JP2005072248A - Method for manufacturing semiconductor device - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、半導体ウェハーの表面保護テープを用いた半導体装置の製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor device, and more particularly to a method for manufacturing a semiconductor device using a surface protection tape for a semiconductor wafer.
従来より、半導体チップの厚さを所定の厚さとし、また、半導体チップの電気的特性（基板抵抗など）を向上するため、半導体ウェハーの裏面研削（バックグラインド）が行われている。裏面研削の方法としては、半導体ウェハー表面に、表面保護テープを接着して研削を行う方法が知られている。 Conventionally, semiconductor wafers have been subjected to back surface grinding (back grinding) in order to set the thickness of the semiconductor chip to a predetermined thickness and to improve the electrical characteristics (substrate resistance, etc.) of the semiconductor chip. As a back grinding method, a method is known in which a surface protective tape is bonded to the surface of a semiconductor wafer for grinding.
しかしながら、半導体ウェハー表面と表面保護テープとの接着の程度が十分でない場合、半導体ウェハー表面に形成されたスクライブライン等の溝や段差に、研削時に発生するスラッジ（例えばシリコン屑と水との混合物）が混入してしまうといった問題が生じていた。 However, when the degree of adhesion between the surface of the semiconductor wafer and the surface protection tape is not sufficient, sludge (for example, a mixture of silicon waste and water) generated during grinding in grooves or steps such as scribe lines formed on the surface of the semiconductor wafer. There was a problem of mixing.
そのようなスラッジは、半導体ウェハー上に形成される集積回路のパッド電極上などにも付着し、後にパッド電極上に形成される導電端子との間にも残存してしまうことから、パッケージング時のワイヤとパッド電極との接合強度低下などの問題を招いていた。 Such sludge adheres to the pad electrode of the integrated circuit formed on the semiconductor wafer and also remains between the conductive terminal formed on the pad electrode later. In other words, the bonding strength between the wire and the pad electrode is reduced.
そこで、スラッジが混入する度合いを低く抑えるために、表面保護テープの粘着剤の粘着力を増強させて、表面保護テープと半導体ウェハーとを、より密接に接着させる対処が為されている。ここで、粘着力の増強とは、表面保護テープの粘着剤のぬれ性（粘着剤が、その被着体である半導体基板の表面上に広がってゆく度合い）を向上させることを意味するものである。即ち、ぬれ性が向上することで、粘着剤の被着体の凹凸の接触面積が増し、分子間力（水素結合、ファンデルワールス力、酸―塩基結合力など）が多く働き、粘着力が上昇する。 Therefore, in order to keep the degree of sludge mixing low, measures are taken to increase the adhesive strength of the adhesive of the surface protective tape and to bond the surface protective tape and the semiconductor wafer more closely. Here, the enhancement of the adhesive strength means that the wettability of the adhesive of the surface protection tape (the degree to which the adhesive spreads on the surface of the semiconductor substrate that is the adherend) is improved. is there. That is, by improving the wettability, the contact area of the unevenness of the adherend of the adhesive increases, and intermolecular forces (hydrogen bond, van der Waals force, acid-base bond force, etc.) work and the adhesive force is increased. Rise.
表面保護テープの粘着力の増強は、粘着剤の仕様変更（粘着剤の厚さの変更、粘着剤の組成の変更など）により行っていた。 The adhesive strength of the surface protection tape was increased by changing the specification of the adhesive (change of the thickness of the adhesive, change of the composition of the adhesive, etc.).
なお、関連する技術文献としては、例えば、以下の特許文献１がある。
しかしながら、従来例における表面保護テープの粘着剤の仕様変更は、表面保護テープの製造メーカーにとって、表面保護テープの生産コストの増大（工数増加、歩留まり低下、使用材料の増加などによる）を招くといった問題が生じていた。また、表面保護テープのユーザーである半導体装置の製造メーカーにとっては、製品の製造コストの増大（表面保護テープの購入コストが増大することによる）を招くといった問題が生じていた。 However, the change in the specifications of the adhesive for the surface protection tape in the conventional example causes an increase in the production cost of the surface protection tape (due to an increase in man-hours, a decrease in yield, an increase in materials used, etc.) Has occurred. In addition, there has been a problem for a semiconductor device manufacturer who is a user of the surface protection tape, resulting in an increase in the manufacturing cost of the product (due to an increase in the purchase cost of the surface protection tape).
そこで、本発明は、表面保護テープの仕様変更に依らずに表面保護テープの粘着力を増強させることが可能な、半導体装置の製造方法を提供するものである。 Therefore, the present invention provides a method for manufacturing a semiconductor device, which can increase the adhesive strength of the surface protective tape without depending on the change in specifications of the surface protective tape.
本発明の半導体装置の製造方法は、上述の課題に鑑みて為されたものであり、以下の工程を経るものである。 The method for manufacturing a semiconductor device of the present invention has been made in view of the above-described problems, and undergoes the following steps.
テープ基剤に粘着剤を付加した保護テープを、半導体基板の表面に対して接着する。次に、保護テープが接着された半導体基板を加熱して、粘着剤の流動性を高める。そして加熱を停止した後、保護テープが接着された半導体基板を、室温に至るまで冷却するものである。 A protective tape obtained by adding an adhesive to the tape base is adhered to the surface of the semiconductor substrate. Next, the semiconductor substrate to which the protective tape is bonded is heated to increase the fluidity of the adhesive. Then, after stopping the heating, the semiconductor substrate to which the protective tape is bonded is cooled to room temperature.
また、本発明は、上記製造方法において、保護テープが接着された半導体基板を放置して室温に至るまで冷却した後に、保護テープが接着された前記半導体基板の裏面を研削する工程を含むことを特徴とするものである。 Further, the present invention includes the step of grinding the back surface of the semiconductor substrate to which the protective tape is adhered after the semiconductor substrate to which the protective tape is adhered is left to cool to room temperature in the above manufacturing method. It is a feature.
また、本発明は、上記製造方法において、保護テープが接着された半導体基板を加熱する工程が、保護テープが接着された半導体基板をオーブン内に配置し、保護テープ及び半導体基板に熱源を接触させずに、オーブン内を加熱することにより行われることを特徴とするものである。もしくは、保護テープが接着された半導体基板を加熱する工程が、保護テープ、半導体基板、もしくは保護テープ及び半導体基板の両者、のいずれかに熱源を接触させて行われるものである。 Further, in the manufacturing method described above, the step of heating the semiconductor substrate to which the protective tape is bonded is arranged such that the semiconductor substrate to which the protective tape is bonded is placed in an oven, and a heat source is brought into contact with the protective tape and the semiconductor substrate. The heating is performed by heating the inside of the oven. Alternatively, the step of heating the semiconductor substrate to which the protective tape is bonded is performed by bringing a heat source into contact with the protective tape, the semiconductor substrate, or both of the protective tape and the semiconductor substrate.
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体ウェハー表面に表面保護テープを接着後、それらを加熱した後に放置して、室温に至るまで冷却することで、表面保護テープの粘着剤のぬれ性を高めた。これにより、表面保護テープの粘着力が増強されるので、表面保護テープと半導体ウェハー表面の段差との間の隙間が減少し、スラッジの混入を低く抑えることが可能となる。 The method for manufacturing a semiconductor device of the present invention improves the wettability of the adhesive of the surface protective tape by bonding the surface protective tape to the surface of the semiconductor wafer, heating them and leaving them to cool to room temperature. It was. Thereby, since the adhesive force of the surface protective tape is enhanced, the gap between the surface protective tape and the step on the surface of the semiconductor wafer is reduced, and it becomes possible to keep sludge from mixing low.
また、粘着剤の仕様変更に依らず、かつ既存の設備を利用して、表面保護テープの粘着力を増強できるため、表面保護テープを用いた半導体装置の製造コストの増大を抑止することができる。 In addition, since the adhesive strength of the surface protection tape can be increased without using the change in the specification of the adhesive and using the existing equipment, an increase in the manufacturing cost of the semiconductor device using the surface protection tape can be suppressed. .
次に、本発明を実施するための最良の形態に係る半導体装置の製造方法ついて、図面を参照して説明する。図１は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための断面図である。 Next, a method for manufacturing a semiconductor device according to the best mode for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view for explaining the method for manufacturing a semiconductor device according to this embodiment.
本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、以下に示す工程を含むものである。 The method for manufacturing a semiconductor device according to this embodiment includes the following steps.
図１（ａ）に示すように、その表面の不図示の半導体集積回路が形成された半導体ウェハー１０（例えばシリコンから成る）が、ステージＳＴ上に配置されている。ここで、半導体ウェハー１０の表面と対向した位置に、表面保護テープ２０を準備する。この表面保護テープ２０は、テープ基剤（例えばポリオレフィン系材料やポリエステル系材料）に、粘着剤（例えばアクリル系材料）を塗布などの方法で付加したものである。このテープ基剤は、半導体ウェハー１０の裏面研削（バックグラインド）時に、薄層化される半導体ウェハー１０を支持し得る材質であることが好ましい。また、粘着剤は、半導体ウェハー１０の表面に形成されたスクライブライン等の溝や段差を覆うことが可能な、所定のぬれ性（粘着剤が、その被着体である半導体ウェハーの表面上に広がってゆく度合い）もしくは流動性を有している。
As shown in FIG. 1A, a semiconductor wafer 10 (for example, made of silicon) on which a semiconductor integrated circuit (not shown) is formed is disposed on a stage ST. Here, the
次に、図１（ｂ）に示すように、表面保護テープ２０を、半導体基板１０表面上の全面を覆うように接着する。半導体ウェハー１０を覆わない表面保護テープ２０の不要部分をカッターＣＴ等により切断して除去する。
Next, as shown in FIG. 1B, the
次に、図１（ｃ）に示すように、表面保護テープ２０が接着された半導体ウェハー１０を、オーブン３０内に配置する。オーブン３０は、例えば不図示の熱源によって熱せられた温風を循環させることで、オーブン３０内部の温度を加熱するものである。この際、オーブン３０は、加熱温度を所定の値に制御し得る加熱制御手段（不図示）を有し、加熱温度が当該加熱制御手段により制御されることが好ましい。
Next, as shown in FIG. 1C, the semiconductor wafer 10 to which the
なお、表面保護テープ２０が接着された半導体ウェハー１０を、オーブン３０内に配置する際は、表面保護テープ２０が接着された半導体ウェハー１０を、オーブン３０内に移動させてもよいが、これに限らず、可動式のオーブン（不図示）を、表面保護テープ２０が接着された半導体ウェハー１０を包囲する位置に移動させてもよい。
In addition, when the semiconductor wafer 10 with the surface
そして、オーブン３０を、所定の温度に至るまで加熱する。この加熱により、表面保護テープ２０の粘着剤の流動性及びぬれ性が高まる。この際の加熱温度は、例えば３０℃〜５０℃程度であることが好ましい。ただし、加熱温度は、所望する粘着力、テープ基剤及び粘着剤の材質などに応じて異なるため、上記温度には限定されず、テープ基剤の耐燃温度以下の温度であれば、その他の温度に設定されてもよい。また、加熱時間は、５〜３０分程度であることが好ましいが、これには限定されない。
Then, the oven 30 is heated up to a predetermined temperature. By this heating, the fluidity and wettability of the adhesive of the
そして、オーブン３０が上記所定時間にわたり上記所定の温度に至るまで加熱された後、加熱を停止する。その後、表面保護テープ２０が接着された半導体ウェハー１０を、室温（２５℃前後）に至るまで冷却する。なお、冷却の方法としては、放置する方法や、強制的に冷却する方法のいずれでもよい。
Then, after the oven 30 is heated to the predetermined temperature for the predetermined time, the heating is stopped. Thereafter, the semiconductor wafer 10 to which the
この室温下に至るまでの放置期間において、一度加熱されて流動性が高まった粘着剤が、半導体ウェハー１０の表面に形成されるスクライブライン等の溝や段差に入り込むことで、高い密着度（半導体ウェハー１０と表面保護テープ２０との間の隙間が少ない状態）を有して半導体ウェハー１０表面に粘着する。即ち、加熱と冷却の双方を行うことで、半導体ウェハー１０の表面に対する、表面保護テープ２０の粘着剤のぬれ性が高まる。
In this standing period until it reaches room temperature, the adhesive that has been heated once and has increased fluidity enters a groove or a step such as a scribe line formed on the surface of the
もし仮に、表面保護テープ２０の接着後に加熱を行わない場合、所望の粘着力を得るのに、加熱を行った後に冷却した場合に比して長い時間を要する。
If heating is not performed after the surface
次に、図１（ｄ）に示すように、表面保護テープ２０が形成された半導体ウェハー１０を、その裏面が上向きになるようにして、研削プレート４０上に設置する。そして、研削装置４１により、半導体ウェハー１０の裏面を、所定の厚さに至るまでバックグラインドする。この際、半導体ウェハー１０表面は、粘着力が増強された表面保護テープ２０により、高い密着度で覆われているため、研削により生じたスラッジが半導体ウェハー１０表面の溝や段差に入り込む度合いが低減する。
Next, as shown in FIG. 1 (d), the semiconductor wafer 10 on which the
以上に示した工程を含む製造方法によれば、粘着剤の仕様変更に依らず、粘着剤の粘着力を高められる。また、上記製造方法は、既存の製造設備に簡易なオーブンを追加することで実現できる。従って、表面保護テープを用いた半導体装置の製造コストの増大を抑止することができる。 According to the manufacturing method including the steps described above, the adhesive force of the adhesive can be increased regardless of the change in the specification of the adhesive. Moreover, the said manufacturing method is realizable by adding a simple oven to the existing manufacturing equipment. Therefore, an increase in manufacturing cost of the semiconductor device using the surface protection tape can be suppressed.
なお、上述した実施形態においては、表面保護テープ２０が接着された半導体ウェハー１０をオーブン３０内に配置して加熱したが、本発明はこれに限らず、ステージＳＴに熱源（例えば電熱ヒーター）を埋め込む、または、接触させて加熱してもよい。この際、熱源は、加熱温度を所定の値に制御し得る加熱制御手段（不図示）に接続され、加熱温度が当該加熱制御手段により制御されることが好ましい。
In the above-described embodiment, the
また、熱源を付加したステージを利用して、加熱を行う場合、これをテープ貼り機やバックグラインド装置に組み込んで、加熱を行ってもよい。 In addition, when heating is performed using a stage to which a heat source is added, the heating may be performed by incorporating this into a tape applicator or a back grinding apparatus.
Claims (5)
前記保護テープが接着された前記半導体基板を所定の温度に加熱して、前記粘着剤の流動性を高める工程と、
前記加熱を停止した後、前記保護テープが接着された前記半導体基板を、室温に至るまで冷却する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 Adhering a protective tape with an adhesive added to the tape base to the surface of the semiconductor substrate;
Heating the semiconductor substrate to which the protective tape is bonded to a predetermined temperature to increase the fluidity of the adhesive;
After stopping the heating, cooling the semiconductor substrate to which the protective tape is bonded to room temperature; and
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
前記保護テープが接着された前記半導体基板を所定の温度に加熱して、前記粘着剤の流動性を高める工程と、
前記加熱を停止した後、前記保護テープが接着された前記半導体基板を、室温に至るまで冷却する工程と、
前記保護テープが接着された前記半導体基板の裏面を研削する工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 Adhering a protective tape with an adhesive added to the tape base to the surface of the semiconductor substrate;
Heating the semiconductor substrate to which the protective tape is bonded to a predetermined temperature to increase the fluidity of the adhesive;
After stopping the heating, cooling the semiconductor substrate to which the protective tape is bonded to room temperature; and
Grinding the back surface of the semiconductor substrate to which the protective tape is bonded;
A method for manufacturing a semiconductor device, comprising:
前記保護テープが接着された前記半導体基板をオーブン内に配置し、前記保護テープ及び前記半導体基板に熱源を接触させずに、前記オーブン内を加熱することにより行うことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。 The step of heating the semiconductor substrate to which the protective tape is bonded,
The semiconductor substrate to which the protective tape is bonded is disposed in an oven, and heating is performed in the oven without bringing a heat source into contact with the protective tape and the semiconductor substrate. A method for manufacturing a semiconductor device according to claim 2.
前記保護テープ、前記半導体基板、もしくは前記保護テープ及び前記半導体基板の両者、のいずれかに熱源を接触させて加熱を行うことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置の製造方法。 The step of heating the semiconductor substrate to which the protective tape is bonded,
The semiconductor device according to claim 1, wherein heating is performed by bringing a heat source into contact with either the protective tape, the semiconductor substrate, or both of the protective tape and the semiconductor substrate. Method.
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| JP2016018901A (en) * | 2014-07-09 | 2016-02-01 | 三菱電機株式会社 | Semiconductor device manufacturing method |
| CN108122837A (en) * | 2016-11-28 | 2018-06-05 | 株式会社迪思科 | The processing method of chip |
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Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016018901A (en) * | 2014-07-09 | 2016-02-01 | 三菱電機株式会社 | Semiconductor device manufacturing method |
| CN108122837A (en) * | 2016-11-28 | 2018-06-05 | 株式会社迪思科 | The processing method of chip |
| JP2018088439A (en) * | 2016-11-28 | 2018-06-07 | 株式会社ディスコ | Wafer processing method |
| KR20180061011A (en) * | 2016-11-28 | 2018-06-07 | 가부시기가이샤 디스코 | Processing method of a wafer |
| CN108122837B (en) * | 2016-11-28 | 2021-09-14 | 株式会社迪思科 | Method for processing wafer |
| KR102332261B1 (en) | 2016-11-28 | 2021-11-26 | 가부시기가이샤 디스코 | Processing method of a wafer |
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