JP2005079550A - 半導体発光素子用複合基板及びその製造方法、並びに半導体発光素子の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 平面状の金属層5の上にレジスト23を形成して電気めっきを施すので、形状精度や質に優れるバンプ6、7を発光素子側ウェハ24に大量、かつ容易に形成することができる。また、このバンプ6、7を介して発光素子側ウェハ24と接合されるサブマウント部材側ウェハ26がスルーホール19、20を介して外部回路実装用の電極17、18と電気的に接続されることにより、ワイヤ等の接続部材を必要としないサブマウント部材搭載型のフリップチップ型半導体発光素子を容易に、かつ多量に製造することができる。
【選択図】 図6
Description
(1)平面状の金属層5の上にレジスト23を形成して電気めっきを施すので、形状精度や質に優れるバンプ6、7を発光素子側ウェハ24に大量、かつ容易に形成することができる。また、このバンプ6、7を介して発光素子側ウェハ24と接合されるサブマウント部材側ウェハ26がスルーホール19、20を介して外部回路実装用の電極17、18と電気的に接続されることにより、ワイヤ等の接続部材を必要としないサブマウント部材搭載型のフリップチップ型半導体発光素子を容易に、かつ多量に製造することができる。
(2)また、電気めっきによってバンプ6、7を形成することにより、バンプ6、7の厚さを通電時間によって制御でき、所望の厚さのバンプ6、7が容易に得られる。
(3)発光素子単位が複数個、行列状に形成された発光素子側ウェハと、発光素子側ウェハの複数の発光素子に対応する複数のサブマウント部材が配置されてなるサブマウント部材側ウェハを重ね合わせ接合してから分離するので、発光素子側ウェハとサブマウント部材側ウェハとを一度位置決めするだけで精度良く接合でき、製造工程を簡潔化できる。このため、複数の半導体発光素子を一挙に製造することが可能となる。
(4)発光素子側ウェハの電極形成時に用いるフォトリソグラフィーのためのマスクと、サブマウント部材側ウェハの電極形成時に用いるフォトリソグラフィー用のマスクとを共用することが可能になるので、効率の良い半導体発光素子の製造を可能にするとともに製造コストを低減することができる。
2:発光ダイオード
3:n側電極
4:p側電極
5:金属層
6、7:バンプ
10:サブマウント部材
11:AlN基板
12:Ti/Ni/Auメッキ
13:Auメッキ
14、15:電極
16:SiO2膜
17、18:電極
19、20:スルーホール
21:発光素子単位
22:絶縁膜
23:レジスト
24:発光素子側ウェハ
25:サブマウント部材単位
26:サブマウント部材側ウェハ
27:半導体発光素子形成用複合基板
Claims (9)
- 光透過性基板にGaN系化合物半導体を成長させたウェハのほぼ全面に亘り、p側電極及びn側電極を備えると共に、前記p側電極と電気的に導通したバンプ及び前記n側電極と電気的に導通したバンプを備えた複数の発光素子が配置されてなる発光素子側ウェハと、
前記発光素子側ウェハの前記複数の発光素子に対応する複数のサブマウント部材が配置されてなるサブマウント部材側ウェハとが前記バンプを介して接合され、前記p側電極及びn側電極がスルーホールを介して前記サブマウント部材側ウェハの実装用電極に接続されてなることを特徴とする半導体発光素子形成用複合基板。 - 前記光透過性基板は、サファイア基板である請求項1記載の半導体発光素子形成用複合基板。
- 前記サブマウント部材側ウェハは、窒化アルミニウム基板に前記バンプが接合される電極が形成されたものである請求項1記載の半導体発光素子形成用複合基板。
- 光透過性基板にGaN系化合物半導体を成長させたウェハを形成する工程と、
前記ウェハにp側電極及びn側電極を備えると共に、前記p側電極と電気的に導通したバンプ及び前記n側電極と電気的に導通したバンプを備えた複数の発光素子を前記ウェハのほぼ全面に亘り配置して発光素子側ウェハを得る工程と、
前記ウェハの前記複数の発光素子に対応する複数のサブマウント部材を配置してサブマウント部材側ウェハを得る工程と、
前記発光素子側ウェハと前記サブマウント部材側ウェハを接合して前記サブマウント部材側ウェハの実装用電極と前記発光素子側ウェハの前記p側電極及びn側電極とをスルーホールを介して導通させる工程とを含むことを特徴とする半導体発光素子形成用複合基板の製造方法。 - 前記光透過性基板は、サファイア基板である請求項4記載の半導体発光素子形成用複合基板の製造方法。
- 前記サブマウント部材側ウェハは、窒化アルミニウム基板に前記バンプが接合される電極が形成されたものである請求項4記載の半導体発光素子形成用複合基板の製造方法。
- 光透過性基板にGaN系化合物半導体を成長させたウェハを形成する工程と、
前記ウェハにp側電極及びn側電極を備えると共に、前記p側電極と電気的に導通したバンプ及び前記n側電極と電気的に導通したバンプを備えた複数の発光素子を前記ウェハのほぼ全面に亘り行列状に形成して発光素子側ウェハを得る工程と、
前記ウェハの前記複数の発光素子に対応する複数のサブマウント部材を配置してサブマウント部材側ウェハを得る工程と、
前記発光素子側ウェハと前記サブマウント部材側ウェハとを接合して前記サブマウント部材側ウェハの実装用電極と前記発光素子側ウェハの前記p側電極及びn側電極とをスルーホールを介して導通させた複合基板を形成する工程と、
前記複合基板を前記発光素子単位に分離する工程とを含むことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 前記光透過性基板は、サファイア基板である請求項7記載の半導体発光素子の製造方法。
- 前記サブマウント部材側ウェハは、窒化アルミニウム基板に前記バンプが接合される電極が形成されたものである請求項7記載の半導体発光素子の製造方法。
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