JP2005130092A - 電圧制御発振器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 奇数個の論理反転回路(INV1〜INV5)を直列接続し、最終段の論理反転回路の出力を初段の論理反転回路に帰還入力させることで発振機能を持たせたリングオシレータ(102)を構成する前記各論理反転回路の電源側ノードのそれぞれに、対応するドレイン接地のソースフォロワFET(P21〜P25)のソースを接続し、該ソースフォロアFETの各ゲートに安定化されたバイアス電圧を印加する。
【選択図】 図1
Description
また、電流バイアス回路101を構成するPMOSトランジスタP10とPMOSトランジスタP11〜P15とはゲートが共通接続され、NMOSトランジスタN10とNMOSトランジスタN11〜N15も同様に共通接続され、カレントミラーを構成している。
f∝(I/C)×(1/VDD)
のように表される(但し、バッファbufの遅延は無視できるものとする)。これからわかるように、発振周波数fはVDDに反比例する。従って、電源電圧VDDが変動すると、発振周波数fが変動することとなる。もちろん、出力電圧も変動してしまう。
また、本発明では、結果的に、各論理反転回路に対応してそれぞれに接続される電流源としてのFETを飽和領域で動作させるので、各論理反転回路側に所望の電流を供給することができる。
図1は、本発明の一実施の形態である電圧制御発振器の構成を示す回路図である。
なお、同図において、図4と共通する部分には同一の符号を用い、共通する構成についてはその説明を省略する。
Vb=VDD−VDsat−Vt
、となる電圧を用いる。
ただし、VDsat:同図に示すPchカレントソースFETの飽和ドレイン電圧(ピンチオフ電圧)、Vt:同図に示すPchソースフォロア(Pch source follower)FET(PMOSトランジスタP21〜P25)の閾値電圧である。
f∝(I/C)×(1/(Vb+Vt))
と表される。ここで、Vbは安定化されているので発振周波数fも安定し、リングオシレータ102は、電源電圧(VDD)の影響を受け難いものとなる。もちろん、出力電圧も安定化される。
同図に示す符号201は、セルフバイアス方式による定電流源回路であり、電源変動の影響を低減するのに有効な回路であることが知られている。この回路ではNMOSトランジスタのM2と、PMOSトランジスタのM3、M4が行うフィードバックにより、NMOSトランジスタのM1に抵抗R1と同じ電流(I)が流れ、この回路は(1)式を満たす動作点を有するものとなる。ただし、チャネル長変調効果と基板バイアス効果は無視されている(参考文献:P.R.グレイ,P.J.フルスト,S.H.レビス,R.G.メイヤー共著「システムLSIのためのアナログ集積回路設計技術・下巻」培風館、p.305−306)。
上記では、PchソースフォロアFET(PMOSトランジスタP21〜P25)に安定化されたバイアス電圧Vbを供給するバイアス回路としてセルフバイアス方式による定電流源回路を利用した回路を示したが、いわゆるバンドギャップリファレンス回路や、その他電源電圧の変動の影響を受け難いバイアス回路であればいずれでも用いることができる。
同図に示すように、従来構成による電源電圧と発振周波数のグラフ(同図に示すold)に対し、本実施の形態の構成による電源電圧と発振周波数のグラフ(同図に示すnew)の勾配はなだらかであり、電源電圧VDDの変動の影響を受け難いものとなっていることがわかる。
Claims (2)
- 奇数個の論理反転回路を直列接続し、最終段の論理反転回路の出力を初段の論理反転回路に帰還入力させることで発振機能を持たせたリングオシレータを構成する前記各論理反転回路の電源側ノードのそれぞれに、対応するドレイン接地のソースフォロワFETのソースを接続し、該ソースフォロアFETの各ゲートに安定化されたバイアス電圧を印加する
ことを特徴とする電圧制御発振器。 - 前記バイアス電圧は、前記各論理反転回路に対応してそれぞれに接続される電流源としてのFETを飽和領域で動作させる電圧を有する
ことを特徴とする請求項1に記載の電圧制御発振器。
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