JP2005166909A - パッケージ及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 実装基板11と、貫通配線14と、この実装基板11の一方の面上に実装される1個以上のデバイス16をそなえるパッケージにおいて、前記実装基板11の前記デバイス16が実装された面上に、薄肉化処理用の支持板18を、この実装基板と固着させて設け、かつ、この実装基板11を裏面から研削処理などにより薄肉化した。
【選択図】図1
Description
「MES2002 第12回マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集」,社団法人エレクトロニクス実装学会,p.259−278
14 貫通配線
16a、16b、16c チップ
18 支持板
Claims (8)
- 実装基板と、この実装基板の一方の面から他方の面まで基板を貫通して形成された貫通配線と、この実装基板の一方の面上に実装され、この貫通配線を介してこの実装基板の他方の面へ電気的に接続可能になる1個以上のデバイスとをそなえるパッケージにおいて、
前記実装基板の前記デバイスが実装された面上に、薄肉化処理用の支持板を、この実装基板と固着させて設け、かつ、この実装基板を薄肉化したことを特徴とするパッケージ。 - 前記支持板は、前記実装基板上に実装されるデバイスに対応する凹部を有することを特徴とする請求項1記載のパッケージ。
- 前記実装基板の少なくとも一方の面上に、前記貫通配線と電気的に接続する回路配線をそなえることを特徴とする請求項1又は2記載のパッケージ。
- 前記回路配線が、2層以上の多層構造からなることを特徴とする請求項3記載のパッケージ。
- 前記実装基板に、1個以上の機能素子を設けたことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のパッケージ。
- 前記支持板は、少なくとも一部分が光透過性を有する材料からなることを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のパッケージ。
- 実装基板の一方の面から他方の面に向けて、配線用の孔を形成する工程と、
この孔に導電性材料を充填して配線を形成する工程と、
この導電性材料が充填された孔が開口している実装基板の面上に、1個以上のデバイスを、この配線用の孔と電気的に接続可能に実装する工程と、
この実装基板のデバイスが実装されている面にて、支持板を実装基板と固着させる工程と、
この支持板が固着された実装基板を、前記デバイスが実装されている面とは反対の面から厚み方向に薄肉化処理する工程と、
を有することを特徴とするパッケージの製造方法。 - 前記薄肉化処理により、実装基板に形成された前記配線用の孔を、実装基板の一方の面から他方の面まで貫通させることを特徴とする請求項7記載のパッケージの製造方法。
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Cited By (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005340316A (ja) * | 2004-05-25 | 2005-12-08 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2007033185A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Matsushita Electric Works Ltd | センサモジュール |
JP2007042781A (ja) * | 2005-08-02 | 2007-02-15 | Hitachi Kyowa Engineering Co Ltd | サブマウント及びその製造方法 |
JP2007042741A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電子部品実装構造体及びその製造方法 |
JP2007144569A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Chemitoronics Co Ltd | マイクロ構造体等の滑面処理方法及びmems素子 |
JP2007192792A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-08-02 | Matsushita Electric Works Ltd | センサエレメント |
JP2008229833A (ja) * | 2007-02-22 | 2008-10-02 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JP2009540566A (ja) * | 2006-06-05 | 2009-11-19 | アクスティカ,インコーポレイテッド | Memsデバイスおよびその製造方法 |
JP2010035155A (ja) * | 2008-06-24 | 2010-02-12 | Canon Inc | 機械電気変換素子及び機械電気変換装置の製造方法 |
US7674638B2 (en) | 2005-11-25 | 2010-03-09 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Sensor device and production method therefor |
JP2010526672A (ja) * | 2007-04-26 | 2010-08-05 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 裏面接続するためのトレンチ構造を有するマイクロマシンコンポーネントの製造方法 |
US7834438B2 (en) | 2006-01-27 | 2010-11-16 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Sealed structure and method of fabricating sealed structure and semiconductor device and method of fabricating semiconductor device |
JP2011128140A (ja) * | 2009-11-19 | 2011-06-30 | Dainippon Printing Co Ltd | センサデバイス及びその製造方法 |
US8026594B2 (en) | 2005-11-25 | 2011-09-27 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Sensor device and production method therefor |
US8067769B2 (en) | 2005-11-25 | 2011-11-29 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Wafer level package structure, and sensor device obtained from the same package structure |
US8080869B2 (en) | 2005-11-25 | 2011-12-20 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Wafer level package structure and production method therefor |
JP2012517913A (ja) * | 2009-02-25 | 2012-08-09 | カペラ フォトニクス インコーポレイテッド | 統合したビアとスペーサを設けたmemsデバイス |
WO2014002923A1 (ja) * | 2012-06-26 | 2014-01-03 | 株式会社村田製作所 | 実装基板および発光装置 |
JP2016178307A (ja) * | 2015-03-20 | 2016-10-06 | コミサリア ア エナジー アトミック エ オックス エナジーズ オルタネティヴ | 発光ダイオードを備えた光電子デバイス |
JP2017505999A (ja) * | 2014-02-18 | 2017-02-23 | クアルコム,インコーポレイテッド | 金属ポスト相互接続部を備えた下部パッケージ |
JP2020021856A (ja) * | 2018-08-02 | 2020-02-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
JP2020053582A (ja) * | 2018-09-27 | 2020-04-02 | 日亜化学工業株式会社 | 照明装置およびその製造方法 |
CN113130729A (zh) * | 2021-04-22 | 2021-07-16 | 深圳光台实业有限公司 | Led封装结构、封装方法及光源 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5943107B2 (ja) * | 2009-11-19 | 2016-06-29 | 大日本印刷株式会社 | センサデバイス及びその製造方法 |
-
2003
- 2003-12-02 JP JP2003403056A patent/JP3975194B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005340316A (ja) * | 2004-05-25 | 2005-12-08 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2007033185A (ja) * | 2005-07-26 | 2007-02-08 | Matsushita Electric Works Ltd | センサモジュール |
JP2007042741A (ja) * | 2005-08-01 | 2007-02-15 | Shinko Electric Ind Co Ltd | 電子部品実装構造体及びその製造方法 |
EP1749794A3 (en) * | 2005-08-01 | 2011-11-30 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Electronic parts packaging structure and method of manufacturing the same |
JP4668722B2 (ja) * | 2005-08-02 | 2011-04-13 | 日立協和エンジニアリング株式会社 | サブマウント及びその製造方法 |
JP2007042781A (ja) * | 2005-08-02 | 2007-02-15 | Hitachi Kyowa Engineering Co Ltd | サブマウント及びその製造方法 |
US8080869B2 (en) | 2005-11-25 | 2011-12-20 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Wafer level package structure and production method therefor |
US8067769B2 (en) | 2005-11-25 | 2011-11-29 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Wafer level package structure, and sensor device obtained from the same package structure |
US8026594B2 (en) | 2005-11-25 | 2011-09-27 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Sensor device and production method therefor |
US7674638B2 (en) | 2005-11-25 | 2010-03-09 | Panasonic Electric Works Co., Ltd. | Sensor device and production method therefor |
JP2007144569A (ja) * | 2005-11-29 | 2007-06-14 | Chemitoronics Co Ltd | マイクロ構造体等の滑面処理方法及びmems素子 |
JP2007192792A (ja) * | 2005-12-22 | 2007-08-02 | Matsushita Electric Works Ltd | センサエレメント |
US7834438B2 (en) | 2006-01-27 | 2010-11-16 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Sealed structure and method of fabricating sealed structure and semiconductor device and method of fabricating semiconductor device |
JP2009540566A (ja) * | 2006-06-05 | 2009-11-19 | アクスティカ,インコーポレイテッド | Memsデバイスおよびその製造方法 |
US7859091B2 (en) | 2007-02-22 | 2010-12-28 | Denso Corporation | Manufacturing methods for semiconductor device with sealed cap |
JP2008229833A (ja) * | 2007-02-22 | 2008-10-02 | Denso Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US8349634B2 (en) | 2007-02-22 | 2013-01-08 | Denso Corporation | Semiconductor device with sealed cap |
JP2010526672A (ja) * | 2007-04-26 | 2010-08-05 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | 裏面接続するためのトレンチ構造を有するマイクロマシンコンポーネントの製造方法 |
US8564078B2 (en) | 2007-04-26 | 2013-10-22 | Robert Bosch Gmbh | Method for producing a micromechanical component having a trench structure for backside contact |
JP2010035155A (ja) * | 2008-06-24 | 2010-02-12 | Canon Inc | 機械電気変換素子及び機械電気変換装置の製造方法 |
JP2012517913A (ja) * | 2009-02-25 | 2012-08-09 | カペラ フォトニクス インコーポレイテッド | 統合したビアとスペーサを設けたmemsデバイス |
JP2011128140A (ja) * | 2009-11-19 | 2011-06-30 | Dainippon Printing Co Ltd | センサデバイス及びその製造方法 |
US9476898B2 (en) | 2009-11-19 | 2016-10-25 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Sensor device and manufacturing method thereof |
WO2014002923A1 (ja) * | 2012-06-26 | 2014-01-03 | 株式会社村田製作所 | 実装基板および発光装置 |
CN104428912A (zh) * | 2012-06-26 | 2015-03-18 | 株式会社村田制作所 | 安装基板和发光装置 |
US9236357B2 (en) | 2012-06-26 | 2016-01-12 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Mounting substrate and light emitting device |
JPWO2014002923A1 (ja) * | 2012-06-26 | 2016-05-30 | 株式会社村田製作所 | 実装基板および発光装置 |
US10971476B2 (en) | 2014-02-18 | 2021-04-06 | Qualcomm Incorporated | Bottom package with metal post interconnections |
JP2017505999A (ja) * | 2014-02-18 | 2017-02-23 | クアルコム,インコーポレイテッド | 金属ポスト相互接続部を備えた下部パッケージ |
JP2016178307A (ja) * | 2015-03-20 | 2016-10-06 | コミサリア ア エナジー アトミック エ オックス エナジーズ オルタネティヴ | 発光ダイオードを備えた光電子デバイス |
JP2020021856A (ja) * | 2018-08-02 | 2020-02-06 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置 |
US11264549B2 (en) | 2018-08-02 | 2022-03-01 | Nichia Corporation | Method for producing light emitting device, and light emitting device |
JP2020053582A (ja) * | 2018-09-27 | 2020-04-02 | 日亜化学工業株式会社 | 照明装置およびその製造方法 |
CN113130729A (zh) * | 2021-04-22 | 2021-07-16 | 深圳光台实业有限公司 | Led封装结构、封装方法及光源 |
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Publication number | Publication date |
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