JP2005108736A - 有機ｅｌ素子および有機ｅｌパネル - Google Patents
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Abstract
【課題】微小共振器による光選択性の悪化の影響を除去する。
【解決手段】有機ＥＬ素子の透明電極６１の下側には、半透過膜６９が配置されており、この半透過膜６９の上面から反射層として機能する対向電極６６の下面までの距離は、この間の空間が特定波長の光を選択する微小共振器として作用する距離に設定されている。そして、半透過膜６９の下方であって、半透過膜６９の周辺部分に対応する位置には遮光膜９６が配置されており、光学長の変化による異なった色の光が射出されるのを防止している。
【選択図】図１
【解決手段】有機ＥＬ素子の透明電極６１の下側には、半透過膜６９が配置されており、この半透過膜６９の上面から反射層として機能する対向電極６６の下面までの距離は、この間の空間が特定波長の光を選択する微小共振器として作用する距離に設定されている。そして、半透過膜６９の下方であって、半透過膜６９の周辺部分に対応する位置には遮光膜９６が配置されており、光学長の変化による異なった色の光が射出されるのを防止している。
【選択図】図１
Description
本発明は、透明電極と、この透明電極上に配置された有機発光層と、この有機発光層上に配置された対向電極と、を含み、透明電極と、対向電極間に電圧を印加することで発光する有機ＥＬ素子に関する。
従来より、液晶ディスプレイに代わる次世代のフラットディスプレイの１つとして有機エレクトロルミネッセンス（以下ＥＬという）ディスプレイが注目されている。このディスプレイパネル（以下有機ＥＬパネルという）では、各画素に用いる有機発光層の発光材料を変更することで、各画素の発光色を決定できる。そこで、各画素の発光色を異ならせて、ＲＧＢ表示を行うことができる。
しかし、各色の発光材料に効率の差があったり、また画素毎に別の発光材料を用いて塗り分けしなければならず、製造工程が複雑で難しくなるという問題がある。
また、フルカラー表示については、発光は１色にしておき、カラーフィルタや、色変換層を用いて、画素の色を決定することについての提案もある。しかし、このような構成では各色について十分な効率で発光させることが難しかった。
さらに、各画素に微小共振器として機能するマイクロキャビティを形成し、特定波長の光を取り出すことも試みられている（非特許文献１参照）。この微小共振器を利用することで、特定の波長の光を選択増強することができる。
中山隆博、角田敦「光共振器構造を導入した素子」第３回講習会（１９９３年）「有機ＥＬ材料・デバイス研究の基礎から最前線まで」１９９３年１２月１６・１７ 東京大学山上会館、応答物理学会有機分子・バイオエレクトロニクス分科会、JSAP Catalog Number:AP93 2376 p.135-143
しかし、従来の微小共振器を利用する方法では、表示色にムラが生じるという問題があった。
これについて、検討したところ、微小共振器を形成している部分において、その光学長が一定でない部分があり、これによって色選択がうまくいかなくなっていることが分かった。
本発明は、微小共振器による光選択性の悪化の影響を除去することを目的とする。
本発明は、有機層を第１および第２電極間に備え、第１および第２電極間に電圧を印加することで有機層に電流が流れ発光する有機ＥＬ素子であって、前記有機層から射出される光を所定の光学長の範囲内で繰り返し反射させ、これによって特定の波長の光を増強選択する微小共振器と、この微小共振器の光学長が変動する部分に対応して設けられ、微小共振器から射出される光を遮光する遮光膜と、を有することを特徴とする。
また、本発明は、有機層を第１および第２電極間に備え、第１および第２電極間に電圧を印加することで有機層に電流を流し発光する有機ＥＬ素子を多数有する有機ＥＬパネルであって、前記第１電極は前記有機発光層からの光を反射する半透過層を含み、前記第２電極は前記有機発光層からの光を反射する反射層を含み、前記反射層と、半透過層間の距離を、所定の光学長とすることで、前記有機発光層において発生した光を前記反射層と半透過層の間で繰り返し反射させ、これによって前記反射層と、半透過層間を特定波長の光を増強選択して前記半透過膜から射出する微小共振器として機能させるとともに、かつ前記微小共振器の光学長が変動する部分に対応して、微小共振器から射出される光を遮光する遮光膜を設けることを特徴とする。
また、前記第１電極を半透過層と透明電極の積層構造とし、前記第２電極を反射層として機能する金属電極とすることが好適である。
また、前記半透過層と透明電極のうち、透明電極が前記有機層側に配置されていることことが好適である。
また、前記第１電極が陽極、前記第２電極が陰極であることが好適である。
また、前記第１電極を反射層として機能する金属膜と透明電極の積層構造とし、前記第２電極を半透過膜と透明電極の積層構造とすることが好適である。
本発明によれば、遮光膜を設け、微小共振器（マイクロキャビティ）から射出された光のうち、不適切なものを除去する。これによって、微小共振器を設けた場合における欠点を解消することができる。
以下、本発明の一実施形態について、図面に基づいて説明する。
図１は、１画素の発光領域と駆動ＴＦＴの部分の構成を示す断面図である。なお、各画素には、複数のＴＦＴがそれぞれ設けられ、駆動ＴＦＴは、電源ラインから有機ＥＬ素子へ供給する電流を制御するＴＦＴである。
ガラス基板３０上には、発光領域の周辺部分を覆うように、遮光膜９６が形成される。この遮光膜９６は、液晶などに用いるブラックマトリクスと同様に各種の材料を利用することができ、クロムをエッチングしたブラック、レジスト（感光性樹脂）に黒色の顔料や染料を混合したレジストブラック、ポリマーに黒色顔料を分散させた樹脂ブラック材料等を利用することができる。
ガラス基板３０および遮光膜９６を覆って、ＳｉＮとＳｉＯ2の積層からなるバッファ層１１が全面に形成され、その上に所定のエリア（ＴＦＴを形成するエリア）にポリシリコンの能動層２２が形成される。
能動層２２およびバッファ層１１を覆って全面にゲート絶縁膜１３が形成される。このゲート絶縁膜１３は、例えばＳｉＯ2およびＳｉＮを積層して形成される。このゲート絶縁膜１３上方であって、チャネル領域２２ｃの上に例えばＣｒのゲート電極２４が形成される。そして、ゲート電極２４をマスクとして、能動層２２へ不純物をドープすることで、この能動層２２には、中央部分のゲート電極の下方に不純物がドープされていないチャネル領域２２ｃ、その両側に不純物のドープされたソース領域２２ｓおよびドレイン領域２２ｄが形成される。
そして、ゲート絶縁膜１３およびゲート電極２４を覆って全面に相関絶縁膜１５が形成され、この相関絶縁膜１５内部のソース領域２２ｓ、ドレイン領域２２ｄの上部にコンタクトホールが形成され、このコンタクトホールを介し、相関絶縁膜１５の上面に配置されるソース電極５３、およびドレイン電極２６が形成される。なお、ソース電極５３には、電源ライン（図示せず）が接続される。ここで、このようにして形成された駆動ＴＦＴは、この例ではｐチャネルＴＦＴであるが、ｎチャネルとすることもできる。
相関絶縁膜１５およびソース電極５３、ドレイン電極２６を覆って、全面に平坦化膜１７が形成され、この平坦化膜１７の上面の発光領域の位置には、Ａｇの薄膜などからなる半透過膜６９が形成され、その上に陽極として機能する透明電極６１が設けられる。また、ドレイン電極２６の上方の平坦化膜１７には、これらを貫通するコンタクトホールが形成され、このコンタクトホールを介し、ドレイン電極２６と透明電極６１が接続される。
なお、相関絶縁膜１５および平坦化膜１７には、通常アクリル樹脂などの有機膜が利用されるが、ＴＥＯＳなどの無機膜を利用することも可能である。また、ソース電極５３、ドレイン電極２６は、アルミなどの金属が利用され、透明電極６１には通常ＩＴＯが利用される。
この透明電極６１は、通常各画素の半分以上の領域に形成され、全体としてほぼ四角形状で、ドレイン電極２６との接続用のコンタクト部分が側方への突出部として形成されており、コンタクトホール内にものびている。半透過膜６９は、陽極より若干小さく形成されている。
この透明電極６１の上には、全面に形成されたホール輸送層６２、発光領域より若干大きめに形成された有機発光層６３、全面に形成された電子輸送層６４からなる有機層６５と、全面に形成された金属製（例えば、アルミＡｌ）の対向電極６６が陰極として形成されている。
透明電極６１の周辺部分上のホール輸送層６２の下方には、平坦化膜６７が形成されており、この平坦化膜６７によって、各画素の発光領域が透明電極６１上であって、ホール輸送層６２が透明電極６１が直接接している部分が限定され、ここが発光領域となる。また、この平坦化膜６７の一部は、透明電極６１のコンタクト部に生じる凹部にも形成され、透明電極６１を平坦化している。なお、平坦化膜６７にも、通常アクリル樹脂などの有機膜が利用されるがＴＥＯＳなどの無機膜を利用することも可能である。
なお、ホール輸送層６２、有機発光層６３、電子輸送層６４には、有機ＥＬ素子に通常利用される材料が使用され、有機発光層６３の材料（通常はドーパント）によって、発光色が決定される。例えば、ホール輸送層６２にはＮＰＢ、赤色の有機発光層６３にはＴＢＡＤＮ＋ＤＣＪＴＢ、緑色の有機発光層６３にはＡｌｑ3＋ＣＦＤＭＱＡ、青色の有機発光層６３にはＴＢＡＤＮ＋ＴＢＰ、電子輸送層６４にはＡｌｑ3等が用いられる。
このような構成において、ゲート電極２４の設定電圧に応じて、駆動ＴＦＴがオンすると、電源ラインからの電流が、透明電極６１から対向電極６６に流れ、この電流によって有機発光層６３において、発光が起こり、この光が、透明電極６１、平坦化膜１７、相関絶縁膜１５、ゲート絶縁膜１３、およびガラス基板３０を通過し、図における下方に射出される。
本実施形態においては、透明電極６１の発光領域の下面には、銀（Ａｇ）などの薄膜からなる半透過膜６９が設けられている。従って、有機発光層６３において発生した光は、この半透過膜６９により反射される。一方、対向電極６６は、反射層として作用するため、半透過膜６９、対向電極６６間で繰り返し反射される。
ここで、半透過膜６９と、対向電極６６との距離は、光学的な距離として、この間隙が特定色の微小共振器として機能する距離に設定してある。すなわち、光学長を選択した色の波長の１／２、１、２倍など、整数倍または整数分の１倍に設定する。例えば、各層の屈折率は、透明電極６１に用いられるＩＴＯ：１．９、ゲート絶縁膜１３に用いられるＳｉＯ２：１．４６、ＳｉＮ：２．０、有機発光層６３などの有機層：１．７程度である。このように、半透過膜６９と対向電極６６の間の各層の厚みに対応する屈折率を乗算して合計した光学的厚みを取り出し対象とする光の波長に対応したものに設定することで、半透過膜６９と、対向電極の間が微小共振器として作用し、対象とする波長の光を効率的に取り出すことができる。すなわち、有機発光層６３からの光は、半透過膜６９と、対向電極の間において、繰り返し反射し、特定の波長の光が選択的に半透過膜６９を透過して射出される。また、この微小共振器内において、反射を繰り返すことで、特定周波数の光が射出される確率が上昇して、効率を上昇することができる。
さらに、本実施形態においては、ガラス基板３０とバッファ層１１との間に、遮光膜９６が設けられており、発光領域の周辺部分を覆っている。微小共振器は、その光学長に応じた光を選択するものであり、光学長が異なると選択される光の波長が異なってしまう。半透過膜６９の周辺端部においては、段差に伴い透明電極６１の厚さなどに変化があり、半透過膜６９から対向電極６６までの距離が異なりやすい。また、半透過膜６９と対向電極６６との間の層が斜めになっている場所では、光学長が正確に制御できない。従って、これらの部分に遮光膜９６を設けることで、異なる色の光が放出されることを効果的に防止することができる。また、この例では、遮光膜９６は、駆動ＴＦＴの下方にも設けられ外部からの光が駆動ＴＦＴに当たり、駆動ＴＦＴが誤動作するのを防止している。
なお、遮光膜９６は、ガラス基板３０上に限らず、相関絶縁膜１５上にＳｉＮ膜などを配置しその上に形成したり、ガラス基板３０下面などに形成してもよい。
図２には、トップエミッションタイプの画素部の構成が示されている。この例では、陰極として、ＩＴＯで形成された透明陰極９０が利用され、この透明陰極９０の下面に半透過膜９１が配置されている。
また、透明電極６１の下側には金属反射層９３が設けられ、この金属反射層９３の表面と半透過膜９１の間が微小共振器として機能する。
また、この場合には、遮光膜９６は、封止基板９５の下面に設けられる。この遮光膜９６は、上述のボトムエミッションタイプの場合と同様に、微小共振器の光学長が変動する部分に設けられ、この場合には発光領域の周辺部分だけでなく、透明電極６１のコンタクト部分に対応する位置にも設けられている。
なお、封止基板９５は、基板３０と周辺部のみで接続され、有機ＥＬ素子などが形成された基板３０の上方空間を封止するものである。
図３は、図１の構成において、発光領域に対応する部分であって、遮光膜９６に隣接する領域にカラーフィルタ７０を設けたものである。上述のように、微小共振器により特定の波長の光を選択することができる。しかし、微小共振器は、基本的に半透過膜６９の表面に対し直交する方向からきた光についての波長を規定する。従って、射出する光の波長が視野方向に大きく依存し、パネルを斜めから見た場合に色が変化しやすい。本実施形態のようにカラーフィルタ７０を設けると、ここを透過する光は確実に特定波長のものになり、パネルの視野角依存性をほぼなくすことができる。
なお、カラーフィルタ７０は、ガラス基板３０上に限らず、相関絶縁膜１５上にＳｉＮ膜などを配置しその上に形成したり、ガラス基板３０下面などに形成してもよい。この場合、製造工程を簡単にするために、遮光膜９６と同一層に形成することが好適である。
図４には、トップエミッションタイプにおいて、カラーフィルタ７０を設けた構成を示してある。この場合も、遮光膜９６に隣接して、封止基板９５の下面に、カラーフィルタ７０が設けられる。
なお、上述の例では、有機発光層６３として、オレンジと、青の２層の有機発光層６３ｏ、６３ｂを有する白色発光としたが、ＲＧＢのいずれかの単色発光層においても、微小共振器を構成し、光学長の変動する領域に対応して遮光膜を設けることが好適である。
また、上述の例では、ＴＦＴとして、トップゲートタイプのものを説明したが、これに限らずボトムゲートタイプのものを利用することもできる。
図５には、トップエミッションタイプのパネルにおける遮光膜９６の機能を模式的に示してある。平坦化膜１７上には、所定部分（発光部）には、画素電極としての透明電極６１が形成される。しかし、この平坦化膜１７は、下方に形成されるＴＦＴなどとの関係で、凹部などが生じる。このため、平坦化膜１７上に設けられる透明電極６１、有機層６５、対向電極６６についても、凹部が生じる。
そして、この凹部が生じることで、図において矢印で示すように透明電極６１と対向電極６６との光学長に差が生じる。
そこで、本実施形態では、遮光膜９６を設け、図に下側の太矢印で示すように、凹部における反射光が射出光中に混じらないようしている。また、遮光膜９６には、図の上側の太矢印で示すように、外部光に対する反射防止機能を付加してもよい。なお、反射防止機能は、酸化クロム（ＣｒＯ２）や樹脂ブラック材料の用いて達成でき、遮光膜９６自体を樹脂ブラックで形成することができる。
なお、光学長が変化する部分としては、上述したコンタクトホール部分や、画素周辺部があげられる。
１１ バッファ層、１３ ゲート絶縁膜、１５ 相関絶縁膜、１７ 平坦化膜、２２ 能動層、２２ｃ チャネル領域、２２ｄ ドレイン領域、２２ｓ ソース領域、２４ ゲート電極、２６ ドレイン電極、３０ ガラス基板、５３ ソース電極、６１ 透明電極、６２ ホール輸送層、６３ 有機発光層、６４ 電子輸送層、６５ 有機層、６６ 対向電極、６７ 平坦化膜、６９ 半透過膜、７０ カラーフィルタ、７１ ＳｉＮ膜、９０ 透明陰極、９１ 半透過膜、９３ 金属反射層、９５ 封止基板、９６ 遮光膜。
Claims (6)
- 有機層を第１および第２電極間に備え、第１および第２電極間に電圧を印加することで有機層に電流が流れ発光する有機ＥＬ素子であって、
前記有機層から射出される光を所定の光学長の範囲内で繰り返し反射させ、これによって特定の波長の光を増強選択する微小共振器と、
この微小共振器の光学長が変動する部分に対応して設けられ、微小共振器から射出される光を遮光する遮光膜と、
を有することを特徴とする有機ＥＬ素子。 - 有機層を第１および第２電極間に備え、第１および第２電極間に電圧を印加することで有機層に電流を流し発光する有機ＥＬ素子を多数有する有機ＥＬパネルであって、
前記第１電極は前記有機発光層からの光を反射する半透過層を含み、
前記第２電極は前記有機発光層からの光を反射する反射層を含み、
前記反射層と、半透過層間の距離を、所定の光学長とすることで、前記有機発光層において発生した光を前記反射層と半透過層の間で繰り返し反射させ、これによって前記反射層と、半透過層間を特定波長の光を増強選択して前記半透過膜から射出する微小共振器として機能させるとともに、
かつ前記微小共振器の光学長が変動する部分に対応して、微小共振器から射出される光を遮光する遮光膜を設けることを特徴とする有機ＥＬパネル。 - 請求項２に記載のパネルにおいて、
前記第１電極を半透過層と透明電極の積層構造とし、前記第２電極を反射層として機能する金属電極とすることを特徴とする有機ＥＬパネル。 - 請求項３に記載のパネルにおいて、
前記半透過層と透明電極のうち、透明電極が前記有機層側に配置されていることを特徴とする有機ＥＬパネル。 - 請求項４に記載のパネルにおいて、
前記第１電極が陽極、前記第２電極が陰極であることを特徴とする有機ＥＬパネル。 - 請求項２に記載のパネルにおいて、
前記第１電極を反射層として機能する金属膜と透明電極の積層構造とし、前記第２電極を半透過膜と透明電極の積層構造とすることを特徴とする有機ＥＬパネル。
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Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007250306A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Seiko Epson Corp | 発光装置および電子機器 |
| JP2009231093A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Casio Comput Co Ltd | エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法及びエレクトロルミネッセンスパネル |
| US7663653B2 (en) | 2005-02-24 | 2010-02-16 | Seiko Epson Corporation | Optical head and image forming apparatus incorporating the same |
| JP2010164983A (ja) * | 2005-11-14 | 2010-07-29 | Seiko Epson Corp | 発光装置および電子機器 |
| US8487313B2 (en) | 2005-11-14 | 2013-07-16 | Seiko Epson Corporation | Emissive device and electronic apparatus |
| JP2013165014A (ja) * | 2012-02-13 | 2013-08-22 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ装置、及び電子機器 |
| US8653729B2 (en) | 2008-10-13 | 2014-02-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same |
| KR101376427B1 (ko) | 2006-02-03 | 2014-03-20 | 소니 주식회사 | 표시 소자 및 표시 장치 |
| JP2016167400A (ja) * | 2015-03-10 | 2016-09-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置およびその製造方法 |
| JP2022514563A (ja) * | 2019-05-29 | 2022-02-14 | 昆山国顕光電有限公司 | 表示パネル及びその製作方法 |
Families Citing this family (40)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4716699B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2011-07-06 | 三洋電機株式会社 | 有機ｅｌパネル |
| JP2005197009A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-21 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置及びその製造方法及び製造装置 |
| JP4475942B2 (ja) * | 2003-12-26 | 2010-06-09 | 三洋電機株式会社 | 表示装置及びその製造方法 |
| JP4439260B2 (ja) | 2003-12-26 | 2010-03-24 | 三洋電機株式会社 | 表示装置の製造方法 |
| KR101087567B1 (ko) * | 2004-03-23 | 2011-11-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 소자 및 그 제조방법 |
| TWI272039B (en) | 2004-06-18 | 2007-01-21 | Sanyo Electric Co | Electroluminescence panel |
| KR100573154B1 (ko) * | 2004-06-26 | 2006-04-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR100683737B1 (ko) * | 2004-12-13 | 2007-02-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계발광 디스플레이 장치 |
| US8569948B2 (en) * | 2004-12-28 | 2013-10-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Electroluminescent devices and methods of making electroluminescent devices including an optical spacer |
| JP4573672B2 (ja) | 2005-02-28 | 2010-11-04 | 三洋電機株式会社 | 有機ｅｌパネル |
| US7777413B2 (en) * | 2005-03-17 | 2010-08-17 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescent device having an optical resonator |
| JP4557289B2 (ja) * | 2005-06-23 | 2010-10-06 | 株式会社日立製作所 | 表示装置 |
| TWI299635B (en) | 2005-12-09 | 2008-08-01 | Au Optronics Corp | Organic electroluminescent display |
| JP2007188653A (ja) * | 2006-01-11 | 2007-07-26 | Seiko Epson Corp | 発光装置および電子機器 |
| KR101242030B1 (ko) * | 2006-06-22 | 2013-03-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 소자 |
| TWI312587B (en) * | 2006-08-10 | 2009-07-21 | Au Optronics Corp | Organic light emitting display devices and methods for fabricating the same |
| KR100770104B1 (ko) * | 2006-09-28 | 2007-10-24 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법과 이를 위한이송 장치 |
| KR100740132B1 (ko) * | 2006-11-10 | 2007-07-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 |
| KR100824881B1 (ko) * | 2006-11-10 | 2008-04-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR100824880B1 (ko) * | 2006-11-10 | 2008-04-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR100833738B1 (ko) | 2006-11-30 | 2008-05-29 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR100824902B1 (ko) * | 2006-12-13 | 2008-04-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| DE202007004137U1 (de) * | 2007-02-06 | 2008-06-12 | Diehl Aerospace Gmbh | Elektrooptisches Leuchtmittel mit organischem lichtemittierendem Material |
| JP4893392B2 (ja) * | 2007-03-15 | 2012-03-07 | ソニー株式会社 | 表示装置および電子機器 |
| KR20090112088A (ko) * | 2008-04-23 | 2009-10-28 | 삼성전자주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| TWI491303B (zh) * | 2009-06-29 | 2015-07-01 | 群創光電股份有限公司 | 影像顯示系統 |
| KR101084196B1 (ko) * | 2010-02-19 | 2011-11-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR20130007167A (ko) * | 2011-06-29 | 2013-01-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR101866390B1 (ko) * | 2011-09-20 | 2018-06-11 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| TWI681559B (zh) * | 2013-10-10 | 2020-01-01 | 日商精工愛普生股份有限公司 | 發光裝置及包含其之電子機器 |
| KR102206268B1 (ko) * | 2013-12-18 | 2021-01-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자 |
| JP2015216072A (ja) | 2014-05-13 | 2015-12-03 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機ｅｌ装置及びその製造方法 |
| KR102296743B1 (ko) * | 2014-07-14 | 2021-09-01 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 이를 제조하는 방법 |
| KR102247825B1 (ko) * | 2014-07-25 | 2021-05-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 칼라 필터를 구비한 하부 발광형 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법 |
| CN105140260B (zh) * | 2015-07-23 | 2018-04-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管阵列基板及其制作方法、显示装置 |
| CN105489632A (zh) | 2016-01-15 | 2016-04-13 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled阵列基板及其制造方法、oled显示面板和oled显示装置 |
| GB2567421B (en) * | 2017-10-03 | 2022-09-28 | Flexenable Ltd | Photo-active devices |
| CN109713018B (zh) * | 2019-01-14 | 2020-08-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示装置及其制作方法 |
| CN116437712A (zh) * | 2020-03-18 | 2023-07-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及其制备方法和显示面板 |
| KR20220167818A (ko) * | 2021-06-14 | 2022-12-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 및 이의 제조방법 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994007344A1 (fr) * | 1992-09-22 | 1994-03-31 | Hitachi, Ltd. | Element luminescent organique et son substrat |
| JPH11345688A (ja) * | 1998-06-01 | 1999-12-14 | Tdk Corp | 有機ｅｌディスプレイ |
| JP2000068069A (ja) * | 1998-08-13 | 2000-03-03 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法 |
| JP2003234186A (ja) * | 2001-12-06 | 2003-08-22 | Sony Corp | 表示装置およびその製造方法 |
Family Cites Families (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2797883B2 (ja) * | 1993-03-18 | 1998-09-17 | 株式会社日立製作所 | 多色発光素子とその基板 |
| US5405710A (en) | 1993-11-22 | 1995-04-11 | At&T Corp. | Article comprising microcavity light sources |
| US5686360A (en) * | 1995-11-30 | 1997-11-11 | Motorola | Passivation of organic devices |
| US6111270A (en) * | 1998-04-27 | 2000-08-29 | Motorola, Inc. | Light-emitting apparatus and method of fabrication |
| JP4001692B2 (ja) * | 1999-02-18 | 2007-10-31 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法 |
| GB2351840A (en) | 1999-06-02 | 2001-01-10 | Seiko Epson Corp | Multicolour light emitting devices. |
| US6411019B1 (en) * | 1999-07-27 | 2002-06-25 | Luxell Technologies Inc. | Organic electroluminescent device |
| GB2353400B (en) * | 1999-08-20 | 2004-01-14 | Cambridge Display Tech Ltd | Mutiple-wavelength light emitting device and electronic apparatus |
| TW516244B (en) * | 1999-09-17 | 2003-01-01 | Semiconductor Energy Lab | EL display device and method for manufacturing the same |
| JP4942867B2 (ja) * | 1999-09-17 | 2012-05-30 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Ｅｌ表示装置及び電子装置 |
| US6710541B2 (en) * | 2000-12-22 | 2004-03-23 | Reveo, Inc. | Polarized light sources and methods for making the same |
| US6576351B2 (en) | 2001-02-16 | 2003-06-10 | Universal Display Corporation | Barrier region for optoelectronic devices |
| JP2002359076A (ja) * | 2001-03-27 | 2002-12-13 | Konica Corp | 有機エレクトロルミネッセンス素子、表示装置、発光方法、表示方法および透明基板 |
| KR100809931B1 (ko) * | 2001-06-30 | 2008-03-06 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기 발광소자 및 그 제조방법 |
| JP3804858B2 (ja) * | 2001-08-31 | 2006-08-02 | ソニー株式会社 | 有機電界発光素子およびその製造方法 |
| JP2003109775A (ja) | 2001-09-28 | 2003-04-11 | Sony Corp | 有機電界発光素子 |
| US7071613B2 (en) * | 2001-10-10 | 2006-07-04 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
| KR100490535B1 (ko) | 2001-12-17 | 2005-05-17 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계발광 소자 |
| JP3748406B2 (ja) * | 2001-12-18 | 2006-02-22 | 株式会社日立製作所 | 表示装置 |
| JP2003187975A (ja) | 2001-12-18 | 2003-07-04 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス発光装置 |
| KR100834342B1 (ko) | 2001-12-29 | 2008-06-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 능동행렬 유기전기발광소자 및 그의 제조 방법 |
| KR20030069707A (ko) * | 2002-02-22 | 2003-08-27 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법 |
| US6670772B1 (en) * | 2002-06-27 | 2003-12-30 | Eastman Kodak Company | Organic light emitting diode display with surface plasmon outcoupling |
| JP4208526B2 (ja) * | 2002-09-12 | 2009-01-14 | キヤノン株式会社 | 有機ｅｌディスプレイ装置及び該ディスプレイ装置を有する電子機器 |
| US6905457B2 (en) * | 2002-10-29 | 2005-06-14 | Datex-Ohmeda, Inc. | Radiant field management for infant care apparatus |
| US6737800B1 (en) * | 2003-02-18 | 2004-05-18 | Eastman Kodak Company | White-emitting organic electroluminescent device with color filters and reflective layer for causing colored light constructive interference |
| US6812637B2 (en) * | 2003-03-13 | 2004-11-02 | Eastman Kodak Company | OLED display with auxiliary electrode |
| US7030553B2 (en) | 2003-08-19 | 2006-04-18 | Eastman Kodak Company | OLED device having microcavity gamut subpixels and a within gamut subpixel |
| JP4428979B2 (ja) | 2003-09-30 | 2010-03-10 | 三洋電機株式会社 | 有機ｅｌパネル |
| JP4895490B2 (ja) | 2003-09-30 | 2012-03-14 | 三洋電機株式会社 | 有機ｅｌパネル |
| US7268485B2 (en) * | 2003-10-07 | 2007-09-11 | Eastman Kodak Company | White-emitting microcavity OLED device |
-
2003
- 2003-09-30 JP JP2003342663A patent/JP4497881B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-08-18 TW TW093124776A patent/TWI235015B/zh active
- 2004-09-24 KR KR1020040077132A patent/KR100782732B1/ko active IP Right Grant
- 2004-09-28 CN CNB2004100805416A patent/CN100405876C/zh active Active
- 2004-09-29 US US10/952,645 patent/US7498738B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994007344A1 (fr) * | 1992-09-22 | 1994-03-31 | Hitachi, Ltd. | Element luminescent organique et son substrat |
| JPH11345688A (ja) * | 1998-06-01 | 1999-12-14 | Tdk Corp | 有機ｅｌディスプレイ |
| JP2000068069A (ja) * | 1998-08-13 | 2000-03-03 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス装置およびその製造方法 |
| JP2003234186A (ja) * | 2001-12-06 | 2003-08-22 | Sony Corp | 表示装置およびその製造方法 |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7663653B2 (en) | 2005-02-24 | 2010-02-16 | Seiko Epson Corporation | Optical head and image forming apparatus incorporating the same |
| US8487313B2 (en) | 2005-11-14 | 2013-07-16 | Seiko Epson Corporation | Emissive device and electronic apparatus |
| JP2010164983A (ja) * | 2005-11-14 | 2010-07-29 | Seiko Epson Corp | 発光装置および電子機器 |
| JP4702483B2 (ja) * | 2005-11-14 | 2011-06-15 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
| KR101376427B1 (ko) | 2006-02-03 | 2014-03-20 | 소니 주식회사 | 표시 소자 및 표시 장치 |
| JP4678319B2 (ja) * | 2006-03-15 | 2011-04-27 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置および電子機器 |
| JP2007250306A (ja) * | 2006-03-15 | 2007-09-27 | Seiko Epson Corp | 発光装置および電子機器 |
| JP2009231093A (ja) * | 2008-03-24 | 2009-10-08 | Casio Comput Co Ltd | エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法及びエレクトロルミネッセンスパネル |
| US8653729B2 (en) | 2008-10-13 | 2014-02-18 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display and method for manufacturing the same |
| US8951083B2 (en) | 2008-10-13 | 2015-02-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Method for manufacturing an organic light emitting diode display |
| JP2013165014A (ja) * | 2012-02-13 | 2013-08-22 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ装置、及び電子機器 |
| JP2016167400A (ja) * | 2015-03-10 | 2016-09-15 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置およびその製造方法 |
| JP2022514563A (ja) * | 2019-05-29 | 2022-02-14 | 昆山国顕光電有限公司 | 表示パネル及びその製作方法 |
| JP7197704B2 (ja) | 2019-05-29 | 2022-12-27 | 昆山国顕光電有限公司 | 表示パネル及びその製作方法 |
| US12022674B2 (en) | 2019-05-29 | 2024-06-25 | Kunshan Go-Visionox Opto-Electronics Co., Ltd. | Display panel and method for producing same, and display device |
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