JP2005165304A5

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Publication number: JP2005165304A5
Application number: JP2004328461A
Authority: JP
Filing date: 2004-11-12
Publication date: 2008-01-10
Anticipated expiration: 2024-11-12

Claims

絶縁表面上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して形成された半導体膜と、
前記半導体膜上に形成されたソース領域およびドレイン領域と、
前記ソース領域上に形成されたソース電極と、
前記ドレイン領域上に形成されたドレイン電極と、
前記ソース電極および前記ドレイン電極の少なくとも一部の端面を覆うように選択的に形成されたバリア層と、
前記ドレイン電極および前記バリア層を覆うように形成された画素電極と、を有し、
前記ソース領域の端面の少なくとも一部は、前記半導体膜の端面および前記ソース電極の端面と概略一致し、
前記ドレイン領域の端面の少なくとも一部は、前記半導体膜の端面および前記ドレイン電極の端面と概略一致することを特徴とする液晶表示装置。 A gate electrode formed on an insulating surface;
A semiconductor film formed on the gate electrode through a gate insulating film;
A source region and a drain region formed on the semiconductor film;
A source over the source electrode formed on said source region,
A drain electrode formed on the drain region;
A barrier layer which is selectively formed at least a part of the end surface covering the Migihitsuji of the source electrode and the drain electrode,
Anda pixel electrode formed on Migihitsuji covering said drain electrode and said barrier layer,
At least a part of the end face of the source region substantially coincides with the end face of the semiconductor film and the end face of the source electrode,
The liquid crystal display device according to claim 1, wherein at least a part of an end face of the drain region substantially coincides with an end face of the semiconductor film and an end face of the drain electrode.

絶縁表面上に形成されたゲート電極と、
前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を介して形成された半導体膜と、
前記半導体膜上に形成されたソース領域およびドレイン領域と、
前記ソース領域上に形成されたソース電極と、
前記ドレイン領域上に形成されたドレイン電極と、
前記ソース電極および前記ドレイン電極の少なくとも一部の端面を覆うように選択的に形成されたバリア層と、
前記ソース電極および前記バリア層を覆うように形成された透明導電膜と、
前記ドレイン電極および前記バリア層を覆うように形成された画素電極と、を有し、
前記ソース領域の端面の少なくとも一部は、前記半導体膜の端面および前記ソース電極の端面と概略一致し、
前記ドレイン領域の端面の少なくとも一部は、前記半導体膜の端面および前記ドレイン電極の端面と概略一致することを特徴とする液晶表示装置。 A gate electrode formed on an insulating surface;
A semiconductor film formed on the gate electrode through a gate insulating film;
A source region and a drain region formed on the semiconductor film;
A source over the source electrode formed on said source region,
A drain electrode formed on the drain region;
A barrier layer which is selectively formed at least a part of the end surface covering the Migihitsuji of the source electrode and the drain electrode,
A transparent conductive film formed to cover the source electrode and the barrier layer;
Anda pixel electrode formed on Migihitsuji covering said drain electrode and said barrier layer,
At least a part of the end face of the source region substantially coincides with the end face of the semiconductor film and the end face of the source electrode,
The liquid crystal display device according to claim 1, wherein at least a part of an end face of the drain region substantially coincides with an end face of the semiconductor film and an end face of the drain electrode.

請求項１または２において、前記画素電極は、透明導電膜からなることを特徴とする液晶表示装置。 3. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the pixel electrode is made of a transparent conductive film.

請求項１または２において、前記画素電極は、Ａｇ（銀）、Ａｕ（金）、Ｃｕ（銅）、Ｗ（タングステン）、Ａｌ（アルミニウム）を主成分とする導電膜またはそれらの積層膜からなることを特徴とする液晶表示装置。 3. The pixel electrode according to claim 1, wherein the pixel electrode is made of a conductive film containing Ag (silver), Au (gold), Cu (copper), W (tungsten), Al (aluminum) as a main component or a laminated film thereof. A liquid crystal display device characterized by the above.

請求項１乃至４のいずれか一において、前記半導体膜は、微結晶半導体であることを特徴とする液晶表示装置。5. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the semiconductor film is a microcrystalline semiconductor.

請求項１乃至４のいずれか一において、前記半導体膜は、水素とハロゲン元素を含む微結晶半導体であることを特徴とする液晶表示装置。 In any one of claims 1 to 4, wherein the semiconductor film, a liquid crystal display device, characterized in that hydrogen and a halogen element is including a microcrystalline semiconductor.

請求項１乃至６のいずれか一において、前記バリア層は、導電性材料からなることを特徴とする液晶表示装置。7. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the barrier layer is made of a conductive material.

請求項１乃至６のいずれか一において、前記バリア層は、樹脂材料からなることを特徴とする液晶表示装置。The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the barrier layer is made of a resin material.

絶縁表面上に組成物を選択的に吐出して、ゲート電極を形成し、
前記ゲート電極を覆うようにゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜上にｎ型またはｐ型を付与する不純物元素を含む第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜上に第１の導電膜を形成し、
第１のマスクを用いて前記第１の半導体膜、前記第２の半導体膜および前記第１の導電膜を選択的に除去して、前記第１の半導体膜、前記第２の半導体膜および前記第１の導電膜からなる積層膜のパターンを形成し、
前記積層膜の端面に組成物を選択的に吐出して、バリア層を形成し、
前記積層膜および前記バリア層を覆うように第２の導電膜を形成し、
第２のマスクを用いて前記第１の半導体膜の一部、前記第２の半導体膜、前記第１の導電膜および前記第２の導電膜を選択的に除去して、前記第２の半導体膜からなるソース領域およびドレイン領域と、第１の導電膜からなるソース電極およびドレイン電極と、第２の導電膜からなる画素電極とを形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。 Selectively ejecting the composition onto the insulating surface to form a gate electrode;
Forming a gate insulating film Migihitsuji covering the gate electrode,
Forming a first semiconductor film on the gate insulating film;
Forming a second semiconductor film containing an impurity element imparting n-type or p-type over the first semiconductor film;
Forming a first conductive film on the second semiconductor film;
The first semiconductor film, the second semiconductor film, and the first conductive film are selectively removed using a first mask, and the first semiconductor film, the second semiconductor film, and the A pattern of a laminated film made of the first conductive film is formed,
Selectively ejecting the composition onto the end face of the laminated film to form a barrier layer;
The laminated film and the second conductive layer using the barrier layer covering the Migihitsuji is formed,
A portion of the first semiconductor film, the second semiconductor film, the first conductive film, and the second conductive film are selectively removed using a second mask, so that the second semiconductor is removed. A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising forming a source region and a drain region made of a film, a source electrode and a drain electrode made of a first conductive film, and a pixel electrode made of a second conductive film.

絶縁表面上に組成物を選択的に吐出して、ゲート電極を形成し、Selectively ejecting the composition onto the insulating surface to form a gate electrode;
前記ゲート電極を覆うようにゲート絶縁膜を形成し、Forming a gate insulating film so as to cover the gate electrode;
前記ゲート絶縁膜上に第１の半導体膜を形成し、Forming a first semiconductor film on the gate insulating film;
前記第１の半導体膜上にｎ型またはｐ型を付与する不純物元素を含む第２の半導体膜を形成し、Forming a second semiconductor film containing an impurity element imparting n-type or p-type over the first semiconductor film;
前記第２の半導体膜上に第１の導電膜を形成し、Forming a first conductive film on the second semiconductor film;
第１のマスクを用いて前記第１の半導体膜、前記第２の半導体膜および前記第１の導電膜を選択的に除去して、前記第１の半導体膜、前記第２の半導体膜および前記第１の導電膜からなる積層膜のパターンを形成し、The first semiconductor film, the second semiconductor film, and the first conductive film are selectively removed using a first mask, and the first semiconductor film, the second semiconductor film, and the A pattern of a laminated film made of the first conductive film is formed,
前記積層膜の端面に組成物を選択的に吐出して、バリア層を形成し、Selectively ejecting the composition onto the end face of the laminated film to form a barrier layer;
前記積層膜および前記バリア層を覆うように第２の導電膜を形成し、Forming a second conductive film so as to cover the laminated film and the barrier layer;
第２のマスクを用いて前記第１の半導体膜の一部、前記第２の半導体膜、前記第１の導電膜および前記第２の導電膜を選択的に除去して、前記第２の半導体膜からなるソース領域およびドレイン領域と、第１の導電膜からなるソース電極およびドレイン電極と、第２の導電膜からなり、前記ソース電極および前記バリア層を覆うように形成された透明導電膜、並びに前記ドレイン電極および前記バリア層を覆うように形成された画素電極とを形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。A part of the first semiconductor film, the second semiconductor film, the first conductive film, and the second conductive film are selectively removed using a second mask, and the second semiconductor is removed. A transparent conductive film formed of a source region and a drain region made of a film, a source electrode and a drain electrode made of a first conductive film, and a second conductive film so as to cover the source electrode and the barrier layer; And a pixel electrode formed so as to cover the drain electrode and the barrier layer.

絶縁表面上に組成物を選択的に吐出して、ゲート電極を形成し、
前記ゲート電極を覆うようにゲート絶縁膜を形成し、
前記ゲート絶縁膜上に第１の半導体膜を形成し、
前記第１の半導体膜上にｎ型またはｐ型を付与する不純物元素を含む第２の半導体膜を形成し、
前記第２の半導体膜上に組成物を選択的に吐出して第１の導電膜を形成し、
前記第１の導電膜をマスクとして、前記第１の半導体膜および前記第２の半導体膜を選択的に除去して、前記第１の半導体膜、前記第２の半導体膜および前記第１の導電膜からなる積層膜のパターンを形成し、
前記積層膜の端面に組成物を選択的に吐出して、バリア層を形成し、
前記積層膜および前記バリア層を覆うように第２の導電膜を形成し、
マスクを用いて前記第１の半導体膜の一部、前記第２の半導体膜、前記第１の導電膜および前記第２の導電膜を選択的に除去して、前記第２の半導体膜からなるソース領域およびドレイン領域と、前記第１の導電膜からなるソース電極およびドレイン電極と、前記第２の導電膜からなる画素電極とを形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。 Selectively ejecting the composition onto the insulating surface to form a gate electrode;
Forming a gate insulating film Migihitsuji covering the gate electrode,
Forming a first semiconductor film on the gate insulating film;
Forming a second semiconductor film containing an impurity element imparting n-type or p-type over the first semiconductor film;
Forming a first conductive film by selectively discharging a composition over the second semiconductor film;
Using the first conductive film as a mask, the first semiconductor film and the second semiconductor film are selectively removed, and the first semiconductor film, the second semiconductor film, and the first conductive film are removed. Form a pattern of laminated film consisting of films,
Selectively ejecting the composition onto the end face of the laminated film to form a barrier layer;
The laminated film and the second conductive layer using the barrier layer covering the Migihitsuji is formed,
A part of the first semiconductor film, the second semiconductor film, the first conductive film, and the second conductive film are selectively removed using a mask to form the second semiconductor film. a source region and a drain region, the source electrode and the drain electrode made of the first conductive film, a method for manufacturing a liquid crystal display device, and forming a pixel electrode made of the second conductive film.

請求項９または１０において、前記第１のマスクおよび前記第２のマスクを、組成物を選択的に吐出して形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。 The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 9 , wherein the first mask and the second mask are formed by selectively discharging a composition.

請求項９乃至１２のいずれか一において、前記ゲート電極を形成する組成物を吐出した後、乾燥または焼成し、その後めっきすることにより、前記ゲート電極を形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。13. The liquid crystal display device according to claim 9, wherein the gate electrode is formed by discharging a composition for forming the gate electrode, drying or baking the composition, and then plating. Manufacturing method.

請求項９乃至１３のいずれか一において、前記ゲート絶縁膜、前記第１の半導体膜、前記第２の半導体膜および前記第１の導電膜を形成する工程を、大気に曝すことなく連続的に形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。 In any one of claims 9 to 13, wherein the gate insulating film, the first semiconductor film, a step of forming the second semiconductor film and the first conductive film, continuously without be曝to air A method for manufacturing a liquid crystal display device.

請求項９乃至１４のいずれか一において、前記第２の導電膜を、組成物を選択的に吐出して形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。 In any one of claims 9 to 14, a method for manufacturing a liquid crystal display device, characterized in that said second conductive film is formed by selectively discharging a composition.

請求項９乃至１５のいずれか一において、前記第１の半導体膜として、微結晶半導体を形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。16. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 9, wherein a microcrystalline semiconductor is formed as the first semiconductor film.

請求項９乃至１５のいずれか一において、前記第１の半導体膜として、水素とハロゲン元素を含む微結晶半導体を形成することを特徴とする液晶表示装置の作製方法。16. The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 9, wherein a microcrystalline semiconductor containing hydrogen and a halogen element is formed as the first semiconductor film.

請求項９乃至１７のいずれか一において、前記バリア層を形成する組成物として、導電性材料を用いることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 9, wherein a conductive material is used as the composition for forming the barrier layer.

請求項９乃至１７のいずれか一において、前記バリア層を形成する組成物として、樹脂材料を用いることを特徴とする液晶表示装置の作製方法。The method for manufacturing a liquid crystal display device according to claim 9, wherein a resin material is used as the composition for forming the barrier layer.