JP2005100843A - Image display device, and method for manufacturing spacer structure - Google Patents

Image display device, and method for manufacturing spacer structure Download PDF

Info

Publication number
JP2005100843A
JP2005100843A JP2003333949A JP2003333949A JP2005100843A JP 2005100843 A JP2005100843 A JP 2005100843A JP 2003333949 A JP2003333949 A JP 2003333949A JP 2003333949 A JP2003333949 A JP 2003333949A JP 2005100843 A JP2005100843 A JP 2005100843A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
spacer
grid
step portion
substrate
mold
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2003333949A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takeshi Takahashi
高橋　　健
Satoshi Ishikawa
諭 石川
Masaru Nikaido
勝 二階堂
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP2003333949A priority Critical patent/JP2005100843A/en
Priority to PCT/JP2004/013546 priority patent/WO2005031786A1/en
Priority to TW93128740A priority patent/TWI246102B/en
Publication of JP2005100843A publication Critical patent/JP2005100843A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/24—Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases
    • H01J9/241—Manufacture or joining of vessels, leading-in conductors or bases the vessel being for a flat panel display
    • H01J9/242—Spacers between faceplate and backplate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
    • H01J29/028—Mounting or supporting arrangements for flat panel cathode ray tubes, e.g. spacers particularly relating to electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
    • H01J29/86—Vessels; Containers; Vacuum locks
    • H01J29/864—Spacers between faceplate and backplate of flat panel cathode ray tubes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
    • H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
    • H01J31/10—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
    • H01J31/12—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes with luminescent screen
    • H01J31/123—Flat display tubes
    • H01J31/125—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection
    • H01J31/127—Flat display tubes provided with control means permitting the electron beam to reach selected parts of the screen, e.g. digital selection using large area or array sources, i.e. essentially a source for each pixel group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/18—Assembling together the component parts of electrode systems
    • H01J9/185—Assembling together the component parts of electrode systems of flat panel display devices, e.g. by using spacers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2329/00—Electron emission display panels, e.g. field emission display panels
    • H01J2329/86—Vessels
    • H01J2329/8625—Spacing members
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2329/00—Electron emission display panels, e.g. field emission display panels
    • H01J2329/86—Vessels
    • H01J2329/8625—Spacing members
    • H01J2329/863—Spacing members characterised by the form or structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2329/00—Electron emission display panels, e.g. field emission display panels
    • H01J2329/86—Vessels
    • H01J2329/8625—Spacing members
    • H01J2329/863—Spacing members characterised by the form or structure
    • H01J2329/8635—Spacing members characterised by the form or structure having a corrugated lateral surface

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an image display device which is improved in its voltage endurance and display quality with neither damage nor taint on its spacers and method for manufacturing spacer structures at low cost. <P>SOLUTION: A spacer structure 22 is formed between a first substrate 10 on which a fluorescent plane is formed and a second substrate 12 on which a plurality of sources of electron emission 18 are prepared. The spacer structure is opposed to both the first and the second substrates and has a platy grid with a plurality of through-holes for electron beams, each of which is opposed to the corresponding source of electron emission, and a plurality of spacers formed on at least one surface of the grid 24. Each spacer has a first stepped part having larger diameter and second stepped parts having smaller diameter piled alternatively from the grid to the end of the projection. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

この発明は、スペーサ構体を備えた平面表示装置等の画像表示装置、および画像表示装置に用いるスペーサ構体の製造方法に関する。   The present invention relates to an image display device such as a flat display device provided with a spacer structure, and a method for manufacturing a spacer structure used in the image display device.

近年、陰極線管（以下、ＣＲＴと称する）に代わる次世代の軽量、薄型の表示装置として様々な平面型の画像表示装置が注目されている。例えば、平面表示装置として機能するフィールド・エミッション・ディスプレイ（以下、ＦＥＤと称する）の一種として、表面伝導型電子放出装置（以下、ＳＥＤと称する）の開発が進められている。   2. Description of the Related Art In recent years, various flat-type image display devices have attracted attention as next-generation lightweight and thin display devices that replace cathode ray tubes (hereinafter referred to as CRTs). For example, a surface conduction electron-emitting device (hereinafter referred to as SED) is being developed as a type of field emission display (hereinafter referred to as FED) that functions as a flat display device.

このＳＥＤは、所定の間隔をおいて対向配置された前面基板および背面基板を備え、これらの基板は矩形状の側壁を介して周辺部を互いに接合することにより真空外囲器を構成している。前面基板の内面には３色の蛍光体層が形成され、背面基板の内面には、蛍光体を励起する電子源として、各画素に対応する多数の電子放出素子が配列されている。各電子放出素子は、電子放出部、この電子放出部に電圧を印加する一対の電極等で構成されている。   The SED includes a front substrate and a rear substrate that are arranged to face each other at a predetermined interval, and these substrates constitute a vacuum envelope by bonding peripheral portions to each other through rectangular side walls. . Three color phosphor layers are formed on the inner surface of the front substrate, and on the inner surface of the rear substrate, a large number of electron-emitting devices corresponding to each pixel are arranged as an electron source for exciting the phosphor. Each electron-emitting device includes an electron-emitting portion and a pair of electrodes that apply a voltage to the electron-emitting portion.

前記のようなＳＥＤにおいて、前面基板および背面基板間の空間、すなわち真空外囲器内は、高い真空度に維持されることが重要となる。真空度が低い場合、電子放出素子の寿命、ひいては、装置の寿命が低下してしまう。また、前面基板と背面基板間は真空であるため、前面基板、背面基板に対し大気圧が作用する。そこで、これらの基板に作用する大気圧荷重を支持し基板間の隙間を維持するため、両基板間には、多数の板状あるいは柱状のスペーサが配置されている。   In the SED as described above, it is important that the space between the front substrate and the rear substrate, that is, the inside of the vacuum envelope is maintained at a high degree of vacuum. When the degree of vacuum is low, the lifetime of the electron-emitting device, and hence the lifetime of the device, is reduced. Moreover, since the space between the front substrate and the rear substrate is a vacuum, atmospheric pressure acts on the front substrate and the rear substrate. Therefore, in order to support an atmospheric pressure load acting on these substrates and maintain a gap between the substrates, a large number of plate-like or columnar spacers are arranged between the two substrates.

スペーサを前面基板および背面基板の全面に渡って配置するためには、前面基板の蛍光体、背面基板の電子放出素子に接触しないように、極めて薄い板状、あるいは極めて細い柱状のスペーサが必要となる。また、これらのスペーサは、電子放出素子の極めて近くに設置せざるを得ないため、スペーサとして絶縁体材料を使用しなければならない。同時に、前面基板および背面基板の薄板化を検討した場合、一層多くのスペーサが必要となり、更に製造が困難となる。   In order to arrange the spacer over the entire surface of the front substrate and the rear substrate, an extremely thin plate-like spacer or a very thin columnar spacer is required so as not to contact the phosphor of the front substrate and the electron-emitting device of the rear substrate. Become. In addition, since these spacers must be installed very close to the electron-emitting device, an insulator material must be used as the spacer. At the same time, when the thinning of the front substrate and the rear substrate is studied, more spacers are required and the manufacturing becomes more difficult.

このようなスペーサの製造方法として、酸や塩基に可溶な材質のスペーサ成形型にガラスペーストを充填し硬化した後、成形型を溶解する方法が提案されている（例えば、特許文献１）
米国特許明細書第５，７０４，８２０号 As a method for producing such a spacer, a method has been proposed in which a glass mold is filled and cured in a spacer mold made of an acid or base, and then the mold is dissolved (for example, Patent Document 1).
U.S. Pat. No. 5,704,820

しかしながら、前記のような製造方法において、スペーサ成形型はスペーサの成形後に溶解され、いわゆる使い捨ての成形型であるため、スペーサの製造コスト上昇が避けられない。また、スペーサは真空環境で使用する部品であるため、スペーサ成形型の溶解過程におけるスペーサへのダメージや汚染が大きな問題となる。   However, in the manufacturing method as described above, since the spacer mold is melted after the spacer is molded and is a so-called disposable mold, an increase in the manufacturing cost of the spacer is inevitable. In addition, since the spacer is a component used in a vacuum environment, damage and contamination to the spacer during the melting process of the spacer mold become a serious problem.

また、前面基板と背面基板との間の空間が狭い場合、蛍光面で発生した２次電子および反射電子が、基板間に配設されたスペーサに衝突し、スペーサが帯電する。この場合、電子放出素子から放出された電子ビームはスペーサに引き付けられ、本来の軌道からずれてしまう。その結果、蛍光体層に対して電子ビームのミスランディングが発生し、表示画像の色純度が劣化するという問題がある。また、スペーサ表面で放電が発生し、表示装置全体の耐電圧性が低下するという問題もある。   In addition, when the space between the front substrate and the rear substrate is narrow, secondary electrons and reflected electrons generated on the phosphor screen collide with the spacer disposed between the substrates, and the spacer is charged. In this case, the electron beam emitted from the electron-emitting device is attracted to the spacer and deviates from the original trajectory. As a result, there is a problem that electron beam mislanding occurs in the phosphor layer and the color purity of the display image is deteriorated. In addition, there is a problem that discharge occurs on the spacer surface and the voltage resistance of the entire display device is lowered.

この発明は、以上の点に鑑みなされたもので、その目的は、スペーサのダメージや汚染を生じるこがなく、耐電圧特性および表示品位の向上した画像表示装置、およびこの画像表示装置に用いるスペーサ構体を安価に製造することが可能なスペーサ構体の製造方法を提供することにある。   The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide an image display device having improved withstand voltage characteristics and display quality without causing damage or contamination of the spacer, and a spacer used in the image display device. An object of the present invention is to provide a spacer structure manufacturing method capable of manufacturing a structure at low cost.

上記目的を達成するため、この発明の態様に係る画像表示装置は、画像表示面が形成された第１基板と、前記第１基板と所定の隙間を置いて対向配置されているとともに前記画像表示面を励起する複数の電子放出源が設けられた第２基板と、前記第１および第２基板の間に設けられ前記第１および第２基板に作用する大気圧荷重を支持するスペーサ構体とを備え、
前記スペーサ構体は、前記第１および第２基板に対向しているとともに、それぞれ前記電子放出源に対向した複数の電子ビーム通過孔を有した板状のグリッドと、前記グリッドの少なくとも一方の表面上に立設された複数のスペーサと、を有し、前記スペーサは、前記グリッドから延出端に向かって交互に積層された大径の第１段部および第１段部よりも径の小さな第２段部を有している。 In order to achieve the above object, an image display device according to an aspect of the present invention includes a first substrate on which an image display surface is formed, a first substrate, and a predetermined gap between the first substrate and the image display. A second substrate provided with a plurality of electron emission sources for exciting the surface, and a spacer structure provided between the first and second substrates for supporting an atmospheric pressure load acting on the first and second substrates. Prepared,
The spacer structure is opposed to the first and second substrates, and has a plate-like grid having a plurality of electron beam passage holes opposed to the electron emission sources, and on at least one surface of the grid A plurality of spacers erected on the grid, wherein the spacers are alternately stacked from the grid toward the extending end and have a large diameter first step portion and a first step portion having a smaller diameter than the first step portion. It has two steps.

この発明の他の態様に係る画像表示装置の製造方法は、複数のビーム通過孔を有した板状のグリッドと、前記グリッドの表面上に立設されているとともに、それぞれ前記グリッドから延出端に向かって交互に積層された大径の第１段部および第１段部よりも径の小さな第２段部を有した複数のスペーサと、を備え、画像表示装置に用いられるスペーサ構体の製造方法において、
複数のビーム通過孔が形成された板状のグリッドを用意し、
複数のスペーサ形成孔と、各スペーサ形成孔の周囲に位置し前記スペーサに対応した第１および第２段部を有したスペーサ形成孔を規定しているとともに弾性変形可能な紫外線透過材料で形成された複数の孔形成部と、を備えた成形型を用意し、
前記成形型の各スペーサ形成孔に紫外線硬化性を有したスペーサ形成材料を充填し、
前記スペーサ形成材料が充填された成形型を前記グリッドの表面に密着させて成形型およびグリッドからなる組立体を形成し、
前記組立体の成形型を通して前記スペーサ形成材料に紫外線を照射し、前記スペーサ形成材料を硬化させ、
前記孔形成部を弾性変形させながら前記成形型を前記グリッドから離型し、前記硬化したスペーサ形成材料をグリッド上に設置することを特徴としている。 An image display device manufacturing method according to another aspect of the present invention includes a plate-like grid having a plurality of beam passage holes, and standing on the surface of the grid, each extending from the grid. A large-diameter first step portion and a plurality of spacers having a second step portion having a smaller diameter than the first step portion, and a spacer structure for use in an image display device. In the method
Prepare a plate-like grid with multiple beam passage holes,
A plurality of spacer forming holes and a spacer forming hole having a first step and a second step portion corresponding to the spacer are defined around each spacer forming hole and are formed of an ultraviolet-transparent material that is elastically deformable. A plurality of hole forming portions, and a mold having
Filling each spacer forming hole of the mold with an ultraviolet curable spacer forming material,
A molding die filled with the spacer forming material is brought into close contact with the surface of the grid to form an assembly comprising the molding die and the grid;
Irradiating the spacer forming material with ultraviolet rays through the mold of the assembly, curing the spacer forming material,
The mold is released from the grid while elastically deforming the hole forming portion, and the hardened spacer forming material is placed on the grid.

前記のように構成された画像表示装置によれば、スペーサ表面に対する反射電子、２次電子の衝突を抑制し、スペーサの帯電に起因する耐放電電圧の低下および電子ビーム軌道の偏移を抑制することができる。これにより、耐電圧特性および表示品位の向上した画像表示装置が得られる。また、上記構成の製造方法によれば、第１および第２段差部を有し表面が凹凸のスペーサを形成する場合においても、孔形成部の弾性変形により成形型を容易に離型することができ、成形型を溶解する必要がない。そのため、スペーサのダメージや汚染を生じるこがなく、画像表示装置に用いるスペーサ構体を安価に製造することが可能となる。   According to the image display device configured as described above, collision of reflected electrons and secondary electrons with the spacer surface is suppressed, and a decrease in discharge withstand voltage and deviation of the electron beam trajectory due to the charging of the spacer are suppressed. be able to. As a result, an image display device with improved withstand voltage characteristics and display quality can be obtained. Further, according to the manufacturing method having the above-described configuration, even when the first and second stepped portions are formed and the surface is uneven, the mold can be easily released by elastic deformation of the hole forming portion. And there is no need to dissolve the mold. Therefore, the spacer is not damaged or contaminated, and the spacer structure used in the image display apparatus can be manufactured at low cost.

以下図面を参照しながら、この発明を、平面型の画像表示装置としてＦＥＤの一種である表面伝導型電子放出装置（以下、ＳＥＤと称する）に適用した第１の実施形態について詳細に説明する。
図１ないし図３に示すように、ＳＥＤは、それぞれ矩形状のガラス板からなる第１基板１０および第２基板１２を備え、これらの基板は約１．０〜２．０ｍｍの隙間をおいて対向配置されている。第１基板１０および第２基板１２は、ガラスからなる矩形枠状の側壁１４を介して周縁部同士が接合され、内部が真空に維持された扁平な真空外囲器１５を構成している。接合部材として機能する側壁１４は、例えば、低融点ガラス、低融点金属等の封着材２０により、第１基板１０の周縁部および第２基板１２の周縁部に封着され、これらの基板同士を接合している。 Hereinafter, a first embodiment in which the present invention is applied to a surface conduction electron-emitting device (hereinafter referred to as SED), which is a kind of FED, as a flat-type image display device will be described in detail with reference to the drawings.
As shown in FIGS. 1 to 3, the SED includes a first substrate 10 and a second substrate 12 each made of a rectangular glass plate, and these substrates have a gap of about 1.0 to 2.0 mm. Opposed. The 1st board | substrate 10 and the 2nd board | substrate 12 comprise the flat vacuum envelope 15 by which the peripheral parts were joined through the rectangular-frame-shaped side wall 14 which consists of glass, and the inside was maintained at the vacuum. The side wall 14 functioning as a bonding member is sealed to the peripheral edge of the first substrate 10 and the peripheral edge of the second substrate 12 by, for example, a sealing material 20 such as low-melting glass or low-melting metal. Are joined.

第１基板１０の内面には画像表示面として機能する蛍光体スクリーン１６が形成されている。この蛍光体スクリーン１６は、赤、緑、青に発光する蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂ、および遮光層１１を並べて構成され、これらの蛍光体層はストライプ状、ドット状、あるいは矩形状に形成されている。蛍光体スクリーン１６上には、アルミニウム等からなるメタルバック１７およびゲッタ膜１９が順に形成されている。   A phosphor screen 16 that functions as an image display surface is formed on the inner surface of the first substrate 10. The phosphor screen 16 is configured by arranging phosphor layers R, G, and B that emit red, green, and blue, and a light shielding layer 11, and these phosphor layers are formed in a stripe shape, a dot shape, or a rectangular shape. Has been. On the phosphor screen 16, a metal back 17 and a getter film 19 made of aluminum or the like are sequentially formed.

第２基板１２の内面には、蛍光体スクリーン１６の蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂを励起する電子源として、それぞれ電子ビームを放出する多数の表面伝導型の電子放出素子１８が設けられている。これらの電子放出素子１８は、画素毎に対応して複数列および複数行に配列されている。各電子放出素子１８は、図示しない電子放出部、この電子放出部に電圧を印加する一対の素子電極等で構成されている。第２基板１２の内面上には、電子放出素子１８に電位を供給する多数本の配線２１がマトリック状に設けられ、その端部は真空外囲器１５の外部に引出されている。   On the inner surface of the second substrate 12, a number of surface conduction electron-emitting elements 18 that emit electron beams are provided as electron sources for exciting the phosphor layers R, G, and B of the phosphor screen 16. . These electron-emitting devices 18 are arranged in a plurality of columns and a plurality of rows corresponding to each pixel. Each electron-emitting device 18 includes an electron emitting portion (not shown) and a pair of device electrodes for applying a voltage to the electron emitting portion. On the inner surface of the second substrate 12, a large number of wirings 21 for supplying a potential to the electron-emitting devices 18 are provided in a matrix shape, and end portions thereof are drawn out of the vacuum envelope 15.

第１基板１０および第２基板１２の間にはスペーサ構体２２が配設されている。スペーサ構体２２は、矩形状の金属板からなるグリッド２４と、グリッドの両面に一体的に立設された多数の柱状のスペーサと、を備えている。
詳細に述べると、図２ないし図５に示すように、グリッド２４は第１基板１０の内面と対向した第１表面２４ａおよび第２基板１２の内面と対向した第２表面２４ｂを有し、これらの基板と平行に配置されている。グリッド２４には、エッチング等により多数の電子ビーム通過孔２６が形成されている。電子ビーム通過孔２６は、それぞれ電子放出素子１８と対向して配列され、電子放出素子から放出された電子ビームを透過する。 A spacer structure 22 is disposed between the first substrate 10 and the second substrate 12. The spacer structure 22 includes a grid 24 made of a rectangular metal plate, and a large number of columnar spacers standing integrally on both sides of the grid.
Specifically, as shown in FIGS. 2 to 5, the grid 24 has a first surface 24 a facing the inner surface of the first substrate 10 and a second surface 24 b facing the inner surface of the second substrate 12. It is arranged in parallel with the substrate. A large number of electron beam passage holes 26 are formed in the grid 24 by etching or the like. The electron beam passage apertures 26 are respectively arranged to face the electron emission elements 18 and transmit the electron beams emitted from the electron emission elements.

グリッド２４は、例えば鉄−ニッケル系の金属板により厚さ０．１〜０．３ｍｍに形成されている。グリッド２４の表面は、金属板を構成する元素からなる酸化膜、例えば、Ｆｅ３Ｏ４、ＮｉＦｅ２Ｏ４からなる酸化膜によって被覆されている。また、グリッド２４の表面２４ａ、２４ｂ、並びに、各電子ビーム通過孔２６の壁面は、放電電流制限効果を有する高抵抗膜により被覆されている。この高抵抗膜は、ガラスを主成分とする高抵抗物質で形成されている。 The grid 24 is formed with a thickness of 0.1 to 0.3 mm using, for example, an iron-nickel metal plate. The surface of the grid 24 is covered with an oxide film made of an element constituting a metal plate, for example, an oxide film made of Fe 3 O 4 or NiFe 2 O 4 . The surfaces 24a and 24b of the grid 24 and the wall surfaces of the electron beam passage holes 26 are covered with a high resistance film having a discharge current limiting effect. This high resistance film is made of a high resistance material mainly composed of glass.

グリッド２４の第１表面２４ａ上には、第１スペーサ３０ａが一体的に立設され、隣合う電子ビーム通過孔２６間に位置している。第１スペーサ３０ａの先端は、ゲッタ膜１９、メタルバック１７、および蛍光体スクリーン１６の遮光層１１を介して第１基板１０の内面に当接している。グリッド２４の第２表面２４ｂ上には、第２スペーサ３０ｂが一体的に立設され、隣合う電子ビーム通過孔２６間に位置している。第２スペーサ３０ｂの先端は第２基板１２の内面に当接している。ここで、各第２スペーサ３０ｂの先端は、第２基板１２の内面上に設けられた配線２１上に位置している。各第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂは互いに整列して位置し、グリッド２４を両面から挟み込んだ状態でグリッド２４と一体に形成されている。   On the first surface 24 a of the grid 24, a first spacer 30 a is integrally provided and is positioned between adjacent electron beam passage holes 26. The tip of the first spacer 30 a is in contact with the inner surface of the first substrate 10 through the getter film 19, the metal back 17, and the light shielding layer 11 of the phosphor screen 16. On the second surface 24 b of the grid 24, a second spacer 30 b is integrally provided so as to be positioned between adjacent electron beam passage holes 26. The tip of the second spacer 30 b is in contact with the inner surface of the second substrate 12. Here, the tip of each second spacer 30 b is located on the wiring 21 provided on the inner surface of the second substrate 12. The first and second spacers 30a and 30b are aligned with each other, and are formed integrally with the grid 24 with the grid 24 sandwiched from both sides.

各第１スペーサ３０ａは、グリッド２４側から延出端に向かって径が小さくなった先細テーパ状に形成されている。各スペーサ３０ａは、グリッド２４から延出端に向かって交互に積層された大径の第１段部５０ａおよび第１段部５０ａよりも径の小さな第２段部５０ｂを有し、表面が凹凸のスペーサとして形成されている。ここでは、各第１スペーサ３０ａは、２つの第１段部５０ａと１つの第２段部とを有し３段に形成され、その高さは、例えば、０．７５ｍｍに形成されている。凸部となる第１段部５０ａはほぼ楕円状の横断面形状を有し、その径は、１．４ｍｍ×０．３５ｍｍに形成されている。凹部となる第２段部５０ｂはほぼ楕円状の横断面形状を有し、その径は、１．３５ｍｍ×０．３ｍｍに形成されている。第１および第２段部５０ａ、５０ｂの各高さは０．２５ｍｍに形成れている。第１スペーサ３０ａの径方向において、第２段部５０ｂに対する第１段部５０ａの最大突出量ｄ１は１００μｍ以下に形成されている。   Each first spacer 30a is formed in a tapered shape with a diameter decreasing from the grid 24 side toward the extending end. Each spacer 30a has a first step portion 50a having a large diameter and a second step portion 50b having a smaller diameter than the first step portion 50a, which are alternately stacked from the grid 24 toward the extending end, and the surface is uneven. It is formed as a spacer. Here, each 1st spacer 30a has two 1st step parts 50a and one 2nd step part, is formed in 3 steps | paragraphs, and the height is formed in 0.75 mm, for example. The first step portion 50a serving as a convex portion has a substantially elliptical cross-sectional shape, and its diameter is formed to be 1.4 mm × 0.35 mm. The second step portion 50b serving as a recess has a substantially elliptical cross-sectional shape, and the diameter thereof is 1.35 mm × 0.3 mm. Each height of the 1st and 2nd step part 50a, 50b is formed in 0.25 mm. In the radial direction of the first spacer 30a, the maximum protrusion amount d1 of the first step portion 50a with respect to the second step portion 50b is formed to be 100 μm or less.

各第２スペーサ３０ｂは、グリッド２４側から延出端に向かって径が小さくなった先細テーパ状に形成されている。各第２スペーサ３０ｂは、グリッド２４から延出端に向かって交互に積層された大径の第１段部５１ａおよび第１段部５１ａよりも径の小さな第２段部５１ｂを有し、表面が凹凸のスペーサとして形成されている。ここでは、各第２スペーサ３０ｂは、２つの第１段部５１ａと２つの第２段部５１ｂとを有し４段に形成され、その高さは、例えば、１．０ｍｍに形成されている。凸部となる第１段部５１ａはほぼ楕円状の横断面形状を有し、その径は、１．４ｍｍ×０．３５ｍｍに形成されている。凹部となる第２段部５０ｂはほぼ楕円状の横断面形状を有し、その径は、１．３５ｍｍ×０．３ｍｍに形成されている。第１および第２段部５１ａ、５１ｂの各高さは０．２５ｍｍに形成れている。第２スペーサ３０ａの径方向において、第２段部５１ｂに対する第１段部５１ａの最大突出量ｄ２は１００μｍ以下に形成されている。   Each second spacer 30b is formed in a tapered shape having a diameter that decreases from the grid 24 side toward the extending end. Each second spacer 30b has a first step portion 51a having a large diameter and a second step portion 51b having a smaller diameter than the first step portion 51a, which are alternately stacked from the grid 24 toward the extending end, Are formed as uneven spacers. Here, each second spacer 30b has two first step portions 51a and two second step portions 51b and is formed in four steps, and the height thereof is, for example, 1.0 mm. . The 1st step part 51a used as a convex part has a substantially elliptical cross-sectional shape, and the diameter is formed in 1.4 mm x 0.35 mm. The second step portion 50b serving as a recess has a substantially elliptical cross-sectional shape, and the diameter thereof is 1.35 mm × 0.3 mm. Each height of the 1st and 2nd step part 51a, 51b is formed in 0.25 mm. In the radial direction of the second spacer 30a, the maximum protrusion amount d2 of the first step portion 51a with respect to the second step portion 51b is formed to be 100 μm or less.

上記のように構成されたスペーサ構体２２は第１基板１０および第２基板１２間に配設されている。第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂは、第１基板１０および第２基板１２の内面に当接することにより、これらの基板に作用する大気圧荷重を支持し、基板間の間隔を所定値に維持している。   The spacer structure 22 configured as described above is disposed between the first substrate 10 and the second substrate 12. The first and second spacers 30a and 30b are in contact with the inner surfaces of the first substrate 10 and the second substrate 12, thereby supporting the atmospheric pressure load acting on these substrates and maintaining the distance between the substrates at a predetermined value. doing.

ＳＥＤは、グリッド２４および第１基板１０のメタルバック１７に電圧を印加する図示しない電圧供給部を備えている。この電圧供給部は、グリッド２４およびメタルバック１７にそれぞれ接続され、例えば、グリッド２４に１２ｋＶ、メタルバック１７に１０ｋＶの電圧を印加する。そして、ＳＥＤにおいて、画像を表示する場合、蛍光体スクリーン１６およびメタルバック１７にアノード電圧が印加され、電子放出素子１８から放出された電子ビームをアノード電圧により加速して蛍光体スクリーン１６へ衝突させる。これにより、蛍光体スクリーン１６の蛍光体層が励起されて発光し、画像を表示する。   The SED includes a voltage supply unit (not shown) that applies a voltage to the grid 24 and the metal back 17 of the first substrate 10. The voltage supply unit is connected to the grid 24 and the metal back 17, and applies a voltage of 12 kV to the grid 24 and 10 kV to the metal back 17, for example. When an image is displayed in the SED, an anode voltage is applied to the phosphor screen 16 and the metal back 17, and the electron beam emitted from the electron emitter 18 is accelerated by the anode voltage to collide with the phosphor screen 16. . As a result, the phosphor layer of the phosphor screen 16 is excited to emit light and display an image.

次に、以上のように構成されたＳＥＤの製造方法について説明する。始めに、スペーサ構体２２の製造方法について説明する。
図６に示すように、スペーサ構体２２を製造する場合、まず、所定寸法のグリッド２４、このグリッドとほぼ同一の寸法を有した矩形板状の上型３６ａおよび下型３６ｂを用意する。この場合、Ｆｅ−５０％Ｎｉからなる板厚０．１５ｍｍの金属板を脱脂、洗浄、乾燥した後、エッチングにより電子ビーム通過孔２６を形成しグリッド２４とする。また、グリッド２４の両表面をハーフエッチングすることにより、複数の凹所２７を形成する。その後、グリッド２４全体を酸化処理した後、電子ビーム通過孔２６の内面を含めグリッド表面に絶縁膜を形成する。更に、絶縁膜の上に、ガラスを主成分としたコート液を塗布し、乾燥した後、焼成することにより、高抵抗膜を形成する。 Next, the manufacturing method of SED comprised as mentioned above is demonstrated. First, a method for manufacturing the spacer structure 22 will be described.
As shown in FIG. 6, when manufacturing the spacer structure 22, first, a grid 24 having a predetermined size and a rectangular plate-like upper die 36 a and lower die 36 b having substantially the same dimensions as this grid are prepared. In this case, a metal plate having a thickness of 0.15 mm made of Fe-50% Ni is degreased, washed and dried, and then the electron beam passage hole 26 is formed by etching to form the grid 24. In addition, a plurality of recesses 27 are formed by half-etching both surfaces of the grid 24. Thereafter, after the entire grid 24 is oxidized, an insulating film is formed on the grid surface including the inner surface of the electron beam passage hole 26. Further, a coating solution containing glass as a main component is applied on the insulating film, dried, and baked to form a high resistance film.

上型３６ａは、第１スペーサ３０ａを成形するための多数のスペーサ形成孔４０ａを有している。同様に、下型３６ｂは、第２スペーサ３０ｂを成形するための多数のスペーサ形成孔４０ｂを有している。
ここで、上型３６ａおよび下型３６ｂの構成およびその製造方法について、上型３６ａを代表して詳しく説明する。 The upper die 36a has a large number of spacer forming holes 40a for forming the first spacer 30a. Similarly, the lower die 36b has a large number of spacer forming holes 40b for molding the second spacer 30b.
Here, the configuration of the upper mold 36a and the lower mold 36b and the manufacturing method thereof will be described in detail on behalf of the upper mold 36a.

図６に示すように、成形型としての上型３６ａは、ステンレス、ポリエチレンテレフタレート等により矩形板状に形成された型本体５２ａを備え、この型本体には、第１スペーサ３０ａに対応と対応した位置に多数の透孔５４ａが形成されている。各透孔５４ａは、スペーサ形成孔よりも大きな径に形成されている。各透孔５４ａには、弾性変形可能な紫外線透過材料として、例えば、シリコーンからなる孔形成部５６ａが設けられている。この孔形成部５６ｂに、第１スペーサ３０ａに対応した形状を有する有底のスペーサ形成孔４０ａが形成されている。これにより、スペーサ形成孔４０ａの周囲は、シリコーンによって囲まれている。なお、孔形成部に用いる弾性変形可能な紫外透過材料としては、シリコーンに限定されることなく、ポリカーボネイト、アクリル等を使用することもできる。   As shown in FIG. 6, the upper die 36a as a molding die includes a die main body 52a formed in a rectangular plate shape from stainless steel, polyethylene terephthalate or the like, and this die main body corresponds to the first spacer 30a. A number of through holes 54a are formed at the positions. Each through hole 54a is formed to have a larger diameter than the spacer formation hole. Each through-hole 54a is provided with a hole forming portion 56a made of, for example, silicone as an ultraviolet-transparent material that can be elastically deformed. A bottomed spacer forming hole 40a having a shape corresponding to the first spacer 30a is formed in the hole forming portion 56b. Thereby, the periphery of the spacer formation hole 40a is surrounded by silicone. The elastically deformable ultraviolet transmitting material used for the hole forming portion is not limited to silicone, and polycarbonate, acrylic, and the like can also be used.

このような上型３６ａを製造する場合、図７（ａ）に示すように、まず、多数のスペーサ形成孔が高い精度で形成されたマスタ雌型６０を用意する。このマスタ雌型６０は、複数枚、例えば、４枚の金属板を積層して構成され、これらの金属板には、レーザー、エッチング等により、第１スペーサ３０ａに対応した形状のスペーサ形成孔６１が高い精度で形成されている。続いて、図７（ａ）および７（ｂ）に示すように、マスタ雌型６０のスペーサ形成孔６１にシリコーン等の型形成材料を充填し、スペーサ形成孔に対応する多数の凸部６３を有したマスタ雄型６２を形成する。なお、マスタ雄型６２は切削により形成することもできる。   When manufacturing such an upper die 36a, as shown in FIG. 7A, first, a master female die 60 in which a large number of spacer forming holes are formed with high accuracy is prepared. The master female die 60 is configured by laminating a plurality of, for example, four metal plates. These metal plates are provided with spacer forming holes 61 having a shape corresponding to the first spacer 30a by laser, etching, or the like. Is formed with high accuracy. Subsequently, as shown in FIGS. 7A and 7B, the spacer forming hole 61 of the master female mold 60 is filled with a mold forming material such as silicone, and a large number of convex portions 63 corresponding to the spacer forming holes are formed. The master male mold 62 is formed. Note that the master male mold 62 can also be formed by cutting.

次に、図７（ｃ）に示すように、多数の透孔５４ａが形成された型本体５２ａを用意する。この型本体５２ａにマスタ雄型６２を装着し、マスタ雄型の各凸部６３が型本体の各透孔５４ａ内にほぼ同軸的に配置されるように位置合わせする。
この状態で、図７（ｄ）に示すように、型本体５２ａの各透孔５４ａに室温硬化型のシリコーンを充填する。シリコーンが硬化した後、マスタ雄型６２を離型する。これにより、図７（ｅ）に示すように、スペーサ形成孔４０ａを規定した孔形成部５６ａを一体に備えた上型３６ａが得られる。
一方、下型３６ｂについても、上型３６ａと同様に構成され、多数の透孔５４ｂが形成された型本体５２ｂ、シリコーンにより形成され各透孔に設けられた孔形成部５６ｂ、および孔形成部に形成され第２スペーサに対応した有底のスペーサ形成孔４０ｂを備えている。そして、下型３６ｂは上記上型３６ａと同様の方法で製造される。 Next, as shown in FIG. 7C, a mold body 52a having a large number of through holes 54a is prepared. The master male mold 62 is mounted on the mold body 52a, and the master male molds 63 are aligned so that the convex portions 63 of the master male are disposed substantially coaxially in the through holes 54a of the mold body.
In this state, as shown in FIG. 7D, each through hole 54a of the mold main body 52a is filled with room temperature-curable silicone. After the silicone is cured, the master male mold 62 is released. As a result, as shown in FIG. 7E, an upper mold 36a integrally provided with a hole forming portion 56a defining the spacer forming hole 40a is obtained.
On the other hand, the lower die 36b is configured in the same manner as the upper die 36a, and a die body 52b in which a large number of through holes 54b are formed, a hole forming portion 56b formed of silicone and provided in each through hole, and a hole forming portion And a bottomed spacer forming hole 40b corresponding to the second spacer. And the lower mold | type 36b is manufactured by the method similar to the said upper mold | type 36a.

上記のように構成された上型３６ａおよび下型３６ｂを用いてスペーサ構体を作成する場合、上型３６ａのスペーサ形成孔４０ａおよび下型２６ｂのスペーサ形成孔４０ｂにスペーサ形成材料４６を充填する。スペーサ形成材料４６としては、少なくとも紫外線硬化型のバインダ（有機成分）およびガラスフィラーを含有したガラスペーストを用いる。ガラスペーストの比重、粘度は適宜選択する。   When the spacer structure is formed using the upper mold 36a and the lower mold 36b configured as described above, the spacer forming material 46 is filled into the spacer forming hole 40a of the upper mold 36a and the spacer forming hole 40b of the lower mold 26b. As the spacer forming material 46, a glass paste containing at least an ultraviolet curable binder (organic component) and a glass filler is used. The specific gravity and viscosity of the glass paste are appropriately selected.

続いて、図８に示すように、スペーサ形成材料４６の充填されたスペーサ形成孔４０ａが電子ビーム通過孔２６間に位置するように、上型３６ａをグリッド２４に対して位置決めしグリッド２４の第１表面２４ａに密着させる。同様に、下型３６ｂを、各スペーサ形成孔４０ｂが電子ビーム通過孔２６間に位置するように位置決めし、グリッド２４の第２表面２４ｂに密着させる。これにより、グリッド２４、上型３６ａおよび下型３６ｂからなる組立体４２を構成する。組立体４２において、上型３６ａのスペーサ形成孔４０ａと下型３６ｂのスペーサ形成孔４０ｂとは、グリッド２４を挟んで対向して配列されている。   Subsequently, as shown in FIG. 8, the upper mold 36 a is positioned with respect to the grid 24 so that the spacer forming holes 40 a filled with the spacer forming material 46 are positioned between the electron beam passage holes 26. One surface 24a is closely attached. Similarly, the lower mold 36b is positioned so that each spacer forming hole 40b is positioned between the electron beam passage holes 26, and is brought into close contact with the second surface 24b of the grid 24. Thus, an assembly 42 including the grid 24, the upper mold 36a, and the lower mold 36b is configured. In the assembly 42, the spacer forming holes 40a of the upper mold 36a and the spacer forming holes 40b of the lower mold 36b are arranged to face each other with the grid 24 in between.

次いで、図８に示すように、充填されたスペーサ形成材料４６に対し、例えば、紫外線ランプ等を用いて上型３６ａおよび下型３６ｂの外面側から紫外線（ＵＶ）を照射し、スペーサ形成材料をＵＶ硬化させる。その際、スペーサ形成材料４６が充填されているスペーサ形成孔４０ａ、４０ｂの周囲は、紫外線透過材料としてのシリコーンで形成された孔形成部５６ａ、５６ｂによって囲まれている。そのため、紫外線は、スペーサ形成材料４６に直接、および孔形成部５６ａ、５６ｂを透過して照射される。従って、充填されたスペーサ形成材料４６をその内部まで確実に硬化させることができる。   Next, as shown in FIG. 8, the filled spacer forming material 46 is irradiated with ultraviolet rays (UV) from the outer surface side of the upper die 36a and the lower die 36b using, for example, an ultraviolet lamp, etc. UV cure. At that time, the periphery of the spacer forming holes 40a and 40b filled with the spacer forming material 46 is surrounded by hole forming portions 56a and 56b formed of silicone as an ultraviolet transmitting material. Therefore, the ultraviolet rays are applied to the spacer forming material 46 directly and through the hole forming portions 56a and 56b. Therefore, the filled spacer forming material 46 can be reliably cured to the inside.

その後、図９に示すように、硬化したスペーサ形成材料４６をグリッド２４上に残すように、上型３６ａおよび下型３６ｂをグリッド２４から離型する。ここで、硬化したスペーサ形成材料４６、つまり、第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂは、それぞれ第１段部および第２段部を有した凹凸状に形成されている。そして、スペーサ形成孔４０ａ、４０ｂを規定している孔形成部５６ａ、５６ｂは弾性変形可能なシリコーンによって形成されている。そのため、図１０に示すように、上型３６ａの離型時、孔形成部５６ａは硬化した第１スペーサ３０ａの凹凸に沿って弾性変形する。従って、第１スペーサ３０ａが凹凸に形成されている場合でも、これらの第１スペーサを損傷することなく、上型３６ａを容易に離型することができる。下型３６ｂについても同様に、形成された第２スペーサ３０ｂを損傷することなく容易に離型することができる。   Thereafter, as shown in FIG. 9, the upper mold 36 a and the lower mold 36 b are released from the grid 24 so that the cured spacer forming material 46 remains on the grid 24. Here, the cured spacer forming material 46, that is, the first and second spacers 30a and 30b are formed in an uneven shape having a first step portion and a second step portion, respectively. The hole forming portions 56a and 56b defining the spacer forming holes 40a and 40b are made of elastically deformable silicone. Therefore, as shown in FIG. 10, when the upper die 36a is released, the hole forming portion 56a is elastically deformed along the unevenness of the cured first spacer 30a. Therefore, even when the first spacers 30a are formed to be uneven, the upper mold 36a can be easily released without damaging these first spacers. Similarly, the lower mold 36b can be easily released without damaging the formed second spacer 30b.

次に、スペーサ形成材料４６が設けられたグリッド２４を加熱炉内で熱処理し、スペーサ形成材料内からバインダを飛ばした後、約５００〜５５０℃で３０分〜１時間、スペーサ形成材料を本焼成しガラス化する。これにより、グリッド２４上に第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂが作り込まれたスペーサ構体２２が得られる。   Next, after the grid 24 provided with the spacer forming material 46 is heat-treated in a heating furnace and the binder is blown out from the spacer forming material, the spacer forming material is finally fired at about 500 to 550 ° C. for 30 minutes to 1 hour. Then vitrify. Thereby, the spacer structure 22 in which the first and second spacers 30a and 30b are formed on the grid 24 is obtained.

一方、ＳＥＤの製造においては、予め、蛍光体スクリーン１６およびメタルバック１７の設けられた第１基板１０と、電子放出素子１８および配線２１が設けられているとともに側壁１４が接合された第２基板１２と、を用意しておく。   On the other hand, in the manufacture of the SED, the first substrate 10 provided with the phosphor screen 16 and the metal back 17 in advance, the second substrate on which the electron-emitting device 18 and the wiring 21 are provided and the side wall 14 is joined. 12 are prepared.

続いて、上記のようにして得られたスペーサ構体２２を第２基板１２上に位置決め配置する。この状態で、第１基板１０、第２基板１２、およびスペーサ構体２２を真空チャンバ内に配置し、真空チャンバ内を真空排気した後、側壁１４を介して第１基板を第２基板に接合する。これにより、スペーサ構体２２を備えたＳＥＤが製造される。   Subsequently, the spacer structure 22 obtained as described above is positioned on the second substrate 12. In this state, the first substrate 10, the second substrate 12, and the spacer structure 22 are arranged in the vacuum chamber, the inside of the vacuum chamber is evacuated, and then the first substrate is bonded to the second substrate via the side wall 14. . Thereby, SED provided with the spacer structure 22 is manufactured.

以上のように構成されたＳＥＤによれば、スペーサ構体を構成している第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂは、互いに径の異なる第１段部および第２段部をそれぞれ有し、表面が凹凸に形成されたスペーサを構成している。そのため、スペーサ表面に対する反射電子、２次電子の衝突を抑制し、スペーサの帯電に起因する耐放電電圧の低下および電子ビームの軌道ずれを抑制することができる。高さが同一で段部を持たないスペーサを備えたＳＥＤと本実施形態に係るＳＥＤと比較したところ、本実施形態に係るＳＥＤは、放電電圧が約２０％上昇した。また、本実施形態に係るＳＥＤは、電子ビームの軌道ずれが約３０％低減した。これにより、耐電圧特性および表示品位の向上した画像表示装置が得られる。   According to the SED configured as described above, the first and second spacers 30a and 30b constituting the spacer structure have the first step portion and the second step portion having different diameters, respectively, and the surface is the same. The spacer formed in the unevenness | corrugation is comprised. For this reason, collision of reflected electrons and secondary electrons against the spacer surface can be suppressed, and a decrease in discharge withstand voltage and an electron beam trajectory shift due to spacer charging can be suppressed. When comparing the SED having the same height and having no stepped portion with the SED according to the present embodiment, the discharge voltage of the SED according to the present embodiment increased by about 20%. Further, in the SED according to this embodiment, the orbit shift of the electron beam is reduced by about 30%. As a result, an image display device with improved withstand voltage characteristics and display quality can be obtained.

また、上述した製造方法によれば、第１および第２段差部を有し表面が凹凸のスペーサを形成する場合においても、孔形成部５６ａ、５６ｂの弾性変形により上型および下型を容易に離型することができ、成形型を溶解する必要がない。そのため、成形型の溶解に伴うスペーサのダメージや汚染を生じるこがなく、同時に、成形型を多数回、繰り返して使用することができる。以上のことから、画像表示装置に用いるスペーサ構体を安価に製造することができる。   In addition, according to the manufacturing method described above, even when the first and second stepped portions are formed and the spacers are formed with uneven surfaces, the upper die and the lower die can be easily formed by elastic deformation of the hole forming portions 56a and 56b. The mold can be released and there is no need to dissolve the mold. Therefore, the damage and contamination of the spacer accompanying the dissolution of the mold do not occur, and at the same time, the mold can be used repeatedly many times. From the above, the spacer structure used in the image display device can be manufactured at low cost.

前述した実施の形態において、スペーサ構体２２は、第１および第２スペーサおよびグリッドを一体的に備えた構成としたが、第２スペーサは第２基板１２上に形成する構成としてもよい。また、スペーサ構体は、グリッドおよび第２スペーサのみを備え、グリッドが第１基板に接触した構成としてもよい。   In the above-described embodiment, the spacer structure 22 is configured to integrally include the first and second spacers and the grid. However, the second spacer may be formed on the second substrate 12. Further, the spacer structure may include only the grid and the second spacer, and the grid may be in contact with the first substrate.

図１１および図１２に示すように、この発明の第２の実施形態に係るＳＥＤによれば、スペーサ構体２２は、矩形状の金属板からなるグリッド２４と、グリッドの一方の表面のみに一体的に立設された多数の柱状のスペーサ３０と、を有している。グリッド２４は第１基板１０の内面と対向した第１表面２４ａおよび第２基板１２の内面と対向した第２表面２４ｂを有し、これらの基板と平行に配置されている。グリッド２４には、エッチング等により多数の電子ビーム通過孔２６が形成されている。電子ビーム通過孔２６は、それぞれ電子放出素子１８と対向して配列され、電子放出素子から放出された電子ビームを透過する。   As shown in FIGS. 11 and 12, according to the SED according to the second embodiment of the present invention, the spacer structure 22 is integrated with only a grid 24 made of a rectangular metal plate and only one surface of the grid. And a large number of columnar spacers 30 erected. The grid 24 has a first surface 24 a facing the inner surface of the first substrate 10 and a second surface 24 b facing the inner surface of the second substrate 12, and is arranged in parallel with these substrates. A large number of electron beam passage holes 26 are formed in the grid 24 by etching or the like. The electron beam passage apertures 26 are respectively arranged to face the electron emission elements 18 and transmit the electron beams emitted from the electron emission elements.

グリッド２４の第１および第２表面２４ａ、２４ｂ、各電子ビーム通過孔２６の内壁面は、絶縁層として、ガラス、セラミック等を主成分とした絶縁性物質、例えば、Ｌｉ系のアルカリホウ珪酸ガラスからなる厚さ約１０μｍの高抵抗膜４３により被覆されている。そして、グリッド２４は、その第１表面２４ａが、ゲッタ膜、メタルバック１７、蛍光体スクリーン１６を介して、第１基板１０の内面に面接触した状態で設けられている。グリッド２４に設けられた電子ビーム通過孔２６は、蛍光体スクリーン１６の蛍光体層Ｒ、Ｇ、Ｂ、および第２基板１２上の電子放出素子１８と対向している。これにより、各電子放出素子１８は、電子ビーム通過孔２６を通して、対応する蛍光体層と対向している。   The first and second surfaces 24a, 24b of the grid 24 and the inner wall surface of each electron beam passage hole 26 are insulating materials mainly composed of glass, ceramics, etc. as an insulating layer, for example, Li-based alkali borosilicate glass. And a high resistance film 43 having a thickness of about 10 μm. The grid 24 is provided with the first surface 24 a in surface contact with the inner surface of the first substrate 10 via the getter film, the metal back 17, and the phosphor screen 16. The electron beam passage holes 26 provided in the grid 24 are opposed to the phosphor layers R, G, B of the phosphor screen 16 and the electron emitting elements 18 on the second substrate 12. Thereby, each electron-emitting device 18 is opposed to the corresponding phosphor layer through the electron beam passage hole 26.

グリッド２４の第２表面２４ｂ上には複数のスペーサ３０が一体的に立設されている。各スペーサ３０の延出端は、第２基板１２の内面、ここでは、第２基板１２の内面上に設けられた配線２１上に当接している。スペーサ３０の各々は、グリッド２４側から延出端に向かって径が小さくなった先細テーパ状に形成されている。   A plurality of spacers 30 are integrally provided on the second surface 24 b of the grid 24. The extended end of each spacer 30 is in contact with the inner surface of the second substrate 12, here, the wiring 21 provided on the inner surface of the second substrate 12. Each of the spacers 30 is formed in a tapered shape with a diameter decreasing from the grid 24 side toward the extending end.

各スペーサ３０は、グリッド２４から延出端に向かって交互に積層された大径の第１段部５０ａおよび第１段部５０ａよりも径の小さな第２段部５０ｂを有し、表面が凹凸のスペーサとして形成されている。ここでは、各スペーサ３０は、２つの第１段部５０ａと２つの第２段部５０ｂとを有し４段に形成され、その高さは、例えば、１．４ｍｍに形成されている。凸部となる第１段部５０ａはほぼ楕円状の横断面形状を有し、その径は、１．４ｍｍ×０．３５ｍｍに形成されている。凹部となる第２段部５０ｂはほぼ楕円状の横断面形状を有し、その径は、１．３５ｍｍ×０．３ｍｍに形成されている。第１および第２段部５０ａ、５０ｂの各高さは０．３５ｍｍに形成れている。第２スペーサ３０ａの径方向において、第２段部５０ｂに対する第１段部５０ａの最大突出量は１００μｍ以下に形成されている。   Each spacer 30 has a first step portion 50a having a large diameter and a second step portion 50b having a smaller diameter than the first step portion 50a, which are alternately stacked from the grid 24 toward the extending end, and the surface is uneven. It is formed as a spacer. Here, each spacer 30 has two first step portions 50a and two second step portions 50b and is formed in four steps, and the height thereof is, for example, 1.4 mm. The first step portion 50a serving as a convex portion has a substantially elliptical cross-sectional shape, and its diameter is formed to be 1.4 mm × 0.35 mm. The second step portion 50b serving as a recess has a substantially elliptical cross-sectional shape, and the diameter thereof is 1.35 mm × 0.3 mm. Each height of the 1st and 2nd step part 50a, 50b is formed in 0.35 mm. In the radial direction of the second spacer 30a, the maximum protrusion amount of the first step portion 50a with respect to the second step portion 50b is formed to be 100 μm or less.

上記のように構成されたスペーサ構体２２は、グリッド２４が第１基板１０に面接触し、スペーサ３０の延出端が第２基板１２の内面に当接することにより、これらの基板に作用する大気圧荷重を支持し、基板間の間隔を所定値に維持している。   In the spacer structure 22 configured as described above, the grid 24 is in surface contact with the first substrate 10, and the extended end of the spacer 30 is in contact with the inner surface of the second substrate 12. The atmospheric pressure load is supported, and the distance between the substrates is maintained at a predetermined value.

第２の実施形態において、他の構成は前述した第１の実施形態と同一であり、同一の部分には同一の参照符号を付してその詳細な説明は省略する。第２の実施形態に係るＳＥＤおよびそのスペーサ構体２２は前述した第１の実施形態に係る製造方法と同様の製造方法によって製造することができる。そして、第２の実施形態においても、前述した第１の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。   In the second embodiment, other configurations are the same as those of the first embodiment described above, and the same reference numerals are given to the same portions, and detailed description thereof is omitted. The SED and its spacer structure 22 according to the second embodiment can be manufactured by a manufacturing method similar to the manufacturing method according to the first embodiment described above. In the second embodiment, the same operational effects as those of the first embodiment described above can be obtained.

上述した実施の形態では、スペーサ形成材料として紫外線硬化材料を用いたが、熱硬化型のスペーサ形成材料を用いることもできる。すなわち、スペーサ形成材料４６として、例えば、熱硬化型のバインダおよびガラスフィラーを含有したガラスペーストを用いることができる。   In the embodiment described above, an ultraviolet curable material is used as the spacer forming material, but a thermosetting spacer forming material can also be used. That is, as the spacer forming material 46, for example, a glass paste containing a thermosetting binder and a glass filler can be used.

この場合、前述した実施の形態と同様に、上型３６ａおよび下型３６ｂのスペーサ形成孔にスペーサ形成材料４６を充填した後、グリッド２４、上型３６ａおよび下型３６ｂを用いて組立体４２を構成する。続いて、組立体４２を加熱してスペーサ形成材料を加熱硬化させた後、グリッド２４から上型３６ａおよび下型３６ｂを分離する。   In this case, as in the above-described embodiment, after the spacer forming material 46 is filled in the spacer forming holes of the upper mold 36a and the lower mold 36b, the assembly 42 is formed using the grid 24, the upper mold 36a, and the lower mold 36b. Constitute. Subsequently, after the assembly 42 is heated to heat and cure the spacer forming material, the upper mold 36 a and the lower mold 36 b are separated from the grid 24.

次に、スペーサ形成材料４６が設置されているグリッド２４を加熱炉内で熱処理し、スペーサ形成材料内からバインダを飛ばした後、約５００〜５５０℃で３０分〜１時間、スペーサ形成材料を本焼成する。これにより、グリッド２４上に第１および第２スペーサ３０ａ、３０ｂが作り込まれたスペーサ構体２２が得られる。   Next, the grid 24 on which the spacer forming material 46 is installed is heat-treated in a heating furnace, the binder is blown from the spacer forming material, and the spacer forming material is then used at about 500 to 550 ° C. for 30 minutes to 1 hour. Bake. Thereby, the spacer structure 22 in which the first and second spacers 30a and 30b are formed on the grid 24 is obtained.

この方式の場合、スペーサ形成材料４６を加熱硬化する際、グリッド２４、上型３６ａ、下型３６ｂの温度分布、熱膨張率の差から、グリッド表面と上型および下方表面との界面において面方向の位置ずれが生じ易い。しかしながら、本実施の形態によれば、上型３６ａおよび下型３６ｂにおいて、スペーサ形成孔４０ａ、４０ｂの周囲に設けられた孔形成部５６ａ、５６ｂは、弾性材料としてのシリコーンにより形成されている。そのため、グリッドと成形型との間で面方向の位置ずれが生じた場合でも、孔形成部５６ａ、５６ｂが弾性変形することにより、加熱硬化されたスペーサ形成材料４６に作用する負荷を吸収することができる。従って、スペーサ形成材料の加熱硬化を行う際、急加熱および急冷却が可能となり、製造効率の向上を図ることができる。   In the case of this method, when the spacer forming material 46 is heat-cured, the surface direction at the interface between the grid surface, the upper die, and the lower surface is determined from the difference in temperature distribution and thermal expansion coefficient between the grid 24, the upper die 36a, and the lower die 36b. Are likely to be displaced. However, according to the present embodiment, in the upper mold 36a and the lower mold 36b, the hole forming portions 56a and 56b provided around the spacer forming holes 40a and 40b are formed of silicone as an elastic material. Therefore, even when a positional deviation in the plane direction occurs between the grid and the mold, the hole forming portions 56a and 56b are elastically deformed to absorb a load acting on the heat-cured spacer forming material 46. Can do. Accordingly, when the spacer forming material is heat-cured, rapid heating and rapid cooling are possible, and the production efficiency can be improved.

本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。   The present invention is not limited to the above-described embodiments as they are, and can be embodied by modifying the constituent elements without departing from the scope of the invention in the implementation stage. In addition, various inventions can be formed by appropriately combining a plurality of components disclosed in the embodiment. For example, some components may be deleted from all the components shown in the embodiment. Furthermore, constituent elements over different embodiments may be appropriately combined.

スペーサの径、高さ、段数、その他の構成要素の寸法、材質等は上述した実施の形態に限定されることなく、必要に応じて適宜選択可能である。この発明は、電子源として表面伝導型電子放出素子を用いたものに限らず、電界放出型、カーボンナノチューブ等の他の電子源を用いた画像表示装置にも適用可能である。
前述した第１の実施形態において、スペーサ構体の第１および第２スペーサはいずれも第１および第２段部を有した凹凸形状としたが、第１および第２スペーサのいずれか一方のみを凹凸形状としてもよい。また、スペーサにおける第１段部および第２段部の断面形状は楕円形に限らず他の形状としてもよく、更に、第１段部および第２段部は、互いに異なる断面形状に形成してもよい。 The diameter, height, number of steps of the spacer, dimensions, materials, and the like of other components are not limited to the above-described embodiments, and can be appropriately selected as necessary. The present invention is not limited to one using a surface conduction electron-emitting device as an electron source, but can also be applied to an image display apparatus using another electron source such as a field emission type or a carbon nanotube.
In the first embodiment described above, the first and second spacers of the spacer structure are both concavo-convex shapes having the first and second stepped portions, but only one of the first and second spacers is concavo-convex. It is good also as a shape. Further, the cross-sectional shape of the first step portion and the second step portion in the spacer is not limited to an ellipse, and may be other shapes, and the first step portion and the second step portion may be formed in different cross-sectional shapes. Also good.

この発明の第１の実施の形態に係るＳＥＤを示す斜視図。The perspective view which shows SED which concerns on 1st Embodiment of this invention. 図１の線Ａ−Ａに沿って破断した前記ＳＥＤの斜視図。The perspective view of said SED fractured | ruptured along line AA of FIG. 前記ＳＥＤを拡大して示す断面図。Sectional drawing which expands and shows the said SED. 前記スペーサ構体の一部を拡大して示す斜視図。The perspective view which expands and shows a part of said spacer structure. 図４の線Ｂ−Ｂに沿った断面図。Sectional drawing along line BB of FIG. 前記スペーサ構体の製造工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing process of the said spacer structure. 前記スペーサ構体の製造に用いる成形型の製造工程を示す断面図。Sectional drawing which shows the manufacturing process of the shaping | molding die used for manufacture of the said spacer structure. 成形型およびグリッドを密着させた組立体を示す断面図。Sectional drawing which shows the assembly which closely_contact | adhered the shaping | molding die and the grid. 前記成形型を離型した状態を示す断面図。Sectional drawing which shows the state which released the said shaping | molding die. 前記成形型の離型時における成形型およびスペーサを示す断面図。Sectional drawing which shows the shaping | molding die and spacer at the time of mold release of the said shaping | molding die. この発明の第２の実施の形態に係るＳＥＤを一部判断して示す斜視図。The perspective view which judges and shows SED which concerns on 2nd Embodiment of this invention. 前記第２の実施の形態に係るＳＥＤの断面図。Sectional drawing of SED which concerns on the said 2nd Embodiment.

符号の説明Explanation of symbols

１０…第１基板、 １２…第２基板、 １４…側壁、 １５…真空外囲器、
１６…蛍光体スクリーン、 １８…電子放出素子、 ２２…スペーサ構体、
２４…グリッド、 ２６…電子ビーム通過孔、 ３０ａ…第１スペーサ、
３０ｂ…第２スペーサ、 ３６ａ…上型、 ３６ｂ…下型、
４０ａ、４０ｂ…スペーサ形成孔、 ５６ａ、５６ｂ…孔形成部
５０ａ、５１ａ…第１段部、 ５０ｂ、５１ｂ…第２段部。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... 1st board | substrate, 12 ... 2nd board | substrate, 14 ... Side wall, 15 ... Vacuum envelope,
16 ... phosphor screen, 18 ... electron-emitting device, 22 ... spacer structure,
24 ... Grid, 26 ... Electron beam passage hole, 30a ... First spacer,
30b ... the second spacer, 36a ... the upper die, 36b ... the lower die,
40a, 40b ... spacer forming holes, 56a, 56b ... hole forming portions 50a, 51a ... first step portions, 50b, 51b ... second step portions.

Claims (9)

画像表示面が形成された第１基板と、
前記第１基板と所定の隙間を置いて対向配置されているとともに前記画像表示面を励起する複数の電子放出源が設けられた第２基板と、
前記第１および第２基板の間に設けられ前記第１および第２基板に作用する大気圧荷重を支持するスペーサ構体とを備え、
前記スペーサ構体は、前記第１および第２基板に対向しているとともに、それぞれ前記電子放出源に対向した複数の電子ビーム通過孔を有した板状のグリッドと、前記グリッドの少なくとも一方の表面上に立設された複数のスペーサと、を有し、前記スペーサは、前記グリッドから延出端に向かって交互に積層された大径の第１段部および第１段部よりも径の小さな第２段部を有している画像表示装置。 A first substrate on which an image display surface is formed;
A second substrate disposed opposite to the first substrate with a predetermined gap and provided with a plurality of electron emission sources for exciting the image display surface;
A spacer structure provided between the first and second substrates and supporting an atmospheric pressure load acting on the first and second substrates;
The spacer structure is opposed to the first and second substrates, and has a plate-like grid having a plurality of electron beam passage holes opposed to the electron emission sources, and on at least one surface of the grid A plurality of spacers erected on the grid, wherein the spacers are alternately stacked from the grid toward the extending end and have a large diameter first step portion and a first step portion having a smaller diameter than the first step portion. An image display device having two steps. 前記グリッドは、前記第１基板に対向した第１表面と、前記第２基板に対向した第２表面と、を有し、前記スペーサは、前記第１表面上に立設された複数の第１スペーサと、前記第２表面上に立設された複数の第２スペーサと、を含み、前記第１および第２スペーサの少なくとも一方は、前記第１および第２段部を備えている請求項１に記載の画像表示装置。   The grid has a first surface facing the first substrate and a second surface facing the second substrate, and the spacer is a plurality of first surfaces erected on the first surface. 2. A spacer and a plurality of second spacers erected on the second surface, wherein at least one of the first and second spacers includes the first and second step portions. The image display device described in 1. 前記グリッドは、前記第１基板に当接した第１表面と、前記第２基板に対向した第２表面とを有し、前記スペーサは、前記第２表面上に立設されている請求項１に記載の画像表示装置。   2. The grid has a first surface in contact with the first substrate and a second surface facing the second substrate, and the spacer is erected on the second surface. The image display device described in 1. 前記スペーサの径方向において、前記第１段部に対する第２段部の最大突出量は１００μｍ以下に形成されている請求項１又は２に記載の画像表示装置。   3. The image display device according to claim 1, wherein a maximum protrusion amount of the second step portion with respect to the first step portion is 100 μm or less in a radial direction of the spacer. 複数のビーム通過孔を有した板状のグリッドと、前記グリッドの表面上に立設されているとともに、それぞれ前記グリッドから延出端に向かって交互に積層された大径の第１段部および第１段部よりも径の小さな第２段部を有した複数のスペーサと、を備え、画像表示装置に用いられるスペーサ構体の製造方法において、
複数のビーム通過孔が形成された板状のグリッドを用意し、
複数のスペーサ形成孔と、各スペーサ形成孔の周囲に位置し前記スペーサに対応した第１および第２段部を有したスペーサ形成孔を規定しているとともに弾性変形可能な紫外線透過材料で形成された複数の孔形成部と、を備えた成形型を用意し、
前記成形型の各スペーサ形成孔に紫外線硬化性を有したスペーサ形成材料を充填し、
前記スペーサ形成材料が充填された成形型を前記グリッドの表面に密着させて成形型およびグリッドからなる組立体を形成し、
前記組立体の成形型を通して前記スペーサ形成材料に紫外線を照射し、前記スペーサ形成材料を硬化させ、
前記孔形成部を弾性変形させながら前記成形型を前記グリッドから離型し、前記硬化したスペーサ形成材料をグリッド上に設置することを特徴とするスペーサ構体の製造方法。 A plate-shaped grid having a plurality of beam passage holes, and a large-diameter first step portion standing on the surface of the grid and alternately stacked from the grid toward the extending end; A plurality of spacers having a second step portion having a smaller diameter than the first step portion, and a method for manufacturing a spacer structure used in an image display device,
Prepare a plate-like grid with multiple beam passage holes,
A plurality of spacer forming holes and a spacer forming hole having a first step and a second step portion corresponding to the spacer are defined around each spacer forming hole and are formed of an ultraviolet-transparent material that is elastically deformable. A plurality of hole forming portions, and a mold having
Filling each spacer forming hole of the mold with an ultraviolet curable spacer forming material,
A molding die filled with the spacer forming material is brought into close contact with the surface of the grid to form an assembly comprising the molding die and the grid;
Irradiating the spacer forming material with ultraviolet rays through the mold of the assembly, curing the spacer forming material,
A manufacturing method of a spacer structure, wherein the mold is released from the grid while elastically deforming the hole forming portion, and the cured spacer forming material is placed on the grid. 前記スペーサ形成材料として、少なくとも紫外線硬化型のバインダおよびガラスフィラーを含有したガラスペーストを用いることを特徴とする請求項５に記載のスペーサ構体の製造方法。   6. The method of manufacturing a spacer structure according to claim 5, wherein a glass paste containing at least an ultraviolet curable binder and a glass filler is used as the spacer forming material. 複数のビーム通過孔を有した板状のグリッドと、前記グリッドの表面上に立設されているとともに、それぞれ前記グリッドから延出端に向かって交互に積層された大径の第１段部および第１段部よりも径の小さな第２段部を有した複数のスペーサと、を備え、画像表示装置に用いられるスペーサ構体の製造方法において、
複数のビーム通過孔が形成された板状のグリッドを用意し、
複数のスペーサ形成孔と、各スペーサ形成孔の周囲に位置し前記スペーサに対応した第１および第２段部を有したスペーサ形成孔を規定しているとともに弾性変形可能な材料で形成された複数の孔形成部と、を備えた成形型を用意し、
前記成形型の各スペーサ形成孔に熱硬化性を有したスペーサ形成材料を充填し、
前記スペーサ形成材料が充填された成形型を前記グリッドの表面に密着させて成形型およびグリッドからなる組立体を形成し、
前記充填されたスペーサ形成材料を加熱して硬化させ、
前記孔形成部を弾性変形させながら前記成形型を前記グリッドから離型し、前記硬化したスペーサ形成材料をグリッド上に設置することを特徴とするスペーサ構体の製造方法。 A plate-shaped grid having a plurality of beam passage holes, and a large-diameter first step portion standing on the surface of the grid and alternately stacked from the grid toward the extending end; A plurality of spacers having a second step portion having a smaller diameter than the first step portion, and a method for manufacturing a spacer structure used in an image display device,
Prepare a plate-like grid with multiple beam passage holes,
A plurality of spacer forming holes and a plurality of spacer forming holes which are located around each spacer forming hole and have first and second step portions corresponding to the spacers and which are formed of an elastically deformable material A mold having a hole forming part, and
Filling each spacer forming hole of the mold with a spacer forming material having thermosetting property,
A molding die filled with the spacer forming material is brought into close contact with the surface of the grid to form an assembly comprising the molding die and the grid;
Heating and curing the filled spacer forming material;
A manufacturing method of a spacer structure, wherein the mold is released from the grid while elastically deforming the hole forming portion, and the cured spacer forming material is placed on the grid. 前記成形型を離型した後、前記スペーサ形成材料を焼成することを特徴とする請求項５ないし７のいずれか１項に記載のスペーサ構体の製造方法。   The method for manufacturing a spacer structure according to any one of claims 5 to 7, wherein after the mold is released, the spacer forming material is baked. 前記グリッドとして、表面に酸化膜が形成された金属板を用いることを特徴とする請求項５ないし８のいずれか１項に記載のスペーサ構体の製造方法。   The method of manufacturing a spacer structure according to any one of claims 5 to 8, wherein a metal plate having an oxide film formed on a surface thereof is used as the grid.
JP2003333949A 2003-09-25 2003-09-25 Image display device, and method for manufacturing spacer structure Pending JP2005100843A (en)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003333949A JP2005100843A (en) 2003-09-25 2003-09-25 Image display device, and method for manufacturing spacer structure
PCT/JP2004/013546 WO2005031786A1 (en) 2003-09-25 2004-09-16 Image display and spacer structural body producing method
TW93128740A TWI246102B (en) 2003-09-25 2004-09-22 Image display and spacer structural body producing method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003333949A JP2005100843A (en) 2003-09-25 2003-09-25 Image display device, and method for manufacturing spacer structure

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005100843A true JP2005100843A (en) 2005-04-14

Family

ID=34386009

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2003333949A Pending JP2005100843A (en) 2003-09-25 2003-09-25 Image display device, and method for manufacturing spacer structure

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2005100843A (en)
TW (1) TWI246102B (en)
WO (1) WO2005031786A1 (en)

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000311607A (en) * 1999-02-25 2000-11-07 Canon Inc Manufacture of spacer for electron beam device, the spacer, and the electron beam device using the spacer
JP2001266775A (en) * 2000-03-22 2001-09-28 Nippon Sheet Glass Co Ltd Spacer for electron beam excitation display and its production
JP2003031125A (en) * 2001-07-17 2003-01-31 Toshiba Corp Manufacturing method of spacer assembly used for plane display device
JP2003217479A (en) * 2002-01-25 2003-07-31 Canon Inc Electron beam device

Also Published As

Publication number Publication date
TWI246102B (en) 2005-12-21
TW200514113A (en) 2005-04-16
WO2005031786A1 (en) 2005-04-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2004265781A (en) Flat display device
JP2005100843A (en) Image display device, and method for manufacturing spacer structure
JP2005197048A (en) Image display device and its manufacturing method
WO2006035713A1 (en) Image display
WO2005081282A1 (en) Image display and method for manufacturing same
JP2005071705A (en) Image display device
JP2005174627A (en) Picture display device
WO2006019033A1 (en) Method for manufacturing image display and image display
JP2004349008A (en) Image display device
JP2005228675A (en) Image display device and its manufacturing method
WO2005093778A1 (en) Image display and method for manufacturing same
JP2006073274A (en) Image display device
WO2006025454A1 (en) Image display device
JP2005228657A (en) Image display device
JP2006054136A (en) Image display device
JP2005093323A (en) Image display device
JP2005222715A (en) Image display device
JP2006093034A (en) Spacer unit and image display device equipped with the same
JP2005302574A (en) Image display device
JP2006032160A (en) Picture display device
JP2005141987A (en) Reference mold of spacer structure and manufacturing method of this reference mold
JP2006054137A (en) Image display device
JP2006054138A (en) Image display device
JP2006086032A (en) Image display device
JP2006054139A (en) Spacer structure and image display device equipped with the same