 26, and the contact surface 41 b is brought into close contact with the second surface 24 b of the grid 24. Note that an adhesive may be applied in advance to the spacer standing position of the grid 24 by dispenser or printing. Thus, an assembly 42 including the grid 24, the upper mold 36a, and the lower mold 36b is configured. In the assembly 42, the spacer forming holes 40a of the upper mold 36a and the spacer forming holes 40b of the lower mold 36b are arranged to face each other with the grid 24 in between.

上型３６ａおよび下型３６ｂをグリッド２４に密着させた状態で、上型および下型の外側からスペーサ形成材料に向けて紫外線（ＵＶ）を照射する。上型３６ａおよび下型３６ｂはそれぞれ紫外線透過材料で形成されているため、照射された紫外線は、上型３６ａおよび下型３６ｂを透過し、充填されたスペーサ形成材料４６に照射される。これにより、スペーサ形成材料４６が紫外線硬化される。   In a state where the upper mold 36a and the lower mold 36b are in close contact with the grid 24, ultraviolet rays (UV) are irradiated from the outside of the upper mold and the lower mold toward the spacer forming material. Since the upper mold 36a and the lower mold 36b are each formed of an ultraviolet transmissive material, the irradiated ultraviolet rays are transmitted through the upper mold 36a and the lower mold 36b and irradiated to the filled spacer forming material 46. Thereby, the spacer forming material 46 is cured by ultraviolet rays.

続いて、図１２に示すように、硬化したスペーサ形成材料４６をグリッド２４上に残すように、上型３６ａおよび下型３６ｂをグリッド２４から剥離する。この際、硬化した各スペーサ形成材料４６には複数の溝６０が形成されているが、これらの溝はスペーサ形成材料の延出方向、すなわち、上型３６ａおよび下型３６ｂの離型方向に延出しているため、上型および下型を円滑に離型することができる。   Subsequently, as shown in FIG. 12, the upper mold 36 a and the lower mold 36 b are peeled from the grid 24 so that the cured spacer forming material 46 remains on the grid 24. At this time, a plurality of grooves 60 are formed in each cured spacer forming material 46. These grooves extend in the extending direction of the spacer forming material, that is, in the releasing direction of the upper mold 36a and the lower mold 36b. Since it has taken out, an upper mold | type and a lower mold | type can be released smoothly.

次に、スペーサ形成材料４６が設けられたグリッド２４を加熱炉内で熱処理し、スペーサ形成材料内からバインダを飛ばした後、約５００〜５５０℃で３０分〜１時間、スペーサ形成材料を本焼成する。これにより、グリッド２４上に第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂが作り込まれたスペーサ構体２２が得られる。   Next, after the grid 24 provided with the spacer forming material 46 is heat-treated in a heating furnace and the binder is blown out from the spacer forming material, the spacer forming material is finally fired at about 500 to 550 ° C. for 30 minutes to 1 hour. To do. Thereby, the spacer structure 22 in which the first and second spacers 30a and 30b are formed on the grid 24 is obtained.

一方、ＳＥＤの製造においては、予め、蛍光体スクリーン１６およびメタルバック１７の設けられた第１基板１０と、電子放出素子１８および配線２１が設けられているとともに側壁１４が接合された第２基板１２と、を用意しておく。続いて、前記のようにして得られたスペーサ構体２２を第２基板１２上に位置決め配置する。この状態で、第１基板１０、第２基板１２、およびスペーサ構体２２を真空チャンバ内に配置し、真空チャンバ内を真空排気した後、側壁１４を介して第１基板を第２基板に接合する。これにより、スペーサ構体２２を備えたＳＥＤが製造される。   On the other hand, in the manufacture of the SED, the first substrate 10 provided with the phosphor screen 16 and the metal back 17 in advance, the second substrate on which the electron-emitting device 18 and the wiring 21 are provided and the side wall 14 is joined. 12 are prepared. Subsequently, the spacer structure 22 obtained as described above is positioned on the second substrate 12. In this state, the first substrate 10, the second substrate 12, and the spacer structure 22 are arranged in the vacuum chamber, the inside of the vacuum chamber is evacuated, and then the first substrate is bonded to the second substrate via the side wall 14. . Thereby, SED provided with the spacer structure 22 is manufactured.

以上のように構成されたＳＥＤによれば、各第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂの表面に溝６０を設けることにより、スペーサの表面積が増大し沿面距離が延びるため、ＳＥＤの耐電圧性が向上する。従って、放電の発生を抑制し、信頼性の向上が図れる。   According to the SED configured as described above, by providing the groove 60 on the surface of each of the first and second spacers 30a and 30b, the surface area of the spacer is increased and the creeping distance is extended. improves. Therefore, the occurrence of discharge can be suppressed and the reliability can be improved.

各スペーサに形成された溝６０は、スペーサのグリッド側の基端から先端までスペーサの延出方向に沿って延びているため、成形型を離型する際、溝６０に引っ掛かることなく円滑に離型することができる。これにより、スペーサに損傷を与えることなく、かつ、高い精度でスペーサを形成することが可能となる。従って、スペーサにより第１および第２基板を安定して支持することができるとともに、スペーサ先端と基板との隙を低減し、この隙間に起因した放電の発生を抑制することができる。   Since the groove 60 formed in each spacer extends along the spacer extending direction from the base end of the spacer on the grid side to the distal end, when the mold is released, it is smoothly separated without being caught by the groove 60. Can be typed. As a result, the spacer can be formed with high accuracy without damaging the spacer. Therefore, the first and second substrates can be stably supported by the spacer, and the gap between the spacer tip and the substrate can be reduced, and the occurrence of discharge due to this gap can be suppressed.

また、スペーサの溝６０は、それぞれグリッド２４の電子ビーム通過孔２６と対向した位置に設けられている。そのため、電子ビーム通過孔２６を通る電子ビームとスペーサ表面との距離を大きくでき、帯電したスペーサによる電子ビームの軌道ずれ量を低減することができる。従って、電子ビームを目標の蛍光体層にランディングさせ、表示品位の向上を図ることができる。以上のことから、信頼性および表示品位の向上したＳＥＤが得られる。   The spacer grooves 60 are provided at positions facing the electron beam passage holes 26 of the grid 24. Therefore, the distance between the electron beam passing through the electron beam passage hole 26 and the spacer surface can be increased, and the amount of trajectory deviation of the electron beam due to the charged spacer can be reduced. Therefore, the display quality can be improved by landing the electron beam on the target phosphor layer. From the above, an SED with improved reliability and display quality can be obtained.

前述した実施形態において、第１および第２スペーサ３６ａ、３６ｂの各溝６０は、１つの電子ビーム通過孔２６と対向する幅ｇとしたが、図１３に示すように、幅ｇを広くし複数の電子ビーム通過孔２６と対向して設けてもよい。また、溝６０の幅ｇは、全ての溝について共通である必要はなく、複数の溝間で互いに異なる幅としてもよい。   In the above-described embodiment, each groove 60 of the first and second spacers 36a and 36b has a width g opposed to one electron beam passage hole 26. However, as shown in FIG. It may be provided opposite to the electron beam passage hole 26. Further, the width g of the groove 60 does not have to be common to all the grooves, and may be different from each other among the plurality of grooves.

前述した実施形態において、スペーサ構体２２は、第１および第２スペーサおよびグリッドを一体的に備えた構成としたが、第２スペーサ３０ｂは第２基板１２上に形成する構成としてもよい。また、スペーサ構体は、支持基板および第２スペーサのみを備え、支持基板が第１基板に接触した構成としてもよい。   In the above-described embodiment, the spacer structure 22 is configured to integrally include the first and second spacers and the grid, but the second spacer 30b may be formed on the second substrate 12. The spacer structure may include only the support substrate and the second spacer, and the support substrate may be in contact with the first substrate.

図１４および図１５に示すように、この発明の第２の実施形態に係るＳＥＤによれば、スペーサ構体２２は、矩形状の金属板からなる支持基板２４と、支持基板の一方の表面のみに一体的に立設された多数の柱状のスペーサ３０と、を有している。支持基板２４は第１基板１０の内面と対向した第１表面２４ａおよび第２基板１２の内面と対向した第２表面２４ｂを有し、これらの基板と平行に配置されている。支持基板２４には、エッチング等により多数の電子ビーム通過孔２６が形成されている。電子ビーム通過孔２６は、それぞれ電子放出素子１８と対向して配列され、電子放出素子から放出された電子ビームを透過する。   As shown in FIGS. 14 and 15, according to the SED according to the second embodiment of the present invention, the spacer structure 22 is formed only on the support substrate 24 made of a rectangular metal plate and on one surface of the support substrate. And a large number of columnar spacers 30 which are erected integrally. The support substrate 24 has a first surface 24 a facing the inner surface of the first substrate 10 and a second surface 24 b facing the inner surface of the second substrate 12, and is arranged in parallel with these substrates. A large number of electron beam passage holes 26 are formed in the support substrate 24 by etching or the like. The electron beam passage apertures 26 are respectively arranged to face the electron emission elements 18 and transmit the electron beams emitted from the electron emission elements.

支持基板２４の第１および第２表面２４ａ、２４ｂ、各電子ビーム通過孔２６の内壁面は、絶縁層として、ガラス、セラミック等を主成分とした絶縁性物質からなる高抵抗膜により被覆されている。そして、支持基板２４は、その第１表面２４ａが、ゲッタ膜、メタルバック１７、蛍光体スクリーン１６を介して、第１基板１０の内面に面接触した状態で設けられている。支持基板２４に設けられた電子ビーム通過孔２６は、蛍光体スクリーン１６の蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂと対向している。これにより、各電子放出素子１８は、電子ビーム通過孔２６を通して、対応する蛍光体層と対向している。   The first and second surfaces 24a and 24b of the support substrate 24 and the inner wall surface of each electron beam passage hole 26 are covered with a high resistance film made of an insulating material mainly composed of glass, ceramic, or the like as an insulating layer. Yes. The support substrate 24 is provided with the first surface 24 a in surface contact with the inner surface of the first substrate 10 via the getter film, the metal back 17, and the phosphor screen 16. The electron beam passage hole 26 provided in the support substrate 24 faces the phosphor layers R, G, and B of the phosphor screen 16. Thereby, each electron-emitting device 18 is opposed to the corresponding phosphor layer through the electron beam passage hole 26.

支持基板２４の第２表面２４ｂ上には複数のスペーサ３０が一体的に立設されている。各スペーサ３０の延出端は、第２基板１２の内面、ここでは、第２基板１２の内面上に設けられた配線２１上に当接している。スペーサ３０の各々は、グリッド２４側から延出端に向かって径が小さくなった先細テーパ状に形成されている。各スペーサ３０は、支持基板２４表面と平行な方向に沿った断面が細長い長円状に形成されている。スペーサ３０の支持基板２４側に位置した基端の長手方向Ｘに沿った長さＬは約１ｍｍ、幅方向Ｙに沿った幅Ｗが約３００μｍ、また、延出方向に沿った高さが約１．４ｍｍに形成されている。スペーサ３０は、その長手方向が真空外囲器の長手方向Ｘと一致した状態で支持基板２４上に設けられている。   A plurality of spacers 30 are erected integrally on the second surface 24 b of the support substrate 24. The extended end of each spacer 30 is in contact with the inner surface of the second substrate 12, here, the wiring 21 provided on the inner surface of the second substrate 12. Each of the spacers 30 is formed in a tapered shape with a diameter decreasing from the grid 24 side toward the extending end. Each spacer 30 is formed in an oval shape whose cross section along the direction parallel to the surface of the support substrate 24 is elongated. The length L of the base end of the spacer 30 on the support substrate 24 side along the longitudinal direction X is about 1 mm, the width W along the width direction Y is about 300 μm, and the height along the extending direction is about It is formed to 1.4 mm. The spacer 30 is provided on the support substrate 24 in a state in which the longitudinal direction thereof coincides with the longitudinal direction X of the vacuum envelope.

各スペーサ３０の側面には複数の細長い溝６０が形成されている。スペーサ３０の各々において、溝６０はスペーサのグリッド２４側の基端から先端まで、スペーサの延出方向に沿って直線的に延びている。また、溝６０は、スペーサの側面において、支持基板２４の表面と平行な方向に隙間をおいて複数並んで設けられている。ここでは、溝６０は、各スペーサの全周に渡って複数設けられている。   A plurality of elongated grooves 60 are formed on the side surface of each spacer 30. In each of the spacers 30, the groove 60 extends linearly from the proximal end to the distal end of the spacer on the grid 24 side along the extending direction of the spacer. In addition, a plurality of grooves 60 are provided side by side with a gap in the direction parallel to the surface of the support substrate 24 on the side surface of the spacer. Here, a plurality of grooves 60 are provided over the entire circumference of each spacer.

各溝６０の深さｄは、スペーサ３０の幅Ｗの２０％以上５０％以下に形成されている。本実施形態において、溝６０の深さｄは約６０μｍに形成され、また、溝６０の長手方向Ｘに沿った幅ｇは、電子ビーム通過孔２６の径よりも小さい１６０μｍに形成されている。溝６０は、それぞれ対応する１つの電子ビーム通過孔２６と対向した位置に設けられている。
上記のように構成されたスペーサ構体２２は、支持基板２４が第１基板１０に面接触し、スペーサ３０の延出端が第２基板１２の内面に当接することにより、これらの基板に作用する大気圧荷重を支持し、基板間の間隔を所定値に維持している。 The depth d of each groove 60 is 20% or more and 50% or less of the width W of the spacer 30. In the present embodiment, the depth d of the groove 60 is formed to be about 60 μm, and the width g along the longitudinal direction X of the groove 60 is formed to be 160 μm smaller than the diameter of the electron beam passage hole 26. The grooves 60 are provided at positions facing the corresponding one electron beam passage hole 26.
The spacer structure 22 configured as described above acts on these substrates when the support substrate 24 comes into surface contact with the first substrate 10 and the extended end of the spacer 30 contacts the inner surface of the second substrate 12. The atmospheric pressure load is supported and the distance between the substrates is maintained at a predetermined value.

第２の実施形態において、他の構成は前述した第１の実施形態と同一であり、同一の部分には同一の参照符号を付してその詳細な説明は省略する。第２の実施形態に係るＳＥＤおよびそのスペーサ構体は前述した実施形態に係る製造方法と同様の製造方法によって製造することができる。そして、第２の実施形態においても、前述した第１の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。   In the second embodiment, other configurations are the same as those of the first embodiment described above, and the same reference numerals are given to the same portions, and detailed description thereof is omitted. The SED and its spacer structure according to the second embodiment can be manufactured by a manufacturing method similar to the manufacturing method according to the above-described embodiment. In the second embodiment, the same operational effects as those of the first embodiment described above can be obtained.

なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。   Note that the present invention is not limited to the above-described embodiment as it is, and can be embodied by modifying the constituent elements without departing from the scope of the invention in the implementation stage. In addition, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of components disclosed in the embodiment. For example, some components may be deleted from all the components shown in the embodiment. Furthermore, constituent elements over different embodiments may be appropriately combined.

本発明において、スペーサに形成された溝とは、スペーサ表面に対して凹の溝に限らず、スペーサ表面に複数の凸部を形成し、これら凸部の間に形成された溝も含むものである。スペーサの径や高さ、その他の構成要素の寸法、材質等は上述した実施形態に限定されることなく、必要に応じて適宜選択可能である。スペーサは前述した柱状のスペーサに限らず、板状のスペーサを用いてもよい。スペーサ形成材料の充填条件は必要に応じて種々選択可能である。また、この発明は、電子源として表面伝導型電子放出素子を用いたものに限らず、電界放出型、カーボンナノチューブ等の他の電子源を用いた画像表示装置にも適用可能である。   In the present invention, the groove formed in the spacer is not limited to the concave groove with respect to the spacer surface, but includes a plurality of convex portions formed on the spacer surface and a groove formed between the convex portions. The diameter and height of the spacer, the dimensions and materials of the other components are not limited to the above-described embodiment, and can be appropriately selected as necessary. The spacer is not limited to the columnar spacer described above, and a plate-like spacer may be used. Various filling conditions for the spacer forming material can be selected as necessary. In addition, the present invention is not limited to the one using a surface conduction electron-emitting device as an electron source, but can be applied to an image display device using another electron source such as a field emission type or a carbon nanotube.

この発明の第１の実施形態に係るＳＥＤを示す斜視図。The perspective view which shows SED which concerns on 1st Embodiment of this invention. 図１の線Ａ−Ａに沿って破断した前記ＳＥＤの斜視図。The perspective view of said SED fractured | ruptured along line AA of FIG. 前記ＳＥＤを拡大して示す断面図。Sectional drawing which expands and shows the said SED. 前記スペーサ構体の一部を拡大して示す斜視図。The perspective view which expands and shows a part of said spacer structure. 図４の線Ｂ−Ｂに沿った断面図。Sectional drawing along line BB of FIG. 前記スペーサ構体の製造に用いるグリッドおよび成形型を示す断面図。Sectional drawing which shows the grid and shaping | molding die used for manufacture of the said spacer structure. 前記成形型の作成に用いるマスタ雄型を示す側面図。The side view which shows the master male type | mold used for preparation of the said shaping | molding die. 前記マスタ雄型を用いた成形型の作成工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the production process of the shaping | molding die using the said master male type | mold. 前記成形型の作成に用いるマスタ雌型を示す側面図。The side view which shows the master female type | mold used for preparation of the said shaping | molding die. 前記マスタ雌型を用いたマスタ雄型の作成工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the production process of the master male type | mold using the said master female type | mold. 成形型およびグリッドを密着させた組立体を示す断面図。Sectional drawing which shows the assembly which closely_contact | adhered the shaping | molding die and the grid. 前記成形型を開放した状態を示す断面図。Sectional drawing which shows the state which open | released the said shaping | molding die. 前記スペーサ構体におけるスペーサの変形例を示す断面図。Sectional drawing which shows the modification of the spacer in the said spacer structure. この発明の第２の実施形態に係るＳＥＤの一部を拡大して示す断面図。Sectional drawing which expands and shows a part of SED which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 前記第２の実施形態に係るＳＥＤのスペーサを示す断面図。Sectional drawing which shows the spacer of SED which concerns on the said 2nd Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

１０…第１基板、 １２…第２基板、 １４…側壁、 １５…真空外囲器、
１６…蛍光体スクリーン、 １８…電子放出素子、 ２２…スペーサ構体、
２４…グリッド、支持基板、 ２６…電子ビーム通過孔、 ３０…スペーサ、
３０ａ…第１スペーサ、 ３０ｂ…第２スペーサ、６０…溝 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... 1st board | substrate, 12 ... 2nd board | substrate, 14 ... Side wall, 15 ... Vacuum envelope,
16 ... phosphor screen, 18 ... electron-emitting device, 22 ... spacer structure,
24 ... Grid, support substrate, 26 ... Electron beam passage hole, 30 ... Spacer,
30a ... 1st spacer, 30b ... 2nd spacer, 60 ... Groove

Claims (6)

蛍光面が形成された第１基板と、
前記第１基板と隙間を置いて対向配置されているとともに前記蛍光面を励起する複数の電子放出源が設けられた第２基板と、
前記第１および第２基板の間に設けられ前記第１および第２基板に作用する大気圧荷重を支持するスペーサ構体とを備え、
前記スペーサ構体は、前記第１および第２基板に対向しているとともに、それぞれ前記電子放出源に対向した複数の電子ビーム通過孔を有した支持基板と、前記複数の電子ビーム通過孔間で、前記支持基板の少なくとも一方の表面上に立設された複数のスペーサと、を有し、
前記スペーサは、その表面に形成された複数の溝を有し、前記複数の溝は、それぞれスペーサの前記支持基板側の端から延出端まで延びているとともに前記電子ビーム通過孔と対向している画像表示装置。 A first substrate on which a phosphor screen is formed;
A second substrate disposed opposite to the first substrate and provided with a plurality of electron emission sources for exciting the phosphor screen;
A spacer structure provided between the first and second substrates and supporting an atmospheric pressure load acting on the first and second substrates;
The spacer structure is opposed to the first and second substrates, and a support substrate having a plurality of electron beam passage holes respectively opposed to the electron emission source, and the plurality of electron beam passage holes. A plurality of spacers erected on at least one surface of the support substrate,
The spacer has a plurality of grooves formed on a surface thereof, and each of the plurality of grooves extends from an end of the spacer on the side of the support substrate to an extended end and faces the electron beam passage hole. Image display device. 前記スペーサの各溝は、複数の電子ビーム通過孔と対向して設けられている請求項１に記載の画像表示装置。   The image display device according to claim 1, wherein each groove of the spacer is provided to face a plurality of electron beam passage holes. 前記スペーサの各溝の深さは、前記スペーサの幅の２０％以上５０％以下に形成されている請求項１又は２に記載の画像表示装置。   3. The image display device according to claim 1, wherein a depth of each groove of the spacer is 20% or more and 50% or less of a width of the spacer. 前記各スペーサに形成された複数の溝は、前記支持基板の表面と平行な方向に離間して並んでいる請求項１ないし３のいずれか１項に記載の画像表示装置。   4. The image display device according to claim 1, wherein the plurality of grooves formed in each of the spacers are arranged apart from each other in a direction parallel to the surface of the support substrate. 5. 前記支持基板は、前記第１基板に対向した第１表面と、前記第２基板に対向した第２表面と、を有し、前記スペーサは、それぞれ前記第１表面上に立設されているとともに前記第１基板に当接した延出端を有した複数の第１スペーサと、それぞれ前記第２表面上に立設されているとともに前記第２基板に当接した延出端を有した複数の第２スペーサと、を含んでいる請求項１ないし４のいずれか１項に記載の画像表示装置。   The support substrate has a first surface facing the first substrate and a second surface facing the second substrate, and the spacers are erected on the first surface, respectively. A plurality of first spacers having extended ends in contact with the first substrate, and a plurality of first spacers standing on the second surface and having extended ends in contact with the second substrate. The image display device according to claim 1, further comprising a second spacer. 前記支持基板は、前記第１基板に当接した第１表面と、前記第２基板と隙間を置いて対向した第２表面と、を有し、前記スペーサは、前記第２表面上に立設されているとともに前記第２基板に当接した延出端を有している請求項１ないし４のいずれか１項に記載の画像表示装置。   The support substrate has a first surface in contact with the first substrate and a second surface opposed to the second substrate with a gap, and the spacer is erected on the second surface. 5. The image display device according to claim 1, wherein the image display device has an extended end that is in contact with the second substrate.

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