JP2005089602A - Composition for forming film and electrical insulation film - Google Patents

Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a composition capable of forming a film with high storage stability and adhesion, and to prepare an electrical insulation film formed from the composition. <P>SOLUTION: The composition comprises (A) a hydrolysis condensate 800-10,000 in weight-average molecular weight obtained by the reaction in the presence of water among at least one silane compound selected from (A-1) a compound of the formula (1): R<SP>1</SP><SB>a</SB>Si(OR<SP>2</SP>)<SB>4-a</SB>and (A-2) a compound of the formula (2): R<SP>3</SP><SB>b</SB>(R<SP>4</SP>O)<SB>3-b</SB>Si-(R<SP>7</SP>)<SB>d</SB>-Si(OR<SP>5</SP>)<SB>3-c</SB>R<SP>6</SP><SB>c</SB>and (A-3) a metal chelate compound of the formula (3): R<SP>8</SP><SB>e</SB>M(OR<SP>9</SP>)<SB>f-e</SB>, (B) an alcohol and (C) a β-diketone. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、膜形成用組成物および絶縁膜に関し、さらに詳しくは、保存安定性および密着性に優れた膜が形成可能である膜形成用組成物、ならびにこの膜形成用組成物から形成された絶縁膜に関する。   The present invention relates to a film-forming composition and an insulating film. More specifically, the present invention relates to a film-forming composition capable of forming a film having excellent storage stability and adhesion, and the film-forming composition. It relates to an insulating film.

従来、半導体素子等における層間絶縁膜として、ＣＶＤ法等の真空プロセスで以て形成されたシリカ（ＳｉＯ_２）膜が多用されている。そして、近年、より均一な層間絶縁膜を形成することを目的として、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ ｏｎ Ｇｌａｓｓ）膜と呼ばれる、テトラアルコキシシランの加水分解生成物を主成分とする塗布型の絶縁膜が使用されるようになってきている。また、半導体素子等の高集積化に伴い、有機ＳＯＧと呼ばれるオルガノポリシロキサンを主成分とする低比誘電率の層間絶縁膜が開発されている。 Conventionally, a silica (SiO ₂ ) film formed by a vacuum process such as a CVD method has been frequently used as an interlayer insulating film in a semiconductor element or the like. In recent years, for the purpose of forming a more uniform interlayer insulating film, a coating type insulating film called a SOG (Spin on Glass) film, which is mainly composed of a hydrolysis product of tetraalkoxysilane, is used. It has become like this. In addition, with high integration of semiconductor elements and the like, an interlayer insulating film having a low relative dielectric constant, which is mainly composed of organopolysiloxane called organic SOG, has been developed.

一方、半導体素子等のさらなる高集積化に伴い、より優れた導体間の電気絶縁性が要求されており、したがって、より低い比誘電率の層間絶縁膜材料が求められるようになってきた。   On the other hand, with further higher integration of semiconductor elements and the like, better electrical insulation between conductors is required, and therefore, an interlayer insulating film material having a lower relative dielectric constant has been demanded.

そこで、層間絶縁膜材料として、より低い比誘電率の絶縁膜形成用塗布型組成物が開示されている（例えば、特許文献１〜３参照）。特許文献１に記載された塗布型組成物は、吸水性が低く、耐クラック性に優れた半導体装置の絶縁膜を提供することを目的としており、その構成は、チタン、ジルコニウム、ニオブおよびタンタルから選ばれる少なくとも１種の元素を含む有機金属化合物と、分子内にアルコキシ基を少なくとも１個有する有機ケイ素化合物とを縮重合させてなる、数平均分子量が５００以上のオリゴマ−を主成分とする絶縁膜形成用塗布型組成物である。   Therefore, a coating composition for forming an insulating film having a lower relative dielectric constant is disclosed as an interlayer insulating film material (see, for example, Patent Documents 1 to 3). The coating-type composition described in Patent Document 1 is intended to provide an insulating film of a semiconductor device having low water absorption and excellent crack resistance, and its structure is composed of titanium, zirconium, niobium and tantalum. Insulation mainly composed of an oligomer having a number average molecular weight of 500 or more obtained by polycondensation of an organometallic compound containing at least one selected element and an organosilicon compound having at least one alkoxy group in the molecule It is a coating-type composition for film formation.

また、特許文献２，３に記載された塗膜形成用組成物は、アルコキシシラン類を金属触媒存在下で加水分解縮合して得られる。特許文献２に記載された塗膜形成用組成物は、低い比誘電率でかつ高弾性率であり、クラック耐性およびＣＭＰ耐性に優れている。また、特許文献３に記載された塗膜形成用組成物は、低比誘電率でかつ低吸湿性であり、塗膜均一性に優れ、長期保存時の膜厚増加が少ないという特徴を有する。
特開平６−１８１２０１号公報 特開２０００−２５６６２１号公報 特開２００２−２８５０８６号公報 The coating film forming compositions described in Patent Documents 2 and 3 are obtained by hydrolytic condensation of alkoxysilanes in the presence of a metal catalyst. The composition for forming a coating film described in Patent Document 2 has a low relative dielectric constant and a high elastic modulus, and is excellent in crack resistance and CMP resistance. Moreover, the composition for coating-film formation described in patent document 3 has the characteristics that it is a low dielectric constant and low hygroscopicity, is excellent in coating-film uniformity, and there is little increase in the film thickness at the time of long-term storage.
Japanese Patent Laid-Open No. 6-181201 JP 2000-256621 A JP 2002-285086 A

本発明の目的は、保存安定性および密着性に優れた膜が形成可能である膜形成用組成物を提供することにある。   An object of the present invention is to provide a film-forming composition capable of forming a film having excellent storage stability and adhesion.

また、本発明の目的は、前記膜形成用組成物から形成された絶縁膜を提供することにある。   Another object of the present invention is to provide an insulating film formed from the film forming composition.

（１）本発明の膜形成用組成物は、
（Ａ）下記一般式（１）で表される化合物（Ａ−１）および下記一般式（２) で表される化合物（Ａ−２）より選ばれる少なくとも１種のシラン化合物と下記一般式（３）で表される金属キレート化合物（Ａ−３）とを水の存在下で反応させて得られ、かつ重量平均分子量が８００〜１００００である加水分解縮合物、
Ｒ^１ _ａＳｉ（ＯＲ^２）_４−ａ ・・・・・（１）
〔式中、Ｒ^１は水素原子、フッ素原子または１価の有機基を示し、Ｒ^２は１価の有機基を示し、ａは０〜２の整数を表す。〕
Ｒ^３ _ｂ（Ｒ^４Ｏ）_３−ｂＳｉ−（Ｒ^７）_ｄ−Ｓｉ（ＯＲ^５）_３−ｃＲ^６ _ｃ ・・・・・（２)
〔式中、Ｒ^３，Ｒ^４，Ｒ^５およびＲ^６は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ１価の有機基を示し、ｂおよびｃは、同一でも異なっていてもよく、０〜２の数を示し、Ｒ^７は酸素原子または−（ＣＨ_２）_ｎ−で表される基を示し、ｎは１〜６を示し、ｄは０または１を示す。〕
Ｒ^８ _ｅＭ（ＯＲ^９）_ｆ−ｅ ・・・・・（３）
〔式中、Ｒ^８はキレート剤、Ｍは金属原子、Ｒ^９は炭素数２〜５のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基を示し、ｆは金属Ｍの原子価、ｅは１〜ｆの整数を表す。〕
（Ｂ）アルコール、および
（Ｃ）β−ジケトンを含む。 (1) The film forming composition of the present invention comprises:
(A) At least one silane compound selected from the compound (A-1) represented by the following general formula (1) and the compound (A-2) represented by the following general formula (2): A hydrolytic condensate obtained by reacting the metal chelate compound (A-3) represented by 3) in the presence of water and having a weight average molecular weight of 800 to 10,000,
R ¹ _a Si (OR ² ) _4-a (1)
[Wherein, R ¹ represents a hydrogen atom, a fluorine atom or a monovalent organic group, R ² represents a monovalent organic group, and a represents an integer of 0 to 2. ]
_{^{R 3 b (R 4 O)}} 3-b Si- (R 7) d -Si (OR 5) 3-c R 6 c ····· (2)
[Wherein R ³ , R ⁴ , R ⁵ and R ⁶ may be the same or different and each represents a monovalent organic group; b and c may be the same or different; R ⁷ represents an oxygen atom or a group represented by — (CH ₂ ) _n —, n represents 1 to 6, and d represents 0 or 1. ]
R ⁸ _e M (OR ⁹ ) _fe (3)
[Wherein R ⁸ represents a chelating agent, M represents a metal atom, R ⁹ represents an alkyl group having 2 to 5 carbon atoms or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, f represents a valence of metal M, and e represents 1 to 1 represents an integer of f. ]
(B) an alcohol, and (C) a β-diketone.

ここで、さらに、フッ素系界面活性剤およびシリコーン系界面活性剤の少なくとも一方を含むことができる。   Here, it can further contain at least one of a fluorine-based surfactant and a silicone-based surfactant.

また、ここで、前記（Ａ）加水分解縮合物を０．５〜３０重量％含むことができる。   Moreover, 0.5-30 weight% of said (A) hydrolysis-condensation products can be included here.

また、ここで、前記金属キレート化合物（Ａ−３）中の金属ＭがIIIＢ族金属およびIＶＡ族金属より選ばれる少なくとも１種の金属であることができる。   Here, the metal M in the metal chelate compound (A-3) may be at least one metal selected from a group IIIB metal and a group IVA metal.

また、ここで、前記（Ｂ）アルコールがプロピレングリコールモノアルキルエーテルを少なくとも１種含むことができる。   Here, the (B) alcohol may contain at least one propylene glycol monoalkyl ether.

また、ここで、前記（Ｃ）β−ジケトンが、アセチルアセトン、２，４−ヘキサンジオン、２，４−ヘプタンジオン、および３，５−ヘプタンジオンから選ばれる少なくとも１種であることができる。   Here, the (C) β-diketone can be at least one selected from acetylacetone, 2,4-hexanedione, 2,4-heptanedione, and 3,5-heptanedione.

（２）本発明の絶縁膜は上記膜形成用組成物を塗布後、焼成して得られる。   (2) The insulating film of the present invention is obtained by applying the film-forming composition and then baking it.

本発明の膜形成用組成物によれば、前記（Ａ）加水分解縮合物の重量平均分子量が８００〜１００００であることにより、塗膜と被塗布物との間の密着性を確保しつつ、低分子量成分の含有量を低減することができるため、保存安定性および密着性に優れた膜を形成することができる。   According to the film-forming composition of the present invention, the weight average molecular weight of the (A) hydrolysis-condensation product is 800 to 10,000, while ensuring the adhesion between the coating film and the object to be coated, Since the content of the low molecular weight component can be reduced, a film having excellent storage stability and adhesion can be formed.

以下、本発明の膜形成用組成物および前記組成物を用いて形成された絶縁膜について具体的に説明する。   Hereinafter, the film forming composition of the present invention and the insulating film formed using the composition will be described in detail.

＜膜形成用組成物＞
本発明の膜形成用組成物は、（Ａ）加水分解縮合物、（Ｂ）アルコール、および（Ｃ）β−ジケトンを含む。以下、本発明の膜形成用組成物の各構成要素について説明する。 <Film forming composition>
The film-forming composition of the present invention contains (A) a hydrolysis condensate, (B) an alcohol, and (C) a β-diketone. Hereinafter, each component of the film forming composition of the present invention will be described.

［（Ａ）加水分解縮合物］
（Ａ）加水分解縮合物は、下記一般式（１）で表される化合物（Ａ−１）および下記一般式（２) で表される化合物（Ａ−２）より選ばれる少なくとも１種のシラン化合物と下記一般式（３）で表される金属キレート化合物（Ａ−３）とを水の存在下で反応させて得られる。 [(A) Hydrolysis condensate]
(A) The hydrolysis-condensation product is at least one silane selected from the compound (A-1) represented by the following general formula (1) and the compound (A-2) represented by the following general formula (2) It is obtained by reacting a compound with a metal chelate compound (A-3) represented by the following general formula (3) in the presence of water.

Ｒ^１ _ａＳｉ（ＯＲ^２）_４−ａ ・・・・・（１）
〔式中、Ｒ^１は水素原子、フッ素原子または１価の有機基を示し、Ｒ^２は１価の有機基を示し、ａは０〜２の整数を表す。〕
Ｒ^３ _ｂ（Ｒ^４Ｏ）_３−ｂＳｉ−（Ｒ^７）_ｄ−Ｓｉ（ＯＲ^５）_３−ｃＲ^６ _ｃ ・・・・・（２)
〔式中、Ｒ^３，Ｒ^４，Ｒ^５およびＲ^６は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ１価の有機基を示し、ｂおよびｃは、同一でも異なっていてもよく、０〜２の数を示し、Ｒ^７は酸素原子または−（ＣＨ_２）_ｎ−で表される基を示し、ｎは１〜６を示し、ｄは０または１を示す。〕
Ｒ^８ _ｅＭ（ＯＲ^９）_ｆ−ｅ ・・・・・（３）
〔式中、Ｒ^８はキレート剤、Ｍは金属原子、Ｒ^９は炭素数２〜５のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基を示し、ｆは金属Ｍの原子価、ｅは１〜ｆの整数を表す。〕
本発明において、（Ａ）加水分解縮合物とは、上記化合物（Ａ−１）および化合物（Ａ−２）より選ばれる少なくとも１種のシラン化合物と下記一般式（３）で表される金属キレート化合物（Ａ−３）とを水の存在下で反応させて得られる、少なくとも１種の加水分解物およびその縮合物もしくはいずれか一方である。ここで、「加水分解物」とは、上記化合物（Ａ−１）〜（Ａ−３）に含まれるＲ^２Ｏ−基、Ｒ^４Ｏ−基、Ｒ^５Ｏ−基およびＲ^９Ｏ−基のすべてが加水分解されている必要はなく、例えば、１個だけが加水分解されているもの、２個以上が加水分解されているもの、あるいはこれらの混合物であってもよい。また、ここで、「縮合物」とは、上記化合物（Ａ−１）〜（Ａ−３）の加水分解物のシラノール基が縮合してＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合を形成したものであるが、本発明では、シラノール基がすべて縮合している必要はなく、わずかな一部のシラノール基が縮合したもの、縮合の程度が異なっているものの混合物等をも包含した概念である。 R ¹ _a Si (OR ² ) _4-a (1)
[Wherein, R ¹ represents a hydrogen atom, a fluorine atom or a monovalent organic group, R ² represents a monovalent organic group, and a represents an integer of 0 to 2. ]
_{^{R 3 b (R 4 O)}} 3-b Si- (R 7) d -Si (OR 5) 3-c R 6 c ····· (2)
[Wherein R ³ , R ⁴ , R ⁵ and R ⁶ may be the same or different and each represents a monovalent organic group; b and c may be the same or different; R ⁷ represents an oxygen atom or a group represented by — (CH ₂ ) _n —, n represents 1 to 6, and d represents 0 or 1. ]
R ⁸ _e M (OR ⁹ ) _fe (3)
[Wherein R ⁸ represents a chelating agent, M represents a metal atom, R ⁹ represents an alkyl group having 2 to 5 carbon atoms or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, f represents a valence of metal M, and e represents 1 to 1 represents an integer of f. ]
In the present invention, (A) hydrolysis condensate means at least one silane compound selected from compound (A-1) and compound (A-2) and a metal chelate represented by the following general formula (3) It is at least one hydrolyzate and / or condensate thereof obtained by reacting compound (A-3) with water. Here, the “hydrolyzate” refers to an R ² O— group, an R ⁴ O— group, an R ⁵ O— group and an R ⁹ O— group contained in the compounds (A-1) to (A-3). Need not be hydrolyzed, for example, only one may be hydrolyzed, two or more may be hydrolyzed, or a mixture thereof. Here, the “condensate” is a product in which the silanol groups of the hydrolyzates of the compounds (A-1) to (A-3) are condensed to form a Si—O—Si bond. In the present invention, it is not necessary that all of the silanol groups are condensed, and the concept includes a mixture of a slight part of the silanol groups or a mixture of those having different degrees of condensation.

また、（Ａ）加水分解縮合物の重量平均分子量は８００〜１０，０００であり、９００〜９，０００であることが好ましく、１，０００〜８，０００であることがより好ましい。ここで、重量平均分子量が８００未満である場合、本発明の膜形成用組成物中の低分子量成分が凝集して析出する結果、均一な塗膜が形成できないことがあり、一方、１０，０００を超えると、（Ａ）加水分解縮合物中のシラノール基の量が低減する結果、被塗布物に対する塗膜の密着性が低下することがある。   Moreover, the weight average molecular weight of (A) hydrolysis-condensation product is 800-10,000, It is preferable that it is 900-9,000, It is more preferable that it is 1,000-8,000. Here, when the weight average molecular weight is less than 800, the low molecular weight component in the film-forming composition of the present invention aggregates and precipitates, so that a uniform coating film may not be formed. If it exceeds 1, the amount of the silanol group in the hydrolyzed condensate (A) may be reduced, resulting in a decrease in the adhesion of the coating film to the coating object.

（Ａ）加水分解縮合物の重量平均分子量を８００〜１０，０００の範囲内に調製する方法としては、化合物（Ａ−１）および化合物（Ａ−２）より選ばれる少なくとも１種のシラン化合物と金属キレート化合物（Ａ−３）とを反応させる際の反応時間、反応温度、反応液中の化合物（Ａ−１）および化合物（Ａ−２）の濃度、反応時の固形分濃度、触媒の量等のほか、後述する化合物（Ａ−３）の濃度等が挙げられる。ここで、反応時間は０．５〜２４時間であるのが好ましく、０．５〜１８時間であるのがより好ましい。また、反応温度は２０〜２００℃であるのが好ましく、３０〜１８０℃であるのがより好ましい。また、反応液中の化合物（Ａ−１）および化合物（Ａ−２）の濃度は縮合物換算で０．５〜３０重量％であるのが好ましく、１〜３０重量％であるのがより好ましい。   (A) As a method of preparing the weight average molecular weight of the hydrolysis-condensation product in the range of 800 to 10,000, at least one silane compound selected from the compound (A-1) and the compound (A-2) Reaction time when reacting with metal chelate compound (A-3), reaction temperature, concentration of compound (A-1) and compound (A-2) in the reaction solution, solid content concentration during reaction, amount of catalyst In addition to the above, the concentration of the compound (A-3) described later can be used. Here, the reaction time is preferably 0.5 to 24 hours, and more preferably 0.5 to 18 hours. Moreover, it is preferable that reaction temperature is 20-200 degreeC, and it is more preferable that it is 30-180 degreeC. The concentration of the compound (A-1) and the compound (A-2) in the reaction solution is preferably 0.5 to 30% by weight, more preferably 1 to 30% by weight in terms of condensate. .

また、本発明の膜形成用組成物は、（Ａ）加水分解縮合物を０．５〜３０重量％含むことが好ましく、１〜３０重量％含むことがより好ましく、１〜２５重量％含むことがさらに好ましい。ここで、０．５重量％未満であると、層間絶縁膜として必要な膜厚を得ることが難しい場合があり、一方、３０重量％を超えると、貯蔵安定性が低下する場合がある。   The film-forming composition of the present invention preferably contains 0.5 to 30% by weight of (A) hydrolysis condensate, more preferably 1 to 30% by weight, and more preferably 1 to 25% by weight. Is more preferable. Here, if it is less than 0.5% by weight, it may be difficult to obtain a film thickness required as an interlayer insulating film. On the other hand, if it exceeds 30% by weight, storage stability may be lowered.

また、本発明の膜形成用組成物中の（Ａ）加水分解縮合物の量は、化合物（Ａ−１）および化合物（Ａ−２）より選ばれる少なくとも１種のシラン化合物と金属キレート化合物（Ａ−３）とを反応させる際に化合物（Ａ−１）〜（Ａ−３）の量が上記好ましい範囲となるようにあらかじめ調製して反応させることもできるし、任意の濃度の（Ａ）加水分解縮合物を含む反応溶液を適宜濃縮および／または希釈して上記好ましい範囲に調製することもできる。   In addition, the amount of (A) hydrolysis condensate in the film-forming composition of the present invention is such that at least one silane compound selected from compound (A-1) and compound (A-2) and a metal chelate compound ( When reacting with A-3), the amount of the compounds (A-1) to (A-3) can be prepared and reacted in advance so that the amount is within the above preferred range, or any concentration of (A) The reaction solution containing the hydrolysis-condensation product can be appropriately concentrated and / or diluted to prepare it in the above preferred range.

次に、（Ａ）加水分解縮合物を得るために用いられる化合物（Ａ−１）〜（Ａ−３）についてそれぞれ説明する。   Next, the compounds (A-1) to (A-3) used for obtaining the (A) hydrolysis condensate will be described.

シラン化合物（Ａ−１）；上記一般式（１）において、Ｒ^１およびＲ^２の１価の有機基としては、アルキル基、アリール基、アリル基、グリシジル基などを挙げることができる。なかでも、一般式（１）において、Ｒ^１は１価の有機基、特にアルキル基またはフェニル基であることが好ましい。ここで、アルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基などが挙げられ、好ましくは炭素数１〜５であり、これらのアルキル基は鎖状でも、分岐していてもよく、さらに水素原子がフッ素原子などに置換されていてもよい。上記一般式（１）において、アリール基としては、フェニル基、ナフチル基、メチルフェニル基、エチルフェニル基、クロロフェニル基、ブロモフェニル基、フルオロフェニル基などを挙げることができる。 Silane compound (A-1); In the above general formula (1), examples of the monovalent organic group of R ¹ and R ² include an alkyl group, an aryl group, an allyl group, and a glycidyl group. Among them, in the general formula (1), R ¹ is preferably a monovalent organic group, more preferably an alkyl or phenyl group. Here, examples of the alkyl group include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a butyl group, and preferably 1 to 5 carbon atoms. These alkyl groups may be linear or branched, Further, a hydrogen atom may be substituted with a fluorine atom or the like. In the general formula (1), examples of the aryl group include a phenyl group, a naphthyl group, a methylphenyl group, an ethylphenyl group, a chlorophenyl group, a bromophenyl group, and a fluorophenyl group.

シラン化合物（Ａ−１）として好ましい化合物は、具体的には、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトラ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、テトラ−ｎ−ブトキシシシラン、テトラ−ｓｅｃ−ブトキシシシラン、テトラ−ｔｅｒｔ−ブトキシシシラン、テトラ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、テトラフェノキシシシラン、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メチルトリイソプロポキシシラン、メチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、メチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、メチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、メチルトリフェノキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、エチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、エチルトリイソプロポキシシラン、エチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、エチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、エチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、エチルトリフェノキシシラン、ｎ−プロピルトリメトキシシラン、ｎ−プロピルトリエトキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｎ−プロピルトリイソプロポキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｎ−プロピルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｎ−プロピルトリフェノキシシラン、イソプロピルトリメトキシシラン、イソプロピルトリエトキシシラン、イソプロピルトリ−ｎ−プロポキシシラン、イソプロピルトリイソプロポキシシラン、イソプロピルトリ−ｎ−ブトキシシラン、イソプロピルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、イソプロピルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、イソプロピルトリフェノキシシラン、ｎ−ブチルトリメトキシシラン、ｎ−ブチルトリエトキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｎ−ブチルトリイソプロポキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｎ−ブチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｎ−ブチルトリフェノキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリメトキシシラン、ｓｅｃ−ブチルイソトリエトキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリイソプロポキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｓｅｃ−ブチルトリフェノキシシラン、ｔｅｒｔ−ブチルトリメトキシシラン、ｔｅｒｔ−ブチルトリエトキシシラン、ｔｅｒｔ−ブチルト−ｎ−プロポキシシラン、ｔｅｒｔ−ブチルトリイソプロポキシシラン、ｔｅｒｔ−ブチルトリ−ｎ−ブトキシシラン、ｔｅｒｔ−ブチルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ｔｅｒｔ−ブチルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ｔｅｒｔ−ブチルトリフェノキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、フェニルトリ−ｎ−プロポキシシラン、フェニルトリイソプロポキシシラン、フェニルトリ−ｎ−ブトキシシラン、フェニルトリ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、フェニルトリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、フェニルトリフェノキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジメチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジメチルジイソプロポキシシラン、ジメチルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジメチルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジメチルジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジメチルジフェノキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジエチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジエチルジイソプロポキシシラン、ジエチルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジエチルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジエチルジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジエチルジフェノキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジメトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジエトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジイソプロポキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−プロピルジ−フェノキシシラン、ジイソプロピルジメトキシシラン、ジイソプロピルジエトキシシラン、ジイソプロピルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジイソプロピルジイソプロポキシシラン、ジイソプロピルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジイソプロピルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジイソプロピルジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジイソプロピルジフェノキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジエトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジイソプロポキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｎ−ブチルジ−フェノキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジエトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジイソプロポキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｓｅｃ−ブチルジ−フェノキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジメトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジエトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジイソプロポキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルジ−フェノキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジ−エトキシシラン、ジフェニルジ−ｎ−プロポキシシラン、ジフェニルジイソプロポキシシラン、ジフェニルジ−ｎ−ブトキシシラン、ジフェニルジ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、ジフェニルジ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、ジフェニルジフェノキシシラン、ジビニルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン、γ−トリフルオロプロピルトリエトキシシランが例示できる。これらは、１種あるいは２種以上を同時に使用してもよい。   Specifically, preferred compounds as the silane compound (A-1) include tetramethoxysilane, tetraethoxysilane, tetra-n-propoxysilane, tetra-iso-propoxysilane, tetra-n-butoxysilane, and tetra-sec. -Butoxy silane, tetra-tert-butoxy silane, tetra-iso-propoxy silane, tetraphenoxy silane, methyl trimethoxy silane, methyl triethoxy silane, methyl tri-n-propoxy silane, methyl triisopropoxy silane, methyl tri- n-butoxysilane, methyltri-sec-butoxysilane, methyltri-tert-butoxysilane, methyltriphenoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, ethyltri-n-propoxysilane, Rutriisopropoxysilane, ethyltri-n-butoxysilane, ethyltri-sec-butoxysilane, ethyltri-tert-butoxysilane, ethyltriphenoxysilane, n-propyltrimethoxysilane, n-propyltriethoxysilane, n-propyltri- n-propoxysilane, n-propyltriisopropoxysilane, n-propyltri-n-butoxysilane, n-propyltri-sec-butoxysilane, n-propyltri-tert-butoxysilane, n-propyltriphenoxysilane, Isopropyltrimethoxysilane, isopropyltriethoxysilane, isopropyltri-n-propoxysilane, isopropyltriisopropoxysilane, isopropyltri-n-butoxysilane, isopropyltri-se -Butoxysilane, isopropyltri-tert-butoxysilane, isopropyltriphenoxysilane, n-butyltrimethoxysilane, n-butyltriethoxysilane, n-butyltri-n-propoxysilane, n-butyltriisopropoxysilane, n- Butyltri-n-butoxysilane, n-butyltri-sec-butoxysilane, n-butyltri-tert-butoxysilane, n-butyltriphenoxysilane, sec-butyltrimethoxysilane, sec-butylisotriethoxysilane, sec-butyltri -N-propoxysilane, sec-butyltriisopropoxysilane, sec-butyltri-n-butoxysilane, sec-butyltri-sec-butoxysilane, sec-butyltri-tert-butoxysilane, s ec-Butyltriphenoxysilane, tert-butyltrimethoxysilane, tert-butyltriethoxysilane, tert-butylto-n-propoxysilane, tert-butyltriisopropoxysilane, tert-butyltri-n-butoxysilane, tert-butyltri -Sec-butoxysilane, tert-butyltri-tert-butoxysilane, tert-butyltriphenoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, phenyltri-n-propoxysilane, phenyltriisopropoxysilane, phenyltri-n -Butoxysilane, phenyltri-sec-butoxysilane, phenyltri-tert-butoxysilane, phenyltriphenoxysilane, dimethyldimethoxysilane, dimethyl Ethoxysilane, dimethyldi-n-propoxysilane, dimethyldiisopropoxysilane, dimethyldi-n-butoxysilane, dimethyldi-sec-butoxysilane, dimethyldi-tert-butoxysilane, dimethyldiphenoxysilane, diethyldimethoxysilane, diethyldiethoxysilane Diethyldi-n-propoxysilane, diethyldiisopropoxysilane, diethyldi-n-butoxysilane, diethyldi-sec-butoxysilane, diethyldi-tert-butoxysilane, diethyldiphenoxysilane, di-n-propyldimethoxysilane, di- n-propyldiethoxysilane, di-n-propyldi-n-propoxysilane, di-n-propyldiisopropoxysilane, di-n-propyldi-n-butoxysilane, di-n Propyl di-sec-butoxysilane, di-n-propyldi-tert-butoxysilane, di-n-propyldi-phenoxysilane, diisopropyldimethoxysilane, diisopropyldiethoxysilane, diisopropyldi-n-propoxysilane, diisopropyldiisopropoxysilane, Diisopropyldi-n-butoxysilane, diisopropyldi-sec-butoxysilane, diisopropyldi-tert-butoxysilane, diisopropyldiphenoxysilane, di-n-butyldimethoxysilane, di-n-butyldiethoxysilane, di-n- Butyldi-n-propoxysilane, di-n-butyldiisopropoxysilane, di-n-butyldi-n-butoxysilane, di-n-butyldi-sec-butoxysilane, di-n-butyldi-ter t-butoxysilane, di-n-butyldi-phenoxysilane, di-sec-butyldimethoxysilane, di-sec-butyldiethoxysilane, di-sec-butyldi-n-propoxysilane, di-sec-butyldiisopropoxy Silane, di-sec-butyldi-n-butoxysilane, di-sec-butyldi-sec-butoxysilane, di-sec-butyldi-tert-butoxysilane, di-sec-butyldi-phenoxysilane, di-tert-butyldimethoxy Silane, di-tert-butyldiethoxysilane, di-tert-butyldi-n-propoxysilane, di-tert-butyldiisopropoxysilane, di-tert-butyldi-n-butoxysilane, di-tert-butyldi-sec -Butoxysilane, di-tert-buty Di-tert-butoxysilane, di-tert-butyldi-phenoxysilane, diphenyldimethoxysilane, diphenyldi-ethoxysilane, diphenyldi-n-propoxysilane, diphenyldiisopropoxysilane, diphenyldi-n-butoxysilane, diphenyldi -Sec-butoxysilane, diphenyldi-tert-butoxysilane, diphenyldiphenoxysilane, divinyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, Examples thereof include γ-glycidoxypropyltriethoxysilane, γ-trifluoropropyltrimethoxysilane, and γ-trifluoropropyltriethoxysilane. These may be used alone or in combination of two or more.

シラン化合物（Ａ−１）として好ましい化合物は、メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、メチルトリ−ｎ−プロポキシシラン、メチルトリ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン、ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラ−ｎ−プロポキシシラン、テトラ−ｉｓｏ−プロポキシシラン、テトラ−ｎ−ブトキシラン、テトラ−ｓｅｃ−ブトキシシラン、テトラ−ｔｅｒｔ−ブトキシシラン、テトラフェノキシシランなどである。   Preferred compounds as the silane compound (A-1) are methyltrimethoxysilane, methyltriethoxysilane, methyltri-n-propoxysilane, methyltri-iso-propoxysilane, ethyltrimethoxysilane, ethyltriethoxysilane, vinyltrimethoxysilane. , Vinyltriethoxysilane, phenyltrimethoxysilane, phenyltriethoxysilane, dimethyldimethoxysilane, dimethyldiethoxysilane, diethyldimethoxysilane, diethyldiethoxysilane, diphenyldimethoxysilane, diphenyldiethoxysilane, tetramethoxysilane, tetramethoxysilane , Tetraethoxysilane, tetra-n-propoxysilane, tetra-iso-propoxysilane, tetra-n-butoxysilane, tetra-sec-but Shishiran, tetra -tert- butoxysilane, tetraphenoxysilane, and the like.

シラン化合物（Ａ−２）；上記一般式（２）において、Ｒ^３〜Ｒ^６で表される１価の有機基としては、先の一般式（１）において示したものと同様の有機基を挙げることができる。シラン化合物（Ａ−２）のうち一般式（２）におけるＲ^７が酸素原子の化合物としては、ヘキサメトキシジシロキサン、ヘキサエトキシジシロキサン、ヘキサフェノキシジシロキサン、１，１，１，３，３−ペンタメトキシ−３−メチルジシロキサン、１，１，１，３，３−ペンタエトキシ−３−メチルジシロキサン、１，１，１，３，３−ペンタフェノキシ−３−メチルジシロキサン、１，１，１，３，３−ペンタメトキシ−３−エチルジシロキサン、１，１，１，３，３−ペンタエトキシ−３−エチルジシロキサン、１，１，１，３，３−ペンタフェノキシ−３−エチルジシロキサン、１，１，１，３，３−ペンタメトキシ−３−フェニルジシロキサン、１，１，１，３，３−ペンタエトキシ−３−フェニルジシロキサン、１，１，１，３，３−ペンタフェノキシ−３−フェニルジシロキサン、１，１，３，３−テトラメトキシ−１，３−ジメチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラエトキシ−１，３−ジメチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラフェノキシ−１，３−ジメチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラメトキシ−１，３−ジエチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラエトキシ−１，３−ジエチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラフェノキシ−１，３−ジエチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラメトキシ−１，３−ジフェニルジシロキサン、１，１，３，３−テトラエトキシ−１，３−ジフェニルジシロキサン、１，１，３，３−テトラフェノキシ−１，３−ジフェニルジシロキサン、１，１，３−トリメトキシ−１，３，３−トリメチルジシロキサン、１，１，３−トリエトキシ−１，３，３−トリメチルジシロキサン、１，１，３−トリフェノキシ−１，３，３−トリメチルジシロキサン、１，１，３−トリメトキシ−１，３，３−トリエチルジシロキサン、１，１，３−トリエトキシ−１，３，３−トリエチルジシロキサン、１，１，３−トリフェノキシ−１，３，３−トリエチルジシロキサン、１，１，３−トリメトキシ−１，３，３−トリフェニルジシロキサン、１，１，３−トリエトキシ−１，３，３−トリフェニルジシロキサン、１，１，３−トリフェノキシ−１，３，３−トリフェニルジシロキサン、１，３−ジメトキシ−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ジエトキシ−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ジフェノキシ−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ジメトキシ−１，１，３，３−テトラエチルジシロキサン、１，３−ジエトキシ−１，１，３，３−テトラエチルジシロキサン、１，３−ジフェノキシ−１，１，３，３−テトラエチルジシロキサン、１，３−ジメトキシ−１，１，３，３−テトラフェニルジシロキサン、１，３−ジエトキシ−１，１，３，３−テトラフェニルジシロキサン、１，３−ジフェノキシ−１，１，３，３−テトラフェニルジシロキサンなどを挙げることができる。 Silane compound (A-2); In the above general formula (2), the monovalent organic group represented by R ^{3 to} R ⁶ is the same organic group as that shown in the general formula (1). Can be mentioned. Among the silane compounds (A-2), compounds in which R ⁷ in the general formula (2) is an oxygen atom include hexamethoxydisiloxane, hexaethoxydisiloxane, hexaphenoxydisiloxane, 1,1,1,3,3- Pentamethoxy-3-methyldisiloxane, 1,1,1,3,3-pentaethoxy-3-methyldisiloxane, 1,1,1,3,3-pentaphenoxy-3-methyldisiloxane, 1,1 , 1,3,3-pentamethoxy-3-ethyldisiloxane, 1,1,1,3,3-pentaethoxy-3-ethyldisiloxane, 1,1,1,3,3-pentaphenoxy-3- Ethyldisiloxane, 1,1,1,3,3-pentamethoxy-3-phenyldisiloxane, 1,1,1,3,3-pentaethoxy-3-phenyldisiloxane, 1,1,1, 3,3-pentaphenoxy-3-phenyldisiloxane, 1,1,3,3-tetramethoxy-1,3-dimethyldisiloxane, 1,1,3,3-tetraethoxy-1,3-dimethyldisiloxane 1,1,3,3-tetraphenoxy-1,3-dimethyldisiloxane, 1,1,3,3-tetramethoxy-1,3-diethyldisiloxane, 1,1,3,3-tetraethoxy- 1,3-diethyldisiloxane, 1,1,3,3-tetraphenoxy-1,3-diethyldisiloxane, 1,1,3,3-tetramethoxy-1,3-diphenyldisiloxane, 1,1,3 3,3-tetraethoxy-1,3-diphenyldisiloxane, 1,1,3,3-tetraphenoxy-1,3-diphenyldisiloxane, 1,1,3-trimethoxy-1,3,3-trime Rudisiloxane, 1,1,3-triethoxy-1,3,3-trimethyldisiloxane, 1,1,3-triphenoxy-1,3,3-trimethyldisiloxane, 1,1,3-trimethoxy-1, 3,3-triethyldisiloxane, 1,1,3-triethoxy-1,3,3-triethyldisiloxane, 1,1,3-triphenoxy-1,3,3-triethyldisiloxane, 1,1,3 -Trimethoxy-1,3,3-triphenyldisiloxane, 1,1,3-triethoxy-1,3,3-triphenyldisiloxane, 1,1,3-triphenoxy-1,3,3-triphenyl Disiloxane, 1,3-dimethoxy-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3-diethoxy-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3-dipheno Si-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3-dimethoxy-1,1,3,3-tetraethyldisiloxane, 1,3-diethoxy-1,1,3,3-tetraethyldisiloxane 1,3-diphenoxy-1,1,3,3-tetraethyldisiloxane, 1,3-dimethoxy-1,1,3,3-tetraphenyldisiloxane, 1,3-diethoxy-1,1,3 Examples thereof include 3-tetraphenyldisiloxane and 1,3-diphenoxy-1,1,3,3-tetraphenyldisiloxane.

これらのうち、ヘキサメトキシジシロキサン、ヘキサエトキシジシロキサン、１，１，３，３−テトラメトキシ−１，３−ジメチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラエトキシ−１，３−ジメチルジシロキサン、１，１，３，３−テトラメトキシ−１，３−ジフェニルジシロキサン、１，３−ジメトキシ−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ジエトキシ−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン、１，３−ジメトキシ−１，１，３，３−テトラフェニルジシロキサン、１，３−ジエトキシ−１，１，３，３−テトラフェニルジシロキサンなどを、好ましい例として挙げることができる。   Of these, hexamethoxydisiloxane, hexaethoxydisiloxane, 1,1,3,3-tetramethoxy-1,3-dimethyldisiloxane, 1,1,3,3-tetraethoxy-1,3-dimethyldisiloxane Siloxane, 1,1,3,3-tetramethoxy-1,3-diphenyldisiloxane, 1,3-dimethoxy-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3-diethoxy-1,1, 3,3-tetramethyldisiloxane, 1,3-dimethoxy-1,1,3,3-tetraphenyldisiloxane, 1,3-diethoxy-1,1,3,3-tetraphenyldisiloxane and the like are preferable. As an example.

一般式（２）において、ｄ＝０の化合物としては、ヘキサメトキシジシラン、ヘキサエトキシジシラン、ヘキサフェノキシジシラン、１，１，１，２，２−ペンタメトキシ−２−メチルジシラン、１，１，１，２，２−ペンタエトキシ−２−メチルジシラン、１，１，１，２，２−ペンタフェノキシ−２−メチルジシラン、１，１，１，２，２−ペンタメトキシ−２−エチルジシラン、１，１，１，２，２−ペンタエトキシ−２−エチルジシラン、１，１，１，２，２−ペンタフェノキシ−２−エチルジシラン、１，１，１，２，２−ペンタメトキシ−２−フェニルジシラン、１，１，１，２，２−ペンタエトキシ−２−フェニルジシラン、１，１，１，２，２−ペンタフェノキシ−２−フェニルジシラン、１，１，２，２−テトラメトキシ−１，２−ジメチルジシラン、１，１，２，２−テトラエトキシ−１，２−ジメチルジシラン、１，１，２，２−テトラフェノキシ−１，２−ジメチルジシラン、１，１，２，２−テトラメトキシ−１，２−ジエチルジシラン、１，１，２，２−テトラエトキシ−１，２−ジエチルジシラン、１，１，２，２−テトラフェノキシ−１，２−ジエチルジシラン、１，１，２，２−テトラメトキシ−１，２−ジフェニルジシラン、１，１，２，２−テトラエトキシ−１，２−ジフェニルジシラン、１，１，２，２−テトラフェノキシ−１，２−ジフェニルジシラン、１，１，２−トリメトキシ−１，２，２−トリメチルジシラン、１，１，２−トリエトキシ−１，２，２−トリメチルジシラン、１，１，２−トリフェノキシ−１，２，２−トリメチルジシラン、１，１，２−トリメトキシ−１，２，２−トリエチルジシラン、１，１，２−トリエトキシ−１，２，２−トリエチルジシラン、、１，１，２−トリフェノキシ−１，２，２−トリエチルジシラン、、１，１，２−トリメトキシ−１，２，２−トリフェニルジシラン、１，１，２−トリエトキシ−１，２，２−トリフェニルジシラン、、１，１，２−トリフェノキシ−１，２，２−トリフェニルジシラン、１，２−ジメトキシ−１，１，２，２−テトラメチルジシラン、１，２−ジエトキシ−１，１，２，２−テトラメチルジシラン、１，２−ジフェノキシ−１，１，２，２−テトラメチルジシラン、１，２−ジメトキシ−１，１，２，２−テトラエチルジシラン、１，２−ジエトキシ−１，１，２，２−テトラエチルジシラン、１，２−ジフェノキシ−１，１，２，２−テトラエチルジシラン、１，２−ジメトキシ−１，１，２，２−テトラフェニルジシラン、１，２−ジエトキシ−１，１，２，２−テトラフェニルジシラン、１，２−ジフェノキシ−１，１，２，２−テトラフェニルジシランなどを挙げることができる。   In the general formula (2), examples of the compound where d = 0 include hexamethoxydisilane, hexaethoxydisilane, hexaphenoxydisilane, 1,1,1,2,2-pentamethoxy-2-methyldisilane, 1,1,1 , 2,2-pentaethoxy-2-methyldisilane, 1,1,1,2,2-pentaphenoxy-2-methyldisilane, 1,1,1,2,2-pentamethoxy-2-ethyldisilane, , 1,1,2,2-pentaethoxy-2-ethyldisilane, 1,1,1,2,2-pentaphenoxy-2-ethyldisilane, 1,1,1,2,2-pentamethoxy-2- Phenyldisilane, 1,1,1,2,2-pentaethoxy-2-phenyldisilane, 1,1,1,2,2-pentaphenoxy-2-phenyldisilane, 1,1,2,2-tetramethoxy 1,2-dimethyldisilane, 1,1,2,2-tetraethoxy-1,2-dimethyldisilane, 1,1,2,2-tetraphenoxy-1,2-dimethyldisilane, 1,1,2,2 -Tetramethoxy-1,2-diethyldisilane, 1,1,2,2-tetraethoxy-1,2-diethyldisilane, 1,1,2,2-tetraphenoxy-1,2-diethyldisilane, 1,1 , 2,2-Tetramethoxy-1,2-diphenyldisilane, 1,1,2,2-tetraethoxy-1,2-diphenyldisilane, 1,1,2,2-tetraphenoxy-1,2-diphenyldisilane 1,1,2-trimethoxy-1,2,2-trimethyldisilane, 1,1,2-triethoxy-1,2,2-trimethyldisilane, 1,1,2-triphenoxy-1,2,2- Trime Rudisilane, 1,1,2-trimethoxy-1,2,2-triethyldisilane, 1,1,2-triethoxy-1,2,2-triethyldisilane, 1,1,2-triphenoxy-1,2, 2-triethyldisilane, 1,1,2-trimethoxy-1,2,2-triphenyldisilane, 1,1,2-triethoxy-1,2,2-triphenyldisilane, 1,1,2-tri Phenoxy-1,2,2-triphenyldisilane, 1,2-dimethoxy-1,1,2,2-tetramethyldisilane, 1,2-diethoxy-1,1,2,2-tetramethyldisilane, 1, 2-diphenoxy-1,1,2,2-tetramethyldisilane, 1,2-dimethoxy-1,1,2,2-tetraethyldisilane, 1,2-diethoxy-1,1,2,2-tetraethyldisilane 1,2-diphenoxy-1,1,2,2-tetraethyldisilane, 1,2-dimethoxy-1,1,2,2-tetraphenyldisilane, 1,2-diethoxy-1,1,2,2- Examples thereof include tetraphenyldisilane and 1,2-diphenoxy-1,1,2,2-tetraphenyldisilane.

これらのうち、ヘキサメトキシジシラン、ヘキサエトキシジシラン、１，１，２，２−テトラメトキシ−１，２−ジメチルジシラン、１，１，２，２−テトラエトキシ−１，２−ジメチルジシラン、１，１，２，２−テトラメトキシ−１，２−ジフェニルジシラン、１，２−ジメトキシ−１，１，２，２−テトラメチルジシラン、１，２−ジエトキシ−１，１，２，２−テトラメチルジシラン、１，２−ジメトキシ−１，１，２，２−テトラフェニルジシラン、１，２−ジエトキシ−１，１，２，２−テトラフェニルジシランなどを、好ましい例として挙げることができる。   Of these, hexamethoxydisilane, hexaethoxydisilane, 1,1,2,2-tetramethoxy-1,2-dimethyldisilane, 1,1,2,2-tetraethoxy-1,2-dimethyldisilane, 1, 1,2,2-tetramethoxy-1,2-diphenyldisilane, 1,2-dimethoxy-1,1,2,2-tetramethyldisilane, 1,2-diethoxy-1,1,2,2-tetramethyl Preferred examples include disilane, 1,2-dimethoxy-1,1,2,2-tetraphenyldisilane, 1,2-diethoxy-1,1,2,2-tetraphenyldisilane, and the like.

さらに、一般式（２）において、Ｒ^７が−（ＣＨ_２）_ｎ−で表される基の化合物としては、ビス（トリメトキシシリル）メタン、ビス（トリエトキシシリル）メタン、ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）メタン、ビス（トリ−ｉｓｏ−プロポキシシリル）メタン、ビス（トリ−ｎ−ブトキシシリル）メタン、ビス（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシリル）メタン、ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシリル）メタン、１，２−ビス（トリメトキシシリル）エタン、１，２−ビス（トリエトキシシリル）エタン、１，２−ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）エタン、１，２−ビス（トリ−ｉｓｏ−プロポキシシリル）エタン、１，２−ビス（トリ−ｎ−ブトキシシリル）エタン、１，２−ビス（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシリル）エタン、１，２−ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシリル）エタン、１−（ジメトキシメチルシリル）−１−（トリメトキシシリル）メタン、１−（ジエトキシメチルシリル）−１−（トリエトキシシリル）メタン、１−（ジ−ｎ−プロポキシメチルシリル）−１−（トリ−ｎ−プロポキシシリル）メタン、１−（ジ−ｉｓｏ−プロポキシメチルシリル）−１−（トリ−ｉｓｏ−プロポキシシリル）メタン、１−（ジ−ｎ−ブトキシメチルシリル）−１−（トリ−ｎ−ブトキシシリル）メタン、１−（ジ−ｓｅｃ−ブトキシメチルシリル）−１−（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシリル）メタン、１−（ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシメチルシリル）−１−（トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシリル）メタン、１−（ジメトキシメチルシリル）−２−（トリメトキシシリル）エタン、１−（ジエトキシメチルシリル）−２−（トリエトキシシリル）エタン、１−（ジ−ｎ−プロポキシメチルシリル）−２−（トリ−ｎ−プロポキシシリル）エタン、１−（ジ−ｉｓｏ−プロポキシメチルシリル）−２−（トリ−ｉｓｏ−プロポキシシリル）エタン、１−（ジ−ｎ−ブトキシメチルシリル）−２−（トリ−ｎ−ブトキシシリル）エタン、１−（ジ−ｓｅｃ−ブトキシメチルシリル）−２−（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシリル）エタン、１−（ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシメチルシリル）−２−（トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシリル）エタン、ビス（ジメトキシメチルシリル）メタン、ビス（ジエトキシメチルシリル）メタン、ビス（ジ−ｎ−プロポキシメチルシリル）メタン、ビス（ジ−ｉｓｏ−プロポキシメチルシリル）メタン、ビス（ジ−ｎ−ブトキシメチルシリル）メタン、ビス（ジ−ｓｅｃ−ブトキシメチルシリル）メタン、ビス（ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシメチルシリル）メタン、１，２−ビス（ジメトキシメチルシリル）エタン、１，２−ビス（ジエトキシメチルシリル）エタン、１，２−ビス（ジ−ｎ−プロポキシメチルシリル）エタン、１，２−ビス（ジ−ｉｓｏ−プロポキシメチルシリル）エタン、１，２−ビス（ジ−ｎ−ブトキシメチルシリル）エタン、１，２−ビス（ジ−ｓｅｃ−ブトキシメチルシリル）エタン、１，２−ビス（ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシメチルシリル）エタン、１，２−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、１，２−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，２−ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）ベンゼン、１，２−ビス（トリ−ｉｓｏ−プロポキシシリル）ベンゼン、１，２−ビス（トリ−ｎ−ブトキシシリル）ベンゼン、１，２−ビス（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシリル）ベンゼン、１，２−ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシリル）ベンゼン、１，３−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、１，３−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，３−ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）ベンゼン、１，３−ビス（トリ−ｉｓｏ−プロポキシシリル）ベンゼン、１，３−ビス（トリ−ｎ−ブトキシシリル）ベンゼン、１，３−ビス（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシリル）ベンゼン、１，３−ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（トリ−ｎ−プロポキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（トリ−ｉｓｏ−プロポキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（トリ−ｎ−ブトキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（トリ−ｓｅｃ−ブトキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシシリル）ベンゼンなど挙げることができる。 Furthermore, in the general formula (2), the compound in which R ⁷ is represented by — (CH ₂ ) _n — includes bis (trimethoxysilyl) methane, bis (triethoxysilyl) methane, bis (tri-n -Propoxysilyl) methane, bis (tri-iso-propoxysilyl) methane, bis (tri-n-butoxysilyl) methane, bis (tri-sec-butoxysilyl) methane, bis (tri-tert-butoxysilyl) methane, 1,2-bis (trimethoxysilyl) ethane, 1,2-bis (triethoxysilyl) ethane, 1,2-bis (tri-n-propoxysilyl) ethane, 1,2-bis (tri-iso-propoxy) Silyl) ethane, 1,2-bis (tri-n-butoxysilyl) ethane, 1,2-bis (tri-sec-butoxysilyl) ethane, 1,2 Bis (tri-tert-butoxysilyl) ethane, 1- (dimethoxymethylsilyl) -1- (trimethoxysilyl) methane, 1- (diethoxymethylsilyl) -1- (triethoxysilyl) methane, 1- (di -N-propoxymethylsilyl) -1- (tri-n-propoxysilyl) methane, 1- (di-iso-propoxymethylsilyl) -1- (tri-iso-propoxysilyl) methane, 1- (di-n -Butoxymethylsilyl) -1- (tri-n-butoxysilyl) methane, 1- (di-sec-butoxymethylsilyl) -1- (tri-sec-butoxysilyl) methane, 1- (di-tert-butoxy Methylsilyl) -1- (tri-tert-butoxysilyl) methane, 1- (dimethoxymethylsilyl) -2- (trimethoxysilyl) ethane 1- (diethoxymethylsilyl) -2- (triethoxysilyl) ethane, 1- (di-n-propoxymethylsilyl) -2- (tri-n-propoxysilyl) ethane, 1- (di-iso -Propoxymethylsilyl) -2- (tri-iso-propoxysilyl) ethane, 1- (di-n-butoxymethylsilyl) -2- (tri-n-butoxysilyl) ethane, 1- (di-sec-butoxy) Methylsilyl) -2- (tri-sec-butoxysilyl) ethane, 1- (di-tert-butoxymethylsilyl) -2- (tri-tert-butoxysilyl) ethane, bis (dimethoxymethylsilyl) methane, bis ( Diethoxymethylsilyl) methane, bis (di-n-propoxymethylsilyl) methane, bis (di-iso-propoxymethylsilyl) methane Bis (di-n-butoxymethylsilyl) methane, bis (di-sec-butoxymethylsilyl) methane, bis (di-tert-butoxymethylsilyl) methane, 1,2-bis (dimethoxymethylsilyl) ethane, 1, 2-bis (diethoxymethylsilyl) ethane, 1,2-bis (di-n-propoxymethylsilyl) ethane, 1,2-bis (di-iso-propoxymethylsilyl) ethane, 1,2-bis (di -N-butoxymethylsilyl) ethane, 1,2-bis (di-sec-butoxymethylsilyl) ethane, 1,2-bis (di-tert-butoxymethylsilyl) ethane, 1,2-bis (trimethoxysilyl) ) Benzene, 1,2-bis (triethoxysilyl) benzene, 1,2-bis (tri-n-propoxysilyl) benzene, 1,2-bis Tri-iso-propoxysilyl) benzene, 1,2-bis (tri-n-butoxysilyl) benzene, 1,2-bis (tri-sec-butoxysilyl) benzene, 1,2-bis (tri-tert-butoxy) Silyl) benzene, 1,3-bis (trimethoxysilyl) benzene, 1,3-bis (triethoxysilyl) benzene, 1,3-bis (tri-n-propoxysilyl) benzene, 1,3-bis (tri -Iso-propoxysilyl) benzene, 1,3-bis (tri-n-butoxysilyl) benzene, 1,3-bis (tri-sec-butoxysilyl) benzene, 1,3-bis (tri-tert-butoxysilyl) ) Benzene, 1,4-bis (trimethoxysilyl) benzene, 1,4-bis (triethoxysilyl) benzene, 1,4-bis (tri- n-propoxysilyl) benzene, 1,4-bis (tri-iso-propoxysilyl) benzene, 1,4-bis (tri-n-butoxysilyl) benzene, 1,4-bis (tri-sec-butoxysilyl) Examples thereof include benzene and 1,4-bis (tri-tert-butoxysilyl) benzene.

これらのうち、ビス（トリメトキシシリル）メタン、ビス（トリエトキシシリル）メタン、１，２−ビス（トリメトキシシリル）エタン、１，２−ビス（トリエトキシシリル）エタン、１−（ジメトキシメチルシリル）−１−（トリメトキシシリル）メタン、１−（ジエトキシメチルシリル）−１−（トリエトキシシリル）メタン、１−（ジメトキシメチルシリル）−２−（トリメトキシシリル）エタン、１−（ジエトキシメチルシリル）−２−（トリエトキシシリル）エタン、ビス（ジメトキシメチルシリル）メタン、ビス（ジエトキシメチルシリル）メタン、１，２−ビス（ジメトキシメチルシリル）エタン、１，２−ビス（ジエトキシメチルシリル）エタン、１，２−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、１，２−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，３−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、１，３−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（トリメトキシシリル）ベンゼン、１，４−ビス（トリエトキシシリル）ベンゼンなどを好ましい例として挙げることができる。   Of these, bis (trimethoxysilyl) methane, bis (triethoxysilyl) methane, 1,2-bis (trimethoxysilyl) ethane, 1,2-bis (triethoxysilyl) ethane, 1- (dimethoxymethylsilyl) ) -1- (trimethoxysilyl) methane, 1- (diethoxymethylsilyl) -1- (triethoxysilyl) methane, 1- (dimethoxymethylsilyl) -2- (trimethoxysilyl) ethane, 1- (di Ethoxymethylsilyl) -2- (triethoxysilyl) ethane, bis (dimethoxymethylsilyl) methane, bis (diethoxymethylsilyl) methane, 1,2-bis (dimethoxymethylsilyl) ethane, 1,2-bis (di Ethoxymethylsilyl) ethane, 1,2-bis (trimethoxysilyl) benzene, 1,2-bis (triethoxy) Silyl) benzene, 1,3-bis (trimethoxysilyl) benzene, 1,3-bis (triethoxysilyl) benzene, 1,4-bis (trimethoxysilyl) benzene, 1,4-bis (triethoxysilyl) Benzene etc. can be mentioned as a preferable example.

金属キレート化合物（Ａ−３）；一般式（３）で表される金属キレート化合物（Ａ−３）中の金属Ｍとしては、IIIＢ族金属（アルミニウム、ガリウム、インジウム、タリウム）およびIＶＡ族金属（チタン、ジルコニウム、ハフニウム）より選ばれる少なくとも１種の金属であることが好ましく、チタン、アルミニウム、ジルコニウムがより好ましい。また、金属キレート化合物（Ａ−３）の具体例としては、トリエトキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリイソプロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）チタン、ジエトキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジイソプロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）チタン、モノエトキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノイソプロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、モノ−ｔｅｒｔ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）チタン、テトラキス（アセチルアセトナート）チタン、トリエトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリイソプロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）チタン、ジエトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジイソプロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）チタン、モノエトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノイソプロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ−ｔｅｒｔ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）チタン、テトラキス（エチルアセトアセテート）チタン、モノ（アセチルアセトナート）トリス（エチルアセトアセテート）チタン、ビス（アセチルアセトナート）ビス（エチルアセトアセテート）チタン、トリス（アセチルアセトナート）モノ（エチルアセトアセテート）チタン、等のチタンキレート化合物；トリエトキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリイソプロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジエトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジイソプロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノエトキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノイソプロポキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、モノ−ｔｅｒｔ−ブトキシ・トリス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、テトラキス（アセチルアセトナート）ジルコニウム、トリエトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｎ−プロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリイソプロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｎ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリ−ｔｅｒｔ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジエトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｎ−プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジイソプロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｎ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノエトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｎ−プロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノイソプロポキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｎ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ−ｔｅｒｔ−ブトキシ・トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、テトラキス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、モノ（アセチルアセトナート）トリス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、ビス（アセチルアセトナート）ビス（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、トリス（アセチルアセトナート）モノ（エチルアセトアセテート）ジルコニウム、等のジルコニウムキレート化合物；ジエトキシ・モノ（アセチルアセトナート）アルミニウム、ジ−ｎ−プロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）アルミニウム、ジイソプロポキシ・モノ（アセチルアセトナート）アルミニウム、ジ−ｎ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）アルミニウム、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）アルミニウム、ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ・モノ（アセチルアセトナート）アルミニウム、モノエトキシ・ビス（アセチルアセトナート）アルミニウム、モノ−ｎ−プロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）アルミニウム、モノイソプロポキシ・ビス（アセチルアセトナート）アルミニウム、モノ−ｎ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）アルミニウム、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）アルミニウム、モノ−ｔｅｒｔ−ブトキシ・ビス（アセチルアセトナート）アルミニウム、トリス（アセチルアセトナート）アルミニウム、ジエトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）アルミニウム、ジ−ｎ−プロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）アルミニウム、ジイソプロポキシ・モノ（エチルアセトアセテート）アルミニウム、ジ−ｎ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）アルミニウム、ジ−ｓｅｃ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）アルミニウム、ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ・モノ（エチルアセトアセテート）アルミニウム、モノエトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）アルミニウム、モノ−ｎ−プロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）アルミニウム、モノイソプロポキシ・ビス（エチルアセトアセテート）アルミニウム、モノ−ｎ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）アルミニウム、モノ−ｓｅｃ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）アルミニウム、モノ−ｔｅｒｔ−ブトキシ・ビス（エチルアセトアセテート）アルミニウム、トリス（エチルアセトアセテート）アルミニウム、モノ（アセチルアセトナート）ビス（エチルアセトアセテート）アルミニウム、ビス（アセチルアセトナート）モノ（エチルアセトアセテート）アルミニウム、等のアルミニウムキレート化合物；等の１種または２種以上が挙げられる。   Metal chelate compound (A-3); As metal M in metal chelate compound (A-3) represented by general formula (3), group IIIB metal (aluminum, gallium, indium, thallium) and group IVA metal ( At least one metal selected from titanium, zirconium, and hafnium is preferable, and titanium, aluminum, and zirconium are more preferable. Specific examples of the metal chelate compound (A-3) include triethoxy mono (acetylacetonato) titanium, tri-n-propoxy mono (acetylacetonato) titanium, triisopropoxy mono (acetylacetonate). Titanium, tri-n-butoxy mono (acetylacetonato) titanium, tri-sec-butoxy mono (acetylacetonato) titanium, tri-tert-butoxy mono (acetylacetonato) titanium, diethoxy bis (acetylacetate) Nato) titanium, di-n-propoxy bis (acetylacetonato) titanium, diisopropoxy bis (acetylacetonato) titanium, di-n-butoxy bis (acetylacetonato) titanium, di-sec-butoxy.titanium Bis (acetylacetonate) titanium, di tert-Butoxy bis (acetylacetonato) titanium, monoethoxy tris (acetylacetonato) titanium, mono-n-propoxy tris (acetylacetonato) titanium, monoisopropoxy tris (acetylacetonato) titanium, mono -N-butoxy-tris (acetylacetonato) titanium, mono-sec-butoxy-tris (acetylacetonato) titanium, mono-tert-butoxy-tris (acetylacetonato) titanium, tetrakis (acetylacetonato) titanium, triethoxy Mono (ethyl acetoacetate) titanium, tri-n-propoxy mono (ethyl acetoacetate) titanium, triisopropoxy mono (ethyl acetoacetate) titanium, tri-n-butoxy mono (ethyl acetoacetate) ) Titanium, tri-sec-butoxy mono (ethyl acetoacetate) titanium, tri-tert-butoxy mono (ethyl acetoacetate) titanium, diethoxy bis (ethyl acetoacetate) titanium, di-n-propoxy bis (Ethyl acetoacetate) titanium, diisopropoxy bis (ethyl acetoacetate) titanium, di-n-butoxy bis (ethyl acetoacetate) titanium, di-sec-butoxy bis (ethyl acetoacetate) titanium, di-tert -Butoxy bis (ethyl acetoacetate) titanium, monoethoxy tris (ethyl acetoacetate) titanium, mono-n-propoxy tris (ethyl acetoacetate) titanium, monoisopropoxy tris (ethyl acetoacetate) titanium, mono- n -Butoxy tris (ethyl acetoacetate) titanium, mono-sec-butoxy tris (ethyl acetoacetate) titanium, mono-tert-butoxy tris (ethyl acetoacetate) titanium, tetrakis (ethyl acetoacetate) titanium, mono (acetyl) Titanium chelate compounds such as acetonato) tris (ethylacetoacetate) titanium, bis (acetylacetonato) bis (ethylacetoacetate) titanium, tris (acetylacetonato) mono (ethylacetoacetate) titanium; triethoxy mono (acetyl) Acetonato) zirconium, tri-n-propoxy mono (acetylacetonato) zirconium, triisopropoxy mono (acetylacetonato) zirconium, tri-n-butoxy mono (acetate) Ruacetonato) zirconium, tri-sec-butoxy mono (acetylacetonato) zirconium, tri-tert-butoxy mono (acetylacetonato) zirconium, diethoxybis (acetylacetonato) zirconium, di-n-propoxybis ( Acetylacetonato) zirconium, diisopropoxy bis (acetylacetonato) zirconium, di-n-butoxy bis (acetylacetonato) zirconium, di-sec-butoxy bis (acetylacetonato) zirconium, di-tert- Butoxy bis (acetylacetonato) zirconium, monoethoxy tris (acetylacetonato) zirconium, mono-n-propoxytris (acetylacetonato) zirconium, monoisopropyl Poxy-tris (acetylacetonate) zirconium, mono-n-butoxy-tris (acetylacetonato) zirconium, mono-sec-butoxy-tris (acetylacetonato) zirconium, mono-tert-butoxy-tris (acetylacetonate) Zirconium, tetrakis (acetylacetonato) zirconium, triethoxy mono (ethyl acetoacetate) zirconium, tri-n-propoxy mono (ethyl acetoacetate) zirconium, triisopropoxy mono (ethyl acetoacetate) zirconium, tri-n- Butoxy mono (ethyl acetoacetate) zirconium, tri-sec-butoxy mono (ethyl acetoacetate) zirconium, tri-tert-butoxy mono (ethyl aceto) Acetate) zirconium, diethoxy bis (ethyl acetoacetate) zirconium, di-n-propoxy bis (ethyl acetoacetate) zirconium, diisopropoxy bis (ethyl acetoacetate) zirconium, di-n-butoxy bis (ethyl aceto) Acetate) zirconium, di-sec-butoxy bis (ethyl acetoacetate) zirconium, di-tert-butoxy bis (ethyl acetoacetate) zirconium, monoethoxy tris (ethyl acetoacetate) zirconium, mono-n-propoxy tris (Ethyl acetoacetate) zirconium, monoisopropoxy tris (ethyl acetoacetate) zirconium, mono-n-butoxy tris (ethyl acetoacetate) zirconium, -Sec-butoxy tris (ethyl acetoacetate) zirconium, mono-tert-butoxy tris (ethyl acetoacetate) zirconium, tetrakis (ethyl acetoacetate) zirconium, mono (acetylacetonato) tris (ethyl acetoacetate) zirconium, bis Zirconium chelate compounds such as (acetylacetonato) bis (ethylacetoacetate) zirconium, tris (acetylacetonato) mono (ethylacetoacetate) zirconium; diethoxy mono (acetylacetonato) aluminum, di-n-propoxy mono (Acetylacetonato) aluminum, diisopropoxy mono (acetylacetonato) aluminum, di-n-butoxy mono (acetylacetonato) a Minium, di-sec-butoxy mono (acetylacetonato) aluminum, di-tert-butoxy mono (acetylacetonato) aluminum, monoethoxybis (acetylacetonato) aluminum, mono-n-propoxybis (acetyl) Acetonato) aluminum, monoisopropoxy bis (acetylacetonato) aluminum, mono-n-butoxy bis (acetylacetonato) aluminum, mono-sec-butoxy bis (acetylacetonato) aluminum, mono-tert-butoxy・ Bis (acetylacetonato) aluminum, tris (acetylacetonato) aluminum, diethoxy mono (ethylacetoacetate) aluminum, di-n-propoxy mono (ethylacetoacetate) ) Aluminum, diisopropoxy mono (ethyl acetoacetate) aluminum, di-n-butoxy mono (ethyl acetoacetate) aluminum, di-sec-butoxy mono (ethyl acetoacetate) aluminum, di-tert-butoxy mono (Ethyl acetoacetate) aluminum, monoethoxy bis (ethyl acetoacetate) aluminum, mono-n-propoxy bis (ethyl acetoacetate) aluminum, monoisopropoxy bis (ethyl acetoacetate) aluminum, mono-n-butoxy Bis (ethyl acetoacetate) aluminum, mono-sec-butoxy bis (ethyl acetoacetate) aluminum, mono-tert-butoxy bis (ethyl acetoacetate) aluminum, One or more of aluminum chelate compounds such as aluminum (ethylacetoacetate) aluminum, mono (acetylacetonato) bis (ethylacetoacetate) aluminum, bis (acetylacetonato) mono (ethylacetoacetate) aluminum; Is mentioned.

特に、（ＣＨ_３（ＣＨ_３）ＨＣＯ）_４−ｔＴｉ（ＣＨ_３ＣＯＣＨ_２ＣＯＣＨ_３）_ｔ，（ＣＨ_３（ＣＨ_３）ＨＣＯ）_４−ｔＴｉ（ＣＨ_３ＣＯＣＨ_２ＣＯＯＣ_２Ｈ_５）_ｔ（Ｃ_４Ｈ_９Ｏ）_４−ｔＴｉ（ＣＨ_３ＣＯＣＨ_２ＣＯＣＨ_３）_ｔ,（Ｃ_４Ｈ_９Ｏ）_４−ｔＴｉ（ＣＨ_３ＣＯＣＨ_２ＣＯＯＣ_２Ｈ_５）_ｔ，（Ｃ_２Ｈ_５（ＣＨ_３）ＣＯ）_４−ｔＴｉ（ＣＨ_３ＣＯＣＨ_２ＣＯＣＨ_３）_ｔ,（Ｃ_２Ｈ_５（ＣＨ_３）ＣＯ）_４−ｔＴｉ（ＣＨ_３ＣＯＣＨ_２ＣＯＯＣ_２Ｈ_５）_ｔ（ＣＨ_３（ＣＨ_３）ＨＣＯ）_４−ｔＺｒ（ＣＨ_３ＣＯＣＨ_２ＣＯＣＨ_３）_ｔ（ＣＨ_３（ＣＨ_３）ＨＣＯ）_４−ｔＺｒ（ＣＨ_３ＣＯＣＨ_２ＣＯＯＣ_２Ｈ_５）_ｔ（Ｃ_４Ｈ_９Ｏ）_４−ｔＺｒ（ＣＨ_３ＣＯＣＨ_２ＣＯＣＨ_３）_ｔ,（Ｃ_４Ｈ_９Ｏ）_４−ｔＺｒ（ＣＨ_３ＣＯＣＨ_２ＣＯＯＣ_２Ｈ_５）_ｔ，（Ｃ_２Ｈ_５（ＣＨ_３）ＣＯ）_４−ｔＺｒ（ＣＨ_３ＣＯＣＨ_２ＣＯＣＨ_３）_ｔ,（Ｃ_２Ｈ_５（ＣＨ_３）ＣＯ）_４−ｔＺｒ（ＣＨ_３ＣＯＣＨ_２ＣＯＯＣ_２Ｈ_５）_ｔ（ＣＨ_３（ＣＨ_３）ＨＣＯ）_３−ｔＡｌ（ＣＨ_３ＣＯＣＨ_２ＣＯＣＨ_３）_ｔ（ＣＨ_３（ＣＨ_３）ＨＣＯ）_３−ｔＡｌ（ＣＨ_３ＣＯＣＨ_２ＣＯＯＣ_２Ｈ_５）_ｔ（Ｃ_４Ｈ_９Ｏ）_３−ｔＡｌ（ＣＨ_３ＣＯＣＨ_２ＣＯＣＨ_３）_ｔ,（Ｃ_４Ｈ_９Ｏ）_３−ｔＡｌ（ＣＨ_３ＣＯＣＨ_２ＣＯＯＣ_２Ｈ_５）_ｔ，（Ｃ_２Ｈ_５（ＣＨ_３）ＣＯ）_３−ｔＡｌ（ＣＨ_３ＣＯＣＨ_２ＣＯＣＨ_３）_ｔ,（Ｃ_２Ｈ_５（ＣＨ_３）ＣＯ）_３−ｔＡｌ（ＣＨ_３ＣＯＣＨ_２ＣＯＯＣ_２Ｈ_５）_ｔ等の１種または２種以上が金属キレート化合物（Ａ−３）として好ましい。 In _{particular, (CH 3 (CH 3)} HCO) 4-t Ti (CH 3 COCH 2 COCH 3) t, (CH 3 (CH 3) HCO) 4-t Ti (CH 3 COCH 2 COOC 2 H 5) t ( _{C 4 H 9 O) 4-} t Ti (CH 3 COCH 2 COCH 3) t, (C 4 H 9 O) 4-t Ti (CH 3 COCH 2 COOC 2 H 5) t, (C 2 H 5 (CH _{3) CO) 4-t Ti} (CH 3 COCH 2 COCH 3) t, (C 2 H 5 (CH 3) CO) 4-t Ti (CH 3 COCH 2 COOC 2 H 5) t (CH 3 (CH 3 _{) HCO) 4-t Zr (} CH 3 COCH 2 COCH 3) t (CH 3 (CH 3) HCO) 4-t Zr (CH 3 COCH 2 COOC 2 H 5) t (C 4 H 9 O) 4-t Zr (CH _{3 COCH 2 COCH 3) t, (} C 4 H 9 O) 4-t Zr (CH 3 COCH 2 COOC 2 H 5) t, (C 2 H 5 (CH 3) CO) 4-t Zr (CH 3 COCH 2 _{COCH 3) t, (C 2} H 5 (CH 3) CO) 4-t Zr (CH 3 COCH 2 COOC 2 H 5) t (CH 3 (CH 3) HCO) 3-t Al (CH 3 COCH 2 COCH _{3) t (CH 3 (CH} 3) HCO) 3-t Al (CH 3 COCH 2 COOC 2 H 5) t (C 4 H 9 O) 3-t Al (CH 3 COCH 2 COCH 3) t, (C _{4 H 9 O) 3-t} Al (CH 3 COCH 2 COOC 2 H 5) t, (C 2 H 5 (CH 3) CO) 3-t Al (CH 3 COCH 2 COCH 3) t, (C 2 H ₅ (CH _{3 CO)} Preferred _{3-t Al (CH 3 COCH} 2 COOC 2 H 5) 1 or two or more metal chelate compounds such as _t (A-3).

本発明においては、上記化合物（Ａ−１）および化合物（Ａ−２）より選ばれる１種もしくは２種以上のシラン化合物と、上記金属キレート化合物（Ａ−３）とを水の存在下で反応させて得られる。   In the present invention, one or two or more silane compounds selected from the compound (A-1) and the compound (A-2) are reacted with the metal chelate compound (A-3) in the presence of water. Can be obtained.

化合物（Ａ−１）の使用量［ｍｏｌ］に対する化合物（Ａ−２）の使用量［ｍｏｌ］は、通常、０〜０．５、好ましくは、０〜０．４、より好ましくは０〜０．３の範囲内の値である。   The amount [mol] of compound (A-2) used is usually 0 to 0.5, preferably 0 to 0.4, more preferably 0 to 0, relative to the amount [mol] of compound (A-1). The value is within the range of .3.

また、金属キレート化合物（Ａ−３）の使用量［ｍｏｌ］は、化合物（Ａ−１）および化合物（Ａ−２）より選ばれる１種もしくは２種以上のシラン化合物の総使用量［ｍｏｌ］に対して、通常、０．０００００１〜０．５、好ましくは、０．０００００３〜０．３、より好ましくは０．０００００５〜０．１の範囲内の値である。ここで、金属キレート化合物（Ａ−３）の使用量が０．０００００１〜０．５の範囲内の値であることにより、硬化後の塗膜厚さが均一となり、また、硬化後の塗膜の比誘電率を低くすることができる。ここで、金属キレート化合物（Ａ−３）の使用量が０．０００００１未満であると、加水分解縮合反応が充分に進行せず前記した目的の分子量が得られない場合があり、一方、０．５を越えると目的の分子量を超える場合がある。   The amount [mol] of the metal chelate compound (A-3) used is the total amount [mol] of one or more silane compounds selected from the compound (A-1) and the compound (A-2). On the other hand, it is usually a value in the range of 0.000001 to 0.5, preferably 0.000003 to 0.3, more preferably 0.000005 to 0.1. Here, when the amount of the metal chelate compound (A-3) used is a value in the range of 0.000001 to 0.5, the coating thickness after curing becomes uniform, and the coating film after curing The relative dielectric constant can be reduced. Here, if the amount of the metal chelate compound (A-3) used is less than 0.000001, the hydrolysis condensation reaction does not proceed sufficiently and the above-mentioned target molecular weight may not be obtained. If it exceeds 5, the target molecular weight may be exceeded.

また、上記シラン化合物と金属キレート化合物（Ａ−３）との反応に用いられる水の使用量［ｍｏｌ］は、使用する化合物（Ａ−１）〜（Ａ−３）の総使用量［ｍｏｌ］の０．３〜１２倍であることが好ましく、０．５〜１０倍であることがより好ましい。ここで、添加する水の量が０．３倍未満であると、塗膜の耐クラック性が劣る場合があり、一方、１２倍を超えると加水分解および縮合反応中のポリマーの析出やゲル化が生じる場合がある。   Moreover, the usage-amount [mol] of the water used for reaction of the said silane compound and a metal chelate compound (A-3) is the total usage-amount [mol] of the compound (A-1)-(A-3) to be used. Is preferably 0.3 to 12 times, more preferably 0.5 to 10 times. Here, if the amount of water to be added is less than 0.3 times, the crack resistance of the coating film may be inferior. On the other hand, if it exceeds 12 times, precipitation or gelation of the polymer during hydrolysis and condensation reactions May occur.

なお、水は一括で添加することもできるし、連続的または断続的に添加することもできる。   Water can be added all at once, or can be added continuously or intermittently.

［（Ｂ）アルコール］
本発明の膜形成用組成物はさらに、（Ｂ）アルコールを含む。（Ｂ）アルコールの具体例としては、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロパノール、ｉ−プロパノール、ｎ−ブタノール、ｉ−ブタノール、ｓｅｃ−ブタノール、ｔ−ブタノール、ｎ−ペンタノール、ｉ−ペンタノール、２−メチルブタノール、ｓｅｃ−ペンタノール、ｔ−ペンタノール、３−メトキシブタノール、ｎ−ヘキサノール、２−メチルペンタノール、ｓｅｃ−ヘキサノール、２−エチルブタノール、ｓｅｃ−ヘプタノール、ヘプタノール−３、ｎ−オクタノール、２−エチルヘキサノール、ｓｅｃ−オクタノール、ｎ−ノニルアルコール、２，６−ジメチルヘプタノール−４、ｎ−デカノール、ｓｅｃ−ウンデシルアルコール、トリメチルノニルアルコール、ｓｅｃ−テトラデシルアルコール、ｓｅｃ−ヘプタデシルアルコール、フェノール、シクロヘキサノール、メチルシクロヘキサノール、３，３，５−トリメチルシクロヘキサノール、ベンジルアルコール、フェニルメチルカルビノール、ジアセトンアルコール、クレゾールなどのモノアルコール系溶媒；エチレングリコール、１，２−プロピレングリコール、１，３−ブチレングリコール、ペンタンジオール−２，４、２−メチルペンタンジオール−２，４、ヘキサンジオール−２，５、ヘプタンジオール−２，４、２−エチルヘキサンジオール−１，３、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、トリプロピレングリコール、グリセリンなどの多価アルコール系溶媒；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノプロピルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノペンチルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノフェニルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノペンチルエーテル、ジエチレングリコールモノヘキシルエーテル、メトキシトリグリコール、エトキシトリグリコール、プロポキシトリグリコール、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノペンチルエーテル、プロピレングリコールモノヘキシルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノブチルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、トリプロピレングリコールモノエチルエーテル、トリプロピレングリコールモノプロピルエーテルなどのアルキレングリコールモノアルキルエーテル系溶媒；等が挙げられる。これらのうち１種または２種以上を使用できる。中でも、アルキレングリコールモノアルキルエーテル系溶媒が好ましく、プロピレングリコールモノアルキルエーテルが特に好ましい。 [(B) alcohol]
The film-forming composition of the present invention further contains (B) an alcohol. Specific examples of (B) alcohol include, for example, methanol, ethanol, n-propanol, i-propanol, n-butanol, i-butanol, sec-butanol, t-butanol, n-pentanol, i-pentanol, 2-methylbutanol, sec-pentanol, t-pentanol, 3-methoxybutanol, n-hexanol, 2-methylpentanol, sec-hexanol, 2-ethylbutanol, sec-heptanol, heptanol-3, n-octanol 2-ethylhexanol, sec-octanol, n-nonyl alcohol, 2,6-dimethylheptanol-4, n-decanol, sec-undecyl alcohol, trimethylnonyl alcohol, sec-tetradecyl alcohol, sec-heptadecyl alcohol Monoalcohol solvents such as coal, phenol, cyclohexanol, methylcyclohexanol, 3,3,5-trimethylcyclohexanol, benzyl alcohol, phenylmethyl carbinol, diacetone alcohol, cresol; ethylene glycol, 1,2-propylene glycol 1,3-butylene glycol, pentanediol-2,4, 2-methylpentanediol-2,4, hexanediol-2,5, heptanediol-2,4, 2-ethylhexanediol-1,3, diethylene glycol , Dipropylene glycol, triethylene glycol, tripropylene glycol, glycerin and other polyhydric alcohol solvents; ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol Cole monopropyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol monopentyl ether, ethylene glycol monohexyl ether, ethylene glycol monophenyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monopropyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, diethylene glycol monopentyl ether , Diethylene glycol monohexyl ether, methoxy triglycol, ethoxy triglycol, propoxy triglycol, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monopropyl ether, propylene glycol monobutyl ether , Propylene glycol monopentyl ether, propylene glycol monohexyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monopropyl ether, dipropylene glycol monobutyl ether, tripropylene glycol monomethyl ether, tripropylene glycol monoethyl And alkylene glycol monoalkyl ether solvents such as ether and tripropylene glycol monopropyl ether; Of these, one or more can be used. Among these, alkylene glycol monoalkyl ether solvents are preferable, and propylene glycol monoalkyl ether is particularly preferable.

また、（Ｂ）アルコールとともに、エステル系、アミド系等の溶媒が多少入っていても良い。   In addition to (B) alcohol, some solvents such as ester and amide may be contained.

プロピレングリコールモノアルキルエーテルの使用量は、上記（Ａ）加水分解縮合物１００重量部に対して、０．５〜４５重量部、好ましくは１〜３５重量部の範囲内の値とすることが好ましい。   The amount of the propylene glycol monoalkyl ether used is preferably 0.5 to 45 parts by weight, preferably 1 to 35 parts by weight, based on 100 parts by weight of the hydrolysis condensate (A). .

なお、本発明の膜形成用組成物を構成するにあたり、膜形成用組成物中の沸点１００℃以下のアルコール含量が２０重量％以下であること、特に５重量％以下であることが好ましい。沸点１００℃以下のアルコールは、上記（Ａ）加水分解縮合物の生成の際に生じる場合があり、その含量が２０重量％以下になるように蒸留等により除去することが好ましい。膜形成用組成物中の沸点１００℃以下のアルコール含量を２０重量％以下であれば、塗膜の均一性を低下させるおそれがない。また添加剤として、オルソギ酸メチル等の脱水剤やさらなる金属錯体やレベリング剤を加えても良い。   In constituting the film-forming composition of the present invention, the alcohol content at a boiling point of 100 ° C. or less in the film-forming composition is preferably 20% by weight or less, particularly preferably 5% by weight or less. Alcohol having a boiling point of 100 ° C. or lower may be generated during the production of the (A) hydrolysis condensate, and is preferably removed by distillation or the like so that the content thereof is 20% by weight or less. If the content of alcohol having a boiling point of 100 ° C. or less in the film-forming composition is 20% by weight or less, there is no possibility of reducing the uniformity of the coating film. Further, as an additive, a dehydrating agent such as methyl orthoformate, a further metal complex, or a leveling agent may be added.

［（Ｃ）β−ジケトン］
本発明の膜形成用組成物はさらに、（Ｃ）β−ジケトンを含む。（Ｃ）β−ジケトンの好ましい具体例としては、アセチルアセトン、２，４−ヘキサンジオン、２，４−ヘプタンジオン、３，５−ヘプタンジオン、２，４−オクタンジオン、３，５−オクタンジオン、２，４−ノナンジオン、３，５−ノナンジオン、５−メチル−２，４−ヘキサンジオン、２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオン、１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロ−２，４−ヘプタンジオン等が例示できる。これらを１種または２種以上使用することができる。なかでも、アセチルアセトン、２，４−ヘキサンジオン、２，４−ヘプタンジオン、および３，５−ヘプタンジオンから選ばれる少なくとも１種であることがより好ましい。 [(C) β-diketone]
The film-forming composition of the present invention further contains (C) β-diketone. (C) Preferred specific examples of β-diketone include acetylacetone, 2,4-hexanedione, 2,4-heptanedione, 3,5-heptanedione, 2,4-octanedione, 3,5-octanedione, 2,4-nonanedione, 3,5-nonanedione, 5-methyl-2,4-hexanedione, 2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedione, 1,1,1,5,5 , 5-hexafluoro-2,4-heptanedione and the like. One or more of these can be used. Among these, at least one selected from acetylacetone, 2,4-hexanedione, 2,4-heptanedione, and 3,5-heptanedione is more preferable.

（Ｃ）β−ジケトンの使用量について特に限定されるものではないが、全溶剤の１〜５０重量％、特に３〜３０重量％とすることが好ましい。このような範囲で（Ｃ）β−ジケトンを添加することにより、一定の保存安定性が得られるとともに、本発明の膜形成用組成物の塗膜均一性等の特性が低下するおそれが少ない。   (C) Although it does not specifically limit about the usage-amount of (beta) -diketone, It is preferable to set it as 1 to 50 weight% of all the solvents, especially 3 to 30 weight%. By adding (C) β-diketone within such a range, a certain storage stability can be obtained, and the characteristics such as the coating film uniformity of the film-forming composition of the present invention are less likely to deteriorate.

また、（Ｃ）β−ジケトンは、上記（Ａ）加水分解縮合物を得るために、上記化合物（Ａ−１）および上記化合物（Ａ−２）より選ばれる少なくとも１種のシラン化合物と上記金属キレート化合物（Ａ−３）とを水の存在下で反応させた後に添加するのが好ましい。このような添加方法を行うことにより、（Ａ）加水分解縮合物を得る際の加水分解、部分縮合の反応時間を短時間で終了させることができ、また、膜形成用組成物の塗膜均一性等の特性が低下するおそれが少ない。   In addition, (C) β-diketone is obtained by using at least one silane compound selected from the compound (A-1) and the compound (A-2) and the metal in order to obtain the hydrolysis condensate (A). The chelate compound (A-3) is preferably added after reacting in the presence of water. By performing such an addition method, the reaction time of hydrolysis and partial condensation in obtaining the (A) hydrolysis-condensation product can be completed in a short time, and the coating film of the film-forming composition is uniform. There is little possibility that the characteristics such as the property will deteriorate.

［その他の添加剤］
本発明の膜形成用組成物には、さらにコロイド状シリカ、コロイド状アルミナ、界面活性剤、シランカップリング剤などの成分を添加してもよい。コロイド状シリカとは、例えば、高純度の無水ケイ酸を前記親水性有機溶媒に分散した分散液であり、通常、平均粒径が５〜３０ｎｍ、好ましくは１０〜２０ｎｍ、固形分濃度が１０〜４０重量％程度のものである。このような、コロイド状シリカとしては、例えば、日産化学工業（株）製、メタノールシリカゾルおよびイソプロパノールシリカゾル；触媒化成工業（株）製、オスカルなどが挙げられる。コロイド状アルミナとしては、日産化学工業（株）製のアルミナゾル５２０、同１００、同２００；川研ファインケミカル（株）製のアルミナクリアーゾル、アルミナゾル１０、同１３２などが挙げられる。 [Other additives]
Components such as colloidal silica, colloidal alumina, a surfactant, and a silane coupling agent may be further added to the film forming composition of the present invention. Colloidal silica is, for example, a dispersion in which high-purity silicic acid is dispersed in the hydrophilic organic solvent. Usually, the average particle size is 5 to 30 nm, preferably 10 to 20 nm, and the solid content concentration is 10 to 10. About 40% by weight. Examples of such colloidal silica include Nissan Chemical Industries, Ltd., methanol silica sol and isopropanol silica sol; Catalyst Chemical Industries, Ltd., Oscar. Examples of the colloidal alumina include Alumina Sol 520, 100 and 200 manufactured by Nissan Chemical Industries, Ltd .; Alumina Clear Sol, Alumina Sol 10 and 132 manufactured by Kawaken Fine Chemical Co., Ltd., and the like.

界面活性剤としては、例えば、ノニオン系界面活性剤、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、両性界面活性剤などが挙げられ、さらには、フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤、ポリアルキレンオキシド系界面活性剤、ポリ（メタ）アクリレート系界面活性剤などを挙げることができ、好ましくはフッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤を挙げることができる。   Examples of the surfactant include nonionic surfactants, anionic surfactants, cationic surfactants, amphoteric surfactants, and further, fluorine surfactants, silicone surfactants, Polyalkylene oxide surfactants, poly (meth) acrylate surfactants and the like can be mentioned, and fluorine surfactants and silicone surfactants can be preferably mentioned.

フッ素系界面活性剤としては、例えば１，１，２，２−テトラフロロオクチル（１，１，２，２−テトラフロロプロピル）エーテル、１，１，２，２−テトラフロロオクチルヘキシルエーテル、オクタエチレングリコールジ（１，１，２，２−テトラフロロブチル）エーテル、ヘキサエチレングリコール（１，１，２，２，３，３−ヘキサフロロペンチル）エーテル、オクタプロピレングリコールジ（１，１，２，２−テトラフロロブチル）エーテル、ヘキサプロピレングリコールジ（１，１，２，２，３，３−ヘキサフロロペンチル）エーテル、パーフロロドデシルスルホン酸ナトリウム、１，１，２，２，８，８，９，９，１０，１０−デカフロロドデカン、１，１，２，２，３，３−ヘキサフロロデカン、Ｎ−［３−（パーフルオロオクタンスルホンアミド）プロピル］-Ｎ，Ｎ‘−ジメチル−Ｎ−カルボキシメチレンアンモニウムベタイン、パーフルオロアルキルスルホンアミドプロピルトリメチルアンモニウム塩、パーフルオロアルキル−Ｎ−エチルスルホニルグリシン塩、リン酸ビス（Ｎ−パーフルオロオクチルスルホニル−Ｎ−エチルアミノエチル）、モノパーフルオロアルキルエチルリン酸エステル等の末端、主鎖および側鎖の少なくとも何れかの部位にフルオロアルキルまたはフルオロアルキレン基を有する化合物からなるフッ素系界面活性剤を挙げることができる。また、市販品としてはメガファックＦ１４２Ｄ、同Ｆ１７２、同Ｆ１７３、同Ｆ１８３（以上、大日本インキ化学工業（株）製）、エフトップＥＦ３０１、同３０３、同３５２（新秋田化成（株）製）、フロラードＦＣ−４３０、同ＦＣ−４３１（住友スリーエム（株）製）、アサヒガードＡＧ７１０、サーフロンＳ−３８２、同ＳＣ−１０１、同ＳＣ−１０２、同ＳＣ−１０３、同ＳＣ−１０４、同ＳＣ−１０５、同ＳＣ−１０６（旭硝子（株）製）、ＢＭ−１０００、ＢＭ−１１００（裕商（株）製）、ＮＢＸ−１５（（株）ネオス）などの名称で市販されているフッ素系界面活性剤を挙げることができる。これらの中でも、上記メガファックＦ１７２，ＢＭ−１０００，ＢＭ−１１００，ＮＢＸ−１５が特に好ましい。   Examples of the fluorosurfactant include 1,1,2,2-tetrafluorooctyl (1,1,2,2-tetrafluoropropyl) ether, 1,1,2,2-tetrafluorooctyl hexyl ether, octa Ethylene glycol di (1,1,2,2-tetrafluorobutyl) ether, hexaethylene glycol (1,1,2,2,3,3-hexafluoropentyl) ether, octapropylene glycol di (1,1,2, , 2-tetrafluorobutyl) ether, hexapropylene glycol di (1,1,2,2,3,3-hexafluoropentyl) ether, sodium perfluorododecyl sulfonate, 1,1,2,2,8,8 , 9,9,10,10-decafluorododecane, 1,1,2,2,3,3-hexafluorodecane, N- [3- (perfluoroo Tansulfonamido) propyl] -N, N′-dimethyl-N-carboxymethyleneammonium betaine, perfluoroalkylsulfonamidopropyltrimethylammonium salt, perfluoroalkyl-N-ethylsulfonylglycine salt, bis (N-perfluorophosphate) Octylsulfonyl-N-ethylaminoethyl), monoperfluoroalkylethyl phosphate ester, etc., a fluorine-based surfactant comprising a compound having a fluoroalkyl or fluoroalkylene group at least at any one of its terminal, main chain and side chain Can be mentioned. Commercially available products include MegaFuck F142D, F172, F173, F173, and F183 (above, Dainippon Ink & Chemicals, Inc.), F-Top EF301, 303, and 352 (made by Shin-Akita Kasei). , FLORARD FC-430, FC-431 (manufactured by Sumitomo 3M Limited), Asahi Guard AG710, Surflon S-382, SC-101, SC-102, SC-103, SC-104, SC -105, SC-106 (manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.), BM-1000, BM-1100 (manufactured by Yusho Co., Ltd.), NBX-15 (Neos Co., Ltd.), etc. Mention may be made of surfactants. Among these, the above-mentioned Megafac F172, BM-1000, BM-1100, and NBX-15 are particularly preferable.

シリコーン系界面活性剤としては、例えばＳＨ７ＰＡ、ＳＨ２１ＰＡ、ＳＨ３０ＰＡ、ＳＴ９４ＰＡ（いずれも東レ・ダウコーニング・シリコーン（株）製などを用いることが出来る。これらの中でも、上記ＳＨ２８ＰＡ、ＳＨ３０ＰＡが特に好ましい。界面活性剤の使用量は、（Ａ）成分（完全加水分解縮合物）に対して通常０．０００１〜１０重量部である。これらは１種あるいは２種以上を同時に使用しても良い。   As the silicone surfactant, for example, SH7PA, SH21PA, SH30PA, ST94PA (all manufactured by Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd., etc.) can be used. Among these, the above-mentioned SH28PA and SH30PA are particularly preferable. The amount of the agent used is usually 0.0001 to 10 parts by weight based on component (A) (completely hydrolyzed condensate), and these may be used alone or in combination of two or more.

シランカップリング剤としては、例えば３−グリシジロキシプロピルトリメトキシシラン、３−アミノグリシジロキシプロピルトリエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシジロキシプロピルメチルジメトキシシラン、１−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、２−アミノプロピルトリメトキシシラン、２−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（２−アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリメトキシシラン、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−エトキシカルボニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−エトキシカルボニル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−トリエトキシシリルプロピルトリエチレントリアミン、Ｎ−トリエトキシシリルプロピルトリエチレントリアミン、１０−トリメトキシシリル−１，４，７−トリアザデカン、１０−トリエトキシシリル−１，４，７−トリアザデカン、９−トリメトキシシリル−３，６−ジアザノニルアセテート、９−トリエトキシシリル−３，６−ジアザノニルアセテート、Ｎ−ベンジル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−ベンジル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、Ｎ−ビス（オキシエチレン）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−ビス（オキシエチレン）−３−アミノプロピルトリエトキシシランなどが挙げられる。これらは１種あるいは２種以上を同時に使用しても良い。   Examples of the silane coupling agent include 3-glycidyloxypropyltrimethoxysilane, 3-aminoglycidyloxypropyltriethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidyloxypropylmethyldimethoxysilane, 1- Methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 2-aminopropyltrimethoxysilane, 2-aminopropyltriethoxysilane, N- (2-aminoethyl) -3- Aminopropyltrimethoxysilane, N- (2-aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane, 3-ureidopropyltrimethoxysilane, 3-ureidopropyltriethoxysilane, N-ethoxycarbonyl 3-aminopropyltrimethoxysilane, N-ethoxycarbonyl-3-aminopropyltriethoxysilane, N-triethoxysilylpropyltriethylenetriamine, N-triethoxysilylpropyltriethylenetriamine, 10-trimethoxysilyl-1,4 , 7-triazadecane, 10-triethoxysilyl-1,4,7-triazadecane, 9-trimethoxysilyl-3,6-diazanonyl acetate, 9-triethoxysilyl-3,6-diazanonyl acetate, N -Benzyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, N-benzyl-3-aminopropyltriethoxysilane, N-phenyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, N-phenyl-3-aminopropyltriethoxysilane, N-bis (Oxyethylene)- - aminopropyltrimethoxysilane, etc. N- bis (oxyethylene) -3-aminopropyltriethoxysilane and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

このようにして得られる本発明の膜形成用組成物の全固形分濃度は、好ましくは０．５〜３０重量％であり、使用目的に応じて適宜調整される。本発明の膜形成用組成物の全固形分濃度が０．５〜３０重量％であることにより、塗膜の膜厚が適当な範囲となり、保存安定性もより優れるものである。なお、この全固形分濃度の調整は、必要であれば、濃縮および有機溶剤による希釈によって行われる。   The total solid concentration of the film-forming composition of the present invention thus obtained is preferably 0.5 to 30% by weight, and is appropriately adjusted according to the purpose of use. When the total solid concentration of the film-forming composition of the present invention is 0.5 to 30% by weight, the film thickness of the coating film is in an appropriate range, and the storage stability is further improved. The total solid content concentration is adjusted by concentration and dilution with an organic solvent, if necessary.

＜絶縁膜＞
本発明の膜形成用組成物は、均一な塗膜形成が可能であり、また、比誘電率が低く、層間絶縁膜用材料として好ましい。このため、本発明の膜形成用組成物を塗布後、焼成することにより絶縁膜を得ることができる。この絶縁膜は低い比誘電率を示すことから、ＬＳＩ、システムＬＳＩ、ＤＲＡＭ、ＳＤＲＡＭ、ＲＤＲＡＭ、Ｄ−ＲＤＲＡＭなどの半導体装置用層間絶縁膜、半導体装置の表面コート膜などの保護膜、多層レジストを用いた半導体作製工程の中間層、多層配線基板の層間絶縁膜、液晶表示装置用の保護膜や絶縁膜などの用途に有用である。 <Insulating film>
The film-forming composition of the present invention can form a uniform coating film and has a low relative dielectric constant, which is preferable as a material for an interlayer insulating film. For this reason, an insulating film can be obtained by baking after apply | coating the composition for film formation of this invention. Since this insulating film exhibits a low relative dielectric constant, an interlayer insulating film for semiconductor devices such as LSI, system LSI, DRAM, SDRAM, RDRAM, and D-RDRAM, a protective film such as a surface coat film of the semiconductor device, and a multilayer resist are used. It is useful for applications such as an intermediate layer of a used semiconductor manufacturing process, an interlayer insulating film of a multilayer wiring board, a protective film or an insulating film for a liquid crystal display device.

本発明の絶縁膜を形成する場合において、本発明の膜形成用組成物の塗布方法としては、スピンコート、ディッピング、ローラーブレード、スプレー法などが挙げられる。この際の膜厚は、乾燥膜厚として、１回塗りで厚さ０．０１〜１．５μｍ程度、２回塗りでは厚さ０．０２〜３μｍ程度の塗膜を形成することができる。   In the case of forming the insulating film of the present invention, the coating method of the film forming composition of the present invention includes spin coating, dipping, roller blades, spraying methods and the like. In this case, as a dry film thickness, it is possible to form a coating film having a thickness of about 0.01 to 1.5 μm by one coating and a thickness of about 0.02 to 3 μm by two coatings.

加熱硬化させる場合、例えば、常温で乾燥するか、あるいは８０〜６００℃程度の温度で、通常、５〜２４０分程度加熱して乾燥する。この場合、加熱方法としては、ホットプレート、オーブン、ファーネスなどを使用することができ、加熱雰囲気としては、大気下、窒素雰囲気、アルゴン雰囲気、真空下、酸素濃度をコントロールした減圧下などで行なうことができる。また、上記塗膜の硬化速度を制御するため、必要に応じて、段階的に加熱したり、窒素、空気、酸素、減圧などの雰囲気を選択することができる。   In the case of heat-curing, for example, it is dried at room temperature, or usually heated at a temperature of about 80 to 600 ° C. for about 5 to 240 minutes for drying. In this case, a hot plate, an oven, a furnace, or the like can be used as a heating method, and the heating atmosphere is an atmosphere, a nitrogen atmosphere, an argon atmosphere, a vacuum, a reduced pressure with a controlled oxygen concentration, or the like. Can do. Moreover, in order to control the curing rate of the coating film, it is possible to heat stepwise or select an atmosphere such as nitrogen, air, oxygen, reduced pressure, etc. as necessary.

本発明の絶縁膜の比誘電率は、通常、２．４〜３．２、好ましくは２．４〜３．１、さらに好ましくは２．４〜３．０である。   The relative dielectric constant of the insulating film of the present invention is usually 2.4 to 3.2, preferably 2.4 to 3.1, and more preferably 2.4 to 3.0.

＜実施例＞
次に、本発明を、実施例を挙げてさらに具体的に説明する。なお、実施例および比較例中の部および％は、特記しない限りそれぞれ重量部および重量％であることを示している。ただし、以下の記載は本発明の態様を概括的に示すものであり、特に理由なく、かかる記載により本発明は限定されるものではない。また、実施例中における各評価は、次のようにして測定された。 <Example>
Next, the present invention will be described more specifically with reference to examples. In addition, unless otherwise indicated, the part and% in an Example and a comparative example have shown that they are a weight part and weight%, respectively. However, the following description shows the aspect of this invention generally, and this invention is not limited by this description without a particular reason. Moreover, each evaluation in an Example was measured as follows.

［重量平均分子量（Ｍｗ）］
下記条件によるゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）法により測定した。
試料：テトラヒドロフランを溶媒として使用し、加水分解縮合物０．５ｇを、テトラヒドロフラン１００ｍｌに溶解して調製した。
標準ポリスチレン：米国プレッシャーケミカル社製の標準ポリスチレンを使用した。
装置：東ソー社製 ＨＬＣ−８１２０
カラム：東ソー社製 Ｓｕｐｅｒ ＡＷ−Ｈ
測定温度：４０℃
流速：１ｍＬ／ｍｉｎ
［保存安定性］
孔径０．１μｍのテフロン（登録商標）製カートリッジフィルタを用いて濾過した膜形成用組成物１ｃｃ中に存在する０．２μｍ以上の異物数を、パーティクルカウンタ（ＲＩＯＮ（株）製、ＫＬ−２０Ａ）を用いて測定した。次いで、この組成物を２３℃で３０日保存した後、この組成物１ｃｃ中に存在する０．２μｍ以上の異物数を同様の方法にて測定し、以下の基準で判断した。 [Weight average molecular weight (Mw)]
It measured by the gel permeation chromatography (GPC) method by the following conditions.
Sample: Prepared by using tetrahydrofuran as a solvent and dissolving 0.5 g of the hydrolysis condensate in 100 ml of tetrahydrofuran.
Standard polystyrene: Standard polystyrene manufactured by US Pressure Chemical Company was used.
Device: HLC-8120 manufactured by Tosoh Corporation
Column: Super AW-H manufactured by Tosoh Corporation
Measurement temperature: 40 ° C
Flow rate: 1 mL / min
[Storage stability]
The number of foreign matters of 0.2 μm or more present in 1 cc of the film-forming composition filtered using a Teflon (registered trademark) cartridge filter having a pore diameter of 0.1 μm was determined by a particle counter (manufactured by RION Co., Ltd., KL-20A). It measured using. Next, after the composition was stored at 23 ° C. for 30 days, the number of foreign matters having a size of 0.2 μm or more present in 1 cc of the composition was measured by the same method, and judged according to the following criteria.

○：（膜形成用組成物を２３℃×３０日保存した後の異物数）／（初期の異物数）≦５
×：（膜形成用組成物を２３℃×３０日保存した後の異物数）／（初期の異物数）＞５
［密着性］
炭化ケイ素膜を表面に堆積させた８インチシリコンウエハ上に、スピンコート法を用いて膜形成用組成物を塗布した後、ホットプレート上で７０℃で３分間、２００℃で３分間前記ウエハを乾燥し、さらに４２０℃の窒素雰囲気のオーブン中で６０分間前記ウエハを焼成して塗膜を得た。この塗膜に対して、ＰＣＴ（Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏｏｋｅｒ Ｔｅｓｔ）装置（平山製作所製、ＰＣ−２４２ＨＳ−Ａ）を用いて、１２７℃、１００％ＲＨ、２．５気圧、１時間の条件にて湿熱処理を施した。その後、この塗膜に対して、ＪＩＳ Ｋ５４００に準拠して碁盤目試験（テープ剥離試験）を施した。 ○: (Number of foreign matter after film-forming composition stored at 23 ° C. for 30 days) / (initial number of foreign matter) ≦ 5
X: (number of foreign matters after film-forming composition stored at 23 ° C. for 30 days) / (initial number of foreign matters)> 5
[Adhesion]
A film-forming composition is applied onto an 8-inch silicon wafer having a silicon carbide film deposited on the surface by spin coating, and then the wafer is placed on a hot plate at 70 ° C. for 3 minutes and at 200 ° C. for 3 minutes. The wafer was dried and the wafer was baked in an oven at 420 ° C. in a nitrogen atmosphere for 60 minutes to obtain a coating film. Using a PCT (Pressure Cooker Test) apparatus (Hirayama Seisakusho, PC-242HS-A), this coating film is subjected to wet heat treatment under the conditions of 127 ° C., 100% RH, 2.5 atm, and 1 hour. gave. Thereafter, a cross-cut test (tape peeling test) was performed on the coating film in accordance with JIS K5400.

そして、１００個の碁盤目のうち、ウエハから塗膜の剥がれが生じなかった碁盤目数の平均値（ｎ）を算出し、下地に対する密着性として評価した。測定結果を表１に示す。   And the average value (n) of the number of grids in which the peeling of the coating film did not occur from the wafer among 100 grids was calculated and evaluated as adhesion to the ground. The measurement results are shown in Table 1.

〇：ｎが１００
△：ｎが５０以上
×：ｎが５０未満
［比誘電率］
８インチシリコンウエハ上に、スピンコート法を用いて膜形成用組成物を塗布し、ホットプレート上で７０℃で３分間、２００℃で３分間前記ウエハを乾燥し、さらに４２０℃の窒素雰囲気のオーブン中で６０分間前記ウエハを焼成した。次いで、得られたウエハ上にアルミニウムを蒸着して、誘電率評価用基板を作製した。比誘電率は、横川・ヒューレットパッカード（株）製のＨＰ１６４５１Ｂ電極およびＨＰ４２８４ＡプレシジョンＬＣＲメーター用いて、１０ｋＨｚにおける容量値から算出した。 ○: n is 100
Δ: n is 50 or more x: n is less than 50 [specific dielectric constant]
A film-forming composition is applied onto an 8-inch silicon wafer by spin coating, and the wafer is dried on a hot plate at 70 ° C. for 3 minutes and at 200 ° C. for 3 minutes, and further in a nitrogen atmosphere at 420 ° C. The wafer was baked in an oven for 60 minutes. Subsequently, aluminum was vapor-deposited on the obtained wafer to produce a dielectric constant evaluation substrate. The relative dielectric constant was calculated from the capacitance value at 10 kHz using an HP16451B electrode and HP4284A Precision LCR meter manufactured by Yokogawa-Hewlett-Packard Co., Ltd.

石英製セパラブルフラスコ中で、メチルトリメトキシシラン６９．０６ｇ、テトラメトキシシラン３３．０３ｇ、およびテトラキス（アセチルアセトナート）チタン０．４５ｇをプロピレングリコールモノプロピルエーテル２９０ｇに溶解させた後、スリーワンモータで攪拌させて、溶液温度を６０℃に安定させた。次に、イオン交換水８４ｇを１時間かけて溶液に添加した。その後、６０℃で２時間反応させた後、アセチルアセトン２５ｇを添加し、さらに３０分間反応させた後、反応液を室温まで冷却した。５０℃で反応液からメタノールと水を含む溶液をエバポレーションで除去して、固形分濃度１５％の反応液１を得た。   In a quartz separable flask, 69.06 g of methyltrimethoxysilane, 33.03 g of tetramethoxysilane, and 0.45 g of tetrakis (acetylacetonate) titanium were dissolved in 290 g of propylene glycol monopropyl ether, and then three-motor. The solution temperature was stabilized at 60 ° C. by stirring. Next, 84 g of ion-exchanged water was added to the solution over 1 hour. Then, after making it react at 60 degreeC for 2 hours, 25 g of acetylacetone was added, and it was made to react for 30 minutes, Then, the reaction liquid was cooled to room temperature. A solution containing methanol and water was removed from the reaction solution at 50 ° C. by evaporation to obtain a reaction solution 1 having a solid concentration of 15%.

このようにして得られた反応液１を孔径０．１μｍのテフロン（登録商標）製カートリッジフィルタを用いて濾過して膜形成用組成物１を得た。得られた膜形成用組成物１の重量平均分子量、保存安定性、密着性および比誘電率を表１に示す。   The reaction solution 1 thus obtained was filtered using a Teflon (registered trademark) cartridge filter having a pore diameter of 0.1 μm to obtain a film-forming composition 1. Table 1 shows the weight average molecular weight, storage stability, adhesion, and relative dielectric constant of the obtained film-forming composition 1.

上記実施例１において、プロピレングリコールモノプロピルエーテルの代わりにプロピレングリコールモノエチルエーテルを使用した以外は上記実施例１と同様にして、反応液２を得た。   In the above Example 1, a reaction liquid 2 was obtained in the same manner as in the above Example 1, except that propylene glycol monoethyl ether was used instead of propylene glycol monopropyl ether.

このようにして得られた反応液２にシリコーン系界面活性剤（東レ・ダウコーニング・シリコーン（株）製、ＳＨ３０ＰＡ）を（Ａ）成分１００重量部に対して０．１重量部の割合で添加し、孔径０．１μｍのテフロン（登録商標）製カートリッジフィルタを用いて濾過して膜形成用組成物２を得た。得られた膜形成用組成物２の重量平均分子量、保存安定性、密着性および比誘電率を表１に示す。   A silicone surfactant (SH30PA, manufactured by Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd.) was added to the reaction solution 2 thus obtained at a ratio of 0.1 part by weight to 100 parts by weight of the component (A). And it filtered using the Teflon (trademark) cartridge filter with a hole diameter of 0.1 micrometer, and obtained the composition 2 for film formation. Table 1 shows the weight average molecular weight, storage stability, adhesion, and relative dielectric constant of the obtained film-forming composition 2.

上記実施例１において、テトラキス（アセチルアセトナート）チタンの代わりにトリス（エチルアセトアセテート）アルミニウムを使用した以外は上記実施例１と同様にして、反応液３を得た。   A reaction solution 3 was obtained in the same manner as in Example 1 except that tris (ethylacetoacetate) aluminum was used instead of tetrakis (acetylacetonate) titanium in Example 1 above.

このようにして得られた反応液３にフッ素系界面活性剤（大日本インキ化学工業（株）製、メガファックＦ１７２）を（Ａ）成分１００重量部に対して０．１重量部の割合で添加し、孔径０．１μｍのテフロン（登録商標）製カートリッジフィルタを用いて濾過して膜形成用組成物３を得た。得られた膜形成用組成物３の重量平均分子量、保存安定性、密着性および比誘電率を表１に示す。   The reaction liquid 3 thus obtained was mixed with a fluorosurfactant (manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc., MegaFuck F172) at a ratio of 0.1 part by weight per 100 parts by weight of component (A). Then, the mixture was filtered using a Teflon (registered trademark) cartridge filter having a pore diameter of 0.1 μm to obtain a film-forming composition 3. Table 1 shows the weight average molecular weight, storage stability, adhesion, and relative dielectric constant of the obtained film-forming composition 3.

［比較例１］
上記実施例１において、アセチルアセトンを添加しなかったこと以外は上記実施例１と同様にして、反応液４を得た。 [Comparative Example 1]
A reaction liquid 4 was obtained in the same manner as in Example 1 except that acetylacetone was not added.

このようにして得られた反応液４を孔径０．１μｍのテフロン（登録商標）製カートリッジフィルタを用いて濾過して膜形成用組成物４を得た。得られた膜形成用組成物４の重量平均分子量、保存安定性、密着性および比誘電率を表１に示す。   The reaction solution 4 thus obtained was filtered using a Teflon (registered trademark) cartridge filter having a pore diameter of 0.1 μm to obtain a film-forming composition 4. Table 1 shows the weight average molecular weight, storage stability, adhesion, and relative dielectric constant of the film-forming composition 4 obtained.

［比較例２］
上記実施例１において、イオン交換水を添加した後の反応時間を３０分間とした以外は上記実施例１と同様にして、反応液５を得た。 [Comparative Example 2]
In Example 1, the reaction solution 5 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the reaction time after adding ion-exchanged water was 30 minutes.

このようにして得られた反応液５を孔径０．１μｍのテフロン（登録商標）製カートリッジフィルタを用いて濾過して膜形成用組成物５を得た。得られた膜形成用組成物５の重量平均分子量、保存安定性、密着性および比誘電率を表１に示す。   The reaction solution 5 thus obtained was filtered using a Teflon (registered trademark) cartridge filter having a pore diameter of 0.1 μm to obtain a film-forming composition 5. Table 1 shows the weight average molecular weight, storage stability, adhesion and relative dielectric constant of the film-forming composition 5 obtained.

［比較例３］
上記実施例１において、イオン交換水を添加した後の反応時間を８時間とした以外は上記実施例１と同様にして、反応液６を得た。 [Comparative Example 3]
In Example 1 above, a reaction solution 6 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the reaction time after adding ion-exchanged water was 8 hours.

このようにして得られた反応液６を０．１μｍ孔径のテフロン（登録商標）製カートリッジフィルターを用いて濾過して膜形成用組成物６を得た。得られた膜形成用組成物６の重量平均分子量、保存安定性、密着性および比誘電率を表１に示す。   The reaction solution 6 thus obtained was filtered using a Teflon (registered trademark) cartridge filter having a pore size of 0.1 μm to obtain a film-forming composition 6. Table 1 shows the weight average molecular weight, storage stability, adhesion, and relative dielectric constant of the obtained film-forming composition 6.

表１に示したように、実施例１〜３によれば、得られた膜形成用組成物の重量平均分子量が８００〜１００００であることにより、保存安定性および密着性に優れた組成物を得ることができることが確認された。これに対して、比較例１より、（Ｃ）β−ジケトンが添加されていないと、保存安定性および密着性が低下することが確認された。また、比較例２より、得られた膜形成用組成物の重量平均分子量が８００未満である場合、保存安定性が低下することが確認された。さらに、比較例３より、得られた膜形成用組成物の重量平均分子量が１０，０００を超える場合、密着性が低下することが確認された。   As shown in Table 1, according to Examples 1 to 3, the resulting film-forming composition has a weight average molecular weight of 800 to 10,000, so that a composition excellent in storage stability and adhesion can be obtained. It was confirmed that it can be obtained. On the other hand, from Comparative Example 1, it was confirmed that storage stability and adhesiveness deteriorated when (C) β-diketone was not added. Further, from Comparative Example 2, it was confirmed that when the weight average molecular weight of the obtained film-forming composition was less than 800, the storage stability was lowered. Furthermore, from Comparative Example 3, it was confirmed that when the weight average molecular weight of the obtained film-forming composition exceeds 10,000, the adhesion is lowered.

Claims (7)

（Ａ）下記一般式（１）で表される化合物（Ａ−１）および下記一般式（２) で表される化合物（Ａ−２）より選ばれる少なくとも１種のシラン化合物と下記一般式（３）で表される金属キレート化合物（Ａ−３）とを水の存在下で反応させて得られ、かつ重量平均分子量が８００〜１００００である加水分解縮合物、
Ｒ^１ _ａＳｉ（ＯＲ^２）_４−ａ ・・・・・（１）
〔式中、Ｒ^１は水素原子、フッ素原子または１価の有機基を示し、Ｒ^２は１価の有機基を示し、ａは０〜２の整数を表す。〕
Ｒ^３ _ｂ（Ｒ^４Ｏ）_３−ｂＳｉ−（Ｒ^７）_ｄ−Ｓｉ（ＯＲ^５）_３−ｃＲ^６ _ｃ ・・・・・（２)
〔式中、Ｒ^３，Ｒ^４，Ｒ^５およびＲ^６は、同一でも異なっていてもよく、それぞれ１価の有機基を示し、ｂおよびｃは、同一でも異なっていてもよく、０〜２の数を示し、Ｒ^７は酸素原子または−（ＣＨ_２）_ｎ−で表される基を示し、ｎは１〜６を示し、ｄは０または１を示す。〕
Ｒ^８ _ｅＭ（ＯＲ^９）_ｆ−ｅ ・・・・・（３）
〔式中、Ｒ^８はキレート剤、Ｍは金属原子、Ｒ^９は炭素数２〜５のアルキル基または炭素数６〜２０のアリール基を示し、ｆは金属Ｍの原子価、ｅは１〜ｆの整数を表す。〕
（Ｂ）アルコール、および
（Ｃ）β−ジケトンを含む、膜形成用組成物。 (A) At least one silane compound selected from the compound (A-1) represented by the following general formula (1) and the compound (A-2) represented by the following general formula (2): A hydrolytic condensate obtained by reacting the metal chelate compound (A-3) represented by 3) in the presence of water and having a weight average molecular weight of 800 to 10,000,
R ¹ _a Si (OR ² ) _4-a (1)
[Wherein, R ¹ represents a hydrogen atom, a fluorine atom or a monovalent organic group, R ² represents a monovalent organic group, and a represents an integer of 0 to 2. ]
_{^{R 3 b (R 4 O)}} 3-b Si- (R 7) d -Si (OR 5) 3-c R 6 c ····· (2)
[Wherein R ³ , R ⁴ , R ⁵ and R ⁶ may be the same or different and each represents a monovalent organic group; b and c may be the same or different; R ⁷ represents an oxygen atom or a group represented by — (CH ₂ ) _n —, n represents 1 to 6, and d represents 0 or 1. ]
R ⁸ _e M (OR ⁹ ) _fe (3)
[Wherein R ⁸ represents a chelating agent, M represents a metal atom, R ⁹ represents an alkyl group having 2 to 5 carbon atoms or an aryl group having 6 to 20 carbon atoms, f represents a valence of metal M, and e represents 1 to 1 represents an integer of f. ]
A film-forming composition comprising (B) an alcohol, and (C) a β-diketone. 請求項１において、
さらに、フッ素系界面活性剤およびシリコーン系界面活性剤の少なくとも一方を含む、膜形成用組成物。 In claim 1,
Furthermore, the composition for film formation containing at least one of a fluorine-type surfactant and a silicone type surfactant. 請求項１または２において、
前記（Ａ）加水分解縮合物を０．５〜３０重量％含む、膜形成用組成物。 In claim 1 or 2,
A film forming composition comprising 0.5 to 30% by weight of the (A) hydrolysis condensate. 請求項１ないし３のいずれかにおいて、
前記金属キレート化合物（Ａ−３）中の金属ＭがIIIＢ族金属およびIＶＡ族金属より選ばれる少なくとも１種の金属である、膜形成用組成物。 In any of claims 1 to 3,
The film forming composition, wherein the metal M in the metal chelate compound (A-3) is at least one metal selected from Group IIIB metals and Group IVA metals. 請求項１ないし４のいずれかにおいて、
前記（Ｂ）アルコールがプロピレングリコールモノアルキルエーテルを少なくとも１種含む、膜形成用組成物。 In any of claims 1 to 4,
(B) The film forming composition in which the alcohol contains at least one propylene glycol monoalkyl ether. 請求項１ないし５のいずれかにおいて、
前記（Ｃ）β−ジケトンが、アセチルアセトン、２，４−ヘキサンジオン、２，４−ヘプタンジオン、および３，５−ヘプタンジオンから選ばれる少なくとも１種である、膜形成用組成物。 In any of claims 1 to 5,
The film-forming composition, wherein (C) β-diketone is at least one selected from acetylacetone, 2,4-hexanedione, 2,4-heptanedione, and 3,5-heptanedione. 請求項１ないし６のいずれかに記載の膜形成用組成物を塗布後、焼成して得られる、絶縁膜。   The insulating film obtained by baking after apply | coating the composition for film formation in any one of Claim 1 thru | or 6.