JP2005146135A - プラスチック成形体、プラスチック成形品及びこれらの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 射出成形加工時に表面を粗面化することなく表面が選択的に、例えば、無電解メッキに適用可能なように、改質されたプラスチック成形品を提供する
【解決手段】 プラスチック成形体の表面にメッキ膜によるパターンが形成されたプラスチック成形品であって、プラスチック成形体のメッキ膜を鍍着すべき部分の表面及びその近傍付近に、有機金属錯体が還元されることにより生成された金属微粒子が０．１at％〜５at％の割合で存在している。
【選択図】 図１

Description

本発明は表面改質されたプラスチック成形品及び該プラスチック成形品の製造方法に関する。更に詳細には、本発明は無電解メッキが可能になるように表面改質されたプラスチック成形品（特に超臨界流体を利用した射出成形によるプラスチック成形品）及び該プラスチック成形品の製造方法に関する。

無電解メッキは、プラスチック成形品よりなる電子機器の表面に金属導電膜を形成する手段として広く利用されている。プラスチックの無電解メッキプロセスは材料などにより多少異なるが、一般的に図５の流れ図に示されるように、樹脂成形（ステップ１００）、成形品の脱脂（ステップ１０１）、エッチング（ステップ１０２）、中和及び湿潤化（ステップ１０３）、触媒付与（ステップ１０４）、触媒活性化（ステップ１０５）、および無電解メッキ（ステップ１０６）の各工程からなる。

また、エッチングにはクロム酸溶液やアルカリ金属水酸化物溶液などを用いるが、これらエッチング液は中和等の後処理が必要なため、コスト高の要因となっている他、毒性の高いエッチャントを用いることによる取り扱いの問題がある。

該エッチングによる粗面化の必要のないプロセスは、従来から幾つか提案されている（例えば、特許文献１及び２）。これらはメッキ触媒の含有する薄膜を有機バインダーや紫外線硬化樹脂によりプラスチック表面に形成するものである。更に、アミン化合物等のガス雰囲気で紫外線レーザーをプラスチック表面に照射し改質する技術も既に提案されており（例えば、特許文献３）、これ以外でもコロナ放電処理、プラズマ処理、紫外線処理等による改質技術はある。

一方、無電解メッキや電解メッキにより回路基板上に配線を形成する方法としてセミアディティブ法がよく知られているが、このフローを図６に示す。

この方法で配線層は次に示すように形成される。まず、図５に示した方法に従って樹脂成形品の表面を処理し、「無電解メッキ」により基板全体に１〜２μｍのメッキ層を形成する（ステップ１０６）。次に、「感光性フィルムやレジスト」を形成後（ステップ１０７）、マスキングして「露光および現像」を行うことで配線パターンが設けられたフィルムやレジストの層を形成する（ステップ１０８）。さらに「電解メッキ」プロセスにより前記パターン化によって露出した無電解メッキ層上に電解メッキを形成する（ステップ１０９）。次にフィルムやレジストを除去した後（ステップ１１０）、ソフトエッチングにより配線部以外の無電解メッキ層を除去することでメッキ配線は完成する（ステップ１１１）。

更に、銅メッキの場合、樹脂との密着性が悪いことから「黒化処理」と呼ばれる（酸化）銅に微細突起を作り樹脂とのアンカー作用を強化する後処理も行われることもある。

成形品に立体回路を設ける方法も従来から提案されている（例えば、特許文献４及び５）。これら製法について下記に説明するが、まず立体的な回路基板のプラスチックを樹脂成形により形成する。次に、表面を粗面化および触媒付与した後、全面に無電解メッキを形成し、フォトレジストを全面塗着する。そしてフォトマスクを被せて露光した後に現像し回路パターン形成部以外を除去する。

この上に電解メッキさらにＮｉやＡｕの無電解メッキを形成した後、フォトレジストを剥離するとともに無電解メッキの不要部分をエッチング除去する。立体構造体に均一なフォトレジストを形成するのは困難であるため、電着レジストを用いることが特許文献４に提案されているが、かかるレジストは耐アルカリ性が低いという欠点を有している。

射出成形を利用した回路形成方法として、次のような方法が開示されている（例えば、特許文献６）。この特許文献６に記載された方法によれば、先ず、金型表面における回路形成面にＲａ１〜５μｍ程度の粗面化した面を設け、射出成形前に触媒核を金型の全面に付着させた後、回路基板を射出成形で形成することで該触媒核を全面転写させる。そして、触媒核の密着性の強い粗面化された成形面のみ無電解メッキが強固に密着し、それ以外の粗面化されていない個所は密着性が弱いため電解メッキ後における回路以外の無電解メッキ層を除去するエッチングの際に核触媒と共に除去できると説明されている。

特開平９−５９７７８号公報 特開２００１−３０３２５５号公報 特開平６−８７９６４号公報 特開平４−７６９８５号公報 特開平１−２０６６９２号公報 特開平６−１９６８４０号公報

射出成形の成形加工時において、成形加工と同時に成形品の表面改質のできる応用範囲の広い技術は未だ何も提案されていない。また、触媒核となる金属粒子の量（金属量）や化合物を規定した報告例も無い。更に、従来のプラスチック成形品の無電解メッキプロセスは複雑でコスト高の上、有害物質を多く使わなければならず、廃液の処理にも問題がある。

従って、本発明の目的は、前記課題を解決し、射出成形加工時に表面を粗面化することなく表面が選択的に、例えば、無電解メッキに適用可能なように、改質されたプラスチック成形品及びその製造方法を提供することである。

前記課題を解決するための手段として、請求項１に係る発明の特徴は、プラスチック成形体であって、該プラスチック成形体の所望部分の表面及びその近傍付近に、有機金属錯体が還元されることにより生成された金属微粒子が０．１at％〜５at％の割合で存在していることである。

前記課題を解決するための手段として、請求項２に係る発明の特徴は、請求項１に記載の発明において、前記有機金属錯体が下記の一般式（１）〜（４）で示される化合物のうちの少なくとも一種類であることである。

(式中、Ｘ^１とＸ^２ は各々独立にハロゲン原子を表わし、Ｒ^１〜Ｒ^１０ は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基又はアルコキシアルキル基を表す。Ｒ^１〜Ｒ^１０のうち隣接する置換基同士が結合して環状を形成してもよい。Ｍはｎ価の金属イオンを表す。)、

(式中、Ｒ^１とＲ^２は各々独立に水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を表し、Ｒ^３〜Ｒ^６は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基又はアルキル基を表す。Ｒ^３〜Ｒ^６のうち隣接する置換基同士が結合して環状を形成してもよい。Ｍはｎ価の金属イオンを表す。)、

(式中、Ｒ^３〜Ｒ^６は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ニトロ基、アミノ基又はアルキル基を表し、Ｍはｎ価の金属イオンを表す。)及び、

(式中、Ｒ^１〜Ｒ^６は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基又はアルキル基を表す。Ｒ^１〜Ｒ^３及びＲ^４〜Ｒ^６のうち隣接する置換基同士が結合して環状を形成してもよい。Ｍはｎ価の金属イオンを表す。)

前記課題を解決するための手段として、請求項３に係る発明の特徴は、請求項１に記載の金属微粒子を触媒核として形成されたメッキ層を更に有するプラスチック成形品である。

前記課題を解決するための手段として、請求項４に係る発明の特徴は、請求項３に記載の発明において、前記メッキ層は電気配線パターンを構成することである。

前記課題を解決するための手段として、請求項５に係る発明の特徴は、プラスチック成形体の製造方法であって、(1)射出成形機の金型内に熱可塑性樹脂と、有機金属錯体化合物含有超臨界流体を注入するステップと、(2)これら成分類を射出成形することによりプラスチック成形体を得るステップとからなり、前記プラスチック成形体の所望部分の表面及びその近傍付近に、前記有機金属錯体が還元されることにより生成された金属微粒子が０．１at％〜５at％の割合で存在していることである。

前記課題を解決するための手段として、請求項６に係る発明の特徴は、プラスチック成形品の製造方法であって、(1)射出成形機の金型内に熱可塑性樹脂と、有機金属錯体化合物含有超臨界流体を注入するステップと、(2)これら成分類を射出成形することによりプラスチック成形体を得るステップと、(3)前記プラスチック成形体の所望の表面に無電解メッキによりパターンを形成するステップとからなり、前記プラスチック成形体のメッキ膜を形成すべき表面及びその近傍付近に、前記有機金属錯体が還元されることにより生成された金属微粒子が０．１at％〜５at％の割合で存在していることである。

前記課題を解決するための手段として、請求項７に係る発明の特徴は、請求項５又は６に記載の発明において、前記有機金属錯体が下記の一般式（１）〜（４）で示される化合物のうちの少なくとも一種類であることである。

(式中、Ｘ^１とＸ^２ は各々独立にハロゲン原子を表わし、Ｒ^１〜Ｒ^１０ は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基又はアルコキシアルキル基を表す。Ｒ^１〜Ｒ^１０のうち隣接する置換基同士が結合して環状を形成してもよい。Ｍはｎ価の金属イオンを表す。)、

(式中、Ｒ^１とＲ^２は各々独立に水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を表し、Ｒ^３〜Ｒ^６は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基又はアルキル基を表す。Ｒ^３〜Ｒ^６のうち隣接する置換基同士が結合して環状を形成してもよい。Ｍはｎ価の金属イオンを表す。)、

(式中、Ｒ^３〜Ｒ^６は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ニトロ基、アミノ基又はアルキル基を表し、Ｍはｎ価の金属イオンを表す。)及び、

(式中、Ｒ^１〜Ｒ^６は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基又はアルキル基を表す。Ｒ^１〜Ｒ^３及びＲ^４〜Ｒ^６のうち隣接する置換基同士が結合して環状を形成してもよい。Ｍはｎ価の金属イオンを表す。)

前記課題を解決するための手段として、請求項８に係る発明の特徴は、請求項６に記載の発明において、前記めっき膜によるパターンは電気配線パターンであることである。

本発明によれば、射出成形加工時に表面を粗面化することなく表面が選択的に、例えば、無電解メッキに適用可能なように、改質されたプラスチック成形体を得ることができる。

図１は本発明によるプラスチック成形品の一例の模式的断面図である。図１に示されるように、本発明によるプラスチック成形品１は、プラスチック成形体３の表面に鍍金膜による導電性パターン５が形成されている。このプラスチック成形体３はその内部に、有機金属錯体７と、該有機金属錯体が還元されることにより生成された金属微粒子９を含有する。メッキのための触媒核として寄与するのは金属微粒子９であるが、還元されなかった有機金属錯体化合物粒子７もプラスチック成形体３の内部に取り込まれる。

特に、プラスチック成形体３と導電性パターン５との界面（すなわち、プラスチック成形体３の表面及びその近傍付近）には金属微粒子９が０．１at％〜５at％の割合で存在している。金属微粒子９の存在割合が０．１at％未満の場合、メッキのための触媒核として寄与する金属微粒子の量が少なすぎるために無電解メッキが困難になる。金属微粒子９の存在割合が５at％超の場合、メッキのための触媒核として寄与する効果が飽和し、不経済となるだけである。メッキのための触媒核として寄与する効果を確実にするために、金属微粒子９の存在割合は０．５at％以上であることが好ましい。

図１に示されるプラスチック成形品１におけるプラスチック成形体３は熱可塑性樹脂を射出成形することにより作製することができる。例えば、射出成形機の金型内に熱可塑性樹脂の溶融樹脂を充填し、この金型内の特定位置に、超臨界流体と、該超臨界流体に溶解させた有機金属錯体化合物の溶液を注入し、これら成分類を射出成形することによって作製することができる。その後、プラスチック成形体３の表面において、前記金属微粒子が析出した部位にメッキ膜からなるパターンを形成する。

図２は物質の圧力と温度との関係を示す相図である。本発明では、図２に示される超臨界流体を使用する。超臨界流体とは液体の溶解性と気体の浸透性をあわせもつ流体である。本発明で使用することができる超臨界流体は、空気、ＣＯ、ＣＯ_２、Ｏ_２、Ｎ_２、Ｈ_２Ｏ、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン、メタノール、エチルアルコール、アセトン、ジエチルエーテル等である。Ｎ_２の臨界温度は−１４７℃、臨界圧力は３４気圧であり、Ｈ_２Ｏの臨界温度は３７４℃、臨界圧力は２１８気圧であるのに対して、ＣＯ_２の臨界温度は３１℃、臨界圧力は７３気圧であり、しかも、ｎ―ヘキサン並の溶解度を有し、ある種の熱可塑性樹脂材料へ可塑剤として働き射出成形や押し出し成形で実績が多い点で、ＣＯ_２が特に望ましい。これらは１種単独で用いてもよいし、２種以上を混合してもよい。

本発明のプラスチック成形体を作製するための熱可塑性樹脂は、特に制限されるものではなく、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート、脂環式オレフィン樹脂、ポリエーテルイミド、ポリメチルペンテン、非晶質ポリオレフィン、ポリテトラフルオロエチレン、液晶ポリマー、スチレン系樹脂、ポリメチルペンテン、ポリアセタール等やそれらを複合種混合したもの、これらを主成分とするポリマーアロイやこれらに各種の充填剤を配合したものを用いることができる。

超臨界流体に溶解させる有機金属錯体化合物は下記の一般式（１）〜（４）を有する。

（式中、Ｘ^１とＸ^２は、各々独立に、塩素原子、臭素原子、沃素原子、フッ素原子などのハロゲン原子を表す。また、Ｒ^１〜Ｒ^１０はそれぞれ独立して、水素原子；塩素原子、臭素原子、沃素素原子、フッ素原子などのハロゲン原子；メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基、sec-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基等の炭素数１〜２０の直鎖または分岐のアルキル基；又はメトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキシメチル基、エトキシエチル基、ｎ-プロポキシメチル基、ｎ-プロポキシエチル基、メトキシ-ｎ-プロピル基などの炭素数２〜２０の直鎖または分岐のアルコキシアルキル基を表す。また、Ｒ^１〜Ｒ^１０のうち隣接する置換基同士が結合して環状を形成してもよい。また、Ｍはパラジウム、ニッケル、白金、金、銀、銅、コバルト、モリブデンなどのｎ価の金属イオンであ。）

一般式（１）で示される化合物における好ましい置換基の組合せは以下のものが挙げられる。

（式中、Ｒ^１およびＲ^２はそれぞれ独立して、水素原子；塩素原子、臭素原子、沃素素原子、フッ素原子などのハロゲン原子；メチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基、sec-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基等の炭素数１〜２０の直鎖または分岐のアルキル基を表し、Ｒ^３〜Ｒ^６はそれぞれ独立して水素原子；塩素原子、臭素原子、沃素素原子、フッ素原子などのハロゲン原子；ヒドロキシル基；あるいはメチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基、sec-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基等の炭素数１〜２０の直鎖または分岐のアルキル基を表す。Ｒ^３とＲ^４、Ｒ^５とＲ^６は隣接する置換基同士が結合して環状を形成してもよい。また、Ｍはパラジウム、ニッケル、白金、金、銀、銅、コバルト、モリブデンなどのｎ価の金属イオンである。）

一般式（２）で示される化合物における好ましい置換基の組合せは以下のものが挙げられる。

（式中、Ｒ^１〜Ｒ^１０はそれぞれ独立して、水素原子；塩素原子、臭素原子、沃素素原子、フッ素原子などのハロゲン原子；ヒドロキシル基；カルボキシル基；ニトロ基；アミノ基；又はメチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基、sec-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基等の炭素数１〜２０の直鎖または分岐のアルキル基を表す。また、Ｒ^１〜Ｒ^１０のうち隣接する置換基同士が結合して環状を形成してもよい。Ｍは鉄、コバルト、ニッケル等のｎ価の金属イオンである。）

一般式（３）で示される化合物における好ましい置換基の組合せは以下のものが挙げられる。

（式中、Ｒ１〜Ｒ６はそれぞれ独立して、水素原子；塩素原子、臭素原子、沃素素原子、フッ素原子などのハロゲン原子；ヒドロキシル基；又はメチル基、エチル基、n-プロピル基、イソプロピル基、n-ブチル基、tert-ブチル基、sec-ブチル基、n-ペンチル基、n-ヘキシル基等の炭素数１〜２０の直鎖または分岐のアルキル基を表す。また、Ｍはパラジウム、ニッケル、白金、金、銀、銅、コバルト、モリブデンなどのｎ価の金属イオンである。）

一般式（４）で示される化合物における好ましい置換基の組合せは以下のものが挙げられる。

前記化１で示される一般式（１）の化合物は新規化合物である。例えば、表１における化合物（ａ１）のジ−μ−クロロビス（４−メトキシ−２，３−ジメチルブテニル）ジパラジウム(II)は次のようにして生成することができる。塩化パラジウム(II)ナトリウム・三水和物（２．００ｇ、５．７４ミリモル）を２０ｍｌのメタノール溶液に溶解させる。窒素ガスをパージしながら、この溶液に対して、２，３−ジメチル−１，３−ブタジエン（２．９２ｇ、３５．６ミリモル）を添加する。この混合液を室温で１０分間撹拌した後、無水炭酸ナトリウム（０．６ｇ、５．６６ミリモル）を添加し、１時間撹拌する。その溶液を濾過した後、水で洗浄し、次いで、メタノールで洗浄すると、目的とする化合物、ジ−μ−クロロビス（４−メトキシ−２，３−ジメチルブテニル）ジパラジウム(II)｛ＦＡＢ−ＭＳ（＋）：５１１（Ｍ^＋＋１）、ｍ．ｐ．：１１０．５℃｝が得られる。
前記化２で示される一般式（２）の化合物は一般に市販されており、例えば、表２における化合物（ｂ１）のシクロオクタジエンジメチルプラチナ（ｍ．ｐ．：９５℃）はＡｌｄｒｉｃｈ社から購入することができる。
前記化３で示される一般式（３）の化合物は一般に市販されており、例えば、表３における化合物（ｃ１）のニッケロセン（ｍ．ｐ．：１７１℃）は和光純薬工業（株）から購入することができる。
前記化４で示される一般式（４）の化合物は一般に市販されており、例えば、表４における化合物（ｄ１）のパラジウムアセチルアセトナート（ｍ．ｐ．：１３２−２０５℃）は東京化成（株）から購入することができる。

図３は本発明のプラスチック成形体を製造するための射出成形装置の一例の概要構成図である。図３を参照しながら、本発明のプラスチック成形体の製造について詳細に説明する。本発明のプラスチック成形体を製造するために超臨界流体としてＣＯ_２を使用した。超臨界流体に有機金属錯体化合物を溶解させる方法としては任意の方法を使用できるが、図３の装置では、ＣＯ_２ボンベ３０１から供給されるＣＯ_２を超臨界流体発生装置３０２で超臨界状態にした後、混合槽３０３中で貯蔵容器３０４から供給される有機金属錯体化合物を所定の濃度になるように超臨界流体に溶解させた。有機金属錯体化合物を溶解させるための超臨界流体の圧力、温度は任意であるが、溶解度を高くするために、ＣＯ_２の圧力は１５〜４０ＭＰａの範囲が望ましい。温度は４０℃〜１５０℃、より望ましくは４０℃〜６０℃の範囲が望ましい。４０℃以下では超臨界の閾値である３１℃に近くなり、溶解度が不安定になる。一方、温度が高すぎると、有機金属錯体化合物が熱分解してしまう恐れがある。

有機金属錯体化合物が溶解した超臨界流体溶液の金型内部への導入方法は任意であるが、図３の装置においては電磁弁で駆動するエアーバルブ３０７の開放により流路３１６を経て固定金型３１４内の微細流路３０６より固定金型３１４と可動金型３１５により形成されるキャビティ３０５に注入した。図３の射出成形装置において固定金型３１４内における微細流路３０６の直径はφ０．３ｍｍとした。

熱可塑性樹脂の可塑化及び充填は公知の方法を使用することができる。例えば、図３の射出成形装置において、スクリュー３１９の回転によりホッパー３１７よりバンドヒーター３１８を介して可塑化シリンダー３２０内に充填された図示しない熱可塑性樹脂ペレットは、可塑化溶融されてスクリュー３１９前方に計量される。スクリュー３１９前方の内圧が上昇することによってスクリュー３１９が後退する。射出時はスクリュー３１９が前進することで計量された溶融樹脂は金型のキャビティ３０５内に充填される。キャビティ３０５は図示しない温調回路により温度制御された固定金型３１４および可動金型３１５によって形成されており、溶融熱可塑性樹脂がノズル３２１および金型のスプール３２２を経て充填される。

図３の射出成形装置における固定金型３１４表面には、流路３０６に通じる凹凸が設けられている。固定金型３１４の表面の凹凸形状及びそのピッチや深さ等は任意であるが、図３の射出成形装置においては、深さ一定でピッチや幅がランダムなラインアンドスペースの溝パターン９を設けた。該溝の深さは１ｍｍ、幅は０．５ｍｍ、ピッチは最小０．６ｍｍとした。

溝パターン３０９が設けられた金型キャビティ３０５の図３におけるＡ部拡大図を図４に示す。以下、図４を参照しながら、溝３０９への熱可塑性樹脂充填の方法を説明する。図４（ａ）における充填前のキャビティ３０５空間に図４（ｂ）に示すように溶融熱可塑性樹脂３１２が充填される。このとき、１次充填では樹脂内圧が十分に高くないので金型の溝３０９の内部には十分に充填できず凸部３１０が形成される。この未充填の状態において、有機金属錯体化合物が溶解された超臨界流体３０８を、溝部３０９に注入する。この際、熱可塑性樹脂内圧および型締め圧によって該有機金属錯体化合物が溶解された超臨界流体が、該溝３０９より漏れないように制御する。有機金属錯体化合物は加熱により配位子が外れ（すなわち、還元され）、錯体内の金属微粒子が遊離してくる。超臨界流体ＣＯ_２が溶融熱可塑性樹脂表面に接触することで、溝３０９部における熱可塑性樹脂の凸部３１０は軟化するので、有機金属錯体が還元されて生成した金属微粒子は熱可塑性溶融樹脂表面内に一層浸透しやすくなる。さらに図４（ｄ）に示すように、保圧および型締め圧を高くすることで、溝３０９内に溶融熱可塑性樹脂がほぼ完全に充填される。それによって成形体の凸部３１０表面及びその近傍付近にのみ有機金属錯体の還元生成物である金属微粒子９が配向する。
従来の方法によりメッキを行う場合、エッチングの際にＣｒ^６＋等の有毒な化合物を使用しなければならないが、本発明の方法によれば、無毒な超臨界流体を使用するので、Ｃｒ^６＋等の有毒な化合物による環境汚染を避けることができる。また、ＣＯ_２からなる超臨界流体は射出成形後はガスとなり空気中に放出されるだけで処理が終了するので、本発明の方法は環境に優しい方法であると言うことができる。

有機金属錯体化合物は加熱により配位子が外れ（すなわち、還元され）、錯体内の金属微粒子が遊離してくる。従って、加熱温度が高いほど配位子が外れ易い（すなわち、還元され易い）が、その上限温度は使用する熱可塑性樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）により限定される。射出成形の場合、溶融熱可塑性樹脂の加熱表面の温度が最も高いので、樹脂の加熱表面付近に存在する有機金属錯体化合物が優先的に還元され、その結果、熱可塑性樹脂の所望部分の表面及びその近傍付近に金属微粒子を存在させることができるようになる。

本発明では、有機金属錯体化合物が還元されることにより生成された金属微粒子が、プラスチック成形体の所望部分の表面及びその近傍付近において０．１at％以上存在していることが必要である。プラスチック成形体の表面及びその近傍に金属微粒子が０．１at％以上、好ましくは０．５at％以上存在すれば、その表面に銅やニッケルなどの金属をメッキすることができる。ここで、有機金属錯体化合物が還元されることにより生成された金属微粒子がプラスチック成形体の所望部分の表面及びその近傍付近において０．１at％以上存在し得るために、有機金属錯体化合物は該溶融熱可塑性樹脂の表面及びその近傍付近に１at％以上注入することが望ましい。必ずしも注入した有機金属錯体が全て溶融熱可塑性樹脂内で還元されてメッキの触媒核として寄与する金属微粒子が生成されるわけではないからである。有機金属錯体化合物の注入量は有機金属錯体化合物の超臨界流体に対する溶解度、超臨界流体と有機金属錯体化合物が溶融熱可塑性樹脂に接触する際の樹脂温度や圧力、接触時間等で制御することができる。有機金属錯体化合物に対する超臨界流体の溶解度はエントレーナーとしてメタノール等のアルコールやアセトン等を用いることで、飛躍的に向上させることができる。また溶解度を均一にするために該超臨界流体や有機金属錯体化合物及びエントレーナーの混合槽は圧力一定、温度一定で攪拌することが望ましい。

保圧や型締め圧等によって熱可塑性樹脂内圧を上昇させることで凹部内に樹脂が行き渡り、成形体表面に有機金属錯体化合物が配向した凸部が形成される。かかる方法によれば超臨界流体に、ある程度の溶解性を有する有機金属錯体化合物であれば成形体表面の凸部のみに均一に分散配向させることができる。従って、その場で有機金属錯体化合物が還元されれば、同じ場所に金属微粒子が分散配向されることとなる。その結果、本発明の方法によれば、金型表面を粗面化する必要もなく、微細な領域に選択的にメッキ用の触媒核となるべき金属微粒子を配向させることができる。

本発明の方法によれば、射出成形により作製されたプラスチック成形体に対し、その後無電解メッキを行い、金属微粒子が存在するプラスチック成形体の所定部分（例えば、凸部）にメッキ膜又はメッキ層を形成する。これらのメッキ膜又はメッキ層は例えば、電気配線パターンを構成することができる。本発明の方法によれば、使用する熱可塑性樹脂が極性基を持たず強固な無電解メッキ層の形成が困難な材料であっても触媒核となる金属微粒子を熱可塑性樹脂内に容易に埋め込むことができるので、任意の選択個所のみに密着性に優れた高品質な無電解メッキ膜を形成することができる。従って、本発明による無電解メッキの配線プロセスは従来法と比べ無害で前処理工程が著しく少なくて済む画期的な方法である。本発明において使用される無電解メッキ法自体は当業者に周知であるから、ここでは詳細な説明は省略する。

本発明の方法による無電解メッキ配線においては、射出成形後、有機金属錯体化合物の有機部分と金属部分の結合を切断するため、還元反応や加熱による後処理が必要な場合もある。しかし、或る種の有機金属錯体化合物は高温な溶融熱可塑性樹脂と接触する間に樹脂の熱により該結合が切断され数〜数十ｎｍの金属微粒子が自動的に析出するので後処理も不要となる。本発明者らの検討によれば、有機金属錯体化合物と熱可塑性樹脂は次に示すような密接な相互関係を有することがわかった。

つまり、ここで用いた有機金属錯体化合物がアルコキシ基やヒドロキシル基などの極性の置換基をもち、化合物全体として極性がある場合、アクリル樹脂やポリカーボネートなどの極性の大きな熱可塑性樹脂において、金属微粒子に還元されやすい。また、有機金属錯体化合物に極性の置換基が無く、化合物全体として非極性の化合物である場合、脂環式オレフィン樹脂などの非極性熱可塑性樹脂中で金属微粒子に還元されやすいことが発見された。

有機金属錯体化合物が極性を持つ化合物の場合、非極性の樹脂中では金属微粒子に還元されにくい。また、有機金属錯体化合物が分子全体として非極性である場合、極性の樹脂中において金属微粒子に還元されにくい。しかしながら、ここで有機金属錯体化合物の極性が高すぎる場合には、超臨界流体に対する溶解度が減少するため、用いる有機金属錯体化合物の極性が高すぎないように注意することが好ましい。

図３に示される射出成形装置とその射出条件を用いて射出成形を行った。プラスチックとしてはガラス転移温度約１５０℃の脂環式オレフィン樹脂（日本ゼオン社製ゼオネックス４８０Ｒ）を用いた。本実施例では、図３の射出成形装置における混合槽３０４は、５０℃、１５ＭＰａの雰囲気に維持した。可塑化シリンダー３２０の温度は２００℃とした。また、金型内を流れる温調回路内の媒体温度は１２０℃とした。有機金属錯体としては化合物（ａ１）、ジ−μ−クロロビス（４−メトキシ−２，３−ジメチルブテニル）ジパラジウム(II)｛ＦＡＢ−ＭＳ（＋）：５１１（Ｍ^＋＋１）、ｍ．ｐ．：１１０．５℃｝を使用した。この条件により射出成形したプラスチック成形体を（Ａ）とする。

実施例１の条件で化合物（ａ２）、ジ−μ−ブロモビス（４−メトキシ−２，３−ジメチルブテニル）ジパラジウム(II)｛ＦＡＢ−ＭＳ（＋）：６００（Ｍ^＋＋１）｝を使用してプラスチック成形品（Ｂ）を射出成形した。

実施例1及び実施例２の条件で射出成形したプラスチック成形体（Ａ）および（Ｂ）を無電解銅メッキ用水溶液（奥野製薬工業製「ＯＰＣ７００Ａ」１００ｍＬ／Ｌ＋奥野製薬工業製「ＯＰＣ７００Ｂ」１００ｍＬ／Ｌ）の入った容器に入れ３０℃、１０分間攪拌し銅メッキ処理した。純水及びメタノールにて超音波洗浄した後、プラスチック成形体凸部に厚み１０μｍの銅メッキ膜を形成した。また該メッキ膜は膜厚が均一であり、ふくれがなく、ピール試験においても実用上問題ない密着強度が得られていることを確認した。また配線に導通させた抵抗測定により低抵抗の配線が断線することなく形成されていることを確認した。隣接配線同士の絶縁性も良好であることを確認した。

図３に示される射出成形装置とその射出条件を用いて射出成形を行った。プラスチックとしてはガラス転移温度約１５０℃の脂環式オレフィン樹脂（日本ゼオン社製ゼオネックス４８０Ｒ）を用いた。本実施例では、図３の射出成形装置における混合槽３０４は、５０℃、２５ＭＰａの雰囲気に維持した。可塑化シリンダー３２０の温度は２００℃とした。また、金型内を流れる温調回路内の媒体温度は１２０℃とした。有機金属錯体としては化合物（ｂ１）のシクロオクタジエンジメチルプラチナ（ｍ．ｐ．：９５℃）を使用した。有機金属錯体の量は該溶融樹脂量に対して２質量％用いた。この条件により射出成形したプラスチック成形体を（Ｃ）とする。

実施例４の条件で化合物（ｂ２）のシクロオクタジエンジメチルパラジウム（ｍ．ｐ．：９２℃（ｄｅｃ．））を使用して、プラスチック成形体（Ｄ）を射出成形した。

実施例４及び実施例５の条件で射出成形したプラスチック成形体（Ｃ）および（Ｄ）を無電解銅メッキ用水溶液（奥野製薬工業製「ＯＰＣ７００Ａ」１００ｍＬ／Ｌ＋奥野製薬工業製「ＯＰＣ７００Ｂ」１００ｍＬ／Ｌ）の入った容器に入れ３０℃、１０分間攪拌し銅メッキ処理した。純水及びメタノールにて超音波洗浄した後、プラスチック成形体凸部に厚み１０μｍの銅メッキ膜を形成した。また該メッキ膜は膜厚が均一であり、ふくれがなく、ピール試験においても実用上問題ない密着強度が得られていることを確認した。また配線に導通させた抵抗測定により低抵抗の配線が断線することなく形成されていることを確認した。隣接配線同士の絶縁性も良好であることを確認した。

図３に示される射出成形装置とその射出条件を用いて射出成形を行った。プラスチックとしてはガラス転移温度約１５０℃の脂環式オレフィン樹脂（日本ゼオン社製ゼオネックス４８０Ｒ）を用いた。本実施例では、図３の射出成形装置における混合槽３０４は、１２０℃、３０ＭＰａの雰囲気に維持した。可塑化シリンダー３２０の温度は２００℃とした。また、金型内を流れる温調回路内の媒体温度は１２０℃とした。有機金属錯体としては化合物（ｄ１）のパラジウムアセチルアセトナート（ｍ．ｐ．：１３２−２０５℃）を使用した。有機金属錯体の量は該溶融樹脂量に対して２質量％用いた。この条件により射出成形したプラスチック成形体を（Ｅ）とする。

実施例７の条件で化合物（ａ５）、ジ−μ−クロロビス（４−メトキシ−２，３−ジメチルブテニル）ジニッケル(II)｛ＦＡＢ−ＭＳ（＋）：４６３（Ｍ^＋＋１）｝を使用してプラスチック成形体（Ｆ）を射出成形した。

実施例７の条件で射出成形したプラスチック成形体（Ｅ）を無電解銅メッキ用水溶液（奥野製薬工業製「ＯＰＣ７００Ａ」１００ｍＬ／Ｌ＋奥野製薬工業製「ＯＰＣ７００Ｂ」１００ｍＬ／Ｌ）の入った容器に入れ３０℃、１０分間攪拌し銅メッキ処理した。純水及びメタノールにて超音波洗浄した後、プラスチック成形体凸部に厚み１０μｍの銅メッキ膜を形成した。また該メッキ膜は膜厚が均一であり、ふくれがなく、ピール試験においても実用上問題ない密着強度が得られていることを確認した。また配線に導通させた抵抗測定により低抵抗の配線が断線することなく形成されていることを確認した。隣接配線同士の絶縁性も良好であることを確認した。

実施例８の条件で射出成形したプラスチック成形体（Ｆ）を無電解銅メッキ用水溶液（奥野製薬工業製「ＯＰＣ７００Ａ」１００ｍＬ／Ｌ＋奥野製薬工業製「ＯＰＣ７００Ｂ」１００ｍＬ／Ｌ）の入った容器に入れ３０℃、１０分間攪拌し銅メッキ処理した。しかしながら、プラスチック成形体凸部にはメッキ膜が殆ど形成されていなかった。

図３に示される射出成形装置と、その射出条件を用いて射出成形を行った。プラスチックとしてはガラス転移温度約１５０℃の脂環式オレフィン樹脂（日本ゼオン社製ゼオネックス４８０Ｒ）を用いた。本実施例では、図３の射出成形装置における混合槽３０４は、１５０℃、１５ＭＰａの雰囲気に維持した。可塑化シリンダー３２０の温度は２００℃とした。また、金型内を流れる温調回路内の媒体温度は１５０℃とした。有機金属錯体としては化合物（ａ１）を使用した。有機金属錯体の量は該溶融樹脂量に対して１０質量％用いた。この条件により射出成形したプラスチック成形体を（Ｇ）とする。

実施例１１の条件で射出成形したプラスチック成形体（Ｇ）を無電解ニッケルメッキ用水溶液（日進化成製「ＮＰ７００」５０ｍＬ＋純水２００ｍＬ）の入った容器に入れ８５℃、１０分間攪拌しニッケルメッキ処理した。純水及びメタノールにて超音波洗浄した後、プラスチック成形体凸部に厚み１０μｍのニッケルメッキ膜を形成した。また該メッキ膜は膜厚が均一であり、ふくれがなく、ピール試験においても実用上問題ない密着強度が得られていることを確認した。

図３に示される射出成形装置において、ＣＯ_２だけからなる超臨界流体の代わりに、１０％のエントレーナー（エタノール）を混合したＣＯ_２からなる超臨界流体用い、かつその他は図３の射出成形装置の射出条件で射出成形を行った。プラスチックとしてはガラス転移温度約１５０℃の脂環式オレフィン樹脂（日本ゼオン社製ゼオネックス４８０Ｒ）を用いた。本実施例では、図３の射出成形装置における混合槽３０４は、１３０℃、１５ＭＰａの雰囲気に維持した。可塑化シリンダー３２０の温度は２００℃とした。また、金型内を流れる温調回路内の媒体温度は１３０℃とした。有機金属錯体としては化合物（ａ１）を使用した。有機金属錯体の量は該溶融樹脂量に対して１０質量％用いた。この条件により射出成形したプラスチック成形体を（Ｈ）とする。

実施例１３の条件で射出成形したプラスチック成形体（Ｈ）を無電解ニッケルメッキ用水溶液（日進化成製「ＮＰ７００」５０ｍＬ＋純水２００ｍＬ）の入った容器に入れ８５℃、１０分間攪拌しニッケルメッキ処理した。純水及びメタノールにて超音波洗浄した後、プラスチック成形体凸部に厚み１０μｍのニッケルメッキ膜を形成した。また該メッキ膜は膜厚が均一であり、ふくれがなく、ピール試験においても実用上問題ない密着強度が得られていることを確認した。

図３に示される射出成形装置と、その射出条件を用いて射出成形を行った。プラスチックとしてはアクリル樹脂（ポリメタクリル酸メチル）を用いた。本実施例では、図３の射出成形装置における混合槽３０４は、７０℃、２５ＭＰａの雰囲気に維持した。可塑化シリンダー３２０の温度は１２０℃とした。また、金型内を流れる温調回路内の媒体温度は７０℃とした。有機金属錯体としては化合物（ａ１）を使用した。有機金属錯体の量は該溶融樹脂量に対して１０質量％用いた。この条件により射出成形したプラスチック成形体を（Ｉ）とする。

実施例１５の条件で射出成形したプラスチック成形体（Ｉ）を無電解ニッケルメッキ用水溶液（日進化成製「ＮＰ７００」５０ｍＬ＋純水２００ｍＬ）の入った容器に入れ８５℃、１０分間攪拌しニッケルメッキ処理した。純水及びメタノールにて超音波洗浄した後、プラスチック成形体凸部に厚み１０μｍのニッケルメッキ膜を形成した。また該メッキ膜は膜厚が均一であり、ふくれがなく、ピール試験においても実用上問題ない密着強度が得られていることを確認した。

図３に示される射出成形装置と、その射出条件を用いて射出成形を行った。プラスチックとしてはアクリル樹脂（ポリメタクリル酸メチル）を用いた。本実施例では、図３の射出成形装置における混合槽３０４は、７０℃、２５ＭＰａの雰囲気に維持した。可塑化シリンダー３２０の温度は１８０℃とした。また、金型内を流れる温調回路内の媒体温度は７０℃とした。有機金属錯体としては化合物（ｃ１）、ニッケロセン（ｍ．ｐ．：１７１℃）を使用した。有機金属錯体の量は該溶融樹脂量に対して１０質量％用いた。この条件により射出成形したプラスチック成形体を（Ｊ）とする。

実施例１６の条件で射出成形したプラスチック成形体（Ｊ）を無電解ニッケルメッキ用水溶液（日進化成製「ＮＰ７００」５０ｍＬ＋純水２００ｍＬ）の入った容器に入れ８５℃、１０分間攪拌しニッケルメッキ処理した。純水及びメタノールにて超音波洗浄した後、プラスチック成形体凸部に厚み１０μｍのニッケルメッキ膜を形成した。また該メッキ膜は膜厚が均一であり、ふくれがなく、ピール試験においても実用上問題ない密着強度が得られていることを確認した。

実施例４の条件で化合物（ｂ３）、シクロオクタジエンジメチルニッケル｛ＦＡＢ−ＭＳ（＋）：１９８（Ｍ^＋＋１）｝を使用してプラスチック成形体（Ｋ）を射出成形した。

実施例１９の条件で射出成形したプラスチック成形体（Ｋ）を無電解ニッケルメッキ用水溶液（日進化成製「ＮＰ７００」５０ｍＬ＋純水２００ｍＬ）の入った容器に入れ８５℃、１０分間攪拌しニッケルメッキ処理した。しかしながら、プラスチック成形体凸部にはメッキ膜が殆ど形成されていなかった。

プラスチック成形体（Ａ）〜（Ｋ）に関して、Ｘ線光電子分光装置（ＸＰＳ）で測定することにより、各々の有機金属錯体が金属微粒子に還元された還元率（％）と、基板も含む全元素中の金属微粒子の定量値（at％）を求めた。測定結果を下記の表５及び表６に要約して示す。

前記の表５及び表６に示された結果から、還元率では、プラスチック成形体（Ａ）、（Ｂ）、（Ｆ）、（Ｇ）、（Ｈ）のようにゼオネックスのような非極性基板中では、化合物（ａ１）、（ａ２）、（ａ５）のような極性有機金属錯体化合物の還元率は低い。しかしながら、成形品（Ｃ）、（Ｄ）、（Ｋ）のように非極性基板中では、（ｂ１）、（ｂ２）、（ｂ３）のような非極性有機金属錯体化合物は還元されやすい。成形品（Ｉ）のように、アクリル樹脂のような極性基板中では（ａ１）のような極性有機金属錯体化合物の還元率は高く、成形品（Ｊ）のように、極性基板では、（ｃ１）のような非極性有機金属錯体化合物は還元されにくいことが理解できる。
また、メッキ処理の結果から、析出金属量が０．１at％以上あればＣｕメッキを行うことができ、Ｎｉメッキを行う場合には０．７at％以上の析出金属量が必要であることが理解できる。

プラスチック成形体（Ａ）、（Ｃ）及び（Ｉ）に対して無電解メッキにより鍍着したＣｕメッキ膜及びＮｉメッキ膜を、７Ｎの硝酸水溶液に浸漬したところ、メッキ膜は各プラスチック成形体から完全に剥離した。剥離した後のプラスチック成形体表面を前記Ｘ線光電子分光装置（ＸＰＳ）で分析した。結果を下記の表７に示す。

表７に示された結果から、７Ｎ硝酸水溶液への浸漬によるメッキ膜剥離の際に、プラスチック成形体表面に存在する金属微粒子の一部が失われ、金属量は減少するが、還元率は殆ど変動しないことが理解できる。

以上説明したきたように、本発明はプラスチック成形体の所望部分の表面に金属微粒子を存在させることにより、当該部分に無電解メッキを行い、電気配線パターンを形成することができるが、本発明はこのような無電解メッキによる導電性パターンの形成にのみ限定されるものではない。例えば、本発明は射出成形法のみでも十分に有益なプラスチック成形体を製造することができる。例えば、金属微粒子をプラスチック成形体表面に選択式に配向させることで、局所的に導電性を付与したり、磁力との密着性を高めたりすることができる。かかるプラスチック成形体を用いて、例えば、簡単にバイオチップの封止を行うことができる。つまり、流体の流路となる微細な凹凸を有したプラスチックをガラス基板等と貼り合わせ該ガラス基板裏面から磁力を発生させることでガラス基板と該プラスチック成形体を簡便に封止することが可能となる。

また、本発明の射出成形法では有機金属錯体化合物以外の化合物も使用することができる。例えば、有機金属錯体化合物の代わりに、ポリプロピレングリコールを用いることでポリエチレンテレフタレート等の疎水性プラスチック表面を選択式に親水化することができる。プラスチックで作製されたバイオッチップにおける流路の一部表面を任意な局所的な個所で親水化もしくは撥水化することによりチップ内における混合流体の層流状態をより高効率化することや、タンパク質を該個所にトラップすることにより分析等を行うことが可能となる。同様にフッ素化合物を用いることで選択的な撥水処理や屈折率の低減を図ることができる。

更に、本発明は、溶融熱可塑性樹脂を保圧・型締めなどによって圧縮した後で、キャビティの容積を増大させて溶融熱可塑性樹脂を発泡させる工程を更に有してもよい。これにより、プラスチック成形体表面の選択的改質を行うと同時に内部は微細発泡セルを形成することにより材料の低誘電化を図ることも可能となる。この場合、平均セル径が３０μｍ以下で発泡倍率が１．５倍以上の発泡状態が望ましい。これにより、プラスチック成形品を軽量にし、断熱効果を高め、かつ、剛性重量比の高めることができる。かかる成形品は、高周波電気回路用基板やＭＩＤ（Ｍｏｌｄ Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ Ｄｅｖｉｃｅ）、ミリ波アンテナ等の平面アンテナに好適である。

本発明のプラスチック成形品の一例の模式的部分概要断面図である。 超臨界流体を示す相図である。 本発明のプラスチック成形体を製造するために使用される射出成形装置の一例の概要構成図である。 図３に示される射出成形装置のＡ部の拡大図である。 従来のプラスチックの無電解メッキプロセスの一例の流れ図である。 従来のメッキ配線方法の一例の流れ図である。

符号の説明

１ 本発明のプラスチック成形品
３ プラスチック成形体
５ メッキ膜
７ 有機金属錯体化合物粒子
９ 金属微粒子
３０１ ＣＯ_２ボンベ
３０２ 超臨界流体発生装置
３０３ 混合槽
３０４ 有機金属錯体化合物貯蔵容器
３０５ キャビティ
３０６ 微細流路
３０７ エアーバルブ
３０８ 有機金属錯体化合物含有超臨界流体
３０９ 溝パターン
３１０ 凸部
３１２ 溶融熱可塑性樹脂
３１４ 固定金型
３１５ 可動金型
３１６ 有機金属錯体化合物含有超臨界流体供給流路
３１７ 熱可塑性樹脂供給ホッパー
３１８ バンドヒーター
３１９ スクリュー
３２０ 可塑化シリンダー
３２１ ノズル
３２２ 金型スプール

Claims (8)

1. プラスチック成形体であって、該プラスチック成形体の所望部分の表面及びその近傍付近に、有機金属錯体が還元されることにより生成された金属微粒子が０．１at％〜５at％の割合で存在していることを特徴とするプラスチック成形体。
2. 前記有機金属錯体が下記の一般式（１）〜（４）、
   

   

   (式中、Ｘ^１とＸ^２ は各々独立にハロゲン原子を表わし、Ｒ^１〜Ｒ^１０ は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基又はアルコキシアルキル基を表す。Ｒ^１〜Ｒ^１０のうち隣接する置換基同士が結合して環状を形成してもよい。Ｍはｎ価の金属イオンを表す。)、
   

   

   (式中、Ｒ^１とＲ^２は各々独立に水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を表し、Ｒ^３〜Ｒ^６は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基又はアルキル基を表す。Ｒ^３〜Ｒ^６のうち隣接する置換基同士が結合して環状を形成してもよい。Ｍはｎ価の金属イオンを表す。)、
   

   

   (式中、Ｒ^３〜Ｒ^６は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ニトロ基、アミノ基又はアルキル基を表し、Ｍはｎ価の金属イオンを表す。)及び、
   

   

   (式中、Ｒ^１〜Ｒ^６は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基又はアルキル基を表す。Ｒ^１〜Ｒ^３及びＲ^４〜Ｒ^６のうち隣接する置換基同士が結合して環状を形成してもよい。Ｍはｎ価の金属イオンを表す。)
   で示される化合物のうちの少なくとも一種類であることであることを特徴とする請求項１に記載のプラスチック成形品。
3. 請求項１に記載の金属微粒子を触媒核として形成されたメッキ層を更に有することを特徴とするプラスチック成形品。
4. 前記メッキ層は電気配線パターンを構成することを特徴とする請求項３に記載のプラスチック成形品。
5. プラスチック成形体の製造方法であって、
   (1)射出成形機の金型内に熱可塑性樹脂と、有機金属錯体化合物含有超臨界流体を注入するステップと、
   (2)これら成分類を射出成形することによりプラスチック成形体を得るステップとからなり、
   前記プラスチック成形体の所望部分の表面及びその近傍付近に、前記有機金属錯体が還元されることにより生成された金属微粒子が０．１at％〜５at％の割合で存在していることを特徴とするプラスチック成形体の製造方法。
6. プラスチック成形体の表面にめっき膜によるパターンが形成されているプラスチック成形品の製造方法であって、
   (1)射出成形機の金型内に熱可塑性樹脂と、超臨界流体に溶解させた有機金属錯体溶液を注入するステップと、
   (2)これら成分類を射出成形することによりプラスチック成形体を得るステップと、
   (3)前記プラスチック成形体の所望の表面に無電解メッキによりパターンを形成するステップとからなり、
   前記プラスチック成形体のメッキ膜を形成すべき表面及びその近傍付近に、前記有機金属錯体が還元されることにより生成された金属微粒子が０．１at％〜５at％の割合で存在していることを特徴とするプラスチック成形品の製造方法。
7. 前記有機金属錯体が下記の一般式（１）〜（４）、
   

   

   (式中、Ｘ^１とＸ^２ は各々独立にハロゲン原子を表わし、Ｒ^１〜Ｒ^１０ は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基又はアルコキシアルキル基を表す。Ｒ^１〜Ｒ^１０のうち隣接する置換基同士が結合して環状を形成してもよい。Ｍはｎ価の金属イオンを表す。)、
   

   

   (式中、Ｒ^１とＲ^２は各々独立に水素原子、ハロゲン原子又はアルキル基を表し、Ｒ^３〜Ｒ^６は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基又はアルキル基を表す。Ｒ^３〜Ｒ^６のうち隣接する置換基同士が結合して環状を形成してもよい。Ｍはｎ価の金属イオンを表す。)、
   

   

   (式中、Ｒ^３〜Ｒ^６は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基、カルボキシル基、ニトロ基、アミノ基又はアルキル基を表し、Ｍはｎ価の金属イオンを表す。)及び、
   

   

   (式中、Ｒ^１〜Ｒ^６は各々独立に水素原子、ハロゲン原子、ヒドロキシル基又はアルキル基を表す。Ｒ^１〜Ｒ^３及びＲ^４〜Ｒ^６のうち隣接する置換基同士が結合して環状を形成してもよい。Ｍはｎ価の金属イオンを表す。)
   で示される化合物のうちの少なくとも一種類であることであることを特徴とする請求項５又は６に記載の方法。
8. 前記めっき膜によるパターンは電気配線パターンであることを特徴とする請求項６に記載の方法。

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