JP2005086198A - フラッシュメモリ素子の製造方法 - Google Patents
フラッシュメモリ素子の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2005086198A JP2005086198A JP2004189668A JP2004189668A JP2005086198A JP 2005086198 A JP2005086198 A JP 2005086198A JP 2004189668 A JP2004189668 A JP 2004189668A JP 2004189668 A JP2004189668 A JP 2004189668A JP 2005086198 A JP2005086198 A JP 2005086198A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- gate electrode
- flash memory
- memory device
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
- H10B41/30—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by the memory core region
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B69/00—Erasable-and-programmable ROM [EPROM] devices not provided for in groups H10B41/00 - H10B63/00, e.g. ultraviolet erasable-and-programmable ROM [UVEPROM] devices
Landscapes
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
【解決手段】 本製法は、半導体基板10にゲート酸化膜12、フローティングゲート電極用第1ポリシリコン膜14及びパッド窒化膜を順次的に形成するステップと、素子分離膜パターン及びフローティングゲート電極パターンを同時に形成するステップと、前記素子分離膜パターンに絶縁膜を埋め込んで素子分離膜16を形成した後、前記パッド窒化膜を除去するステップと、コントロールゲート電極パターンを形成した後、電気化学的な方法を行って、前記素子分離膜の上部に形成された第2ポリシリコン膜及び前記フローティングゲート電極パターンが形成された領域を除外した領域に形成された第1ポリシリコン膜を多孔性シリコン膜に形成するステップと、熱酸化工程を行って、前記多孔性シリコン膜が第1酸化膜28に形成されるようにするステップと、前記結果物の全面に第2酸化膜30を形成するステップからなる。
【選択図】図7
Description
12 …ゲート酸化膜
14 …フローティングゲート電極用第1ポリシリコン膜
16 …素子分離膜
18 …ONO誘電体膜
20 …コントロールゲート電極用第2ポリシリコン膜
22 …タングステンシリサイド膜
24 …窒化膜
26 …多孔性シリコン膜
28 …第1酸化膜
30 …第2酸化膜
Claims (7)
- 半導体基板にゲート酸化膜、フローティングゲート電極用第1ポリシリコン膜及びパッド窒化膜を順次的に形成するステップと、
前記結果物のゲート酸化膜、第1ポリシリコン膜、パッド窒化膜及び半導体基板の所定厚さをパターンニングすることによって、素子分離膜パターン及びフローティングゲート電極パターンを同時に形成するステップと、
前記素子分離膜パターンに絶縁膜を埋め込んで素子分離膜を形成した後、前記パッド窒化膜を除去するステップと、
前記結果物に誘電体膜、コントロールゲート電極用第2ポリシリコン膜及び金属シリサイド膜を順次的に形成するステップと、
前記金属シリサイド膜及び第2ポリシリコン膜をパターンニングしてコントロールゲート電極パターンを形成するステップと、
前記結果物に電気化学的な方法を行って、前記素子分離膜の上部に形成された第2ポリシリコン膜及び前記フローティングゲート電極パターンが形成された領域を除外した領域に形成された第1ポリシリコン膜を多孔性シリコン膜に形成するステップと、
前記結果物に熱酸化工程を行って、前記多孔性シリコン膜が第1酸化膜に形成されるようにするステップと、
前記結果物の全面に第2酸化膜を形成するステップと
を備えることを特徴とするフラッシュメモリ素子の製造方法。 - 前記多孔性シリコン膜が形成される第1ポリシリコン膜は、
前記フローティングゲート電極パターン間に形成された膜であることを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。 - 前記第2酸化膜は、
前記コントロールゲート電極パターン間を絶縁させるための膜であることを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。 - 前記電気化学的な方法は、
前記コントロールゲート電極まで形成された半導体基板を作業セルに装着して行うことを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。 - 前記作業セルは、
前記半導体基板と一定間隔にある基準電極及び相対電極と、
前記半導体基板の上部に紫外線を照射する紫外線光源と、
前記作業セル内に前記基準電極及び相対電極の一定領域が浸漬するように満たされた電解質溶液と
を備えることを特徴とする請求項4に記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。 - 前記熱酸化工程は、
700〜900℃程度の温度、H2及びO2のガス雰囲気を有した湿式酸化工程により行うことを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。 - 前記第1ポリシリコン膜は、
1350Å程度の厚さに形成することを特徴とする請求項1に記載のフラッシュメモリ素子の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2003-0062073A KR100537278B1 (ko) | 2003-09-05 | 2003-09-05 | 플래쉬 메모리소자의 제조방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005086198A true JP2005086198A (ja) | 2005-03-31 |
JP4624014B2 JP4624014B2 (ja) | 2011-02-02 |
Family
ID=33516455
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004189668A Expired - Fee Related JP4624014B2 (ja) | 2003-09-05 | 2004-06-28 | フラッシュメモリ素子の製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6835620B1 (ja) |
JP (1) | JP4624014B2 (ja) |
KR (1) | KR100537278B1 (ja) |
CN (1) | CN1309049C (ja) |
DE (1) | DE102004031516A1 (ja) |
TW (1) | TWI255016B (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012074744A (ja) * | 2012-01-16 | 2012-04-12 | Renesas Electronics Corp | 不揮発性半導体装置および不揮発性半導体装置の製造方法 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006302950A (ja) | 2005-04-15 | 2006-11-02 | Renesas Technology Corp | 不揮発性半導体装置および不揮発性半導体装置の製造方法 |
KR100751687B1 (ko) * | 2005-06-30 | 2007-08-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래쉬 메모리 소자의 제조방법 |
Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5177079A (ja) * | 1974-12-27 | 1976-07-03 | Fujitsu Ltd | Handotaisochinoseizohoho |
JPS5389375A (en) * | 1977-01-17 | 1978-08-05 | Nec Corp | Production of semiconductor device |
JPS5544725A (en) * | 1978-09-27 | 1980-03-29 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Semiconductor device and its manufacture |
JPS61176114A (ja) * | 1985-01-31 | 1986-08-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH05275398A (ja) * | 1992-03-27 | 1993-10-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 多孔質珪素部材の作製方法 |
JPH07235691A (ja) * | 1994-02-24 | 1995-09-05 | Nippon Steel Corp | 発光素子 |
JPH07288337A (ja) * | 1994-04-15 | 1995-10-31 | Nippon Steel Corp | 発光素子 |
JPH088459A (ja) * | 1994-06-08 | 1996-01-12 | Xerox Corp | 半導体発光ダイオードデバイス及び高速高解像度led形成方法 |
JPH08306919A (ja) * | 1995-04-28 | 1996-11-22 | Sony Corp | 電界効果型半導体装置の製造方法 |
JPH11163400A (ja) * | 1997-09-11 | 1999-06-18 | Kdd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JPH11177066A (ja) * | 1997-12-09 | 1999-07-02 | Sony Corp | 半導体不揮発性記憶装置の製造方法 |
JP2000183189A (ja) * | 1998-12-10 | 2000-06-30 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP2000223596A (ja) * | 1999-02-03 | 2000-08-11 | Sony Corp | 半導体不揮発性記憶装置およびその製造方法 |
JP2003060091A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-02-28 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法 |
JP2003515236A (ja) * | 1999-11-17 | 2003-04-22 | ネア・パワー・システムズ・インコーポレイテッド | シリコン基板および/またはゾルゲル法で誘導された担体構造を有する燃料電池 |
JP2004056067A (ja) * | 2002-07-18 | 2004-02-19 | Hynix Semiconductor Inc | フラッシュメモリセルのゲート構造とその形成方法及び誘電体膜形成方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5599727A (en) * | 1994-12-15 | 1997-02-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method for producing a floating gate memory device including implanting ions through an oxidized portion of the silicon film from which the floating gate is formed |
US6635914B2 (en) * | 2000-09-08 | 2003-10-21 | Axon Technologies Corp. | Microelectronic programmable device and methods of forming and programming the same |
CN1140411C (zh) * | 1999-02-10 | 2004-03-03 | 李韫言 | 高传热效率的热汽喷墨打印头及其制造方法 |
US6180454B1 (en) * | 1999-10-29 | 2001-01-30 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method for forming flash memory devices |
US6437417B1 (en) * | 2000-08-16 | 2002-08-20 | Micron Technology, Inc. | Method for making shallow trenches for isolation |
KR100426483B1 (ko) * | 2001-12-22 | 2004-04-14 | 주식회사 하이닉스반도체 | 플래쉬 메모리 셀의 제조 방법 |
-
2003
- 2003-09-05 KR KR10-2003-0062073A patent/KR100537278B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-06-28 JP JP2004189668A patent/JP4624014B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-06-29 DE DE102004031516A patent/DE102004031516A1/de not_active Withdrawn
- 2004-06-30 TW TW093119289A patent/TWI255016B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-30 US US10/881,461 patent/US6835620B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-08-10 CN CNB2004100565681A patent/CN1309049C/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5177079A (ja) * | 1974-12-27 | 1976-07-03 | Fujitsu Ltd | Handotaisochinoseizohoho |
JPS5389375A (en) * | 1977-01-17 | 1978-08-05 | Nec Corp | Production of semiconductor device |
JPS5544725A (en) * | 1978-09-27 | 1980-03-29 | Chiyou Lsi Gijutsu Kenkyu Kumiai | Semiconductor device and its manufacture |
JPS61176114A (ja) * | 1985-01-31 | 1986-08-07 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法 |
JPH05275398A (ja) * | 1992-03-27 | 1993-10-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 多孔質珪素部材の作製方法 |
JPH07235691A (ja) * | 1994-02-24 | 1995-09-05 | Nippon Steel Corp | 発光素子 |
JPH07288337A (ja) * | 1994-04-15 | 1995-10-31 | Nippon Steel Corp | 発光素子 |
JPH088459A (ja) * | 1994-06-08 | 1996-01-12 | Xerox Corp | 半導体発光ダイオードデバイス及び高速高解像度led形成方法 |
JPH08306919A (ja) * | 1995-04-28 | 1996-11-22 | Sony Corp | 電界効果型半導体装置の製造方法 |
JPH11163400A (ja) * | 1997-09-11 | 1999-06-18 | Kdd | 半導体発光素子およびその製造方法 |
JPH11177066A (ja) * | 1997-12-09 | 1999-07-02 | Sony Corp | 半導体不揮発性記憶装置の製造方法 |
JP2000183189A (ja) * | 1998-12-10 | 2000-06-30 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置及びその製造方法 |
JP2000223596A (ja) * | 1999-02-03 | 2000-08-11 | Sony Corp | 半導体不揮発性記憶装置およびその製造方法 |
JP2003515236A (ja) * | 1999-11-17 | 2003-04-22 | ネア・パワー・システムズ・インコーポレイテッド | シリコン基板および/またはゾルゲル法で誘導された担体構造を有する燃料電池 |
JP2003060091A (ja) * | 2001-08-10 | 2003-02-28 | Toshiba Corp | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法 |
JP2004056067A (ja) * | 2002-07-18 | 2004-02-19 | Hynix Semiconductor Inc | フラッシュメモリセルのゲート構造とその形成方法及び誘電体膜形成方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2012074744A (ja) * | 2012-01-16 | 2012-04-12 | Renesas Electronics Corp | 不揮発性半導体装置および不揮発性半導体装置の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TWI255016B (en) | 2006-05-11 |
TW200516724A (en) | 2005-05-16 |
KR20050024852A (ko) | 2005-03-11 |
DE102004031516A1 (de) | 2005-03-31 |
CN1309049C (zh) | 2007-04-04 |
JP4624014B2 (ja) | 2011-02-02 |
KR100537278B1 (ko) | 2005-12-19 |
CN1591831A (zh) | 2005-03-09 |
US6835620B1 (en) | 2004-12-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7763928B2 (en) | Multi-time programmable memory | |
KR101159954B1 (ko) | 반도체 소자의 형성 방법 | |
KR100953034B1 (ko) | 반도체 소자 및 이의 제조 방법 | |
JP4567530B2 (ja) | フラッシュメモリ素子のフローティングゲート電極形成方法 | |
TW200527607A (en) | Method of fabricating a flash memory | |
JP4624014B2 (ja) | フラッシュメモリ素子の製造方法 | |
US7015148B1 (en) | Reduce line end pull back by exposing and etching space after mask one trim and etch | |
JP2004214681A (ja) | 不揮発性メモリ素子の製造方法 | |
JP2007150236A (ja) | フラッシュメモリ素子の製造方法 | |
KR100661236B1 (ko) | 플래시메모리소자의 플로팅게이트 형성방법 | |
JP4670243B2 (ja) | Eepromの製法 | |
JP2002118253A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
KR100624924B1 (ko) | 플래쉬 메모리소자의 플로팅 게이트 전극 형성방법 | |
KR100618692B1 (ko) | 게이트산화막 제조방법 | |
KR100671609B1 (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
JP2006032541A (ja) | 半導体装置 | |
KR100525106B1 (ko) | 반도체 장치의 스토로지 노드 패턴 형성 방법 | |
KR101204662B1 (ko) | 반도체 소자의 트랜지스터 형성방법 | |
JP2010087157A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH10256497A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
KR20050120574A (ko) | 반도체 장치의 게이트 패턴 형성 방법 | |
US20080220605A1 (en) | Method of manufacturing flash memory device | |
KR20040075372A (ko) | 반도체 소자의 제조방법 | |
CN108155242A (zh) | 薄膜晶体管及其制造方法 | |
KR20060058577A (ko) | 반도체 소자의 콘택 플러그 형성방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060210 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090514 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090526 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090819 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20091006 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20091224 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100706 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100927 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20101019 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20101102 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131112 Year of fee payment: 3 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |