JP2005097647A - 成膜方法及びスパッタリング装置 - Google Patents
成膜方法及びスパッタリング装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005097647A JP2005097647A JP2003330090A JP2003330090A JP2005097647A JP 2005097647 A JP2005097647 A JP 2005097647A JP 2003330090 A JP2003330090 A JP 2003330090A JP 2003330090 A JP2003330090 A JP 2003330090A JP 2005097647 A JP2005097647 A JP 2005097647A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- metal
- target
- film
- particles
- mass
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
【課題】 基板上に形成される膜の膜質及び膜厚の均一性を向上できるようにした成膜方法及びスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】 真空チャンバ11内で金属ターゲット材15bにアルゴンイオンを衝突させ、当該金属ターゲット材15bから放出された金属クラスタをシリコンウエーハ50上に堆積させて金属膜を形成するスパッタリング装置において、
金属ターゲット材15bから任意の方向に放出された金属クラスタの表面をイオン化するプレーナーターゲット13と、金属ターゲット材15bから放出されて特定方向に進む金属クラスタ40a〜40cだけを通過させ、その他の方向に進む金属クラスタを捕獲するコリメータ23と、このコリメータ23を通過した金属クラスタ40a〜40cの進行経路上にある空間31に特定方向と交わる向きの電界Eを形成する一対の電極板25とを備えたことを特徴とするものである。
【選択図】 図1
【解決手段】 真空チャンバ11内で金属ターゲット材15bにアルゴンイオンを衝突させ、当該金属ターゲット材15bから放出された金属クラスタをシリコンウエーハ50上に堆積させて金属膜を形成するスパッタリング装置において、
金属ターゲット材15bから任意の方向に放出された金属クラスタの表面をイオン化するプレーナーターゲット13と、金属ターゲット材15bから放出されて特定方向に進む金属クラスタ40a〜40cだけを通過させ、その他の方向に進む金属クラスタを捕獲するコリメータ23と、このコリメータ23を通過した金属クラスタ40a〜40cの進行経路上にある空間31に特定方向と交わる向きの電界Eを形成する一対の電極板25とを備えたことを特徴とするものである。
【選択図】 図1
Description
本発明は、真空状態のチャンバ内でターゲットに所定のイオンを衝突させ、当該ターゲットから放出された粒子を基板上に堆積させて膜を形成する成膜方法及びスパッタリング装置に関するものである。
従来から、半導体装置の製造工程では、シリコンウエーハ上に電極や、配線用の金属膜を形成する成膜装置として、スパッタリング装置が使用されている(例えば、特許文献1、2参照。)。この種のスパッタリング装置は、真空状態を維持することが可能な真空チャンバと、この真空チャンバ内に配置された金属ターゲットと、この真空チャンバ内で金属ターゲットと向かい合うように配置された基板ホルダと、この真空チャンバ内で基板ホルダと金属ターゲットとの間に配置されたコリメータ等から構成されている。
これらの中で、コリメータは、金属ターゲットから任意の方向に放出された金属の粒子(以下で、金属クラスタという)を、その進行方向に応じてフィルタリングする装置である。具体的には、このコリメータは、アルゴンイオン(Ar+)等の衝突により金属ターゲットから放出されて当該コリメータの表面にほぼ垂直な入射角度で入ってきた金属クラスタの垂直成分だけを通過させ、斜めの入射角度で入ってきた金属クラスタの斜め成分を捕獲する。
従来のスパッタリング装置では、特許文献1等に記載されているように、このコリメータが基板ホルダと金属ターゲットの両方に対してそれぞれ平行となるように、当該金属ターゲットと該基板ホルダとの間に配置されている。このような構成により、金属ターゲットから放出された金属クラスタの垂直成分だけをシリコンウエーハ上に堆積して、金属膜を形成することができた。
特開平10−92767号公報
特開2001−303247号公報
ところで、上記の従来例に係るスパッタリング装置によれば、金属ターゲットから放出された金属クラスタの垂直成分だけを選別し、この選別された金属クラスタだけをシリコンウエーハ上に堆積させて金属膜を形成していた。これにより、金属膜のカバレッジ特性を向上させることができ、例えばアスペクト比の大きい接続孔の底部に対して金属膜を十分な膜厚に形成することができた。
しかしながら、アルゴンイオン等の衝突によってターゲットから放出される金属クラスタは通常10〜103個の金属原子が集合した粒子であり、この金属クラスタの大きさ(質量)には正規分布で現されるようなバラツキがある。
このため、従来例のスパッタリング装置では、この正規分布の中央に相当する正常な大きさ(質量)の金属クラスタに混じって、正規分布の裾に相当するような異常な大きさ(質量)の金属クラスタもシリコンウエーハ上に堆積してしまうという問題があった。このような正規分布の裾に相当するような異常な大きさ(質量)の金属クラスタがシリコンウエーハ上の金属膜に含まれてしまうと、この金属膜の膜厚と膜質の均一性が低下してしまうおそれがある。
このため、従来例のスパッタリング装置では、この正規分布の中央に相当する正常な大きさ(質量)の金属クラスタに混じって、正規分布の裾に相当するような異常な大きさ(質量)の金属クラスタもシリコンウエーハ上に堆積してしまうという問題があった。このような正規分布の裾に相当するような異常な大きさ(質量)の金属クラスタがシリコンウエーハ上の金属膜に含まれてしまうと、この金属膜の膜厚と膜質の均一性が低下してしまうおそれがある。
そこで、この発明はこのような問題を解決したものであって、基板上に形成される膜の膜質及び膜厚の均一性を向上できるようにした成膜方法及びスパッタリング装置の提供を目的とする。
上記した課題を解決するために、本発明に係る成膜方法によれば、真空状態のチャンバ内でターゲットに所定のイオンを衝突させ、当該ターゲットから放出された粒子を基板上に堆積させて膜を形成する成膜方法において、前記ターゲットから放出されて特定方向に進む前記粒子をその質量別に選別し、選別された前記粒子のうち所望の質量を有する前記粒子を前記基板上に集めて堆積させることを特徴とするものである。
ここで、所定のイオンとは、例えばアルゴンイオンのことである。また、ターゲットとは、例えばアルミ、又はタングステン等の金属ターゲットのことである。このアルゴンイオン等の衝突によって金属ターゲットから放出される粒子(金属クラスタ)は、通常10〜103個の金属原子が3次元に集合した集合体であり、この金属クラスタの大きさ(質量)にはばらつきがある。
本発明に係る成膜方法によれば、ほぼ同質量の粒子だけを基板上に集めて堆積し膜を形成するので、この膜の膜質及び膜厚の均一性を向上させることができる。
本発明に係る第1のスパッタリング装置は、真空状態のチャンバ内でターゲットに所定のイオンを衝突させ、当該ターゲットから放出された粒子を基板上に堆積させて膜を形成するスパッタリング装置において、前記ターゲットから放出されて特定方向に進む前記粒子だけを通過させ、その他の方向に進む前記粒子を捕獲する粒子選別手段と、前記粒子選別手段によって選別された前記粒子が次に通る前記チャンバ内の空間に前記特定方向と交わる向きの電界を形成する電界形成手段と、前記電界形成手段によって前記電界が形成される前記空間に前記粒子が到達する前に、当該粒子の表面をイオン化する粒子イオン化手段と、を備えたことを特徴とするものである。
本発明に係る第1のスパッタリング装置は、真空状態のチャンバ内でターゲットに所定のイオンを衝突させ、当該ターゲットから放出された粒子を基板上に堆積させて膜を形成するスパッタリング装置において、前記ターゲットから放出されて特定方向に進む前記粒子だけを通過させ、その他の方向に進む前記粒子を捕獲する粒子選別手段と、前記粒子選別手段によって選別された前記粒子が次に通る前記チャンバ内の空間に前記特定方向と交わる向きの電界を形成する電界形成手段と、前記電界形成手段によって前記電界が形成される前記空間に前記粒子が到達する前に、当該粒子の表面をイオン化する粒子イオン化手段と、を備えたことを特徴とするものである。
本発明に係る第1のスパッタリング装置によれば、粒子イオン化手段によって表面がイオン化された粒子は、その大きさ(質量)が大きいものほどその内部にイオン化されていない原子を多く含むことになるので、粒子の大きさ(質量)が大きいものほどその単位質量当りの電荷量は小さい。従って、ターゲットから放出されて特定方向に進む粒子に当該特定方向と交わる向きの電界をかけることで、その進行方向をその大きさ(質量)に応じて変化させることができ、この粒子をその大きさ(質量)別に選別することができる。これにより、ほぼ同質量の粒子だけを基板上に集めて堆積し膜を形成することができるので、この膜の膜質及び膜厚の均一性を向上させることができる。
本発明に係る第2のスパッタリング装置は、真空状態のチャンバ内でターゲットに所定のイオンを衝突させ、当該ターゲットから放出された粒子を基板上に堆積させて膜を形成するスパッタリング装置において、前記ターゲットから放出されて特定方向に進む前記粒子だけを通過させ、その他の方向に進む前記粒子を捕獲する粒子選別手段と、前記粒子選別手段によって選別された前記粒子が次に通る前記チャンバ内の空間に前記特定方向と交わる向きの磁界を形成する磁界形成手段と、前記磁界形成手段によって前記磁界が形成される前記空間に前記粒子が到達する前に、当該粒子の表面をイオン化する粒子イオン化手段と、を備えたことを特徴とするものである。
本発明に係る第2のスパッタリング装置によれば、ターゲットから放出されて特定方向に進む粒子に当該特定方向と交わる向きの磁界をかけることで、その進行方向をその大きさ(質量)に応じて変化させることができ、この粒子をその大きさ(質量)別に選別することができる。これにより、ほぼ同質量の粒子だけを基板上に集めて堆積し膜を形成することができるので、この膜の膜質及び膜厚の均一性を向上させることができる。
本発明に係る第3のスパッタリング装置は、上述した第1、第2のスパッタリング装置において、前記特定方向と交わる向きとは、当該特定方向と直交する向きであることを特徴とするものである。
本発明に係る第3のスパッタリング装置によれば、上述した第1、第2のスパッタリング装置において、特定方向に進む粒子に当該特定方向と直交する向きの力を最も効率良く伝えることができるので、この粒子の進行方向をその大きさ(質量)に応じて効率良く変化させることができる。
本発明に係る第3のスパッタリング装置によれば、上述した第1、第2のスパッタリング装置において、特定方向に進む粒子に当該特定方向と直交する向きの力を最も効率良く伝えることができるので、この粒子の進行方向をその大きさ(質量)に応じて効率良く変化させることができる。
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態に係る成膜方法及びスパッタリング装置について説明する。
図1は、本発明の実施形態に係るスパッタリング装置100の構成例を示す概念図である。このスパッタリング装置100は、真空チャンバ内で金属ターゲット材にアルゴンイオン等を衝突させ、当該金属ターゲット材から放出された金属クラスタをシリコンウエーハ上に堆積させて金属膜を形成する装置である。図1に示すように、このスパッタリング装置100は、真空チャンバ11と、マッチングボックス13と、プレーナーターゲット15と、高周波電源21と、コリメータ23と、一対の電極板25と、基板ホルダ27等から構成されている。
図1は、本発明の実施形態に係るスパッタリング装置100の構成例を示す概念図である。このスパッタリング装置100は、真空チャンバ内で金属ターゲット材にアルゴンイオン等を衝突させ、当該金属ターゲット材から放出された金属クラスタをシリコンウエーハ上に堆積させて金属膜を形成する装置である。図1に示すように、このスパッタリング装置100は、真空チャンバ11と、マッチングボックス13と、プレーナーターゲット15と、高周波電源21と、コリメータ23と、一対の電極板25と、基板ホルダ27等から構成されている。
これらの中で、真空チャンバ11は、例えば0.1〜1.0[Pa]程度の真空状態を維持可能な成膜処理室である。この真空チャンバ11は、図示しないロードロック室と、ガス供給系と、ガス排気系等に接続している。シリコンウエーハ上に金属膜を形成する場合には、密閉された真空チャンバ11の内側にガス供給系を介してアルゴン(Ar)ガスが供給される。
また、図1に示すように、マッチングボックス13は、真空チャンバ11の内側に取り付けられている。このマッチングボックス13は高周波電源に接続しており、プレーナーターゲット15に高周波電圧をその値を制御しながら印加するものである。さらに、プレーナーターゲット15は、真空チャンバ11の内側に取り付けられており、マグネット15aと、このマグネット15a上に取り付けられた金属ターゲット材15bとから構成されている。この金属ターゲット材15bは、例えばアルミ、又はタングステン等の金属材料からなるものである。
このマッチングボックス13からプレーナーターゲット15に高周波電圧が印加されると、このプレーナーターゲット15から飛び出した電子が磁力線17によって当該プレーナーターゲット15の表面近傍にトラップされ、このプレーナーターゲット15の表面近傍に高密度のプラズマ19が形成される。アルゴンイオンの衝突によって任意の方向に放出された金属クラスタは、このプラズマ19によってその表面近傍(表面及びその近傍)がイオン化される。この実施形態では、例えば、金属ターゲット材15がアルミからなり、このプラズマによってアルミからなるクラスタがAl+にイオン化したとする。
また、図1に示すコリメータ23は、真空チャンバ11内側の金属ターゲット材15bと向かう位置に取り付けられている。このコリメータ23は、金属ターゲット材15bから放出されて当該コリメータ23の入射口にほぼ垂直な入射角度で入ってきた金属クラスタの垂直成分だけを通過させ、斜めの入射角度で入ってきた金属クラスタの斜め成分を捕獲するものである。プラズマ19によって、表面近傍がイオン化された金属クラスタは、このコリメータ19にその入射口から入る。そして、このコリメータ19に入った金属クラスタのうち、その垂直成分だけが当該コリメータ19の内部を通過し出射口から出て、電極板25に挟まれた空間31へ進む。
図1に示すように、電極板25は、正(+)の電極板25aと、負(−)の電極板25bとから構成されている。この電極板25は、例えばコリメータ23を挟んで金属ターゲット材15bと向かい合う位置の空間31を両サイドから挟み込むように、真空チャンバ11の内側に取り付けられている。電極板25a及び25b間の電圧値は、任意に設定することが可能である。
ところで、アルゴンイオン等の衝突によって金属ターゲット材から放出される多数の金属クラスタは、当該金属クラスタを構成する原子の数、即ち、当該クラスタの大きさ(質量)がそれぞれ異なる。この種の金属クラスタは、通常10〜103個の金属原子が3次元に集合した集合体であり、金属クラスタの大きさ(質量)には、例えば正規分布で現されるようなばらつきがある。
図3は、金属クラスタの大きさ(質量)のばらつきの一例を示す図である。図3において、横軸は金属クラスタの大きさ(質量)を示し、縦軸は金属クラスタの分布率を示す。図3において、例えば、金属クラスタの大きさ(質量)が平均値±3σの範囲内にあるものを金属クラスタ40bとする。また、その大きさ(質量)が、平均値−3σよりも小さいものを金属クラスタ40a、平均値+3σよりも大きいものを金属クラスタ40cとする。これらの金属クラスタ40a〜40cは、プラズマ19(図1参照)によってその表面近傍がイオン化された状態で、図2に示すように、電極板25a及び25bに挟まれた空間31へ進む。
ここで、金属クラスタ40a〜40cは、その大きさ(質量)が大きいものほどその内部にイオン化されていない原子を多く含んでいることが多く、金属クラスタ40a〜40cの単位質量当りの電荷量は、通常、その質量の大きいものほど小さい傾向がある。
具体的には、金属クラスタ40aの質量をMaとし、金属クラスタ40bの質量をMbとし、金属クラスタ40cの質量をMcとする。また、金属クラスタ40aが持つ電荷量をQaとする。金属クラスタ40bが持つ電荷量をQbとし、金属クラスタ40cが持つ電荷量をQcとする。このとき、金属クラスタ40a〜40cの単位質量当りの電荷量Q/Mには、(Qc/Mc)<(Qb/Mb)<(Qa/Ma)の関係が成り立つ。そして、単位質量当りの電荷量Q/Mが大きい金属クラスタほど、電界から影響を受け易い。
具体的には、金属クラスタ40aの質量をMaとし、金属クラスタ40bの質量をMbとし、金属クラスタ40cの質量をMcとする。また、金属クラスタ40aが持つ電荷量をQaとする。金属クラスタ40bが持つ電荷量をQbとし、金属クラスタ40cが持つ電荷量をQcとする。このとき、金属クラスタ40a〜40cの単位質量当りの電荷量Q/Mには、(Qc/Mc)<(Qb/Mb)<(Qa/Ma)の関係が成り立つ。そして、単位質量当りの電荷量Q/Mが大きい金属クラスタほど、電界から影響を受け易い。
従って、図2に示すように、大きさ(質量)の小さい金属クラスタ40aは電界Eによってその進行方向が(−)側に大きく曲がり、大きさ(質量)の大きい金属クラスタ40cはその進行方向があまり曲がらない。これにより、金属クラスタ40a〜40bをその大きさ(質量)別に選別することができる。
図2に示すように、スパッタリング装置100では、大きさ(質量)が平均値±3σの範囲内にある金属クラスタ40bの電界Eによって曲げられた進行方向の先に基板ホルダ27が配置されている。また、この金属クラスタ40bの電界Eによって曲げられた後の進行方向と、基板ホルダ27上に配置されるシリコンウエーハ50の表面とが直交するように、この基板ホルダ27の傾きが調整されている。これにより、金属クラスタ40bは、シリコンウエーハ50の表面に対して垂直方向から当該シリコンウエーハ50上に堆積する。また、異常な大きさ(質量)の金属クラスタ40a及び40cは、そのほとんどが基板ホルダ27上から逸れるので、シリコンウエーハ50上にほとんど堆積しない。
図2に示すように、スパッタリング装置100では、大きさ(質量)が平均値±3σの範囲内にある金属クラスタ40bの電界Eによって曲げられた進行方向の先に基板ホルダ27が配置されている。また、この金属クラスタ40bの電界Eによって曲げられた後の進行方向と、基板ホルダ27上に配置されるシリコンウエーハ50の表面とが直交するように、この基板ホルダ27の傾きが調整されている。これにより、金属クラスタ40bは、シリコンウエーハ50の表面に対して垂直方向から当該シリコンウエーハ50上に堆積する。また、異常な大きさ(質量)の金属クラスタ40a及び40cは、そのほとんどが基板ホルダ27上から逸れるので、シリコンウエーハ50上にほとんど堆積しない。
このように、本発明に係るスパッタリング装置100によれば、プラズマ19によって表面がイオン化された金属クラスタ40a〜40cは、その大きさ(質量)が大きいものほどその内部にイオン化されていない金属原子を多く含むので、金属クラスタの質量が大きいものほどその単位質量当りの電荷量は小さい。
従って、金属ターゲット材15bから放出されて特定方向に進む金属クラスタ40a〜40cに当該特定方向と交わる向きの電界Eをかけることで、これらの金属クラスタ40a〜40cの進行方向をその大きさ(質量)に応じて変化させることができ、金属クラスタ40a〜40cをその大きさ(質量)別に選別することができる。これにより、ほぼ同質量の金属クラスタ40bだけをシリコンウエーハ50上に集めて堆積し金属膜を形成することができるので、この金属膜の膜質及び膜厚の均一性を向上させることができる。
従って、金属ターゲット材15bから放出されて特定方向に進む金属クラスタ40a〜40cに当該特定方向と交わる向きの電界Eをかけることで、これらの金属クラスタ40a〜40cの進行方向をその大きさ(質量)に応じて変化させることができ、金属クラスタ40a〜40cをその大きさ(質量)別に選別することができる。これにより、ほぼ同質量の金属クラスタ40bだけをシリコンウエーハ50上に集めて堆積し金属膜を形成することができるので、この金属膜の膜質及び膜厚の均一性を向上させることができる。
この実施形態では、真空チャンバ11が本発明のチャンバに対応し、金属ターゲット材15bが本発明のターゲットに対応している。また、この金属ターゲット材15に衝突させるアルゴンイオンが本発明の所定のイオンに対応し、特定方向に進む粒子が本発明の金属クラスタ40a〜40bに対応している。また、シリコンウエーハ50が本発明の基板に堆積し、金属膜が本発明の膜に対応している。さらに、コリメータ23が本発明の粒子選別手段に対応し、一対の電極板25が本発明の電界形成手段に対応している。また、プレーナーターゲット15が本発明の粒子イオン化手段に対応し、スパッタリング装置100が本発明のスパッタリング装置に対応している。
なお、この実施形態では、特定方向に進む金属クラスタ40a〜40cに、当該特定方向と直交するような電界Eをかけて、その進行方向をそれぞれ別方向に曲げる場合について説明した。しかしながら、図4に示すように、これらの金属クラスタ40a〜40cに、特定方向と直交するような電界Eではなく、特定方向と直行するような磁界Bをかけても良い。この場合でも、上記の実施形態と同様に、金属クラスタ40a〜40bをその大きさ(質量)別に選別することができる。この磁界Bは、例えば図示しない永久磁石等によって発生させると良い。
11 真空チャンバ、13 マッチングボックス、15 プレーナーターゲット、15a マグネット、15b 金属ターゲット材、17 プラズマ、21 高周波電源、23 コリメータ、25 電極板、25a 電極板(+)、25b 電極板(−)、27 基板ホルダ、31 空間、40a〜40c、(特定方向に進む)金属クラスタ、50 シリコンウエーハ、100 スパッタリング装置
Claims (4)
- 真空状態のチャンバ内でターゲットに所定のイオンを衝突させ、当該ターゲットから放出された粒子を基板上に堆積させて膜を形成する成膜方法において、
前記ターゲットから放出されて特定方向に進む前記粒子をその質量別に選別し、
選別された前記粒子のうち所望の質量を有する前記粒子を前記基板上に集めて堆積させることを特徴とする成膜方法。 - 真空状態のチャンバ内でターゲットに所定のイオンを衝突させ、当該ターゲットから放出された粒子を基板上に堆積させて膜を形成するスパッタリング装置において、
前記ターゲットから放出されて特定方向に進む前記粒子だけを通過させ、その他の方向に進む前記粒子を捕獲する粒子選別手段と、
前記粒子選別手段によって選別された前記粒子が次に通る前記チャンバ内の空間に前記特定方向と交わる向きの電界を形成する電界形成手段と、
前記電界形成手段によって前記電界が形成される前記空間に前記粒子が到達する前に、当該粒子の表面をイオン化する粒子イオン化手段と、を備えたことを特徴とするスパッタリング装置。 - 真空状態のチャンバ内でターゲットに所定のイオンを衝突させ、当該ターゲットから放出された粒子を基板上に堆積させて膜を形成するスパッタリング装置において、
前記ターゲットから放出されて特定方向に進む前記粒子だけを通過させ、その他の方向に進む前記粒子を捕獲する粒子選別手段と、
前記粒子選別手段によって選別された前記粒子が次に通る前記チャンバ内の空間に前記特定方向と交わる向きの磁界を形成する磁界形成手段と、
前記磁界形成手段によって前記磁界が形成される前記空間に前記粒子が到達する前に、当該粒子の表面をイオン化する粒子イオン化手段と、を備えたことを特徴とするスパッタリング装置。 - 前記特定方向と交わる向きとは、当該特定方向と直交する向きであることを特徴とする請求項2又は請求項3に記載のスパッタリング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003330090A JP2005097647A (ja) | 2003-09-22 | 2003-09-22 | 成膜方法及びスパッタリング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003330090A JP2005097647A (ja) | 2003-09-22 | 2003-09-22 | 成膜方法及びスパッタリング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005097647A true JP2005097647A (ja) | 2005-04-14 |
Family
ID=34459163
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003330090A Pending JP2005097647A (ja) | 2003-09-22 | 2003-09-22 | 成膜方法及びスパッタリング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2005097647A (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013231728A (ja) * | 2006-03-24 | 2013-11-14 | Eta Sa Manufacture Horlogere Suisse | 時計仕掛けの機構に組み入れられる微小機械部品 |
JP6122169B1 (ja) * | 2016-03-15 | 2017-04-26 | 株式会社東芝 | 処理装置およびコリメータ |
-
2003
- 2003-09-22 JP JP2003330090A patent/JP2005097647A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013231728A (ja) * | 2006-03-24 | 2013-11-14 | Eta Sa Manufacture Horlogere Suisse | 時計仕掛けの機構に組み入れられる微小機械部品 |
JP6122169B1 (ja) * | 2016-03-15 | 2017-04-26 | 株式会社東芝 | 処理装置およびコリメータ |
JP2017166014A (ja) * | 2016-03-15 | 2017-09-21 | 株式会社東芝 | 処理装置およびコリメータ |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4724060A (en) | Sputtering apparatus with film forming directivity | |
US6500321B1 (en) | Control of erosion profile and process characteristics in magnetron sputtering by geometrical shaping of the sputtering target | |
EP1184483A2 (en) | Thin-film formation system and thin-film formation process | |
JPH09500690A (ja) | 反応スパッタ付着に使用する静止有孔プレート | |
TW201237204A (en) | RF impedance matching network with secondary DC input | |
WO2007066548A1 (ja) | シートプラズマ成膜装置 | |
US8834685B2 (en) | Sputtering apparatus and sputtering method | |
EP0628986A1 (en) | Self cleaning collimator | |
JPS63310965A (ja) | スパッタリング装置 | |
WO1988002926A1 (en) | Mass separator for ionized cluster beam | |
EP0523695B1 (en) | A sputtering apparatus and an ion source | |
WO2009157439A1 (ja) | スパッタリング装置及びスパッタリング方法 | |
WO2009157438A1 (ja) | カソードユニット及びこのカソードユニットを備えたスパッタリング装置 | |
JP2005097647A (ja) | 成膜方法及びスパッタリング装置 | |
CN102471879A (zh) | 成膜装置 | |
JP3336421B2 (ja) | スパッタリング装置 | |
US10184171B2 (en) | Sputtering apparatus and method thereof | |
JPS6345367A (ja) | 輸送型スパツタリング成膜法 | |
JP2016117923A (ja) | スパッタリング装置 | |
JP4775923B2 (ja) | 弗化物の薄膜作成方法 | |
JP3949205B2 (ja) | マグネトロンカソードを備えたメタル配線スパッタ装置 | |
Haberland et al. | A new low temperature thin film deposition process: Energetic cluster impact (ECI) | |
CN101597789A (zh) | 静电夹持装置及应用该静电夹持装置的半导体处理设备 | |
JP2004152694A (ja) | プラズマ発生装置及び半導体製造装置 | |
JPH03150355A (ja) | スパッタリング装置 |