JPH09185080A

JPH09185080A - 液晶電気光学装置

Info

Publication number: JPH09185080A
Application number: JP35333095A
Authority: JP
Inventors: Shunpei Yamazaki; 舜平山崎; Yoshiharu Hirakata; 吉晴平形; Takeshi Nishi; 毅西; Satoshi Teramoto; 聡寺本
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 1995-12-28
Filing date: 1995-12-28
Publication date: 1997-07-15

Abstract

(57)【要約】【目的】基板に平行な電界を印加して液晶材料を駆動
する液晶電気光学装置において、セル厚方向の電気力線
の不均一性を改善し、良好な表示特性を得る。【構成】透光性を有する一対の基板１０１、１０２に
液晶材料が挟持された液晶電気光学装置において、一方
の基板１０１上にはスイッチング素子１１１、液晶材料
駆動用のドレイン電極１１５、コモン電極１０７、ゲー
ト電極１０５が形成されており、ドレイン電極−コモン
電極間で基板に平行な電界を印加する。また、他方の基
板１０２にもドレイン電極１１６、コモン電極１０８等
前記素子及び各電極が形成されており、一対の基板上の
電極で基板に平行な電界を形成することで、液晶材料を
駆動する。また、ドレイン電極１１５及びコモン電極１
０７間の電界は、ドレイン電極１１６及びコモン電極１
０８間に形成された電界により平滑化される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の利用分野】本発明は、良好な電気特性と視野角
特性を持ち、画面全体に均一な表示が得られる液晶電気
光学装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】液晶電気光学装置の視野角を広くする方
法として、液晶に印加する電界の方向を、基板面にほぼ
平行にする方式（以下、スーパーＴＦＴ方式と呼ぶ）
が、例えば特開平６−１６０８７８により開示されてい
る。この場合、１枚の基板上に形成されたソース電極、
コモン電極間に電界を誘起させ、その電界方向に液晶分
子を配向させている。また、特開平６−２１４２４４で
は、電極をセル厚の高さとすることで、液晶に印加する
電界を均一にしている。

【０００３】このような電気光学装置では、液晶分子長
軸を基板に平行な状態を維持したままスイッチングする
ため、視野角による液晶の光学特性の変化が少ない。こ
のため、視野角による光漏れ、コントラストの低下等
が、従来のＴＮ、ＳＴＮ方式に比べ小さい。

【０００４】

【従来技術の問題点】しかしながら、従来用いられてい
るスーパーＴＦＴ方式の電極配置は、一対の基板のいず
れか一方の基板にのみ形成されており、電極に近い領域
には電界が印加されやすいが、電極直上の領域には電界
強度が低下し、このため液晶材料のスイッチングがセル
内でばらつくという問題があった。

【０００５】これは、横方向電界を利用して液晶駆動を
行う、スーパーＴＦＴ方式において、特に顕著に現れる
欠点である。

【０００６】上記電界のばらつきを図３もって説明す
る。ここでは簡単のため、絶縁性を示す一対の基板（３
０１）及び（３０３）が一定の間隔をもって重ね合わせ
られるように配置され、一方の基板（３０１）上に形成
された、台形断面かつ電極間隔がそれぞれ一定な複数の
平行電極（３０２）、（３０５）間に、正、負、正、
負、・・・と交互に極性の異なる電圧を印加した場合
の、電極周囲の電気力線（３０４）の態様について述べ
る。（電荷の形成する電気力線については、電磁気学の
著書、例えば永田一清著『電磁気学』、朝倉書店、及び
後藤・山崎共編『詳解電磁気学演習』、共立出版などを
参照。）

【０００７】基板（３０１）上の一方の電極（３０２）
から発せられた電気力線（３０４）は、基板（３０３）
に近づいたところで向きを変え、他方の電極（３０５）
へと向かうが、図３からも分かるように、電極が形成さ
れている基板表面近傍と、他方の基板表面近傍とで電束
密度（電気力線の単位面積当たりの本数に比例）が異な
る。

【０００８】ここでは、一例として断面が台形の電極間
の電界を示したが、断面が矩形等他の形状の電極間でも
同様である。なぜならば、電界は電極面に垂直に形成さ
れるものであり、電極近傍とそれ以外の部分とで電気力
線の分布が不均一になる。

【０００９】電気力線は各場所での電場の方向を表した
ものである。液晶材料は電場との相互作用で配向状態を
変え、液晶材料の誘電異方性が正のときは、液晶分子長
軸が電場に対して平行に、また負の場合には電場に対し
て垂直に配向するようになる。

【００１０】図３の場合を例に取ると、一対の基板間で
電気力線が上に凸になるように湾曲している領域が存在
しており、このことは電場が基板に対して平行な成分以
外も有していることを示すものである。従って、上記の
ような電極配置で電界印加時には、前記事項によれば基
板内で液晶分子が基板に平行以外の方向にも配向し得る
ことになる。このような場合、液晶材料の配向不良が発
生する。

【００１１】このような電気力線のばらつきは、画素微
細化の際に無視できない欠点となる。これは微細化によ
り電極数が増加し、電極間距離が小さくなると非連続的
な電界が高密度に分布してしまうからである。

【００１２】上記問題の別の解決法としては、液晶にセ
ル厚方向に一様に電界を印加するために電極をセル厚の
高さにする発明が、特開平６−２１４２４４で提案され
ている。しかし極端に高さの高い電極を作製するには、
以下の技術的困難が生じる。

【００１３】第一に、電極の高さをセル厚程度とする
と、電極の頂点と底部で、横方向の電極厚の差が大きく
なりやすい。横方向電界で液晶を駆動するスーパーＴＦ
Ｔ方式では電極厚の差は、即ち電極間距離の差となる。
従って、セル厚方向の電界強度が同一画素内で異なるた
め液晶駆動が難しくなる。

【００１４】第二に、電極高さが極端に高いと、その上
に形成される層のカバレッジが悪く、上に形成される層
が電極である場合、断線を起こしやすい。

【００１５】第三に、画素の微細化にあたっても、極端
に高さの高い電極で、横方向の膜厚を薄くし大きなテー
パー角を得るのは、技術的に困難である。

【００１６】画素の微細化にあたり、上述の問題を解決
するため、簡便な方法で作成でき、なおかつ非連続的な
電界を発生しない電極構造が求められている。

【００１７】さらに別の問題として、液晶駆動用電極及
び、共通電極をＡｌ等からなる金属電極を使用していた
ため、開口率が低下する問題があった。

【００１８】従来の液晶電気光学装置は、共通電極を対
向基板に形成しており、しかも前記共通電極は透光性を
有する材料、例えばＩＴＯ等を使用するのが一般的であ
った。しかし、横方向電界駆動方式の液晶電気光学装置
はいずれか一方の基板に液晶駆動用電極及び共通電極を
形成し、しかもいずれの電極もＡｌ等からなる遮光性の
電極を使用しており、有効表示領域が従来の液晶電気光
学装置に比べ減少してしまう欠点、即ち開口率の低下が
あった。

【００１９】

【発明が解決しようとする課題】本発明の液晶電気光学
装置は、一対の基板上に形成された複数の電極により、
基板に平行な方向の電界（横方向電界）強度を制御し、
液晶材料を動作させる方式のものである。但し、従来の
横方向電界駆動方式にあるような、いずれか一方の基板
にのみ液晶駆動用及び共通電極を形成するものではな
く、他方の基板にも電極を形成し、液晶駆動時にこの電
極からも電界を印加し、これまで問題となっていた、電
界強度の不均一性等の問題を解決するものである。

【００２０】さらに、遮光性電極を利用していたことに
よる、開口率の低下を改善を行い、視覚特性の良好な液
晶電気光学装置を提供するものである。

【００２１】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、少なくとも一方が透明な一対の基板と、
該基板の両方に形成された電極と、前記基板間に狭持さ
れた液晶層とを有し、前記電極は、基板面に平行な方向
を含む電界を形成しうる液晶駆動用の一対の電極を含
み、前記一対の電極は互いに略平行に配置された部分を
有し、前記電極を介して液晶層に電界を印加する電界印
加手段を備えた液晶電気光学装置であって、前記いずれ
か一方の基板上の一対の電極間に形成される電界は、他
方の基板上の一対の電極間に形成された電界強度により
電界分布が制御されることを特徴とする液晶電気光学装
置である。

【００２２】本発明の他の構成は、少なくとも一方が透
明な一対の基板と、該基板の両方に形成された電極と、
前記基板間に狭持された液晶層とを有し、前記電極は、
基板面に平行な方向を含む電界を形成しうる液晶駆動用
の一対の電極を含み、前記一対の電極は互いに略平行に
配置された部分を有し、前記電極を介して液晶層に電界
を印加する電界印加手段を備えた液晶電気光学装置であ
って、前記いずれか一方の基板上の一対の電極間に形成
される電界は、他方の基板上の一対の電極間に形成され
た電界との相互作用により、セル厚方向において電界分
布が均一化されていることを特徴とする液晶電気光学装
置である。

【００２３】本発明の他の構成は、少なくとも一方が透
明な一対の基板と、該基板の両方に形成された電極と、
前記基板間に狭持された液晶層とを有し、前記電極は、
基板面に平行な方向を含む電界を形成しうる液晶駆動用
の一対の電極を含み、前記一対の電極は互いに略平行に
配置された部分を有し、前記電極を介して液晶層に電界
を印加する電界印加手段を備えた液晶電気光学装置であ
って、前記一対の基板間の電極により、前記液晶層に対
してに同時に同方向の電界を印加することで、一対の基
板間の電界分布を制御することを特徴とする液晶電気光
学装置である。

【００２４】本発明の他の構成は、少なくとも一方が透
明な一対の基板と、該基板の両方に形成された電極と、
前記基板間に狭持された液晶層とを有し、前記電極は、
基板面に平行な方向を含む電界を形成しうる液晶駆動用
の一対の電極を含み、前記一対の電極は互いに略平行に
配置された部分を有し、前記電極を介して液晶層に電界
を印加する電界印加手段を備え、前記一対の電極は、両
方の基板において互いに対向する位置に配置されている
ことを特徴とする液晶電気光学装置である。

【００２５】本明細書に開示する発明を利用した構成の
一例を図１及び図２に示す。図１に示すのは、ネマチッ
ク液晶を用い、横方向電界で前記液晶材料を駆動し、前
記駆動素子としてｐｏｌｙ−ＳｉＴＦＴを用いたアクテ
ィブマトリクス型の液晶電気光学装置の画素部の概略で
あり、前記装置を上から（基板面に対して垂直な方向か
ら）見た場合であり一部の配線は重なりあって配設され
ているため、上基板の配線しか見えない。また、図２は
図１においてＡ−Ａ′方向の断面を示したものである。

【００２６】図１及び図２に示す構成において、第一の
基板（１０１）上には、下地ＳｉＯ₂ 膜（１０３）、ゲ
ート電極（１０５）、コモン電極（１０７）、ゲート絶
縁膜より延長される層（１０９）、スイッチング素子
（１１１）、ソース電極（１１３）、液晶駆動用電極
（１１５）、保護膜（１１７）、配向膜（１１９）が形
成されている。

【００２７】一方、第二の基板（１０２）には下地Ｓｉ
Ｏ₂ 膜（１０４）、ゲート電極（１０６）、コモン電極
（１０８）、ゲート絶縁膜より延長される層（１１
０）、スイッチング素子（１１２）、ソース電極（１１
４）、液晶駆動用電極（１１６）、保護膜（１１８）、
配向膜（１２０）が形成されている。また、（１２１）
は液晶層である。

【００２８】液晶駆動用電極（１１５）とコモン電極
（１０７）、あるいは液晶駆動用電極（１１６）とコモ
ン電極（１０８）は互いに略平行に配置されている。

【００２９】ここで、上記ゲート電極（１０５）、（１
０６）はゲート配線（走査線）を、また、ソース電極
（１１３）、（１１４）はソース配線（信号線）をそれ
ぞれ兼ねる機能を有する。また、前記コモン電極（１０
７）、（１０８）は上記共通電極に相当する。さらに、
液晶層（１２１）について、配向状態について述べる場
合には、液晶分子も示す。

【００３０】上記液晶電気光学装置の場合、まず第一の
基板（１０１）上に形成された液晶材料駆動用の液晶駆
動用電極（１１５）及びコモン電極（１０７）間に電界
が印加され、この電界により液晶層（１２１）中の液晶
分子が基板に対して平行な面内でスイッチングする（配
向状態が変化する）。

【００３１】しかし、第一の基板（１０１）上の電極間
にのみ電界が印加されると、第二の基板（１０２）に近
いほど電界強度が小さくなるので、液晶材料（１２１）
の配向方向の制御が不十分となる。

【００３２】そこで、第二の基板（１０２）上にも液晶
駆動用電極（１１６）及びコモン電極を（１０７）を設
ける。そのとき、第一の基板と第二の基板とにおいて、
電極が互いに対向する位置に配置する。

【００３３】すなわち、第一の基板（１０１）上の液晶
駆動用電極（１１５）上に第二の基板（１０２）の液晶
駆動用電極（１１６）が、また、第一の基板（１０１）
のコモン電極（１０７）の上に、第二の基板（１０２）
のコモン電極（１０８）がそれぞれ配置されるようにし
て、第二の基板（１０２）の液晶駆動用電極（１１６）
−コモン電極間（１０８）にも電界を印加する。

【００３４】すると、第一の基板（１０１）上の電極
（１１５）、（１０７）間の電界分布は、第二の基板
（１０２）上の電極（１１６）、（１０８）間の電界に
より電気力線が変形され、種々の状態を示すように制御
することができる。特に、第一の基板（１０１）上の前
記２つの電極（１１５）、（１０７）間の電界強度と、
第二の基板（１０２）上の前記２つの電極（１１６）、
（１０８）間の電界強度を同一にすると、上下の基板
（１０１）、（１０２）間のどの場所でも電界強度の分
布が一定になる。

【００３５】また、上記第一、第二の基板（１０１）、
（１０２）には、透光性を有し、かつ外力に対しある程
度の強度を有する材料、例えばガラス、石英などの無機
材料などが用いられる。ＴＦＴ等を形成する基板（以下
ＴＦＴ基板とする）には、無アルカリガラスや石英ガラ
スを用いる。また、液晶電気光学装置の軽量化を目的と
する場合、複屈折性の少ないフィルム、例えばＰＥＳ
（ポリエチレンサルフェート）などを用いることもでき
る。

【００３６】また、液晶材料（１２１）の駆動方法とし
てはマルチプレックス方式でもアクティブマトリクス方
式でも良い。

【００３７】マルチプレックス方式では第一の基板（１
０１）上に形成するのは液晶駆動用電極（１１５）、共
通電極（１０７）の２種だけでよいが、アクティブマト
リクス方式の場合、このほかにスイッチング素子（１１
１）、（１１２）として非線形素子、例えば薄膜トラン
ジスタ（ＴＦＴ）やダイオードを各画素毎に形成する。
薄膜トランジスタの場合、ドレイン電極を液晶駆動用電
極（１１５）、（１１６）に接続し、共通電極はコモン
電極（１０７）、（１０８）として別に設ける。

【００３８】ＴＦＴとしては活性層にアモルファスシリ
コン又はポリ（多結晶）シリコンを用いたトランジスタ
を用いることが出来る。アクティブマトリクス方式の場
合上記駆動素子の構成は、スタガー型、逆スタガー型と
いった公知の構成を利用することが出来る。また、ポリ
シリコンを用いたトランジスタを用いた場合、液晶材料
を駆動する周辺駆動回路をＴＦＴを作製した基板に形成
することが可能である。周辺駆動回路はＴＦＴを作製す
るのと同じプロセスで作製することが可能となる。この
周辺駆動回路は、ｎ−ｃｈ及びｐ−ｃｈトランジスタを
組み合わせた相補型素子から形成される。

【００３９】なお、スイッチング素子（１１１）、（１
１２））はｐｏｌｙ−Ｓｉ型ＴＦＴを用いることが望ま
しい。特にｐｏｌｙ−ＳｉをＴＦＴ活性層に用いた場合
は、ａ−ＳｉをＴＦＴ活性層に用いた場合に比べ活性層
の移動度が大きく、ａ−Ｓｉと同等の特性をより小さい
素子領域で得られるため、各素子の微細化、ひいては高
開口率化が可能となる。また、横方向電界印加にあたっ
ても、キャリヤ移動度の大きいｐｏｌｙ−ＳｉをＴＦＴ
活性層に用いた場合の方が、高速応答が実現できる。さ
らに、ｐｏｌｙ−Ｓｉを用いた場合、基板上に液晶材料
を駆動するための周辺駆動回路をも形成することが可能
となり、装置作製プロセスの低減、歩留りの向上、装置
価格の低下に寄与する。

【００４０】前記素子電極としては、ゲート電極（１０
５）、ソース電極（１１３）はＡｌ、Ｔｉ、Ｔａ等から
なる金属、金属を含有する材料、金属酸化物、またはＳ
ｉ、Ｓｉに燐、ホウ素などが含有された材料、カーボ
ン、カーボンを含有する材料等を利用することが出来
る。画素高密度化の際にはゲート、ソース両電極（１０
５）、（１１３）での信号遅延が無視できなくなるの
で、体積抵抗率の低い材料を利用することが望ましい。
また、液晶駆動用電極（１１５）及びコモン電極（１０
７）は前記各種材料の他、ＩＴＯ等を使用することも出
来る。特にＩＴＯのような透光性を有する材料を用いる
と、画素開口率を向上させることができる。

【００４１】電極断面形状は、矩形、台形、または曲断
面をとるようにする。矩形、台形の断面の時には公知の
パターニング・エッチング法によればよく、また曲断面
形成の方法として、異方性プラズマエッチング、等方性
プラズマエッチング等を組み合わせ、電極断面をなだら
かな断面もしくは曲断面を有するようにしても良い。本
明細書に示す、なだらかな面もしくは曲面を持つ断面を
作製する方法としては、ドライプロセス、ウエットプロ
セスのいずれの方法でも可能である。なお、前記方法
は、なだらかな曲断面を持つ電極の作製方法の一例であ
り、なだらかな曲断面を持つ電極の作製方法は、これら
の方法に限定されるわけではない。

【００４２】また、各層間絶縁膜（１０９）、ＴＦＴ保
護膜（１１７）としては酸化珪素（ＳｉＯ₂ ）または窒
化珪素（ＳｉＮ）を用いることが可能である。さらにア
クリル系樹脂、またはポリイミド等からなる有機樹脂を
使用することも可能である。

【００４３】図８には有機樹脂をＴＦＴ保護膜として使
用し、その他の構成は上記に示したのと同じである液晶
電気光学装置の断面概略図を示す。特にＴＦＴ保護膜と
して有機樹脂を使用すると、基板表面を平滑化する平坦
化膜（８０１）とすることもできる。本発明の液晶電気
光学装置は液晶材料の複屈折を利用しているため、前記
一対の基板間隔がばらつくと色むらの発生を引き起こ
す。従って前記基板間隔は装置全体にわたって一定であ
ることが重要であり、前記平坦化処理は装置作製の歩留
りを向上させるのに重要なプロセスとなる。

【００４４】次に、第二の基板（１０２）については第
一の基板（１０１）と同種の材料を用いることが可能で
ある。また、第二の基板（１０２）にも液晶材料（１２
１）を駆動するための電極を形成する。この時の電極材
料としては第一の基板（１０１）上の素子（１１１）、
各電極（１０５）、（１０７）、（１１３）、（１１
５）を形成するのに使用した材料を使用することが出来
る。

【００４５】また、電極の配設パターンは、第一の基板
（１０１）の駆動用電極（１１５）、及びコモン電極
（１０７）が交互に等間隔に配列するようにする。

【００４６】また、両方の基板（１０１）、（１０２）
に前記素子（１１１）、（１１２）及び前記各電極（１
０５）、（１０６）、（１０７）、（１０８）、（１１
３）、（１１４）、（１１５）、（１１６）を形成する
ため、有効表示領域即ち開口率をできるだけ大きくする
ために、例えば図１のように前記一対の基板（１０
１）、（１０２）上のゲート（１０５）、（１０６）及
びソース（１１３）、（１１４）及び液晶駆動用電極
（１１５）、（１１６）及びコモン電極（１０７）、
（１０８）の各配線は重なりあうような位置に成るよう
に配設すればよい。このようにすることで、従来の液晶
電気光学装置のようないずれか一方の基板にゲート、ソ
ース各配線が形成された場合と同様な開口率を得ること
ができる。

【００４７】また、第一の基板（１０１）上もしくは第
二の基板（１０２）上、あるいは両方の基板上にコント
ラスト向上のため表示に関わらない部分を遮光するた
め、Ｃｒ等の金属もしくは黒色の顔料が分散された樹脂
材料などにより、ブラックマトリクスを形成する（図示
せず）。さらに、カラー表示の場合には各画素に対応す
る位置にＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）もしくはＣ（シ
アン）、Ｍ（マジェンダ）、Ｙ（黄）のカラーフィルタ
ーを形成する。カラーフィルターの各色の配置はストラ
イプ配置又はデルタ配置などが利用できる。

【００４８】その後第一の基板（１０１）上、及び第二
の基板（１０２）上に、配向処理を施した。前記配向処
理は液晶分子が基板に対して平行かつ一軸に配向するよ
うに行う。前記配向処理としては基板面を直接、もしく
はナイロン、ポリイミド等の有機樹脂よりなる膜（配向
膜）（１１９）、（１２０）を塗布後前記樹脂面上を、
一方向に擦るラビング処理が有効である。なお、前述の
有機樹脂によるＴＦＴ保護膜（平坦化膜（８０１））の
表面をそのままラビング処理等の配向処理をすることで
前記の配向膜を形成するプロセスをなくすことも可能で
ある。

【００４９】図５及び図６にはラビング方向（５０
２）、（５０３）を示した。ラビング方向については使
用する液晶材料（１２１）により異なり、第一の基板
（１０１）側は、誘電率異方性が正の材料の場合、電界
に非平行、望ましくは電界と４５゜をなす方向とする。
さらにまた、誘電率異方性が負の材料の場合、電界に垂
直でない方向、望ましくは電界と４５゜をなす方向とす
る。また第二の基板（１０２）側のラビング処理は、第
一の基板（１０１）のラビング方向に平行、もしくは反
平行をなすようになされる。

【００５０】このようにして作製された前記一対の基板
（１０１）、（１０２）は、一定の間隔をもって重ね合
わせ、これを液晶セルとする。前記一対の基板（１０
１）、（１０２）のいずれか一方に、接着剤としてシー
ル剤（図示せず）を所望のパターンに形成する。シール
剤としては熱硬化型、紫外線硬化型等の樹脂材料を使用
する。前記樹脂材料としてはエポキシ系、ウレタンアク
リレート系などの材料を使用することが可能である。ま
た、他方の基板には前記一対の基板の間隔をセル全体に
一定に保持するためスペーサー（図示せず）を散布す
る。

【００５１】シール剤硬化後、液晶材料（１２１）を液
晶セルに真空注入法等により注入する。なお、シール剤
を形成する前に予め一方の基板に液晶層（１２１）を形
成し、その後シール剤を形成して他方の基板を重ね合わ
せてもよい。

【００５２】本発明で利用できる液晶材料としては、ネ
マチック、コレステリック、スメクチック性を示す材料
が挙げられるが、特にネマチック材料を用いることが望
ましい。さらに、ネマチック液晶の中でも、駆動方法に
よって誘電異方性が正もしくは負を示すものを適宜選択
して使用する。さらに、屈折率異方性が小さいものを用
いると、より広い視野角が得られる。

【００５３】また、本発明の液晶電気光学装置の液晶材
料の配向状態について、図５及び図６に概略を示す。こ
こでは一例として、誘電異方性が負の材料を使用した場
合を示した。図５は無電界時、図６は電界印加時の配向
状態である。なお、この図では概略図として前記一対の
基板上の構成物として電極（１０７）、（１１５）、
（１０８）、（１１６）、及び配向膜（１１９）、（１
２０）のみを示し、その他の素子、配線等は省略した。

【００５４】前記液晶電気光学装置は、液晶材料の複屈
折性を利用して表示を行うため、一対の偏光板（５０
１）、（５０２）をその光軸（５０５）、（５０６）が
直交するように配置し、前記一対の偏光板の間に液晶セ
ルを挟む。この時液晶材料（１２１）の配向方向は、検
光子即ち光源に近い方の偏光板の光軸に平行である。

【００５５】このようにして作製された液晶電気光学装
置について、液晶材料（１２１）の配向は、無電界時に
は図５に示すように、液晶分子（１２１）は長軸を基板
に平行かつラビング方向（５０３）、（５０４）に平行
に一軸配向している。

【００５６】次に、電極（１０７）、（１１５）、（１
０８）、（１１６）に電界印加時は、図６に示すよう
に、配向規制力が強い配向膜界面近傍の液晶分子（１２
２）は、ラビング方向（５０３）、（５０４）に平行な
向きを維持し、配向規制力が弱い液晶層中央近傍の液晶
分子（１２３）は電界により光軸が変化する。誘電異方
性が正の液晶材料を用いた場合には液晶分子（１２３）
の長軸が電界方向に対して平行になるような向きとな
り、誘電異方性が負の場合には図６のように、液晶分子
の長軸（１２３）が電界方向に対して垂直になるような
向きとなる。

【００５７】このため、液晶電気光学装置を透過する光
について、無電界時に液晶材料（１２１）の配向はセル
内で検光子（５０１）の光軸（５０５）に平行となるた
め、入射光は偏光子（５０２）を透過できず、この時の
透過光量はゼロとなる。一方、電界印加時は液晶材料
（１２１）の光軸の向きが変化することで入射光は楕円
偏光となり、偏光子（５０２）を透過する。

【００５８】表示を行う場合、まず第一の基板のゲート
電極（１０５）に、任意の期間で選択信号（走査信号）
が印加され、ソース電極（１１３）に印加された映像デ
ータは選択期間中にスイッチング素子（１１１）が導通
状態となるため液晶駆動用電極（１１５）に印加され
る。一方コモン電極（１０７）は接地しておくか、ある
いは任意の波形を印加しておく。

【００５９】すると、液晶駆動用電極（１１５）−コモ
ン電極間（１０７）に基板に平行かつ液晶駆動用電極
（１１５）、コモン電極（１０７）の長手方向に対して
垂直な方向の成分を有する電界が形成され、この電界に
より液晶分子（１２１）が基板（１０１）、（１０２）
に対して平行な面内でスイッチングし（配向状態が変化
し）、画素に映像データが書き込まれた状態となる。

【００６０】選択期間終了後、スイッチング素子（１１
１）は非導通状態となる。液晶駆動用電極（１１５）−
コモン電極間（１０７）には先程印加された電界が保持
され、書き込まれた映像データが保存される。

【００６１】以下、第一の基板（１０１）上のゲート電
極（１０５）に次々に走査信号を印加させ、基板（１０
１）全体に映像データを書き込む。

【００６２】しかしながら、第一の基板（１０１）にの
み電界を印加すると第一の基板（１０１）の電極近傍は
電界強度が強くなるが、第二の基板（１０２）に近づく
につれ電界強度が低下してしまう。また、基板に平行以
外の成分の電界も多く存在してしまう。そこで、第二の
基板（１０２）に設けられた液晶駆動用電極（１１
６）、コモン電極（１０８）に対して、第一の基板（１
０１）の液晶駆動用電極（１１５）−コモン電極（１０
７）間に形成された電界の分布状態を制御するため電界
を印加する。

【００６３】また電界の印加方法について、第一の基板
（１０１）及び第二の基板（１０２）には同時に電界が
印加する。さらに電界の向きは上下の基板（１０１）、
（１０２）で同方向となるようにする。

【００６４】従って、第二の基板（１０２）上の電極間
には、第一の基板（１０１）上の電極間に映像データの
書込みと同じタイミングで同一映像データを書き込む。
このことで、基板に平行な成分を有する電界が一対の基
板（１０１）、（１０２）間の各部分で形成され、電気
力線が画素内で平行になる。

【００６５】なお、上記には偏光板（５０１）を２枚使
用した構成としたが、前記一対の基板（１０１）、（１
０２）のうちいずれか一方に金属等からなる反射板を形
成すれば、偏光板を１枚しか用いずに液晶電気光学装置
を作製することが可能となり、明るいディスプレイを実
現できる。また上記金属性の反射板は画素等の電極を兼
ねることも可能である。

【００６６】

【作用】本明細書に示す液晶電気光学装置の構成とする
と、従来の横方向電界駆動方式の液晶電気光学装置に比
べ、セル内のセル厚方向の電束密度は均一になる。これ
により、セル厚方向のほとんどの液晶分子は電界の印加
により同様に配向ベクトルを変化させる。その結果、表
示の立ち上がり、応答特性が向上する。

【００６７】この電界の連続性は、電極に電圧を印加し
た場合の、電極周囲の電気力線の態様を見れば明らかで
ある。以下、図４をもって電極周囲の電気力線の態様を
説明する。

【００６８】上記の駆動方法によりセル内に電界を印加
した場合、図４に示すように、一方の基板（１０１）上
の電極（１０７）、（１１５）間にのみ電界を印加した
ときに形成された電気力線（３０６）（図４中の点線で
表した曲線）は、他方の基板上の電極（１１６）、（１
０８）間に形成された電界により図中矢印（３０７）の
方向に変形され、実効的に図中の実線で表したような電
気力線（３０６）となる。従って、本発明の液晶電気光
学装置の電気力線の分布は、いずれが一方の基板にのみ
電極を形成する場合より、均一となる。

【００６９】上記では一例として電極断面が台形のもの
について説明したが、これに限定されることはなく、電
極断面が円、楕円の曲率を利用したものでも同様の効果
が得られる。また、断面形状が正半円なだけでなく、円
弧をなすようにしても同様の効果が得られる。さらに電
極のエッジ断面が円弧等の曲面を有するようにしても良
い。もちろん、境界変化の緩やかな多角形形状を有する
断面を持つ電極でも良い。

【００７０】さらに、なだらかな曲断面を持つ電極等薄
膜の上に成膜される膜は、薄膜の丸みのため、カバレッ
ジも良好である。そのため、カバレッジの悪さに起因す
る、不純物の混入、断線等を防ぐ効果もある。

【００７１】なお、本発明では、液晶材料に横方向電界
を印加する方式の液晶電気光学装置について述べたが、
これに限ることなく、例えば従来のＴＮ方式等の縦電界
を印加する方式の液晶電気光学装置に用いることでも、
セル内の電界の乱れを低減することが出来、また、カバ
レッジの良い電気光学装置を作製することが出来る。以
下に、本発明の実施例を図をもって説明する。

【００７２】

【実施例】

〔実施例１〕本実施例では、周辺駆動回路をも基板上に
形成するモノリシック型アクティブマトリクス回路とし
た。この制作工程について、図７を用いて説明する。図
７は周辺駆動回路付近の概略図であり、左側に駆動回路
のＴＦＴの作製工程を、右側にアクティブマトリクス回
路のＴＦＴの作製工程をそれぞれ示した。なお、この工
程は低温ポリシリコンプロセスのものである。

【００７３】まず、第一の絶縁基板（１０１）としてコ
ーニング＃１７３７の上に、下地酸化膜（１０３）を形
成した。この酸化珪素膜の形成方法は、酸素雰囲気中で
のスパッタ法やプラズマＣＶＤ法を用いればよい。

【００７４】その後、プラズマＣＶＤ法やＬＰＣＶＤ法
によってアモルファスのシリコン膜を３００〜１５００
Å、好ましくは５００〜１０００Åに形成した。そし
て、５００℃以上、好ましくは、５００〜６００℃の温
度で熱アニールを行い、シリコン膜を結晶化させた、も
しくは、結晶性を高めた。熱アニールによって結晶化の
のち、光（レーザーなど）アニールをおこなって、さら
に結晶化を高めてもよい。また、熱アニールによる結晶
化の際に特開平６−２４４１０３、同６−２４４１０４
に記述されているように、ニッケル等のシリコンの結晶
化を促進させる元素（触媒元素）を添加してもよい。

【００７５】次にシリコン膜をエッチングして島状に形
成し、駆動回路のＴＦＴの活性層（７０１）（Ｐチャ
ネル型ＴＦＴ用）、（７０２）（Ｎチャネル型ＴＦＴ
用）とマトリクス回路のＴＦＴ（画素ＴＦＴ) の活性層
（７０３）を形成した。さらに、酸素雰囲気中でのスパ
ッタ法によって厚さ５００〜２０００Åの酸化珪素のゲ
ート絶縁膜（７０４）を形成した。ゲート絶縁膜の形成
方法としては、プラズマＣＶＤ法を用いてもよい。プラ
ズマＣＶＤ法によって酸化珪素膜を形成する場合には、
原料ガスとして、一酸化二窒素（Ｎ₂ Ｏ）もしくは酸素
（Ｏ₂ ）とモノシラン（ＳｉＨ₄ ）を用いることが好ま
しかった。

【００７６】その後、厚さ２０００〜６０００Åのアル
ミニウムをスパッタ法によって基板全面に形成した。こ
こでアルミニウムはその後の熱プロセスによってヒロッ
クが発生するのを防止するため、シリコンまたはスカン
ジウム、パラジウムなどを含有するものを用いてもよ
い。そして、等方性プラズマエッチングを行いゲート電
極（７０５）、（７０６）、（７０７）と、コモン電極
（７０８）（共通電極）を形成した（図７（Ａ））。こ
の時、放電ガス電圧を適切に設定し、電極に曲面を持た
せた。その後、イオンドーピング法によって、全ての島
状活性層に、ゲート電極をマスクとして自己整合的に、
フォスフィン（ＰＨ₃ ）をドーピングガスとして、燐が
注入される。ドーズ量は１×１０¹²〜５×１０¹³原子／
ｃｍ² する。この結果、弱いＮ型領域（７０９）、
（７１０）、（７１１) が形成された。（図７（Ｂ
））

【００７７】次にＰチャネル型の活性層を覆うフォトレ
ジストのマスク（７１２）及び画素ＴＦＴの活性層（７
１３）のうち、ゲート電極に平行にゲート電極（７０
８）の端から３μｍ離れた部分まで覆うフォトレジスト
のマスク（７１３) が形成される。そして、再びイオン
ドーピング法によってフォスフィンをドーピングガスと
して燐を注入する。ドーズ量は１×１０¹⁴〜５×１０¹⁵
原子／ｃｍ2 とする。この結果として、強いＮ型領域
（ソース、ドレイン）（７１４）、（７１５）が形成さ
れる。画素ＴＦＴ上のフォトレジスト（７１３）に覆わ
れていた領域（７１６）は、今回のドーピングでは燐が
注入されないので、弱いＮ型のままとなる。（図７（C
））

【００７８】次に、Ｎチャネル型ＴＦＴの活性層（７０
２）、（７０３）をフォトレジストのマスク（７１７）
で覆い、ジボラン（Ｂ₂ Ｈ₆ ）をドーピングガスとし
て、イオンドーピング法により、島状領域（７０１）に
硼素が注入される。ドーズ量は５×１０¹⁴〜８×１０¹⁵
原子／ｃｍ² とする。このドーピングでは、硼素のドー
ズ量が図７（Ｃ）における燐のドーズ量が上回るため、
先に形成されていた弱いＮ型領域（７０８）は強いＰ型
領域（７１８）に反転する。以上のドーピングにより、
強いＮ型領域（ソース／ドレイン）（７１４）、（７１
５）、強いＰ型領域（ソース／ドレイン）（７１８）、
弱いＮ型領域（低濃度不純物領域）（７１６）が形成さ
れる。（図７（Ｄ））

【００７９】その後、４５０〜８５０℃で０. ５〜３時
間の熱アニールを施すことにより、ドーピングによるダ
メージを回復せしめ、ドーピング不純物を活性化、シリ
コンの結晶性を回復させた。その後、全面に層間絶縁物
（７１９）として、プラズマＣＶＤ法によって酸化珪素
膜を厚さ３０００〜６０００Å形成した。これは、窒化
珪素膜あるいは酸化珪素膜と窒化珪素膜の多層膜であっ
てもよい。そして、層間絶縁膜（７１９）をウエットエ
ッチング法またはドライエッチング法によって、エッチ
ングして、ソース／ドレインにコンタクトホールを形成
した。

【００８０】そして、スパッタ法によって厚さ２０００
〜６０００Åのアルミニウム膜、もしくはチタンとアル
ミニウムの多層膜を形成する。これをレジストをマスク
として用い等方性プラズマエッチングした。この時、放
電ガス電圧を適切に設定し、電極に曲面を持たせ、周辺
回路の電極・配線（７２０）、（７２１）、（７２２）
および画素ＴＦＴの電極・配線（７２３）、（７２４）
を形成した。電極（７２４）は液晶駆動用電極（１１
５）を兼ねるような配線パターンとした。さらに、プラ
ズマＣＶＤ法によって、厚さ１０００〜３０００Åの窒
化珪素膜（７２５）が層間膜として形成された。（図７
（Ｅ））

【００８１】また、第二の基板（１０２）上にも第一の
基板（１０１）と同様にＴＦＴ及び共通電極を形成し
た。第一の基板（１０１）と第二の基板（１０２）上の
各素子、配線電極のパターンは図２に示すように、まず
液晶駆動用電極（１１５）、（１１６）とコモン電極
（１０７）、（１０８）の間隔が一定になるようなパタ
ーンを基本とし、ゲート電極（１０５）、（１０６）、
ソース電極（１１３）、（１１４）及びＴＦＴ（１１
１）、（１１２）については、画素の開口率が最も大き
くなるように適切な位置に配設した。また第一の基板
（１０１）と第二の基板（１０２）の配線パターンはち
ょうど左右が反転したような関係となる。

【００８２】また、第一の基板（１０１）上もしくは第
二の基板（１０２）あるいは両方の基板上には、コント
ラスト向上のため表示に関わらない部分を遮光するた
め、Ｃｒ等の金属もしくは黒色の顔料が分散された樹脂
材料などにより、ブラックマトリクスを形成した。

【００８３】その後、第一の基板（１０１）及び第二の
基板（１０２）に、ポリイミドよりなる配向膜（１１
９）、（１２０）を形成した。配向膜としてはポリイミ
ドを公知のスピンコート法もしくはＤＩＰ法などにより
形成した。次に配向膜表面をラビングした。

【００８４】ラビング方向（５０３）、（５０４）につ
いては使用する液晶材料（１２１）により異なり、第一
の基板（１０１）側の方向（５０３）は、誘電率異方性
が正の材料の場合、電界方向に非平行であって、電界方
向に４５゜またはそれより電界方向に近い角度をなす方
向とする。さらにまた、誘電率異方性が負の材料の場
合、電界に非垂直であって、電界に垂直な方向に４５°
またはそれより電界に垂直な方向に近い角度をなす方向
とする。また第二の基板（１０２）側のラビング処理
（５０４）は、第一の基板（１０１）のラビング方向に
平行、もしくは反平行をなすようになされる。

【００８５】このようにして形成された第一の基板（１
０１）と第二の基板（１０２）を重ね合わせて液晶パネ
ルを形成した。前記一対の基板（１０１）、（１０２）
は、基板間に直径３μｍの球状スペーサーを挟むことで
パネル面内全体で均一な基板間隔となるようにした。ま
た、前記一対の基板（１０１）、（１０２）を接着固定
するためにエポキシ系の接着剤でシールした。シールの
パターンは画素領域、周辺駆動回路領域を囲むようにし
た。この後所定の形状に前記一対の基板（１０１）、
（１０２）を切断した後、基板間に液晶材料（１２１）
を注入した。

【００８６】次に偏光板（５０１）、（５０２）を基板
の外側に二枚貼り合わせた。偏光板の配置ついて、一対
の偏光板をその光軸（５０５）、（５０６）が直交する
ように配置し、いずれか一方の偏光板の光軸、例えば偏
光板（５０１）の光軸（５０５）を、ラビング方向（５
０３）に平行にした。

【００８７】この液晶電気光学装置の光学特性を測定し
たところ、従来の電極形状からなる液晶ディスプレイよ
り、立ち上がり特性のバラツキの少ない良好な表示が得
られた。

【００８８】本実施例における構成とすれば、駆動回路
を画素部ＴＦＴと同一基板内に作製しているため、作製
コストが少なくてすむという利点がある。

【００８９】〔実施例２〕図８に本実施例の液晶電気光
学装置の断面図を示す。本実施例では、第一の基板（１
０１）及び第二の基板（１０２）として、実施例１と同
様に画素ＴＦＴ及び周辺駆動回路を形成した。但し、Ｔ
ＦＴ保護膜形成後直接配向膜を形成するのではなく、平
坦化膜（８０１）を形成し、その後配向膜（１１９）、
（１２０）を形成した。

【００９０】平坦化膜（８０１）はアクリル系樹脂もし
くはポリイミド系の樹脂から成る材料、ここではアクリ
ル系樹脂を使用した。アクリル系樹脂は２液性の熱硬化
型のものを使用した。平坦化膜の形成は公知のスピンコ
ート法等により行い、膜厚は１〜２μｍ、ここでは最大
で１．５μｍとなるようにした。その結果、ＴＦＴ等の
素子を形成することで生じた基板表面の段差は大幅に低
減した。

【００９１】その後実施例１と同様に配向膜（１１
９）、（１２０）を形成し、ラビング処理を行った。ラ
ビングの方向は実施例１と同様前記一対の基板（１０
１）、（１０２）間で平行もしくは反平行の関係を成す
ようにした。

【００９２】このようにして作製された第一の基板（１
０１）及び第二の基板（１０２）は、実施例１と同様な
方法で液晶セルとしてセル組され液晶材料（１２１）を
前記一対の基板（１０１）、（１０２）で挟んだ。さら
に、偏光板（５０１）を実施例１と同様に配置した。

【００９３】上記の液晶電気光学装置はセル厚のむらに
よる色むらの発生もなく良好な装置を歩留り良く作製す
ることが出来た。

【００９４】なお、本実施例ではＴＦＴ保護膜形成後平
坦化膜（８０１）を形成する例を示したが、前記保護膜
（７２５）の代わりに前記平坦化膜（８０１）を利用
し、ＴＦＴ保護膜が同時に基板表面の平坦化を兼ね備え
るような機能を持たせてもよい。また、平坦化膜（８０
１）形成後配向膜（１１９）、（１２０）を形成しラビ
ング等の配向処理をするのではなく、平坦化膜（８０
１）上を直接ラビングしてもよい。このようにすること
でＴＦＴ保護膜及び配向膜（１１９）、（１２０）を形
成する必要がなくなり、作製工程を大幅に少なくするこ
とが可能となる。

【００９５】〔実施例３〕本実施例では実施例１及び実
施例２と同様に周辺駆動回路をも基板上に形成したアク
ティブマトリクス回路とした。図９に本実施例のアクテ
ィブマトリクス基板の作製工程を示す。本実施例では、
第一の基板（１０１）及び第二の基板（１０２）として
実施例１と基本的には同様に画素ＴＦＴ及び周辺駆動回
路を形成した。但し、画素電極として、液晶駆動用電極
（９０１）及びコモン電極（９０２）に、ＩＴＯを使用
した。

【００９６】基板上の各素子、各電極の作製工程として
は、ゲート電極用のアルミニウム等から成る層を形成す
るところまでは実施例１と同様の工程で行い、等方性プ
ラズマエッチングでゲート電極（７０５）、（７０
６）、（７０７）を形成したのち、公知の方法でＩＴＯ
を１０００〜３０００Å成膜し、等方性プラズマエッチ
ングでコモン電極（９０２）を形成した（図９
（Ａ））。

【００９７】その後周辺駆動回路等の配線用のアルミニ
ウム等からなる層を形成するところまでは実施例１と同
様の工程で行い、等方性プラズマエッチングで周辺駆動
回路の電極・配線（７２０）、（７２１）、（７２２）
及び画素ＴＦＴの電極・配線（７２３）、（７２４）を
形成したのち、公知の方法でＩＴＯを１０００〜３００
０Å成膜し、等方性プラズマエッチングで液晶駆動用電
極（９０１）を形成した。この電極は画素ＴＦＴのドレ
イン電極（７２４）と接続している（図９（Ｅ））。

【００９８】次に、ＴＦＴ保護膜として実施例１の窒化
珪素膜（７２２）を形成した。その後平坦化膜として実
施例２のような有機樹脂膜（８０１）を形成してもよ
い。

【００９９】一方、第二の基板（１０２）にも上記と同
じ工程で各素子、各電極等が形成された。第一の基板
（１０１）と第二の基板（１０２）の配線パターンの関
係は実施例１と同様である。

【０１００】このようにして素子・電極等が形成された
一対の基板（１０１）、（１０２）は、実施例１に示さ
れる方法で配向処理、シール印刷、基板重ね合わせ・接
着、液晶注入、偏光板設置といった、一連の液晶パネル
作製工程を経て、液晶電気光学装置が作製された。

【０１０１】前記液晶電気光学装置は画素電極として透
光性を有するＩＴＯを使用したため、画素開口率が高
く、光源からの光を有効利用できる明るいディスプレイ
となった。

【０１０２】〔実施例４〕本実施例では、実施例１、及
び実施例２、及び実施例３で作製した液晶電気光学装置
について、点順次駆動を行い、表示を行った例を示す。

【０１０３】本実施例の場合、１画面を形成するのに必
要な映像信号を前記一対の基板で同時に印加した。これ
により１つのフレームが形成され以後これを繰り返すよ
うにした。

【０１０４】１つの区間では、一方の基板のゲート線に
走査信号が順次印加され、１本のゲート線が選択されて
いる期間内にサンプリングパルスによってサンプリング
された映像データがソース線に順次ホールドされその直
後にそれぞれの画素に映像データが書き込まれる。画素
に書き込まれた映像データは、液晶および容量成分によ
り１区間保持される。この間他方の基板にも一方の基板
で形成する表示画像と同一のものを形成するため、同一
画素で同一の映像データが印加される。

【０１０５】本実施例では、フレーム周波数を６０Ｈｚ
とした。従って、１つの区間の周波数は１２０Ｈｚとな
る。このようにすることで、本実施例のように上下の基
板で映像データの出力をスイッチングしても肉眼では認
識することはできず、あたかも１つの画面が形成・表示
されているように見られた。

【０１０６】なお、本実施例では点順次駆動を例として
述べたが、線順次駆動を行ってもよい。

【０１０７】

【発明の効果】上記で述べたように本発明は、従来の横
方向電界駆動方式の液晶電気光学装置と比べ、液晶の立
ち上がり特性がよく、簡便な工程で液晶電気光学装置が
得られる。さらに本発明は、画素部の微細化にも対応で
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１における液晶電気光学装置の画素領
域の概略を示す図。

【図２】実施例１における液晶電気光学装置の断面の
概略を示す図

【図３】従来の液晶電気光学装置において、電極間に
電界が印加された場合の電気力線を示す図。

【図４】実施例１における液晶電気光学装置におい
て、電極に電界が印加された場合の電気力線を示す図。

【図５】実施例１における液晶電気光学装置の無電界
時の液晶の配向の概略を示す図。

【図６】実施例１における液晶電気光学装置の電界印
加時の液晶の配向の概略を示す図。

【図７】実施例１における液晶電気光学装置の断面の
概略を示す図。

【図８】実施例２における液晶電気光学装置の断面の
概略を示す図。

【図９】実施例３における液晶電気光学装置の断面の
概略を示す図。

【符号の説明】

１０１、１０２基板１０３、１０４下地膜１０５、１０６ゲート電極１０７、１０８コモン電極１０９、１１０ゲート絶縁膜１１１、１１２スイッチング素子１１３、１１４ソース電極１１５、１１６液晶駆動用電極１１７、１１８保護膜１１９、１２０配向膜１２１液晶層（液晶分子）１２２、１２３液晶分子３０１、３０３基板３０２、３０５電極３０４、３０６電気力線３０７電気力線の変形する方向（矢
印）５０１偏光板（検光子）５０２偏光板（偏光子）５０３、５０４ラビング方向５０５、５０６偏光板の光軸７０１、７０２、７０３活性層７０４ゲート絶縁膜（酸化珪素）７０５、７０６、７０７ゲート線７０８、９０２コモン（共通）電極７０９、７１０、７１１弱いＮ型領域７１２、７１３フォトレジストのマスク７１４、７１５強いＮ型領域（ソース／ドレ
イン）７１６低濃度不純物領域７１７フォトレジストのマスク７１８強いＰ型領域（ソース／ドレ
イン）７１９層間絶縁膜７２０〜７２４、９０１周辺駆動回路、画素ＴＦＴの
電極・配線７２５窒化珪素膜８０１平坦化膜

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者寺本聡神奈川県厚木市長谷398番地株式会社半導体エネルギー研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも一方が透明な一対の基板と、該基板の両方に形成された電極と、前記基板間に狭持された液晶層とを有し、前記電極は、基板面に平行な方向を含む電界を形成しう
る液晶駆動用の一対の電極を含み、前記一対の電極は互いに略平行に配置された部分を有
し、前記電極を介して液晶層に電界を印加する電界印加手段
を備えた液晶電気光学装置であって、前記いずれか一方の基板上の一対の電極間に形成される
電界は、他方の基板上の一対の電極間に形成された電界
強度により電界分布が制御されることを特徴とする液晶
電気光学装置。
【請求項２】少なくとも一方が透明な一対の基板と、該基板の両方に形成された電極と、前記基板間に狭持された液晶層とを有し、前記電極は、基板面に平行な方向を含む電界を形成しう
る液晶駆動用の一対の電極を含み、前記一対の電極は互いに略平行に配置された部分を有
し、前記電極を介して液晶層に電界を印加する電界印加手段
を備えた液晶電気光学装置であって、前記いずれか一方の基板上の一対の電極間に形成される
電界は、他方の基板上の一対の電極間に形成された電界
との相互作用により、セル厚方向において電界分布が均
一化されていることを特徴とする液晶電気光学装置。
【請求項３】少なくとも一方が透明な一対の基板と、該基板の両方に形成された電極と、前記基板間に狭持された液晶層とを有し、前記電極は、基板面に平行な方向を含む電界を形成しう
る液晶駆動用の一対の電極を含み、前記一対の電極は互いに略平行に配置された部分を有
し、前記電極を介して液晶層に電界を印加する電界印加手段
を備えた液晶電気光学装置であって、前記一対の基板間の電極により、前記液晶層に対してに
同時に同方向の電界を印加することで、一対の基板間の
電界分布を制御することを特徴とする液晶電気光学装
置。
【請求項４】少なくとも一方が透明な一対の基板と、該基板の両方に形成された電極と、前記基板間に狭持された液晶層とを有し、前記電極は、基板面に平行な方向を含む電界を形成しう
る液晶駆動用の一対の電極を含み、前記一対の電極は互いに略平行に配置された部分を有
し、前記電極を介して液晶層に電界を印加する電界印加手段
を備え、前記一対の電極は、両方の基板において互いに対向する
位置に配置されていることを特徴とする液晶電気光学装
置。
【請求項５】請求項１乃至４において、少なくとも一
つの電極は透光性を有することを特徴とする液晶電気光
学装置。
【請求項６】請求項１乃至４において、電極は曲断面
を有することを特徴とする液晶電気光学装置。
【請求項７】請求項１乃至４において、電極には非線
型素子が接続されていることを特徴とする液晶電気光学
装置。
【請求項８】請求項１乃至４において、前記いずれか
一方もしくは両方の基板には、周辺駆動回路が形成され
ていることを特徴とする液晶電気光学装置。