JP2005122873A - 半導体記憶装置およびフラットパネル表示装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 二つのインバータがチェーン形態で接続されるラッチ回路を有するSRAMセルを含む半導体記憶装置が提供される。各インバータは電源にトランジスタ(S4,S5)を通じて接続され,SRAMセルにデータを書き込む時,上記トランジスタを遮断する。その結果,SRAMセルにデータを書き込む時,ラッチ回路の保持能力が弱くなって,データの衝突がなされることなく容易にデータをSRAMセルに書き込むことができる。
【選択図】 図3
Description
10 表示領域
20 データ駆動部
30 走査駆動部
40 フレームメモリ部
41 SRAMセル部
42 データ書き込み駆動部
43 書き込みデコーダ
44 ワードデコーダ
45 読み取りデコーダ
50 メモリ制御部
60 タイミング制御部
BIT,/BIT ビット線
/BIT1〜/BITm 反転ビット線
FLT 開放線
M1〜M4,M9〜M12,S1〜S5 トランジスタ
N1,N2 セルノード
READ 読み取り指令線
VDD 電源(または電源線)
WRITE 書き込み指令線
WORD ワード線
Claims (23)
- 出力端が第1ノードに接続される第1インバータと;
出力端が第2ノードに接続される第2インバータと;
第1データを伝達するためのビット線と前記第1ノードとの間に接続される第1スイッチと;
前記第1データのレベルを反転した第2データを伝達するための反転ビット線と前記第2ノードとの間に接続される第2スイッチと;
前記第1インバータと第1レベルの電圧を供給する第1電源との間,および,前記第2インバータと前記第1電源との間に接続される少なくとも一つの第3スイッチと;
を含み,
前記第1インバータの入力端が前記第2ノードに接続され,前記第2インバータの入力端が前記第1ノードに接続されることを特徴とする,半導体記憶装置。 - 前記半導体記憶装置の動作時間軸に対して,前記第1および第2スイッチが導通する期間と,前記第3スイッチが遮断する期間とが少なくとも一部重なることを特徴とする,請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記第1および第2スイッチが導通する期間は,前記第3スイッチが遮断する期間を含むことを特徴とする,請求項2に記載の半導体記憶装置。
- 前記第1インバータは,前記第3スイッチと前記第1ノードとの間に接続される第1導電型の第1トランジスタ,および,前記第1ノードと第2レベルの電圧を供給する第2電源との間に接続される第2導電型の第2トランジスタを含み,
前記第2インバータは,前記第3スイッチと前記第2ノードとの間に接続される前記第1導電型の第3トランジスタ,および,前記第2ノードと前記第2電源との間に接続される前記第2導電型の第4トランジスタを含み,
前記第1ノードが前記第3および第4トランジスタのゲートに接続され,前記第2ノードが前記第1および第2トランジスタのゲートに接続されることを特徴とする,請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体記憶装置。 - 前記第1レベルの電圧は,2値化信号におけるハイレベルの電圧であり,
前記第2レベルの電圧は,前記ハイレベルに対するローレベルの電圧であり,
前記第1導電型のトランジスタは,pチャンネルトランジスタであり,
前記第2導電型のトランジスタは,nチャンネルトランジスタであることを特徴とする,請求項4に記載の半導体記憶装置。 - 前記第1〜第4トランジスタは,基板上に形成される薄膜トランジスタであることを特徴とする,請求項4に記載の半導体記憶装置。
- 前記第1〜第3スイッチは,基板上に形成される薄膜トランジスタであることを特徴とする,請求項1〜3のいずれか一項に記載の半導体記憶装置。
- 出力端が第1ノードに接続され,入力端が第2ノードに接続される第1インバータと;
出力端が前記第2ノードに接続され,入力端が前記第1ノードに接続される第2インバータと;
前記第1および第2インバータに第1電圧を供給する第1電源線と;
前記第1および第2インバータに第2電圧を供給する第2電源線と;
を含み,
前記第1および第2ノードに所定電圧のデータが印加されたとき,前記第1電源線と,前記第1および第2インバータとが電気的に遮断されることを特徴とする,半導体記憶装置。 - 前記第1電源線と前記第1インバータとの間に接続される第4スイッチ,および,前記第1電源線と前記第2インバータとの間に接続される第5スイッチとをさらに含み,
前記第1および第2ノードに前記データが印加されたとき,前記第1および第2スイッチが遮断することを特徴とする,請求項8に記載の半導体記憶装置。 - 前記第1電源線と前記第1インバータとの間,および,前記第1電源線と前記第2インバータとの間に接続される第3スイッチをさらに含み,
前記第1および第2ノードに前記データが印加されたとき,前記第1スイッチが遮断することを特徴とする,請求項8に記載の半導体記憶装置。 - 前記第1インバータは,前記第1電源線と前記第1ノードとの間に接続される第1導電型の第1トランジスタ,および,前記第1ノードと前記第2電源線との間に接続される第2導電型の第2トランジスタを含み,
前記第2インバータは,前記第1電源線と前記第2ノードとの間に接続される前記第1導電型の第3トランジスタ,および,前記第2ノードと前記第2電源線との間に接続される前記第2導電型の第4トランジスタを含み,
前記第1ノードが前記第3および第4トランジスタのゲートに接続され,前記第2ノードが前記第1および第2トランジスタのゲートに接続されることを特徴とする,請求項8に記載の半導体記憶装置。 - 前記第1インバータは,前記第4スイッチと前記第1ノードとの間に接続される第1導電型の第1トランジスタ,および,前記第1ノードと前記第2電源線との間に接続される第2導電型の第2トランジスタを含み,
前記第2インバータは,前記第5スイッチと前記第2ノードとの間に接続される前記第1導電型の第3トランジスタ,および,前記第2ノードと前記第2電源線との間に接続される前記第2導電型の第4トランジスタを含み,
前記第1ノードが前記第3および第4トランジスタのゲートに接続され,前記第2ノードが前記第1および第2トランジスタのゲートに接続されることを特徴とする,請求項9に記載の半導体記憶装置。 - 前記第1インバータは,前記第3スイッチと前記第1ノードとの間に接続される第1導電型の第1トランジスタ,および,前記第1ノードと前記第2電源線との間に接続される第2導電型の第2トランジスタを含み,
前記第2インバータは,前記第3スイッチと前記第2ノードとの間に接続される前記第1導電型の第3トランジスタ,および,前記第2ノードと前記第2電源線との間に接続される前記第2導電型の第4トランジスタを含み,
前記第1ノードが前記第3および第4トランジスタのゲートに接続され,前記第2ノードが前記第1および第2トランジスタのゲートに接続されることを特徴とする,請求項10に記載の半導体記憶装置。 - 前記第1〜第4トランジスタは,薄膜トランジスタであることを特徴とする,請求項11〜13のいずれか一項に記載の半導体記憶装置。
- 絶縁基板上に列方向に配される複数のデータ線と,行方向に配される複数の走査線とを含み,画面に画像を表示する表示領域と;
前記絶縁基板上に形成され,前記複数のデータ線に対して画像を示すデータ信号を伝達するデータ駆動部と;
前記絶縁基板上に形成され,前記データ信号に対応するデジタル信号を一時保存して前記データ駆動部に出力するフレームメモリ部と;
前記絶縁基板上に形成され,前記複数の走査線に対して選択信号を伝達する走査駆動部と;
を含み,
前記フレームメモリ部は,
列方向に延び,前記デジタル信号を伝達する複数の第1信号線と,
列方向に延び,前記第1信号線に印加される前記デジタル信号のレベル反転信号を伝達する複数の第2信号線と,
行方向に延び,前記選択信号を伝達する複数の第3信号線と,
前記第1〜第3信号線に接続され,格子状に配列された複数のSRAMセルと,
を含み,
前記SRAMセルは,前記第3信号線に印加される選択信号によって選択され,かつ前記第1信号線からデジタル信号を受信する時,第1電圧を供給する第1電源と電気的に遮断されることを特徴とする,フラットパネル表示装置。 - 前記SRAMセルは,
出力端が第1スイッチを通じて前記第1信号線に接続され,入力端が第2スイッチを通じて前記第2信号線に接続される第1インバータと;
出力端が前記第1インバータの入力端に接続され,入力端が前記第1インバータの出力端に接続される第2インバータと;
前記第1インバータの第1端と前記第1電源との間,および,前記第2インバータの第1端と前記第1電源との間に接続される少なくとも一つの第3スイッチと;
を含み,
前記第1および第2スイッチの切替入力は前記第3信号線に接続され,
前記第1インバータの第2端と前記第2インバータの第2端は,第2電圧を供給する第2電源に接続され,
前記第1および第2スイッチが導通し,前記第1および第2信号線を通じて前記デジタル信号および反転したデジタル信号が印加されたとき,前記第3スイッチが遮断することを特徴とする,請求項15に記載のフラットパネル表示装置。 - 前記第1〜第3スイッチは,前記絶縁基板上に形成される薄膜トランジスタであり,
前記第1および第2スイッチの切替入力は,ゲートであることを特徴とする,請求項16に記載のフラットパネル表示装置。 - 前記第1インバータは,前記第1端と前記第1インバータの出力端との間に接続される第1導電型の第1トランジスタ,および,前記第1インバータの出力端と前記第2端との間に接続される第2導電型の第2トランジスタを含み,
前記第2インバータは,前記第1端と前記第2インバータの出力端との間に接続される前記第1導電型の第3トランジスタおよび前記第2インバータの出力端と前記第2端との間に接続される前記第2導電型の第4トランジスタを含み,
前記第1および第2トランジスタのゲートは前記第1インバータの入力端に接続され,前記第3および第4トランジスタのゲートは前記第2インバータの入力端に接続されることを特徴とする,請求項16に記載のフラットパネル表示装置。 - 前記第1〜第4トランジスタは,前記絶縁基板上に形成される薄膜トランジスタであることを特徴とする,請求項18に記載のフラットパネル表示装置。
- 前記薄膜トランジスタは,多結晶シリコンからなる半導体層をチャンネル領域として有することを特徴とする,請求項17または19に記載のフラットパネル表示装置。
- 前記フレームメモリ部は,行方向に配される複数の第4信号線を含み,
前記第4信号線は前記SRAMセルの第3スイッチとしてのトランジスタのゲートに接続されることを特徴とする,請求項16に記載のフラットパネル表示装置。 - 前記少なくとも一つの第3スイッチは,前記第1インバータの第1端と前記第1電源との間に接続される第4スイッチ,および,前記第2インバータの第1端と前記第1電源との間に接続される第5スイッチを含み,
前記第4スイッチおよび第5スイッチはトランジスタであることを特徴とする,請求項16に記載のフラットパネル表示装置。 - 前記フレームメモリ部は,行方向に配される複数の第4信号線を含み,
前記第4信号線は前記SRAMセルの第4スイッチおよび第5スイッチのゲートに接続されることを特徴とする,請求項22に記載のフラットパネル表示装置。
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