JP2005072618A - 半導体装置の作製方法、表示装置の作製方法、及びリアプロジェクション型液晶表示装置の作製方法 - Google Patents

Abstract

【課題】 ＲＧＢを合成する形式の液晶表示装置において、各色の輝度やコントラストをそろえた構成を提供する。
【解決手段】 下地酸化膜上に第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜を形成し、前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜上にゲート絶縁膜を形成し、前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜上に、それぞれ前記ゲート絶縁膜を介して第１乃至第３のゲート電極を形成し、前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜に燐を注入し、前記第２の島状の結晶性シリコン膜と、前記第３のゲート電極が上部に形成されている部分及び低濃度不純物領域を形成する部分以外の前記第３の島状の結晶性シリコン膜に燐を注入し、前記第１の島状の結晶性シリコン膜に硼素を注入する。
【選択図】 図３

Description

本明細書で開示する発明は、カラー表示を行うことができるアクティブマトリクス型の液晶表示装置に関する。

液晶表示装置は、ＣＲＴと比較して軽量かつコンパクトな表示装置としてコンピュータ、電卓、時計など幅広い分野で使用されている。液晶表示装置は、液晶材料の外場（電場、熱等）の印加に対する液晶分子の配向状態の変化や相転移により、液晶材料の光学的性質（干渉、散乱、回折、旋光、吸収等）が変化することを動作原理としている。

一般的な液晶表示装置の構成、駆動方法は、少なくとも一方が透光性を有し、間隔が１乃至数１０μｍに保たれた２枚の基板の間に液晶材料を挟み（以下これを液晶パネルと言う）、前記２枚の基板の両方又はいずれか一方に形成された電極により液晶材料に電界を印加して液晶分子の配向状態を基板面内の画素毎に制御し、液晶パネルを透過する光量を制御する事で画像表示を行うものである。この時、上記のいずれの光学的性質を利用するかによって、例えば液晶パネルの外側に偏光板を設ける等、動作モードに応じた構成とする。

現在液晶表示装置で広く用いられているのは、ＴＮ（ツイステッド・ネマチック）型またはＳＴＮ（スーパー・ツイステッド・ネマチック）型というもので、これらはそれぞれ液晶材料の旋光性、複屈折光の干渉といった光学的性質を利用しており、いずれも偏光板を設ける必要がある。

また、上記液晶表示装置で画像を表示させる場合、数多くの画素を同時に動作制御するために、種々の方法が提案されている。この中でアクティブマトリクス駆動が高画質、高密度の表示が可能な方法として、広く用いられている。これは各画素に非線型能動素子（ダイオード、トランジスタ等）を配置し、各画素を電気的に独立した関係になるようにし、余分な信号の干渉を排除し高画質を実現することを目的とするものである。この方法によれば各画素は電気的スイッチが接続されたコンデンサとして見ることができる。従って必要に応じてスイッチをＯＮ／ＯＦＦさせることで画素に電荷を注入／流出させることができる。さらにスイッチをＯＦＦにすれば画素に電荷が保持されるためメモリー性を付与することが可能となる。

また、このような液晶表示装置においてカラー表示を行う場合、混色の原理を用いた方法が現在最も広く用いられている。混色には一般に減法混色と加法混色がありそれぞれシアン、マゼンダ、黄色及び赤、青、緑の三原色を用いればフルカラー表示が可能になる。カラーＬＣＤにおいては印加電圧によって三原色の色の強度を変化させて表示カラーを制御することになる。

液晶表示装置の場合、色分離の方法として、液晶表示装置内にＲＧＢのマイクロカラーフィルターを設けたり、ＲＧＢ三種のパネルを用意して、色分離を行い、表現したい画像に応じて液晶パネルにより光変調し、再び色合成を行うなどの方法で行う。この点に関しては液晶パネルの使用方法に依存するところが大きく、直視型の液晶表示装置の場合、マイクロカラーフィルターを用いる場合が多く、投射型ではＲＧＢ三種のパネルを用意して色表示を行う場合が多い。

投射型の液晶ライトバルブで広く用いられている方式としては、ダイクロイックプリズム式液晶プロジェクタがある。これは光源の白色光をＲＧＢ成分に分離する光学系をダイクロイックミラーで形成し、それぞれＲＧＢ単色の液晶表示画像をダイクロイックプリズムで合成して投射レンズでスクリーンに拡大投影するものである。この方式は色合成光学系がプリズム１個で構成されるのでコンパクト、調整が容易で投射レンズのバックフォーカスが短くできて有利である。

また、ダイクロイックミラー方式は色分離、色合成の両方をダイクロイックミラーで構成し、同様にＲＧＢ単色の液晶表示画像を投射レンズでスクリーンに拡大投影するものである。ダイクロイックミラーは生産性コスト等の点で量産化に向いている。一方で全体寸法が大きくなる、投射レンズのバックフォーカスが長くなる等の欠点がある。しかし、現在実用化されているものはこの形式が多い。

また、近年ではダイクロイックミラー方式で単板式の投射型ディスプレイが提案されている。この方式は１枚の液晶パネルとＲＧＢ３枚のダイクロイックミラーを組み合わせたものであり、小型で低価格の液晶ディスプレイとなっている。

（従来技術の問題点）
上記いずれの液晶表示装置も、微妙な色表示を行うためには各三原色の輝度の制御を正確に行う必要がある。一方で装置の低価格化のためには駆動系が簡略なものでなければならない。しかしながら従来の液晶表示装置では赤、緑、青表示を行うと各色で透過率やコントラストが異なる現象が生じており、この補正のために駆動回路が複雑になり、高価格化、装置の大型化を引き起こしていた。

本発明は上記の点に鑑み、投影型の液晶表示装置において、いかなる色を表示しても均一な透過率及びコントラストの表示を複雑な駆動方法に依らず容易に行い、もって高画質の表示が可能な液晶表示装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明は
透光性を有する第一の絶縁基板と、
該基板に対向する第二の絶縁基板と、
前記第一の基板と第二の基板間に挟持された液晶材料
を少なくとも有する液晶表示装置において、
赤、緑、青に対応する画素の基板間隔が異なること
を特徴とする。

上記の構成は、所定の波長領域を透過させるのに最適な液晶層の厚さがあることに着目し、ＲＧＢの各液晶パネルの間隔を異なるものとし、最終的に投影される各色の画像の輝度やコントラストをそろえることを特徴とする。

またこのことを利用し、光源の色バランスの補正や、ダイクロイックミラーを用いる場合のバランスの補正を行うこともできる。

またＲＧＢの画像を形成する構成として、同一の基板を用いてＲＧＢの液晶パネルを集積化した構成を利用することは有用である。

この構成は、水平操作制御回路や垂直操作制御回路を各液晶パネルにおいて共通化することができるので、全体の構成を簡略化することができ、また装置自体を小型化することができるという有用性がある。

このような構成においては、各液晶パネル部に対応する領域に形成される絶縁膜の厚さを調整し、各液晶パネル部の液晶層の厚さを適時設定する構成とすればよい。

本明細書に開示する発明を利用した構成の一例を図１に示す。図１に示すのは、３枚の液晶パネルを用いて、３つの独立した光学系から個別に投影面にＲＧＢの像を投影し、そこでカラー像を合成する機能を有した投影装置である。

図１に示す構成において、（１０１、１０２、１０３）はそれぞれＲ（赤）、Ｂ（青）、Ｇ（緑）用の液晶パネル、（１０４、１０５、１０６）は補正レンズ、（１０７、１０８、１０９）はフレネルレンズ、（１１０〜１１５）は集光のためのレンズ、（１１６、１１７）Ｒ、Ｂ用のダイクロイックミラー、（１１８）は反射板（全反射）、（１１９）はコールドミラー、（１２０）はメタルハライドランプ、（１２１）はＵＶ・ＩＲカットミラーである。

図５〜図７に図１に示す構成を他の確度から見た様子を示す。

また、図２には上記液晶パネルの断面図を示した。（２０１、２０２）は基板、（２０３、２０４）は電極、（２０５）は配向膜、（２０６）はスペーサー、（２０７）はシール剤、（２０８）は液晶材料である。

上記第一、第二の基板には、透光性を有し、かつ外力に対しある程度の強度を有する材料、例えばガラス、石英などの無機材料などが用いられる。基板上にＴＦＴを形成する場合、無アルカリガラスや石英基板を用いる。また液晶パネルの軽量化を目的とする場合、複屈折性の少ないフィルム、例えばＰＥＳ（ポリエチレンサルフェート）などを用いることもできる。

また、液晶材料の駆動方法としてはマルチプレックス方式でもアクティブマトリクス方式でもよい。マルチプレックス方式では第一の基板上に形成するのは表示用電極、基準電極の２種だけでよいが、アクティブマトリクス方式の場合、このほかにスイッチング素子として非線型素子、例えば薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）やダイオードを各画素毎に形成する。ＴＦＴとしては活性層にアモルファスシリコンまたはポリ（多結晶）シリコンを用いたトランジスタを用いることができる。

またさらに進んだ構成として、周辺駆動回路を薄膜トランジスタで構成し、基板上に集積化してしまう構成がある。この構成は、基板上に画素領域と周辺回路領域とを集積化した一体構造として得られるので、液晶パネルをより利用しやすいものとすることができる。

また、表示特性の向上のため表示に関係ない部分にブラックマトリクスを形成する。前記ブラックマトリクスとして、Ｃｒ等の金属や、液晶表示装置の内部での乱反射によるコントラスト低下を防止する為、透明な物質中に黒色の物質が分散しているものを用いることができる。特に、透明な物質としてはガラス、石英などの無機材料や、樹脂などの有機材料を使用することができるが、作製の容易さの点で樹脂材料を用いるのがよい。樹脂材料はアクリル系材料などを用いることができる。また、黒色性の物質としてはカーボンブラック、または顔料などを用いることができる。

また、使用する液晶材料は、ネマチック、コレステリック、スメクチック性を示す材料を用いることができる。

このようにして配向処理を施された基板は、配向処理面もしくはＴＦＴ、透明電極などが形成された面を向かい合わせるようにして配置され、前記対向する基板間に液晶材料が挟まれる。前記一対の基板には、基板間隔が一定になるようにスペーサーなどが散布される。使用するスペーサーは１〜１０μｍの直径を有する。前記一対の基板はエポキシ系の接着剤などで固定される。接着剤のパターンは画素領域および周辺駆動回路領域が内側になるように基板の外周に形成される。

（作用）
液晶表示装置の透過光強度Ｔは次式のように表せる。

ここで、ｕは、

であり、θはツイスト角（≠π／２）である。Δｎは液晶材料の屈折率異方性、ｄはセル厚、λは光の波長である。数１が０になるときの条件として、ｕ＝４ｍ−１（ｍは整数）である必要がある。またＴは波長及びセル厚に依存することが分かる。従って、各三原色ようにセル厚が一定なパネルを作製した場合、すべての三原色で暗状態が同時には得られない。すべての三原色で同時に暗状態を得るためには各色に応じて異なったセル厚にしなければならない。

本発明では視野角を低減させないためｕ＝√３又は√１５となるようにセル厚と、液晶材料のΔｎを調節した。

数１は下記の数３

と変形できる。飽和電圧が印加されると、Ｔ（ｄ）＝１となる。従って数１、数３はコントラストの逆数となる。

本発明に依れば、可視光領域でコントラスト５０以上が得られる。

以上詳述したように、プロジェクション型液晶表示装置において、ＲＧＢ各色でセル厚の異なる液晶パネルを用いた構成としたことで、いかなる色を表示しても均一な透過率及びコントラストの表示を複雑な駆動方法に依らず容易に行い、もって高画質の表示が可能となった。

以下に本実施例における投影型の液晶表示装置およびその作製方法を示す。液晶パネルは三原色に応じて１枚ずつ計３枚作製した。図１に本実施例の液晶表示装置を示した。

また、図２には液晶パネルを示した。まず、第一及び第二の絶縁基板としてガラス基板（２０１、２０２）の上に、透明電極を形成した。次にそれぞれの基板上に配向膜を形成した。配向膜は低温焼成型ポリイミドのAL3046（日産化学製）を公知のスピンコート法などにより８００Å塗布し、その後１６０℃で焼成した。次に液晶材料の配向処理のため、それぞれの基板について公知のラビング処理を行った。

次にラビングした基板上にスペーサーを乾式又は湿式で散布した。スペーサーは、ＳｉＯ₂ （酸化珪素）又はプラスチック等の樹脂製の球状のものを使用した。また、三原色に応じてセル厚を変えるため、赤用のパネルには５．４μｍ、緑用のパネルにはには４．６μｍ、青用のパネルには３．８μｍのスペーサーを使用した。

次に、これら基板を用いて液晶セルを作製した。まず各色のパネルの第一もしくは第二の基板にシール剤を印刷した。シール剤としては熱硬化型のエポキシ樹脂が含まれた接着剤を使用した。その後、対向する基板をラビングの向きが一対の基板で直交するように重ね合わせ、さらに熱プレスなどで一対の基板をプレスしながらシール剤を硬化させ、液晶セルとした。

次に液晶材料を液晶セルに真空注入法などにより注入した。本実施例で使用した液晶材料はメルク社製ネマチック液晶ＺＬＩ−４７９２で（商品名）であった。本液晶材料のしきい値は２Ｖであった。

本実施例における光学系はダイクロイックミラー型を使用した。図１に示す液晶パネルの位置に上記ＲＧＢのパネルを設置した。この投影型液晶表示装置によりコントラスト５０以上の高精細画像を表示することが可能になった。

以下に本実施例におけるアクティブマトリクス回路を用いた液晶表示装置の基板の作製方法の説明を行う。本実施例の液晶表示装置は単板式のリアプロジェクションとした。また、本実施例の液晶表示装置の液晶パネルは周辺駆動回路をも基板内に形成した、モノリシック型アクティブマトリクス回路とした。この制作工程について、図３を用いて説明する。この工程は低温ポリシリコンプロセスのものである。

図３の左側に駆動回路のTFT の作製工程を、右側にアクティブマトリクス回路のTFT の作製工程をそれぞれ示す。

まず、第一の絶縁基板としてガラス基板（301)の上に、下地酸化膜（302)として厚さ1000〜3000Åの酸化珪素膜を形成した。この酸化珪素膜の形成方法としては、酸素雰囲気中でのスパッタ法やプラズマCVD 法を用いればよい。

その後、プラズマCVD 法やLPCVD 法によってアモルファスのシリコン膜を300 〜1500Å、好ましくは500 〜1000Åに形成した。そして、500 ℃以上、好ましくは、500 〜600 ℃の温度で熱アニールを行い、シリコン膜を結晶化させた、もしくは、結晶性を高めた。熱アニールによって結晶化ののち、光（レーザーなど）アニールをおこなって、さらに結晶化を高めてもよい。また、熱アニールによる結晶化の際に特開平6-244103、同6-244104に記述されているように、ニッケル等のシリコンの結晶化を促進させる元素（触媒元素）を添加してもよい。

次にシリコン膜をエッチングして、島上の駆動回路のTFT の活性層（303 ）（p チャネル型TFT 用）、（304 ）（N チャネル型TFT 用）とマトリクス回路のTFT （画素TFT)の活性層（305 ）を形成した。さらに、酸素雰囲気中でのスパッタ法によって厚さ500 〜2000Åの酸化珪素のゲート絶縁膜（306 ）を形成した。ゲート絶縁膜の形成方法としては、プラズマCVD 法を用いてもよい。プラズマCVD 法によって酸化珪素膜を形成する場合には、原料ガスとして、一酸化二窒素（Ｎ₂ Ｏ）もしくは酸素（Ｏ₂ ）とモノシラン（SiH₄) を用いることが好ましかった。

その後、厚さ2000〜6000Åのアルミニウムをスパッタ法によって基板全面に形成した。ここでアルミニウムはその後の熱プロセスによってヒロックが発生するのを防止するため、シリコンまたはスカンジウム、パラジウムなどを含有するものを用いてもよい。そしてこれをエッチングしてゲート電極（307 、308 、309 ）を形成する（図３（A ））。

その後、イオンドーピング法によって、全ての島状活性層に、ゲート電極をマスクとして自己整合的に、フォスフィン（ＰＨ₃ ）をドーピングガスとして、燐が注入される。ドーズ量は1 ×10¹²〜5 ×10¹³原子／ｃｍ² する。
この結果、弱いＮ型領域（310 、311 、312)が形成される。（図３（B ））

次に、P チャネル型TFT の活性層を覆うフォトレジストのマスク(313) 及び画素TFT の活性層(305) のうち、ゲート電極に平行にゲート電極(309) の端から３μｍ離れた部分まで覆うフォトレジストのマスク(314) が形成される。

そして、再びイオンドーピング法によってフォスフィンをドーピングガスとして燐を注入する。ドーズ量は1 ×10¹⁴〜5 ×10¹⁵原子／ｃｍ² とする。この結果として、強いN 型領域（ソース、ドレイン）(315、316)が形成される。画素TFT の活性層(305) の弱いＮ型領域(312) のうち、マスク(314) に覆われていた領域(317) は、今回のドーピングでは燐が注入されないので、弱いN 型のままとなる。（図３（C ））

次に、N チャネル型TFT の活性層(304、305)をフォトレジストのマスク(318) で覆い、ジボラン(B₂H₆)をドーピングガスとして、イオンドーピング法により、島状領域(303) に硼素が注入される。ドーズ量は5 ×10¹⁴〜8 ×10¹⁵原子／ｃｍ² とする。

このドーピングでは、硼素のドーズ量が図３（Ｃ）における燐のドーズ量を上回るため、先に形成されていた弱いＮ型領域(310) は強いＰ型領域(319) に反転する。

以上のドーピングにより、強いＮ型領域（ソース／ドレイン）(315、316)、強いＰ型領域（ソース／ドレイン）(319) 、弱いＮ型領域（低濃度不純物領域）(317) が形成される。本実施例においては、低濃度不純物領域(317) の幅ｘは、約３μｍとする。（図３（D ））

その後、450 〜850 ℃で0.5 〜3 時間の熱アニールを施すことにより、ドーピングによるダメージを回復せしめ、ドーピング不純物を活性化、シリコンの結晶性を回復させた。その後、全面に層間絶縁物(320) として、プラズマCVD 法によって酸化珪素膜を厚さ3000〜6000Å形成した。これは、窒化珪素膜あるいは酸化珪素膜と窒化珪素膜の多層膜であってもよい。そして、層間絶縁膜(320) をウエットエッチング法またはドライエッチング法によって、エッチングして、ソース/ ドレインにコンタクトホールを形成した。

そして、スパッタ法によって厚さ2000〜6000Åのアルミニウム膜、もしくはチタンとアルミニウムの多層膜を形成する。これをエッチングして、周辺回路の電極・配線(321、322 、323)および画素TFT の電極・配線(324、325)を形成した。さらに、プラズマCVD 法によって、厚さ1000〜3000Åの窒化珪素膜(326) がパッシベーション膜として形成され、これをエッチングして層間膜とした。さらにこの上に表示用電極としてＩＴＯ(327) を1200Å成膜し、実施例１における表示用電極と同様なパターンとなるようパターニングした。

さらに、プラズマCVD 法によって、厚さ1000〜3000Åの窒化珪素膜(328) がパッシベーション膜として形成され、この上に基準電極としてＩＴＯ（図示せず）を1200Å成膜し、画素部が実施例１における基準電極と同じパターンになるようパターニングした。（図３（E ））

次いで、図２において、対向する基板２０４上にはブラックマトリクスを形成した（図示せず）。ここで用いたブラックマトリクスはＣｒからなり、膜厚1200Åとし、公知のフォトリソグラフィー法により所望の形状にパターニングした。次にカラーフィルターを形成した（図示せず）。カラーフィルターはエチレングリコール、モノエチルエーテルアセテート等の溶媒にＲ、Ｇ、Ｂ色を示す顔料を分散させた材料を各色毎に塗布、パターニング、硬化（焼成）を繰り返して、マイクロカラーフィルターを形成した各色の膜厚は1.7μｍとした。

さらにこの上にアクリル系樹脂からなるオーバーコート剤（平坦化膜）を形成した。オーバーコート剤は初め１μｍの厚さで全面に形成する。次に０．８μｍの厚さで形成する。さらに公知のパターニング技術によりＲ（赤）の部分についてのみ前記オーバーコート剤をエッチングする。次に再び０．８μｍの厚さでオーバーコート剤を塗布し、ＲとＧの部分のみ選択的にエッチングする。この結果、膜厚はＲＧＢで異なるものとなる。例えばＲの部分は、カラーフィルターとオーバーコート剤でなる膜を合わせた膜厚が２．７μｍとなる。またＧの部分は３．５μｍとなる。またＢの部分は４．３μｍとなる。

次にその上に全面にＩＴＯよりなる透明電極２０４を形成した。対向基板２０１の上に透明電極２０３を形成した。次に基板２０１、２０２上に配向膜としてポリイミドからなる配向膜２０５を形成した。

次に配向膜２０５を通常の方法によりラビングした。この時ラビングの方向は上下の基板で９０°の角度をなすような方向で行なった。

次に直径3.8 μｍの酸化珪素より成るスペーサー２０６を基板の配向膜を塗布した基板上に散布した（図示せず）。

こうして作製された液晶パネルは、ＲＧＢに対応する領域において、それぞれ液晶層の厚さが、Ｒが５．４μｍ、Ｇが４．６μｍ、Ｂが３．８μｍとなる。

次に、基板２０１上にシール剤２０７を印刷し、基板２０１、２０４を重ね合わせ、固定した。このときシール材は画素領域及び周辺駆動回路領域を内側にするように基板の外周近くに印刷した。次に液晶材料２０８を上記セルに真空注入法で注入した。使用した液晶材料はメルク社製ネマチック液晶ＺＬＩ−４７９２（商品名）であった。
こうして、図２の液晶パネルが形成された。

このようにして形成された本実施例のリアプロジェクションの断面概略図を図４に示す。４０１はハロゲンランプ、４０２は集光光学系、４０３は液晶パネル、４０４は反射板、４０５は投射レンズ、４０７はスクリーンである。

上記プロジェクション型液晶表示装置により良好な画像の表示が可能になった。

本発明の実施例１における液晶表示装置の概略を示す。 本発明の実施例１における液晶パネルの断面概略を示す。 本発明の実施例２における液晶表示装置の画素ＴＦＴと周辺駆動回路断面を示す。 本発明の実施例２における液晶表示装置の断面概略を示す。 実施例１における液晶表示装置を他の角度から見た概要を示す。 実施例１における液晶表示装置を他の角度から見た概要を示す。 実施例１における液晶表示装置を他の角度から見た概要を示す。

符号の説明

１０１、１０２、１０３ 液晶パネル
１０４、１０５、１０６ ダイクロイックミラー
１０７ 反射板
１０８ ハロゲンランプ
１０９ フレネルレンズ
１１０ 投射レンズ
２０１、２０２ 基板
２０３、２０４ 透明電極
２０５ 配向膜
２０６ スペーサー
２０７ シール剤
２０８ 液晶材料
３０１ 基板
３０２ 下地膜（酸化珪素）
３０３、３０４、３０５ 活性層
３０６ ゲート絶縁膜
３０７、３０８、３０９ ゲート絶縁膜・ゲート線
３１０、３１１、３１２ 弱いＮ型領域
３１３、３１４ フォトレジストのマスク
３１５、３１６ 強いＮ型領域（ソース／ドレイン）
３１７ 低濃度不純物領域
３１８ フォトレジストのマスク
３１９ 強いＰ型領域（ソース／ドレイン）
３２０ 層間絶縁膜
３２１〜３２５ 周辺駆動回路、画素ＴＦＴの電極・配線
３２６、３２８ 窒化珪素膜
３２７ 表示用電極（ＩＴＯ）
４０１ ランプ
４０２ 集光光学系
４０３ 液晶パネル
４０４ ミラー
４０５ 投射レンズ
４０６ スクリーン

Claims (30)

1. 下地酸化膜上に第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜を形成し、
   前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜上にゲート絶縁膜を形成し、
   前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜上に、それぞれ前記ゲート絶縁膜を介して第１乃至第３のゲート電極を形成し、
   前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜に燐を注入し、
   前記第２の島状の結晶性シリコン膜と、前記第３のゲート電極が上部に形成されている部分及び低濃度不純物領域を形成する部分以外の前記第３の島状の結晶性シリコン膜に燐を注入し、
   前記第１の島状の結晶性シリコン膜に硼素を注入し、
   前記第１乃至第３のゲート電極、及び前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜を覆って第１の層間絶縁膜を形成し、
   前記第１の島状の結晶性シリコン膜と電気的に接続する第１の電極と、前記第２の島状の結晶性シリコン膜と電気的に接続する第２の電極と、前記第３の島状の結晶性シリコン膜と電気的に接続する第３の電極とを前記第１の層間絶縁膜上に形成し、
   前記第１乃至第３の電極を覆って第２の層間絶縁膜を形成し、
   前記第３の電極と電気的に接続する第４の電極を前記第２の層間絶縁膜上に形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
2. 下地酸化膜上に第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜を形成し、
   前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜上にゲート絶縁膜を形成し、
   前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜上に、それぞれ前記ゲート絶縁膜を介して第１乃至第３のゲート電極を形成し、
   前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜に燐を注入し、
   前記第１の島状の結晶性シリコン膜を覆う第１のマスクと、前記第３の島状の結晶性シリコン膜のうち低濃度不純物領域を形成する部分及び前記第３のゲート電極を覆う第２のマスクを形成し、
   前記第２のマスクを介して、前記第２の島状の結晶性シリコン膜、及び前記第３の島状の結晶性シリコン膜に選択的に燐を注入し、
   前記第１及び第２のマスクを除去し、
   前記第２及び第３の島状の結晶性シリコン膜を覆う第３のマスクを形成し、
   前記第１の島状の結晶性シリコン膜に硼素を注入し、
   前記第３のマスクを除去し、
   前記第１乃至第３のゲート電極、及び前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜を覆って第１の層間絶縁膜を形成し、
   前記第１の島状の結晶性シリコン膜と電気的に接続する第１の電極と、前記第２の島状の結晶性シリコン膜と電気的に接続する第２の電極と、前記第３の島状の結晶性シリコン膜と電気的に接続する第３の電極とを前記第１の層間絶縁膜上に形成し、
   前記第１乃至第３の電極を覆って第２の層間絶縁膜を形成し、
   前記第３の電極と電気的に接続する第４の電極を前記第２の層間絶縁膜上に形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
3. 下地酸化膜上に第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜を形成し、
   前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜上にゲート絶縁膜を形成し、
   前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜上に、それぞれ前記ゲート絶縁膜を介して第１乃至第３のゲート電極を形成し、
   前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜に第１のドーズ量で燐を注入し、
   前記第２の島状の結晶性シリコン膜と、前記第３のゲート電極が上部に形成されている部分及び低濃度不純物領域を形成する部分以外の前記第３の島状の結晶性シリコン膜に前記第１のドーズ量よりも高い第２のドーズ量で燐を注入し、
   前記第１の島状の結晶性シリコン膜に第１のドーズ量よりも高い第３のドーズ量で硼素を注入し、
   前記第１乃至第３のゲート電極、及び前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜を覆って第１の層間絶縁膜を形成し、
   前記第１の島状の結晶性シリコン膜と電気的に接続する第１の電極と、前記第２の島状の結晶性シリコン膜と電気的に接続する第２の電極と、前記第３の島状の結晶性シリコン膜と電気的に接続する第３の電極とを前記第１の層間絶縁膜上に形成し、
   前記第１乃至第３の電極を覆って第２の層間絶縁膜を形成し、
   前記第３の電極と電気的に接続する第４の電極を前記第２の層間絶縁膜上に形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
4. 下地酸化膜上に第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜を形成し、
   前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜上にゲート絶縁膜を形成し、
   前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜上に、それぞれ前記ゲート絶縁膜を介して第１乃至第３のゲート電極を形成し、
   前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜に第１のドーズ量で燐を注入し、
   前記第１の島状の結晶性シリコン膜を覆う第１のマスクと、前記第３の島状の結晶性シリコン膜のうち低濃度不純物領域を形成する部分及び前記第３のゲート電極を覆う第２のマスクを形成し、
   前記第２のマスクを介して、前記第２の島状の結晶性シリコン膜、及び前記第３の島状の結晶性シリコン膜に選択的に前記第１のドーズ量よりも高い第２のドーズ量で燐を注入し、
   前記第１及び第２のマスクを除去し、
   前記第２及び第３の島状の結晶性シリコン膜を覆う第３のマスクを形成し、
   前記第１の島状の結晶性シリコン膜に第１のドーズ量よりも高い第３のドーズ量で硼素を注入し、
   前記第３のマスクを除去し、
   前記第１乃至第３のゲート電極、及び前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜を覆って第１の層間絶縁膜を形成し、
   前記第１の島状の結晶性シリコン膜と電気的に接続する第１の電極と、前記第２の島状の結晶性シリコン膜と電気的に接続する第２の電極と、前記第３の島状の結晶性シリコン膜と電気的に接続する第３の電極とを前記第１の層間絶縁膜上に形成し、
   前記第１乃至第３の電極を覆って第２の層間絶縁膜を形成し、
   前記第３の電極と電気的に接続する第４の電極を前記第２の層間絶縁膜上に形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
5. 請求項３または４において、
   前記第１のドーズ量は、１×１０¹²〜５×１０¹³原子／ｃｍ²であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
6. 請求項３乃至５のいずれか一項において、
   前記第２のドーズ量は、１×１０¹⁴〜５×１０¹⁵原子／ｃｍ²であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
7. 請求項３乃至６のいずれか一項において、
   前記第３のドーズ量は、５×１０¹⁴〜８×１０¹⁵原子／ｃｍ²であることを特徴とする半導体装置の作製方法。
8. 請求項１乃至７のいずれか一項において、
   前記第１の層間絶縁膜を、酸化珪素膜、窒化珪素膜、または酸化珪素膜と窒化珪素膜の多層膜で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
9. 請求項１乃至８のいずれか一項において、
   前記第２の層間絶縁膜を、窒化珪素膜で形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
10. 請求項１乃至９のいずれか一項において、
    前記第４の電極を、ＩＴＯで形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
11. 同一基板上に画素領域及び周辺駆動回路領域が形成された液晶パネルを有する表示装置の作製方法であって、
    下地酸化膜上であり、第１及び第２の島状の結晶性シリコン膜を前記周辺駆動回路領域に形成し、第３の島状の結晶性シリコン膜を前記画素領域に形成し、
    前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜上にゲート絶縁膜を形成し、
    前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜上に、それぞれ前記ゲート絶縁膜を介して第１乃至第３のゲート電極を形成し、
    前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜に燐を注入し、
    前記第２の島状の結晶性シリコン膜と、前記第３のゲート電極が上部に形成されている部分及び低濃度不純物領域を形成する部分以外の前記第３の島状の結晶性シリコン膜に燐を注入し、
    前記第１の島状の結晶性シリコン膜に硼素を注入し、
    前記第１乃至第３のゲート電極、及び前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜を覆って第１の層間絶縁膜を形成し、
    前記第１の島状の結晶性シリコン膜と電気的に接続する第１の電極と、前記第２の島状の結晶性シリコン膜と電気的に接続する第２の電極と、前記第３の島状の結晶性シリコン膜と電気的に接続する第３の電極とを前記第１の層間絶縁膜上に形成し、
    前記第１乃至第３の電極を覆って第２の層間絶縁膜を形成し、
    前記第３の電極と電気的に接続する表示用電極を前記第２の層間絶縁膜上に形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
12. 同一基板上に画素領域及び周辺駆動回路領域が形成された液晶パネルを有する表示装置の作製方法であって、
    下地酸化膜上であり、第１及び第２の島状の結晶性シリコン膜を前記周辺駆動回路領域に形成し、第３の島状の結晶性シリコン膜を前記画素領域に形成し、
    前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜上にゲート絶縁膜を形成し、
    前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜上に、それぞれ前記ゲート絶縁膜を介して第１乃至第３のゲート電極を形成し、
    前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜に燐を注入し、
    前記第１の島状の結晶性シリコン膜を覆う第１のマスクと、前記第３の島状の結晶性シリコン膜のうち低濃度不純物領域を形成する部分及び前記第３のゲート電極を覆う第２のマスクを形成し、
    前記第２のマスクを介して、前記第２の島状の結晶性シリコン膜、及び前記第３の島状の結晶性シリコン膜に選択的に燐を注入し、
    前記第１及び第２のマスクを除去し、
    前記第２及び第３の島状の結晶性シリコン膜を覆う第３のマスクを形成し、
    前記第１の島状の結晶性シリコン膜に硼素を注入し、
    前記第３のマスクを除去し、
    前記第１乃至第３のゲート電極、及び前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜を覆って第１の層間絶縁膜を形成し、
    前記第１の島状の結晶性シリコン膜と電気的に接続する第１の電極と、前記第２の島状の結晶性シリコン膜と電気的に接続する第２の電極と、前記第３の島状の結晶性シリコン膜と電気的に接続する第３の電極とを前記第１の層間絶縁膜上に形成し、
    前記第１乃至第３の電極を覆って第２の層間絶縁膜を形成し、
    前記第３の電極と電気的に接続する表示用電極を前記第２の層間絶縁膜上に形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
13. 同一基板上に画素領域及び周辺駆動回路領域が形成された液晶パネルを有する表示装置の作製方法であって、
    下地酸化膜上であり、第１及び第２の島状の結晶性シリコン膜を前記周辺駆動回路領域に形成し、第３の島状の結晶性シリコン膜を前記画素領域に形成し、
    前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜上にゲート絶縁膜を形成し、
    前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜上に、それぞれ前記ゲート絶縁膜を介して第１乃至第３のゲート電極を形成し、
    前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜に第１のドーズ量で燐を注入し、
    前記第２の島状の結晶性シリコン膜と、前記第３のゲート電極が上部に形成されている部分及び低濃度不純物領域を形成する部分以外の前記第３の島状の結晶性シリコン膜に前記第１のドーズ量よりも高い第２のドーズ量で燐を注入し、
    前記第１の島状の結晶性シリコン膜に第１のドーズ量よりも高い第３のドーズ量で硼素を注入し、
    前記第１乃至第３のゲート電極、及び前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜を覆って第１の層間絶縁膜を形成し、
    前記第１の島状の結晶性シリコン膜と電気的に接続する第１の電極と、前記第２の島状の結晶性シリコン膜と電気的に接続する第２の電極と、前記第３の島状の結晶性シリコン膜と電気的に接続する第３の電極とを前記第１の層間絶縁膜上に形成し、
    前記第１乃至第３の電極を覆って第２の層間絶縁膜を形成し、
    前記第３の電極と電気的に接続する表示用電極を前記第２の層間絶縁膜上に形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
14. 同一基板上に画素領域及び周辺駆動回路領域が形成された液晶パネルを有する表示装置の作製方法であって、
    下地酸化膜上であり、第１及び第２の島状の結晶性シリコン膜を前記周辺駆動回路領域に形成し、第３の島状の結晶性シリコン膜を前記画素領域に形成し、
    前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜上にゲート絶縁膜を形成し、
    前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜上に、それぞれ前記ゲート絶縁膜を介して第１乃至第３のゲート電極を形成し、
    前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜に第１のドーズ量で燐を注入し、
    前記第１の島状の結晶性シリコン膜を覆う第１のマスクと、前記第３の島状の結晶性シリコン膜のうち低濃度不純物領域を形成する部分及び前記第３のゲート電極を覆う第２のマスクを形成し、
    前記第２のマスクを介して、前記第２の島状の結晶性シリコン膜、及び前記第３の島状の結晶性シリコン膜に選択的に前記第１のドーズ量よりも高い第２のドーズ量で燐を注入し、
    前記第１及び第２のマスクを除去し、
    前記第２及び第３の島状の結晶性シリコン膜を覆う第３のマスクを形成し、
    前記第１の島状の結晶性シリコン膜に第１のドーズ量よりも高い第３のドーズ量で硼素を注入し、
    前記第３のマスクを除去し、
    前記第１乃至第３のゲート電極、及び前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜を覆って第１の層間絶縁膜を形成し、
    前記第１の島状の結晶性シリコン膜と電気的に接続する第１の電極と、前記第２の島状の結晶性シリコン膜と電気的に接続する第２の電極と、前記第３の島状の結晶性シリコン膜と電気的に接続する第３の電極とを前記第１の層間絶縁膜上に形成し、
    前記第１乃至第３の電極を覆って第２の層間絶縁膜を形成し、
    前記第３の電極と電気的に接続する表示用電極を前記第２の層間絶縁膜上に形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
15. 請求項１３または１４において、
    前記第１のドーズ量は、１×１０¹²〜５×１０¹³原子／ｃｍ²であることを特徴とする表示装置の作製方法。
16. 請求項１３乃至１５のいずれか一項において、
    前記第２のドーズ量は、１×１０¹⁴〜５×１０¹⁵原子／ｃｍ²であることを特徴とする表示装置の作製方法。
17. 請求項１３乃至１６のいずれか一項において、
    前記第３のドーズ量は、５×１０¹⁴〜８×１０¹⁵原子／ｃｍ²であることを特徴とする表示装置の作製方法。
18. 請求項１１乃至１７のいずれか一項において、
    前記第１の層間絶縁膜を、酸化珪素膜、窒化珪素膜、または酸化珪素膜と窒化珪素膜の多層膜で形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
19. 請求項１１乃至１８のいずれか一項において、
    前記第２の層間絶縁膜を、窒化珪素膜で形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
20. 請求項１１乃至１９のいずれか一項において、
    前記表示用電極を、ＩＴＯで形成することを特徴とする表示装置の作製方法。
21. 同一基板上に画素領域及び周辺駆動回路領域が形成された液晶パネルを有するリアプロジェクション型液晶表示装置の作製方法であって、
    下地酸化膜上であり、第１及び第２の島状の結晶性シリコン膜を前記周辺駆動回路領域に形成し、第３の島状の結晶性シリコン膜を前記画素領域に形成し、
    前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜上にゲート絶縁膜を形成し、
    前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜上に、それぞれ前記ゲート絶縁膜を介して第１乃至第３のゲート電極を形成し、
    前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜に燐を注入し、
    前記第２の島状の結晶性シリコン膜と、前記第３のゲート電極が上部に形成されている部分及び低濃度不純物領域を形成する部分以外の前記第３の島状の結晶性シリコン膜に燐を注入し、
    前記第１の島状の結晶性シリコン膜に硼素を注入し、
    前記第１乃至第３のゲート電極、及び前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜を覆って第１の層間絶縁膜を形成し、
    前記第１の島状の結晶性シリコン膜と電気的に接続する第１の電極と、前記第２の島状の結晶性シリコン膜と電気的に接続する第２の電極と、前記第３の島状の結晶性シリコン膜と電気的に接続する第３の電極とを前記第１の層間絶縁膜上に形成し、
    前記第１乃至第３の電極を覆って第２の層間絶縁膜を形成し、
    前記第３の電極と電気的に接続する表示用電極を前記第２の層間絶縁膜上に形成することを特徴とするリアプロジェクション型液晶表示装置の作製方法。
22. 同一基板上に画素領域及び周辺駆動回路領域が形成された液晶パネルを有するリアプロジェクション型液晶表示装置の作製方法であって、
    下地酸化膜上であり、第１及び第２の島状の結晶性シリコン膜を前記周辺駆動回路領域に形成し、第３の島状の結晶性シリコン膜を前記画素領域に形成し、
    前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜上にゲート絶縁膜を形成し、
    前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜上に、それぞれ前記ゲート絶縁膜を介して第１乃至第３のゲート電極を形成し、
    前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜に燐を注入し、
    前記第１の島状の結晶性シリコン膜を覆う第１のマスクと、前記第３の島状の結晶性シリコン膜のうち低濃度不純物領域を形成する部分及び前記第３のゲート電極を覆う第２のマスクを形成し、
    前記第２のマスクを介して、前記第２の島状の結晶性シリコン膜、及び前記第３の島状の結晶性シリコン膜に選択的に燐を注入し、
    前記第１及び第２のマスクを除去し、
    前記第２及び第３の島状の結晶性シリコン膜を覆う第３のマスクを形成し、
    前記第１の島状の結晶性シリコン膜に硼素を注入し、
    前記第３のマスクを除去し、
    前記第１乃至第３のゲート電極、及び前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜を覆って第１の層間絶縁膜を形成し、
    前記第１の島状の結晶性シリコン膜と電気的に接続する第１の電極と、前記第２の島状の結晶性シリコン膜と電気的に接続する第２の電極と、前記第３の島状の結晶性シリコン膜と電気的に接続する第３の電極とを前記第１の層間絶縁膜上に形成し、
    前記第１乃至第３の電極を覆って第２の層間絶縁膜を形成し、
    前記第３の電極と電気的に接続する表示用電極を前記第２の層間絶縁膜上に形成することを特徴とするリアプロジェクション型液晶表示装置の作製方法。
23. 同一基板上に画素領域及び周辺駆動回路領域が形成された液晶パネルを有するリアプロジェクション型液晶表示装置の作製方法であって、
    下地酸化膜上であり、第１及び第２の島状の結晶性シリコン膜を前記周辺駆動回路領域に形成し、第３の島状の結晶性シリコン膜を前記画素領域に形成し、
    前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜上にゲート絶縁膜を形成し、
    前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜上に、それぞれ前記ゲート絶縁膜を介して第１乃至第３のゲート電極を形成し、
    前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜に第１のドーズ量で燐を注入し、
    前記第２の島状の結晶性シリコン膜と、前記第３のゲート電極が上部に形成されている部分及び低濃度不純物領域を形成する部分以外の前記第３の島状の結晶性シリコン膜に前記第１のドーズ量よりも高い第２のドーズ量で燐を注入し、
    前記第１の島状の結晶性シリコン膜に第１のドーズ量よりも高い第３のドーズ量で硼素を注入し、
    前記第１乃至第３のゲート電極、及び前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜を覆って第１の層間絶縁膜を形成し、
    前記第１の島状の結晶性シリコン膜と電気的に接続する第１の電極と、前記第２の島状の結晶性シリコン膜と電気的に接続する第２の電極と、前記第３の島状の結晶性シリコン膜と電気的に接続する第３の電極とを前記第１の層間絶縁膜上に形成し、
    前記第１乃至第３の電極を覆って第２の層間絶縁膜を形成し、
    前記第３の電極と電気的に接続する表示用電極を前記第２の層間絶縁膜上に形成することを特徴とするリアプロジェクション型液晶表示装置の作製方法。
24. 同一基板上に画素領域及び周辺駆動回路領域が形成された液晶パネルを有するリアプロジェクション型液晶表示装置の作製方法であって、
    下地酸化膜上であり、第１及び第２の島状の結晶性シリコン膜を前記周辺駆動回路領域に形成し、第３の島状の結晶性シリコン膜を前記画素領域に形成し、
    前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜上にゲート絶縁膜を形成し、
    前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜上に、それぞれ前記ゲート絶縁膜を介して第１乃至第３のゲート電極を形成し、
    前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜に第１のドーズ量で燐を注入し、
    前記第１の島状の結晶性シリコン膜を覆う第１のマスクと、前記第３の島状の結晶性シリコン膜のうち低濃度不純物領域を形成する部分及び前記第３のゲート電極を覆う第２のマスクを形成し、
    前記第２のマスクを介して、前記第２の島状の結晶性シリコン膜、及び前記第３の島状の結晶性シリコン膜に選択的に前記第１のドーズ量よりも高い第２のドーズ量で燐を注入し、
    前記第１及び第２のマスクを除去し、
    前記第２及び第３の島状の結晶性シリコン膜を覆う第３のマスクを形成し、
    前記第１の島状の結晶性シリコン膜に第１のドーズ量よりも高い第３のドーズ量で硼素を注入し、
    前記第３のマスクを除去し、
    前記第１乃至第３のゲート電極、及び前記第１乃至第３の島状の結晶性シリコン膜を覆って第１の層間絶縁膜を形成し、
    前記第１の島状の結晶性シリコン膜と電気的に接続する第１の電極と、前記第２の島状の結晶性シリコン膜と電気的に接続する第２の電極と、前記第３の島状の結晶性シリコン膜と電気的に接続する第３の電極とを前記第１の層間絶縁膜上に形成し、
    前記第１乃至第３の電極を覆って第２の層間絶縁膜を形成し、
    前記第３の電極と電気的に接続する表示用電極を前記第２の層間絶縁膜上に形成することを特徴とするリアプロジェクション型液晶表示装置の作製方法。
25. 請求項２３または２４において、
    前記第１のドーズ量は、１×１０¹²〜５×１０¹³原子／ｃｍ²であることを特徴とするリアプロジェクション型液晶表示装置の作製方法。
26. 請求項２３乃至２５のいずれか一項において、
    前記第２のドーズ量は、１×１０¹⁴〜５×１０¹⁵原子／ｃｍ²であることを特徴とするリアプロジェクション型液晶表示装置の作製方法。
27. 請求項２３乃至２６のいずれか一項において、
    前記第３のドーズ量は、５×１０¹⁴〜８×１０¹⁵原子／ｃｍ²であることを特徴とするリアプロジェクション型液晶表示装置の作製方法。
28. 請求項２１乃至２７のいずれか一項において、
    前記第１の層間絶縁膜を、酸化珪素膜、窒化珪素膜、または酸化珪素膜と窒化珪素膜の多層膜で形成することを特徴とするリアプロジェクション型液晶表示装置の作製方法。
29. 請求項２１乃至２８のいずれか一項において、
    前記第２の層間絶縁膜を、窒化珪素膜で形成することを特徴とするリアプロジェクション型液晶表示装置の作製方法。
30. 請求項２１乃至２９のいずれか一項において、
    前記表示用電極を、ＩＴＯで形成することを特徴とするリアプロジェクション型液晶表示装置の作製方法。
    
    

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