JP2005136068A - 洗浄装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】 スループットを向上させることができる洗浄装置を提供する。
【解決手段】 被洗浄基板1を載置する載置台10と、載置台10を回転駆動させる載置台駆動手段と、載置台に載置された被洗浄基板1に、被洗浄基板1の中心から外側に向かって並んで擦接する複数の洗浄ブラシ62a〜62cと、複数の洗浄ブラシ62a〜62cそれぞれを回転駆動させるブラシ駆動手段とを具備する。複数の洗浄ブラシ62a〜62cは同一方向に回転するのが好ましい。複数の洗浄ブラシ62a〜62cは、直列に並んで被洗浄基板1に擦接しているが、その他、被洗浄基板1の径方向に沿って互い違いに並んで被洗浄基板1に擦接してもよい。
【選択図】 図1
【解決手段】 被洗浄基板1を載置する載置台10と、載置台10を回転駆動させる載置台駆動手段と、載置台に載置された被洗浄基板1に、被洗浄基板1の中心から外側に向かって並んで擦接する複数の洗浄ブラシ62a〜62cと、複数の洗浄ブラシ62a〜62cそれぞれを回転駆動させるブラシ駆動手段とを具備する。複数の洗浄ブラシ62a〜62cは同一方向に回転するのが好ましい。複数の洗浄ブラシ62a〜62cは、直列に並んで被洗浄基板1に擦接しているが、その他、被洗浄基板1の径方向に沿って互い違いに並んで被洗浄基板1に擦接してもよい。
【選択図】 図1
Description
本発明は、回転するブラシを洗浄面に押し当てて、表面付着物を洗浄する、洗浄装置及び半導体装置の製造方法に関する。特に本発明は、スループットを向上させることができる洗浄装置及び半導体装置の製造方法に関する。
図7(a)は、従来の洗浄装置を示す平面図であり、図7(b)は図7(a)に示す洗浄装置の側面図である。この洗浄装置は、半導体基板101を載置する載置台110を備えている。載置台110の上方にはノズル103の噴射口が、半導体基板101に洗浄水104を噴射するために配置されている。また載置台110の近傍には回転軸105が配置されており、この回転軸105にはアーム106の基端が組みつけられている。このアーム106の先端には回転駆動する円板107が組みつけられており、円板107の下面には洗浄ブラシ102が取り付けられている。
この洗浄装置は以下のように動作する。半導体基板101を例えば800rpmで回転させつつ、アーム106の先端の洗浄ブラシ102を半導体基板101の表面に軽く押し付ける。そしてノズル103から洗浄水104を噴射しながら、洗浄ブラシ102を半導体基板101の表面で回転させるとともに円板107を回転させる。またアーム106の先端をゆっくり半導体基板101の中心から外側に向けて移動させる。
このようにして半導体基板101の表面に付着しているパーティクルは洗浄装置によって中心側から外側に掃きだされる。
特開2000−296368号公報(第2段落乃至第5段落、図8(a)及び(b))
このようにして半導体基板101の表面に付着しているパーティクルは洗浄装置によって中心側から外側に掃きだされる。
上記した洗浄装置において半導体基板の全面を洗浄するためには、アーム106を半導体基板の中心から外側に向けて複数回移動させる必要があった。このため、洗浄装置のスループットを上げることが難しかった。
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、スループットを向上させることができる洗浄装置及び半導体装置の製造方法を提供することにある。
本発明は上記のような事情を考慮してなされたものであり、その目的は、スループットを向上させることができる洗浄装置及び半導体装置の製造方法を提供することにある。
上記課題を解決するため、本発明にかかる洗浄装置は、
被洗浄基板を載置する載置台と、
前記載置台を回転駆動させる載置台駆動手段と、
前記載置台に載置された被洗浄基板に、当該被洗浄基板の中心から外側に向かって並んで擦接する複数の洗浄ブラシと、
前記複数の洗浄ブラシそれぞれを回転駆動させるブラシ駆動手段と
を具備し、被洗浄基板の表面を洗浄する。
被洗浄基板を載置する載置台と、
前記載置台を回転駆動させる載置台駆動手段と、
前記載置台に載置された被洗浄基板に、当該被洗浄基板の中心から外側に向かって並んで擦接する複数の洗浄ブラシと、
前記複数の洗浄ブラシそれぞれを回転駆動させるブラシ駆動手段と
を具備し、被洗浄基板の表面を洗浄する。
この洗浄装置は洗浄ブラシを複数備える。これら複数の洗浄ブラシは、被洗浄基板の中心から外側に向かって該被洗浄基板に並んで擦接する。このため、一度に洗浄できる範囲は多くなるため、被洗浄基板を洗浄するために必要な時間は短くなる。したがって洗浄装置のスループットは向上する。
上記洗浄装置において、載置台に載置された被洗浄基板の上方に、当該被洗浄基板の表面に対して略平行または斜めに配置可能なアームをさらに具備し、複数の洗浄ブラシは、アームに沿って当該アームに取り付けられていてもよい。この場合、容易に複数の洗浄ブラシを被洗浄基板に擦接させることができる。
ここでブラシ駆動手段は、駆動力発生手段と、駆動力発生手段の駆動力をいずれかの洗浄ブラシに伝達する第1の動力伝達手段と、隣接する洗浄ブラシそれぞれの間で駆動力を伝達する第2の動力伝達手段とを具備してもよい。この場合ひとつの駆動力発生手段で複数の洗浄ブラシを駆動させることができるため、駆動力発生手段の数を減らすことにより洗浄装置のコストを低く抑えることができる。第2の動力伝達手段は、例えば複数の洗浄ブラシそれぞれに同軸に設けられたプーリーと、隣接するプーリーの間それぞれにかけまわされたベルトとを具備する。
ここでブラシ駆動手段は、駆動力発生手段と、駆動力発生手段の駆動力をいずれかの洗浄ブラシに伝達する第1の動力伝達手段と、隣接する洗浄ブラシそれぞれの間で駆動力を伝達する第2の動力伝達手段とを具備してもよい。この場合ひとつの駆動力発生手段で複数の洗浄ブラシを駆動させることができるため、駆動力発生手段の数を減らすことにより洗浄装置のコストを低く抑えることができる。第2の動力伝達手段は、例えば複数の洗浄ブラシそれぞれに同軸に設けられたプーリーと、隣接するプーリーの間それぞれにかけまわされたベルトとを具備する。
ブラシ駆動手段は、複数の洗浄ブラシそれぞれを同一方向に回転させるのが好ましい。この場合、洗浄ブラシを外側に向かって動かさなくても、複数の洗浄ブラシに沿って中心から外側に向かって移動する。
洗浄ブラシの平面形状は略円形であり、その直径は10mm以上40mm以下にするのが好ましい。また複数の洗浄ブラシは、直列に並んで被洗浄基板に擦接してもよいし、互い違いに並んで被洗浄基板に擦接し、隣接する洗浄ブラシは、互いに一部分が被洗浄基板の径方向において重なっていてもよい。また複数の洗浄ブラシは、被洗浄基板に、当該被洗浄基板の中心から縁に至るまで並んで擦接するのが好ましい。
洗浄ブラシの平面形状は略円形であり、その直径は10mm以上40mm以下にするのが好ましい。また複数の洗浄ブラシは、直列に並んで被洗浄基板に擦接してもよいし、互い違いに並んで被洗浄基板に擦接し、隣接する洗浄ブラシは、互いに一部分が被洗浄基板の径方向において重なっていてもよい。また複数の洗浄ブラシは、被洗浄基板に、当該被洗浄基板の中心から縁に至るまで並んで擦接するのが好ましい。
本発明に係る洗浄方法は、複数の洗浄ブラシを、載置台に載置された被洗浄基板の表面に、当該被洗浄基板の中心から外側に向かって並んで接触させ、前記載置台を回転させるとともに前記複数の洗浄ブラシそれぞれを回転させることにより、前記被洗浄基板を洗浄する工程を具備する。
この洗浄方法によれば、上記した洗浄装置と同様に、洗浄のスループットを上げることができる。ここで、複数の洗浄ブラシを被洗浄基板の中心から縁に至るまで接触させることにより、複数の洗浄ブラシを被洗浄基板の径方向にスライドさせることなく被洗浄基板の全面を洗浄するようにすると、特に洗浄のスループットを上げることができる。また複数の洗浄ブラシそれぞれを同一の方向に回転させるのが好ましい。
本発明に係る半導体装置の製造方法は、
基板の上に半導体素子を形成する工程と、
前記基板を載置台に載置する工程と、
複数の洗浄ブラシを、前記載置台に載置された前記基板の表面に、当該基板の中心から外側に向かって並んで接触させ、前記載置台を回転させるとともに前記複数の洗浄ブラシそれぞれを回転させることにより、前記基板を洗浄する工程と
を具備する。
基板の上に半導体素子を形成する工程と、
前記基板を載置台に載置する工程と、
複数の洗浄ブラシを、前記載置台に載置された前記基板の表面に、当該基板の中心から外側に向かって並んで接触させ、前記載置台を回転させるとともに前記複数の洗浄ブラシそれぞれを回転させることにより、前記基板を洗浄する工程と
を具備する。
この半導体装置の製造方法によれば、基板の洗浄に必要な時間が短くなるため、半導体装置の製造に必要な時間が短くなる。したがって半導体装置製造のスループットが向上する。
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。 図1(a)は本発明の第1の実施の形態にかかるスクラブ洗浄用の洗浄装置の構成を示す平面図であり、図1(b)は図1(a)に示した洗浄装置の動作時の状態を示す平面図である。図2は図1(b)の側面図である。
図1(a)及び図2に示すように、この洗浄装置は、被洗浄基板としての半導体基板1を載置する載置台10を備えている。載置台10はモーター12(図1(a)において図示せず)を動力源として回転する。載置台10の上方には、ノズル30の噴射口32が、半導体基板1に洗浄水を噴射するために設けられている。また載置台10の近傍には回転軸50及び回転軸50を回転させるモーター52(図1(a)において図示せず)が設けられている。回転軸50にはアーム60の基端が組みつけられている。アーム60は載置台10上の半導体基板1より高く、また図示しない機構によって上下に移動可能である。なお回転軸50とアーム60の接続部にはクラッチ機構又はストッパー(図示せず)が設けられており、アーム60が回転軸50とともに回転する状態と、回転軸50のみが空回りする状態とが切り替えられるようになっている。
アーム60の下面には、洗浄ブラシ62a,62b及び62cが、先端からアーム60に沿ってこの順に直列に取り付けられている。これら洗浄ブラシ62a,62b及び62cは、アーム60に沿う方向において、それぞれが洗浄可能な領域の間に隙間が生じないように取り付けられるのが好ましい。また洗浄ブラシ62a,62b及び62cそれぞれは、ブラシ駆動手段70(図1(a)において図示せず)によって同一方向に回転駆動する。洗浄ブラシ62a,62b及び62cの平面形状は略円形であり、その直径は10mm以上40mm以下であるのが好ましい。さらに好ましくは直径を15mm以上25mm以下であり、さらに好ましくは20mm前後である。
図3は図2の要部拡大図であり、ブラシ駆動手段70の構造を示している。ブラシ駆動手段70は以下の構成を備えている。すなわち洗浄ブラシ62aの回転軸64aにはプーリー74fが取り付けられており、洗浄ブラシ62bの回転軸64bにはプーリー74d及び74eが取り付けられており、洗浄ブラシ62cの回転軸64cにはプーリー74b及び74cが取り付けられている。また回転軸50にはプーリー74aが取り付けられている。そしてプーリー74a,74b間にはベルト76aがかけ回されており、プーリー74c,74d間にはベルト76bがかけ回されており、プーリー74e,74f間にはベルト76cがかけ回されている。また回転軸50を回転させるモーター52はブラシ駆動手段70の駆動力発生手段を兼ねている。
このような構成において、ブラシ駆動手段70は以下のように動作する。すなわちアーム60と回転軸50との間に設けられているクラッチ機構又はストッパーを、回転軸50が空回りする状態にする。この状態において、モーター52を駆動させ、回転軸50とともにプーリー74aを回転させる。するとベルト76aを介してプーリー74bに駆動力が伝達する。プーリー74bに駆動力が伝達すると回転軸64cが回転するため、洗浄ブラシ62c及びプーリー74cそれぞれも回転する。以下、プーリー74dには、ベルト76bを介してプーリー74cから駆動力が伝達し、回転軸64b、洗浄ブラシ62b、及びプーリー74eそれぞれを回転させる。またプーリー74eには、ベルト76cを介してプーリー74eから駆動力が伝達し、回転軸64a及び洗浄ブラシ62aそれぞれを回転させる。
このようにして、ブラシ駆動手段70は、洗浄ブラシ62a,62b及び62cそれぞれを同一方向に回転させる。
このようにして、ブラシ駆動手段70は、洗浄ブラシ62a,62b及び62cそれぞれを同一方向に回転させる。
次に、洗浄装置全体の動作を図1(b)及び図2を用いて説明する。洗浄装置が動作するとき、モーター12は載置台10を半導体基板1とともに例えば800rpmで回転させる。またモーター52は、アーム60が回転軸50とともに回転する状態において駆動し、アーム60を回転移動させ、図2に示すようにアーム60を、載置台10に載置された半導体基板1の上方に、該半導体基板1の表面に対して略平行に配置する。そしてアーム60が下降することにより、図2に示すように洗浄ブラシ62a,62b,及び62cは半導体基板1の表面に軽く押し付けられる。このとき洗浄ブラシ62a,62b及び62cは、半導体基板1の中心から縁に至るまで同時に押し付けられる。詳細にはアーム60の先端に取り付けられた洗浄ブラシ62aは半導体基板1の中心に押し付けられ、最もアーム60の基端に近い洗浄ブラシ62cは半導体基板1の縁を覆うように、又は縁近傍に押し付けられる。
次いで、回転軸50とアーム60の接続部に設けられたクラッチ機構又はストッパーを、回転軸50のみが回転する状態にする。そしてノズル30の噴射口32から洗浄水20を半導体基板1の表面に噴射するとともに、モーター52を駆動して洗浄ブラシ62a,62b及び62cそれぞれを同一方向に回転させる。このときの回転方向は、図1(b)に示すように半導体基板1の回転方向と同じであるのが好ましい。
するとパーティクルは、半導体基板1の表面のいずれの部分に付着していても、図1(b)の矢印Aに示すように、洗浄ブラシ62a,62b及び62cそれぞれの回転に伴って半導体基板1の中心から縁に向けて順次移動する。そして半導体基板1の回転に伴って生じる遠心力、及び洗浄ブラシ62cの回転力によって洗浄水とともに半導体基板1の縁から掃き出される。
するとパーティクルは、半導体基板1の表面のいずれの部分に付着していても、図1(b)の矢印Aに示すように、洗浄ブラシ62a,62b及び62cそれぞれの回転に伴って半導体基板1の中心から縁に向けて順次移動する。そして半導体基板1の回転に伴って生じる遠心力、及び洗浄ブラシ62cの回転力によって洗浄水とともに半導体基板1の縁から掃き出される。
このように、第1の実施形態にかかる洗浄装置によれば、アーム60に直列に取り付けられた洗浄ブラシ62a,62b及び62cが、半導体基板1の表面に、該半導体基板1の中心から縁に至るまで並んで擦接することにより、半導体基板1をスクラブ洗浄する。このため洗浄中にアーム60を半導体基板1の中心から外側に向けて回転移動させなくても、半導体基板1に付着しているパーティクルを半導体基板1の縁から掃き出すことができる。またアーム60を回転移動させなくても半導体基板1全面を洗浄することができる。したがって半導体基板1を洗浄するために必要な時間は短くなり、洗浄装置のスループットを上げることができる。
特に、本実施形態においては洗浄ブラシ62a,62b及び62cそれぞれが同一方向に回転しているため、効率よくパーティクルを外側に向けて移動させ、半導体基板1の縁から掃き出すことができる。
特に、本実施形態においては洗浄ブラシ62a,62b及び62cそれぞれが同一方向に回転しているため、効率よくパーティクルを外側に向けて移動させ、半導体基板1の縁から掃き出すことができる。
またベルト駆動手段70は複数のプーリー及び複数のベルトを備えており、モーター52のみで洗浄ブラシ62a,62b及び62cそれぞれを同一方向に回転させている。このためモーターの数を減らすことができる。
次に第2の実施の形態を、図4を用いて説明する。図4は第2の実施の形態にかかる洗浄装置の平面図であり、第1の実施の形態における図1(b)に相当する。本実施の形態において第1の実施の形態と同じ構成については同一の符号を付し、説明を省略する。
本実施の形態にかかる洗浄装置において、アーム60は、半導体基板1の上の部分で略く字側に折れ曲がっており、その折れ曲がっている部分に洗浄ブラシ62bが取り付けられている。またアーム60には、洗浄ブラシ62bより先端側に洗浄ブラシ62aが、洗浄ブラシ62bより基端側に洗浄ブラシ62cが、それぞれ洗浄ブラシ62bに近接して取り付けられている。なおアーム60の折れ曲がり角度は略直角でもよいし、鈍角でもよい。
このような構成において、洗浄ブラシ62a,62b及び62cは、半導体基板1に、該半導体基板1の径方向に沿って互い違い、かつ中心から縁に至るまで並んで擦接する。詳細には洗浄ブラシ62aは半導体基板1の中心に押し付けられ、洗浄ブラシ62cは半導体基板1の縁を覆うように押し付けられる。このとき洗浄ブラシ62a,62b及び62cは、互いに近接して設けられ、かつ半導体基板1の径方向に沿って互い違いに押し付けられるため、半導体基板1の径方向において一部分が互いに重なる。
このため、洗浄ブラシ62a,62b,及び62cは半導体基板1に、該半導体基板の径方向において隙間なく擦接することができる。したがって本実施の形態によれば第1の実施の形態と同様の効果を得るほか、確実に半導体基板1の全面を洗浄することができる。
なお洗浄ブラシ62a,62b及び62cは同一方向に回転するのが好ましい。さらに好ましくは半導体基板1と同一方向に回転するのが好ましい。
なお洗浄ブラシ62a,62b及び62cは同一方向に回転するのが好ましい。さらに好ましくは半導体基板1と同一方向に回転するのが好ましい。
次に第3の実施の形態にかかる半導体装置の製造方法を、図5及び図6を用いて説明する。図5は本実施の形態において製造される半導体装置の構成を示す断面図であり、図6は、図5に示した半導体装置の製造方法の一部を示すフローチャートである。
図5に示す半導体装置は、半導体素子としてMOSトランジスタを備えている。すなわちシリコン基板である半導体基板1の表面には素子分離膜2が形成されており、この素子分離膜2の相互間の素子領域には、ソース拡散層及びドレイン拡散層である2つの不純物層7が形成されている。不純物層7の間にはゲート電極4が形成されている。ゲート電極4はゲート酸化膜3の上に形成されており、側面にはサイドウォール5が形成されている。素子分離膜2、ゲート電極4、サイドウォール5及び不純物層7の上には層間絶縁膜8が形成されている。層間絶縁膜8には、ゲート電極4の上に位置するコンタクトホール8a、及び2つの不純物層7それぞれの上に位置するコンタクトホール8bが形成されている。コンタクトホール8aの上にはAl合金配線9aが形成されており、コンタクトホール8bの上にはAl合金配線9bが形成されている。Al合金配線9aは、コンタクトホール8aの中に埋め込まれているAl合金によってゲート電極4と接続している。またAl合金配線9bはコンタクトホール8bの中に埋め込まれているAl合金によって不純物層7と接続している。
この半導体装置は、例えば以下のように製造される。まず半導体基板1にLOCOS法により素子分離膜2を形成し、素子分離膜2の相互間の素子領域に熱酸化法によりゲート酸化膜3を形成する。次いで、このゲート酸化膜3の上を含む領域に、CVD法によりポリシリコン膜を堆積し、このポリシリコン膜をパターニングすることにより、ゲート酸化膜3の上にゲート電極4を形成する。次いで、このゲート電極4をマスクとして半導体基板1に不純物イオンをイオン注入する。次いで、ゲート電極4の側壁にサイドウォール5を形成し、このサイドウォール5及びゲート電極4をマスクとして不純物イオンをイオン注入し、所定の熱処理を施す。これにより、半導体基板1のLDD領域には低濃度拡散層6が形成され、半導体基板1のソース/ドレイン領域にはソース拡散層及びドレイン拡散層である不純物層7が形成される。
さらに層間絶縁膜8をCVD法により堆積する。層間絶縁膜8は、例えば酸化シリコン膜である。次いで、層間絶縁膜8にコンタクトホール8a及び8bを形成する。次いでこれらコンタクトホール及び層間絶縁膜8上にAl合金膜をスパッタリングにより堆積する。次いで、このAl合金膜上をパターニングすることにより、Al合金配線9aおよび9bを形成する。
ここで、図6を用いてポリシリコン膜をパターニングしてゲート電極4を形成する方法について説明する。ポリシリコン膜を半導体基板1の表面に形成した(S10)後、半導体基板1の表面をスクラブ洗浄する(S20)。このスクラブ洗浄は、第1の実施の形態又は第2の実施の形態に示した洗浄装置を用いて行われる。したがってスクラブ洗浄に必要な時間は短い。
次いでポリシリコン膜の上にフォトレジスト膜を塗布し(S30)、このフォトレジスト膜を露光(S40)、現像(S50)することにより、ポリシリコン膜上にレジストパターンを形成する。次いで、このレジストパターンをマスクとしてポリシリコン膜をエッチングすることにより、ゲート電極4を形成する(S60)。そしてレジストパターンを除去する(S70)。
また層間絶縁膜8にコンタクトホール8a及び8bを形成するとき、ならびにAl合金膜をパターニングしてAl合金配線9a及び9bを形成するときも、層間絶縁膜8又はAl合金膜を堆積した後、上記したS20〜S50に示した工程を行った後、このレジストパターンをマスクとしてエッチングを行ってもよい。この場合も、スクラブ洗浄(S20)において第1の実施の形態又は第2の実施の形態に示した洗浄装置が用いられる。
このように、本実施形態は、半導体装置の製造方法において第1又は第2の実施形態にかかる洗浄装置を用いているため、半導体基板1の洗浄に必要な時間は短い。したがって半導体装置の製造ラインのスループットを向上させることができる。
尚、本発明は上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施することが可能である。
例えば第1の実施の形態及び第2の実施の形態それぞれにおいて、洗浄ブラシの数は3つであったが、この数は、半導体基板の大きさ及び洗浄ブラシの大きさによって適宜変更可能である。また複数の洗浄ブラシそれぞれの回転方向は互い違いであってもよい。
例えば第1の実施の形態及び第2の実施の形態それぞれにおいて、洗浄ブラシの数は3つであったが、この数は、半導体基板の大きさ及び洗浄ブラシの大きさによって適宜変更可能である。また複数の洗浄ブラシそれぞれの回転方向は互い違いであってもよい。
また洗浄ブラシ62a〜62cが一度に擦接する範囲を、半導体基板1の中心から縁に至るまでにしたが、複数の洗浄ブラシが擦接する範囲を、半導体基板の半径より短い範囲としてもよい。この場合、複数の洗浄ブラシを、これら複数の洗浄ブラシが並んでいる方向に沿って動かすことにより半導体基板の全面を洗浄することができるが、洗浄ブラシを動かす距離を従来と比べて短くすることができる。したがって洗浄装置のスループットを上げることができる。
またモーター52の駆動力を洗浄ブラシ62cに伝達する手段としてプーリー74a,74b及びベルト76aを用いたが、これらの代わりに歯車機構を用いてもよい。同様に、隣接する洗浄ブラシ間で動力を伝達する手段としてプーリー74c〜74f、ならびにベルト76b及び76cを用いたが、これらの代わりに歯車機構を用いてもよい。
また本発明に係る洗浄装置は、CMP研磨後の半導体基板の洗浄に用いることも可能である。また半導体基板以外の基板の洗浄、例えば液晶表示装置用ガラス基板の洗浄や、プラズマディスプレイパネル用のガラス基板の洗浄に用いることも当然可能である。
また本発明に係る洗浄装置は、CMP研磨後の半導体基板の洗浄に用いることも可能である。また半導体基板以外の基板の洗浄、例えば液晶表示装置用ガラス基板の洗浄や、プラズマディスプレイパネル用のガラス基板の洗浄に用いることも当然可能である。
1,101…半導体基板、2…素子分離膜、3…ゲート酸化膜、4…ゲート電極、5…サイドウォール、6…低濃度拡散層、7…不純物層、8…層間絶縁膜、8a…コンタクトホール、9a,9b…Al合金配線、10,110…載置台、20,104…洗浄水、30,103…ノズル、32…噴射口、50,105…回転軸、52…モーター、60,106…アーム、62a〜62c,102…洗浄ブラシ、64a〜64c…回転軸、70…ブラシ駆動手段、74a〜74f…プーリー、76a〜76c…ベルト、107…円板
Claims (13)
- 被洗浄基板を載置する載置台と、
前記載置台を回転駆動させる載置台駆動手段と、
前記載置台に載置された被洗浄基板に、当該被洗浄基板の中心から外側に向かって並んで擦接する複数の洗浄ブラシと、
前記複数の洗浄ブラシそれぞれを回転駆動させるブラシ駆動手段と
を具備し、被洗浄基板の表面を洗浄する洗浄装置。 - 前記載置台に載置された被洗浄基板の上方に、当該被洗浄基板の表面に対して略平行または斜めに配置可能なアームをさらに具備し、
前記複数の洗浄ブラシは、前記アームに沿って当該アームに取り付けられている請求項1に記載の洗浄装置。 - 前記ブラシ駆動手段は、
駆動力発生手段と、
前記駆動力発生手段の駆動力をいずれかの前記洗浄ブラシに伝達する第1の動力伝達手段と、
隣接する前記洗浄ブラシそれぞれの間で駆動力を伝達する第2の動力伝達手段と
を具備する請求項1又は2に記載の洗浄装置。 - 前記第2の動力伝達手段は、
前記複数のブラシそれぞれに同軸に設けられたプーリーと、
隣接する前記プーリーの間それぞれにかけまわされたベルトと
を具備する請求項3に記載の洗浄装置。 - 前記ブラシ駆動手段は、前記複数の洗浄ブラシそれぞれを同一方向に回転させる請求項1〜4のいずれかに記載の洗浄装置。
- 前記洗浄ブラシの平面形状は略円形であり、その直径は10mm以上40mm以下である請求項1〜5のいずれかに記載の洗浄装置。
- 前記複数の洗浄ブラシは、直列に並んで被洗浄基板に擦接する請求項1〜6のいずれかに記載の洗浄装置。
- 前記複数の洗浄ブラシは、被洗浄基板の径方向に沿って互い違いに並んで被洗浄基板に擦接し、隣接する前記洗浄ブラシは、互いに一部分が被洗浄基板の径方向において重なっている請求項1〜6のいずれかに記載の洗浄装置。
- 前記複数の洗浄ブラシは、被洗浄基板に、当該被洗浄基板の中心から縁に至るまで並んで擦接する請求項1〜8のいずれかに記載の洗浄装置。
- 複数の洗浄ブラシを、載置台に載置された被洗浄基板の表面に、当該被洗浄基板の中心から外側に向かって並んで接触させ、前記載置台を回転させるとともに前記複数の洗浄ブラシそれぞれを回転させることにより、前記被洗浄基板を洗浄する工程を具備する半導体装置の製造方法。
- 前記複数の洗浄ブラシを、前記被洗浄基板の中心から縁に至るまで接触させることにより、前記複数の洗浄ブラシを前記被洗浄基板の径方向にスライドさせることなく前記被洗浄基板の全面を洗浄する請求項10に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記被洗浄基板を洗浄する工程において、前記複数の洗浄ブラシそれぞれを同一の方向に回転させる請求項10に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板の上に半導体素子を形成する工程と、
前記基板を載置台に載置する工程と、
複数の洗浄ブラシを、前記載置台に載置された前記基板の表面に、当該基板の中心から外側に向かって並んで接触させ、前記載置台を回転させるとともに前記複数の洗浄ブラシそれぞれを回転させることにより、前記基板を洗浄する工程と
を具備する半導体装置の製造方法。
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JP2003369069A JP2005136068A (ja) | 2003-10-29 | 2003-10-29 | 洗浄装置及び半導体装置の製造方法 |
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JP2003369069A Withdrawn JP2005136068A (ja) | 2003-10-29 | 2003-10-29 | 洗浄装置及び半導体装置の製造方法 |
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2003
- 2003-10-29 JP JP2003369069A patent/JP2005136068A/ja not_active Withdrawn
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