JP2005156788A - パターン描画装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】波長365nmの紫外光L11をDMD101の表面に入射させる。DMD101で反射した(描画に利用する)紫外光L13は投影光学系104を通り、ピンホール板106上に投影される。ピンホール板106の穴を通過した紫外光L14が多数の細い光線に分割され、縮小投影光学系108によって、基板109上に多数のスポットとして投影される。
【選択図】図1
Description
Proceedings of SPIE, Vol.4186, 第16〜21頁
101、201 DMD
102、202 ミラー
103a、103b、107a、107b、203a、203b、207a、207b レンズ
104、204 投影光学系
106、206 ピンホール板
108、208 縮小投影光学系
109、209 基板
110 石英板
111 クロム膜
112 アルミ膜
113 ペリクル
114a アルミ膜112に形成された穴
114b クロム膜111に形成された穴
205 マイクロレンズアレイ
210 ピンホール板206の投影領域
211 露光された領域
L11、L12、L13、L14、L21、L22、L23、L24 紫外光
Claims (8)
- 波長400nm以下の紫外光を発生できる紫外光発生部、二次元配列状の微小ミラー、多数の穴を有する遮光膜が付けられた前記紫外光を透過する板から成るピンホール板、前記二次元配列状の微小ミラーの面を前記ピンホール板に投影する投影光学系、及び前記ピンホール板における前記遮光膜の面を描画対象の基板に投影する縮小投影光学系を含むことを特徴とするパターン描画装置。
- 前記ピンホール板における前記紫外光が照射される面の側に、前記遮光膜が設けられていることを特徴とする前記請求項1のパターン描画装置。
- 前記遮光膜はアルミニウムからなることを特徴とするパターン描画装置。
- 前記ピンホール板は石英からなることを特徴とするパターン描画装置。
- 光源と、二次元配列状の微小ミラーとを備え、前記光源からの光を前記微小ミラーを介して基板上に投影する構成を有するパターン描画装置において、前記微小ミラーからの像をマイクロレンズアレイを介することなく、ピンホール板に投影する構成を有していることを特徴とするパターン描画装置。
- 請求項5において、前記光源として、紫外光を発生し、前記ピンホール板は前記紫外光を透過する部材板と、当該部材板の前記紫外光の入射面側に設けられ、多数の穴を規定する遮光膜とを有していることを特徴とするパターン描画装置。
- 請求項6において、前記部材板の遮光膜と反対側の面には、前記遮光膜の穴よりも小さい穴を規定する膜が形成されていることを特徴とするパターン描画装置。
- 請求項7において、前記部材板は石英によって形成され、他方、前記遮光膜及び前記反対側の面に形成された膜はそれぞれアルミニウム及びクロムによって形成されていることを特徴とするパターン描画装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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KR102669150B1 (ko) | 2016-07-27 | 2024-05-27 | 삼성전자주식회사 | 자외선(uv) 노광 장치를 구비한 극자외선(euv) 노광 시스템 |
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A521 | Written amendment |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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