JP2005116090A - Thin-film magnetic head, magnetic recording device using the same, and manufacturing method thereof - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、薄膜磁気ヘッド、これを用いた磁気記録装置及びその製造方法に関し、更に詳しくは、薄膜磁気ヘッドに備えられた書き込み素子の改良に係る。 The present invention relates to a thin film magnetic head, a magnetic recording apparatus using the same, and a method for manufacturing the same, and more particularly to improvement of a write element provided in the thin film magnetic head.
近年、ハードディスク装置の面密度の向上に伴って、薄膜磁気ヘッドの性能向上が求められている。薄膜磁気ヘッドの性能向上は、2つの側面から達成しなければならない。一つは読み取り素子の性能の向上であり、もう一つは書き込み素子の性能の向上である。 In recent years, with improvement in the surface density of hard disk devices, there has been a demand for improved performance of thin film magnetic heads. The performance improvement of the thin film magnetic head must be achieved from two aspects. One is to improve the performance of the read element, and the other is to improve the performance of the write element.
読み取り素子の性能は、スピンバルブ膜(SV膜)または強磁性トンネル接合を用いたGMR(Giant Magnetoresistive)ヘッドの開発及び実用化により、著しく向上した。最近では、面密度100(Gb/p)を超える勢いである。 The performance of the reading element has been remarkably improved by the development and practical application of a GMR (Giant Magnetoresistive) head using a spin valve film (SV film) or a ferromagnetic tunnel junction. Recently, the momentum is over 100 (Gb / p).
一方、書き込み素子の性能向上に関しては、次に述べるような種々の解決すべき問題がある。
まず、薄膜磁気ヘッドは、コンピュータにおける磁気記録装置の構成要素として用いられるものであるから、高周波特性に優れ、高速データ転送に適合するものであることが要求される。薄膜磁気ヘッドの高周波特性は、書き込み素子を構成するヨーク部、及び、コイルの構造に密接に関連する。この様な観点から、従来より種々の先行技術が提案されている。
On the other hand, there are various problems to be solved for improving the performance of the writing element as described below.
First, since a thin film magnetic head is used as a component of a magnetic recording device in a computer, it is required to have excellent high frequency characteristics and be compatible with high speed data transfer. The high-frequency characteristics of the thin film magnetic head are closely related to the structure of the yoke portion and the coil constituting the writing element. From this point of view, various prior arts have been proposed.
例えば、U.S.P.6,043,959号明細書は、第2のヨーク部(上部ヨーク部)を平面状に形成して、コイルの相互誘導インダクタンスを低減させ、高周波特性を改善する技術を開示している。U.S.P.6,259,583 B1号明細書は、第2のヨーク部を、高透磁率で低異方性の層と、非磁性層とを交互に積層して、平面状に形成する構造を開示している。 For example, U.S.P.6,043,959 discloses a technique in which the second yoke portion (upper yoke portion) is formed in a planar shape to reduce the mutual induction inductance of the coil and improve the high frequency characteristics. US Pat. No. 6,259,583 B1 discloses a structure in which the second yoke portion is formed in a planar shape by alternately laminating high permeability and low anisotropy layers and nonmagnetic layers.
上述した先行技術に示されているような平面形状のポール構造は、フォトリソグラフィによって画定されたものであり、記録密度を高めるためには、さらに、半導体加工技術を適用して、ポール部にサブミクロン加工を施し、狭トラック構造を実現しなければならない。しかし、このサブミクロン加工には、次に述べるような問題が付きまとう。 The planar pole structure as shown in the above-mentioned prior art is defined by photolithography, and in order to increase the recording density, a semiconductor processing technique is further applied to the pole portion. A narrow track structure must be realized by micron processing. However, this submicron processing has the following problems.
まず、ポール部の構造が狭トラック構造になればなるほど、ポール部が磁気飽和を起こしやすくなり、書き込み能力が低下する。そこで、ポール部に飽和磁束密度の高い磁性材料(以下、HiBs材と称する)を用いることが必要になる。 First, as the pole portion has a narrow track structure, the pole portion is more likely to be magnetically saturated and the writing ability is lowered. Therefore, it is necessary to use a magnetic material having a high saturation magnetic flux density (hereinafter referred to as HiBs material) for the pole portion.
HiBs材としては、FeN、CoFeN、NiFe、CoNiFeなどが知られている。このうち、FeN、CoFeNなどは、たとえば、2.4Tの高い飽和磁束密度を示すが、メッキによるパターン化が困難であり、スパッタによって成膜した後、イオンミリングでパターン化する必要がある。しかし、0.2μm以上の厚い膜厚を有するスパッタ膜の場合、フォトレジストで構成されるマスク、又は、上部ポールを構成する磁性膜によって構成されるマスクの関係から、0.2μm以下のトラック幅を、精度良くコントロールすることが非常に困難であった。 As the HiBs material, FeN, CoFeN, NiFe, CoNiFe and the like are known. Among these, FeN, CoFeN, and the like exhibit a high saturation magnetic flux density of 2.4 T, for example, but are difficult to be patterned by plating, and need to be patterned by ion milling after being formed by sputtering. However, in the case of a sputtered film having a thick film thickness of 0.2 μm or more, a track width of 0.2 μm or less due to a mask made of a photoresist or a mask made of a magnetic film forming an upper pole. It was very difficult to accurately control the above.
一方、NiFe、CoNiFeなどは、メッキにより、容易にパターン化できる。また、NiFeの場合、NiとFeとの組成比について、Feの比率を大きくすることにより、1.5T〜1.6Tの飽和磁束密度が得られる。しかも、組成比のコントロールも容易である。 On the other hand, NiFe, CoNiFe, etc. can be easily patterned by plating. In the case of NiFe, a saturation magnetic flux density of 1.5T to 1.6T can be obtained by increasing the ratio of Fe with respect to the composition ratio of Ni and Fe. Moreover, it is easy to control the composition ratio.
しかし、80〜100(Gb/p)の面密度になると、トラック幅が0.1〜0.2μmの微小値になり、それに伴って、2.3〜2.4Tの高飽和磁束密度が要求されることになり、NiFeでは、この要求を満たすことができない。メッキ法では、CoNiFeが有力であるが、その飽和磁束密度は1.8T程度であり、トラック幅が0.1〜0.2μmの微小値になった場合に必要な2.3〜2.4Tの高飽和磁束密度を満たすことができない。 However, when the surface density is 80 to 100 (Gb / p), the track width becomes a minute value of 0.1 to 0.2 μm, and accordingly, a high saturation magnetic flux density of 2.3 to 2.4 T is required. As a result, NiFe cannot satisfy this requirement. In the plating method, CoNiFe is effective, but the saturation magnetic flux density is about 1.8 T, and 2.3 to 2.4 T required when the track width becomes a minute value of 0.1 to 0.2 μm. The high saturation magnetic flux density cannot be satisfied.
そこで、従来は、メッキ下地膜となるSeed膜に、例えば、飽和磁束密度2.4TのCoFeをスパッタ膜として形成し、その上に、飽和磁束密度2.3TのCoNiFeをメッキするのが一般的であった。 Therefore, conventionally, for example, it has been common to form CoFe having a saturation magnetic flux density of 2.4 T as a sputtered film on a seed film that serves as a plating base film, and then plating CoNiFe having a saturation magnetic flux density of 2.3 T thereon. Met.
上述した手法によって、例えば、上部ポールを作成した場合、ポールを、目標の狭トラック幅にするためには、上部ポールの下に存在するSeed膜を、上部ポールをマスクとして、Ion Beamなどによってトリミングしなければならない。 For example, when the upper pole is created by the above-described method, in order to make the pole a target narrow track width, the seed film existing under the upper pole is trimmed by using the upper pole as a mask by Ion Beam or the like. Must.
ところが、Seed膜は、例えばCoFeのスパッタ膜であり、Ion Beamによるトリミングが非常に困難である。このため、上部ポールをマスクにして、下部ポールをトリミングする場合に、上部ポールの膜減りが大きくなり、例えば、3〜3.5μmのメッキ膜として形成された上部ポールが、例えば、1.0μmの膜厚まで薄くなってしまう。上部ポールが、このような薄い膜厚になると、書き込み時に、上部ポールで磁気飽和を起こし、オーバライト特性が著しく劣化してしまう。 However, the Seed film is, for example, a CoFe sputtered film and is very difficult to trim by Ion Beam. For this reason, when trimming the lower pole using the upper pole as a mask, the film thickness of the upper pole is increased. For example, the upper pole formed as a plating film of 3 to 3.5 μm is, for example, 1.0 μm. The film thickness will be too thin. When the upper pole has such a thin film thickness, magnetic saturation occurs in the upper pole at the time of writing, and the overwrite characteristic is remarkably deteriorated.
また、イオン.ミリングによって、上部ポールの幅を0.1〜0.2μmの微小幅にトリミングする必要があるため、Ion Beamを広い角度で照射する必要があり、上部ポールの先端に向かうほどトリミング量が多くなり、上部ポールが三角形状、又は、台形状になってしまう。このため、上部ポールの体積が小さくなり、磁気飽和を一層生じやすくなる。 Ion. Since it is necessary to trim the upper pole to a small width of 0.1 to 0.2 μm by milling, it is necessary to irradiate the Ion Beam at a wide angle, and the amount of trimming increases toward the tip of the upper pole. The upper pole becomes triangular or trapezoidal. For this reason, the volume of the upper pole is reduced, and magnetic saturation is more likely to occur.
次に、ポールのトリミングに当たって、従来は、上部ヨーク部の形状に沿って、コイル部分を覆うようにトリミング.マスクを設け、上部ヨーク部及び上部ポールを、マスクで覆うことはしなかった。その理由は、上部ヨーク部及びそれに連なる上部ポールの全体をトリミング.マスクで覆うと、マスクパターンのエッジでサイドウオールが発生し、ポールに付着したサイドウオールによって、サイドライトやサイドイレーズなどを生じてしまうと考えられていたからである。 Next, when trimming the pole, conventionally, trimming was performed so as to cover the coil part along the shape of the upper yoke part. A mask was provided, and the upper yoke part and the upper pole were not covered with the mask. The reason is trimming the upper yoke part and the entire upper pole. This is because if it is covered with a mask, a side wall is generated at the edge of the mask pattern, and the side wall attached to the pole is considered to cause a side light or a side erase.
さらに、従来は、上部ヨーク部を、マスクで覆っていなかったために、上部ポールから上部ヨーク部の広い部分にかけて、次第に幅が増大するフレア部が、Ion Beamによってトリミングされ、幅の拡大を開始するフレア.ポイントが、空気ベアリング面(以下ABSと称する)から後退してしまう。これも、磁気ボリュームを減少させ、オーバライト特性を劣化させる。 Further, conventionally, since the upper yoke portion was not covered with a mask, the flare portion, which gradually increases in width from the upper pole to the wide portion of the upper yoke portion, is trimmed by the Ion Beam, and the expansion of the width starts. Flare. The point retracts from the air bearing surface (hereinafter referred to as ABS). This also reduces the magnetic volume and degrades the overwrite characteristics.
一般に、フレア部のフレアポイントが、ABSに近いほど、優れたオーバライト特性が得られる。トラック幅が0.2μm以下に狭小化された場合は、特に、フレアポイントをABSに近づけなければならない。従来のトリミング方法では、上述した理由から、フレアポイントが後退するほか、次の理由によっても、フレアポイントが後退する。 In general, the closer the flare point of the flare portion is to ABS, the better the overwrite characteristics. In particular, when the track width is narrowed to 0.2 μm or less, the flare point must be close to the ABS. In the conventional trimming method, the flare point moves backward for the reasons described above, and the flare point moves backward for the following reason.
すなわち、従来は、上部ヨーク部の形状に沿って、コイル部分を覆うようにトリミング.マスクを設け、上部ヨーク部及び上部ポールを、マスクで覆うことはしなかったから、Ion Beamで下部ポールをトリミングした場合、それによって飛散した金属粒子が、上部ポールの側壁面に再付着する。所定のトラック幅を得るためには、この再付着膜は除去しなければならない。再付着膜の除去にあたっては、50〜75度の広い角度で、Ion Beamを照射しなければない。この広い角度のIon Beamの照射は、上部ポールを更に細らせる。しかも、ポールが、フレアポイントからABSに向かって、幅が次第に縮小するテーパ角を持つようになり、ABSで見たトラック幅が個々の薄膜磁気ヘッドで変動してしまうという問題を生じる。 That is, the conventional trimming is performed so as to cover the coil portion along the shape of the upper yoke portion. Since the mask was provided and the upper yoke portion and the upper pole were not covered with the mask, when the lower pole was trimmed with Ion Beam, the scattered metal particles reattached to the side wall surface of the upper pole. In order to obtain a predetermined track width, this redeposition film must be removed. In removing the reattachment film, the ion beam must be irradiated at a wide angle of 50 to 75 degrees. This wide-angle Ion Beam irradiation further narrows the upper pole. In addition, the pole has a taper angle in which the width gradually decreases from the flare point toward the ABS, and there arises a problem that the track width as viewed by the ABS varies with each thin film magnetic head.
また、平面形状のポール構造に半導体加工技術を適用して、ポール部にサブミクロン加工を施し、狭トラック構造が実現されたとしても、ポール部からヨーク部に向かって幅の広がるフレア部の表面が、ポール部の表面とヨーク部の表面と同一平面を構成するため、書き込み動作時に、フレア部のサイドから漏洩する磁束によって、磁気記録媒体上の隣のトラックの磁気記録が消去(サイドイレーズ)され、又は、隣のトラックに磁気記録がなされる(サイドライト)などの問題を生じる。このため、0.2μm以下の正確なトラックコントロールが困難であり、100(Gb/p)以上の高記録面密度を実現することができない。 In addition, even if a narrow track structure is realized by applying semiconductor processing technology to the pole structure with a flat shape and applying a sub-micron process to the pole part, the surface of the flare part that widens from the pole part toward the yoke part However, since the surface of the pole part and the surface of the yoke part are formed on the same plane, the magnetic recording of the adjacent track on the magnetic recording medium is erased by the magnetic flux leaking from the side of the flare part during the write operation (side erase). Or a problem arises in that magnetic recording is performed on the adjacent track (side light). For this reason, accurate track control of 0.2 μm or less is difficult, and a high recording surface density of 100 (Gb / p) or more cannot be realized.
次に、この種の薄膜磁気ヘッドでは、バックギャップからポール部までのヨーク長YLが短いほど、優れた高周波特性が得られることが知られている。ヨーク長を短くするには、バックギャップからポール部までの間に配置されるコイルのターン数を減少させるか、又はターン数を減少させずに、コイル幅を小さくしなければならない。 Next, in this type of thin film magnetic head, it is known that the superior high frequency characteristics can be obtained as the yoke length YL from the back gap to the pole portion is shorter. In order to shorten the yoke length, the number of turns of the coil arranged between the back gap and the pole portion must be reduced, or the coil width must be reduced without reducing the number of turns.
しかし、コイルのターン数は、要求される起磁力によって定まるため、コイルターン数を減少させることによって、ヨーク長YLを短くすることには限界がある。 However, since the number of turns of the coil is determined by the required magnetomotive force, there is a limit to shortening the yoke length YL by reducing the number of coil turns.
一方、ターン数を減少させずに、コイル幅を小さくした場合は、コイルの電気抵抗が増え、書き込み動作時に発熱温度が上昇する。発熱温度が上昇すると、ポール部が熱膨張し、ポール部がABSに盛り上がるサーマルプロトリュージョンを発生する。サーマルプロトリュージョンが発生すると、書き込み及び読み取り動作時に、サーマルプロトリュージョンを生じた部分が磁気記録媒体に接触し、ヘッドクラッシュ又は磁気記録媒体上の磁気記録の損傷若しくは破壊を招くから、厳に回避しなければならない。サーマルプロトリュージョンの回避が不可能であれば、結局は、薄膜磁気ヘッドの浮上量を増大させなければならず、そうすると、高記録密度のための低浮上量化の要求に応えることができなくなる。
本発明の課題は、100(Gb/p)以上の高記録面密度に対応できる高記録面密度対応型の薄膜磁気ヘッド及び磁気記録装置を提供することである。 An object of the present invention is to provide a high recording surface density compatible thin film magnetic head and magnetic recording apparatus that can handle a high recording surface density of 100 (Gb / p) or higher.
本発明のもう一つの課題は、狭トラック幅でありながら、充分なオーバライト特性を確保し得る高記録面密度対応型の薄膜磁気ヘッド及び磁気記録装置を提供することである。 Another object of the present invention is to provide a high recording surface density compatible thin film magnetic head and magnetic recording apparatus capable of ensuring sufficient overwrite characteristics while having a narrow track width.
本発明の更にもう一つの課題は、ポールが、2.2〜2.4(T)の高飽和磁束密度材料(HiBs材料と称する)を含み、0.1〜0.2μmのトラック幅を有する高記録面密度対応型の薄膜磁気ヘッド及び磁気記録装置を提供することである。 Yet another object of the present invention is that the pole includes a high saturation magnetic flux density material (referred to as HiBs material) of 2.2 to 2.4 (T) and has a track width of 0.1 to 0.2 μm. It is an object to provide a thin film magnetic head and a magnetic recording apparatus compatible with a high recording surface density.
本発明の更にもう一つの課題は、ヨーク長を短くし、高周波特性を改善した高周波対応型の薄膜磁気ヘッド及び磁気記録装置を提供することである。 Still another object of the present invention is to provide a high frequency compatible thin film magnetic head and a magnetic recording apparatus in which the yoke length is shortened and the high frequency characteristics are improved.
本発明の更にもう一つの課題は、ヨーク長が5.5μm以下のヨーク長を持つ高周波対応型の薄膜磁気ヘッド及び磁気記録装置を提供することである。 Still another object of the present invention is to provide a high-frequency compatible thin film magnetic head and a magnetic recording apparatus having a yoke length of 5.5 μm or less.
本発明の更にもう一つの課題は、コイルターン数を維持したままで、コイル抵抗値を下げ、発熱量を低減した薄膜磁気ヘッド及び磁気記録装置を提供することである。 Still another object of the present invention is to provide a thin film magnetic head and a magnetic recording apparatus in which the coil resistance value is reduced and the heat generation amount is reduced while maintaining the number of coil turns.
本発明の更にもう一つの課題は、上述した薄膜磁気ヘッドを製造するのに適した製造方法を提供することである。 Still another object of the present invention is to provide a manufacturing method suitable for manufacturing the above-described thin film magnetic head.
上述した課題を解決するため、本発明に係る薄膜磁気ヘッドでは、書き込み素子に含まれる第2のヨーク部(上部ヨーク部)が、広い部分と、細い部分とを含む。前記広い部分は、表面が平坦で、前記媒体対向面を基準にして後方側のバックギャップ部により、前記第1のヨーク部と結合されている。これにより、第1のヨーク部、バックギャップ部、第2のヨーク部及び書き込みギャップ膜をめぐる書き込み磁気回路が構成される。 In order to solve the above-described problem, in the thin film magnetic head according to the present invention, the second yoke portion (upper yoke portion) included in the writing element includes a wide portion and a thin portion. The wide portion has a flat surface and is coupled to the first yoke portion by a back gap portion on the rear side with respect to the medium facing surface. Thus, a write magnetic circuit surrounding the first yoke portion, the back gap portion, the second yoke portion, and the write gap film is formed.
前記コイルは、前記第1のヨーク部の前記一面上に形成された第1の絶縁膜の面上で、前記バックギャップ部の周りを、渦巻き状に周回する。したがって、コイルに書き込み電流を供給し、第1のヨーク部、バックギャップ部、第2のヨーク部及び書き込みギャップ膜をめぐる書き込み磁気回路を通り、ギャップ膜の部分で漏洩する磁束によって、磁気記録媒体に磁気記録を与えることができる。 The coil circulates in a spiral around the back gap portion on the surface of the first insulating film formed on the one surface of the first yoke portion. Accordingly, the magnetic recording medium is supplied with a write current by supplying a write current to the coil and passing through the write magnetic circuit surrounding the first yoke portion, the back gap portion, the second yoke portion and the write gap film, and leaking at the gap film portion. Can be provided with magnetic recording.
前記第2のヨーク部の前記細い部分は、前記第2のポール部と、傾斜フレア部とを含んでいる。前記第2のポール部は、表面が、前記広い部分の表面よりは低い位置にあり、前記傾斜フレア部は、前記第2のポール部の前記表面から前記広い部分の表面に向かって、傾斜して連続し、かつ、幅が次第に拡大されている。 The thin portion of the second yoke portion includes the second pole portion and an inclined flare portion. The surface of the second pole portion is lower than the surface of the wide portion, and the inclined flare portion is inclined from the surface of the second pole portion toward the surface of the wide portion. And the width is gradually expanded.
この構造により、第2のポール部の表面と、第2のヨーク部の表面との間には、傾斜フレア部による三次元的段差が生じることになる。この三次元的段差は、フレアポイントに至るまで、大きな磁気ボリュームを与えるから、オーバライト特性が改善される。従って、本発明によれば、狭トラック幅でありながら、充分なオーバライト特性を確保し得る高記録面密度対応型の薄膜磁気ヘッドを実現することができる。 With this structure, a three-dimensional step due to the inclined flare portion is generated between the surface of the second pole portion and the surface of the second yoke portion. This three-dimensional level difference gives a large magnetic volume up to the flare point, so that the overwrite characteristic is improved. Therefore, according to the present invention, it is possible to realize a high recording surface density compatible thin film magnetic head that can ensure a sufficient overwrite characteristic while having a narrow track width.
しかも、傾斜フレア部は、ABSに近く、かつ、第2のポール部の表面から、第2のヨーク部の広い部分の表面に向かって、傾斜しているから、書き込み動作時に、傾斜フレア部から漏洩する磁束によって、磁気記録媒体上の隣のトラックの磁気記録が消去される(サイドイレーズ)ことも、磁気記録媒体上の隣のトラックに磁気記録がなされる(サイドライト)こともなくなる。 In addition, the inclined flare portion is close to the ABS and is inclined from the surface of the second pole portion toward the surface of the wide portion of the second yoke portion. The magnetic flux in the adjacent track on the magnetic recording medium is not erased (side erase) by the leaked magnetic flux, and the magnetic recording is not performed on the adjacent track on the magnetic recording medium (side write).
従って、本発明によれば、0.1〜0.2μmのトラック幅を有し、100(Gb/p)以上の高記録面密度に対応できる高記録面密度対応型の薄膜磁気ヘッドを実現することが可能になる。 Therefore, according to the present invention, a high recording surface density compatible thin film magnetic head having a track width of 0.1 to 0.2 μm and capable of corresponding to a high recording surface density of 100 (Gb / p) or more is realized. It becomes possible.
具体的な態様として、第2のポール部の表面及び傾斜フレア部の表面は、第2の磁性膜の上に付着された第3の磁性膜の表面を、部分的にエッチングして得られる。好ましくは、第2の磁性膜は、Co及びFeを含む磁性材料でなる。より具体的には、第2の磁性膜はCoFe又はCoFeNの何れかでなる。CoFe又はCoFeNは、飽和磁束密度が2.2〜2.4(T)のHiBs材料であり、0.1〜0.2μmのトラック幅を有する高記録面密度対応型の薄膜磁気ヘッドを実現できる。 As a specific aspect, the surface of the second pole portion and the surface of the inclined flare portion are obtained by partially etching the surface of the third magnetic film attached on the second magnetic film. Preferably, the second magnetic film is made of a magnetic material containing Co and Fe. More specifically, the second magnetic film is made of either CoFe or CoFeN. CoFe or CoFeN is a HiBs material having a saturation magnetic flux density of 2.2 to 2.4 (T), and can realize a high recording surface density compatible thin film magnetic head having a track width of 0.1 to 0.2 μm. .
CoFe又はCoFeNでなる第2の磁性膜は、具体的には、スパッタ膜で構成する。その意図は、第2の磁性膜をSeed層として利用し、その上に第3の磁性膜をメッキによって形成することである。第3の磁性膜は、例えば、CoNiFeによって構成する。 Specifically, the second magnetic film made of CoFe or CoFeN is formed of a sputtered film. The intention is to use the second magnetic film as a seed layer and form a third magnetic film thereon by plating. The third magnetic film is made of, for example, CoNiFe.
一つの好ましい態様として、前記第1のポール部は、前記ギャップ膜と隣接するポール片が、幅方向の両側において、前記第2のポール部の幅に合わせてトリミングされ、トリミングによって生じた凹部の底部の厚みが、前記ポール片に向かうにつれて増大している。この構成によれば、ギャップ膜と隣接するポール片の磁気飽和を回避し、オーバライト特性を改善することができる。 As one preferred embodiment, the first pole portion is formed by trimming pole pieces adjacent to the gap film on both sides in the width direction in accordance with the width of the second pole portion, and generating a recess formed by the trimming. The thickness of the bottom increases as it goes toward the pole piece. According to this configuration, the magnetic saturation of the pole piece adjacent to the gap film can be avoided, and the overwrite characteristics can be improved.
前記ギャップ膜と隣接するポール片を構成する磁性膜は、CoFe、CoFeN、FeAlN、FeN、FeCo又はFeZrNのいずれかで構成される。CoFe、CoFeNの場合はメッキ膜として構成でき、FeAlN、FeN、FeCo又はFeZrNの場合は、スパッタ膜によって構成できる。 The magnetic film constituting the pole piece adjacent to the gap film is composed of any one of CoFe, CoFeN, FeAlN, FeN, FeCo, or FeZrN. In the case of CoFe and CoFeN, it can be configured as a plating film, and in the case of FeAlN, FeN, FeCo, or FeZrN, it can be configured by a sputtered film.
コイルは、第1のコイルと、第2のコイルとを含む。第1のコイル及び第2のコイルは、第1のヨーク部の一面上に形成された第1の絶縁膜の面上で、バックギャップ部の周りを、渦巻き状に周回し、一方が、他方のコイルターン間のスペースに、第2の絶縁膜を介して嵌め込まれ、同一方向の磁束を生じるように接続される。 The coil includes a first coil and a second coil. The first coil and the second coil circulate around the back gap portion in a spiral shape on the surface of the first insulating film formed on one surface of the first yoke portion. Is inserted into the space between the coil turns via the second insulating film and connected so as to generate magnetic flux in the same direction.
第1のコイル及び第2のコイルの間に存在する第2の絶縁膜は、例えば、Chemical Vapor Deposition(以下、CVDと称する)を適用して、0.1μm程度の極薄膜のAl2O3膜として形成できる。したがって、バックギャップ部と第1のポール部との間で、第1のコイル及び第2のコイルの断面積を最大化し、コイルターン数を維持したままで、コイル抵抗値を下げ、発熱量を低減することができる。これにより、書き込み動作時に、ポール部におけるサーマルプロトリュージョンの発生を抑制し、ヘッドクラッシュ及び磁気記録媒体上の磁気記録の損傷若しくは破壊を回避し、延いては、高記録密度のための低浮上量の要求に応えることができることになる。 As the second insulating film existing between the first coil and the second coil, for example, Chemical Vapor Deposition (hereinafter referred to as CVD) is applied to form a very thin Al 2 O 3 film of about 0.1 μm. It can be formed as a film. Therefore, between the back gap part and the first pole part, the cross-sectional areas of the first coil and the second coil are maximized, and the coil resistance value is reduced while maintaining the number of coil turns, thereby reducing the heat generation amount. Can be reduced. This suppresses the occurrence of thermal prototyping at the pole during the writing operation, avoids head crashes and damage or destruction of magnetic recording on the magnetic recording medium, and thus lowers the flying height for high recording density. It will be able to meet the demand for quantity.
第1のコイル及び第2のコイルは、一方が、他方のコイルターン間のスペースに、第2の絶縁膜を介して嵌め込まれているから、コイル導体の配線密度が高くなる。このため、同一のターン数を保った状態では、ヨーク長YLを短くすることができる。 Since one of the first coil and the second coil is fitted in the space between the other coil turns via the second insulating film, the wiring density of the coil conductor is increased. For this reason, the yoke length YL can be shortened while maintaining the same number of turns.
第1のコイル及び第2のコイルは同一方向の磁束を生じるように接続される。第1のコイル及び第2のコイルは、巻き方向が同一になるので、第1のコイルの内端と、第2のコイルの外端とを接続した直列接続構造をとることにより、同一方向の磁束を生じさせることができる。あるいは、第1のコイル及び第2のコイルを並列に接続して、同一方向の磁束を生じるようにしてもよい。この場合は、ターン数は少なくなるが、コイル抵抗値を低減できる。 The first coil and the second coil are connected so as to generate magnetic flux in the same direction. Since the first coil and the second coil have the same winding direction, by adopting a series connection structure in which the inner end of the first coil and the outer end of the second coil are connected, Magnetic flux can be generated. Or you may make it produce the magnetic flux of the same direction by connecting a 1st coil and a 2nd coil in parallel. In this case, the number of turns is reduced, but the coil resistance value can be reduced.
第1のコイル及び第2のコイルは、上面が導体面による同一平面を構成している。この構成によれば、第1のコイル及び第2のコイルの上面に対して、共通の第3の絶縁膜を付与することができるので、第1のコイル及び第2のコイルの上面に対する絶縁構造が簡単化される。また、第1のコイル及び第2のコイルの上に更に他のコイルを形成する際に、安定したベースを提供し、他のコイルを高精度のパターンとして形成することが可能になる。 As for the 1st coil and the 2nd coil, the upper surface comprises the same plane by a conductor surface. According to this configuration, since the common third insulating film can be applied to the upper surfaces of the first coil and the second coil, the insulating structure for the upper surfaces of the first coil and the second coil. Is simplified. In addition, when another coil is formed on the first coil and the second coil, a stable base is provided, and the other coil can be formed as a highly accurate pattern.
第1のコイル及び第2のコイルの上に、更に、他のコイルを形成する際は、第1のコイル及び第2のコイルの平坦化とあわせて、ポール片及びバックギャップ片の上面も、コイルの導体面と同一平面となるようにする。こうすることにより、他のコイルを形成する際に必要となるポール片及びバックギャップ片を、平坦化された第1のポール片及びバックギャップ片の上面に、高精度パターンとして形成することができる。 When another coil is further formed on the first coil and the second coil, the top surfaces of the pole piece and the back gap piece are also combined with the flattening of the first coil and the second coil. It should be flush with the conductor surface of the coil. By doing so, pole pieces and back gap pieces necessary for forming other coils can be formed as high-precision patterns on the upper surfaces of the flattened first pole pieces and back gap pieces. .
本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、一般には、書き込み素子とともに、読み取り素子を含む複合型の薄膜磁気ヘッドを構成する。読み取り素子は、巨大磁気抵抗効果素子(以下、GMR素子と称する)を含む。GMR素子は、スピンバルブ膜または強磁性トンネル接合の何れかを含む。 The thin film magnetic head according to the present invention generally constitutes a composite thin film magnetic head including a reading element together with a writing element. The reading element includes a giant magnetoresistive element (hereinafter referred to as a GMR element). The GMR element includes either a spin valve film or a ferromagnetic tunnel junction.
上述した薄膜磁気ヘッドの製造にあたっては、第3の磁性層を、均一な膜厚となるように形成した後、第3の磁性膜のうち、第2のポール部、および、傾斜フレア部となる部分を除き、第3の磁性膜の全体を、レジストマスクによって覆う。 In manufacturing the above-described thin film magnetic head, after the third magnetic layer is formed to have a uniform thickness, the second pole portion and the inclined flare portion of the third magnetic film are formed. Except for the portion, the entire third magnetic film is covered with a resist mask.
次に、第3の磁性膜のうち、少なくとも、第2のポール部となる部分、および、傾斜フレア部となる部分であって、レジストマスクによって覆われていない部分をエッチングし、狭幅化されたトラック幅を得る。 Next, of the third magnetic film, at least a portion that becomes the second pole portion and a portion that becomes the inclined flare portion and is not covered with the resist mask are etched to be narrowed. Get track width.
上記製造方法によれば、本発明に係る薄膜磁気ヘッドを、確実に製造することができる。
前記エッチング工程は、前記レジストマスクの存在下で、前記第3の磁性膜及び前記ギャップ膜をエッチングした後、前記レジストマスクを剥離し、前記レジストマスクを剥離した後、前記第2の磁性膜をエッチングする工程を含むことができる。
According to the above manufacturing method, the thin film magnetic head according to the present invention can be reliably manufactured.
In the etching step, after etching the third magnetic film and the gap film in the presence of the resist mask, the resist mask is peeled off, the resist mask is peeled off, and then the second magnetic film is removed. Etching may be included.
さらに別の態様として、前記エッチング工程は、前記レジストマスクの存在下で、前記ギャップ膜の表面までエッチングした後、前記レジストマスクを剥離し、前記レジストマスクを剥離した後、前記ギャップ膜及び前記第2のポール部をエッチングする工程を含むこともできる。 In yet another aspect, the etching step includes etching the surface of the gap film in the presence of the resist mask, then peeling the resist mask, peeling the resist mask, A step of etching the two pole portions can also be included.
本発明は、更に、薄膜磁気ヘッドとヘッド支持装置とを組み合わせた磁気ヘッド装置、及び、この磁気ヘッド装置と磁気記録媒体(ハードディスク)とを組み合わせた磁気記録再生装置についても開示する。 The present invention further discloses a magnetic head device combining a thin film magnetic head and a head support device, and a magnetic recording / reproducing device combining this magnetic head device and a magnetic recording medium (hard disk).
本発明の他の目的、構成及び利点については、添付図面を参照し、更に詳しく説明する。図面は単なる例示にすぎない。 Other objects, configurations and advantages of the present invention will be described in more detail with reference to the accompanying drawings. The drawings are merely illustrative.
1.薄膜磁気ヘッド
図1〜図4を参照すると、本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、スライダ5と、書き込み素子2と、読み取り素子3とを含む。スライダ5は、例えば、Al2O3−TiC等でなる基体15の表面に、Al2O3、SiO2等の絶縁膜16を設けた(図3参照)セラミック構造体である。スライダ5は、媒体対向面に浮上特性制御用の幾何学的形状を有している。そのような幾何学的形状の代表例として、図示では、ABS側の基底面50に、第1の段部51、第2の段部52、第3の段部53、第4の段部54、及び、第5の段部55を備える例を示してある。基底面50は、矢印F1で示す方向に流れる空気に対する負圧発生部となり、第2の段部52及び第3の段部53は、第1の段部51から立ち上がるステップ状の空気軸受けを構成する。第2の段部52及び第3の段部53の表面は、ABSとなる。第4の段部54は、基底面50からステップ状に立ち上がり、第5の段部55は第4の段部54からステップ状に立ちあがっている。電磁変換素子2、3は第5の段部55に設けられている。
1. Thin Film Magnetic Head Referring to FIGS. 1 to 4, the thin film magnetic head according to the present invention includes a
電磁変換素子2、3は、書き込み素子2と、読み取り素子3とを含む。書き込み素子2及び読み取り素子3は、空気の流れ方向F1で見て、空気流出端(トレーリング.エッジ)の側に備えられている。
The
図3、図4を参照するに、書き込み素子2は、第1のヨーク部211と、第2のヨーク部221、222と、アルミナ等でなるギャップ膜24と、第1のポール部P1と、第2のポール部P2と、第1のコイル231と、第2のコイル232とを有している。
第1のヨーク部211は、第1の磁性膜によって構成されている。図示実施例において、第1のヨーク部211は一層の第1の磁性膜によって構成されているので、第1のヨーク部211と第1の磁性膜とは同義である。以下の説明において、その簡単化のため、第1のヨーク部211を第1の磁性膜211と表現することがある。
3 and 4, the
The
第1の磁性膜211は、絶縁膜34によって支持され、その表面は実質的に平坦な平面となっている。絶縁膜34は、例えば、Al2O3、SiO2、AlNまたはDLC等の無機絶縁材料によって構成される。
The first
第2のヨーク部221、222は、第1の磁性膜211とはインナーギャップを介して向き合っている。第2のヨーク部221、222は、第2の磁性膜221と第3の磁性膜222とを積層した構造を有する。説明の簡単化のため、第2のヨーク部221、222を、第2の磁性膜221及び第3の磁性膜222と表現することがある。
The
第1の磁性膜211、第2の磁性膜221及び第3の磁性膜222は、例えば、NiFe、CoFe、CoFeN、CoNiFe、FeNまたはFeZrN等の磁性材料から選択することができる。第1の磁性膜211、第2の磁性膜221及び第3の磁性膜222のそれぞれは、各膜厚が、例えば、0.25〜3μmの範囲に設定される。このような第1の磁性膜211、第2の磁性膜221及び第3の磁性膜222はスパッタ、フレームメッキ又は両者の組み合せによって形成できる。
The first
図示実施例において、第1の磁性膜211は、CoFeNまたはCoNiFeのいずれかによって構成するものとする。第3の磁性膜222はCoNiFeによって構成し、第2の磁性膜221は飽和磁束密度の高いCoFeNで構成することができる。
In the illustrated embodiment, the first
第1の磁性膜211、第3の磁性膜222及び第2の磁性膜221の先端部は、微小厚みのギャップ膜24を隔てて対向する第1のポール部P1及び第2のポール部P2の一部を構成しており、第1のポール部P1及び第2のポール部P2において書き込みを行なう。ギャップ膜24は、非磁性金属膜またはアルミナ等の無機絶縁膜によって構成される。
The tip portions of the first
図示実施例において、第1のポール部P1は、第1の磁性膜211の端部によって構成される第1のポール片の上に、第2のポール片212、第3のポール片213及び第4のポール片214を、この順序で積層した構造を有する。第2のポール片212、第3のポール片213及び第4のポール片214は、CoFeNまたはCoNiFeなどのHiBs材によって構成する。
In the illustrated embodiment, the first pole portion P1 has a
第2のポール部P2は、ギャップ膜24の上に、第2の磁性膜221の端部によって構成される第5のポール片221、及び、第3の磁性膜222の端部によって構成される第6のポール片224を、順次に積層した構造となっている。
The second pole portion P2 is formed on the
図4を参照すると、第1の磁性膜211の端部、第2のポール片212及び第3のポール片213は、ABSのトラック幅方向に広がりを見せているが、第4のポール片214は、その上端側が、両側から、狭トラック幅PWとなるように削減されており、その上に積層されているギャップ膜24、第2の磁性膜221の端部によって構成される第5のポール片221、及び、第3の磁性膜222の端部によって構成される第6のポール片224も、第4のポール片214とほぼ同じ狭トラック幅PWとなっている。これにより、高密度記録に対応した狭トラック幅PWが得られる。
Referring to FIG. 4, the end of the first
第3の磁性膜222及び第2の磁性膜221は、更に、第1の磁性膜211との間にインナーギャップを保って、ABS52、53の後方に延び、バックギャップ片216、217及び218において、第1の磁性膜211に結合されている。これにより、第1の磁性膜211、第3の磁性膜222、第2の磁性膜221及びギャップ膜24を巡る薄膜磁気回路が完結する。
The third
インナーギャップは、絶縁膜254〜256及びギャップ膜24によって埋められており、第3の磁性膜222及び第2の磁性膜221によって構成される第2のヨーク部は、ギャップ膜24の上に形成されている。
The inner gap is filled with the insulating
第2の磁性膜221、及び、第3の磁性膜222によって構成される第2のヨーク部は、広い部分223と、細い部分224と、傾斜フレア部225とを含む。広い部分223は、表面が平坦で、ABS52、53を基準にして後方側のバックギャップ部216〜218により、第1の磁性膜211と結合されている。これにより、第1の磁性膜211、バックギャップ部216〜218、第2の磁性膜221、第3の磁性膜222及び書き込みギャップ膜24をめぐる書き込み磁気回路が構成される。
The second yoke part constituted by the second
細い部分224は、第2のポール部P2を構成する部分であって、表面が、広い部分223の表面よりは低い位置にある。傾斜フレア部225は、第2のポール部P2の表面から広い部分223の表面に向かって、傾斜して連続し、かつ、幅が次第に拡大されている。
The
したがって、第2のポール部P2を構成する細い部分224の表面と、広い部分223の表面との間には、傾斜フレア部225による三次元的段差ΔH1が生じる(図3参照)ことになる。この三次元的段差ΔH1は、フレアポイントFP1(図3参照)においても、大きな磁気ボリュームを与えるから、オーバライト特性が改善される。従って、本発明によれば、狭トラック幅PWでありながら、充分なオーバライト特性を確保し得る高記録面密度対応型の薄膜磁気ヘッドを実現することができる。
Therefore, a three-dimensional step ΔH1 due to the
しかも、傾斜フレア部225は、ABS52、53に近く、かつ、細い部分224の表面から、広い部分223の表面に向かって、傾斜しているから、書き込み動作時に、傾斜フレア部225から漏洩する磁束によって、磁気記録媒体上の隣のトラックの磁気記録が消去される(サイドイレーズ)ことも、磁気記録媒体上の隣のトラックに磁気記録がなされる(サイドライト)こともなくなる。
In addition, the
従って、本発明によれば、0.1〜0.2μmのトラック幅を有し、100(Gb/p)以上の高記録面密度に対応できる高記録面密度対応型の薄膜磁気ヘッドを実現することが可能になる。 Therefore, according to the present invention, a high recording surface density compatible thin film magnetic head having a track width of 0.1 to 0.2 μm and capable of corresponding to a high recording surface density of 100 (Gb / p) or more is realized. It becomes possible.
第1のポール部P1において、ギャップ膜24と隣接する第4のポール片214は、その膜厚が、傾斜フレア部225による三次元的段差ΔH1よりも大きく、その基部に、両側に広がる部分を有している。このような構造によれば、第4のポール片214は、その材料的特性であるHiBs特性に加えて、増大された断面積を有することになるので、第4のポール片214における磁気飽和を回避し、改善されたオーバライト特性を得ることができる。
In the first pole portion P1, the
具体的な態様として、細い部分224の表面及び傾斜フレア部225の表面は、第2の磁性膜221の上に付着された第3の磁性膜222の表面を、部分的にエッチングして得られる。好ましくは、第2の磁性膜221は、Co及びFeを含む磁性材料でなる。より具体的には、第2の磁性膜221はCoFe又はCoFeNの何れかでなる。CoFe又はCoFeNは、飽和磁束密度が2.2〜2.4(T)のHiBs材料であり、0.1〜0.2μmのトラック幅を有する高記録面密度対応型の薄膜磁気ヘッドを実現できる。
As a specific mode, the surface of the
CoFe又はCoFeNでなる第2の磁性膜221は、具体的には、スパッタ膜で構成する。その意図は、第2の磁性膜221をSeed層として利用し、その上に第3の磁性膜222をメッキによって形成することである。第3の磁性膜222は、例えば、CoNiFeによって構成する。
Specifically, the second
次に、図3〜図5とともに図6を参照すると、第1及び第2のコイル231、232は、バックギャップ部216〜218の周りを周回している。第1のコイル231は、スパイラル状であって、第1の磁性膜211の平坦な一面に形成された絶縁膜251の面上に配置され、絶縁膜251の面に対して垂直となる1つの軸の周りを平面状に周回する。第1のコイル231は、Cu(銅)などの導電金属材料によって構成される。絶縁膜251は、Al2O3、SiO2、AlNまたはDLC等の無機絶縁材料によって構成される。
Next, referring to FIG. 6 together with FIGS. 3 to 5, the first and
第2のコイル232もスパイラル状であって、第1のコイル231のコイルターン間のスペースに、絶縁膜252を介して嵌め込まれ、軸の周りを平面状に周回する。第2のコイル232も、Cu(銅)などの導電金属材料によって構成される。絶縁膜252も、Al2O3、SiO2、AlNまたはDLC等の無機絶縁材料によって構成される。
The
第1のコイル231及び第2のコイル232の周りは、絶縁膜253によって埋められている(図3参照)。絶縁膜253も、Al2O3、SiO2、AlNまたはDLC等の無機絶縁材料によって構成される。
The periphery of the
第1のコイル231及び第2のコイル232の間に存在する絶縁膜252は、例えば、CVDを適用して、0.1μm程度の極薄膜のAl2O3膜として形成できる。したがって、第1のコイル231及び第2のコイル232の断面積を最大化し、コイルターン数を維持したままで、コイル抵抗値を下げ、発熱量を低減することができる。これにより、書き込み動作時に、ポール部P1、P2におけるサーマルプロトリュージョンの発生を抑制し、ヘッドクラッシュ及び磁気記録媒体上の磁気記録の損傷若しくは破壊を回避し、延いては、高記録密度のための低浮上量の要求に応えることができることになる。
The insulating
第2のコイル232は、第1のコイル231のコイルターン間のスペースに、絶縁膜252を介して嵌め込まれているから、コイル導体の配線密度が高くなる。このため、同一のターン数を保った状態では、ヨーク長YL(図3参照)を短くし、高周波特性を改善することができる。
Since the
第1のコイル231及び第2のコイル232は同一方向の磁束を生じるように接続される。第1のコイル231及び第2のコイル232は、巻き方向が同一になるので、第1のコイル231の内端281と、第2のコイル232の外端283とを、接続導体282で接続した直列接続構造をとることにより、同一方向の磁束を生じさせることができる。第1のコイル231の外端286は接続導体285により端子284に接続され、更に、リード導体291により外部に導かれ、取り出し電極に接続される。第2のコイル232の内端287は接続導体288により、端子289に接続され、更に、リード導体292により外部に導かれ、取り出し電極に接続される。
The
図6の図示とは異なって、第1のコイル231及び第2のコイル232を並列に接続して、同一方向の磁束を生じるようにしてもよい。この場合は、ターン数は少なくなるが、コイル抵抗値を低減できる。
Unlike the illustration in FIG. 6, the
しかも、第2のコイル232と、第2のポール片212及びバックギャップ片216とは、例えば、CVDを適用して、0.1μm程度の極薄膜となり得る絶縁膜252によって隔てられるので、ヨーク長YLの短縮化を、更に促進することができる。
Moreover, since the
第1のコイル231及び第2のコイル232は、上面が導体面による同一平面を構成している。この構成によれば、第1のコイル231及び第2のコイル232の上面に対して、共通の絶縁膜254を付与することができるので、第1のコイル231及び第2のコイル232の上面に対する絶縁構造が簡単化される。また、第1のコイル231及び第2のコイル232の上に、平坦な安定したベース面を形成し、その後に高精度のパターンを形成することができる。
As for the
この場合、第1のコイル231は、メッキ膜であり、第1の磁性膜211の一面に付着された絶縁膜251の上に形成される。第2のコイル232も、メッキ膜であり、第1のコイル231のコイルターン間に生じるスペース内において、絶縁膜252の上に形成される。絶縁膜252は、スペースの底面及び両側面に形成される。
In this case, the
保護膜258は、書き込み素子2の全体を覆っている。保護膜258は、Al2O3またはSiO2等の無機絶縁材料で構成されている。
The
読み取り素子3の付近には、第1のシールド膜31と、絶縁膜32と、第2のシールド膜33とが備えられている。第1のシールド膜31及び第2のシールド膜33は、NiFe等によって構成される。第1のシールド膜31は、Al2O3、SiO2等の絶縁膜16の上に形成されている。絶縁膜16はAl2O3−TiC等でなる基体15の表面に形成されている。
In the vicinity of the
読み取り素子3は、第1のシールド膜31及び第2のシールド膜33の間の絶縁膜32の内部に配置されている。読み取り素子3は、端面がABS52、53に臨んでいる。読み取り素子3は、巨大磁気抵抗効果素子(GMR素子)を含む。GMR素子は、スピンバルブ膜または強磁性トンネル接合素子の何れかによって構成することができる。
The
次に、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの別の実施例について、図7、図8を参照して説明する。図7及び図8において、図1〜図6に表れた構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号を付してある。図示実施例の薄膜磁気ヘッドの基本的構造は、図1〜図6に図示した薄膜磁気ヘッドと同じである。 Next, another embodiment of the thin film magnetic head according to the present invention will be described with reference to FIGS. 7 and 8, the same components as those shown in FIGS. 1 to 6 are denoted by the same reference numerals. The basic structure of the thin film magnetic head of the illustrated embodiment is the same as that of the thin film magnetic head shown in FIGS.
図7、図8に図示された薄膜磁気ヘッドが図1〜図6に図示され説明された薄膜磁気ヘッドと相違する点の1つは、図7、図8に図示された薄膜磁気ヘッドでは、第1のコイル231の内端281の上に、導体層282〜285を積層し、第1のコイル231を第2のコイル232に接続するための接続導体を形成したことである。導体層282〜285は、第3のポール片213、第4のポール片214、第2の磁性膜221及び第3の磁性膜222と同一の工程によって形成され、パターン化されたものである。
The thin film magnetic head shown in FIGS. 7 and 8 is different from the thin film magnetic head shown and described in FIGS. 1 to 6 in the thin film magnetic head shown in FIGS. That is, conductor layers 282 to 285 are laminated on the
従って、図7及び図8に示した薄膜磁気ヘッドによれば、図1〜図6に示した薄膜磁気ヘッドの有する作用効果が得られる他、第1のコイル231を第2のコイル232に接続するための接続導体形成工程が簡単化されるという利点が得られる。
Therefore, according to the thin film magnetic head shown in FIGS. 7 and 8, the effects of the thin film magnetic head shown in FIGS. 1 to 6 can be obtained, and the
更に、本発明に係る薄膜磁気ヘッドの別の実施例について、図9を参照して説明する。図9において、図1〜図6に表れた構成部分と同一の構成部分については、同一の参照符号を付してある。図示実施例の薄膜磁気ヘッドの基本的構造は、図1〜図6に図示され、説明された薄膜磁気ヘッドと同じである。 Further, another embodiment of the thin film magnetic head according to the present invention will be described with reference to FIG. 9, the same components as those shown in FIGS. 1 to 6 are denoted by the same reference numerals. The basic structure of the thin film magnetic head of the illustrated embodiment is the same as the thin film magnetic head shown and described in FIGS.
図9に図示された薄膜磁気ヘッドが、図1〜図6に図示され説明された薄膜磁気ヘッドと相違する点の1つは、図9に図示された薄膜磁気ヘッドでは、第1のコイル231の内端281の上に、導体層282〜284を積層し、第1のコイル231を第2のコイル232に接続するための接続導体を形成したことである。導体層282〜284は、第3のポール片213、第2の磁性膜221及び第3の磁性膜222と同一の工程によって形成され、パターン化されたものである。
One of the differences between the thin film magnetic head shown in FIG. 9 and the thin film magnetic head shown and described in FIGS. 1 to 6 is that the
図9に示した薄膜磁気ヘッドによれば、図1〜図6に示した薄膜磁気ヘッドの有する作用効果が得られる他、第1のコイル231を第2のコイル232に接続するための接続導体形成工程が簡単化されるという利点が得られる。 According to the thin film magnetic head shown in FIG. 9, in addition to obtaining the functions and effects of the thin film magnetic head shown in FIGS. There is an advantage that the forming process is simplified.
もう一つの相違点は、第1のコイル231のみを備え、第1のコイル231のコイルターン間に生じるスペースを、絶縁膜252で埋め、絶縁膜252を絶縁膜254で覆ったことである。
Another difference is that only the
2.薄膜磁気ヘッドの製造方法
(1)実施例1
製造方法に係る実施例1は、上述した薄膜磁気ヘッドのうち、第1のコイル231及び第2のコイル232を有する第1の態様に係る薄膜磁気ヘッド(図1〜図6)の製造プロセスである。図11〜図44に図示するプロセスは、ウエハー上で実行されるものであることを予め断っておく。
2. Manufacturing Method of Thin Film Magnetic Head (1) Example 1
Example 1 according to the manufacturing method is a manufacturing process of the thin film magnetic head according to the first aspect (FIGS. 1 to 6) having the
まず、図10を参照すると、基体15の上に付着された絶縁膜16の上に、第1のシールド膜31、読み取り素子3、絶縁膜32、第2のシールド膜33、絶縁膜34及び第1の磁性膜211を、周知のプロセスによって形成する。その後、第1の磁性膜211の平坦な表面に、コイル形成に要する面積よりも少し大きい面積で、絶縁膜251を形成し、絶縁膜251の表面にSeed膜260を形成する。Seed膜260は、絶縁膜251の表面及び第1の磁性膜211の表面を覆うように形成する。Seed膜260は、Cuメッキ下地膜として適切な材料を用い、Cu−CVDの適用によって、50nm〜80nmの膜厚となるように形成する。
First, referring to FIG. 10, the
次に、Seed膜260の上にフォトレジスト膜RS1を、スピンコート法などの適用によって形成した後、コイルパターンを有するマスクMSKを用いて露光し、現像する。これにより、図11に図示するように、所定のパターンを有するレジストフレームFR1が形成される。フォトレジスト膜RS1は、ポジティブフォトレジスト、ネガティブフォトレジストの何れでもよい。実施例では、ポジティブフォトレジストを用いた場合を例にとって説明する。
Next, after forming a photoresist film RS1 on the
次に、選択的Cuメッキ処理を実行し、コイル形成用パターンS1の内部に存在するSeed膜260の上に、第1のコイル231を、例えば3〜3.5μmの厚みとなるように成長させる。図12は、上記選択的Cuメッキ処理終了後の状態を示している。
Next, a selective Cu plating process is performed, and the
次に、図13に図示するように、レジストフレームFR1を、ケミカルエッチングなどの手段によって除去した後、ポール片及びバックギャップ片を形成するためのフォトリソグラフィ工程を実行して、ポール片及びバックギャップ片のためのレジストフレームを形成する。 Next, as shown in FIG. 13, after removing the resist frame FR1 by means of chemical etching or the like, a photolithography process for forming pole pieces and back gap pieces is performed, so that the pole pieces and back gaps are formed. Form a resist frame for the strip.
次に、選択的メッキ処理を行い、第1の磁性膜211の上にポール片及びバックギャップ片を成長させ、その後、レジストフレームを、ケミカルエッチングなどの手段によって除去する。これにより、図14に示すように、第1の磁性膜211の一面上に、ポール片212及びバックギャップ片216が間隔を隔てて形成される。
Next, selective plating is performed to grow pole pieces and back gap pieces on the first
次に、図15に示すように、第1のコイル231、ポール片221及びバックギャップ片216を覆うフォトレジスト膜RS2を形成する。この後、フォトレジスト膜RS2に対してフォトリソグラフィ工程を実行し、図16に示すように、第1のコイル231及びその周囲を覆うレジストカバーFR2を形成し、更に、レジストカバーFR2の全体を覆う絶縁膜253を付着させる。絶縁膜253は、4〜5μmの範囲の膜厚となるように形成する。
Next, as shown in FIG. 15, a photoresist film RS <b> 2 that covers the
次に、絶縁膜253及びレジストカバーFR2を、Chemical Mechanical Polishing(以下、CMPと称する)によって研磨し、平坦化する。CMPにあたっては、アルミナ系スラリーを用いる。図17はCMP処理を施した後の状態を示している。
Next, the insulating
次に、レジストカバーFR2を除去した後、絶縁膜251、253、第1のコイル231、第2のポール片212及びバックギャップ片216の表面及び側面に、絶縁膜252を付着させる。絶縁膜252は、具体的には、Al2O3−CVDによって形成されるもので、0.1μm程度の膜厚となるように形成する。
Next, after removing the resist cover FR2, an insulating
更に、絶縁膜252の表面に、Cu−CVDによって、0.05〜0.1μmの範囲の膜厚となるように、Seed膜261を付着させる。
Further, a
次に、図18に図示するように、Seed膜261の上に、第2のコイルとなるメッキ膜232を、例えば、5μmの膜厚となるように形成する。メッキ膜232は、Cuを主成分とする。
Next, as illustrated in FIG. 18, a
次に、図19に図示するように、メッキ膜232をCMPによって研磨し、平坦化する。CMPにあたっては、アルミナ系スラリーを用いる。これにより、第2のコイル232が、平面状の渦巻きパターンとなるように、パターン化されるとともに、第1のコイル231から、絶縁膜252によって分離される。CMPにおいては、第2のポール片212、バックギャップ片216および絶縁膜253の表面も、第1のコイル231及び第2のコイル232の表面と同一の平面となるように研磨される。
Next, as shown in FIG. 19, the
次に、第1のコイル231及び第2のコイル232の表面を覆う絶縁膜254を付着させる。絶縁膜254は、Al2O3でなり、例えば、0.2μmの膜厚となるように形成する。
Next, an insulating
次に、絶縁膜254を形成してある一面上で、フォトリソグラフィ工程を実行し、第1のコイル231の内端281と第2のコイル232の外端283(図6参照)とを接続する接続導体282のためのレジストフレーム、第3のポール片213及びバックギャップ片217(図7参照)のためのレジストフレームを形成し、得られたレジストフレームによって画定されたパターンにしたがって、フレームメッキを実行する。これにより、図20に示すように、接続導体282、第3のポール片213及びバックギャップ片217が形成される。接続導体282、第3のポール片213及びバックギャップ片217は、CoFe又はCoNiFeのメッキ膜であり、例えば、1〜2μmの範囲の膜厚を有する。
Next, a photolithography process is performed on the surface on which the insulating
次に、接続導体282、第3のポール片213及びバックギャップ片217を形成してある表面に、Al2O3でなる絶縁膜255を、例えば、2〜3μmの膜厚となるように付着させた後、絶縁膜255、第3のポール片213、バックギャップ片217及び接続導体281の表面を、CMPによって研磨する。このCMPは、第3のポール片213及びバックギャップ片217の膜厚が、例えば、0.2〜0.6μmの範囲となるように実行する。図21はCMP実行後の状態を示している。
Next, an insulating
次に、図22に図示するように、絶縁膜255、第3のポール片213及びバックギャップ片217の被研磨面に、第4のポール片214(図3参照)のための磁性膜214を、例えば、0.5μm〜1μmの膜厚となるように、スパッタ形成する。磁性膜214は、CoFeN(2.4T)、FeAlN、FeN、FeCoまたはFeZrNによって構成することができる。実施例では、磁性膜214は、CoFeN(2.4T)によって構成されている。更に、磁性膜214の表面に、フレームメッキ法によって、NiFeまたはCoNiFeなどのパターンメッキ250を形成する。パターンメッキ250は、バックギャップ216、217及び第3のポール片213の真上に位置するように形成する。
Next, as shown in FIG. 22, a
次に、図23に図示するように、パターンメッキ250をマスクとして、磁性膜214を、Ion Beamによってエッチングした後、アルミナなどでなる絶縁膜256を、2〜3μmの膜厚となるようにスパッタし、次に、絶縁膜256を、パターンメッキ250が除去される位置まで、CMPによって研磨し平坦化する。図24は、このCMP処理が終了した後の状態を示している。
Next, as shown in FIG. 23, after the
次に、図25に図示するように、CMPによって平坦化された面に、ギャップ膜24を0.06〜0.1μmの膜厚となるように形成する。ギャップ膜24は、例えば、Ruなどの非磁性金属材料でなり、スパッタ等によって形成することができる。次に、ギャップ膜24の表面、及び、平坦化面に、第2の磁性膜221を形成する。第2の磁性膜221は、HiBs材を用いて構成する。具体的には、FeAlN、FeN、CoFe、CoFeN、FeZrNなどのHiBs材料のうち、特に、CoFe、CoFeNが適している。第2の磁性膜221は、この後、第3の磁性膜をメッキによって形成する際に、Seed膜として用いられるものであり、例えば、0.3〜0.6μmの膜厚となるように形成する。
Next, as shown in FIG. 25, a
この後、第2の磁性膜221をSeed膜として、フレームメッキ法により、第3の磁性膜222を形成する。第3の磁性膜222は、例えば、NiFe(組成比55:45)、CoNiFe(組成比約67:15:18、1.9T〜2.1T)、または、CoFe(組成比40:60、2.3T)等によって構成される。その厚みは、3.5〜4.0μmの範囲である。第3の磁性膜222は、図26にも示すように、広い部分223と、細い部分224とを有するように形成される。広い部分223は、第2のヨーク部を構成する部分であり、細い部分224は第2のポール部を構成する部分である。
Thereafter, the third
次に、図27〜図29に図示するように、第3の磁性膜222のうち、細い部分224を除き、第3の磁性膜222の広い部分23の全体を、レジストマスクFR3によって覆う。レジストマスクFR3は、第1のコイル231及び第2のコイル232をも覆うように広がっている。また、レジストマスクFR3は、その端面が、細い部分224の表面に対して、直交するように形成する。
Next, as shown in FIGS. 27 to 29, the entire wide portion 23 of the third
次に、図30及び図31に図示するように、レジストマスクFR3によって覆われていない領域を、Ion Beamによってエッチングする。このエッチングにより、レジストマスクFR3の周囲に露出しているSeed膜221、及び、第3の磁性膜222の細い部分224がトリミングされる。
Next, as shown in FIGS. 30 and 31, the region not covered by the resist mask FR3 is etched by Ion Beam. By this etching, the
レジストマスクFR3を有した状態でのエッチングは、Seed膜221の厚み内で留めてもよいし、ギャップ膜24に達するまで実行してもよいし、ギャップ膜24を通過し、第1のポール部を構成する磁性膜214に達するように実行してもよい。
The etching with the resist mask FR3 may be stopped within the thickness of the
図示実施例では、図31に図示するように、レジストマスクFR3を有した状態でのエッチングは、Seed膜221の厚み内でとどめている。そして、図32、図33に図示するように、レジストマスクFR3を除去した後、磁性膜214までエッチングする。これにより、ギャップ膜と隣接する第4のポール片214が、幅方向の両側において、第2のポール部の幅に合わせてトリミングされる。トリミングによって生じた凹部の底部の厚みは、第4のポール片214に向かうにつれて増大している。この後、保護膜258(図2参照)する等して、製造プロセスが終了する。
In the illustrated embodiment, as shown in FIG. 31, the etching with the resist mask FR3 is limited within the thickness of the
上記エッチングプロセスによって、細い部分224の表面が、広い部分223の表面よりは低い位置まで、トリミングされる。これにより、細い部分224の表面から広い部分223の表面に向かって、傾斜して連続し、かつ、幅が次第に拡大された傾斜フレア部225が生じる。
By the etching process, the surface of the
したがって、第2のポール部P2を構成する細い部分224の表面と、広い部分223の表面との間には、傾斜フレア部225による三次元的段差が生じることになる。この三次元的段差の利点については、既に述べたとおりである。
Therefore, a three-dimensional step due to the
次に、ポールトリミングのプロセスについて、更に詳しく説明する。
ポールトリミングは、第1のポール部及び第2のポール部を同じ幅にすることにより、実効書き込みトラック幅の広がりを防止するために不可欠である。図34及び図35を参照すると、レジストマスクFR3は、第3の磁性膜222のうち、細い部分224に対応する部分が開口し、第3の磁性膜222の広い部分23の全体、及び、コイルを覆っている。この状態で、細い部分224の表面をIon Beamによってトリミングする。このとき、レジストマスクFR3の周囲に存在する磁性膜213も、細い部分224のトリミング深さに応じた分だけエッチングされる。
Next, the pole trimming process will be described in more detail.
Pole trimming is indispensable for preventing the effective write track width from expanding by setting the first pole portion and the second pole portion to the same width. Referring to FIGS. 34 and 35, in the resist mask FR3, a portion corresponding to the
図35を参照すると、レジストフレームFR3は、ABSよりも、コイル側(後方側)で、かつ、フレアポイントFP1とほぼ一致する位置で立ち上がっている。従って、図34及び図35に示すトリミング工程において、フレアポイントFP1が変動することがないから、薄膜磁気ヘッドとしたときのABSからフレアポイントFP1までの距離を、一定した微小寸法に設定し、オーバライト特性を確保することができる。 Referring to FIG. 35, the resist frame FR3 stands up from the ABS on the coil side (rear side) and at a position substantially coincident with the flare point FP1. Therefore, in the trimming process shown in FIGS. 34 and 35, since the flare point FP1 does not fluctuate, the distance from the ABS to the flare point FP1 when the thin film magnetic head is formed is set to a constant minute dimension, Write characteristics can be ensured.
次に、図36、図37に示すように、レジストマスクFR3を除去し、Seed膜として用いられている第2の磁性膜221を、第3の磁性膜222をマスクとして、Ion Beamによってエッチングする。第2の磁性膜221のエッチングプロセスでは、レジストマスクFR3は、既に除去されているので、第2の磁性膜221のエッチングによって生じた金属微粒子が、レジストマスクの側端面を介して、第2のポール部となる細い部分224に再付着することがない。このため、トラック幅を、例えば、0.2μm以下まで、狭小化がすることができる。
Next, as shown in FIGS. 36 and 37, the resist mask FR3 is removed, and the second
トリミングは、図38、図39に図示するように、さらに、第1のポール部を構成する最上層の磁性膜213まで達するように実行する。これにより、第1のポール部及び第2のポール部が同じトラック幅を有するようになり、実効書き込みトラック幅の広がりが防止される。
As shown in FIGS. 38 and 39, the trimming is further performed so as to reach the uppermost
また、第3の磁性膜222のトリミング量は、ポール両側のトリミング量よりも大きくなる第3の磁性膜222の表面では、トリミングを妨げるものがないのに対し、ポール部の両側では、ポール自体が、ビームの妨げとなるからである。これにより、三次元的な段差構造が得られる。
Further, the trimming amount of the third
次に、本発明に係るトリミング方法の利点について、従来トリミング方法と対比して説明する。
図40は本発明に係るトリミング方法を示す平面図、図42は図40に示したトリミングを経た後の状態を示す図である。図40は、図35及び図36に図示したプロセスを、平面的に示した図である。図40を参照すると、レジストフレームFR3は、ABSよりも、コイル側(後方側)で、かつ、フレアポイントFP1とほぼ一致する位置で立ち上がっている。ただし、レジストフレームFR3の立ち上がり位置は、フレアポイントFP1と一致する必要はなく、その前後に設定されていてもよい。
Next, advantages of the trimming method according to the present invention will be described in comparison with the conventional trimming method.
FIG. 40 is a plan view showing a trimming method according to the present invention, and FIG. 42 is a diagram showing a state after the trimming shown in FIG. FIG. 40 is a plan view showing the process illustrated in FIGS. 35 and 36. Referring to FIG. 40, the resist frame FR3 stands up from the ABS on the coil side (rear side) and at a position substantially coincident with the flare point FP1. However, the rising position of the resist frame FR3 does not have to coincide with the flare point FP1, and may be set before and after the flare point FP1.
本発明に係るトリミング方法によれば、レジストフレームFR3は、ABSよりも、コイル側(後方側)で立ち上がっているから、図40に示すトリミング工程において、フレアポイントFP1が変動することがない。このため、薄膜磁気ヘッドとしたときのABSからフレアポイントFP1までの距離Aを、一定した微小寸法に設定し、オーバライト特性を確保することができる。 According to the trimming method of the present invention, since the resist frame FR3 rises on the coil side (rear side) from ABS, the flare point FP1 does not fluctuate in the trimming process shown in FIG. For this reason, the distance A from the ABS to the flare point FP1 in the case of a thin film magnetic head can be set to a constant minute dimension to ensure overwrite characteristics.
図41は従来のトリミング方法を示す平面図、図43は図41のトリミングを経た後の状態を示す平面図である。従来は図41に図示するように、上部ヨークを構成する第3の磁性膜222の形状に沿って、コイル部分を覆うようにトリミング.マスクFR3を設け、上部ヨークとなる広い部分223及び上部ポールとなる細い部分224を、マスクで覆うことはしなかった。
41 is a plan view showing a conventional trimming method, and FIG. 43 is a plan view showing a state after the trimming shown in FIG. Conventionally, as shown in FIG. 41, trimming is performed so as to cover the coil portion along the shape of the third
このために、上部ポールとなる細い部分224から上部ヨークとなる広い部分223にかけて、次第に幅が増大する傾斜フレア部225が、Ion Beamによってトリミングされ、図43に示すように、幅の拡大を開始するフレア.ポイントFP1が、点FP2まで後退し、ABSからフレアポイントFP2までの距離Bまで拡大される。距離Bは距離Aよりも大きい(B>A)。
For this purpose, an
この後退は、磁気ボリュームを減少させ、オーバライト特性を劣化させる。なぜなら、傾斜フレア部225において、フレアポイントFP1が、ABSに近いほど、優れたオーバライト特性が得られるからである。トラック幅が0.2μm以下に狭小化された場合は、特に、フレアポイントをABSに近づけなければならない。
従来のトリミング方法では、上述した理由から、フレアポイントが後退するほか、別の問題点も生じる。この点について、図44〜図47を参照して説明する。
This retraction reduces the magnetic volume and degrades the overwrite characteristics. This is because in the
In the conventional trimming method, for the reasons described above, the flare point moves backward and another problem arises. This point will be described with reference to FIGS.
図44は本発明に係るトリミング方法によって得られたポール構造を示す図、図45は従来のトリミング方法によって得られたポール構造を示す図である。 44 shows a pole structure obtained by the trimming method according to the present invention, and FIG. 45 shows a pole structure obtained by the conventional trimming method.
本発明に係るトリミング方法では、図44に図示するように、レジストマスクFR3を除去した後に、ポール部及びSeed膜を含む全体をIon Beamでトリミングする。この段階では、レジストマスクFR3はすでに除去されているから、30度〜45度と、比較的、小さい角度で、Ion Beamを照射することができる。このため、ポール部のトラック幅を高精度でコントロールすることができる。 In the trimming method according to the present invention, as shown in FIG. 44, after removing the resist mask FR3, the entire structure including the pole portion and the seed film is trimmed with Ion Beam. At this stage, since the resist mask FR3 has already been removed, the ion beam can be irradiated at a relatively small angle of 30 to 45 degrees. For this reason, the track width of the pole portion can be controlled with high accuracy.
これに対して、従来は、上部ヨークとなる第3の磁性膜222の形状に沿って、コイル部分を覆うようにトリミングマスクFR3を設け、第3の磁性膜222及び上部ポールを、マスクで覆うことはしなかったから、Ion Beamで磁性膜213をトリミングした場合、それによって飛散した金属粒子が、上部ポールの側壁面に再付着DP1、DP2する。所定のトラック幅を得るためには、この再付着膜DP1、DP2は除去しなければならない。再付着膜DP1、DP2の除去にあたっては、50〜75度の広い角度で、Ion Beamを照射しなければない。この広い角度のIon Beamの照射は、図46に図示するように、上部ポールを構成する磁性膜222、221を更に細らせる。
In contrast, conventionally, a trimming mask FR3 is provided so as to cover the coil portion along the shape of the third
しかも、ポールが、フレアポイントからABSに向かって、幅が次第に縮小するテーパ角を持つようになり、ABSで見たトラック幅が個々の薄膜磁気ヘッドで変動してしまうという問題を生じる。 In addition, the pole has a taper angle in which the width gradually decreases from the flare point toward the ABS, and there arises a problem that the track width as viewed by the ABS varies with each thin film magnetic head.
また、平面形状のポール構造に半導体加工技術を適用して、ポール部にサブミクロン加工を施し、狭トラック構造が実現されたとしても、ポール部からヨーク部に向かって幅の広がる傾斜フレア部の表面が、ポール部の表面とヨーク部の表面と同一平面を構成するため、書き込み動作時に、傾斜フレア部のサイドから漏洩する磁束によって、磁気記録媒体上の隣のトラックの磁気記録が消去(サイドイレーズ)され、又は、隣のトラックに磁気記録がなされる(サイドライト)などの問題を生じる。このため、0.2μm以下の正確なトラックコントロールが困難であり、100(Gb/p)以上の高記録面密度を実現することができない。 In addition, even if a narrow track structure is realized by applying semiconductor processing technology to the pole structure with a flat shape and sub-micron processing is performed on the pole part, the inclined flare part that widens from the pole part toward the yoke part Since the surface is flush with the surface of the pole portion and the surface of the yoke portion, the magnetic recording of the adjacent track on the magnetic recording medium is erased by the magnetic flux leaking from the side of the inclined flare portion during the writing operation (side This causes problems such as erasure) or magnetic recording on the adjacent track (side light). For this reason, accurate track control of 0.2 μm or less is difficult, and a high recording surface density of 100 (Gb / p) or more cannot be realized.
本発明によれば、これら、従来のトリミング方法に付随する問題点を解決できることは、上述した説明から明らかである。 According to the present invention, it is apparent from the above description that these problems associated with the conventional trimming method can be solved.
(2)実施例2
実施例2は、図7、図8に図示された薄膜磁気ヘッドの製造方法に係る。図47〜図65は、その製造プロセスを示している。図47〜図63に図示するプロセスも、ウエハー上で実行されるものであることを予め断っておく。
(2) Example 2
Example 2 relates to a method of manufacturing the thin film magnetic head shown in FIGS. 47 to 65 show the manufacturing process. It should be noted in advance that the processes illustrated in FIGS. 47 to 63 are also performed on the wafer.
(A)図47の状態に至るプロセス
図47を参照すると、基体15の上に付着された絶縁膜16の上に、第1のシールド膜31、読み取り素子3、絶縁膜32、第2のシールド膜33、絶縁膜34及び第1の磁性膜211が、周知のプロセスによって形成されている。
第1の磁性膜211は、NiFe(80%:20%)、NiFe(45%:55%)またはCoNiFeのメッキ膜で構成できるほか、FeAlN、FeN、FeCo、CoFeNまたはFeZrNなどのスパッタ膜により、0.5〜0.6μmの膜厚として形成することもできる。
その後、第1の磁性膜211の平坦な表面に、コイル形成に要する面積よりも少し大きい面積で、絶縁膜251を、例えば、0.2μmの膜厚となるように形成し、絶縁膜251の表面にSeed膜260を形成する。Seed膜260は、絶縁膜251の表面及び第1の磁性膜211の表面を覆うように形成する。Seed膜260は、Cuメッキ下地膜として適切な材料を用い、Cu−CVDの適用によって、50nm〜80nmの膜厚となるように形成する。
(A) Process leading to the state of FIG. 47 Referring to FIG. 47, the
The first
Thereafter, an insulating
次に、Seed膜260の上にフォトレジスト膜を、スピンコート法などの適用によって形成した後、コイルパターンを有するマスクを用いて露光し、現像する。フォトレジスト膜は、ポジティブフォトレジスト、ネガティブフォトレジストの何れでもよい。上述した露光工程を経て現像することにより、レジストフレームが得られる。次に、選択的Cuメッキ処理を実行し、コイル形成用パターンの内部に存在するSeed膜260の上に、第1のコイル231を、例えば3〜3.5μmの厚みとなるように成長させる。図47は、上記選択的Cuメッキ処理終了後の状態を示している。
Next, a photoresist film is formed on the
(B)図48の状態に至るプロセス
図47の状態から図48の状態に至るプロセスでは、ポール片及びバックギャップ片を形成するためのフォトリソグラフィ工程を実行し、ポール片及びバックギャップ片のためのレジストフレームを形成する。
(B) Process leading to the state of FIG. 48 In the process from the state of FIG. 47 to the state of FIG. 48, a photolithography step for forming the pole piece and the back gap piece is performed. The resist frame is formed.
次に、選択的メッキ処理を行い、第1の磁性膜211の上にポール片及びバックギャップ片を、例えば3.5μmの膜厚となるように形成し、その後、レジストフレームを、ケミカルエッチングなどの手段によって除去する。これにより、図48に示すように、第1の磁性膜211の一面上に、ポール片212及びバックギャップ片216が間隔を隔てて形成される。ポール片212及びバックギャップ片216は、CoNiFe(組成比67:15:18 1.8T〜1.9T)又はFeCo(組成比60:40 2.4T)で構成することができる。
Next, selective plating is performed to form pole pieces and back gap pieces on the first
(C)図49の状態に至るプロセス
図48の状態から図49の状態に至るプロセスでは、第1のコイル231、ポール片221及びバックギャップ片216を覆うフォトレジスト膜RS4を形成する。そして、フォトレジスト膜RS4によるレジストカバーをマスクにして、Ion Beam Etching(以下、IBEと称する)により、第1の磁性膜211を、選択的にエッチングする。
(C) Process leading to the state of FIG. 49 In the process from the state of FIG. 48 to the state of FIG. 49, a photoresist film RS4 covering the
(D)図50の状態に至るプロセス
図49の状態から図50の状態に至るプロセスでは、図49に図示されたレジストカバーRS4を除去した後、図50に図示するように、絶縁膜251、第1のコイル231、第2のポール片212及びバックギャップ片216の表面及び側面に、絶縁膜252を付着させる。絶縁膜252は、具体的には、Al2O3−CVDによって形成されるもので、0.05〜0.15μmの膜厚となるように形成する。絶縁膜252は、減圧雰囲気下で、100℃以上の温度で形成する。絶縁膜252をAl2O3膜として形成する場合、H2O、N2、N2OまたはH2O2の減圧雰囲気中に、Al(CH3)3またはAlCl3を交互に断続的に噴射するアルミナCVD膜形成方法を採用することができる。
(D) Process leading to the state of FIG. 50 In the process from the state of FIG. 49 to the state of FIG. 50, after removing the resist cover RS4 illustrated in FIG. 49, as illustrated in FIG. An insulating
次に、絶縁膜252の表面に、Seed膜261を付着させる。Seed膜261は、例えば、膜厚50nmのCuスパッタ膜、及び、膜厚50nmのCu−CVD膜の積層膜として構成することができる。
Next, a
(E)図51の状態に至るプロセス
図50の状態から図51の状態に至るプロセスでは、Seed膜261の上に、第2のコイルとなるメッキ膜232を、フレームメッキ法により、例えば、3〜4μmの膜厚となるように形成する。メッキ膜232は、Cuを主成分とし、選択メッキ法によって形成する。メッキ膜232によって覆われていないSeed膜261を希塩酸、希硫酸もしくは硫酸銅などを用いたウエットエッチング、又は、Ion Millingなどのドライエッチングによって除去する。
(E) Process leading to the state of FIG. 51 In the process from the state of FIG. 50 to the state of FIG. 51, a
その後、メッキ膜232及びメッキ膜232によって覆われていない領域、及び、メッキ膜232を覆うように、Al2O3でなる絶縁膜253を形成する。絶縁膜253は、4〜6μmのスパッタ膜として形成する。
Thereafter, an insulating
(F)図52の状態に至るプロセス
図51の状態から図52の状態に至るプロセスでは、絶縁膜253及びメッキ膜232をCMPによって研磨し、平坦化する。これにより、第2のコイル232が、平面状の渦巻きパターンとなるように、パターン化されるとともに、第1のコイル231から、絶縁膜252によって分離される。CMPにおいては、第2のポール片212、バックギャップ片216および絶縁膜253の表面も、第1のコイル231及び第2のコイル232の表面と同一の平面となるように研磨される。
(F) Process leading to the state of FIG. 52 In the process from the state of FIG. 51 to the state of FIG. 52, the insulating
(G)図53の状態に至るプロセス
図52の状態から図53の状態に至るプロセスでは、図53に図示するように、第1のコイル231及び第2のコイル232の表面を覆う絶縁膜254を付着させる。絶縁膜254は、Al2O3でなり、例えば、0.2μm〜0.5μmの膜厚となるように形成する。
(G) Process leading to the state of FIG. 53 In the process from the state of FIG. 52 to the state of FIG. 53, as shown in FIG. 53, the insulating
次に、絶縁膜254に対して、リアクティブ.イオン.エッチング(RIE)又はIon Millingを施し、第3のポール片213及びバックギャップ片217(図7、図8参照)のための開口を形成する。その後、メッキにより、第3のポール片213及びバックギャップ片217を形成する。第3のポール片213及びバックギャップ片217を形成した後は、レジストフレームは除去する。第3のポール片213及びバックギャップ片217は、CoFe又はCoNiFe(2.1〜2.3T)のメッキ膜であり、例えば、1〜2μmの範囲の膜厚を有する。
Next, reactive. ion. Etching (RIE) or Ion Milling is performed to form openings for the
次に、第3のポール片213及びバックギャップ片217を形成してある表面に、Al2O3でなる絶縁膜255を、例えば、1〜2μmの膜厚となるように付着させた後、絶縁膜255、第3のポール片213及びバックギャップ片217の表面を、CMPによって研磨する。
Next, after an
(H)図54及び図55の状態に至るプロセス
図53の状態から図54の状態に至るプロセスでは、絶縁膜255、第3のポール片213及びバックギャップ片217の被研磨面に、磁性膜214を、例えば、0.5〜1.0μmの膜厚となるように形成する。磁性膜214は、CoFeN(2.4T)のメッキ膜、又は、FeAlN、FeN、FeCoもしくはFeZrNのスパッタ膜によって構成することができる。この後、第3のポール片213及びバックギャップ片217の上に、NiFeまたはCoNiFeのパターンメッキ膜でなるマスク250が形成される。そして、マスク250を介して、磁性膜214をIBEの適用によってパターニングする。これにより、図55に図示するように、第4のポール片214と、バックギャップ片218が形成される。
(H) Process leading to the state of FIGS. 54 and 55 In the process from the state of FIG. 53 to the state of FIG. 54, a magnetic film is formed on the surface to be polished of the insulating
パターンメッキ膜でなるマスク250を用いて磁性膜214をパターニングする場合、Ion Beamが用いられ、その照射角度を零度と75度に設定する。これにより、HiBs材でなる磁性膜214を選択的にパターニングすることができる。
磁性膜214は上記とは異なる方法によってもパターニングすることができる。例えば、Cl2またはBCl3+Cl2などのハロゲン系ガス雰囲気中、50℃〜300℃の高温で、RIEを実行し、磁性膜214を、例えば、その膜厚の80%程度までエッチングする。RIEを行うときの温度は、50℃以上、特に、200〜250℃の範囲が好ましい。この温度範囲であれば、高精度のパターンを得ることができる。
When the
The
また、Cl2系ガスにO2を導入することで、エッチングプロファイルを正確にコントロールできる。特に、BCl3+Cl2ガスにO2を混入することにより、残存ボロンガスの堆積物を綺麗に除去できるので、エッチングプロファイルを極めて正確にコントロールできる。
さらに、Cl2、BCl3+Cl2またはこれらにO2を混入したガスに、CO2ガスを混合したエッチングガスを用いることにより、RIEのエッチングスピードが速まり、Mask材との選択比が30〜50%も向上する。
In addition, the etching profile can be accurately controlled by introducing O 2 into the Cl 2 gas. In particular, by mixing O 2 into BCl 3 + Cl 2 gas, the remaining boron gas deposit can be removed cleanly, so that the etching profile can be controlled very accurately.
Furthermore, by using an etching gas in which CO 2 gas is mixed with Cl 2 , BCl 3 + Cl 2 or a gas in which O 2 is mixed, the etching speed of RIE is increased and the selectivity to the Mask material is 30 to 30%. Improve by 50%.
上述のようにして、磁性膜214を一部(80%程度)エッチングした後、残存する磁性膜214に対して、追加的なIon Beam Etching(以下、IBEと称する)を施す。このIBEは、例えば、40〜70度の照射角度で行う。
As described above, after part of the magnetic film 214 (about 80%) is etched, additional Ion Beam Etching (hereinafter referred to as IBE) is applied to the remaining
上述したように、NiFeまたはCoNiFeのパターンメッキ膜でなるマスク250を用いて、磁性膜214をパターニングすることにより、第4のポール片214を正確に形成することができる。このため、第4のポール片214によって定まるスロートハイトを高精度でコントロールすることができる。例えば、スロートハイトを、0.1〜0.5μm又は0.2〜0.7μmのように、自由にコントロールすることができる。したがって、書き込み電流の立ち上がりが速く、かつ、オーバライト特性の優れた薄膜磁気ヘッドを得ることができる。
As described above, the
しかも、厚いHiBs材で構成された第4のポール片214によってスロートハイトが決定されるため、メディアに磁気記録を与えるための書き込み磁束を、途中の漏洩を減少させながら、ポール端に集中させることができる。このため、サイドライトやサイドイレーズの問題が解消される。
Moreover, since the throat height is determined by the
(I)図56及び図57の状態に至るプロセス
図55の状態から図56の状態に至るプロセスでは、Al2O3でなる絶縁膜256を、スパッタなどの手段によって付着させる。この後、図57に図示するように、絶縁膜256、第4のポール片214及びバックギャップ片218の表面を、CMPによって研磨して平坦化する。
(I) Process leading to the state of FIGS. 56 and 57 In the process from the state of FIG. 55 to the state of FIG. 56, an insulating
(J)図58及び図59の状態に至るプロセス
図57の状態から図58及び図59の状態に至るプロセスでは、第3の磁性膜222のうち、細い部分224を除き、第3の磁性膜222の広い部分223の全体を、レジストマスクFR4によって覆う。レジストマスクFR4は、第1のコイル231及び第2のコイル232をも覆うように広がっている。また、レジストマスクFR4は、その端面が、細い部分224の表面に対して、直交するように形成する。
(J) Process leading to the state of FIGS. 58 and 59 In the process from the state of FIG. 57 to the state of FIGS. 58 and 59, the third magnetic film is removed except for the
次に、図58及び図59に図示するように、レジストマスクFR4によって覆われていない領域を、Ion Beamによってエッチングする。このエッチングにより、レジストマスクFR4の周囲に露出しているSeed膜221、及び、第3の磁性膜222の細い部分224がトリミングされる。
Next, as shown in FIGS. 58 and 59, the region not covered by the resist mask FR4 is etched by Ion Beam. By this etching, the
レジストマスクFR4を有した状態でのエッチングは、Seed膜221の厚み内で留めてもよいし、ギャップ膜24に達するまで実行してもよいし、ギャップ膜24を通過し、第1のポール部を構成する磁性膜214に達するように実行してもよい。
The etching with the resist mask FR4 may be kept within the thickness of the
(K)図60及び図61の状態に至るプロセス
図58及び図59の状態から図60及び図61の状態に至るプロセスでは、レジストマスクFR4を除去した後、磁性膜214までエッチングする。この後、保護膜258(図2参照)する等して、製造プロセスが終了する。
(K) Process leading to the state of FIGS. 60 and 61 In the process from the state of FIGS. 58 and 59 to the state of FIGS. 60 and 61, the resist mask FR4 is removed and then the
上記エッチングプロセスによって、細い部分224の表面が、広い部分223の表面よりは低い位置まで、トリミングされるとともに、細い部分224の表面から広い部分223の表面に向かって、傾斜して連続し、かつ、幅が次第に拡大された傾斜フレア部225が生じる。
By the etching process, the surface of the
したがって、第2のポール部P2を構成する細い部分224の表面と、広い部分223の表面との間には、傾斜フレア部225による三次元的段差が生じることになる。この三次元的段差の利点については、既に述べたとおりである。
Therefore, a three-dimensional step due to the
(L)9図62及び図63の状態に至るプロセス
図60及び図61の状態から図62及び図63の状態に至るプロセスでは、第3の磁性膜222及び、第2の磁性膜221をマスクにして、IBEを実行し、第1のポール部P1に属する第4のポール片214を、例えば、0.25〜0.35μmの深さでトリミングした後、図64、図65に図示するように、保護膜258を、20〜40μmの膜厚となるように、付着させる。保護膜258はスパッタによって付着させることができる。
(L) 9 Process leading to the state of FIGS. 62 and 63 In the process from the state of FIGS. 60 and 61 to the state of FIGS. 62 and 63, the third
以上の工程は、ウエハ上で実行される。この後、ウエハからのバー状ヘッド集合体の切り出し、スロートハイト設定のための研磨、及び、ABS52、53加工などの周知の後加工が実行される。
The above steps are performed on the wafer. Thereafter, known post-processing such as cutting of the bar-shaped head aggregate from the wafer, polishing for setting the throat height, and
(3)実施例3
実施例3は、図9に図示した薄膜磁気ヘッドの製造プロセスであり、図66〜図71に図示されている。実施例1または実施例2において図示され、説明されたプロセスであって、実施例3においても適用されるプロセスについては、実施例1又は実施例2の説明を参照し、図示は省略することがある。
(3) Example 3
The third embodiment is a manufacturing process of the thin film magnetic head shown in FIG. 9, and is shown in FIGS. The processes illustrated and described in the first or second embodiment, and the processes applied in the third embodiment are also referred to the description of the first or second embodiment and are not illustrated. is there.
(A)図66の状態に至るプロセス
基体15の上に付着された絶縁膜16の上に、第1のシールド膜31、読み取り素子3、絶縁膜32、第2のシールド膜33、絶縁膜34及び第1の磁性膜211を、周知のプロセスによって形成する。その後、第1の磁性膜211の平坦な表面に、コイル形成に要する面積よりも少し大きい面積で、絶縁膜251を形成する。絶縁膜251は、バックギャップ部及びポール部に相当する部分に開口が生じるように形成する。そして、この開口に、フレームメッキ法の適用によって、第2のポール片212及び第1のバックギャップ片216を形成する。図66は第2のポール片212及び第1のバックギャップ片216を形成した後の状態を示している。
(A) Process leading to the state of FIG. 66 On the insulating
(B)図67の状態に至るプロセス
図66の工程の後、絶縁膜251を形成してある一面上で、フォトリソグラフィ工程を実行し、レストフレームメッキ法により、第1のコイル231を形成する。次に、第1のコイル231のコイルターン間のスペースに、フォトレジストでなる絶縁膜252を形成する。
(B) Process leading to the state of FIG. 67 After the step of FIG. 66, a photolithography step is performed on the surface on which the insulating
次に、ポール片213及びバックギャップ片217を形成してある表面に、Al2O3でなる絶縁膜254を、例えば、3〜4μmの膜厚となるように付着させた後、絶縁膜254、ポール片212及びバックギャップ片216の表面を、CMPによって研磨する。図67はCMPが終了した後の状態を示している。
Next, an insulating
(C)図68及び図69の状態に至るプロセス
図67の工程から図68及び図69に至るには、図20〜図27の工程が実行される。まず、絶縁膜254を形成してある一面上で、フォトリソグラフィ工程を実行し、第1のコイル231の内端281と接続される接続導体282のためのレジストフレーム、第3のポール片213及びバックギャップ片217(図27参照)のためのレジストフレームを形成し、得られたレジストフレームによって画定されたパターンにしたがって、フレームメッキを実行する。これにより、接続導体282、第3のポール片213及びバックギャップ片217が形成される。接続導体282、第3のポール片213及びバックギャップ片217は、CoFe又はCoNiFeのメッキ膜であり、例えば、1〜2μmの範囲の膜厚を有する(図20参照)。
(C) Process leading to the state of FIGS. 68 and 69 From the process of FIG. 67 to the processes of FIGS. 68 and 69, the processes of FIGS. First, a photolithography process is performed on one surface on which the insulating
次に、接続導体282、第3のポール片213及びバックギャップ片217を形成してある表面に、Al2O3でなる絶縁膜255を、例えば、2〜3μmの膜厚となるように付着させた後、絶縁膜255、第3のポール片213、バックギャップ片217及び接続導体281の表面を、CMPによって研磨する。このCMPは、第3のポール片213及びバックギャップ片217の膜厚が、例えば、0.2〜0.6μmの範囲となるように実行する(図21参照)。
Next, an insulating
次に、絶縁膜255、第3のポール片213及びバックギャップ片217の被研磨面に、第4のポール片214(図27参照)のための磁性膜214を、例えば、0.5μm〜1μmの膜厚となるように、スパッタ形成する(図22参照)。磁性膜214は、CoFeN(2.4T)、FeAlN、FeN、FeCoまたはFeZrNによって構成することができる。実施例では、磁性膜214は、CoFeN(2.4T)によって構成されている。更に、磁性膜214の表面に、フレームメッキ法によって、NiFeまたはCoNiFeなどのパターンメッキ250を形成する。パターンメッキ250は、バックギャップ216、217及び第3のポール片213の真上に位置するように形成する。
Next, a
次に、パターンメッキ250をマスクとして、磁性膜214を、Ion Beamによってエッチングした後、アルミナなどでなる絶縁膜256を、2〜3μmの膜厚となるようにスパッタし(図23参照)、次に、絶縁膜256を、パターンメッキ250が除去される位置まで、CMPによって研磨し平坦化する(図24参照)。
Next, the
次に、CMPによって平坦化された面に、ギャップ膜24を0.06〜0.1μmの膜厚となるように形成する(図25参照)。ギャップ膜24は、例えば、Ruなどの非磁性金属材料でなり、スパッタ等によって形成することができる。次に、ギャップ膜24の表面、及び、平坦化面に、第2の磁性膜221を形成する。第2の磁性膜221は、HiBs材を用いて構成する。具体的には、FeAlN、FeN、CoFe、CoFeN、FeZrNなどのHiBs材料のうち、特に、CoFe及びCoFeNが適している。第2の磁性膜221は、この後、第3の磁性膜をメッキによって形成する際に、Seed膜として用いられるものであり、例えば、0.3〜0.6μmの膜厚となるように形成する。
Next, a
この後、第2の磁性膜221をSeed膜として、フレームメッキ法により、第3の磁性膜222を形成する。第3の磁性膜222は、例えば、NiFe(組成比55:45)、CoNiFe(組成比約67:15:18、1.9T〜2.1T)、または、CoFe(組成比40:60、2.3T)等によって構成される。その厚みは、3.5〜4.0μmの範囲である。第3の磁性膜222は、広い部分223と、細い部分224とを有するように形成される(図26参照)。広い部分223は、第2のヨーク部を構成する部分であり、細い部分224は第2のポール部を構成する部分である。
Thereafter, the third
次に、第3の磁性膜222のうち、細い部分224を除き、第3の磁性膜222の広い部分23の全体を、レジストマスクFR3によって覆う(図27〜図29参照)。レジストマスクFR3は、第1のコイル231及び第2のコイル232をも覆うように広がっている。また、レジストマスクFR3は、その端面が、細い部分224の表面に対して、直交するように形成する。図68及び図69はレジストマスクFR3を形成した後の状態を示している。
Next, the entire wide portion 23 of the third
次に、図68及び図69に図示するように、レジストマスクFR3によって覆われていない領域を、Ion Beamによってエッチングする。このエッチングにより、レジストマスクFR3の周囲に露出しているSeed膜221、及び、第3の磁性膜222の細い部分224がトリミングされる。
Next, as shown in FIGS. 68 and 69, the region not covered with the resist mask FR3 is etched by Ion Beam. By this etching, the
レジストマスクFR3を有した状態でのエッチングは、Seed膜221の厚み内で留めてもよいし、ギャップ膜24に達するまで実行してもよいし、ギャップ膜24を通過し、第1のポール部を構成する磁性膜213に達するように実行してもよい。
The etching with the resist mask FR3 may be stopped within the thickness of the
図示実施例では、図69に図示するように、レジストマスクFR3を有した状態でのエッチングは、Seed膜221の厚み内でとどめている。そして、図70、図71に図示するように、レジストマスクFR3を除去した後、磁性膜213までエッチングする。この後、保護膜258(図2参照)を形成する等して、製造プロセスが終了する。
In the illustrated embodiment, as shown in FIG. 69, the etching with the resist mask FR3 is limited within the thickness of the
上記エッチングプロセスによって、細い部分224の表面が、広い部分223の表面よりは低い位置まで、トリミングされる。このトリミングにより、細い部分224の表面から広い部分223の表面に向かって、傾斜して連続し、かつ、幅が次第に拡大された傾斜フレア部225が生じる。
By the etching process, the surface of the
したがって、第2のポール部P2を構成する細い部分224の表面と、広い部分223の表面との間には、傾斜フレア部225による三次元的段差が生じることになる。この三次元的段差の利点については、既に述べたとおりである。
Therefore, a three-dimensional step due to the
3.磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置
本発明は、更に、磁気ヘッド装置及び磁気記録再生装置についても開示する。図72及び図73を参照すると、本発明に係る磁気ヘッド装置は、図1〜図10に示した薄膜磁気ヘッド400と、ヘッド支持装置6とを含む。ヘッド支持装置6は、金属薄板でなる支持体61の長手方向の一端にある自由端に、同じく金属薄板でなる可撓体62を取付け、この可撓体62の下面に薄膜磁気ヘッド400を取付けた構造となっている。
3. The present invention further discloses a magnetic head device and a magnetic recording / reproducing apparatus. Referring to FIGS. 72 and 73, the magnetic head device according to the present invention includes the thin film
具体的には、可撓体62は、支持体61の長手方向軸線と略平行して伸びる2つの外側枠部621、622と、支持体61から離れた端において外側枠部621、622を連結する横枠623と、横枠623の略中央部から外側枠部621、622に略平行するように延びていて先端を自由端とした舌状片624とを有する。横枠623のある方向とは反対側の一端は、支持体61の自由端付近に溶接等の手段によって取付けられている。
Specifically, the
支持体61の下面には、例えば半球状の荷重用突起625が設けられている。この荷重用突起625により、支持体61の自由端から舌状片624へ荷重力が伝えられる。
For example, a
薄膜磁気ヘッド400は、舌状片624の下面に接着等の手段によって取付けられている。薄膜磁気ヘッド400は、ピッチ動作及びロール動作が許容されるように支持されている。
The thin film
本発明に適用可能なヘッド支持装置6は、上記実施例に限定するものではなく、これまで提案され、またはこれから提案されることのあるヘッド支持装置を、広く適用できる。例えば、支持体61と舌状片624とを、タブテープ(TAB)等のフレキシブルな高分子系配線板を用いて一体化したもの等を用いることもできる。また、従来より周知のジンバル構造を持つものを自由に用いることができる。
The head support device 6 applicable to the present invention is not limited to the above-described embodiments, and head support devices that have been proposed or may be proposed in the future can be widely applied. For example, a
次に、図74を参照すると、本発明に係る磁気記録再生装置は、軸70の回りに回転可能に設けられた磁気ディスク71と、磁気ディスク71に対して情報の記録及び再生を行う薄膜磁気ヘッド72と、薄膜磁気ヘッド72を磁気ディスク71のトラック上に位置決めするためのアッセンブリキャリッジ装置73とを備えている。
Next, referring to FIG. 74, a magnetic recording / reproducing apparatus according to the present invention includes a
アセンブリキャリッジ装置73は、軸74を中心にして回動可能なキャリッジ75と、このキャリッジ75を回動駆動する例えばボイスコイルモータ(VCM)からなるアクチュエータ76とから主として構成されている。
The
キャリッジ75には、軸74の方向にスタックされた複数の駆動アーム77の基部が取り付けられており、各駆動アーム77の先端部には、薄膜磁気ヘッド72を搭載したヘッドサスペンションアッセンブリ78が固着されている。各ヘッドサスペンションアセンブリ78は、その先端部に有する薄膜磁気ヘッド72が、各磁気ディスク71の表面に対して対向するように駆動アーム77の先端部に設けられている。
A base portion of a plurality of drive arms 77 stacked in the direction of the
駆動アーム77、ヘッドサスペンションアッセンブリ78及び薄膜磁気ヘッド72は、図72、図73を参照して説明した磁気ヘッド装置を構成する。薄膜磁気ヘッド72は、図1〜図10に示した構造を有する。従って、図74に示した磁気記録再生装置は、図1〜図10を参照して説明した作用効果を奏する。
The drive arm 77, the
以上、好ましい実施例を参照して本発明の内容を具体的に説明したが、本発明の基本的技術思想及び教示に基づいて、当業者であれば、種々の変形態様を採り得ることは自明である。 Although the contents of the present invention have been specifically described with reference to the preferred embodiments, it is obvious that those skilled in the art can take various modifications based on the basic technical idea and teachings of the present invention. It is.
2 書き込み素子
211 第1の磁性膜
221 第2の磁性膜
222 第3の磁性膜
P1、P2 第1、第2のポール部
212〜215、223 ポール片
216〜219、224 バックギャップ片
231〜234 第1のコイル〜第4のコイル
24 ギャップ膜
260〜262 Seed膜
3 読み取り素子
16、32、34、251〜257、271〜273 絶縁膜
400 薄膜磁気ヘッド
2 Write
Claims (18)
前記書き込み素子は、第1のヨーク部と、第1のポール部と、第2のポール部と、第2のヨーク部と、ギャップ膜と、コイルとを含んでおり、
前記第1のヨーク部は、第1の磁性膜によって構成され、一面が平面であり、
前記第1のポール部は、媒体対向面側において、前記第1の磁性膜の前記一面上に突設され、上端が縮小された幅を有しており、
前記第2のポール部は、前記第1のポール部の前記上端と、前記ギャップ膜を介して、同一幅で対向しており、
前記第2のヨーク部は、広い部分と、細い部分と、傾斜フレア部とを含み、
前記広い部分は、表面が平坦で、前記媒体対向面を基準にして後方側のバックギャップ部により、前記第1の磁性膜と結合されており、
前記細い部分は、前記第2のポール部を構成し、表面が、前記広い部分の表面よりは低い位置にあり、
前記傾斜フレア部は、前記細い部分の前記表面から前記広い部分の表面に向かって、傾斜して連続し、かつ、幅が次第に拡大されており、
前記コイルは、前記第1の磁性膜の前記一面上に形成された第1の絶縁膜の面上で、前記バックギャップ部の周りを、渦巻き状に周回している
薄膜磁気ヘッド。 A thin film magnetic head including a writing element,
The write element includes a first yoke portion, a first pole portion, a second pole portion, a second yoke portion, a gap film, and a coil.
The first yoke portion is constituted by a first magnetic film, and one surface is a plane,
The first pole portion protrudes on the one surface of the first magnetic film on the medium facing surface side and has a width with a reduced upper end.
The second pole portion is opposed to the upper end of the first pole portion with the same width via the gap film,
The second yoke portion includes a wide portion, a thin portion, and an inclined flare portion,
The wide portion has a flat surface and is coupled to the first magnetic film by a back gap portion on the rear side with respect to the medium facing surface.
The thin portion constitutes the second pole portion, and the surface is at a position lower than the surface of the wide portion,
The inclined flare portion is inclined and continuous from the surface of the thin portion toward the surface of the wide portion, and the width is gradually enlarged,
The thin-film magnetic head, wherein the coil spirals around the back gap portion on the surface of the first insulating film formed on the one surface of the first magnetic film.
薄膜磁気ヘッド。 2. The thin film magnetic head according to claim 1, wherein the first pole portion is formed by trimming pole pieces adjacent to the gap film in accordance with the width of the second pole portion on both sides in the width direction. A thin film magnetic head in which the thickness of the bottom of the concave portion generated by trimming increases toward the pole piece.
薄膜磁気ヘッド。 3. The thin film magnetic head according to claim 1, wherein the magnetic film constituting the pole piece adjacent to the gap film is composed of any one of CoFe, CoFeN, FeAlN, FeN, FeCo, and FeZrN. Thin film magnetic head.
前記第2のヨーク部は、第2の磁性膜と第3の磁性膜とを含み、前記第3の磁性膜は前記第2の磁性膜の上に付着されており、
前記広い部分は、前記第2の磁性膜及び前記第3の磁性膜の膜厚の均一な部分によって構成されており、
前記細い部分の表面及び傾斜フレア部の表面は、前記第3の磁性膜の表面を、部分的にエッチングして得られたものである
薄膜磁気ヘッド。 A thin film magnetic head according to any one of claims 1 to 3,
The second yoke portion includes a second magnetic film and a third magnetic film, and the third magnetic film is attached on the second magnetic film,
The wide part is constituted by a uniform part of the thickness of the second magnetic film and the third magnetic film,
The surface of the thin portion and the surface of the inclined flare portion are thin film magnetic heads obtained by partially etching the surface of the third magnetic film.
前記コイルは、第1のコイルと、第2のコイルとを含み、
前記第1のコイル及び前記第2のコイルは、前記第1の磁性膜の前記一面上に形成された第1の絶縁膜の面上で、前記バックギャップ部の周りを、渦巻き状に周回し、一方が、他方のコイルターン間のスペースに、第2の絶縁膜を介して嵌め込まれ、同一方向の磁束を生じるように接続されており、
前記第1のコイル及び前記第2のコイルは、上面が平坦化された平面を構成する
薄膜磁気ヘッド。 A thin film magnetic head according to claim 1,
The coil includes a first coil and a second coil,
The first coil and the second coil circulate around the back gap portion in a spiral shape on the surface of the first insulating film formed on the one surface of the first magnetic film. , One is inserted in the space between the other coil turns through the second insulating film, and connected so as to generate a magnetic flux in the same direction,
The first coil and the second coil are thin film magnetic heads that form a flat surface having a flat upper surface.
前記第1のコイルは、メッキ膜であり、前記第1の磁性膜の前記一面に付着された前記第1の絶縁膜の上に形成されており、
前記第2のコイルは、メッキ膜であり、前記スペース内において、前記第2の絶縁膜の上に形成されており、前記第2の絶縁膜は、前記スペースの底面及び両側面に形成されている薄膜磁気ヘッド。 The thin film magnetic head according to claim 8,
The first coil is a plating film, and is formed on the first insulating film attached to the one surface of the first magnetic film,
The second coil is a plating film, and is formed on the second insulating film in the space. The second insulating film is formed on a bottom surface and both side surfaces of the space. Thin film magnetic head.
前記第1のポール部は、第1のポール片と、第2のポール片と、第3のポール片と、第4のポール片とを含み、
前記第1のポール片は、前記第1の磁性膜の端によって構成されており、
前記第2のポール片は、一面が前記第1のポール片に隣接しており、
前記第3のポール片は、一面が前記第2のポール片の他面に隣接しており、
前記第4のポール片は、一面が前記第3のポール片の他面に隣接し、他面が前記ギャップ膜に隣接しており、
前記第2のポール片は、前記他面が、前記第1のコイル及び前記第2のコイルの平坦化された平面と、同一位置になるように平坦化されており、
前記第3のポール片は、前記他面が、前記平坦化された平面の上に設けられた第3の絶縁膜の表面と同一位置になるように平坦化されており、
前記第4のポール片は、前記他面が、前記第3の絶縁膜の上に設けられた第4の絶縁膜の表面と同一位置になるように平坦化されており、
前記ギャップ膜は、前記第4のポール片及び前記第4の絶縁膜の平坦化された表面上に存在する薄膜磁気ヘッド。 A thin film magnetic head according to any one of claims 1 to 9,
The first pole portion includes a first pole piece, a second pole piece, a third pole piece, and a fourth pole piece,
The first pole piece is constituted by an end of the first magnetic film,
One surface of the second pole piece is adjacent to the first pole piece,
One surface of the third pole piece is adjacent to the other surface of the second pole piece,
The fourth pole piece has one surface adjacent to the other surface of the third pole piece, and the other surface adjacent to the gap film,
The second pole piece is flattened so that the other surface is in the same position as the flattened planes of the first coil and the second coil,
The third pole piece is flattened so that the other surface is at the same position as the surface of the third insulating film provided on the flattened plane,
The fourth pole piece is flattened so that the other surface is at the same position as the surface of the fourth insulating film provided on the third insulating film,
The gap film is a thin-film magnetic head that exists on a planarized surface of the fourth pole piece and the fourth insulating film.
前記第4のポール片は、第2の磁性膜、第3の磁性膜の前記広い部分の表面と、第2のポール部の表面との間の段差よりも厚い膜厚を有する
薄膜磁気ヘッド。 The thin film magnetic head according to claim 10,
The fourth pole piece is a thin film magnetic head having a thickness greater than a step between the surface of the second magnetic film and the wide portion of the third magnetic film and the surface of the second pole portion.
前記コイルは、コイルターン間のスペースが、有機絶縁樹脂によって埋められており、
前記コイル及び前記有機樹脂は、無機絶縁材料でなる第5の絶縁膜によって覆われており、
前記第5の絶縁膜は、表面が平坦化されており、
前記第1のポール部は、第1のポール片と、第2のポール片と、第3のポール片とを含み、
前記第1のポール片は、前記第1の磁性膜の端によって構成されており、
前記第2のポール片は、一面が前記第1のポール片に隣接しており、
前記第3のポール片は、一面が前記第2のポール片の他面に隣接しており、
前記第2のポール片は、前記他面が、前記第5の絶縁膜の平坦化された平面と、同一位置になるように平坦化されており、
前記第3のポール片は、前記他面が、前記第5の絶縁膜の平坦化された平面に設けられた第6の絶縁膜の表面と同一位置になるように平坦化されており、
前記ギャップ膜は、前記第3のポール片及び前記第6の絶縁膜の平坦化された表面上に存在する
薄膜磁気ヘッド。 A thin film magnetic head according to any one of claims 1 to 11,
In the coil, a space between coil turns is filled with an organic insulating resin,
The coil and the organic resin are covered with a fifth insulating film made of an inorganic insulating material,
The fifth insulating film has a flat surface.
The first pole portion includes a first pole piece, a second pole piece, and a third pole piece,
The first pole piece is constituted by an end of the first magnetic film,
One surface of the second pole piece is adjacent to the first pole piece,
One surface of the third pole piece is adjacent to the other surface of the second pole piece,
The second pole piece is flattened so that the other surface is in the same position as the flattened plane of the fifth insulating film,
The third pole piece is flattened so that the other surface is at the same position as the surface of the sixth insulating film provided on the flattened plane of the fifth insulating film,
The gap film is a thin film magnetic head that exists on the planarized surfaces of the third pole piece and the sixth insulating film.
薄膜磁気ヘッド。 13. The thin film magnetic head according to claim 1, further comprising a reading element, wherein the reading element includes a giant magnetoresistive element.
薄膜磁気ヘッド。 14. The thin film magnetic head according to claim 13, wherein the giant magnetoresistive element includes either a spin valve film or a ferromagnetic tunnel junction.
前記薄膜磁気ヘッドは、請求項1乃至14に記載されたものでなり、
前記磁気記録媒体は、前記薄膜磁気ヘッドと協働して磁気記録再生を行う
磁気記録再生装置。 A magnetic recording / reproducing apparatus including a thin film magnetic head and a magnetic recording medium,
The thin film magnetic head is the one described in claims 1 to 14,
The magnetic recording medium is a magnetic recording / reproducing apparatus that performs magnetic recording / reproduction in cooperation with the thin film magnetic head.
前記薄膜磁気ヘッドは、請求項1乃至14に記載されたものでなり、
前記書き込み素子の製造にあたり、
前記第3の磁性層を、均一な膜厚となるように形成した後、前記第3の磁性膜のうち、細い部分を除き、前記第3の磁性膜の広い部分の全体を、レジストマスクによって覆い、
次に、前記第3の磁性膜のうち、少なくとも、前記第2のポール部となる部分、および、前記傾斜フレア部となる部分であって、前記レジストマスクによって覆われていない部分をエッチングし、狭幅化されたトラック幅を得る工程を含む
薄膜磁気ヘッドの製造方法。 A method of manufacturing a thin film magnetic head having a writing element,
The thin film magnetic head is the one described in claims 1 to 14,
In manufacturing the writing element,
After the third magnetic layer is formed so as to have a uniform film thickness, the entire wide portion of the third magnetic film is removed by a resist mask except for a thin portion of the third magnetic film. Covering,
Next, of the third magnetic film, at least a portion to be the second pole portion and a portion to be the inclined flare portion, which are not covered with the resist mask, are etched, A method of manufacturing a thin film magnetic head including a step of obtaining a narrowed track width.
前記エッチング工程は、前記レジストマスクの存在下で、前記第3の磁性膜及び前記ギャップ膜をエッチングした後、前記レジストマスクを剥離し、
前記レジストマスクを剥離した後、前記第2の磁性膜をエッチングする工程を含む
薄膜磁気ヘッドの製造方法。 A method of manufacturing a thin film magnetic head according to claim 16,
In the etching step, after etching the third magnetic film and the gap film in the presence of the resist mask, the resist mask is peeled off,
A method of manufacturing a thin film magnetic head, comprising: a step of etching the second magnetic film after removing the resist mask.
前記エッチング工程は、前記レジストマスクの存在下で、前記ギャップ膜の表面までエッチングした後、前記レジストマスクを剥離し、
前記レジストマスクを剥離した後、前記ギャップ膜及び第2のポール部をエッチングする工程を含む
薄膜磁気ヘッドの製造方法。 A method of manufacturing a thin film magnetic head according to claim 17,
In the etching step, in the presence of the resist mask, after etching to the surface of the gap film, the resist mask is peeled off,
A method of manufacturing a thin film magnetic head, comprising: a step of etching the gap film and the second pole portion after removing the resist mask.
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